TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

---------------o0o---------------

BÀI TẬP LỚN

THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT

CAO TẦN

MÔN: KĨ THUẬT SIÊU CAO TẦN

GVHD : HUỲNH PHÚ MINH CƯỜNG

SVTH :TRƯƠNG NGỌC TRUNG MSSV:1613814

1
*Thiết kế mạch:
Tạo một workspace mới; trong workspace , tạo một schematic mới; sau
đó tạo một schematic như hình sau và file s2p được lấy từ trang
https://toshiba.semicon-storage.com/content/dam/toshiba-
ss/ncsa/en_us/taec/components/spara/tim4450_16ul.s2pducts/product-detail/MAAP-
010169

Cho thành phần = =50Ω.

Cho thành phần = =50Ω.

Trong thanh S-PARAMETERS , điều chỉnh tần số start là 2 GHz, stop là
6 GHz và step là 0.1 GHz.
Sau khi mô phỏng, ta được thông số ma trận tán xạ S như hình sau:

2
Kết quả cho thấy biên độ S(1,1) và S(2,2) có giá trị khá lớn.

*Tính toán các thông số cho mạch matching:

Vào tab simulate, trong tab Enq , thiết lập các phương trình để tính
gamma_s; gamma_L ;gamma_in; gamma_out; Zin; Zout

3
*Xem kết quả gamma_S và gamma_L; ta chọn hai giá trị gamma_S và gamma_L
nhỏ hơn 1.

Ta được : gamma_S =0.487 và gamma_L=0.546

*Tính gamma_in ; gamma_out; Zin; Zout của mạch matching.

4
Z_in,Z_out:

Z_in= 19.328-j*16.157
Z_out = 21.972- j*32.932

*Vẽ mạch phối hợp trở kháng:

5
Ta Đồ thị smith ngõ vào, chỉnh các thông số như hình vẽ :
điền giá trị của value bằng liên hợp của Z_in đã tính ở trên

Đồ thị smith ngõ vào, chỉnh các thông số như hình vẽ :

6
Ta điền giá trị của value bằng liên hợp của Z_out đã tính ở trên.

*Trở kháng ngõ vào, ra của mạch sau khi matching:

Ta thấy trở kháng ngõ vào và ra đều xấp xỉ 50Ω , vậy mạch gần đúng với lý thuyết.

*Hệ số phản xạ ngõ vào, ra sau khi matching:

Ta thấy Gamma_in và gamma_out đều rất nhỏ, vậy mạch thiết kế

đạt yêu cầu.

7
*Thông số ma trận tán xạ của mạch sau khi matching xong:

Ta thấy dB(S(1,1)) và dB(S(2,2)) nhỏ ; dB(S(2,1)) khá lớn.

Kết luận: mạch đạt yêu cầu.

8
9