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    MOSFET COMO CAPACITOR PARA UNA TENSION DE PUERTA Ls ne CO © Una tensién V,,,>0 produce un campo spss eléctrico E que penetra el sustrato. ‘4 © Elcampo E repele la mayoria de huecos de la superficie, creando una region de deplexion. © Ademis el campo E atrae algunos electrones a la superficie. region de peyaeise >= e oh Sustrato p-type MOSFET COMO CAPACITOR Voor PARA UNA TENSION DE PUERTA V,>V © Se forma una mayor capa de electrones en la superticie. ° region de Se crea un canal para la corriente debido a deplexign la inversion de la superficie del sustrato de P-type a n-type. © Elcampo E controla la cantidad de carga en el canal y determina su conductividad. Sustrato p-type CAMPOS ELECTRICOS EN EL MOSFET En un transistor MOS podemos encontrar dos distribuciones de campo eléetrico: El campo eléctrico vertical es causado por la diferencia de potencial entre la puerta y n de deplexién y es el encargado de formar el canal para la conduecién de corriente ° el substrato. Este campo causa la regi El campo eléctrico horizontal es c: el Jo por una diferencia de potencial V,.y mecanismo principal para el flujo de corriente en el transistor Va Ve 7 T Vertical Vow NMOS TRANSISTOR CON V.0, la regién de deplexion se hard mas ancha en la regién adyacente al drenador. © No habré flujo de corriente para ningtin V,,.>0 si no se ha formado un canal entre el drenador y el surtidor del transistor Petype substrate Paype substrate NMOS CON V..>V,,y Vp, bajo Si V,.>V;el canal de conduccién se forma, debido a que se tiene suficiente campo eléetrico para que haya inyersién en el canal. Para un valor V,,.=0 la corriente I= |, pues no se tiene un campo lateral que excite los electrones. Para V,,.>0 se produce un flujo de corriente E] aumento de campo en el drenador producido por la tensién positiva hace que la capa de inversion pierda uniformidad y se haga mas delgada Ves>Vu Ves?! NMOS CON V,.>V,, y Vp. alto © El punto cuando el canal se estrangula en el drenador se denomina voltaje de pinch-off, e@ Cuando ocurre el estrangulamiento de canal V, ps~Vps.sat © Una vez ocurre el estrangulamiento a corriente I,, no presentard cambios tan significativos respecto a variaciones de V,,. Regiones de operacién Region de corte: Cuando V,.V;,¥ Vpg>Vps ar lt Corriente se hace menos dependiente de ‘pg: Peto mantiene la dependencia de Vi, tensién en la puerta producen cambios en el grosor de la capa de inversién la tension V, debido a que los cambios en la Caracteristica lo-V.s en NMOS Para Vg

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