4.

6- Một bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1300 nm trung
bình cứ 3 photon đến tạo ra 2 cặp điện tử - lỗ trống. Bộ thu có băng tần nhiễu hiệu
dụng là 50 MHz, điện trở tải của bộ thu là 2 kΩ, hệ số nhiễu khuếch đại của bộ thu
là 3dB và nhiệt độ làm việc của bộ thu là 25oC. Công suất quang đến bộ thu là
1μW. Xác định

a) Hiệu suất lượng tử của photodiode

b) Năng lượng vùng cấm cực đại có thể có của photodiode

c) Giá trị SNR của bộ thu. Xác định giá trị SNR khi bộ thu hoạt động ở giới hạn
nhiễu nhiệt và giới hạn nhiễu lượng tử

d) Giả thiết nhiễu nhiệt lớn hơn rất nhiều so với nhiễu nổ. Hãy xác định công suất
thu tối thiểu để đạt BER = 10-12(giả thiết P0 = 0 và ID được chọn tối ưu).

Bài 4.6

η = 2 / 3 = 0,67
Điều kiện để PIN hoạt động là :
λ = 1,3 .10-6 < λth = hc/Eg
Vây dải cấm lớn nhất có thể của vật liệu tạo pin là khi λ = λth : Eg max = 1,52 .10-19
w
Đáp ứng của PIN là : R = ηλ / 1,24 = 0,70
SNR của bộ thu ở giới hạn nhiễu nổ :

SNR = Ip2 / σs2 = (RPin)2/2q(RPin+Id)Δf = 43750

SNR của bộ thu ở giới hạn nhiễu nhiệt:

SNR = Ip2 / σT2 = (RPin)2/(4kBT / RL)FnΔf =597,1
Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-12 (với Q = 7) trong giới hạn
nhiễu nhiệt là : σT2 >> σs2,

Prec= 2,87.10-7 W
4.7- Một bộ thu APD hoạt động ở bước sóng 850 nm có các tham số sau :- Có hệ
số nhiễu trội là Mx(với x = 0,3)- Hiệu suất lượng tử của bộ thu là 75%- Dòng tối
10nA và nhiệt độ làm việc của bộ thu là 25oC- Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ
thu là 65 MHz

- Điện dung tiếp giáp là 6pF Giả thiết trong thời gian 1 giây, có 1010photon đến bộ
thu. Hãy tính :

a) Hệ số đáp ứng của bộ thu

b) Giá trị hệ số nhân để bộ thu đạt giá trị SNR là lớn nhất

c) Dòng photo được tạo ra sau quá trình nhân với hệ số nhân là tối ưu.

d) Xác định giá trị SNR của bộ thu khi hệ số nhân của bộ thu là tối ưu.

Bài 4.7:

Hệ số Đáp ứng của bộ thu quang APD là

R = R = ηλ / 1,24 = 0,514
1
Điện trở tải: Rl= 2 πΔfC = 408,1 Ω

Dòng quang điện khi chưa được nhân :

Ip =R.Pin = R.h.f.1010 = 1,2.10-9
Giá trị hệ số nhân để bộ thu đạt SNR giá trị cực đại

2,3 4.1,38 .10−23 .298 .1

M opt = −19 −9 −8 ;
0,3.1,6 .10 .408,1 .(1,2.10 + 10 )

Mopt= 131,68

SNR của hệ thống khi M tối ưu là :

SNR max= 1,24

4.8- Bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1310 nm có hiệu
suất lượng tử 60%, dòng tối 2 nA. Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ thu là 100
MHz. Điện dung tiếp giáp của bộ thu là 6pF và hình ảnh nhiễu của bộ khuếch đại
là 3 dB. Bộ thu làm việc tại nhiệt độ 25oC. Giả sử công suất quang đến bộ thu tại
bước sóng này là 400 nW. a) Xác định công suất tín hiệu điện, công suất nhiễu nổ
và công suất nhiễu nhiệt.

b) Xác định SNR của bộ thu.

c) Xác định SNR của bộ thu trong giới hạn nhiễu nhiệt và giới hạn nhiễu lượng tử

d) Giả thiết bộ thu làm việc trong giới hạn nhiễu nhiệt. Hãy xác định công suất thu
tối thiểu để đạt BER = 10-9(P0 = 0 và ID được chọn tối ưu).

Bài 4.8 :

Đáp ứng của PIN là : R = ηλ / 1,24 = 0,63

Điện trở tải của bộ thu quang :
1
Rl= 2 πΔfC = 265,26 Ω

Fn= 100,3= 2
Công suất tín hiệu điện :

Pe = Ip2.RL = (R.Pin)2.RL = 1,68 .10-11 W

Công suất nhiễu nổ

Pσs = σs2RL = 2q (Ip+Id)Δf.RL= 2,16.10-15 W

Công suất nhiễu nhiệt

PσT = σT2RL= (4kBT / RL)FnΔf .RL

= 4kBT.FnΔf = 4kBT.100,3.Δf =3,29.10-12 W

SNR của bộ thu:

SNR = Ip2 / σ2 = 5,1

SNR của bộ thu ở giới hạn lượng tử :

SNR = Ip2 / σs2 = (RPin)2/2q(RPin)Δf = 7777,8

SNR của bộ thu ở giới hạn nhiễu nhiệt:

SNR = Ip2 / σT2 = (RPin)2/(4kBT / RL)FnΔf =5,1

Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-9 (với Q = 6) trong giới hạn
nhiễu nhiệt là : σT2 >> σs2,

Prec= 1,06.10-6 W