Fotowoltaika

Autorzy:
Konstanty Marszałek
Katarzyna Dyndał
Gabriela Lewińska

2021
Informacja o e-podręczniku "Fotowoltaika"
1. Wstęp
1.1 Wstęp
2. Uwarunkowania klimatyczne
2.1 Energia słoneczna docierająca do powierzchni Ziemi
2.2 Widmo promieniowania słonecznego
2.3 Uwarunkowania geograficzne
2.4 Dobowe zmiany energii słonecznej
3. Podstawy
3.1 Początki fotowoltaiki
3.2 Fotowoltaika na przełomie wieku XX i XXI
3.3 Właściwości fizyczne materiałów wykorzystywanych w fotowoltaice
3.4 Złącze półprzewodnikowe typu p-n
3.5 Podstawy fizyczne konwersji energii słonecznej na energię elektryczną
3.6 Parametry ogniwa fotowoltaicznego
3.7 Model ogniwa
4. Elementy struktury ogniwa
4.1 Elementy struktury ogniw fotowoltaicznych
4.2 Elektrody metaliczne
4.3 Przeźroczyste elektrody przewodzące
4.4 Warstwy antyrefleksyjne
4.5 Warstwy pasywacyjne
5. Generacje ogniw fotowoltaicznych
5.1 Klasyfikacja ogniw fotowoltaicznych
5.2 Zmiany efektywności konwersji
5.3 Ogniwa krzemowe
5.3.1 Produkcja krzemu monokrystalicznego
5.3.2 Produkcja krzemu polikrystalicznego
5.4 Ogniwa cienkowarstwowe
5.5 Ogniwa wielozłączowe
5.6 Ogniwa organiczne
5.7 Ogniwa barwnikowe
5.8 Ogniwa perowskitowe
5.9 Ogniwa hybrydowe
5.10 Fotowoltaika koncentratorowa
6. Technologie ogniw
6.1 Ogniwa z elektrodami paskowymi
6.2 Ogniwa z elektrodami typu PERL
6.3 Ogniwa z elektrodami z tyłu
6.4 Ogniwa fotowoltaiczne z elektrodami typu 'smart wire'
6.5 Ogniwa fotowoltaiczne wykonane w technologii HIT
6.6 Cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne
6.7 Ogniwa fotowoltaiczne typu PERC i PERT
7. Panele fotowolticzne
7.1 Panele fotowoltaiczne
7.2 Technologie paneli fotowoltaicznych
7.3 Panele fotowoltaiczne wykonane technologią typu PERC
7.4 Panele wykonane z ogniw połówkowych
7.5 Panele fotowoltaiczne dwustronnie aktywne
7.6 Systemy solarno-termalne
8. Parametry ogniw i paneli
8.1 Pomiar parametrów ogniwa
8.2 Symulacja zmian parametrów ogniwa w programie PC1D
8.3 Zmiany parametrów ogniwa z temperaturą
8.4 Pomiar parametrów panelu
9. Systemy fotowoltaiczne
9.1 Systemy fotowoltaiczne wyspowe typu "off-grid"
9.2 Systemy fotowoltaiczne sieciowe typu "on-grid"
9.3 Instalacje gruntowe
9.4 Instalacje pływające
9.5 Systemy PV ruchome - instalacje nadążne
9.6 Instalacje przenośne - przedmioty codziennego użytku
9.7 Instalacje przenośne - środki transportu
10. Inwertery
 10.1 Funkcje inwerterów
10.2 Klasyfikacja inwerterów
10.3 Dobór inwerterów
11. Magazynowanie energii elektrycznej
11.1 Sposoby magazynowania energii
11.2 Akumulatory
11.3 Zbiorniki sprężonego powietrza
11.4 Zbiorniki ciekłych gazów
12. Projektowanie instalacji PV wspomagane komputerowo
12.1 Używane programy symulacyjne
12.2 Projektowanie instalacji w programie PV*SOL
12.2.1 Projekt obiektów 3D
12.2.2 Projekt instalacji fotowoltaicznej
12.2.3 Symulacja efektywności instalacji PV
12.3 Projektowanie instalacji w programie Polysun
13. Przyłączenie elektrowni do sieci
13.1 Regulacje prawne dotyczące przyłączeń elektrowni
13.2 Przyłączenie elektrowni do sieci
13.3 Ochrona antypiorunowa
14. Montaż instalacji fotowoltaicznej
14.1 Wymagania montażowe
14.2 Montaż instalacji na płaskim dachu i gruncie
14.2.1 System montażowy na dachu płaskim i gruncie bez balastu
14.2.2 System montażowy na dachu płaskim z balastem
14.2.3 Systemy montażowe samonośne
14.3 Montaż instalacji na dachu spadzistym
14.4 Montaż PV podążających za słońcem
15. Badania paneli oraz instalacji fotowoltaicznej
15.1 Kontrola instalacji fotowoltaicznej
15.2 Testy nowej instalacji
15.3 Wybór i weryfikacja paneli do testowania
15.4 Poprawność działania łańcuchów paneli
15.5 Test na uderzenie gradu
15.6 Test na statyczne obciążenia mechaniczne panelu
15.7 Testy elektroluminescencyjne
16. Uszkodzenia instalacji fotowoltaicznych
16.1 Rodzaje uszkodzeń w instalacjach fotowoltaicznych
16.2 Gorące punkty
16.3 Delaminacja
16.4 Pęknięcia i mikropęknięcia ogniw
16.5 Defekty złącz i puszek przyłączeniowych
16.6 Pęknięcia szkła
16.7 Korozja warstwy TCO w ogniwach z krzemu amorficznego
16.8 Degradacja indukowanym napięciem PID
16.9 Markery technologiczne na krawędziach ogniw
17. Aspekty ekonomiczne fotowoltaiki
17.1 Koszty instalacji fotowoltaicznej
17.2 Ceny paneli
17.3 Rozwój instalacji w Polsce
17.4 Rozwój instalacji w Europie
17.5 Rozwój instalacji na świecie
Informacja o e-podręczniku "Fotowoltaika"

Rysunek 1: Zintegrowany Program Rozwoju Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie.

E-podręcznik opracowano w ramach Zintegrowanego Programu Rozwoju Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie.

Projekt współfinansowany ze środków Europejskiego Funduszu Społecznego w ramach Programu Operacyjnego Wiedza Edukacja
Rozwój 2014-2020.
Oś III Szkolnictwo wyższe dla gospodarki i rozwoju,
Działanie 3.5 Kompleksowe programy szkół wyższych.

1. Wstęp
1.1 Wstęp
Odnawialne źródła energii towarzyszą ludzkości od zawsze. Spalanie biomasy było źródłem ciepła. Energię wiatru
wykorzystywano jako siłę napędową łodzi i tratew żaglowych, do transportu wody na wyżej lub dalej położone obszary rolnicze
czy w końcu do produkcji mąki w wiatrakach o początkowo pionowej, a w miarę rozwoju techniki, poziomej osi. Analizując
fizyczne podstawy fotowoltaiki należy uwzględnić fakt, że ten rodzaj produkcji energii ma źródło poza Ziemią. Szczęśliwie z
punktu widzenia ludzkości Słońce posiada niewyczerpane zasoby energii. Ma natomiast jedna wadę, z którą należy się liczyć tj.
dostarcza energię tylko do tej strony Ziemi, która akurat jest zwrócona w stronę Słońca. Fakt ten skutkuje możliwością produkcji
energii elektrycznej tylko w okresie dziennym i to ze zmienną intensywnością zależną od pory dnia. Istnieje również zależność od
położenia geograficznego elektrowni na kuli ziemskiej ze względu na różnice w nasłonecznieniu. Zjawisko fotowoltaiczne zostało
odkryte w XIX wieku przez Alexandra Edmonda Becquerela (1839). Jednak realne zastosowanie znalazło dopiero po drugiej
wojnie światowej wraz z dynamicznym rozwojem elektroniki i materiałów półprzewodnikowych (w początkowej fazie w
zastosowaniach kosmicznych i militarnych). Szczególnie właśnie konkurencja i wyścig w przestrzeni kosmicznej popchnęła rozwój
fotowoltaiki znacząco do przodu, jako że baterie słoneczne stanowiły lekkie (koszt transportu na orbitę) i niewyczerpywalne
(stały dostęp do energii słonecznej) źródło energii elektrycznej do zasilania urządzeń satelitarnych. Pierwszy powojenny kryzys
energetyczny z połowy lat siedemdziesiątych i Raport Klubu Rzymskiego o wyczerpywaniu się zasobów kopalnych na Ziemi
skierował uwagę społeczeństw na problemy energetyki odnawialnej. Takie źródła jak hydroelektrownie, elektrownie wiatrowe
czy w końcu elektrownie fotowoltaiczne stały się przedmiotem analiz inżynierów, konstruktorów i ekonomistów na całym
świecie.
Hydroelektrownia to inwestycja trwająca dziesiątki lat (samo napełnianie zbiornika trwało np. w Colorado ponad 18 lat).
Elektrownie wiatrowe o dużych mocach (pojedyncze wiatraki to moce od 2 do 10 MW) spotykają się z protestami ekologów ze
względu na ich oddziaływanie na środowisko i wędrówki ptaków. Fotowoltaika jednak stanowi atrakcyjną alternatywę dla
konwencjonalnych źródeł energii jak i wymienionych wyżej, ponieważ energia elektryczna uzyskiwana jest bezpośrednio z energii
słonecznej, bez hałasu, zanieczyszczeń i innych czynników wywołujących niekorzystne zmiany środowiska. Prawie nieograniczone
zapotrzebowanie na krzem monokrystaliczny przemysłu elektronicznego ograniczył rozwój fotowoltaiki w drugiej połowie XX
wieku. Dopiero transfer wielu technologii do Chin, a szczególnie próżniowej technologii Czochralskiego do produkcji
monokrystalicznego krzemu stał się początkiem lawinowego rozwoju fotowoltaiki w pierwszych dwóch dekadach XXI wieku.
Każdy dynamiczny rozwój przyciąga uwagę badaczy i inżynierów. Tak też się stało i w przypadku fotowoltaiki. Szereg modyfikacji
znacząco podniósł efektywność konwersji energii monokrystalicznych ogniw fotowoltaicznych. Opracowano metodę relatywnie
taniej produkcji krzemu polikrystalicznego do wytwarzania ogniw fotowoltaicznych. Badania półprzewodników doprowadziły do
zastosowania szeregu nowych materiałów półprzewodnikowych do produkcji ogniw fotowoltaicznych. Szczególnie
perspektywiczna okazała się technologia cienkowarstwowa, w której zużycie materiału jest sto razy mniejsze niż w ogniwach
krzemowych. A ostatnie 10 lat wprowadziło w obszar fotowoltaiki tanie materiały jak perowskity i polimery.
Ten dynamiczny rozwój instalacji fotowoltaicznych i badań w wielu przypadkach wyprzedza długotrwałe cykle edukacyjne. Stąd
potrzeba publikacji, które stanowią źródło wiedzy i informacji dla coraz szerszego kręgu ludzi zaangażowanych w rozwój
przemysłu fotowoltaicznego. Mam tu na myśli inżynierów materiałowych, energetyków aż do odbiorców końcowych energii
elektrycznej. W tym miejscu należy oddać hołd Prof. Janowi Stopczykowi, który stworzył pojęcie i filozofię prosumenta tj.
producenta i jednocześnie odbiorcy energii elektrycznej w mikroskali. Jednak ten wkład pomnożony przez miliony prosumentów
staje się poważnym wkładem w systemie energetycznym państwa. Nikt nie ma najmniejszych wątpliwości, że po zużyciu paliw
kopalnianych ludzkość nie ma taniej alternatywy dla odnawialnych źródeł energii w tym szczególnie dla fotowoltaiki. Gwałtowny
wzrost produkcji i instalacji fotowoltaicznych doprowadził do drastycznego spadku cen za kWp pochodzącego ze źródeł
fotowoltaicznych co stanowiło główna barierę rozwoju instalacji.
Książka, którą oddajemy czytelnikowi przeznaczona jest w głównej mierze dla studentów kształcących się na kierunkach
związanych z odnawialnymi źródłami energii w tym fotowoltaiką, ale również dla wszystkich zainteresowanych wiedzą na temat
fotowoltaiki, jej rozwoju i perspektyw. Nie stanowi natomiast materiału instruktażowego dla instalatorów systemów
fotowoltaicznych jako, że tego typu materiały znajdują się już w obiegu księgarskim. Forma elektroniczna podręcznika została
wybrana ze względu na zmianę sposobu docierania do studenta i czytelnika oraz możliwość dokonywania modyfikacji treści
wynikających z dynamicznych zmian zachodzących w tej rozwijającej się dziedzinie techniki.

Rysunek 2: Moce PV zainstalowane w różnych krajach od 2010 do 2019 r. Rys. Arnulf Jäger-Waldau, licencja CC-BY 4.0, źródło: https://www.mdpi.com/1996-1073/12/5/769 .

Jak dynamiczne zmiany mają miejsce na świecie w obszarze odnawialnych źródeł energii w tym fotowoltaiki można się przekonać
obserwując zmiany dokonujące się w zwiększającym się stale udziale tych źródeł w produkcji energii. Porównanie krajów, w
których obserwujemy w ostatniej dekadzie bardzo silne wzrosty zainstalowanych mocy fotowoltaicznych nie odzwierciedla
położenia najlepiej nasłonecznionych obszarów globu. W obecnej sytuacji to raczej decyzje polityczne o metodach
dofinansowania instalacji fotowoltaicznych czy zasobników energii stanowią podstawę dynamiki instalacyjnej. Drugim czynnikiem
są poważne inwestycje w rozbudowę przemysłu fotowoltaicznego jak np. dominacja Chin w produkcji podłoży krzemowych.
Porównując 2010 r., kiedy prawie cały słupek mocy zainstalowanych zajmowała Europa, do ostatnich danych z 2019 r. widać jak
kolosalne zmiany dokonały się w tym zakresie (Rys. 2) [1]. Wielkość instalacji w takich krajach jak Chiny, USA, Japonia, czy reszta
świata przegoniły kraje Europy wielokrotnie. Mocom zainstalowanym daleko jeszcze do wartości pokazujących całe energetyczne
zapotrzebowanie świata. Jednak dynamika zmian wskazuje na to, że wiele krajów rozumie niebezpieczeństwa płynące z emisji
CO2 i rolę jaką odgrywają odnawialne źródła energii zarówno ze względu na uwarunkowania klimatyczne, jak i w światowym
mikście energetycznym.

2. Uwarunkowania klimatyczne
2.1 Energia słoneczna docierająca do powierzchni
Ziemi
Nachylenie osi Ziemi w stosunku do orbity Ziemi wokół Słońca generuje zmianę pór roku, co wpływa na ilość energii słonecznej,
docierającej do różnych obszarów Ziemi w ciągu roku. Do półkuli północnej najwięcej energii dociera latem, a najmniej zimą. Jest
to spowodowane zmianą kąta nachylenia płaszczyzny Ziemi do kierunku padania promieni słonecznych oraz czasem
nasłonecznienia (długością dnia), w którym promieniowanie słoneczne dociera do Ziemi. Nasłonecznienie zależy nie tylko od
położenia na równoleżniku, ale także od zachmurzenia w danym regionie.

Rysunek 3: Pozycja Ziemi na orbicie okołosłonecznej w różnych porach roku. Nachylenie osi Ziemi w stosunku do orbity Ziemi wokół Słońca to nie tylko zmiana ilości energii
promieniowania słonecznego docierającej do różnych obszarów Ziemi, ale jednocześnie zmiana pór roku. Sezony na półkuli północnej. Oprac. własne.

Moc promieniowania słonecznego zależy więc od pory dnia, pory roku oraz położenia geograficznego, w którym będzie ono
mierzone (Rys. 3).
 Rysunek 4: Grafika obrazująca zmianę drogi promieniowania słonecznego przez atmosferę ziemską w zależności od kąta jego padania. Oprac. własne.

Długość drogi przebytej przez promieniowanie słoneczne ( Rys. 4) w atmosferze zmienia się w zależności od położenia Słońca nad
horyzontem. Zależność od pory roku związana jest z nachyleniem osi obrotu Ziemi względem płaszczyzny, po której porusza się
Ziemia (Rys. 3).
Zjawisko fotowoltaiczne jest nierozerwalnie związane ze źródłem energii, którym jest Słońce. Średnia moc dostarczana przez
Słońce na granicę atmosfery ziemskiej wynosi 1362 W2 (stała słoneczna) [2], czyli na całą powierzchnię Ziemi pada około
m
175*1015 W mocy promieniowania słonecznego (energii w ciągu sekundy). Energia ta po przejściu przez atmosferę jest
konwertowana w ogniwach fotowoltaicznych na energię elektryczną. Ilość energii docierającej do powierzchni Ziemi jest
oczywiście różna w różnych obszarach geograficznych. Jest ona zwykle określana wielkością nasłonecznienia, czyli ilością energii
promieniowania słonecznego padającego w jednostce czasu na jednostkę powierzchni. Jednostką nasłonecznienia (insolacji) jest
W
lub kWh Rozkład nasłonecznienia na kulę ziemską pokazano na Rys. 5 .
m2 2
m rok

Rysunek 5: Rozkład nasłonecznienia kuli ziemskiej z uwzględnieniem wpływu atmosfery ziemskiej. Rys. OpenStreetMap, licencja CC BY-SA 2.0, źródło:
https://www.openstreetmap.org/copyright/en .

Przedstawione na Rys. 5 czarne kropki obejmują powierzchnię, która pokryta ogniwami fotowoltaicznymi o efektywności
konwersji 8% mogą wytworzyć 568 EJ energii (EJ=10^18 J), co pokrywa całe zapotrzebowanie światowe na energię elektryczną
[3], [4].
Instalacje fotowoltaiczne mocowane są zwykle w nachyleniu południowym. Wybiera się taki kąt nachylenia, aby ilość energii
słonecznej docierającej do powierzchni ogniwa była maksymalna. Najlepszym rozwiązaniem byłoby, aby powierzchnia ogniwa
podążała za ruchem Słońca, śledziła pozorny ruch Słońca po nieboskłonie (ustawiała płaszczyznę prostopadle do padającego
promieniowania słonecznego). Układ nadążny generuje jednak dodatkowe koszty związane z umocowaniem, z napędem całego
układu ogniw oraz jego konserwacją. Dlatego to rozwiązanie stosuje się rzadziej niż trwałe mocowanie paneli fotowoltaicznych.
 Rysunek 6: Energia słoneczna docierająca do Europy na powierzchnię 1 metr kwadratowy w ciągu jednego roku. Nasłonecznienie powierzchni Europy z uwzględnieniem wpływu
atmosfery ziemskiej (różne zachmurzenia w różnych obszarach). Rys. OpenStreetMap, licencja CC BY-SA 2.0, źródło: https://www.openstreetmap.org/copyright/en .

Na Rys. 6 przedstawiono kontury Europy [3], [4], a na Rys. 7 kontury Polski z naniesionym średnim nasłonecznieniem (moc
promieniowania słonecznego przypadającą na jednostkę powierzchni poziomej) w latach 1994-2010 dla Europy i w latach 1994-
2013 dla Polski [3], [4]. Natężenie koloru ilustruje wielkość nasłonecznienia, które zależne jest nie tylko od szerokości
geograficznej (nie pokrywa się dokładnie z układem równoleżników), ale także od zachmurzenia, jakie występuje na danym
obszarze.

Rysunek 7: Energia słoneczna docierająca do Polski na powierzchnię metra kwadratowego w ciągu jednego roku. Rys. OpenStreetMap, licencja CC BY-SA 2.0, źródło:
https://www.openstreetmap.org/copyright/en .

Na Rys. 7 przedstawiono mapę Polski z zaznaczonym nasłonecznieniem (energia padająca na 1 m*m w ciągu roku w kWh/m2). Z
mapy wynika, że nasłonecznienie w ciągu roku jest największe w południowo-wschodniej Polsce. Różnice w ilości energii w
poszczególnych obszarach sięgają 30%, co musi być uwzględniane w rachunku ekonomicznym, szczególnie dla dużych instalacji
fotowoltaicznych.
Wykresy przebiegu tarczy słonecznej po nieboskłonie określane są indywidualnie dla każdej lokalizacji i można je przedstawić
używając programu PVSol (np. dla Krakowa na Rys. 8) (opracowanie własne). I tak, latem altitude w zenicie wynosi około 70o , a

o o o
zimą około 25o , przy czym latem azymut zmienia się od około 60o do około 300o . Natomiast, zimą słońce wschodzi, gdy azymut
wynosi około 120o , a zachodzi, gdy azymut wynosi około 240o .

Rysunek 8: Położenie tarczy słonecznej na nieboskłonie w różnych porach roku dla lokalizacji Kraków (według programu PVSol). Oprac. własne.

Podsumowując, do granicy atmosfery Ziemi dociera światło o natężeniu H=1,362 kW2 (tzw. stała słoneczna), zaś do powierzchni
m
Ziemi dociera ok. 73% tej wielkości.

Vosti Lublin, Wojewódzki Program Rozwoju Alternatywnych Źródeł Energii dla Województwa Lubelskiego – zob.
http://vosti.pl/blog/naslonecznienie-polsce-a-panele-fotowoltaiczne/ .

2.2 Widmo promieniowania słonecznego

Po analizie, gdzie, kiedy i ile energii słonecznej do nas dociera zajęto się analizą częstotliwościową promieniowania
elektromagnetycznego. Widma promieniowania słonecznego w funkcji długości fali przedstawiono na Rys. 9. Przedstawione
widma promieniowania słonecznego to docierające do granic atmosfery (AM 0) oraz widmo promieniowania słonecznego
docierające do powierzchni Ziemi po przebyciu promienia słonecznego przez atmosferę Ziemską wpadające pod kątem 42o nad
horyzontem oznaczone przez AM 1.5. Litera d przy oznaczeniu widma wskazuje, że jest to promieniowanie padające
bezpośrednio ze Słońca natomiast litera g oznacza, że to suma promieniowania bezpośredniego ze Słońca oraz rozproszenie
Rayleigha i promieniowanie odbite od chmur.
Procentowy udział energetyczny poszczególnych obszarów widma jest następujący:

49% – zakres widzialny i bliska podczerwień,

44% – fale o długości większej od 800 nm,
7% – bliski nadfiolet (120-300 nm),
0,001% – promieniowanie rentgenowskie i w dalekim nadfiolecie.
 Rysunek 9: Natężenia promieniowania słonecznego docierające do granicy atmosfery ziemskiej (AM0) i na powierzchni Ziemi (AM1) w zależności od długości fali. Zaznaczono
pierwiastki pochłaniające odpowiednie długości światła. Oprac. własne.

Energia wypromieniowana przez Słońce w postaci fali elektromagnetycznej zanim dotrze do powierzchni Ziemi ulega odbiciu
(około 30%) oraz pochłonięciu przez atmosferę Ziemi (około 20%). Do powierzchni atmosfery ziemskiej dociera około 175 ⋅ 1015
W, a na powierzchnię Ziemi około 89 ⋅ 1015 W. Absorpcja w atmosferze ziemskiej występuje na skutek obecności cząsteczek
tlenu, ozonu, dwutlenku węgla, pary wodnej itd. Ponadto, w troposferze występuje rozpraszanie Rayleigh’a na cząsteczkach
pyłów.
Intensywność promieniowania słonecznego w odległości Ziemi od Słońca jest na poziomie 1362 W2 . Wielkość tę nazwano stałą
m
słoneczną, jest to energia promieniowania słonecznego jaka pada na powierzchnię jednego metra kwadratowego w ciągu
sekundy w odległości Ziemi od Słońca (średnia odległość wynosi 150 mln km). Na tej podstawie policzono energię emitowaną w
ciągu sekundy przez Słońce i wynosi ona 9.65 ⋅ 1025 W. Sumaryczna energia, jaka dociera do powierzchni Ziemi w ciągu całego
roku, wynosi od 600 kW h/m2 /rok w krajach skandynawskich, a do ponad 2200 kW h/m2 /rok w centralnej Afryce. W Polsce
wynosi ona około 990 kW h/m2 /rok [5].
Promieniowane słoneczne pochodzi z fotosfery, czyli z zewnętrznej powierzchni warstwy gazowej Słońca, której temperatura
wynosi około 5770 K. Maksimum promieniowania elektromagnetycznego o widmie ciągłym ciała doskonale czarnego, podobnie
jak dla promieniowania słonecznego, przypada w obszarze widma widzialnego o długości fali około 500 nm (Rys. 9).
 Rysunek 10: Widma emisji ciała doskonale czarnego o różnych temperaturach. Oprac. własne.

Obszar widzialny widma to od 4 ⋅ 10−7 m do 7, 8 ⋅ 10−7 m. Porównując widmo ciała doskonale czarnego (Rys. 10) z widmem
promieniowania Słońca można w pierwszym przybliżeniu przyjąć, że są one podobne Rys. 9.
Zakres pracy paneli słonecznych (kolor zielony) na tle spektrum promieniowania słonecznego jest pokazany na Rys. 11.
Promieniowanie Słońca powyżej atmosfery ziemskiej odpowiada w przybliżeniu promieniowaniu ciała doskonale czarnego o
temperaturze 5762 K (~6000K). Promieniowanie słoneczne, jakie dociera do powierzchni Ziemi, jeszcze wyraźniej różni się od
widma ciała doskonale czarnego. Jest to spowodowane absorpcją, rozproszeniem i odbiciem promieniowania w przestrzeń
kosmiczną, co powoduje znaczną modyfikację rozkładu jego widma [6].

Rysunek 11: Porównanie widm światła słonecznego AM 1.5d (direct) i AM 1.5g (global). Zakres pracy paneli słonecznych (kolor zielony) na tle spektrum promieniowania słonecznego
(UV – światło ultrafioletowe, Vis – światło widzialne, NIR – bliska podczerwień). Oprac. własne.
Na Rys. 11 pokazano widmo promieniowania słonecznego na powierzchni Ziemi (AM1) po przejściu przez atmosferę [7].

Podczas przechodzenia promieniowania słonecznego przez atmosferę występują straty związane z:

rozpraszaniem Rayleigha (proporcjonalne do λ−4 ),

absorpcją przez powłokę elektronową gazów O2 , N2 , O3 ,
absorpcją molekularną (rotacje i oscylacje) cząsteczek H2 O i CO2 ,
rozpraszaniem na cząstkach kurzu i aerozoli,
zmianą współczynnika załamania światła pod wpływem temperatury, ciśnienia, turbulencji,
zmianą wilgotności atmosfery.

W Polsce do powierzchni Ziemi dociera około 1000 W2 promieniowania słonecznego. Wykorzystanie części promieniowania
m
słonecznego do przetwarzania na energię elektryczną związane jest z właściwościami fizycznymi półprzewodników.
Na Rys. 11 zaznaczono obszar energetyczny, który jest wykorzystywany do konwersja energii słonecznej w urządzeniach
fotowoltaicznych. Obszar ten to prawie 50% energii słonecznej, pozostała część widma nie jest wykorzystywana.

Prowadzone są badania nad zjawiskami i technologiami rozszerzającymi zakres wykorzystywanych częstotliwości, jak np. efektu
termoelektrycznego [8], niemniej, w praktyce z instalacji wykorzystujących promieniowanie słoneczne tylko efekt fotowoltaiczny
jest szeroko wykorzystywany komercyjnie.

2.3 Uwarunkowania geograficzne

Promieniowanie słoneczne zanim dotrze do powierzchni Ziemi musi przejść przez atmosferę ziemską. Atmosfera ziemska składa
się w głównej mierze z azotu (78,084% objętości), tlenu (20,946%), argonu (0,934%), dwutlenku węgla (0,0408%) oraz pary
wodnej, której zawartość ulega zmianie. Oprócz tych składników występuje jeszcze metan, wodór, tlenki azotu, związki siarki,
ozon, radon, jod, amoniak i aerozole atmosferyczne (o średnicy 0,05-0,35 μm) w śladowych ilościach. Atmosfera powoduje, że
promieniowanie na drodze do powierzchni Ziemi ulega zaabsorbowaniu oraz rozproszeniu.

Rysunek 12: Straty jakie poniesie promieniowanie słoneczne na drodze do powierzchni Ziemi (panelu fotowoltaicznego). Oprac. własne.

Promieniowanie słoneczne ulega absorpcji i rozproszeniu (ang. diffusion) (Rys. 12). Do powierzchni panelu PV, oprócz
bezpośredniego promieniowania ze Słońca, dochodzi jeszcze światło odbite oraz składowa rozproszenia [9].
Promieniowanie słoneczne padające na powierzchnię Ziemi złożone jest z promieniowania bezpośredniego Ib (ang. beam
radiation) i rozproszonego Id (ang. diffuse radiation), zwanego czasem dyfuzyjnym lub promieniowaniem nieboskłonu (Rys. 13).
Promieniowanie rozproszone to promieniowanie słoneczne, które uległo rozproszeniu w atmosferze ziemskiej ( 1 ).

I = Ib + Id (1)
Jeżeli promieniowanie słoneczne pada na płaszczyznę odchyloną od poziomu Ziemi, to na promieniowanie składa się
promieniowanie bezpośrednie Ib , rozproszone Id i promieniowanie odbite Iod od powierzchni otaczającego gruntu ( 2 ).

Iα = Iαb + Iαd + Iαo (2)

Rysunek 13: Składowe promieniowania słonecznego padającego na płaszczyznę poziomą i odchyloną od poziomu Ziemi. Oprac. własne.

Na Rys. 13 oznaczono Ib – promieniowanie bezpośrednie, Id – promieniowanie rozproszone, Iαb – promieniowanie bezpośrednie

padające pod kątem α, Iαo – promieniowanie odbite od powierzchni otaczającego gruntu.
Promieniowanie dociera do powierzchni Ziemi przez różne grubości warstwy powietrza w zależności od położenia na kuli
ziemskiej, a więc obserwowane jest różne natężenie promieniowania słonecznego (Rys. 14).

Rysunek 14: Droga jaką przebędzie promieniowanie słoneczne przez atmosferę do powierzchni Ziemi. Oprac. własne.

Zmianę długości drogi promienia słonecznego S przez atmosferę ziemską przy zmianie kąta padania ϕ pokazano na Rys. 14.

S= d
cosϕ
(3)

gdzie kąt ϕ jest pomiędzy kierunkiem, w którym znajduje się Słońce, a kierunkiem zenitu.
Powoduje to zmianę mocy promieniowania słonecznego docierającego do powierzchni Ziemi. Obrazuje to fakt, że w różnych
miejscach na Ziemi występują znacząco różne ilości energii słonecznej do wykorzystania przy konwersji na energię elektryczną.

Stosunek długości drogi przebytej przez promienie słoneczne przy promieniowaniu padającym pod pewnym kątem do długości
przebytej drogi pod kątem prostym nazywamy liczbą masy powietrznej AMm (ang. Air Mass m). Jeżeli liczba masa powietrznej
jest m=1, wówczas promienie słoneczne docierają do ziemi pod kątem prostym. Uproszczony schemat wyznaczania liczby masy
powietrznej atmosfery przedstawiono na Rys. 15. Promieniowanie ponad atmosferą ziemską wynosi m=0 i oznaczono je jako
AM0, promieniowanie na poziomie morza, gdy Słońce jest w zenicie, wynosi m=1 i oznaczono je AM1. Liczbę masy powietrznej w
przybliżeniu określa się wzorem:
1
m = cosφ (4)

gdzie kąt ϕ jest pomiędzy kierunkiem, w którym znajduje się Słońce, a kierunkiem zenitu (Rys. 15).
Jeśli istnieje potrzeba wyznaczenia liczby masy powietrznej z większą dokładnością, należy znać ciśnienie atmosferyczne, a
następnie użyć wzoru ( 5 ) (oprac. własne) [10].

−1
(cosφ + )
p 0,15 (5)
m= p0 (93,885−φ) 1,258

gdzie po=1013 hPa, p – aktualne ciśnienie atmosferyczne, hPa=100 Pa.

o
Dla Polski przyjęto liczbę masy powietrznej wynoszącą AM1.5 (szerokość geograficzna ok. 48o ).

Rysunek 15: Uproszczony sposób wyznaczania liczby masy powietrznej atmosfery AM. Oprac. własne.

Rysunek 16: Rodzaje widm promieniowania słonecznego w funkcji położenia w atmosferze ziemskiej. Oprac. własne.

Różnice warunków oświetlenia w różnych miejscach na powierzchni Ziemi wymusiły standaryzację przeprowadzenia badań
wszystkich paneli fotowoltaicznych w dokładnie [10] takich samych warunkach środowiskowych. Wprowadzono standard STC
(ang. Standard Test Conditions). Określają one widmo promieniowania (AM1.5), natężenie oświetlenia – ilość energii padającej na
1 m2 w ciągu 1S (1000 W2 ) oraz temperaturę w jakiej prowadzone są badania (25o C).
m

2.4 Dobowe zmiany energii słonecznej

Słońce nad horyzontem zmienia swoje położenie w zależności od pory dnia. Horyzont obserwatora znajdującego się w środku i
położenie Słońca względem niego w zależności od pory dnia pokazano na Rys. 17.
 Rysunek 17: Kąt azymutu słonecznego jest położeniem Słońca na wschód lub zachód od geograficznego południa, a kąt wysokości (altitude) to położenie Słońca nad horyzontem.
Oprac. własne.

Słońce zmienia swoje położenie na nieboskłonie ze wschodu na zachód, jak również wznosząc się nad horyzontem, przez cały
dzień. Najwyższy punkt osiąga w południe słoneczne, a następnie obniża się aż do zachodu. Pozioma pozycja Słońca nazywana
jest azymutem słonecznym (Rys. 17), który dla półkuli północnej jest mierzony w stopniach na wschód i zachód od geograficznego
południa (nie magnetycznego południa). Kąt azymutu Słońca wynosi 180o C dla geograficznego południa. Pionowa pozycja
Słońca, czyli wysokość kątowa Słońca (altitude) mierzona jest w stopniach nad horyzontem. Przy wschodzie Słońca wynosi 0o C,
gdy Słońce się wznosi kąt rośnie do maksymalnej wartości w południe i wynosi w zależności od położenia na kuli ziemskiej do
90o C (zależnie od szerokości geograficznej).
Pozycję Słońca w zależności od pory roku i dnia przedstawiono na Rys. 18 (na podstawie danych z Wschód i zachód Słońca w
Krakowie – zob. https://halloween.friko.net/slonce/Krakow [11]). Horyzont obserwatora znajduje się w środku, a położenie
Słońca względem niego zależy od pory dnia i roku. Na półkuli północnej najwyższa wysokość kątowa Słońca osiągana jest w porze
letniej, a najniższa w zimie. Linia przerywana pokazuje wrażenie rzutu ruchu Słońca na płaszczyznę horyzontu, jakie widzi
obserwator.

W celu efektywnego wykorzystania nasłonecznienia panele fotowoltaiczne powinny być ustawione w taki sposób, aby energia
promieniowania słonecznego padająca na panel była jak największa. Jeżeli ustawienie panelu jest stacjonarne, czyli nie podąża za
słońcem, to powinien on być ustawiony w kierunku południowym. Kąt nachylenia panelu fotowoltaicznego ustawia się w
zależności od usytuowania na powierzchni Ziemi (czyli, w zależności od szerokości geograficznej zamontowania panelu PV), aby
mógł on odbierać maksymalne nasłonecznienie. Na Rys. 19 (dane pobrano z [12]) pokazano przykładowe różnice w
nasłonecznieniu dla Polski południowej i północnej. Optymalny kąt pochylenia panelu fotowoltaicznego dla Polski północnej jest
większy niż dla południowej.
 Rysunek 18: Położenie Słońca nad horyzontem w różnych porach roku. Oprac. własne.

Na podstawie powyższego wykresu można stwierdzić, że ustawienie panelu fotowoltaicznego pod kątem w granicach 20o C-
50o C zmienia pobór energii słonecznej od 1175 kWh
m2
do 1204 kWh
m2
, czyli w zakresie mniejszym niż 3%.
Panele fotowoltaiczne umieszcza się zwykle na dachu budynku, a ten nie zawsze skierowany jest dokładnie na południe. Dlatego,
należy również przeanalizować sytuację, w której panele fotowoltaiczne mają inne ustawienie względem południa.

Rysunek 19: Zmiana energii promieniowania słonecznego padającego na metr kwadratowy w ciągu roku w zależności od kąta pochylenia panelu fotowoltaicznego, ustawionego na
południe dla Polski południowej i północnej. Oprac. własne.
 Rysunek 20: Zmiana energii promieniowania słonecznego padającego na 1 metr kwadratowy w ciągu roku w zależności od kąta odchylenia od południa oraz kąta pochylenia panelu
fotowoltaicznego. Oprac. własne.

Na podstawie przedstawionych danych eksperymentalnych (Rys. 20) (dane pobrano z [12]) można stwierdzić, że im bardziej panel
fotowoltaiczny odchylany jest od kierunku południowego, tym mniej energii słonecznej dociera do niego. Jeżeli odchylenie od
kierunku południowego nie przekroczy 30o C, zmniejszenie nasłonecznienia panelu nie przekroczy 5%. Reasumując, odchylenie
ustawienia panelu od kierunku południowego do 30o C i ewentualna zmiana kąta pochylenia w granicach od 20o C do 50o C nie
powodują większych strat niż 8%. Większe wartości ww. kątów spowodują jednak większe zmniejszenie nasłonecznienia danego
panelu.
Jeżeli wystąpi potrzeba instalacji fotowoltaicznej tzw. specjalnej, np. na domku letniskowym, trzeba wykorzystać największe
nasłonecznienie w okresie korzystania z domku, czyli w okresie letnim. Wtedy kąt odchylenia od kierunku południowego też nie
powinien przekraczać 30o C, natomiast kąt nachylenia panelu powinien zostać dostosowany do pory letniej, kiedy domek będzie
wykorzystywany.

3. Podstawy
3.1 Początki fotowoltaiki
Efekt fotowoltaiczny jest to zjawisko polegające na powstaniu siły elektromotorycznej w ciele stałym pod wpływem
promieniowania słonecznego. Efekt fotowoltaiczny jest wykorzystywany w ogniwach fotowoltaicznych, urządzeniach, które
produkują energię elektryczną bezpośrednio z promieniowania słonecznego. Ogniwa fotowoltaiczne są podstawowym
elementem budowy baterii słonecznych nazywanych także modułami czy panelami fotowoltaicznymi. W oparciu o baterie
słoneczne budowane są instalacje fotowoltaiczne. W tabeli na Rys. 21 przedstawiono kilka dat związanych z odkryciem zjawiska
oraz modyfikacji dokonanych do początku XXI wieku (rysunki w tabeli stanowią opracowanie własne, fotografie pochodzą z: [13],
[14], [15], [16], zdjęcie salelity na podstawie [17]; fotografie na wolnych licencjach).
 Rysunek 21: Historia dokonań w zakresie badań efektu fotowoltaicznego (od 1839 r. do 1960 r.). Oprac. własne.

3.2 Fotowoltaika na przełomie wieku XX i XXI

W prezentowanym rozdziale przedstawiony jest dalszy rozwój odkryć i osiągnięć w obszarze fotowoltaiki po 1960 r. do czasów
obecnych (fotografie zamieszczone na Rys. 22 pochodzą z [18], [19]; wykorzystano do celów edukacyjnych).
 Rysunek 22: Historia dokonań w zakresie badań efektu fotowoltaicznego od 1960 r. do czasów współczesnych. Oprac. własne.

3.3 Właściwości fizyczne materiałów

wykorzystywanych w fotowoltaice
Do budowy ogniw słonecznych stosuje się obecnie dwa rodzaje materiałów: materiały nieorganiczne i organiczne. Aby zrozumieć
działanie ogniw słonecznych należy zapoznać się z właściwościami tych materiałów. W przypadku materiałów nieorganicznych za
ich właściwości w dużej mierze odpowiada struktura krystaliczna, w której atomy lub grupy atomów tworzą sieć krystaliczną.
Atomy w sieci krystalicznej są tak blisko siebie, że oddziaływanie pomiędzy nimi powoduje utworzenie pasm energetycznych
elektronów, w miejsce skwantowanych poziomów energetycznych w odizolowanych atomach.
Uproszczony model pasm energetycznych przedstawiono na Rys. 23. Składa się on z pasma walencyjnego, pasma wzbronionego i
pasma przewodzenia. Pasmo walencyjne (VB) jest całkowicie zapełnione elektronami, które nie mają możliwości przemieszczania
się w nim (zakaz Pauliego). Pasmo wzbronione (tzw. przerwa energetyczna Eg ) to obszar, w którym elektrony nie mogą
przebywać, bo nie ma w nim poziomów energetycznych. W paśmie przewodzenia (CB) w stanie podstawowym atomu nie ma
elektronów. Po przeniesieniu elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa powstaje możliwość transportu
elektronów.
Przy pomocy tego modelu można podzielić materiały w zależności od wielkości ich przerwy energetycznej Eg . Materiały, dla
których przerwa energetyczna Eg = 0 to przewodniki. Materiały o przerwie Eg < 3,5 eV to półprzewodniki, a izolatory to
materiały o bardzo dużej przerwie energetycznej Eg > 3,5 eV.
Rysunek 23: Schemat modelu pasm energetycznych: Eg – szerokość pasma wzbronionego, Ec – dno pasma przewodnictwa, Ev – góra poziomu energii pasma walencyjnego, Ef – poziom
Fermiego. Oprac. własne.

W modelu pasm energetycznych użyteczne jest wykorzystanie pojęcia poziomu Fermiego. Poziom Fermiego EF to teoretyczna
wartość energii elektronu w półprzewodniku taka, że prawdopodobieństwo obsadzenia pasm VB i CB wynosi 50%. W
półprzewodniku bez domieszek (samoistnym) poziom Fermiego leży w połowie odstępu pomiędzy VB i CB.
Ten uproszczony model przedstawiono w celu łatwiejszego zrozumienia zachowania elektronów w sieci krystalicznej
półprzewodnika. Szczegółowy model opisujący zachowanie elektronów jest bardziej złożony.
Przewodzenie prądu w półprzewodnikach w modelu pasmowym można przedstawić w następujący sposób. Elektrony są silnie
związane w sieci i potrzeba znacznej energii, aby je uwolnić z pasma walencyjnego. Jest ona równa szerokości pasma
wzbronionego Eg . Elektron uwolniony z pasma walencyjnego może się poruszać pod wpływem przyłożonego pola
elektrycznego. Po uwolnionym elektronie pozostaje dodatnio naładowany jon. Utworzony w ten sposób ładunek dodatni może
się poruszać w sieci krystalicznej od atomu do atomu, ponieważ brakujący elektron może być uzupełniony z sąsiedniego wiązania
itd. Taki ruch ładunków dodatnich nazywa się ruchem dziur. Transport elektronów odbywa się w paśmie przewodzenia, w którym
elektrony mogą się przemieszczać swobodnie. Transport dziur odbywa się w paśmie walencyjnym. Bez zewnętrznego pola
elektrycznego ruch ładunków jest chaotyczny i nieuporządkowany. Przyłożenie zewnętrznego pola elektrycznego porządkuje
ruch dziur i elektronów, powodując przepływ prądu.
Materiałami półprzewodnikowymi są np. kryształy atomów z grupy 4 układu okresowego oraz związki pokazane na Rys. 24. W
tabeli na rysunku zaprezentowano też właściwości tych związków, a mianowicie wielkości przerwy energetycznej, ruchliwość
elektronów oraz ruchliwość dziur, które są podstawowymi parametrami charakteryzującymi półprzewodniki (dane do tabeli
pochodzą z [20]). W celu porównania podano też właściwości diamentu. Ruchliwość nośników ładunków wyraża związek
prędkości dryfu ładunków i natężenia zewnętrznego pola elektrycznego.

Rysunek 24: Wartości przerwy energetycznej i wartości ruchliwości nośników w temperaturze 20°C. Oprac. własne.
Ruchliwość dziur w półprzewodnikach jest dużo mniejsza od ruchliwości elektronów. Jest to spowodowane związaniem
elektronów z atomami, co utrudnia przeskok do innego atomu (dziura posiada przez to większą tzw. masę efektywną i porusza
się wolniej – uproszczone wyjaśnienie). Wielkość przerwy energetycznej wzbronionej Eg wskazuje minimalną energię kwantu
promieniowania, jaka może zostać zaabsorbowana przez półprzewodnik.
Przykład:
Maksymalna długość fali, jaka może być zaabsorbowana przez półprzewodnik, może być obliczona z :

1240
Eg = λ

gdzie Eg – przerwa energetyczna [eV ], λ- długość fali [nm], 1240 [eV ⋅ nm].
Korzystając z tego wzoru i przerwy energetycznej Si można łatwo wyliczyć do jakiej długości fali będzie absorbowane
promieniowanie słoneczne w półprzewodniku krzemowym. Np. dla Eg =1,12 eV maksymalna długość fali zaabsorbowana przez
półprzewodnik Si wynosi λmax =1100 nm.
Właściwości fizyczne półprzewodników silnie zależą od temperatury np. oporność wraz ze wzrostem temperatury maleje.
Jeżeli kryształ półprzewodnika jest idealny, to mówimy, że mamy do czynienia z półprzewodnikiem samoistnym. W
półprzewodniku samoistnym liczba elektronów w paśmie przewodzenia jest równa liczbie dziur w paśmie walencyjnym.
Zastąpienie atomu w sieci krystalicznej półprzewodnika innym atomem nazywa się domieszkowaniem.

Właściwości fizyczne półprzewodników silnie zależą od temperatury np. oporność wraz ze wzrostem temperatury maleje. Jeżeli
kryształ półprzewodnika jest idealny, to mówimy, że mamy do czynienia z półprzewodnikiem samoistnym. W półprzewodniku
samoistnym liczba elektronów w paśmie przewodzenia jest równa liczbie dziur w paśmie walencyjnym. Zastąpienie atomu w sieci
krystalicznej półprzewodnika innym atomem nazywa się domieszkowaniem. Właściwości półprzewodników bardzo silnie zależą
od stopnia domieszkowania, czyli od ilości atomów wprowadzonych do sieci krystalicznej półprzewodnika. Wprowadzane do
kryształu półprzewodnika domieszki atomowe z grupy 3 układu okresowego powodują niedobór elektronów i przejmowanie
elektronu z sąsiedniego atomu, w którym pozostaje ładunek dodatni (tzw. dziura). Taki półprzewodnik oznacza się typem p.
Przewodzi on za pomocą dziur, stanowiących ładunki większościowe (dziury w półprzewodnikach typu p, elektrony w
półprzewodnikach typu n).
Wprowadzenie domieszek typu p tworzy w półprzewodnikach poziom energetyczny, zwany poziomem akceptorowym, w którym
są wiązane elektrony z pasma walencyjnego. Elektrony te pozostawiają po sobie lukę w paśmie walencyjnym, która może się
przemieszczać i dzięki temu uważana jest za nośnik ładunku dodatniego (Rys. 25). Powoduje to obniżenie położenia poziomu
Fermiego.

Domieszkowanie atomami z grupy 5 układu okresowego do kryształu półprzewodnika samoistnego powoduje powstanie
półprzewodnika typu n (Rys. 25). Nadmiar elektronów jest uwalniany i tworzy dodatkowe pasmo w obszarze wzbronionym w
pobliżu pasma przewodzenia. Taki półprzewodnik przewodzi prąd za pomocą elektronów stanowiących ładunki większościowe.
Poziom Fermiego ulega przemieszczeniu w kierunku pasm przewodzenia w porównaniu do półprzewodnika samoistnego.

Rysunek 25: Struktura energetyczna półprzewodników: a) akceptorowych typu p i b) donorowych typu n. EF – poziom Fermiego, ED – poziomy donora, EA – poziom akceptora. Oprac.
własne.

Na Rys. 25 przedstawiono zmiany poziomów energetycznych wytworzone wskutek wprowadzenia do półprzewodnika

samoistnego domieszek atomów. Po wprowadzeniu atomów z grupy 3 układu okresowego powstaje półprzewodnik typu p z
dodatkowym poziomem energetycznym EA – poziom akceptora (a), a dodanie atomów z grupy 5 tworzy półprzewodnik typu n z
dodatkowym poziomem energetycznym ED – poziom donora (b). Powoduje to przesunięcie poziomu Fermiego Ef w kierunku
pasma walencyjnego dla domieszkowania atomami z 3 grupy układu okresowego i w kierunku pasma przewodzenia dla
półprzewodników typu n. W przypadku półprzewodnika typu p powstający poziom energetyczny domieszki nazywa się
akceptorowym, a dla półprzewodnika typu n poziom energetyczny domieszki nazywa się donorowym.

3.4 Złącze półprzewodnikowe typu p-n

Półprzewodniki typu n charakteryzują się przewodzeniem elektronowym, a półprzewodniki typu p przewodzą większościowo
poprzez dziury.
W przewodnikach elektrony są swobodnymi nośnikami ładunków tworzącymi “gaz elektronowy” (teoria Drudego-Lorentza) [ 21].
Konsekwencją możliwości swobodnego poruszania się elektronów jest wysokie przewodnictwo w metalach. W półprzewodnikach
natomiast elektrony walencyjne są związane z atomami i tylko część z nich po wyrwaniu z orbit walencyjnych bierze udział w
przepływie prądu.
Wprowadzenie domieszek do półprzewodników generuje zwiększenie koncentracji ładunków większościowych. W przypadku
domieszek donorowych są to elektrony, a dla domieszek akceptorowych – dziury.
Transport elektronów z poziomu walencyjnego do pasma przewodzenia dokonuje się przez absorpcję energii promieniowania
elektromagnetycznego lub energii cieplnej. Zaabsorbowana energia powinna być większa od przerwy energetycznej Eg . Dzięki
swoim właściwościom półprzewodniki znalazły zastosowanie w wielu obszarach techniki. Wielkościami wpływającymi na
właściwości elektrooptyczne półprzewodników są: ruchliwość nośników ładunków, wyrażająca związek prędkości dryfu ładunków
i zewnętrznego pola elektrycznego, właściwości kwantowe, takie jak czas życia elektronów w poszczególnych stanach oraz
współczynnik absorpcji, który zależy od długości fali. Te właściwości decydują o możliwym zastosowaniu materiałów
półprzewodnikowych do wytwarzania ogniw słonecznych.
Po połączeniu półprzewodników typu p i typu n na granicy wytwarza się tzw. złącze typu p-n (Rys. 26). Powstanie złącza
powoduje przepływ elektronów z obszaru n do p i powstanie dziur w obszarze n. Separacja elektronów (-) i dziur (+) prowadzi do
powstania pola elektrycznego wytwarzającego barierę potencjału.

Rysunek 26: Półprzewodniki p i n przed połączeniem a) nie występują ładunki oraz b) po połączeniu półprzewodników p i n, powstaje obszar zubożony w, pojawia się pole elektryczne,
c) symbol diody półprzewodnikowej. Oprac. własne.

W momencie połączenia półprzewodników typu p i n następuje wyrównanie poziomów Fermiego, co uwidoczniono na Rys. 27.
Powoduje to zakrzywienie poziomów walencyjnego i przewodzenia w obszarze w (szerokość złącza p-n). Na złączu powstaje
warstwa, w której istnieją ładunki powodujące zaburzenie poziomów. Jest to warstwa zubożona o ładunki z jednej strony
dodatnie, z drugiej ujemne.

Rysunek 27: Poziomy energetyczne na złączu półprzewodników typu p i n. Ef – energia Fermiego, w – szerokość obszaru złącza p-n, Eg – przerwa energetyczna w półprzewodniku, Ec –
poziom energetyczny pasma przewodzenia, Ev – poziom energetyczny pasma walencyjnego. Oprac. własne.

Taki układ półprzewodników nazywa się diodą półprzewodnikową.

Połączenie półprzewodnika typu p z potencjałem dodatnim, a półprzewodnika typu n z ujemnym, czyli przyłożenie zewnętrznego
pola elektrycznego, powoduje zmniejszenie bariery potencjału oraz zmniejszenie szerokości obszaru złącza p-n. Następuje
przepływ elektronów z obszaru p do elektrody oraz wstrzykiwanie elektronów z drugiej elektrody do obszaru n półprzewodnika,
prąd przepływa przez układ (Rys. 28 po stronie dodatniej napięcia). Odwrotna polaryzacja powiększa wysokość bariery potencjału
oraz szerokość obszaru zubożonego, a prąd przez taki układ nie przepływa (Rys. 28 po stronie ujemnej napięcia). Układ połączenia
półprzewodnika p i n jest nazywany diodą.
 Rysunek 28: Poglądowa charakterystyka prądowo-napięciowa dla diody półprzewodnikowej typu p-n. Oprac. własne.

Właściwości diod półprzewodnikowych wykorzystywane są na szereg różnych sposobów. W zależności od struktury i

przeznaczenia są to diody prostownicze, pojemnościowe, elektroluminescencyjne, laserowe, impulsowe, tunelowe, Zenera i
fotowoltaiczne. Diodę służącą do przetwarzania energii promieniowania słonecznego na energię elektryczną nazwano ogniwem
fotowoltaicznym przedstawionym na Rys. 29. Absorpcja padających fotonów na diodę fotowoltaiczną powoduje przeniesienie
elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodzenia i powstanie pary dziura-elektron. Taka para może poruszać się w
półprzewodniku. Energia wiązania pary dziura-elektron jest na poziomie energii 16 meV (energia termiczna w temperaturze
pokojowej wynosi 25 meV). Para dziura-elektron zwana ekscytonem ulega rozpadowi na swobodny elektron i swobodną dziurę
[22]. Swobodne elektrony są przyciągane przez dodatni ładunek przestrzenny na złączu p-n. Dziury przenoszone są do obszaru
typu p. Separacja ładunków dodatnich i ujemnych wytwarza różnicę potencjału.

Rysunek 29: Ogniwo fotowoltaiczne (dioda fotowoltaiczna) oraz jego symbol. Oprac. własne.

Przekrój przez strukturę prostego monokrystalicznego ogniwa fotowoltaicznego przedstawiono na Rys. 30 [23]. Występują tutaj
następujące elementy:

przednia elektroda - od strony padających promieni słonecznych,

warstwa typu n – warstwa o grubości do 2 μm,
warstwa złącza n-p,
warstwa typu p – warstwa o grubości od 100 -300 μm,
elektroda tylna (od strony przeciwnej do padających promieni słonecznych).

Ogniwo fotowoltaiczne jest diodą, w której pod wpływem promieniowania elektromagnetycznego wytwarza się dodatkowo pary
dziura-elektron. Struktura ogniwa jaką przedstawiono na Rys. 30 jest stosowana dla wszystkich materiałów nieorganicznych, z
których zbudowane są ogniwa fotowoltaiczne.

Rysunek 30: Struktura monokrystalicznego ogniwa słonecznego. Oprac. własne.

Inaczej ma się sprawa w przypadku związków organicznych. Dla organicznych półprzewodników rozważane są pojedyncze
cząsteczki. Każda cząsteczka charakteryzuje się poziomami energetycznymi. W stanie podstawowym wszystkie poziomy są zajęte
aż do najwyższego obsadzonego orbitalu molekularnego zwanego HOMO (ang. Highest Occupied Molecular Orbital) (Rys. 31a).
Powyżej znajdują się poziomy nieobsadzone. Najniższy nieobsadzony poziom orbitalny molekuły nazwano LUMO (ang. Lowest
Unoccupied Molecular Orbital). Różnica pomiędzy położeniami poziomów HOMO i LUMO jest traktowana w materiałach
organicznych jako przerwa energetyczna Eg .
Poziomy te w półprzewodnikach organicznych traktuje się jako odpowiedniki pasma walencyjnego i przewodzenia w
półprzewodnikach nieorganicznych. Strukturę energetyczną cząsteczek przedstawiono na (Rys. 31a). Dotyczą one tylko jednej
cząsteczki.
Padający kwant promieniowania po zaabsorbowaniu przeniesie elektron z poziomu HOMO do LUMO w cząsteczce. Tak powstała
para dziura-elektron (nazwana ekscytonem) może przemieszczać się w materiale. W związkach organicznych energia wiązania
ekscytonu jest na poziomie 0.4 eV. Do rozerwania powstałego ekscytonu w materiałach organicznych są potrzebne energie
znacznie wyższe niż w półprzewodnikach nieorganicznych.

Układ dwu cząsteczek o różnych poziomach HOMO-LUMO powoduje powstanie różnicy potencjału (Rys. 31b). Ekscyton po
natrafieniu na taki układ może być rozdzielony na ładunki. Powstałe w tym układzie ładunki dodatnie i ujemne znajdują się w tym
samym obszarze, co niestety umożliwia ich rekombinację. Celem wymuszenia odpowiedniego przepływu ładunków stosuje się
elektrody o różnych pracach wyjścia. Praca wyjścia to najmniejsza energia, jaką należy dostarczyć elektronowi, aby opuścił
materiał i stał się elektronem swobodnym. Elektroda metalowa o mniejszej pracy wyjścia gromadzi elektrony, a elektroda o
większej gromadzi dziury.

Tak więc w przypadku ogniw fotowoltaicznych wykonanych z półprzewodników organicznych ważną rolę odgrywają elektrody
kontaktowe. Ww .

Rysunek 31: a) Poziomy energetyczne w cząsteczce organicznej, b) Poziomy energetyczne organicznego ogniwa fotowoltaicznego. Oprac. własne.

3.5 Podstawy fizyczne konwersji energii słonecznej

na energię elektryczną
Po połączeniu dwóch rodzajów półprzewodników wytwarza się złącze p-n (Rys. 32) o specyficznej charakterystyce energetycznej.
Jest to spowodowane nadmiarem elektronów swobodnych w półprzewodniku typu n i dziur w półprzewodniku typu p. Po ich
połączeniu następuje przemieszczenie elektronów do półprzewodnika typu p, a dziur do półprzewodnika typu n, co powoduje
zaburzenie równowagi ładunkowej i wytworzenie różnicy potencjałów.

Rysunek 32: Budowa złącza półprzewodnikowego p-n oraz mechanizm wygenerowania ładunków przez fale elektromagnetyczne. Oprac. własne.

Dostarczenie energii w postaci kwantów promieniowania do atomów sieci krystalicznej (w zależności od przerwy energetycznej)
może spowodować przeniesienie elektronów do pasma przewodzenia [24]. Aby ten proces nastąpił, kwant promieniowania hν
musi posiadać energię większą niż przerwa energetyczna Eg ( hν > Eg ) ( h – stała Plancka, ν – częstotliwość).
Ekscyton może się rozpaść na ładunki pod wpływem temperatury lub pola elektrycznego. Ekscyton może przemieszczać się w
półprzewodniku aż trafi na obszar, w którym występuje pole elektryczne. Pole elektryczne występujące na złączu p-n umożliwia
rozdzielanie ładunków. Ładunki dodatnie gromadzą się w półprzewodniku p, a ujemne w półprzewodniku typu n.
Absorpcja światła może zachodzić w obszarze typu n i typu p. Ładunki powstałe w wyniku rozpadu ekscytonu przemieszczają się
w kierunku elektrod. Po podłączeniu odbiornika do elektrod popłynie przez niego prąd elektryczny. Charakterystykę prądowo-
napięciową takiego złącza półprzewodnikowego przedstawiono na Rys. 33. Jeżeli takie złącze nie będzie oświetlone, otrzymana
zostanie charakterystyka I(U) tzw. ciemna, bez oświetlenia (można powiedzieć zwykła charakterystyka diodowa). Jeżeli zaś złącze
p-n zostanie oświetlone, uzyska się charakterystykę I(U) oświetlonego ogniwa słonecznego tzw. charakterystykę jasną.

Rysunek 33: a) Schemat obwodu do pomiaru charakterystyk I(V) diody fotowoltaicznej oraz b) Charakterystyki prądowo-napięciowe złącza półprzewodnikowego dla ogniwa
nieoświetlonego (charakterystyka ciemna) i oświetlonego (charakterystyka jasna). Oprac. własne.

Ilość zaabsorbowanej energii światła zależna jest między innymi od wielkości przerwy energetycznej (Rys. 34). Wielkości
przedstawione w tabeli to maksymalna ilość energii promieniowania słonecznego (w %), jaka może być zaabsorbowana przy
określonej przerwie energetycznej. Jeżeli przerwa jest większa od 4 eV, żadna część promieniowania słonecznego docierającego
do Ziemi nie zostanie zaabsorbowana, bo kwant promieniowania słonecznego ma energię niższą niż 4 eV (patrz rysunek widma
promieniowania słonecznego).

Rysunek 34: Wartość zaabsorbowanego promieniowania słonecznego w procentach, w zależności od wielkości przerwy energetycznej Eg wyrażonej w eV. Oprac. własne.

Założono tutaj, że promieniowanie słoneczne w obszarze od 300 nm do 2500 nm stanowi 100% promieniowania. Na przykład,
półprzewodnik z przerwą energetyczną 1,03 eV może maksymalnie zaabsorbować 81% energii słonecznej docierającej do
ogniwa.

Konwersję energii światła słonecznego na energię elektryczną odbywa się w kilku procesach fizycznych przedstawionych na Rys.
35. Po zaabsorbowaniu światła następuje kreacja ekscytonu, który następnie ulega rozpadowi na ładunki. Ładunki przemieszczają
się w kierunku elektrod gdzie następuje ich gromadzenie.
Każdy z tych procesów obarczony jest stratami wynikającymi z niedoskonałości urządzenia [ 25].
Wpadające kwanty promieniowania świetlnego zostają częściowo zaabsorbowane przez materiał półprzewodnikowy, część
promieniowania zostaje odbita od powierzchni diody, a pozostała nie zaabsorbowana ulega transmisji.
Zaabsorbowany kwant promieniowania powoduje powstanie ekscytonu ( Rys. 35), który może przemieszczać się w materiale
półprzewodnikowym, ale może także ulec anihilacji, zamieniając się w ciepło. Ekscyton ulega rozpadowi tworząc swobodne
ładunki dodatnie i ujemne. Ładunki przemieszczają się do elektrod. W trakcie tego procesu występują straty związane z
rekombinacją ładunków, ograniczeniem ruchliwości oraz oporem na granicy półprzewodnik elektroda.

Rysunek 35: Procesy zachodzące w trakcie konwersji energii w diodzie fotowoltaicznej. Oprac. własne.
Niektóre ze strat można wyeliminować w trakcie konstrukcji ogniwa fotowoltaicznego, dlatego nadal trwają prace mające na
celu podniesienie efektywności konwersji energii promieniowania słonecznego.
Materiały na ogniwa fotowoltaiczne powinny posiadać szereg właściwości takich jak:

wysoka absorpcja promieniowania słonecznego w jak najszerszym obszarze widma (tabela na Rys. 35),
kreacja jak największej liczby ekscytonów,
duża ruchliwość ładunków elektrycznych,
łatwy transport ładunków do elektrod.

Dane dotyczące wzrostu efektywności paneli fotowoltaicznych wyprodukowanych z użyciem nowych lub zmodyfikowanych
materiałów są publikowane corocznie przez NREL (zob. rozdział: 5.2 Zmiany efektywności konwersji).

3.6 Parametry ogniwa fotowoltaicznego

Wiele laboratoriów naukowych i przemysłowych na całym świecie zajmuje się badaniem parametrów ogniw fotowoltaicznych
(PV). Z tego faktu wynika konieczność wprowadzenia zunifikowanych standardów dla przeprowadzenia tych pomiarów.
Opracowano dla ogniw i paneli fotowoltaicznych warunki testowania STC (ang. Standard Test Conditions) [26]. Warunki te
określają parametry przeprowadzenia badań:

oświetlanie światłem o widmie słonecznym AM 1.5 SPECTRUM,

natężenie oświetlenia przypadające na jednostkę powierzchni Plight = 1000 W2 (czyli 100 mW2 ),
m cm
temperaturę pomiaru 25 o C.

Prowadzenie badań w standardowych warunkach pozwala bezpośrednio porównać wyniki z różnych laboratoriów.

Celem badań jest określenie parametrów ogniw i paneli [27]. Podstawowym pomiarem ogniwa fotowoltaicznego jest zbadanie
jego charakterystyki prądowo-napięciowej I(U).
Istotnym parametrem ogniwa jest określenie sprawności, którą wyznacza się z charakterystyki I(U). Sprawność ogniwa
fotowoltaicznego to ilość maksymalnej mocy elektrycznej otrzymanej z ogniwa PV, czyli Pmax do mocy dostarczonej przez
promieniowanie słoneczne Plight .
Sprawność ogniwa fotowoltaicznego wyraża się wzorem:

Pmax
η= Plight
(6)

Charakterystykę prądowo-napięciową dla ogniwa fotowoltaicznego przedstawiono na Rys. 36.

Z przebiegu charakterystyki prądowo-napięciowej dla ogniwa PV wyznacza się maksimum mocy, jaką można uzyskać z ogniwa
przy określonym oświetleniu. Maksimum mocy Pmm to maksymalna powierzchnia prostokąta U ∗ I . Dla punktu maksimum mocy
Pmm wyznacza się wartość napięcia Vm , przy którym moc jest maksymalna oraz wartość prądu Im , przy którym moc jest
maksymalna.

Rysunek 36: Charakterystyka prądowo-napięciowa oświetlonego ogniwa fotowoltaicznego, Voc – napięcie obwodu otwartego, Isc – prąd zwarcia, Pmm – punkt maksymalnej mocy, Im
– prąd w punkcie maksymalnej mocy, Vm – napięcie w punkcie maksymalnej mocy. Oprac. własne.

Używa się też pojęcia współczynnika wypełnienia F F (ang. fill factor), wyrażonego stosunkiem maksymalnej mocy otrzymanej z
ogniwa fotowoltaicznego Pmax do iloczynu napięcia obwodu otwartego Voc i prądu zwarcia Isc . Wartość współczynnika
wypełnienia wyznacza się z równania:

Pmax
FF = Isc ∗Voc
(7)
Sprawność ogniw fotowoltaicznych wykonanych z krzemu monokrystalicznego w 2019 r. wynosiła około 26%, a dla ogniw
multikrystalicznych sprawność kształtuje się na poziomie 23%. Wraz ze wzrostem temperatury sprawność ogniw PV maleje
średnio o 0,2% na każdy stopień zwiększenia temperatury powyżej warunków STC. Jeżeli temperatura wzrośnie o 20 o C to
sprawność obniży się o około 4% wartości nominalnej – czyli panel o sprawności 25% po wzroście temperatury o 20 o C będzie
miał sprawność 24%.
Wprowadzając do wzoru na sprawność ogniwa fotowoltaicznego współczynnik wypełnienia, równanie na sprawność n wydajności
przyjmuje postać:

FF∗Isc ∗Voc
η= Plight
(8)

Sprawność ogniwa zależy od długości fali i współczynnika absorpcji. Uwzględniając te parametry powyższe równanie przybiera
formę:

FF(λ))∗Isc (λ)∗Voc (λ)

η(λ) = Plight (λ)
(9)

Ze względu na powyższą zależność ważne jest zmierzenie widm absorpcyjnych materiałów wchodzących w skład ogniwa PV.

Sprawność ogniwa fotowoltaicznego ponadto zależy także w niewielkim stopniu od natężenia światła.
Badając zależność temperaturową charakterystyk I(U) można stwierdzić, że wraz ze wzrostem temperatury maleje napięcie Voc .

Wielkości zmian tych parametrów są podawane w kartach katalogowych paneli fotowoltaicznych. Przykładem takiej karty jest
karta katalogowa JASOLAR JAM60S09 [28].

Podsumowując wielkościami charakterystycznymi dla ogniwa PV są:

η – współczynnik wydajności konwersji mocy ogniwa fotowoltaicznego w warunkach STC,

Voc – napięcie obwodu otwartego,
Isc – prąd zwarcia,
Vm – napięcie, przy którym jest przekazywana maksymalna moc do odbiornika,
Im – prąd, przy którym jest przekazywana maksymalna moc do odbiornika,
FF – współczynnik wypełnienia,
Pmax – maksymalna moc, jaką można uzyskać z ogniwa PV,
αIsc – współczynnik temperaturowy Isc w jednostkach %/ o C,
βVoc – współczynnik temperaturowy Voc w jednostkach %/ o C,
γPmp – współczynnik temperaturowy mocy Pmax w jednostkach %/ o C.

Oprócz tych parametrów bardzo często podawane są współczynniki zmian właściwości ogniw PV w zależności od czasu.
Ponadto podawany jest czas pracy ogniwa z wydajnością nie mniejszą niż 90%.

3.7 Model ogniwa

Schemat zastępczy diody jest używany do analizy jej charakterystyk elektrycznych. Schematy obwodów zastępczych dla diody
prostowniczej i diody fotowoltaicznej przedstawiono na Rys. 37. Obwody zastępcze [7] różnią się tym, że dla diody
fotowoltaicznej występują dodatkowo źródła generujące prąd IL pod wpływem promieniowania słonecznego (Rys. 37b).

Rysunek 37: Schemat zastępczych obwodów a) dla diody prostowniczej, b) dla diody fotowoltaicznej. Oprac. własne.

Obwód zawiera następujące komponenty: D – dioda, Rsh – opornik bocznikujący reprezentujący rezystencję wynikającą z
powierzchniowej rekombinacji nośników ładunku, Rs – opornik zastępujący sumę oporów szeregowych w obwodzie
zewnętrznym. Schemat zastępczy ogniwa PV, zawierający elementy diody półprzewodnikowej oraz źródło prądu IL
przedstawiono na Rys. 37b.
Korzystając z obwodu zastępczego ogniwa słonecznego (Rys. 37b) i praw Kirchhoffa (prawo węzłów i prawo oczek), można
sformułować następującą relację:

(IL − Id − I)Rsh = U + I RS (10)

gdzie Ish = IL − Id − I
która może być przekształcona do postaci:

I ( R s + 1) = IL − Id −
R U (11)
sh Rsh

Równanie diody Shockleya [29] opisuje zależność prądu diody idealnej Id od napięcia:

Id = Io (e nkT/q − 1)
U−IRs
(12)

i wstawiając Id z równania ( 12 ) do równania ( 11 ) otrzymano zależność dla prądu I :

I = (IL − ) (e nkT/q − 1) .
U−IRs
Rsh Rsh (13)
U
Rsh +Rs
− I0 R
Rsh sh +Rs

Ze względu na złożoną postać równania do wyznaczenia charakterystyki prądowo-napięciowej oraz zależności mocy w funkcji
napięcia użyto programu DERIVE. Charakterystyki przedstawiono na (Rys. 38).

Rysunek 38: Typowa charakterystyka prądowo-napięciowa I(U) ogniwa PV, charakterystyka zmiany mocy ogniwa PV w funkcji napięcia P(U). Oprac. własne.

Otrzymana zależność I(U) jest typową charakterystyką otrzymaną dla ogniw fotowoltaicznych i charakteryzuje się dobrą
zgodnością z przebiegiem otrzymanym eksperymentalnie. Przedstawiona zależność mocy od napięcia P (U) charakteryzuje się
maksimum mocy jaką można odebrać z ogniwa fotowoltaicznego. Maksymalna moc pobierana z układu o charakterystyce jaką
przedstawiono na rysunku jest przy napięciu 0,55 V.
Równanie ( 13 ) opisuje działanie ogniwa PV, a dokładnie pokazuje wpływ oporu szeregowego Rs , równoległego Rsh , prądu Il
zależnego od natężenia oświetlenia, oraz zmian temperatury T na zachowanie charakterystyk prądowo-napięciowych. Zmiany
charakterystyk prądowo-napięciowych pod wpływem zmian oporności szeregowej pokazano na (Rys. 39). Kierunek wzrostu
oporu szeregowego pokazano strzałką.
 Rysunek 39: Charakterystyki prądowo-napięciowe I(U) w zależności od wzrostu Rs. Oprac. własne.

Wzrastający opór szeregowy powoduje zmniejszenie napięcia obwodu otwartego Uoc , co odbija się niekorzystnie na mocy, jaką
można wygenerować z ogniwa PV.

Rysunek 40: Charakterystyki prądowo-napięciowe I(U) w zależności od natężenia promieniowania. Oprac. własne.

Wzrost natężenia promieniowania zaznaczono na rysunku strzałką. Wzrost natężenia promieniowania podnosi natężenie prądu
Isc , natomiast napięcie obwodu otwartego Uoc powiększa się nieznacznie. Otrzymany rezultat jest zgodny z danymi
eksperymentalnymi. Charakterystyki prądowo-napięciowe dla różnych natężeń promieniowania pokazano na (Rys. 40).
 Rysunek 41: Charakterystyki prądowo-napięciowe I(U) dla różnych temperatur pracy ogniwa PV. Oprac. własne.

Zwiększanie temperatury pracy ogniwa zmniejsza napięcie Uoc wygenerowane przez promienie słoneczne. Ponadto zmniejsza
moc, jaką można odebrać z ogniwa dla wyższych temperatur. Charakterystyki prądowo-napięciowe dla różnych temperatur pracy
ogniwa przedstawiono na (Rys. 41).

Rysunek 42: Charakterystyki prądowo-napięciowe I(U) dla różnych wartości oporności równoległej Rsh przy stałej oporności Rs. Oprac. własne.

Dla większych wartości oporu Rsh zwiększa się natężenie prądu, a co za tym idzie i wydajność konwersji energii świetlnej na
energię elektryczną. Napięcie obwodu otwartego zmienia się nieznacznie. Jeżeli stosunek Rs /Rsh jest rzędu 10−3 lub mniejszy,
to zmiana oporności Rsh nie powoduje zmiany charakterystyki I(U). Charakterystyki prądowo-napięciowe dla różnych wartości
oporności równoległej Rsh przy stałej oporności Rs przedstawiono na Rys. 42.
Otrzymane charakterystyki prądowo-napięciowe wyznaczone z przyjętego modelu wykazują dobrą zgodność z wynikami
eksperymentalnymi. W celu uwzględnienia wszystkich procesów zachodzących w ogniwie zmodyfikowano schemat zastępczy
ogniwa przez dodanie dodatkowej diody D2 [30], odpowiedzialnej za procesy nie uwzględnione w diodzie D1.

Rysunek 43: Schemat zastępczy obwodu ogniwa fotowoltaicznego. Oprac. własne.

Układ zastępczy ogniwa fotowoltaicznego uwzględniający dodatkową diodę przedstawioną na Rys. 43 [31]. Rozważając
powyższy układ otrzymamy bardziej rozbudowany wzór opisujący zastosowany model [32]:

I = (IL − ) (e n1 kT/q − 1) − I02 R (e n2 kT/q − 1)

U−IRs U−IRs
Rsh Rsh Rsh (14)
U
Rsh +Rs
− I01 R
Rsh sh +Rs sh +Rs

gdzie:
I – prąd w obwodzie zewnętrznym,
IL – prąd generowany przez ogniwo fotowoltaiczne,
I01 – prąd nasycenia ciemnego składnika dyfuzji prądu ciemnego,
I02 – prąd nasycenia ciemnego składnika generacji-rekombinacji prądu ciemnego,
U – napięcie dostarczane do układu (pomiarowe),
Rs – oporność szeregowa ogniwa fotowoltaicznego,
Rsh – oporność równoległa ogniwa fotowoltaicznego,
n1 – współczynnik jakości diody (wartość bliska 1),
n2 – współczynnik jakości diody (wartość bliska 2).

Rozbudowując model ogniwa fotowoltaicznego o kolejne procesy występujące podczas generacji prądu otrzymujemy złożone
równania algebraiczne opisujące te zjawiska.
Do symulacji charakterystyk prądowo-napięciowych ogniwa fotowoltaicznych stosuje się różne programy matematyczne np.
MATHEMATICA, czy DERIVE.

4. Elementy struktury ogniwa

4.1 Elementy struktury ogniw fotowoltaicznych
Ogniwa fotowoltaiczne i panele są strukturami wielkowarstwowymi Rys. 44, Rys. 45.

Rysunek 44: Schemat budowy ogniwa. Oprac. własne.

Niektóre elementy ogniw występują w wielu generacjach. Oprócz różnych koncepcyjnie warstw aktywnych, w których występuje
zjawisko fotowoltaiczne, w skład każdego ogniwa wchodzą elektrody kontaktowe. Elektroda ogniwa umieszczona od strony
Słońca może mieć formę cienkowarstwowej elektrody transparentnej, pasków pasty srebrnej i aluminiowej (elektroda
busbarowa), cienkich drucików przewodzących (ang. smart wire). Przeciwelektroda ma najczęściej kształt warstwy metalicznej
aluminiowej. Występują również konstrukcje, w których obie elektrody są umieszczone z tyłu (tzw. HIT, ang. Heterojunction with
Intrinsic Thin Layer). Przez górną elektrodę w dalszym ciągu rozumiemy warstwę od strony słonecznej (na którą pada
promieniowanie słoneczne), natomiast przez dolną elektrodę określamy elektrodę nieoświetlaną bezpośrednio przez Słońce. W
celu zapewnienia izolacji, hermetyzacji i ochrony przed uszkodzeniami mechanicznymi oraz chemicznymi ogniwa stosuje się
enkapsulant. Stosuje się w tym celu folie polimerowe. Najpopularniejszym materiałem jest EVA (octan winylu etylowego, ang.
ethylene vinyl acetate). Powierzchnie górne w ogniwach są pokryte warstwami antyrefleksyjnymi i pasywacyjnymi [33].
Funkcje tych warstw opisano w rozdziałach: 4.4 Warstwy antyrefleksyjne, 4.5 Warstwy pasywacyjne.

Rysunek 45: Schemat budowy panelu. Oprac. własne.

4.2 Elektrody metaliczne
Elektrody metaliczne, jak i elektrody transparentne odpowiadają za przepływ prądu z ogniwa fotowoltaicznego do obwodu, mają
więc istotny wpływ na jego parametry elektryczne. Ze względu na geometrię i architekturę rozróżniamy elektrody w postaci
cienkich ścieżek poziomych (busbarowe1), w postaci cienkich drucików przewodzących (ang. smart wire2) oraz elektrody
wyprowadzone z tyłu ogniwa (HIT3).

Aby zapewnić przekazanie ładunku wytworzonego przez ogniwo do obwodu zewnętrznego, ważny jest jak najmniejszy opór
pomiędzy materiałem półprzewodnikowym stanowiącym warstwę aktywną ogniwa i metaliczną elektrodą. Wspomniany opór
pomiędzy półprzewodnikiem i metalem może mieć charakter linowy lub nielinowy. Występowanie przewodnictwa linowego
(omowego) lub nielinowego (Schottky'ego) jest uwarunkowane parametrami użytych materiałów. Kontakt nie powinien wpływać
na charakterystykę prądowo-napięciową ogniwa [34]. W praktyce na rezystancję ogniwa wpływa długość drogi jaką musi pokonać
ładunek elektryczny w płytce, istotnym parametrem materiałów elektrodowych jest praca wyjścia elektronu z metalu (Rys. 46 na
podstawie [20]). Drugim parametrem wpływającym na rodzaj przewodnictwa jest poziom Fermiego półprzewodnika.

Rysunek 46: Praca wyjścia dla materiałów formie polikrystalicznej. Oprac. własne.

Najczęściej stosowanym materiałem na elektrody jest srebro, jednak wdrażane są również inne materiały, min. aluminium czy też
miedź. W ogniwach typu CIGS stosowane są molibden i aluminium [35], [36].

Metodą najczęściej używaną do nakładania kontaktów jest sitodruk. W celu zachowania dużej powierzchni otwartej sita oraz
wykonania precyzyjnych wzorów stosowane są siatki o coraz cienkich drutach ze stali nierdzewnej. Zaletami sitodruku jest duża
przepustowość procesu oraz szeroki dostęp do materiałów. Są rozwijane również technologie cienkowarstwowe (np. metoda
„drukowania” warstwy zarodkowej, ang. aerosol jetting).

Przypis

1. Ogniwa busbar opisano w rozdziale: 6.1 Ogniwa z elektrodami paskowymi.

2. Smart wire opisano w rozdziale: 6.4 Ogniwa fotowoltaiczne z elektrodami typu 'smart wire'.
3. Zob. rozdział: 6.5 Ogniwa fotowoltaiczne wykonane w technologii HIT.

4.3 Przeźroczyste elektrody przewodzące

Aby zapewnić najwyższą efektywność konwersji energii należy stworzyć taką konstrukcję, by możliwie największa ilość energii
światła słonecznego dotarła do absorbera. W tym celu w ogniwach słonecznych zastosowano tlenki metali przewodzące prąd
jako elektrody transparentne.

Większość materiałów dobrze przepuszczających światło widzialne jest izolatorami. Materiały do wykorzystania jako elektrody po
domieszkowaniu stają się półprzewodnikami i powinny wykazywać rezystywność większą bądź równą 10−3 Ω ⋅ cm . Wymagana
jest również koncentracja nośników ładunków rzędu 1020 cm−3 . Tlenki spełniające powyższe warunki nazywane są
transparentnymi tlenkami przewodzącymi (TCO, ang. Transparent Conducting Oxides) [37].

Najpopularniejszym materiałem używanym jako elektroda przeźroczysta jest tlenek indowo-cynowy, określany skrótem ITO (ang.
indium tin oxide). ITO stosowany jako elektroda transparentna jest to mieszanina 74% In, 18% O2 i 8% Sn, wagowo. Jego
przerwa energetyczna wynosi 3,5- 3,7 eV [38]. Szerokość przerwy determinuje właściwości optyczne ITO. Ze względu na dużą
koncentrację nośników ( 1020 − 1021 cm−3 ) przewodnictwo ITO zbliża się do poziomu przewodnictwa metalicznego. Przeciętna
grubość elektrodowej warstwy ITO w systemie fotowoltaicznym wynosi około 100 nm.

Drugim popularnym materiałem półprzewodnikowym jest tlenek cyny z domieszką fluoru (FTO) [39]. W zakresie widzialnym
osiąga transmisję do 80%, wykazuje niższą oporność powierzchniową (oporność materiału liczona na jednostkę powierzchni) niż
ITO (7~13 Ω ⋅ m ) [40]. Jest on obiecującym materiałem ze względu na stabilność czasową parametrów w warunkach
atmosferycznych, obojętność chemiczną, wytrzymałość i odporność na ścieranie. Przerwa energetyczna FTO wynosi 3,80 eV [41].
Transmisja zarówno ITO jak i FTO wynosi ponad 80%, a róznice we właściwościach (np. widmie absorpcyjnym, przewodnictwie) są
silnie zależne od stopnia domieszkowania, sposobu nanoszenia, grubości i innych parametrów [42], [43].

Jako elektroda transparentna jest używany również domieszkowany (najczęściej aluminium) tlenek cynku ZnO:Al (AZO) [44]. W
zależności od ilości i rodzaju domieszkowania wykazuje zmianę przewodnictwa elektrycznego w szerokim zakresie: od
przewodnictwa metali do izolatorów. Dla zastosowań elektrodowych istotna jest też szeroka przerwa energetyczna (3,3 – 3,6 eV)
i wysoka transparentność [45], [46], [47].

Badane były również inne transparentne tlenki metali takie jak ZnSnO4 , Cd2 SnO2 a także CdO (ze względu na toksyczność
tlenki Cd nie weszły do użycia).
Dokonywane są próby użycia warstw elektrodowych z materiałów polimerowych np. PEDOT, czyli poli(3,4-etyleno-1,4-
dioksytiofen) czy jego mieszaniny z polimerem PSS (sulfonian polistyrenowy). PEDOT:PSS jest mieszaniną polimerów o pracy
wyjścia – 5,2 eV. Sam PEDOT jest nierozpuszczalny, dopiero jego połączenie z rozpuszczalnym w wodzie polimerem PSS pozwala
na nanoszenie go metodami mokrymi na elastyczne powierzchnie [48].
W ramach badań nad nowymi materiałami proponowane są także elektrody grafenowe [49], [50], jednak mimo obiecujących
wyników badań zarówno transparentności jak i oporności nie są one jeszcze powszechnie stosowane.

Mimo rozwoju nowych materiałów najpowszechniejszymi elektrodami transparentnymi pozostają ITO oraz FTO. Cena indu jednak
regularnie wzrasta, co przekłada się na rosnące koszty elektrod wykonanych z tego materiału (FTO jest tańszy niż ITO). W
związku z niższą ceną rośnie wiec popularność FTO [51].

4.4 Warstwy antyrefleksyjne

Odbicie światła od powierzchni warstw stanowiących ogniwo zmniejsza ilość światła docierającego do jego warstw aktywnych.
Aby zredukować niekorzystny wpływ tego zjawiska na wydajność ogniwa na wierzchnią warstwę ogniwa nanosi się warstwy
antyrefleksyjne (AR lub ARC, ang. antireflecting coating). Warstwy te nie biorą udziału w konwersji fotowoltaicznej. Zwykle są
nanoszone na wierzchnią warstwę ogniwa.

Zmniejszenie odbicia, przy stałej absorpcji materiału, zwiększa transmisję, co sprawia, że większa ilość promieniowania
słonecznego dociera do warstwy aktywnej.
System antyrefleksyjny może stanowić pojedyncza warstwa lub też system wielowarstwowy.
Pojedynczą warstwę antyrefleksyjną wykonujemy z materiału o wartości współczynnika załamania pośredniej, w stosunku do
współczynnika załamania warstw znajdujących się bezpośrednio pod i nad nią (np. warstwy pasywacyjnej i elektrody
transparentnej).

W drugim przypadku działanie systemów antyrefleksyjnych opiera się na zjawisku interferencji fal elektromagnetycznych. Dobór
grubości i współczynnika załamania warstw stanowiących ten system prowadzi do zwiększenia transmisji. Wielowarstwowe
systemy antyrefleksyjne są oparte na teorii filtrów LH (ang. low, high). Jest to zestaw warstw w których naprzemiennie występują
warstwy o wysokim i niskim współczynniku załamania. Pozwala to na kształtowanie charakterystyki odbiciowej w taki sposób, by
w zakresie długości fali elektromagnetycznej pracy systemu fotowoltaicznego, transmisja była największa (odbicie największe).
Przykładowy systemu antyrefleksyjnego to cztery dwuwarstwy T iO2 / SiO2 .

Grubość warstwy antyrefleksyjnej d związana jest z współczynnikiem załamania światła w warstwie n i długością fali λ światła z
obszaru maksymalnej fotoczułości ogniwa [52] wzorem ):

n⋅d= λ
4
(15)

Odbicie można minimalizować dopasowując współczynnik załamania światła powłoki [53], nAR do materiałów po obu stronach
oznaczanych jako notoczenia1 oraz notoczenia2 bazując na zależności ( 16 ):

nAR = √−
n−−−−−−−−−−−−−−−
otoczenia1 ⋅ notoczenia2 (16)

Charakterystyki współczynnika odbicia systemu antyrefleksyjnego przedstawiono na Rys. 47. Kolorem czerwonym oznaczono
system znajdujący się w otoczeniu powietrza, niebieskim system znajdujący się między dwoma szklanymi taflami.
Charakterystyki zostały wygenerowane przy pomocy programu symulacyjnego Anti-Reflection Coatings [52].
 Rysunek 47: Współczynniki odbicia dla warstwy antyrefleksyjnej dla zadanej grubości i współczynnika załamania a) n =1,4 d=100 nm; b) n =1,8 d=100 nm; c) n =1,4 d=50 nm; d) n =1,8
d=50 nm. Oprac. własne.

Jak wspomniano powyżej, w zależności od maksimum widma absorpcyjnego absorbera w ogniwie słonecznym, można sterować
charakterystyką odbiciową warstwy antyrefleksyjnej. Przedstawiono poniżej warstwy antyrefleksyjne (Rys. 48) z maksimum
transmisji/minimum odbicia a) dla długości fali 500 nm, b) dla długości fali 400 nm.

Rysunek 48: Współczynniki odbicia dla warstwy antyrefleksyjnej dla zadanej grubości i współczynnika załamania a) n =1,94 d=63,4 nm; b) n =2,47 d=40,6 nm. Oprac. własne.

Cienkowarstwowe systemy antyrefleksyjne są wytwarzane metodami próżniowymi przez jonowe rozpylenie lub naparowanie.

4.5 Warstwy pasywacyjne

Powłoki pasywacyjne mają na celu zapobieganie procesom obniżającym wydajność konwersji ogniwa fotowoltaicznego.
Pierwszym procesem jest rekombinacja ładunków na elektrodach. Procesy rekombinacji zachodzą we wszystkich częściach
ogniwa, w tym na elektrodach, choć najintesywniejsze są w warstwie aktywnej. Ładunki z elektrody powinny być przekazywane z
elektrod do obwodu zewnętrznego, rekombinacja zmniejsza ilość ładunków przekazywanych, a więc wydajność konwersji.
Zapobiega się temu wytwarzając w wyniku reakcji chemicznej szczelną, cienką i odporną na korozję warstwę pasywacyjną. Drugim
procesem, któremu zapobiega pasywacja, jest utlenianie elektrod. Utlenianie powoduje zmianę (pogorszenie) parametrów ogniw
fotowoltaicznych.
W przypadku ogniw fotowoltaicznych warstwy pasywacyjne są umieszczane na przedniej lub tylnej powierzchni ogniwa.
Najpopularniejsze są jednak systemy z warstwą pasywacyjną pomiędzy warstwą krzemu, a elektrodą metaliczną. Uproszczone
schematy ogniw z warstwą pasywacyjną zostały przedstawione na Rys. 49.
 Rysunek 49: Architektura ogniw: a) ogniwo bez warstwy pasywacyjnej, b) ogniwo z warstwą pasywacyjną, c) ogniwo z warstwą pasywacyjną dolną. Oprac. własne.

Przykładowy proces pasywacji opracowany przez SoLayTec, InPassion został przedstawiony na filmie "SoLayTec InPassion ALD
for Al2O3". Przedstawia on osadzanie warstw tlenku aluminium Al2 O3 techniką osadzania warstw atomowych ALD (ang. atomic
layer deposition).

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=175
Proces pasywacji SoLayTec
Roger Görtzen, SoLayTec InPassion ALD for Al2O3 (Proces pasywacji SoLayTec), 11.06.2015 (dostęp 10.10.2020). Dostępne w
YouTube: https://youtu.be/0CFltB-9qbg .

Przykładowym sposobem pasywacji krzemu jest jego utlenianie. Na otrzymany w wyniku utleniania ditlenek krzemu ( SiO2 )
nakładane jest następnie aluminium. Warstwy poddaje się dodatkowej obróbce w 400 o C. Niestety sam proces obróbki
wysokotemperaturowej wpływa negatywnie na właściwości elektryczne krzemu [54]. Alternatywnymi warstwami pasywacyjnymi
mogą być warstwy z azotku krzemu.

Ogniwa z dolną warstwą pasywacyjną zostały wytworzone i wprowadzone do masowej sprzedaży. Najpopularniejszymi typami
ogniw są4:

PERC (ang. passivated emitter and rear cell),

PERL (ang. passivated emitter, rear locally diffused),
PERT (ang. passivated emitter, rear totally diffused) [55].

Użyty w nazwie termin "pasivated emitter" rozumiany jest w tym przypadku jako górna warstwa ogniwa. We wszystkich
przypadkach warstwa emitera poddana jest procesowi pasywacji. Dodatkowo pasywowana jest powierzchnia pomiędzy
półprzewodnikiem, a elektrodą metaliczną. Ogniwa PERC mają warstwę pasywacyjną spełniającą funkcję refleksyjną. Fotony
odbite od warstwy pasywacyjnej trafiając do absorbera, zwiększając liczbę wygenerowanych nośników ładunku. Zasada działania
ogniw PERL jest podobna, z uwzględnieniem, że dolna warstwa pasywacyjna jest rozproszona (składa się odseparowanych
elementów). W ogniwie PERT przednia i tylna powierzchnia ogniwa monokrystalicznego są pasywowane. Tylna elektroda jest
lokalnie rozproszona tylko na stykach metalowych, aby zminimalizować rekombinację przy zachowaniu dobrego kontaktu
elektrycznego [56]. Ogniwa z warstwami pasywacyjnymi w standardzie stają się coraz popularniejsze. Na podstawie prognoz z
ITRPV (International Technology Roadmap for Photovoltaic), technologie PERC będą miały 55% udział w rynku paneli do 2027 r.
[57].

Przypis
1. Ogniwa busbar opisano w rozdziale: 6.1 Ogniwa z elektrodami paskowymi.
2. Smart wire opisano w rozdziale: 6.4 Ogniwa fotowoltaiczne z elektrodami typu 'smart wire'.
3. Zob. rozdział: 6.5 Ogniwa fotowoltaiczne wykonane w technologii HIT.
4. Ogniwa opisano w rozdziałach: 6.2 Ogniwa z elektrodami typu PERL i 6.7 Ogniwa fotowoltaiczne typu PERC i PERT.

5. Generacje ogniw fotowoltaicznych

5.1 Klasyfikacja ogniw fotowoltaicznych
Wraz z rozwojem fotowoltaiki pojawiały się nowe typy ogniw, nowe materiały i nowe technologie. Tradycyjne fotowoltaika
dzielona jest na generacje Rys. 50.

Rysunek 50: Podział typów ogniw na generacje. Oprac. własne.

Pierwsza generacja to ogniwa krzemowe: monokrystaliczne i polikrystaliczne. Pojawienie się ogniw bazujących na krzemie
amorficznym zapoczątkowało tzw. drugą generację ogniw. Zaliczają się do niej ogniwa cienkowarstwowe, zbudowane z tellurku
kadmu (CdTe), mieszaniny miedzi, indu, galu, selenu (CIGS), czy z wspomnianego krzemu amorficznego oraz wielozłączowe.
Ogniwa cienkowarstwowe charakteryzują się bardzo cienką (1-3 mikrometrów) warstwą półprzewodnika.
Trzecia generacja to ogniwa barwnikowe i polimerowe. Często do trzeciej generacji zalicza się również ogniwa perowskitowe,
niektóre źródła zaliczają je, wraz z ogniwami hybrydowymi do generacji czwartej [58]. Podział ten ma charakter chronologiczny.
Klasyfikacja ze względu na materiały używane w produkcji ogniw została przedstawiona na Rys. 51 (na podstawie [59]).

Rysunek 51: Klasyfikacja ogniw ze względu na używane materiały. Oprac. własne.

Ogniwa perowskitowe i hybrydy zostały ujęte w oddzielnej kategorii. Perwoskity są materiałami nieorganicznymi, jednak w
wytwarzaniu ogniw używane są materiały organiczne (np. rozpuszczalniki). Ogniwa hybrydowe (np. krzemowo-organiczne) są
również wykonane zarówno z materiałów organicznych jak i nieorganicznych.
Każda z generacji ma swoje mocne i słabe strony (np. jeśli chodzi o wydajności przoduje fotowoltaika krzemowa). Wszystkie są
jednak nadal rozwijanie i mają ogromny potencjał.
5.2 Zmiany efektywności konwersji
Efektywność konwersji energii słonecznej na energię elektryczną jest jednym z podstawowych parametrów ogniw
fotowoltaicznych. Pierwsze wartości dla ogniw krzemowych rejestrowane były w początku lat 50-tych w związku z instalacją
baterii w satelitach. Regularne publikacje osiągnięć dla wszystkich rodzajów ogniw fotowoltaicznych prezentowane są corocznie
przez laboratorium NREL Amerykańskiego Departamentu Energii od 1976 r. [60]. Dane te przedstawione na Rys. 52, Rys. 53
obrazują dynamikę zmian efektywności konwersji energii dla poszczególnych rodzajów wytwarzanych źródeł fotowoltaicznych.
Są to dane dotyczące prac laboratoryjnych. Niemniej obrazują w jakim miejscu sytuują się poszczególne technologie i jaka
odległość dzieli je od fizycznych limitów efektywności konwersji. Pierwsze dane z 1976 r. to były wartości niewielkie. Dla krzemu
amorficznego 1%, dla krzemu monokrystalicznego 14%, dla ogniw cienkowarstwowych CIGS 6% a CdTe 9%. Jedynie ogniwa z
GaAs wykazywały większą konwersję na poziomie 21%. Wzrost wydajności następował w wyniku ciągle prowadzonych prac
badawczych zarówno w korporacjach, jak i jednostkach badawczych. Niektóre innowacje prowadziły do skokowych wzrostów
wydajności ogniw. Należy zwrócić również uwagę na fakt, że część badań doprowadziła do wprowadzenia do fotowoltaiki
całkowicie nowych konstrukcji, jak np. ogniwa wielozłączowe, czy nowych materiałów, a nawet całych klas materiałów, jak
polimery czy perowskity. Trzy klasy materiałów zasługują na szczególną uwagę ze względu na wartości wydajności jakie osiągają
ogniwa skonstruowane z użyciem tych materiałów albo też ze względu na znacząco większą dynamikę zmian w porównaniu do
innych materiałów. Pierwszą kategorią są ogniwa wielozłączowe szczególnie budowane na bazie arsenku galu GaAs.
Wprowadzanie ogniw dwu-, trzy-, a później czterozłączowych rozpoczęło się odpowiednio w drugiej połowie lat
osiemdziesiątych, drugiej połowie lat dziewięćdziesiątych a ostatnich już w tym wieku po 2005 r. Ogniwa te już w początkowej
fazie badań miały wysoką wydajność powyżej 28%. Intensywne prace nad ich rozwojem doprowadziły do tego, że w 2019 r.
zakresy wydajności leżą w nieosiągalnym jak dotąd zakresie od ok. 30% do 47,1%.

Rysunek 52: Wzrost wydajności ogniw dla wszystkich rodzajów w latach 1976-2019. Oprac. wykresu National Renewable Energy Laboratory (NREL), licencja CC0, źródło:
https://pl.wikipedia.org/wiki/Plik:Best_Research-Cell_Efficiencies.png#file .
 Rysunek 53: Opis symboli użytych na wykresie wydajności. Oprac. na podst. wykresu National Renewable Energy Laboratory (NREL), licencja CC0, źródło:
https://pl.wikipedia.org/wiki/Plik:Best_Research-Cell_Efficiencies.png#file .

Drugą grupą materiałów są polimery. Ich podstawową zaletą jest niewątpliwie niska cena. Historia polimerów w fotowoltaice
rozpoczęła się dopiero na początku naszego wieku, ale mimo tak krótkiego okresu już zdołały osiągnąć wydajności na poziomie
17%. Drugą klasą materiałów o jeszcze większej dynamice zmian są perowskity. Produkowane na bazie materiałów mineralnych
w ciągu niecałej dekady ostatnie konstrukcje osiągnęły 21,5% co zbliżyło je do teoretycznej granicy konwersji dla tych
materiałów tj. ok. 31%. Niestety obie klasy materiałów nie posiadają cechy bardzo istotnej dla materiałów fotowoltaicznych tj.
stabilności długoterminowej. Elektrownie fotowoltaiczne pracują po 25 lat i dłużej stąd praca nad poprawą tego parametru
wydaje się kluczowa dla powszechnego zastosowania tych tanich i już wydajnych źródeł fotowoltaicznych. Równie dynamicznie
rozwijają się konstrukcje z wykorzystaniem osiągnięć współczesnej fizyki tj. ogniwa fotowoltaiczne z kropek kwantowych. Są to
ogniwa wymagające zaawansowanej technologii, niemniej w ciągu niecałych 10 lat od ich odkrycia osiągnęły już wydajność 16,6%.
Bez tak spektakularnych wyników rozwijają się cienkowarstwowe ogniwa CIGS i CdTe niemniej osiągnęły już wydajności
odpowiednio 23,4% i 22,1% co jeszcze niedawno było granicą dla ogniw krzemowych. Niewątpliwą zaletą tych ogniw jest
minimalne zużycie materiału i możliwość ich nakładania na elastyczne podłoże, co znacznie poszerza ich możliwości instalacyjne. I
na zakończenie ogniwa krzemowe. Startowały w latach pięćdziesiątych z wydajnością kilku procent w niszowych zastosowaniach,
jak zasilanie satelitów, a obecnie stanowią główny materiał w większości budowanych na świecie elektrowni fotowoltaicznych z
wydajnością osiągniętą w warunkach laboratoryjnych 27,6%. Obecnie mamy dwa obszary aktywności związane z materiałami na
ogniwa fotowoltaiczne. Jeden to poszukiwanie materiałów, szczególnie dla półprzewodników wieloskładnikowych o dużych
wydajnościach. Drugi to obszar związany z opracowaniem metod produkcji materiałów o uzyskanych wysokich wydajnościach na
skalę przemysłową. Rosnąca wydajność ogniw i prawie milionkrotny wzrost produkcji spowodował około tysiąckrotny spadek
ceny za 1 Wp od 1975 r. do dziś. Zmiany te przedstawiono na Rys. 54 (na podstawie danych z [61], [62]).

Tak znaczące obniżki cen sprzedaży spowodowały wzrost nakładów na badania tanich materiałów fotowoltaicznych jak
perowskity i polimery. Skutkiem tego w ostatnich latach obserwujemy gwałtowny wzrost efektywności konwersji (Rys. 52)
uzyskiwany dla ogniw z tych materiałów.

Rysunek 54: Spadek cen ogniw fotowoltaicznych od 1975 r. do 2019 r. Oprac. własne.

5.3 Ogniwa krzemowe

Ogniwa fotowoltaiczne można podzielić biorąc pod uwagę materiały, z których są zbudowane i strukturę tych materiałów (Rys.
55).

Rysunek 55: Podział ogniw ze względu na materiały bazowe. Oprac. własne.

Wśród ogniw krzemowych można wyróżnić rodzaje przedstawione Rys. 56.

Rysunek 56: Podział ogniw krzemowych. Oprac. własne.

Komercyjnie najbardziej rozpowszechnione są ogniwa oparte na krzemie. Produkowane są cztery rodzaje ogniw używanych do
budowy paneli fotowoltaicznych: ogniwa monokrystaliczne, polikrystaliczne, cienkowarstwowe i amorficzne. Przekrój przez
strukturę monokrystalicznego ogniwa słonecznego przedstawiono na Rys. 57. Na strukturę ogniwa składa się z elektroda
przednia (ta, na którą pada światło), warstwa typu n o grubości około 2 μm, złącza n-p, warstwa typu p i elektroda tylna. Warstwa
typu p charakteryzuje się grubością 300 μm , ale prace nad zmniejszeniem jej grubości trwają i w niedługim czasie osiągnie
wartość 160 μm . Ekscyton wytworzony w procesie pochłaniania kwantu promieniowania pojawia się w okolicy złącza n-p i ulega
rozpadowi na ładunki. Pole elektryczne na złączu p-n przesuwa ładunki w różne strony, elektrony do półprzewodnika typu n, a
dziury do półprzewodnika typu p. Ładunki rozdzielone na złączu powodują powstanie różnicy potencjałów.

Rysunek 57: Struktura ogniwa monokrystalicznego. Półprzewodnik typu p jest stosukowo grubą warstwą, a półprzewodnik typu n o grubości nie większej niż 2 um. Elektrody przednia i
tylna odbierają ładunki rozdzielone na złączu p-n. Oprac. własne.

Ogniwa fotowoltaiczne zbudowane na monokryształach są wykowane z pojedynczego kryształu krzemu, powstałego metodą
ciągnienia jednego kryształu, najczęściej metodą Czochralskiego. Dobierając prędkość wyciągania i obrotu monokryształu można
otrzymać monokrystaliczne pręty o określonej średnicy. Ogniwo zbudowane jest z następujących warstw:

elektroda przednia, od strony padających promieni słonecznych – może być wykonana z pasków srebrnych lub ITO, albo
pasków aluminiowych,
warstwa antyrefleksyjna – zwiększa ilość promieniowania słonecznego docierającego do ogniwa,
 warstwa pasywacyjna – chroni półprzewodnik przed zmianą właściwości z czasem,
warstwa typu n – o grubości do 2 μm, jest zwykle wytrawiana w celu utworzenia powierzchni składającej się z piramid, co
zwiększa długość drogi optycznej kwantów promieniowania w półprzewodniku, zwiększając prawdopodobieństwo absorpcji
promieniowania,
warstwa złącza p-n – mająca na celu rozdzielenie ładunków,
warstwa typu p – o grubości 180-300 μm,
elektroda tylna (od strony przeciwnej do padających promieni słonecznych) – wykonana jako pełna warstwa aluminiowa (lub
srebrna), albo w postaci pasków, może być też z ITO, w przypadku elektrod dwustronnych.

Technologia wytwarzania ogniw krzemowych opiera się na wykonaniu odpowiednich wafli krzemowych z walca
monokrystalicznego. Do bazy materiałowej, podczas wzrostu kryształu, wprowadza się domieszkę akceptorową, otrzymując w
ten sposób półprzewodnik typu p. Wyhodowany kryształ w kształcie walca jest następnie cięty za pomocą lasera na płytki o
grubości 0,3mm, w kształcie kwadratu, sześciokąta lub koła. Wafle takie są półprzewodnikami typu p, a uzyskane płytki są
polerowane do osiągnięcia idealnej czystości i gładkości [63]. W pojedynczych płytkach w cienkiej warstwie powierzchniowej za
pomocą dyfuzji, np. fosforu, wytwarza się obszar typu n. Na połączeniu w ten sposób dwóch rodzajów półprzewodników
powstaje złącze p-n. Następnie powierzchnia jest teksturowana. Wafle ogniwowe to zwykle kwadraty o boku 100-200 mm i
grubości 200-300 μm (w przyszłości standardem ma być grubość 160 μm [64]. W elektronice używa się wafli o średnicy 100-300
mm, a w niedalekiej przyszłości nawet 450 mm [65]. Obecnie stosowane są wafle krzemowe do grubości 180 μm. Powierzchnia
krzemu krystalicznego odbija padające promienie słoneczne (nawet do 40%). Aby temu zapobiec, na powierzchnię płytki nanosi
się cienką warstwę przeciwodblaskową. Dalsza produkcja polega na naniesieniu ścieżek prądowych z cienkich pasków folii
aluminiowej i zabezpieczeniu całego ogniwa przed wpływem warunków atmosferycznych specjalną warstwą folii organicznej EVA
(Etyleno Vinylo Acid). Dzięki takiej hermetycznej strukturze ogniwa mogą pracować w instalacjach całorocznych ponad 25 lat.
Polikrystaliczne pręty krzemu natomiast wytwarza się w procesie Siemensa (z 1953 r.) o czystości >99,99999%. Wadą tej
technologii jest stosowanie wysokich temperatur. Podstawowym materiałem jest krzem, mielony i odlewany w formie
prostopadłościanu. Poprzez kontrolowane ogrzewanie i chłodzenie blok krystalizuje w jednym kierunku w celu uzyskania
niehomogenicznych kryształów o wielkości kilku milimetrów do kilku centymetrów. Granice pomiędzy kryształami stanowią
defekty, które mogą pogorszyć sprawność ogniwa fotowoltaicznego. Proces wytwarzania polikryształu wymusza strukturę
polikrystaliczną wstęgową. Ogniwo fotowoltaiczne wykonane na polikrystalicznych waflach krzemu można porównać do większej
liczby ogniw monokrystalicznych połączonych równolegle.
Krzem amorficzny a-Si jest wykorzystywany przy produkcji ogniw fotowoltaicznych, wyświetlaczy LCD, czy OLED. W komorze
próżniowej następuje rozkład gazów ( SiH4 z domieszkami) w wyładowaniu jarzeniowym i osadzanie warstwy krzemu
amorficznego na podłożu. Dzięki tej technologii produkcja a-Si jest prostsza, energooszczędna i materiałooszczędne. Ponadto,
pozwala na otrzymanie ogniw o dużej powierzchni (są bardzo tanie). Wadą jest niska wydajność do 12%. Mechanizm działania
ogniw fotowoltaicznych jest taki sam, niezależnie od materiałów użytych do ich wytworzenia.
Na Rys. 58 pokazano ogniwa wykonane z krzemu a) monokrystalicznego, b) polikrystalicznego i c) amorficznego. Ogniwo
monokrystaliczne ma ścięte narożniki i kolor czarny, na polikrystalicznym widać wyraźnie obszary kryształów, a dla amorficznych
kolor jest o barwie od ciemnobordowej do czarnej.

Rysunek 58: Wygląd ogniwa krzemowego monokrystalicznego, polikrystalicznego i amorficznego. Oprac. własne.

Na Rys. 59 pokazano główne etapy procesu produkcji ogniw słonecznych w oparciu o sitodruk. Przy mniej lub bardziej drobnych
modyfikacjach proces ten jest obecnie używany przez większość producentów ogniw fotowoltaicznych [66]. Główną zaletą tej 35-
letniej technologii fotowoltaiczności są łatwa automatyzacja, niezawodność, dobre wykorzystanie materiałów i wysoka
wydajność.
Typowy schemat wytwarzania ogniw fotowoltaicznych na przykładzie wafli krzemowych o grubości 180-210 μm. Wafel Si jest
domieszkowany borem, aby otrzymać półprzewodnik typu p, o rezystywności w zakresie 0,5-6 Ω cm. Najpierw wafel jest
czyszczony z zanieczyszczeń po cięciu. Tak przygotowany wafel jest poddawany trawieniu w KOH, aby otrzymać teksturę
powierzchni w postaci mikroskopijnych piramid (Rys. 59). Ich wielkość musi być zoptymalizowana, za małe prowadzą do odbicia
światła, a za duże utrudniają założenie elektrod, czyli odbiór ładunków. Teksturowanie można wykonać na kilka sposobów:
trawienie zasadowe, trawienie kwasowe, plazmowe i mechaniczne. Następnym etapem jest domieszkowanie (Rys. 59) najczęściej
fosforem. Jest to proces wymagający wysokiej temperatury. W ten sposób powstaje obszar półprzewodnika typu n wokół całego
wafla, czyli na krawędziach trzeba go usunąć lub oddzielić.
 Rysunek 59: a) Typowy proces produkcji ogniw fotowoltaicznych, b) struktura powierzchni po teksturowaniu, c) wyjaśnienie przyczyny teksturyzacji powierzchni. Oprac. własne.

Na powierzchnię, na którą pada światło nakładany jest dwutlenek tytanu ( T iO2 ), który jest używany do tworzenia powłoki
antyrefleksyjnej ze względu na jego dobre właściwości antyrefleksyjne szczególnie dla komórek hermetyzowanych [67]. Proces
ten można łatwo zautomatyzować w reaktorze przenośnika taśmowego. Inne możliwości obejmują np. sitodruk odpowiednich
past. Na tak przygotowaną powierzchnię nakłada się metalizację przedniej elektrody, która charakteryzuje się dobrym
przyleganiem na styk z krzemem, małą szerokością linii, dobrą przyczepnością mechaniczną, lutowaniem i kompatybilnością z
materiałami hermetyzującymi. Rezystywność, cena i dostępność sprawiają, że srebro jest idealnym wyborem dla metalu
kontaktowego. Do wykonania elektrody tylnej stosuje się metodę sitodruku używając pasty aluminiowe, tworzące warstwę na
tylnej powierzchni ogniwa [68]. Niska temperatura eutektyczna systemu Al-Si (577 o C) oznacza, że część krzemu rozpuszcza się w
Al i rekrystalizuje po schłodzeniu po etapie wypalania, tworząc warstwę typu p. Charakterystyka tej warstwy (grubość,
jednorodność, współczynnik odbicia) zależy od ilości pasty.
Gotowe ogniwa są poddawane pomiarom w warunkach STC, czyli widmo światła zgodne z widmem Słońca AM1.5 i mocy 1000 W2
m
w temperaturze 25 o C. Wadliwe ogniwa są eliminowane a reszta przekazywana do dalszej produkcji.

5.3.1 Produkcja krzemu monokrystalicznego

Hodowla kryształów jest procesem długotrwałym i energochłonnym. Pierwszym etapem jest produkcja czystego krzemu z
ditlenku krzemu metodami chemicznymi. Następnie materiał należy najpierw stopić i poddać krystalizacji przez ochładzanie.
Monokryształ nie powinien zawierać obcych atomów, zatem proces musi się odbywać w specjalnych warunkach. Najlepsze efekty
osiągnięto w piecu próżniowym, gdzie krystalizacja odbywa się bez dostępu gazów a w szczególności tlenu. Metodę opracował
polski uczony Jan Czochralski [69]. Schemat procesu hodowli monokryształu krzemu przedstawiono na Rys. 60.

Rysunek 60: Etapy wzrostu monokryształu krzemu. Oprac. własne.

Pierwszym etapem produkcji jest proces chemiczny otrzymywania czystego krzemu z SiO2 . Otrzymane kawałki czystego krzemu
umieszczane są w komorze próżniowej w kwarcowym tyglu.

Po załadowaniu krzemu do komory próżniowej krzem jest topiony w tyglu kwarcowym, a następnie z górnej komory próżniowej
urządzenia jest opuszczany mały kryształek krzemu, który staję się zarodkiem krystalizacji. Zarodek o określonej orientacji
krystalograficznej dotyka powierzchni roztopionego krzemu. Roztopiony krzem (ciecz) przylega do powierzchni zarodka, który
minimalnie się podnosi. Oddalając się od powierzchni wchodzi w obszar o obniżonej temperaturze co rozpoczyna proces
krystalizacji. W celu ujednorodnienia procesu krystalizacji zarodek dokonuje obrotu wokół własnej osi. Regulując prędkość
obrotową zarodka i prędkość wysuwania do góry uzyskujemy kryształy w kształcie walca, początkowo o zmieniającej się średnicy.
Po osiągnięciu stabilnych parametrów procesu średnica hodowanego monokryształu utrzymuje swoją wartość, aż do wyczerpania
się roztopionego materiału. Orientacja rosnącego monokryształu jest identyczna z orientacją zarodka inicjującego krystalizacje.
Wynikiem procesu jest duży monokryształ w kształcie walca przedstawiony na Rys. 61 [70].

Rysunek 61: Wyhodowany metodą Czochralskiego monokryształ krzemu (ingot). Aut. fot. Massimiliano Lincetto, licencja CC BY-SA 4.0, źródło:
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Silicon_single_crystal.jpg .

Etapy tego procesu, zasadę metody Czochralskiego i etapy obróbki wafla przedstawiono w filmie "Silicon Wafer Production by
MicroChemicals".

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=180
Etapy technologiczne produkcji wafli krzemowych
Mimotec SA, Silicon Wafer Production by MicroChemicals (Etapy technologiczne produkcji wafli krzemowych), 09.10.2015 (dostęp
12.12.2020). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/2qLI-NYdLy8 .

Ze względu na wymagania dotyczące czystości produkowanych monokryształów, procesy produkcji odbywają się w halach o
wysokiej klasie czystości. Kryształ przedstawiony na Rys. 61 ma ok. 1 metra długości. Przy obecnym zapotrzebowaniu na krzem
monokrystaliczny zarówno do produkcji elektronicznej, jak i fotowoltaicznej, w chińskich fabrykach na halach instaluje się
dziesiątki pieców Czochralskiego, a długości monokryształów sięgają 4,5 m.
Kolejnym etapem produkcji wafla krzemowego, bo to wafle krzemowe są materiałem do produkcji elektronicznej i
fotowoltaicznej, jest obróbka mechaniczna ingota (tak nazywamy monokryształ po wyjęciu z pieca). Pierwszym krokiem obróbki
mechanicznej jest obcięcie końców o zmiennej średnicy i przetoczenie powierzchni ingota do walca o stałych parametrach
geometrycznych. Walec cięty jest na kawałki odpowiadające wymiarom piły drutowej, która potnie go na wafle o grubości 180
mikrometrów. Kiedyś było to 300 mikrometrów, potem 200 mikrometrów, a obecnie tnie się również na wymiar 160
mikrometrów. Problemem po zmniejszeniu grubości wafla jest odporność mechaniczna monokryształu na pękanie, podczas
dalszych procesów technologicznych do montażu w panelu włącznie. Pocięte wafle mają krawędzie ostre jak złamane szkło, także
trzeba je stępić przed dalszą obróbką. Każdy wafel jest numerowany laserowo, co pozwala na późniejszą identyfikację procesu
produkcji i jego parametrów. Następnym procesem jest polerowanie do wymaganego poziomu. W wielu wypadkach jest to
poziom atomowy. W kolejnych krokach odbywa się trawienie chemiczne, polerowanie oraz czyszczenie powierzchni z
pozostałości poprzednich procesów. W zależności od zamawiającego pokrywa się wafle warstwa tlenku krzemu o określonej
grubości a następnie przeprowadza elektroniczna inspekcję poprawności stanu wafla i jego powierzchni. Końcowy etap to
pakowanie wafli do zasobników transportowych.

Produkcja wafli krzemowych zawsze była prowadzona pod potrzeby fabryk elektronicznych, a wafle produkowano początkowo w
niewielkich rozmiarach 1 cal, potem 2 cale, itd. Wzrost średnicy wafli był spowodowany dynamicznie rosnącym
zapotrzebowaniem przemysłu na krzem monokrystaliczny i ich średnica zmieniała się od 2 cali w 1970 r. do 18 cali w 2014 r.
Przykład wafli o różnych średnicach pokazano na rysunku Rys. 62 [71].

Rysunek 62: Kolejne generacje wafli krzemowych o rosnących rozmiarach. Fot. licencja CC BY-SA 3.0, źródło: https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Wafer_2_Zoll_bis_8_Zoll_2.jpg
.

Każda zmiana wymiaru to były nowe generacje oprzyrządowania w fabrykach procesorów i pamięci. W fotowoltaice, gdzie
parametry wafli i ich własności nie są tak rygorystyczne, standardem wymiaru ogniwa fotowoltaicznego stał się wymiar 15,6 x
15,6 cm i wafel z którego taki kwadrat można wyciąć przy minimalnym odpadzie. Skutkiem tego w panelach fotowoltaicznych z
krzemu monokrystalicznego widać na styku czterech ogniw pustą przestrzeń, wynikającą z walcowej symetrii materiału
wyjściowego. Niezwykle sterylne warunki produkcji krzemu pozwalają również na produkcję krzemu o ściśle określonych
domieszkach. Szczególnie jest to istotne w produkcji fotowoltaicznej. Otrzymując wafel o określonym domieszkowaniu mamy
gotowy element do produkcji diody, jaką jest każde ogniwo fotowoltaiczne.

5.3.2 Produkcja krzemu polikrystalicznego

Produkcja krzemu polikrystalicznego i wafli z tego materiału przebiega analogicznie jak dla produkcji wafli monokrystalicznych.
Są dwie fundamentalne różnice. Pierwsza to brak pieca do hodowli monokryształu. Chemicznie wyprodukowane kawałki krzemu
spieka się w procesie przedstawionym na filmie "Solar Module Manufacturing".

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=181
Obróbka krzemu polikrystalicznego
ER, Solar Module Manufacturing (Obróbka krzemu polikrystalicznego), 05.04.2013 (dostęp 10.12.2020). Dostępne w YouTube:
https://youtu.be/5Sgmp1aUjnA .

Ten element procesu jest znacząco tańszy i krótszy. Drugą różnicą jest kształt wyprodukowanego bloku krzemowego. Z
praktycznych względów jest to prostopadłościenny blok o wymiarach przekroju zbliżonych do standardu 15,6x15,6 cm. Po
obróbce mechanicznej otrzymujemy kwadratowy wafel o tych wymiarach. Pozostałe etapy procesu przebiegają analogicznie, jak
to opisano w rozdziale 5.3.1 Produkcja krzemu monokrystalicznego. Zastąpienie długotrwałego i energochłonnego procesu
hodowli monokryształu krótszym i znacznie tańszym procesem spiekania obniża znacząco koszty produkcji pojedynczego wafla.

5.4 Ogniwa cienkowarstwowe

Ze względu na technologiczne ograniczenia oraz koszty produkcji ogniw bazujących na krzemie krystalicznym poszukiwane były
alternatywne materiały i metody do wytworzenia ogniw fotowoltaicznych. Około 50% kosztów produkcji ogniw słonecznych z
krzemu krystalicznego przypada na przygotowanie krzemu, natomiast obróbka ogniw i paneli stanowi odpowiednio 20% i 30%.
Poszukiwania miały więc na celu znalezienie innych niż krzem mono- i polikrystaliczny materiałów do budowy ogniw. W latach
siedemdziesiątych udało się wytworzyć pierwsze cienkowarstwowe ogniwa na bazie krzemu amorficznego, a następnie innych
materiałów.
Najpopularniejsze typy ogniw cienkowarstwowych (Rys. 63 [72]) to ogniwa wykonane z krzemu amorficznego, ogniwa CIGS oraz
CIS (bazujące na miedzi, indzie, galu, selenie). Ich sprawność waha się w granicach 14-23%. Popularnymi materiałami są także
siarczek kadmu oraz tellurek kadmu (CdS oraz CdTe). Ogniwa krzemowe dominują na rynku PV (92%), następne miejsca zajmują
ogniwa na bazie CdTe, 5% CIS/CIGS/CIGSS- 2% i krzemu amorficznego (1%) [73].

Rysunek 63: Ogniwo cienkowarstwowe. Aut. fot. Fieldsken Ken Fields, licencja CC BY-SA 3.0, źródło:
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Thin_Film_Flexible_Solar_PV_Ken_Fields_1.JPG .
Ogniwa cienkowarstwowe są tańsze w produkcji, ze względu na mniejsze zużycie materiałów, automatyzację produkcji i mniej
pracochłonne procesy technologiczne. Problemem może się w przyszłości okazać niedobór kluczowych materiałów – ceny indu i
telluru stale wzrastają. Drugą zaletą ogniw, a co za tym idzie paneli cienkowarstwowych jest masa – są one lżejsze niż ogniwa
krzemowe [74]. Osiągają one nieznacznie niższe sprawności niż ogniwa z krzemu krystalicznego, jak również mają niższą
żywotność. Posiadają jednak one niewątpliwą zaletę, jaką jest możliwość nakładania ich na elastyczne powierzchnie (folie).

Pierwszymi zbudowanymi ogniwami cienkowarstwowymi były ogniwa z krzemu amorficznego. Istotnym elementem w rozwijaniu
tej technologii były właściwości krzemu amorficznego – posiada on współczynnik absorpcji światła wyższy niż krzem krystaliczny.
Przekrój przez budowę ogniwa został przedstawiony na Rys. 64. Warstwa przewodnika samoistnego o grubości ok. 0,5-1 µm jest
umieszczana pomiędzy dodatkowymi warstwami materiałów typu p (grubość warstwy wynosi około 8 nm) i n (warstwa o
grubości około 20 nm) [75].

Rysunek 64: Schemat struktury ogniwa z krzemu amorficznego. Oprac. własne.

Ogniwa CIS/CIGS/CIGSS to ogniwa, w których materiałem konstrukcyjnym jest diselenek indowo-miedziowy CuInSe2 (CIS).
Materiał ten charakteryzuje się wysokim współczynnikiem absorpcji (jego przerwa energetyczna wynosi około 1 eV). Poprzez
dodanie galu tworzy się związek półprzewodnikowy CuI n(1−x) Gax Se2 .

Sterowanie zawartością galu (x we wzorze) pozwala na modyfikowanie przerwy energetycznej w zakresie 1,02 eV - 1,64 eV.
Przerwę energetyczną można zwiększyć dodając siarkę. Powstaje wtedy związek CIGSS. Ogniwa CIS/CIGS/CIGSS wytwarzane są
przez osadzanie warstwy aktywnej na szkle sodowym pokrytym warstwą molibdenową (kontaktem bazowym). Drugi kontakt
stanowi często warstwa tlenku cynku ZnO domieszkowanego aluminium [7]. Ogniwa CIGS mają charakterystyczną czarna barwę.

Kolejnym materiałem do budowy ogniw fotowoltaicznych jest tellurek kadmu (CdTe). Przerwa energetyczna CdTe wynosi 1,45 eV
[76], co skutkuje wysoką absorpcją widma słonecznego. Materiał jest stabilny temperaturowo w porównaniu z innymi
materiałami półprzewodnikowymi. Pierwiastki Cd i Te oraz ich tlenki są mocno toksyczne, z czym związane były obawy przed
zastosowaniem tej technologii. Wykazana została znikoma szkodliwość CdTe dla żywych organizmów. W zwiąku z powyższym
ogniwa zostały dopuszczone do produkcji. Ogniwa na bazie CdTe produkują najmniejszy ślad węglowy, najniższe zużycie wody i
najkrótszy czas zwrotu energii. Ze względu na dobre połączenie właściwości termicznych, CdTe jest łączone z selenkiem kadmu
(CdS). Struktura ogniwa na bazie CdTe została przedstawiona na Rys. 65 (na podstawie [77]).

Rysunek 65: Struktura ogniwa na bazie CdTe. Oprac. własne.

5.5 Ogniwa wielozłączowe

Wielozłączowe ogniwa słoneczne (MJSC, ang. multijunction solar cells) składają się z wielu warstw półprzewodników o różnych
wartościach przerwy energetycznej Eg.
Aby maksymalizować wydajność ogniwa wielozłączowego grubość ogniwa powinna być tak dobrana, by największa część
promieniowania została zaabsorbowana. Ogniwa wielozłączowe to optycznie układ warstw, z których każda absorbuje inną cześć
widma słonecznego. Uzasadnione jest więc zaprojektowanie kolejnych warstw półprzewodników by licząc od warstwy
transparentnej, kolejne warstwy miały mniejszą przerwę energetyczną, niż warstwa poprzednia. Przykładem jest układ GaInP /
GaAs/Ge, gdzie przerwy energetyczne wynoszą odpowiednio GaInP (1,9 eV), GaAs (1,4 eV) i Ge (0,7 eV) o wydajności ok. 33%
[78], czy też AlGaInP/AlGaAs/GaInP/GaInAs/GaInNAs, o przerwach energetycznych wynoszących AlGaInP (2,2eV), AlGaAs (1,6 eV),
GaInP (1,7 eV), GaInAs (1,2 eV), GaInNAs (1,0-1,1 eV). W zależność od składu procentowego powyższe układy osiągają wydajność
30-40% [79], [80].

Dla zoptymalizowania przepływu ładunków w ogniwie wielozłączowym dwa kolejne złącza są ze sobą połączone za pomocą złącz
tunelowych (złącz, w których cząstka może przeniknąć przez barierę potencjału wyższą od jej energii kinetycznej). Składa się ono
z silnie domieszkowanych warstw o niskiej absorpcji i spadku napięcia oraz wysokiej wartości szczytowej prądu. Jego grubość
powinna wynieść około 10mm. W przypadku braku złącz tunelowych, fotonapięcia z kolejnych złączy mające przeciwny znak
częściowo by się kompensowały [81]. Na Rys. 66 przedstawiono układ ogniw wraz z odpowiadającymi złączami. Złącza p-n są
symbolizowane przez diody kolorowe skierowane do góry. Złącza tunelowe (czarno-szare) są skierowane w dół.

Rysunek 66: Schemat ogniwa wielozłaczowego z odpowiadającymi im złączami oznaczonymi symbolami diod. Oprac. własne.

Dzięki wielu złączom można osiągnąć wysokie wydajności, przekraczające ograniczenie Shockley’ego–Queissera (ang. SQ limit)
[82].
Wydajność ogniw wielozłączowych może jeszcze wzrosnąć. W zależności od liczby półprzewodników symulacje wskazują na
ponad 60% wydajność (Rys. 67 na podstawie [83]). Maksymalna wydajność, przy nieskończonej liczbie warstw wyniosłaby 86.8%
[83] – jest to tzw. limit termodynamiczny [84].

Rysunek 67: Wartość wydajności układu wielozłączowego w funkcji liczby przerw energetycznych. Oprac. własne.

Układy wielowarstwowe są droższe i robione najczęściej na bazie arsenku galu, na temat którego toksyczności jak i możliwości
bezpiecznej utylizacji trwają intensywne badania [85]. Według danych NREL wielozłączowe ogniwa słoneczne osiągnęły
wydajność 47%. Początkowo, ze względu na cenę były używane jedynie w kosmosie. Obecnie są podejmowanie próby
wprowadzenia ich do sprzedaży.

5.6 Ogniwa organiczne

Związki organiczne to związki chemiczne bazujące na węglu, za wyjątkiem tlenków węgla, kwasu węglowego, węglanów,
wodorowęglanów. Mogą one zawierać również praktycznie wszystkie pozostałe pierwiastki chemiczne (najczęściej są to wodór,
tlen i azot, siarka, fosfor oraz fluorowce).
Pierwsze ogniwa organiczne bazowały na antracenie [86] oraz politiofenie [87]. Wśród przewodzących materiałów organicznych
rozróżniamy dwa podtypy: materiały polimerowe i organiczne materiały małocząsteczkowe.
Cechą najbardziej przełomową w fotowoltaice organicznej jest inna formą złącza p-n. Ogniwo organiczne zbudowane jest z
warstw – pomiędzy elektrodami (w tym jedną transparentną) najczęściej znajduje się warstwa aktywna – mieszanina dwóch
materiałów organicznych: donorowego i akceptorowego. Materiał donorowy (donor) to materiał dostarczający elektrony w
trakcie procesu. Akceptorem nazywamy materiał przyjmujący elektrony.
Tę strukturę określamy jako heterozłącze objętościowe (ang. bulk heterojunction). Czasem pomiędzy warstwą aktywną i
elektrodami pojawiają się dodatkowe warstwy wspomagające transport dziur i elektronów.

Rysunek 68: Schemat ogniwa organicznego. Oprac. własne.

Przez lata były również badane inne architektury (min. z niezależnymi warstwami donorową i akceptorową). Heterozłącze
objętościowe okazało się jednak najbardziej efektywne. W układzie warstwowym przedstawionym na Rys. 68 złącze p-n
przebiega tyko na granicy donora i akceptora. W mieszaninie donora i akceptora złącze p-n występuje w zasadzie na całym styku
molekuł. To bardzo duża zaleta fotowoltaiki organicznej – wydajność zamiany absorbowanego światła na ekscytony jest większa
niż w innych ogniwach. Pozostałe elementy procesu konwersji energii nie są tak wydajne, jak w przypadku półprzewodników
nieorganicznych, w związku z czym ostateczna wydajność ogniw organicznych jest niższa, niż tradycyjnych ogniw krzemowych,
czy cienkowarstwowych.

Działanie ogniwa składa się z kilku etapów. Pierwszym i najistotniejszym jest absorpcja światła. W wyniku absorpcji z poziomu
HOMO – najwyższy obsadzony orbital molekularny (ang. the highest occupated molecular orbital) – z materiału donorowego
zostaje wzbudzony elektron na poziom LUMO – najniższy nieobsadzony orbital molekularny (ang. lowest unoccupated
moleculatr orbital). Wzbudzony elektron oraz pozostała po nim dziura tworzą ekscyton – kwazicząstkę związaną przez
oddziaływanie kulombowskie. Ekscyton dyfunduje (średnia droga dyfuzji ekscytonu wynosi 10nm) aż nastąpi rozdzielenie
ładunku. Rozdzielenie ładunku odbywa się najczęściej na interfejsie donor – akceptor (miejscu styku molekuł materiału
donorowego i akceptorowego), ale zdarza się również na zanieczyszczeniach (pułapki tlenowe, wszystkie domieszki
nieintencjonalne). Ostatnimi etapami procesu fotowoltaicznego są transport ładunków oraz jego zbieranie na elektrodach.
Schemat energetyczny ogniwa został przedstawiony na Rys. 69, a kolejne etapy działania na Rys. 70.

Rysunek 69: Schemat energetyczny działania ogniwa organicznego. Oprac. własne.

 Rysunek 70: Blokowy schemat działania ogniwa organicznego. Oprac. własne.

Z każdym z etapów procesu są związane mechanizmy strat: światło może zostać odbite, może nie powstać ekscyton lub już
powstały może rekombinować, mogą wystąpić ograniczenia w transporcie dziur i elektronów. W przypadku transportu pomiędzy
warstwą aktywną a elektrodą, może pojawić się bariera potencjału na elektrodach uniemożliwiająca przekazanie ładunku do
elektrody (bariera pojawia się gdy praca wyjścia elektrody jest niedopasowana do poziomu, z którego jest transportowany
ładunek).

Rysunek 71: Schemat złącza a) ogniwa krzemowego p-n, b) ogniwa bazującego na heterozłączu objętościowym. Oprac. własne.

Na Rys. 71 kolorem niebieskim oznaczono obszar n, a czerwonym obszar typu p. Granica pomiędzy nimi to złącze.
Porównując ogniwa organiczne do krzemowych należy przypomnieć, że w półprzewodnikach mamy do czynienia z siecią
krystaliczną i przerwą energetyczną. W ogniwach organicznych nie ma krystalicznej struktury, nie mamy też typowego transportu
dziur i elektronów w warstwach. Obszary złączowe są rozrzucone po całej objętości warstwy aktywnej. Rozważamy za to
dyfundujący ekscyton, a następnie ładunki transportowane po poziomach HOMO i LUMO.

Porównanie energi w funkcji gęstości stanów w ogniwach krzemowych i ogniwach organicznych przedstawione zostało na Rys. 72
(na podstawie [58]).

Rysunek 72: Energia w funkcji gęstości stanów a) w ogniwach krzemowych, b) w ogniwach organicznych. Oprac. własne.

Materiały stanowiące warstwę aktywną dzielimy na materiały donorowe i akceptorowe. Upraszczając można uznać akceptor za
odpowiednik półprzewodnika typu n – a donor jako odpowiednik półprzewodnika typu p. Jednak to, czy jakiś materiał jest w
ogniwie organicznym, konkretniej warstwie aktywnej, donorem czy akceptorem, zależy od materiału współtworzącego warstwę
aktywną. Donorem jest ten materiał, który dostarcza elektrony.
Jednymi z najpowszechniej stosowanych materiałów są poli(3-heksylotiofen), oznaczanego skrótem P3HT i estru metylowego
kwasu 6,6-fenylo-C₆₁-masłowego (PCBM). Nowe związki są ciągle syntezowane i badane i grupa ta jest niezmiennie poszerzana.
By znaleźć zastosowanie w ogniwach organicznych materiały muszą wykazywać określone właściwości. Materiały muszą być
absorbujące w zakresie widma słonecznego, stabilne termicznie i fotochemicznie, przewodzące, a także tworzyć stabilny stan
wzbudzony (by na skutek wzbudzenia elektronu miał szansę powstać ekscyton). Istotne jest dobranie poziomów HOMO i LUMO
oraz prac wyjścia elektrod, by ułatwić transport ładunków.
Takimi materiałami są pochodne fullerenów, polimery na bazie karbazolu i Indolo [3, 2 − b] karbazolu, fluoryny oraz silolu [88],
[89].
Wadą ogniw organicznych jest ich wciąż niewielka wydajność [90]. Oczywiście, z roku na rok, wraz z syntezą nowych materiałów
jest ona zwiększana, jednak możliwe, że nigdy nie dorówna wydajności ogniw krzemowych. Niestety, z czasem ogniwa zmieniają
swoje własności (wydajność się zmniejsza) ze względu na degradację polimerów na skutek oddziaływania z czynnikami
zewnętrznymi (min. woda, tlen). Zaletą ogniw organicznych jest niski koszt materiałów oraz wiele prostych i tanich metod
wytwarzania tego typu ogniw. Największą zaletą jest możliwość nanoszenia ogniw organicznych na dowolne powierzchnie.
Najczęściej używane są elastyczne podłoża. Pojawiły się w komercyjnej sprzedaży ubrania mające wbudowane ogniwa
fotowoltaiczne, które mają na celu zapewnić szybkie doładowanie np. smartfonu lub przenośnego odtwarzacza.

5.7 Ogniwa barwnikowe

Ogniwa słoneczne barwnikowe – nazywane również ogniwami uczulanymi barwnikiem (ang. dye-sensitized solar cell, DSSC, DSC
lub DYSC) – są obok ogniw organicznych zaliczane do trzeciej generacji ogniw fotowoltaicznych. Zbudowane zostały przez Briana
O'Regana i Michaela Grätzela w 1991 r. [91]. W związku z nazwiskiem twórcy ogniwa barwnikowe są określane również jako
ogniwa Grätzela.
Obie elektrody w ogniwie barwnikowym mogą być przeźroczyste lub półprzeźroczyste, co umożliwia oświetlenie ogniwa
słonecznego z każdej strony. Schemat budowy ogniwa został przedstawiony na Rys. 73.
W procesie fotowoltaicznym istotną rolę odgrywa barwnik. Transparentna anoda jest pokryta półprzewodzącą warstwą (zwykle
tlenkową), na której osadzony jest barwnik. Najczęściej wykorzystywanym materiałem tlenkowym jest dwutlenek tytanu ( T iO2 ),
tlenek cynku ( ZnO), niobu ( Nb2 O5 ). Jako barwniki stosowane były m.in. związki kompleksowe metali, pochodne porfiryny oraz
ftalocyjaniny.

Oprócz elektrody, na której znajduje się barwnik w skład ogniwa wchodzi para redoksowa (np. jodek /trójjodek I 3− )
rozpuszczona w odpowiednim medium (elektrolicie) oraz katoda (musi to być materiał katalizujący reakcję redoksową). Reakcja
redoks (redoksowa) to reakcja chemiczna, w której dochodzi do zarówno redukcji (proces, w trakcie którego atom lub ich grupa
przechodzi z wyższego stopnia utlenienia na niższy), jak i oksydacji (atom przechodzi z niższego stopnia utlenienia na wyższy, co
jest równoważne z oddaniem elektronów) [92].

Rysunek 73: Schemat i działanie ogniwa barwnikowego. Oprac. własne.

Działanie ogniwa barwnikowego rozpoczyna się od absorpcji światła przez cząstki barwnika, co powoduje przeniesienie elektronu
ze stanu podstawowego do stanu wzbudzonego. Teraz następuje wstrzyknięcie elektronu do pasma przewodnictwa
półprzewodnika (np. T iO2 ). Stamtąd jest transportowany, najpierw w porowatej warstwie półprzewodnika do przewodzącej
elektrody, obwodem zewnętrznym do katody. Usunięcie elektronu prowadzi do redukcji stanu wzbudzonego molekuł barwnika
(regeneracja barwnika na drodze utlenienia I − do I 3− ). Rys. 74 przedstawia blokowy schemat działania ogniwa barwnikowego.
 Rysunek 74: Blokowy schemat działania ogniwa barwnikowego. Oprac. własne.

Mechanizm działania ogniw barwnikowych jest wykorzystywany przez rośliny do wytwarzania związków organicznych,
zachodzących w komórkach zawierających chlorofil lub bakteriochlorofil przy udziale światła (fotosynteza). Zasada działania
została przedstawiona w filmie "C8 Dye Sensitized Solar Cells", natomiast sposób wytworzenia przedstawiony został w filmie
"Dye-Sensitised Solar Cells: Animation".

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=118
Zasada działania ogniwa barwnikowego
Richard Thornley, C8 Dye Sensitized Solar Cells, DSSC – HL IB Chemistry (Zasada działania ogniwa barwnikowego), 26.03.2017
(dostęp 10.09.2020). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/g1TfQ9rypHI .

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=112
Sposób wytwarzania ogniwa barwnikowego
TheSolarSpark, Dye-Sensitised Solar Cells: Animation (captions) (Sposób wytwarzania prostego ogniwa barwnikowego),
20.05.2011 (dostęp). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/3KRHJSOgzcw .

Maksymalna wydajność jaką udało się uzyskać w ogniwach barwnikowych to 12,6%. Ogniwa barwnikowe mają wiele zalet.
Pierwszą z nich jest proces produkcji – niewymagający skomplikowanej aparatury ani warunków. Barwniki są stosunkowo tanie,
mimo niełatwego procesu syntezy. Poprzez wykorzystanie różnych kolorów barwników, mamy kontrolę nad wyglądem ogniwa,
co zwiększa możliwości użytkowe. Projektowanie urządzeń może być, oprócz zmiany koloru sterowane stosowaną warstwą
tlenkową, a to z kolei zwiększa wartość estetyczną. Ze względu na swoją budowę ogniwa barwnikowe są odporne na uszkodzenia
mechaniczne i w mniejszym stopniu, niż na ogniwa krzemowe, wpływa na nie negatywnie temperatura [81], [82]. Na Rys. 75
przedstawiono wzrost wydajności ogniw organicznych, barwnikowych, bazujących na kropkach kwantowych i tandemowych
(nazwa ośrodka jest napisana kolorem szarym) [93].

Rysunek 75: Wydajność ogniw barwnikowych i organicznych. Źródło: National Renewable Energy Laboratory (NREL), licencja CC0, źródło:
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/archive/3/35/20201113133816%21Best_Research-Cell_Efficiencies.png .

5.8 Ogniwa perowskitowe

Nazwa perowskitu pochodzi od rosyjskiego naukowca Lwa Perowskiego, który badał te minerały. Perowskity mają strukturę
krystaliczną podobną do CaT iO3 . Jego wzór chemiczny to ABX3 . Atom X (tlen) z atomem B (np. Ca) tworzy regularny
ośmiościan BX6 . Atom B znajduje się w środku oktaedru, a atom X w środku. W sześciu wierzchołkowych rogach oktaedru
przyłączone są sąsiednie ośmiościany, które tworzą rozszerzoną trójwymiarową strukturę sieciową. Materiały perowskitowe
stosowane w ogniwach słonecznych: A to ogólnie organiczny jon aminowy (taki jak CH3 N H 3+ , NH = CHNH 3+ ), B to
generalnie dwuwartościowy jon metalu (taki jak P b2+ , Sn2+ itp.), X oznacza jon halogenowy ( Cl− , Br− , JA− ). Nieorganiczne
metale halogenkowe mogą tworzyć ciągłą ośmiościenną strukturę i bardziej regularny kształt kryształu podobny do sześcianu –
Rys. 76 (oprac. na podstawie [94]). W fotowoltaice poszukuje się nowych materiałów oraz nowych metod otrzymywania ogniw
PV, które umożliwią produkcję ogniw o wyższej sprawności konwersji energii słonecznej a jednocześnie pozwolą na ograniczenie
kosztów produkcji. Taki potencjał wykazują ogniwa otrzymywane na bazie materiałów o strukturze krystalicznej perowskitu.

Rysunek 76: Struktura perowskitu mineralnego i perowskitu stosowanego jako absorber w ogniwie fotowoltaicznym. Oprac. własne.

Dowodem tego jest fakt, że po zaledwie 6 latach badań nad tego typu ogniwami, otrzymano ogniwa, których sprawność
konwersji energii słonecznej na elektryczną w laboratorium wynosi 21,5% podczas gdy ogniwa krzemowe, pomimo 60 lat badań,
osiągnęły sprawność na poziomie 25%. Teoretyczna sprawność ogniw opartych o struktury perowskitowe wynosi 31,4%. Biorąc
pod uwagę dotychczasowe tempo ich rozwoju przewiduje się, że w najbliższej przyszłości osiągną wartości konwersji energii
porównywalne z wartościami uzyskiwanymi przez ogniwa krzemowe [95]. Wysoka efektywność konwersji energii słonecznej na
energie elektryczną jest spowodowana właściwościami optycznymi i elektrycznymi materiałów perowskitowych. Przede
wszystkim perowskity charakteryzują się wysokim współczynnikiem absorpcji, dużo wyższym niż współczynnik absorpcji krzemu
czy GaAs (najlepszego dotychczas absorbera). To powoduje, że aby osiągnąć efektywność konwersji na poziomie 21% konieczne
jest zastosowanie warstwy GaAs o grubości ok. 1 µm, natomiast w przypadku perowskitów wystarczy warstwa o grubości 300 nm
[96].
Zastosowanie tak cienkich warstw absorbera ogranicza ryzyko rekombinacji nośników prądu. Z aplikacyjnego punktu widzenia,
pozwala to ograniczyć zużycie materiału, ale także umożliwia wytwarzanie przezroczystych (ewentualnie półprzezroczystych)
ogniw fotowoltaicznych, co wpisuje się w koncepcję fotowoltaiki zintegrowanej z budynkiem (BIPV Building Integrated PV).
Fenomen ogniw perowskitowych polega na tym, że posiadają one pożądane właściwości fizyczne a jednocześnie mogą być
wytwarzane z materiałów, które stosunkowo łatwo można otrzymywać z powszechnie dostępnych surowców przy użyciu
nieskomplikowanych, dobrze opanowanych technologii cienkowarstwowych. Przykład przekroju przez cienkowarstwowe ogniwo
perowskitowe pokazano na Rys. 77 [97].

Rysunek 77: Obraz ze skaningowego mikroskopu elektronowego dla przekroju przez perowskitowe ogniwo fotowoltaiczne dla dwóch różnych powiększeń. Aut. fot. T. A. Nirmal Peiris
et al., licencja CC-BY 4.0, źródło: https://www.mdpi.com/2079-6412/7/3/36 .

Wysoki potencjał ogniw perowskitowych spowodował, że na świecie bardzo wiele ośrodków badawczo – rozwojowych podjęło
badania w tym zakresie. W światowej czołówce znajdują się w tej chwili:

Oxford University, Anglia;

École Polytechnique Fédérale de Lausanne EPFL, Szwajcaria;
Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT, Korea;
Uniwersytet w Walencji, Hiszpania.

W Oxford University, Dr H. Snaith opracował technologię otrzymywania ogniw perowskitowych o sprawności 15,4%, w których
warstwa perowskitowego absorbera otrzymywana jest przy użyciu techniki próżniowej – metodą naparowania z dwóch źródeł
[98]. W 2012 r. założona została firma spin out pod nazwą Oxford Photovoltaics (OxfordPV) w celu komercjalizacji technologii
cienkowarstwowych ogniw słonecznych. W marcu b.r. prezes zarządu OxfordPV zadeklarował zamiar wprowadzenia
perowskitowych ogniw fotowoltaicznych na rynek już w 2017. W EPFL, prof. Michael Grätzel opracował dwuetapowy proces
otrzymywania perowskitu w strukturze ogniwa PV. Metoda Grätzel’a wykorzystuje techniki mokre, tzn. kolejne warstwy
osadzane są z roztworu [99].
Perowskitowe ogniwa otrzymane przez zespół Grätzela charakteryzują się sprawnością blisko 16%. Technologia ta została
wdrożona do produkcji w fabryce ogniw perowskitowych australijskiej firmy Dyesol, która została uruchomiona w Turcji w 2016 r.
Firma zadeklarowała uruchomienie produkcji pilotażowej na poziomie 20 tys. m2 ogniw rocznie w 2016 r. oraz produkcji masowej
o potencjale do 600 MW w 2018 r.

Na korzyść Dyesol przemawia fakt, że jest to firma z tradycjami w zakresie technologii ogniw barwnikowych (DSC), będących
prekursorami ogniw perowskitowych. Od początku wynalezienia ogniw barwnikowych firma Dyesol we współpracy ze
szwajcarską politechniką EPFL rozwijała tę technologię. Obecnie są oni światowym liderem w zakresie ogniw DSC, oferując
zarówno materiały, aparaturę jak również technologię niezbędną do ich produkcji.
Ostatnie rekordy sprawności perowskitowych ogniw słonecznych (20,1%) pochodzą z Koreańskiego Instytutu Badań Technologii
Chemicznych (KRICT). Należy jednak podkreślić, że rekordowa wartość sprawności została wyznaczona dla ogniwa o powierzchni
0,0955 cm2 [100]. Wszystkie wymienione ośrodki skupiają się jednak na opracowaniu technologii otrzymywania
wysokowydajnych ogniw perowskitowych na podłożu szklanym. Na tle światowych ośrodków badawczo – rozwojowych
laboratorium Saule Technologies wyróżnia się tym, że cały proces wytworzenia ogniwa prowadzony jest w stosunkowo niskich
temperaturach, nie przekraczających 150°C. Dzięki temu w roli podłoża mogą być stosowane również materiały wrażliwe na
działanie podwyższonych temperatur, np. folie polimerowe, co zdecydowanie może poszerzyć spektrum zastosowań tego typu
urządzeń. Pomimo, iż w badaniach nad ogniwami perowskitowymi od 2012 r. osiągnięto bardzo duży postęp, wciąż pozostaje
kilka nierozwiązanych kwestii. Poważnym ograniczeniem w stosowaniu perowskitów do masowej produkcji ogniw
fotowoltaicznych jest ich duża wrażliwość na działanie wilgoci. W wyniku oddziaływania z parą wodną, perowskity ulegają
degradacji. Z tego powodu proces wytwarzania perowskitu musi być prowadzony w atmosferze bezwodnej, co wymaga
stosowania specjalnych komór zapewniających odpowiednie warunki otoczenia. Niska odporność perowskitów na działanie
wilgoci niekorzystnie wpływa na stabilność ogniw perowskitowych. Ponadto, w strukturze perowskitów wykorzystywanych w
ogniwach słonecznych występuje ołów, który jest pierwiastkiem toksycznym i kancerogennym. W wyniku oddziaływania z parą
wodną, perowskity ulegają degradacji a jednym z produktów rozkładu są właśnie toksyczne związki ołowiu. W laboratoriach
prowadzone są prace nad zastąpieniem go innymi pierwiastkami, np. Sn, ale przeprowadzone dotychczas badania pokazują, że
substytucja ołowiu w strukturze perowskitu innym pierwiastkiem istotnie pogarsza jego właściwości optyczne i elektryczne, a
tym samym pogarsza efektywność ogniwa.
W chwili obecnej zarówno na Uniwersytecie w Oxford jak i na Politechnice w Lozannie w celu zabezpieczenia ogniwa przed
oddziaływaniem z parą wodną i poprawy jego stabilności stosuje się enkapsulację/ hermetyzację ogniw w folii polimerowej [101].
Hermetyzację wykonuje się w ten sposób, że ogniwo osadzone na szklanym podłożu przykrywane jest drugą taflą szklaną a
przestrzeń między nimi wypełniana jest odpowiednim roztworem polimeru. Takie rozwiązanie z jednej strony zapobiega
przenikaniu pary wodnej i uwalnianiu związków ołowiu, z drugiej, podnosi jednak koszty produkcji ogniwa. Możliwość stosowania
elastycznego podłoża z jednej strony bardzo poszerza zakres aplikacji perowskitowych ogniw fotowoltaicznych, z drugiej, silnie
podnosi poziom trudności opracowania odpowiedniej technologii osadzania. Przykład ogniwa perowskitowego na elastycznym
podłożu przedstawiono na [102]. Pomiędzy kolejnymi warstwami perowskitowego ogniwa słonecznego (elektrodami, warstwą
blokującą, warstwą absorbera) musi zostać zachowana bardzo wysoka powtarzalność, warstwy muszą leżeć idealnie (co do
nanometra) jedna nad drugą. Taka operacja technologiczna jest trudna do zrealizowania nawet w przypadku, gdy podłoże
stanowi tafla szklana. Kiedy podłoże stanowi folia polimerowa o dużo większej podatności na odkształcenie niż szkło, wykonanie
procesu zwłaszcza w technologii "roll to roll" stanowi ogromne wyzwanie technologiczne [103].

5.9 Ogniwa hybrydowe

Hybrydowe ogniwa słoneczne w literaturze pojawiają się w dwóch znaczeniach. Jako ogniwo hybrydowe jest określane ogniwo
wielowarstwowe składające się z dwóch lub więcej ogniw różnych typów czy generacji. W drugim znaczeniu hybrydę stanowi
połączenie panelu fotowoltaicznego z kolektorem słonecznym (co zostało opisane w rozdziale 7.6 Systemy solarno-termalne).
Poniżej zostaną przedstawione ogniwa hybrydowe w pierwszym znaczeniu.

Celem inżynierów i badaczy zajmujących się ogniwami fotowoltaicznymi jest stworzenie ogniwa o wysokiej wydajności, taniego i
łatwego w wytworzeniu oraz wytrzymałego. Ogniwa hybrydowe w założeniu mają łączyć zalety różnych typów ogniw.

Pierwszym z typów ogniw są ogniwa hybrydowe organiczno-nieorganiczne. Ogniwa te mogą być produkowane poprzez
modyfikację morfologii nanostruktury krzemu tj. w krzemie zostały wykonane nanostożki (wykonano je za pomocą litografii
nanosferycznej) i połączono z przewodzącym organicznym polimerem określanym skrótem PEDOT:PSS. Ta warstwa była
modyfikowana ditlenkiem krzemu SiO2 i poddana dalszej obróbce i czyszczeniu. Jako zewnętrzna elektroda została użyta
warstwa złota. Wytworzone ogniwa osiągnęły gęstość prądu zwarcia równe 39,1 mA2 .
cm
Udało się wytworzyć również ogniwo o architekturze metal/warstwa organiczna/krzem modyfikowany /Au. Modyfikacja krzemu
polegała na wtłoczeniu na krzem nanorurek MWNT (ang. multi walled carbon nanotubes) oraz poli(3-oktylotiofenu) –
organicznego materiału donorowego [104].
Kolejnym przykładem hybryd organiczno-nieorganicznych są ogniwa organiczne domieszkowane nanodrutami krzemowymi (ang.
single-crystalline Si nanowires, SiNWs) [105]. Na elektrodę z tlenku indowo-cynowego zostały naniesione (metodą rozwirowania)
kolejno warstwy PEDOT:PSS (jako warstwa wspomagająca) oraz – jako warstwa aktywna – mieszanina poli(-3heksylotiofenu,
P3HT) i estru metylowego kwasu (6,6)-fenylo-C₆₁-masłowego. W tę warstwę zostały wtłoczone nanorurki.
Wymienione powyżej hybrydowe ogniwa organiczno-nieorganiczne osiągnęły wydajności rzędu kilku procent. Nie są to wielkości
odbiegające od wydajności typowych ogniw organicznych. W powyższych przypadkach zaobserwowano zwiększenie gęstości
prądu zwarcia, co w połączeniu z dużymi napięciami obwodu otwartego jest obiecującym wynikiem.

Drugim badanym typem ogniw są ogniwa perowskitowo-krzemowe. W związku z komplementarnością widm absorpcji (Rys. 78)
[106] są najbardziej obiecujące. Dają one nadzieję na wydajność przekraczającą maksymalną wydajność ogniw krzemowych,
utrzymując jednocześnie niskie koszty produkcji. Przykładowa struktura przedstawiona została na Rys. 79 (na podstawie [106]).

Rysunek 78: Widmo słoneczne AM1.5, widmo absorpcyjne ogniw perowskitowych, widmo absorpcyjne ogniw krzemowych. Oprac. własne.
Warstwa aktywna takich ogniw składa się z warstwy krzemowej (dolnej, osadzanej na elektrodzie nietransparentnej), górnej
warstwy perowskitowej oraz warstwy rekombinacyjnej pomiędzy nimi. Taki rodzaj połączeń pozwolił na osiągnięcie wydajności
do 26% [107].

Rysunek 79: Przykładowa struktura ogniwa perowskitowo-krzemowego. Oprac. własne.

Ostatnim przedstawionym typem są ogniwa polimerowe domieszkowane nieorganicznymi kropkami kwantowymi.

Jego zasada działania jest taka sama jak zasada działania ogniw organicznych. Kropki kwantowe (ang. quantum dots, QD)
zwiększają absorpcje układu – generacja nośników ładunku może być osiągnięta poprzez fotony zaabsorbowane również w
materiale nieorganicznym (kropkach). Dodanie kropek kwantowych ma również na celu wsparcie procesu transportu elektronów
i dziur po poziomach LUMO i HOMO, a także zwiększenie przewodnictwa ładunków. Dodatkowo akceptorowe materiały
nieorganiczne są bardziej stabilne niż materiały organiczne, co rozwiązuje jeden z większych problemów z fotowoltaiką
organiczną – jej niestabilność. Zasada działania jest zbliżona do działania ogniw organicznych, z tym że polimer pełni rolę donora,
a kropki kwantowe – akceptora. Schemat działania ogniwa został przedstawiony na Rys. 80 [108].

Rysunek 80: Zasada działania ogniw polimerowych domieszkowanych kropkami kwantowymi. Oprac. własne.

5.10 Fotowoltaika koncentratorowa

Układy koncentratorowe są jednym ze sposobów na zwiększenie efektywności instalacji fotowoltaicznych. Fotowoltaika
koncentratorowa (ang. Concentrator Photovoltaics, CPV) bazuje na użyciu elementów optycznych w celu skupienia światła
słonecznego na niewielkim ogniwie słonecznym. Rozwój fotowoltaiki koncentratorowej rozpoczął się w 1976 r. w Nowym
Meksyku (Sandia National Laboratories), gdzie powstały jedno kilowatowe konstrukcje Sandia I i Sandia II [109].

Wprowadzenie dodatkowego, generującego koszty obiektu ma uzasadnienie w przypadku, gdy instalacja jest ograniczona przez
powierzchnię. Użycie koncentratora pozwala na zwiększenie strumienia energii dopływającego do ogniwa lub panelu.

Fotowoltaika koncentratorowa osiąga wysoką efektywność, generuje stosunkowo niskie koszty, a co za tym idzie szybko się
zwraca. Dużą zaletą tego rodzaju instalacji jest jej skalowalność.
Klasyfikacja fotowoltaiki koncentratorowej bazuje na krotności energii mierzonej współczynnikiem koncentracji słonecznej, w
skrócie nazywanej krotnością „słońc” (ang. solar concentration ratio), co określa stopień skupienia promieniowania. Ze względu
na efektywność wyróżnia się kilka typów układów ogniwo – koncentrator (Rys. 81): nisko skupiające LCPV (ang. Low Concentrator
Photovoltaic), średnio skupiające MCPV (ang. Medium Concentrator Photovoltaic) oraz wysoko skupiające HCPV (ang. High
Concentrator Photovoltaic) [110], [111]. Najszybciej rozwijającą i najpopularniejszą technologią są HCPV [112].
 Rysunek 81: Podział koncentratorów. Oprac. własne.

Ilościową miara koncentratora jest współczynnik koncentracji geometrycznej promieniowania słonecznego CR.

AC
CR = A0
(17)

Określa on w jakim stopniu strumień promieniowania słonecznego padający na ogniwo jest zwiększany. Współczynnik
koncentracji geometrycznej jest stosunkiem powierzchni aktywnej koncentratora AC do powierzchni odbiornika A0 .
Kolejną miarą stosowaną w opisie koncentratorów jest współczynnik koncentracji efektywnej ( 18 ). Definiuje się go jako
całkowitą ilość promieniowania pochłoniętego przez powierzchnię.

Ce = η ⋅ Cg (18)

W powyższym równaniu Cg oznacza geometryczny współczynnik koncentracji η wydajność koncentratora słonecznego.

W odróżnieniu od konwencjonalnego panelu PV, odbiornik CPV musi być ustawiony w kierunku bezpośredniego normalnego
natężenie napromienienia. Jeżeli koncentrator słoneczny i odbiornik CPV nie będą ustawione w kierunku słońca, to stracą część
napływającego promieniowania słonecznego. Maksymalny kąt, pod jakim przychodzące promieniowanie słoneczne może być
jeszcze wychwycone przez koncentrator słoneczny, nazywany jest kątem odbioru lub kątem akceptacji (ang. acceptance angle)
[113], [114]. Częścią układu koncentratorowego musi być więc traker. W przypadku koncentratorów dwuwymiarowych kąt
odbioru może być różny (dla różnych kierunków). Dla danego kąta odbioru θ, dla koncentratora z ogniskowaniem punktowym,
maksymalna możliwa koncentracja Cmax wynosi

n2
Cmax = sin2 θ
(19)

We wzorze ( 19 ) n jest współczynnikiem załamania światła ośrodka, w którym znajduje się odbiornik.
Największy na świecie działający obiekt CPV (138 MWp) został zbudowany przez Suncore Photovoltaics, znajduje się w mieście
Golmud w Chinach. Do dużych obiektów (19,9 MWp) tego typu należy również Fort Churchill Solar Array w Yerington w stanie
Nevada.

Poniżej przedstawiono paraboliczne koncentratory znajdujące się w Harper Lake. Instalacja ma postać macierzy paneli
słonecznych rozmieszczonych na 125 metrach długości. Jeden rząd składa się z 10 paneli słonecznych o długości 12 metrów każdy
i przysłonie 5,76 metra. Układ szkieletowy z monolitycznymi szklanymi panelami odblaskowymi został przedstawiony na Rys. 82
[115].

Rysunek 82: Parabolic trough at Harper Lake in California (koncentrator paraboliczny). Aut. fot. Z22, CC BY-SA 3.0, źródło:
https://en.wikipedia.org/wiki/File:Parabolic_trough_at_Harper_Lake_in_California.jpg .

Badania nad technikami koncentratorowymi są prowadzone w min. w Sandia National Laboratories – amerykańskim instytucie
naukowo-badawczym, zajmującym się badaniami naukowymi oraz opracowywaniem technologii w dziedzinie energii. Zostały
przedstawione w filmie "Parabolic Dish Stirling Engine at Sandia National Laboratories".

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=120
Koncentrator Sandia National Laboratories
Sandia National Labs, Parabolic Dish Stirling Engine at Sandia National Laboratories (Koncentrator Sandia National Laboratories),
29.03.2010 (dostęp 12.09.2020). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/AdCNnSdtU7U .

6. Technologie ogniw
6.1 Ogniwa z elektrodami paskowymi
Ogniwa z elektrodami paskowymi "busbar"

Ponad 90% ogniw fotowoltaicznych buduje się obecnie najczęściej z krzemu. Po wytworzeniu złącza p-n, na półprzewodnik typu n
nanosi się elektrodę przednią (ujemną), wykonaną w postaci sieci cienkich ścieżek poziomych do krawędzi ogniwa (ang. fingers,
palce), które zbierają ładunki z całego ogniwa i przekazują je ścieżkom połączeniowym wstążkowym prostopadłym do palców,
zwanym busbarami. Elektroda dodatnia (na krzemie typu p) pokrywa całą tylną powierzchnię ogniwa.
Technologia busbar była stosowana od początku wprowadzenia fotowoltaiki na rynek. W ogniwach polikrystalicznych stosowano
najpierw 2 ścieżki połączeniowe, czyli 2 busbary, osiągając wydajność na poziomie 12%.

Miały one od 110 do 660 punktów kontaktowych ze ścieżkami poziomymi, czyli z palcami (Rys. 83) [116].

Rysunek 83: Ogniwa fotowoltaiczne z 2-BB do 5-BB. Oprac. własne.

Rozwijając tę technologię, zwiększano liczbę busbarów tak, że w nowszych rozwiązaniach jest to 5 busbarów.

Przy zastosowaniu 3 busbarów, długość palca zmniejsza się z 39 mm do 26 mm (tabela na Rys. 84), co przekłada się na
zmniejszenie przekroju palca i równocześnie podwyższa się wydajność ogniwa.
 Rysunek 84: Porównanie ogniw o różnej liczbie busbarów. Oprac. własne.

Zwiększając liczbę busbarów unika się dużego wpływu mikropęknięć na wydajności ogniwa fotowoltaicznego.

Mikropęknięcia powodują wyeliminowanie części ogniwa fotowoltaicznego z możliwości odebrania od niego energii elektrycznej.
Powodem mikropęknięć jest na przykład łączenie ogniw w procesie lutowania w temperaturach od 240 do 340 o C.

Naraża to całą strukturę na naprężenia związane z nierównomiernym nagrzewaniem ogniwa, co może prowadzić do degeneracji
całych paneli. Czas życia takich paneli skraca się przez mikropęknięcia, co powoduje zwiększanie rezystancji połączeniowej.

Liczba busbarów i liczba palców ma wpływ na parametry pracy ogniwa (tzw. współczynnik wypełnienia FF oraz rezystancję
szeregową), a w konsekwencji na całkowitą wydajność panelu fotowoltaicznego.

Zastosowanie większej liczby busbarów skraca drogę jaką musi przebyć elektron i dziura, co powoduje zmniejszenie rezystancji
wewnętrznej i ułatwia przepływ prądu.
Zwiększając liczbę busbarów zmniejszamy prąd płynący przez pojedynczy busbar co powoduje obniżenie temperatury pracy
ogniwa.
Rezystancja ogniwa zależy bowiem od długości drogi jaką musi pokonać ładunek elektryczny w ogniwie. Wzrost liczby busbarów
zmniejsza tę odległość. Zwiększenie liczby busbarów [117] wpływa na podniesienie sprawności ogniw, ale także polepsza ich
pracę w warunkach zacienienia, czy w przypadku uszkodzeń mechanicznych zmniejszających powierzchnię ogniwa. Zwiększenie
liczby busbarów podnosi też wytrzymałość mechaniczną panelu na deszcz, śnieg, grad czy wiatr.

Technologia wielościeżkowa MBB "Multi-Busbar"

W ogniwach wyprodukowanych w technologii wielościeżkowej MBB w miejsce szerokich paskowych elektrod busbarowych
wprowadzone są elektrody drutowe, a ich liczba to 15 i więcej na jednym ogniwie. Czyli każdy drut przewodzi poniżej 0,5 A a nie
4,5 A jak w przypadku dwu busbarów.

Obecnie funkcjonują co najmniej trzy różne rozwiązania: technologia SmartWire szwajcarskiej firmy Meyer Burger, technologia
Merlin oraz Multi Busbar Connector Schmidta.

Technologia SmartWire polega na zastosowaniu, zamiast wyżej opisanego rozwiązania jakim są busbary, siatki przewodów na
płaszczyźnie ogniwa fotowoltaicznego. Liczba połączeń elektrycznych w takim pojedynczym ogniwie dochodzi do 2660 (Rys. 85).
Zapewnia to odporność na obciążenia mechaniczne oraz lepszą wydajność w warunkach słabego oświetlenia.

Rysunek 85: Wygląd ogniwa fotowoltaicznego a) z 2-BB (110 punktów połączeniowych) oraz b) ogniwo fotowoltaicznego w technologii Smart Wire (2000 punktów połączeniowych).
Oprac. własne.

Technologia Merlin charakteryzuje się tym, że w ogniwie krzemowym umieszcza się specjalnie uformowaną siatkę miedzianą na i
pod ogniwem fotowoltaicznym (Rys. 86). W tym przypadku połączenia wewnętrzne są mocniejsze, co przekłada się na lżejsze i
wytrzymalsze panele fotowoltaiczne.

Rysunek 86: Wygląd zewnętrzny ogniwa wykonanego technologią Merlin. Oprac. własne.
Elastyczna miedziana siatka zastępuje tu tradycyjne busbary, co redukuje zużycie materiałów, a przez to i koszty. Ponadto,
technologia Merlin może się łatwo integrować z istniejącymi liniami służącymi do produkcji ogniw i paneli.
Technologia Multi Busbar Connector (Rys. 87) oparta jest na wykorzystaniu siatki przewodów z drutu miedzianego o średnicy 360
mikronów, pokrytej cienką warstwą stopu SnPbAg o grubości około 15 mikronów. Na każdym ogniwie umieszczone jest 12
busbarów. Powoduje to zwiększenie współczynnika wypełnienia, co w konsekwencji zwiększa wyprodukowaną moc przez ogniwo
fotowoltaiczne.

Rysunek 87: Ogniwo oraz panel wykonane w technologii Multi Busbar Connector: a) ogniwo (12 BB), b) ogniwo połówkowe (9 BB), c) panel (12 BB). Oprac. własne.

Technologia pasywacji tylnej ścianki ogniwa (Passivated Emitter Rear Cell - PERC)

Rysunek 88: Budowa ogniwa typu PERC. Oprac. własne.

Ogniwo PERC odróżnia się od standardowego ogniwa fotowoltaicznego budową elektrody tylnej ogniwa.
W tylnej elektrodzie wprowadzono modyfikację polegającą na naniesieniu dodatkowej warstwy, która pełni funkcję refleksyjną i
pasywacyjną.
Pasywacja powoduje ochronę przed utlenianiem powierzchni krzemu oraz zmniejszenie rekombinacji na styku krzem elektroda
metaliczna.
Warstwa izolatora (Rys. 88) powoduje między innymi odbicie promieni słonecznych i skierowanie ich do ogniwa, celem
zwiększenia absorpcji, a co za tym idzie i mocy ogniwa [118]. Zwiększone odbicie promieniowania elektromagnetycznego od
warstwy pasywacyjnej powoduje zwiększenie absorpcji, a zatem również zwiększenie uzyskiwanej moc ogniwa.

Obecnie wiele laboratoriów pracuje nad zwiększeniem sprawności ogniw fotowoltaicznych, ale wiele z opracowanych rozwiązań
ma zastosowanie bardziej laboratoryjne niż komercyjne. Poza problemami omówionymi powyżej są jeszcze te związane z
zacienieniem, mikropęknięciami, odbiciem światła i oczywiście obniżeniem kosztów produkcji. Wszystkie te elementy są
motywacją do szukania rozwiązań optymalizujących pracę ogniwa.
Zwiększając liczbę busbarów na ogniwie, zmniejsza się rezystancję, co powoduje zwiększenie mocy otrzymanej z ogniwa, unika
się też większości strat związanych z mikropęknięciami. Zwiększając liczbę busbarów daje się elektronom więcej możliwości
dotarcia do elektrody.
 Rysunek 89: Łączenie ogniw opartych na technologii busbarów w panelach fotowoltaicznych. Oprac. własne.

Sposób łączenia ogniw fotowoltaicznych w panelach PV wykonanych w technologii busbar są pokazane na Rys. 89. Miejsca
lutowania są szczególnie narażone na naprężenia. Jest to związane z temperaturą w czasie łączenia ze sobą ogniw
fotowoltaicznych.

6.2 Ogniwa z elektrodami typu PERL

W ciągu ostatniej dekady ogniwa fotowoltaiczne typu HIT z elektrodami z tyłu znacznie poprawiły wydajność dostępnych na
rynku paneli fotowoltaicznych, tym niemniej, nadal istnieje możliwość uzyskania jeszcze wyższej wydajności ogniw, opartych na
krystalicznym krzemie. Wysoko wydajne ogniwo krzemowe wykonane w warunkach laboratoryjnych – ogniwo PERL (ang.
Passivated Emitter Rear Locally diffused cell) przedstawiono na Rys. 90. Ta konstrukcja ogniwa pod koniec 1980 r. miała
wydajność sięgającą 23%, co stanowiło ogromną poprawę wydajności ogniw krzemowych w stosunku do 17% – najwyższej
wartości zaledwie 7 lat wcześniej. Od tego czasu, dalsze dopracowywanie ogniw typu PERL doprowadziło ich efektywność do
25%.
Ogniwo typu PERL ma wiele cech wspólnych z ogniwem, którego elektrody umieszczono z tyłu. Podobnie i tu występuje
całkowita osłona w pasywującej warstwie tlenku i małe kontakty powierzchniowe. Ogniwo typu PERL jest jednak konstrukcją
bardziej wytrzymałą, bardziej tolerancyjną na warunki środowiska, wobec słabej pasywacji powierzchni i słabej pracy klasycznych
ogniw.
Główne ulepszenia poczynione w ogniwie typu PERL w ostatnich latach obejmują znaczny wzrost tlenku pasywacji górnej
powierzchni, co pozwala na bezpośrednie zastosowanie dwuwarstwowej powłoki antyrefleksyjnej [119]. Zastosowano sekwencję
"wyżarzania" dla tego tlenku i zlokalizowanych górnych punktów kontaktowych w celu zwiększenia napięcia obwodu otwartego i
poprawy pasywacji tylnej powierzchni oraz dobranie odporności metalizacji w celu poprawy współczynnika wypełnienia.
Aby zmaksymalizować wydajność ogniw, jak najwięcej światła o użytecznych długościach fal powinno być zaabsorbowane przez
ogniwo. Aby osiągnąć ten wynik nowoczesne konstrukcje ogniw, takie jak ogniwo typu PERL, zawierają kilka rozwiązań o
charakterze optycznym.
W tym przypadku straty optyczne w przedniej części ogniwa są zmniejszane poprzez wdrożenie teksturowanej odwróconej
konstrukcji piramidy (Rys. 90), pokrytej warstwą antyrefleksyjną, co umożliwia absorpcję światła odbitego po raz drugi,
zmniejszając straty spowodowane transmisją. Elektrody z przodu zostały wykonane w ten sposób, aby powierzchnia ich była jak
najmniejsza, co zwiększa natężenie światła wpadającego do ogniwa fotowoltaicznego.
Odwrócone piramidy wzdłuż górnej powierzchni służą przede wszystkim celom optycznym. Większość kwantów promieniowania
trafi w jedną ze ścian bocznych piramid, co powoduje odbicie promieni, zwiększając przez to drogę optyczną światła. Odbity
promień świetlny sprawia, że światło ma, co najmniej, drugą szansę wrócić do ogniwa i zostać zaabsorbowane. Niektóre kwanty w
pobliżu dna piramid mają czasem więcej szans.
 Rysunek 90: Ogniwo fotowoltaiczne typu PERL. Oprac. własne.

Piramidy pokryte są warstwą tlenku o odpowiedniej grubości, aby mogły zadziałać jako powłoka antyrefleksyjna. W nowszych
projektach warstwa tlenku jest cienka, a ponadto stosuje się dwuwarstwową powłokę antyrefleksyjną [119].
Zaabsorbowany przez ogniwo kwant porusza się ukośnie przez ogniwo w kierunku tylnej jego powierzchni. W ten sposób kwant
promieniowania ma dłuższą drogę, na której może być zaabsorbowany przez ogniwo. Niepochłonięte światło docierające do tyłu
odbija się od bardzo wydajnego reflektora, utworzonego przez połączenie tylnej warstwy tlenku pokrytej warstwą aluminium
[22]. Współczynnik odbicia od tej kombinacji zależy od kąta padania światła i grubości warstwy tlenku, ale zazwyczaj przekracza
95% dla kątów padania zbliżonych do 0° (normalnej). Współczynnik odbicia zmniejsza się poniżej 90%, gdy kąt padania zbliża się
do kąta całkowitego wewnętrznego odbicia na złączu krzemu/tlenku (24,7°) i wzrasta ponownie do blisko 100% po przekroczeniu
tego kąta.
Na tylnej powierzchni ogniwa fotowoltaicznego elektrody punktowe są stosowane w połączeniu z warstwami pasywacji tlenku
termicznego, w celu zmniejszenia niepożądanej rekombinacji na powierzchni w obszarze nieskontaktowanym. Krzem silnie
domieszkowany borem (p+) działa jak lokalna tylna powierzchnia ograniczająca rekombinację elektronów mniejszościowych.
Światło odbite od tyłu przesuwa się w kierunku górnej powierzchni. Niektóre kwanty promieniowania docierają do powierzchni i
mogą opuścić ogniwo fotowoltaiczne nie wywołując powstania ekscytonu. Inne ulegają całkowitemu wewnętrznemu odbiciu.
Powoduje to, że około połowa promieniowania świetlnego skierowanego w przednią powierzchnię od strony wewnętrznej jest
odbijana z powrotem do ogniwa w kierunku tylnej elektrody.
Liczba kwantów światła, opuszczających ogniwo fotowoltaiczne po pierwszym odbiciu, zależy od geometrii piramid. Straty
energii światła można zmniejszyć, niszcząc niektóre z zastosowanych symetrii, na przykład za pomocą przechylonych
odwróconych piramid lub używając metody "tiler’s pattern". To ostatnie podejście jest obecnie stosowane w projektach ogniw
typu PERL.
Połączenie odwróconych piramid i tylnego reflektora tworzy bardzo skuteczny sposób zwiększania absorpcji światła przez
zwiększanie długości drogi promienia świetlnego w ogniwie fotowoltaicznym. Mierzone są efektywne współczynniki poprawy
długości drogi promienia świetlnego [22]. Zwiększenie absorpcji następuje przede wszystkim w obszarze podczerwieni.
Zewnętrzna responsywność (to odpowiedź panelu fotowoltaicznego (w amperach) na 1 wat światła padającego) ogniw typu
A
PERL osiąga wartości wyższe przy większych długościach fal niż konwencjonalne ogniwa krzemowe, o wartościach 0,75 W
mierzonych przy długości fali 1,02 μm. Efektywność konwersji energii dla niektórych długości fal jest większa nawet niż 45%
[120] w porównaniu z klasycznymi ogniwami.

Obecne ogniwa typu PERL tracą około 5% przychodzącego światła z powodu utraty absorpcji lub odbicia związanego z
metalowymi elektrodami, w połączeniu z odbiciem od niemetalizowanej górnej powierzchni ogniwa. Występujące straty
optyczne są spowodowane też odbiciem i absorpcją przez górne metalowe elektrody ogniwa. Można zminimalizować to odbicie,
dobierając odpowiednie wielkości elektrody, wysokość, szerokość oraz kształt. Można także spróbować przekierować promienie
świetlne do ogniwa omijając elektrody [121]. Istnieje zatem pewne pole do małych lub umiarkowanych wzrostów wydajności,
poprzez dalszą poprawę właściwości optycznych tych ogniw.

Zaawansowane projekty ogniw zostały wykorzystane w statkach kosmicznych i ziemskich aplikacjach o wysokiej wartości, takich
jak np. wyścigi samochodów napędzanych energią słoneczną [122]. Wykorzystano tam bardzo drogie wieloetapowe procesy
fotolitograficzne. Tego typu ogniwa fotowoltaiczne są zbyt drogie dla szerokich zastosowań. Tym niemniej ostatnie osiągnięcia
w budowie ogniw wykorzystujących technologie laserowe sprawiają, że ogniwa typu PERL mogą być wytwarzane przy niskich
kosztach. Jak wspomniano, najlepsza wydajność ogniw wynosi 25,0%, a najlepsza wydajność panelu fotowoltaicznego 22,9%
[123].

Wydaje się, że technologia krystalicznego krzemu w postaci wafla będzie dominującą technologią fotowoltaiczną przez co
najmniej najbliższą dekadę. Wskazują na to inwestycje poczynione w zakładach produkujących ogniwa fotowoltaiczne oraz
obniżenie cen paneli PV. Ostatnio pojawiły się też panele fotowoltaiczne typu PERL, wykonane w technologii dwustronnej (ang.
Bifacial Cell Technology).
Reasumując, ogniwa fotowoltaiczne wykonane w technologii PERL mają wiele zalet:

wyższa wydajność ogniw osiągana przez pasywację materiału c-Si typu n,

tylko jeden krok temperaturowy w technologii osadzania, zarówno fosforu, jak i boru, minimalizuje obciążenie wafli
krzemowych,
krótki czas produkcji ogniw PERL,
różne technologie produkcji ogniw, ogniwa jednostronne lub dwustronne,
wyższa, do 30%, wydajność energii ogniwa dwustronnego.

6.3 Ogniwa z elektrodami z tyłu

Ogniwo z elektrodami z tyłu, z naprzemiennym tylnym kontaktem, wykonane w technologii IBC (ang. Interdigitated Back
Contact) jest alternatywnym podejściem do produkcji ogniw o wysokiej wydajności. Zmniejszenie cieniowania ogniwa
fotowoltaicznego przez elektrodę przednią zapobiega zmniejszeniu energii słonecznej docierającej do ogniwa (elektrody
umiejscowiono z tyłu ogniwa).
Strukturę ogniwa typu IBC pokazano na Rys. 91. Światło przechodzi przez warstwę stabilizującą SiO2 do wnętrza ogniwa,
zbudowanego z wafla monokrystalicznego typu n. Oba styki znajdują się na tylnej powierzchni ogniwa. Powstające ekscytony
rozpadają się na ładunki, które dyfundują do obszarów p i n bezpośrednio nad obszarami styku (w tych obszarach usunięto tlenek
z tylnej powierzchni). Zarówno złącze typu n, jak i typu p leżą po nieoświetlonej stronie ogniwa pod metalizacją stykową. Schemat
ogniwa typu IBC zaprezentowano na Rys. 91a, gdzie pokazano kontakty w postaci grzebieni. Rys. 91b natomiast pokazuje
kontakty zbierające ładunki zgromadzone w półprzewodniku typu n oraz typu p ogniwa.

Rysunek 91: Ogniwo fotowoltaiczne wykonane w technologii IBC. Oprac. własne.

Konstrukcja ogniw tylnego styku została udoskonalona na Uniwersytecie Stanforda w latach 80-tych [124]. W latach 90-tych
powstała nowa firma SunPower, która skomercjalizowała tę technologię, produkując panele ogniw fotowoltaicznych w
technologii IBC z początkowym osiągnięciem 22,5% wydajności. Na początku 2000 r. produkcja została znacznie uproszczona i
rozszerzona. Obecnie firma SunPower wytwarza ogniwa typu IBC, które osiągają wydajność 24.2%. Osiągi wydajności zarówno
ogniw (na poziomie 24,2%), jak i paneli (na poziomie 22,4%) zostały potwierdzone przez niezależne gremia [123]. Z kolei, firma
Trina Solar poinformowała, że jej Główne Państwowe Laboratorium ustanowiło nowy rekord wydajności wynoszący 25,04% dla
monokrystalicznego krzemowego ogniwa typu n, wykonanego w technologii IBC. Wynik ten został niezależnie potwierdzony
przez Japońskie Technologiczne Laboratorium Bezpieczeństwa Elektrycznego i Środowiska (JET) [125].
Szkic obecnej struktury ogniw komercyjnych przedstawiono na Rys. 92 [126], [127]. Należy zauważyć, że dyfuzja fosforu jest
używana wzdłuż oświetlonej powierzchni, w celu kontrolowania rekombinacji wzdłuż tej powierzchni [128].

Rysunek 92: Ogniwo fotowoltaiczne wykonane w technologii typu IBC. Oprac. własne.

Ogniwo fotowoltaiczne typu IBC ma wiele zlokalizowanych złącz, zamiast jednego dużego złącza p-n. Pary elektron-dziura,
generowane przez padające światło, które jest absorbowane na przedniej powierzchni, mogą być zbierane z tyłu ogniwa.
Interfejsy półprzewodnik-metal są tak małe, jak to tylko możliwe, aby zmniejszyć niepożądaną rekombinację. Jak pokazano na
Rys. 92, tył ogniwa fotowoltaicznego typu IBC ma dwa metalowe grzebienie. Jeden zbiera prąd z kontaktu typu n, a drugi zbiera
prąd z kontaktu typu p. Przednie pole powierzchni jest tworzone przez mocno domieszkowany krzem typu n, w celu zmniejszenia
rekombinacji na tej powierzchni. Jednak intensywność domieszkowania zmniejsza się stopniowo w kierunku tyłu, aby działać jako
obszar półprzewodnika typu p. Przednia powierzchnia jest teksturowana i osadzona w dwuwarstwowej powłoce antyrefleksyjnej.
Działa ona jako pasywująca (dwutlenek krzemu) na przedniej stronie ogniwa.
 Rysunek 93: Ogniwo fotowoltaiczne typu IBC z przodu oraz z tyłu. Oprac. własne.

Na Rys. 93 pokazano zdjęcie ogniwa z przodu, którego kolor jest jednorodnie ciemny, natomiast zdjęcie ogniwa z tyłu pokazuje
wyraźnie ustawienie elektrod, które są grzebieniami zbierającymi ładunki. Elektrody zbierające nie zacieniają powierzchni, przez
którą promienie słoneczne mogą dotrzeć do wnętrza ogniwa i spowodować powstanie ekscytonu.
Ogniwo fotowoltaiczne typu IBC jest najbardziej skomplikowane technologicznie, ale ma najwyższą wydajność wśród ogniw
krzemowych, produkowanych masowo. Zasadniczo struktura ogniwa wykonanego w tej technologii ma kilka zalet w stosunku do
budowy konwencjonalnych ogniw fotowoltaicznych. Najbardziej oczywista jest eliminacja zacienienia powodowanego przez
elektrodę przednią, co w generowanym prądzie może dać przyrost 5-7%. Istotna jest także niższa rezystancja szeregowa podczas
przepływu prądu w stykach, ze względu na to, że styki z tyłu zajmują prawie całą tylną powierzchnię, więc odległość między nimi
jest niewielka. Ponadto, dużą zaletą jest oddzielenie optymalizacji optycznej, przeprowadzanej z przodu, od optymalizacji
elektrycznej, wykonywanej z tyłu.

6.4 Ogniwa fotowoltaiczne z elektrodami typu 'smart

wire'
Technologia fotowoltaiczna stale się rozwija. Dokonano znaczących ulepszeń na poziomie ogniwa fotowoltaicznego, ale istnieją
ograniczenia na poziomie tychże połączeń w panel fotowoltaiczny. Szwajcarska firma Meyer Burger [129] opracowała
technologię Smart Wire Connection Technology (SWCT), która nie obniża wydajności całego panelu fotowoltaicznego w stosunku
do pojedynczego ogniwa fotowoltaicznego. Polega ona na połączeniu procesu laminowania i wzajemnego połączenia ogniw w
panel fotowoltaiczny w jednym etapie laminowania. Podczas tego procesu zmniejsza się zużycie materiałów, energii, a wydajność
ogniwa jest na poziomie 25,4%.
Technologia Smartwire polega na zastosowaniu siatki przewodów na płaszczyźnie ogniwa fotowoltaicznego zamiast
konwencjonalnego rozwiązania, jakim są szyny połączeniowe, czyli busbary. Liczba połączeń elektrycznych w pojedynczym
ogniwie dochodzi tutaj do 2640, co zapewnia odporność na obciążenia mechaniczne oraz lepszą wydajność w warunkach słabego
oświetlenia (Rys. 94).

Rysunek 94: Wygląd ogniwa fotowoltaicznego z a) 12-BB (660 punktów połączeniowych) oraz ogniwa fotowoltaicznego b) w technologii Smart Wire (2090 punktów połączeniowych).
Oprac. własne.

Zastosowanie tego procesu zmniejsza straty elektryczne i optyczne w panelu fotowoltaicznym, dzięki krótszej drodze ładunków
do elektrod oraz mniejszemu zacienieniu ogniwa przez elektrody niż w standardowych technologiach busbarów.
Technologia SWCT przekształca wygląd przedniej powierzchni ogniwa fotowoltaicznego i oferuje dodatkowo kilka korzyści:

łączy wiele przewodów, ograniczając straty omowe oraz optyczne przez zmniejszenie grubości busbarów, ponieważ liczba
przewodów może być dostosowana do konstrukcji konkretnego ogniwa fotowoltaicznego,
zużycie pasty srebrnej można znacznie zmniejszyć,
dzięki inteligentnemu odbiciu światła przez przewody poprawia się absorpcja światła przez ogniwo fotowoltaiczne,
zmniejsza wpływ mikropęknięć ogniw fotowoltaicznych poprzez zwiększenie liczby ścieżek zbierania prądu,
 uproszczeniu ulegają etapy technologiczne, procesy lutowania i laminowania zostały zastąpione przez jeden proces
laminowania, są one wykonane łącznie,
zmniejszają się naprężenia w ogniwie fotowoltaicznym, ponieważ temperatura podczas procesu połączenia jest jednorodna
w całym ogniwie i wynosi poniżej 160°C,
koszt wykonania panelu fotowoltaicznego jest niższy,
proces ten jest kompatybilny z wieloma typami materiałów, takimi jak Al, Cu, Ni, Ag i dlatego możliwy jest do zastosowania
w nowych kombinacjach materiałów i połączenia nowych koncepcji ogniw fotowoltaicznych, takich jak tylne pasywowane
ogniwa, HJT, poszycie metalowe i IBC.

SWCT to technologia łącząca elektrody z ogniwami fotowoltaicznymi, oparta na klejeniu drutu. Wykorzystuje się zwykle od 15 do
38 przewodów po obu stronach ogniwa fotowoltaicznego. Przewodami są okrągłe druty na bazie miedzi, pokryte
niskotemperaturowym stopem, zazwyczaj warstwą 1-2 mikronów grubości z 50% stopem indu. Przewody są osadzone w folii
polimerowej, która jest nakładana bezpośrednio na metalizowane ogniwo.

Rysunek 95: Przekrój przez ogniwo fotowoltaiczne wykonane w technologii SWCT. Oprac. własne.

Tak ułożone składniki są laminowane (Rys. 95). Przewody są związane z metalizacją ogniwa fotowoltaicznego i zapewniają
kontakt elektryczny z większością materiału (np. liczbę przewodów i ich grubość można dostosować do niemal każdej konstrukcji
metalizacji ogniwa i mocy ogniwa). Szyny busbarów na powierzchni ogniwa fotowoltaicznego (zarówno z przodu, jak i z tyłu) nie
są potrzebne. Zaoszczędza się w ten sposób czas i materiały (proces metalizacji wymaga drogiego materiału, takiego jak pasta
srebrna) oraz zapobiega cieniowaniu. Technologia SWCT ma dodatkową zaletę, lepszą pasywację tylnej części ogniwa
fotowoltaicznego można osiągnąć za pomocą aluminiowego ekranu wydrukowanego z tyłu pola powierzchniowego lub z
dowolną metodą pasywacji z tyłu (taką jak SiO2 , a − Si, AlOx itp.).
Ogniwa fotowoltaiczne są kruche i dlatego muszą być chronione, aby oprzeć się warunkom zewnętrznym, takim jak deszcz, grad,
wilgoć, wiatr i śnieg. Ochronę uzyskuje się zwykle poprzez osadzenie ogniwa fotowoltaicznego w szkle i warstwie hermetyzacji.
Ponieważ wygenerowany prąd musi być transportowany z jednego ogniwa do drugiego, występują straty elektryczne.
Najbardziej niezawodne, sprawdzone i używane dotychczas techniki, to lutowanie wstążki.
Technologia SWCT oferuje do 38 powlekanych drutów miedzianych, które przenoszą ładunki generowane przez ogniwa
fotowoltaiczne. Długość palca można zmniejszyć z 39 mm do 4-8 milimetrów, co z kolei sprawia, że utrata mocy na palcu jest
znikoma. Tę redukcję długości palca uzyskuje się bez zmiany przekroju materiału transportującego. Straty mocy związane z
opornością spadają i więcej energii może być pobierane z każdego pojedynczego ogniwa fotowoltaicznego. Z porównań w tabeli
poniżej wynika, że SWCT z 30 przewodami o średnicy 0,2 mm ma takie samo optyczne cieniowanie, jak z 3 busbarami. SWCT z 18
przewodami o średnicy 0,3 mm ma o 85% wyższy przekrój Cu w porównaniu do 3 busbarów, czyli mniejszy opór. Zmniejsza się
ponadto optyczne cieniowanie (2,6% w porównaniu do 2,9% dla 3 busbarów), są też dodatkowe korzyści wynikające ze
zmniejszonej długości palca do 8,2 mm. Podsumowując, dane na Rys. 96 poniżej [129] pokazują, że SWCT wykazuje lepsze
właściwości niż technologia busbarów.

Rysunek 96: Porównanie technologii taśmowych i przewodów. Cieniowanie optyczne jest obliczane jako stosunek szerokości wstążki/drutu do długości ogniwa. Oprac. własne.

W celu porównania technologii typu SWCT z technologią busbarów przygotowano panele fotowoltaiczne, w których użyto tego
samego typu ogniw. Eksperymentowi poddano dwa rodzaje ogniw, monokrystaliczne ogniwa wyprodukowane przez firmę
Hareon Sun (Chiny) i ogniwa firmy HJT (Szwajcaria). Na Rys. 96 zebrano dane wydajności ogniwa monokrystalicznego c-Si. Tak
wykonane panele poddano badaniom wydajności. Zwiększenie liczby busbarów do 5 podniosło moc ogniw do 102%, a w
technologii SWCT do 103%. Jeśli do tego doda się jeszcze wytrzymałość ogniw na mikropęknięcia, to zastosowanie procedury
typu SWCT jest uzasadnione.
W przypadku technologii SWCT na skutek mikropęknięć nie następuje drastyczna utrata mocy [ 130], ponieważ wygenerowane
ładunki mogą dotrzeć do elektrody zbierającej inną drogą.

Na filmie "The Making of SmartWire Technology" przedstawiono technologię produkcji paneli fotowoltaicznych wykonanych w
technologii smart-wire.

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=183
Wytwarzanie ogniw 'smart-wire'
SolarTech Universal, The Making of SmartWire Technology (Wytwarzanie ogniw 'smart-wire'), 13.10.2016 (dostęp 01.08.2020).
Dostępne w YouTube: https://youtu.be/c6zbtqc7_tk .

Na filmie "The Technology Behind SolarTech Universal" pokazano porównanie różnych ogniw fotowoltaicznych stosowanych
komercyjnie oraz sposób budowy paneli fotowoltaicznych wykonanych w technologii smart-wire.

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=182
The Technology Behind SolarTech Universal
SolarTech Universal, The Technology Behind SolarTech Universal, 21.09.2018 (dostęp 01.08.2020). Dostępne w YouTube:
https://youtu.be/YAOed5iEnEo .

6.5 Ogniwa fotowoltaiczne wykonane w technologii

HIT
Ogniwo fotowoltaiczne gdzie cienka warstwa krystalicznego krzemu typu n jest umieszczona pomiędzy dwoma cienkimi
warstwami krzemu amorficznego nazwana jest typu HIT (ang. Heterojunction with Intrinsic Thin Layer) to jedno z rozwiązań
powstałych w wyniku prac, mających na celu uzyskanie wyższej wydajności ogniw komercyjnych. Ogniwo to łączy w sobie zarówno
krystaliczne, jak i amorficzne cechy projektowania ogniw krzemowych w jednej strukturze. Budowę ogniwa fotowoltaicznego
typu HIT przedstawiono na Rys. 97.
 Rysunek 97: Schemat ogniwa wykonanego w technologii typu HIT. Oprac. własne.

Wewnętrzna cienka warstwa krystalicznego krzemu typu n jest umieszczona pomiędzy dwoma cienkimi warstwami krzemu
amorficznego. Ta wewnętrzna warstwa najpierw poddawana jest teksturyzacji (Rys. 98), a następnie pokrywana odpowiednimi
warstwami krzemu amorficznego. Przednia warstwa krzemu krystalicznego typu n pokrywana jest amorficznym krzemem a-Si o
grubości do 10 nm, a następnie amorficznym krzemem a-Si typu p, tylną natomiast pokrywa się amorficznym krzemem a-Si o
grubości do 10 nm i amorficznym krzemem a-Si typu n. Na wierzch z obu stron nakładane są elektrody zbierające ładunki (styki
sitodrukowe). Bardzo cienkie wewnętrzne warstwy a-Si, występujące pomiędzy a-Si a krystalicznym podłożem c-Si, mają za
zadanie poprawę działania złącza p-n. Na obu domieszkowanych warstwach powstają przezroczyste warstwy tlenku
przewodzącego (TCO), a następnie są drukowane ścieżki przewodzące. Metalizacja tyłu jest również grzebieniowa w celu
zmniejszenia naprężeń termicznych i mechanicznych, dzięki czemu ogniwo jest symetryczne i możliwe jest wykorzystanie go jako
ogniwo dwustronne.

Rysunek 98: Ogniwo fotowoltaiczne wykonane w technologii HIT. Oprac. własne.

Ogniwa zaprojektowane są w taki sposób, aby zredukować zajmowaną przez nie powierzchnię i osiągnąć większą wydajność w
stosunku do standardowych ogniw krystalicznych (Rys. 99), które dostępne są na rynku. Ogniwa typu HIT były zaprezentowane
przez firmę Sanyo Electric Solar Division, która produkuje tego typu ogniwa w kształcie klasycznym i tzw. plastrze miodu, aby
lepiej wykorzystać stosunkowo drogie monokryształy oraz powierzchnię czynną panelu fotowoltaicznego.

Rysunek 99: Proces wykonania ogniwa w technologii HIT. Oprac. własne.

Ogniwa tego typu nie są czułe na wyższe temperatury, co powoduje, że ich sprawność w wyższych temperaturach nie ulega zbyt
dużym zmianom [131]. Technologia HIT pozwala produkować ogniwa, które wykazują wysoką wydajność w temperaturze 75 o C.
Technologia ta zapewnia doskonałą pasywację powierzchni przy stosunkowo niskich temperaturach procesów (poniżej 200 o C),
pozwala zmniejszyć degradację przez cały czas użytkowania ogniwa fotowoltaicznego.
 Rysunek 100: Panel fotowoltaiczny wykonany w technologii typu HIT. Oprac. własne.

Firma Panasonic ogłosiła, że opracowała ogniwo o sprawności 25,6%.

Uwodorniony amorficzny krzem, przygotowany przez plazmowe osadzanie par (PECVD), ma wyższą przerwę energetyczną niż
materiał krystaliczny. W związku z tym materiał ten tworzy heterozłącze o szerokim paśmie wzbronionym, zapewniając bardzo
skuteczną, niską rekombinowalność wytworzonych ładunków. Najwyższa cienka mocno domieszkowana warstwa amorficzna typu
p tworzy złącze z krystalicznym waflem typu n. Interweniująca, bardzo cienka wewnętrzna amorficzna warstwa krzemu odgrywa
ważną rolę w uzyskaniu wysokiego poziomu wydajności [132], [22].

Ponieważ przewodność nawet mocno domieszkowanego amorficznego krzemu jest dość niska, ze względu na niską mobilność
nośnika, przezroczyste tlenki przewodzące są potrzebne zarówno na przedniej, jak i tylnej powierzchni ogniwa, aby umożliwić
transport nośnika do metalowych styków sitodruku na obu powierzchniach. Ponieważ tylny styk może być przeźroczysty, ogniwo
może reagować na światło z obu stron. Może to poprawić moc wyjściową w instalacjach, w których tył panelu jest wystawiony na
działanie światła rozproszonego z otoczenia [133].
Istnieje jeszcze kilka innych ciekawych cech tej technologii. Jakość pasywacji powierzchni uzyskanej z amorficznej warstwy
krzemu daje rekordowe napięcia wyjściowe ogniwa, które zostały potwierdzone przez H. Sukatai [132], [22]. Stanowią one
podstawę wysokiej efektywności konwersji energii ogniwa. Ponadto ta technologia wykorzystuje wafle typu n, domieszkowane
fosforem, co pokonuje problemy z wadami boru i tlenu. Temperatury obróbki ogniw fotowoltaicznych są typowe dla
amorficznych krzemowych ogniw i znacznie niższe niż w przypadku ogniw z krzemu krystalicznego.
Główną słabością techniczną tej technologii jest to, że przezroczyste warstwy tlenku przewodzącego nie są idealnie przejrzyste,
ani doskonale przewodzące. Wymusza to kompromis między pochłanianiem światła w tych warstwach, a stratami odporności
bocznej. Światło pochłaniane w mocno domieszkowanych warstwach amorficznych w tych ogniwach wpływa na zmniejszenie
mocy wyprodukowanej przez ogniwo.
Poszczególne ogniwa osiągnęły potwierdzoną wydajność do 24,7% [123].

6.6 Cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne

Ogniwa fotowoltaiczne, będące podstawowym składnikiem paneli fotowoltaicznych, wykonywane są z wafli krzemowych
monokrystalicznych, polikrystalicznych i amorficznych. Technologie ich produkcji są nieustannie modernizowane po to, aby
poprawić ich parametry techniczne, obniżyć koszty, tak aby stawały się coraz bardziej atrakcyjne dla nabywców. W laboratoriach
trwają obecnie prace nad ogniwami cienkowarstwowymi, tworzonymi zarówno ze związków nieorganicznych jak i organicznych.
Panele fotowoltaiczne w postaci cienkiej warstwy, którą można by nakleić na dach, dopasować do jego kształtu i koloru dachu z
pewnością przyciągnęłyby uwagę właścicieli domów, zainteresowały architektów i projektantów.
Grubość warstwy aktywnej w ogniwie cienkowarstwowym wykonanym ze związków nieorganicznych zwykle nie przekracza 20
μm. Zużycie surowca półprzewodnikowego jest więc niewielkie [ 134], potencjalna elastyczność ogniwa także jest zapewniona.
Istotne jest także, aby taka warstwa aktywna miała wysoką wartość współczynnika absorpcji, ponieważ wpływa to na
efektywność konwersji energii świetlnej na elektryczną. W przypadku, gdy do budowy ogniw fotowoltaicznych wykorzystywane
są materiały organiczne, grubość warstwy aktywnej nie przekracza 1 μm , ponieważ współczynnik absorpcji tych materiałów jest
dużo wyższy niż materiałów półprzewodnikowych.
Ogniwa cienkowarstwowe pracują wydajnie nawet przy zacienieniu ogniwa, temperatura ma mniejszy wpływ na ich moc
wyjściową, a ponadto można je sporządzić w niemal dowolnie zaprojektowanym kształcie i wyglądzie. Mankamentem tych ogniw
może być niższa wydajność, gdy wykorzystywany jest inny materiał niż krzem i to, że użyty materiał może być toksyczny.
Warstwy aktywne w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych nakładane są na podłoża transparentne lub
nieprzezroczyste i stosuje się różne metody ich nakładania. W przypadku podłoża transparentnego nakłada się najpierw
elektrodę przezroczystą, potem warstwy aktywne fotowoltaicznie i na końcu drugą elektrodę. Zaś w przypadku, gdy podłoże jest
nieprzezroczyste, najpierw nakłada się elektrodę, która może być nieprzezroczysta, na nią warstwy fotowoltaicznie aktywne, a na
koniec elektrodę przezroczystą. Grubość poszczególnych warstw zawiera się w granicach od 100 do 500 nm.
Do budowy ogniw fotowoltaicznych wykorzystywane są materiały o różnych właściwościach. Warto podkreślić, że podłoża
powinny zapewniać odpowiednią trwałość mechaniczną ogniwa, a w przypadku ogniw elastycznych materiał powinien być
odporny na zginanie. Elektrody powinny być z materiałów tak dobranych, żeby oporność pomiędzy materiałem fotowoltaicznym i
elektrodą była jak najmniejsza.
Obecnie do budowy cienkowarstwowych ogniw fotowoltaicznych najbardziej korzystnymi materiałami są polikrystaliczne
struktury, zawierające dwuselenek galowo-indowo-miedziowy CuI nx Ga1−x Se2 , czy tellurek kadmu CdTe [135]. Ogniwa
fotowoltaiczne z warstwą CdTe w warunkach laboratoryjnych osiągają wydajność w granicach 16% (w produkcji niestety ok.
10%). Trwają jednak prace, aby w pełni wykorzystać potencjał tych ogniw, a krytycznymi problemami przy poprawie ich
efektywności są:

identyfikacja i redukcja gęstości defektów na granicy między ziarnami,

wzrost koncentracji nośników dziurowych w warstwie CdTe,
eliminacja lub kontrola równoległych połączeń,
rozwijanie procesu produkcyjnego,
określenie i przezwyciężenie problemów z formowaniem tylnego kontaktu,
konieczne jest również skonstruowanie lepszej obudowy hermetycznej, gdyż ogniwa te silnie oddziałują z atmosferą (
O2 , H2 O), co powoduje zmniejszenie ich żywotności.

Rysunek 101: Przekrój poprzeczny ogniwa fotowoltaicznego cienkowarstwowego. Oprac. własne.

Na Rys. 101 przedstawiono strukturę cienkowarstwowego ogniwa fotowoltaicznego. Na szklanym podłożu umieszczona jest
warstwa metalu, która tworzy kontakt omowy z półprzewodnikiem typu p, czyli warstwą absorbera (CIS, CIGS lub CGS). Tworząca
z nią złącze p-n warstwa siarczku kadmu (CdS) – półprzewodnika o przewodnictwie typu n – poprzedzona jest uporządkowaną
warstwą wakansów (ang. Ordered Vacancy Compound, OVC). Warstwa buforowa CdS ma za zadanie dopasowanie krawędzi pasm
przewodnictwa warstwy CIGS i okna, którym jest tlenek cynku ZnO.
Szkło sodowo-wapniowe o współczynniku rozszerzalności termicznej około 9 ⋅ 10−6 K −1 jest najczęściej wykorzystywanym
podłożem w przypadku cienkowarstwowych paneli fotowoltaicznych typu CIGS. Typowa kompozycja tego szkła zawiera takie
tlenki jak N a2 Oi CaO, które są źródłem zanieczyszczeń w pozostałych warstwach panelu.
Warstwa absorbera, odpowiadająca za absorpcję fotonów i generowanie nośników prądu elektrycznego jest najważniejszym
materiałem w ogniwie cienkowarstwowym. Zazwyczaj składa się ona z dwóch trójskładnikowych stopów: CuInSe2 i CuGaSe2 ,
ze stosunkiem y = Ga/(Ga+In) z zakresu od 0 do 1. Najefektywniejszą warstwę wykorzystywaną w fotowoltaice uzyskuje się dla y
= 0,11 - 0,26. Stop CuInSe2 jest półprzewodnikiem o prostej przerwie energetycznej, wynoszącej 1,05 eV (do ok. 1,65 eV w
przypadku stopu CuGaSe2 ) oraz o bardzo dużym współczynniku absorpcji α = 105 cm−1 dla fotonów o energiach > 1,4 eV.
Materiały należące do grupy II-(III)-VI są nazywane chalkopirytami, ponieważ krystalizują w takim samym układzie co chalkopiryt
CuF eS2 – popularny minerał z gromady siarczków. Struktura kryształu oparta jest na układzie regularnym, tzw. strukturze
blendy cynkowej. Właściwości półprzewodnikowe chalkopirytów są związane z ich podobieństwem elektrycznym i strukturalnym
do półprzewodników z grupy IV, takich jak krzem czy german. Jedną z głównych cech CuI nx Ga1−x Se2 jest niewrażliwość
parametrów optoelektronicznych struktury na znaczne wahania składu materiału. Optyczne i elektryczne właściwości CuInSe2
zależą silnie od stosunku Cu/In oraz od struktury krystalicznej materiału. Koncentracja dziur zależy od nadmiaru selenu i od
stosunku Cu/In. Wraz ze zmniejszaniem się stosunku Cu/In maleje koncentracja dziur. Rezystywność warstwy typu p wzrasta o
ponad pięć rzędów wielkości, gdy stosunek Cu/In zmniejsza się od 1,1 do 0,9.
Warstwą buforową w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych typu CIGS jest siarczek kadmu CdS o przewodnictwie typu
n, który wraz z warstwą absorbera tworzy strukturę heterozłącza n–CdS/p–CIGS. Siarczek kadmu posiada dużą przerwę
energetyczną Eg = 2,4 eV. Zaletą takiego połączenia jest przezroczystość materiału o większej przerwie energetycznej dla
promieniowania pochłanianego w materiale o mniejszej przerwie energetycznej. Powoduje to, że materiał o większej przerwie
energetycznej stanowi okno dla promieniowania, które zostanie zaabsorbowane w warstwie o mniejszej szerokości przerwy
energetycznej. Do wad należy zaliczyć zjawisko rekombinacji promienistej w półprzewodniku o mniejszej przerwie energetycznej
[27], [136].
Wszystkie produkowane obecnie ogniwa z CdTe wykonuje się głównie jako heterostruktury o konstrukcji przedstawionej na Rys.
101. Światło pada na heterozłącze od strony podłoża przez elektrodę z TCO (ang. Transparent Conducting Oxide). Warstwa CdS
spełnia funkcję okna optycznego oraz pomaga zmniejszyć wpływ procesu rekombinacji w obszarze kontaktu n-CdS/p-CdTe.
Wszystkie produkowane obecnie ogniwa z warstwą CIGS wykonuje się jako heterostruktury, w których światło pada na
heterozłącze przez przezroczystą warstwę tlenku przewodzącego TCO. Zazwyczaj tworzą ją dwie warstwy tlenku cynku ZnO –
jedna o wysokiej rezystywności i druga, silnie domieszkowana o przewodnictwie typu n+. Przerwa energetyczna ZnO, Eg = 3,3 eV,
pozwala fotonom o długości fali 350 nm i większej na przejście przez materiał w głąb struktury.
Koszty produkcji ogniw wykonanych na bazie tellurku kadmu CdTe są stosunkowo niskie. Jednak w szerszym ich propagowaniu
przeszkadza fakt, iż zawierają znaczne ilości kadmu, który jest pierwiastkiem trującym. Cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne
z warstwą dwuselenku miedziowo-indowo-galowego CIGS określane są jako najbardziej obiecujące ogniwa ze względu na
technologię wytwarzania i niskie koszty produkcji. W warunkach laboratoryjnych sprawność tych paneli jest bliska 20%. Wielkość
szerokości przerwy energetycznej bliska wartości optymalnej oraz możliwie szeroki wybór struktur współpracujących z warstwą
CIGS, czynią je wysoce atrakcyjnymi z punktu widzenia zastosowania w przemyśle fotowoltaicznym [137].

Rysunek 102: Struktura ogniwa cienkowarstwowego. Oprac. własne.

Ogniwa cienkowarstwowe wytwarza się korzystając z:

tellurku kadmu (ogniwa CdTe) – technologia najszerzej znana; tellurek kadmu zawiera znaczące ilości kadmu, który jest
toksyczny,
silikonu amorficznego (ogniwa a-Si) – technologia najbardziej przypominająca standardowe panele krzemowe,
połączenia miedzi, indu, galu i selenu (ogniwa CIGS – ang. Copper Indium Gallium Selenide),
arsenku galu (ogniwa GaAs) – technologia bardzo droga, stosowana przede wszystkim w statkach kosmicznych.

Fotowoltaiczne ogniwa cienkowarstwowe, dzięki małym warstwom absorbującym światło, z wydajnymi półprzewodnikami,
cieńszymi i dużo lżejszymi od ich tradycyjnych odpowiedników, o bardzo estetycznym wyglądzie i niemal dowolnym kształcie są
bardzo atrakcyjną ofertą do stosowania. Reasumując, do ich niekwestionowanych zalet należą:

mniejszy wpływ wysokich temperatur na moc wyjściową,

mniejsza liczba materiałów użyta przy ich produkcji,
wydajna praca przy niewielkiej ilości światła,
zacienienie panelu wpływa na jego moc w mniejszym stopniu niż w przypadku typowych paneli,
bardzo estetyczny wygląd,
mogą przyjmować różne, nawet fantazyjne kształty.

Producenci, tacy jak Sharp czy First Solar, oprócz paneli krzemowych mono- i polikrystalicznych, oferują panele cienkowarstwowe.
Nazwa ta dobrze określa ich budowę – warstwy absorbujące światło są około 350 razy cieńsze, niż w standardowych ogniwach
krzemowych. Są również elastyczne i dopasowują się do kształtu dachu, a ich grubość nie przekracza 20 μm > Naklejenie ich na
dach, zamiast umieszczenia grubych i sztywnych paneli krzemowych, to bardzo interesująca propozycja.

6.7 Ogniwa fotowoltaiczne typu PERC i PERT

Konwencjonalne ogniwo fotowoltaiczne
Jednym z najwcześniej wykonanym ogniwem fotowoltaicznym [138] jest ogniwo na waflu półprzewodnika typu p. Na przednią
powierzchnię wafla naniesiona została tzw. warstwa emitera n+, wykonaną najczęściej przez domieszkowanie fosforu na
powierzchnię. Na tę powierzchnię nałożono elektrody (Ag), a następnie ogniwo pasywowano przez dielektryk (np. SiNx ), który
działa także jako warstwa antyrefleksyjna. Tylna powierzchnia półprzewodnika Si typu p jest pokrywana aluminium tworząc z Si
złącze, które przeciwdziała docieraniu ładunków mniejszościowych do tylnej powierzchni (Rys. 103).
 Rysunek 103: Konwencjonalne ogniwo fotowoltaiczne. Oprac. własne.

Ogniwo typu PERC (ang. Passivated Emitter and Rear Cell) to technologia pasywacji emitera i tylnej części ogniwa. W odniesieniu
do standardowych ogniw, ogniwo typu PERC [139] posiada dodatkową warstwę dielektryka, która zwiększa efektywność ogniwa
przez to, że odbija każde światło docierające do tylnej warstwy ogniwa, nie generując ekscytonu. Dzięki temu odbiciu, fotony
mają drugą szansę na wytworzenie prądu.

Rysunek 104: Ogniwo fotowoltaiczne typu PERC. Oprac. własne.

Ogniwo typu PERC może zmniejszyć rekombinację elektronów na tylnej powierzchni poprzez dodanie dodatkowej warstwy
dielektrycznej między warstwami krzemu i elektrodą aluminiową, tak aby tylko aluminium stykało się z niewielką częścią obszaru
ogniwa. Dodatkowe warstwy dielektryczne SiO2 i Al2 O3 znacznie redukują rekombinację elektronów na powierzchni, co
prowadzi do zwiększenia wydajności ogniwa.
W ogniwie fotowoltaicznym typu PERC, jak pokazano na Rys. 104, zarówno przednia, jak i tylna jego powierzchnia są pasywowane
przez dielektryk. Małe otwory tylnej warstwy dielektrycznej są wytworzone laserem, dzięki czemu metal elektrody może
skontaktować się z tylną powierzchnią ogniwa. W porównaniu do konwencjonalnych ogniw fotowoltaicznych Si, ogniwo typu
PERC jest w stanie poprawić wydajność, głównie ze względu na dodatkową pasywacyjną warstwę dielektryczną z tyłu.
Dodatkowa tylna warstwa dielektryczna odbija fotony z powrotem do ogniwa. Powoduje to wydłużenie drogi optycznej fotonu, a
przez to większą absorpcję światła i zwiększenie generowania prądu.

Ogniwa fotowoltaiczne typu PERT [140].

Innowacyjnym i jeszcze bardziej wydajnym elektrycznie rozwiązaniem, w stosunku do PERC, jest ogniwo fotowoltaiczne typu
PERT (ang. Passivated Emitter Rear Cell Totally Diffused). W tylnej warstwie pasywacyjnej tego ogniwa nie ma otworów i dlatego
nie pozwala ona na ucieczkę elektronów, tylko zmusza je do odbijania się od tyłu ogniwa i ponownego krążenia w nim, dając
elektronom szansę na dostanie się do złącza p-n. W technologii PERT warstwa pasywacyjna stawia barierę, zapobiegając ucieczce
elektronów, co sprawia, że po odbiciu od tylnej warstwy trafiają do ogniwa, co zwiększa uzysk energii. Poniższa grafika obrazuje
to zjawisko (Rys. 105).

Rysunek 105: Zachowanie promieni słonecznych i ładunków w ogniwie typu PERT. Oprac. własne.

Ogniwa typu PERT posiadają większą możliwość absorpcji promieniowania słonecznego, a tym samym większą wydajność.
Pasywacja tylnej części ogniwa powoduje odbicie promieni słonecznych w kierunku aktywnej części ogniwa, przez co zwiększa
drogę optyczną promienia w ogniwie. Szczególnie jest to ważne dla promieniowania w obszarze podczerwieni, ponieważ
absorpcja w tym obszarze charakteryzuje się małym współczynnikiem ekstynkcji. Celem zaabsorbowania promieniowania z
obszaru widma w podczerwieni (λ > 800 nm do 1100 nm dla krzemu) trzeba wydłużyć drogę optyczną promienia, co przekłada się
na zwiększenie absorpcji i wygenerowanie większej energii.
Zastosowanie dodatkowej warstwy krzemu z wdyfundowanym borem pozwala na odcięcie elektrody od ingerencji promieni
świetlnych, ponieważ promieniowanie podczerwone zaabsorbowane przez elektrody, a nie zamienione na energię elektryczną,
podgrzewa strukturę ogniwa obniżając jego wydajność. Dlatego też dąży się do wykorzystania tej części energii promieniowania
słonecznego. Ogniwa typu PERT to ogniwa wykorzystujące światło odbite także od powierzchni Ziemi oraz energii słonecznej
rozproszonej.

Rysunek 106: Ogniwa typu PERT skonstruowane a) na bazie wafla krzemowego typu p, b) na bazie wafla krzemowego typu n. Oprac. własne.

Ogniwa typu PERT są budowane w oparciu o wafle krzemowe typu p albo typu n pokazuje Rys. 106. W przypadku konstrukcji
ogniwa na waflu krzemowym typu p, warstwa rozpraszająca jest tworzona za pomocą domieszkowania borem tylnej warstwy
wafla krzemowego typu p. Warstwa przednia, emiter wafli typu n powstaje poprzez dyfuzję fosforu. W przypadku oparcia
konstrukcji ogniwa na waflu krzemowym typu n, emiter, czyli warstwa przednia, uzyskiwana jest przez dyfuzję boru, a tylna przez
dyfuzję fosforu (Rys. 106b). Ogniwa typu PERT nie wykazują znaczącej degradacji wywołanej światłem i mogą być dostosowane
do struktury ogniw dwustronnych.

7. Panele fotowolticzne
7.1 Panele fotowoltaiczne
Ogniwo fotowoltaiczne jest podstawowym elementem systemu fotowoltaicznego. Pojedyncze ogniwo fotowoltaiczne produkuje
zazwyczaj pomiędzy 1 a 2 W mocy, co jest niewystarczające dla większości zastosowań. Dla uzyskania większych napięć lub
prądów, ogniwa fotowoltaiczne łączone są szeregowo lub równolegle, tworząc panel fotowoltaiczny (panel PV, zwany czasem
modułem fotowoltaicznym). Panele PV dostępne na rynku mają powierzchnię od 0,3 do 2 m2 w zależności od mocy. Moc takich
paneli wyrażana jest w watach mocy szczytowej (Wp – maksymalna moc w watach), zdefiniowanych jako moc dostarczana przez
nie w warunkach standardowych (STC); zwykle kształtuje się ona pomiędzy 30 Wp a 600 Wp. W praktyce, panele PV rzadko
pracują w warunkach standardowych, więc użyteczne jest posiadanie charakterystyk prądowo-napięciowych I(U) w szerokim
zakresie warunków pracy. Panele PV są hermetyzowane, aby uchronić je przed korozją, wilgocią, zanieczyszczeniami i wpływami
atmosfery. Obudowy muszą być trwałe, ponieważ oczekuje się, że czas życia paneli fotowoltaicznych wynosił będzie przynajmniej
20-30 lat.
Każdy panel PV składa się z ogniw fotowoltaicznych. Tradycyjne ogniwa fotowoltaiczne mają zwykle wymiary 156 mm x 156 mm,
połączone są szeregowo i zależnie od rodzaju jest ich w panelu PV zazwyczaj 60 lub 72. Ogniwa fotowoltaiczne wykonywane są w
technologii monokrystalicznej, polikrystalicznej, amorficznej i cienkowarstwowej. Różnice między nimi wynikają z rodzaju
materiału użytego do ich produkcji. Ogniwo krzemowe daje napięcie około 0,6 V, co po połączeniu ogniw w szereg daje około 36
V, a ponieważ każde ogniwo fotowoltaiczne oddaje około 9 A prądu, maksymalna moc z panelu PV wynosi około 300 W. Moc jest
zależna od technologii wykonania ogniwa fotowoltaicznego. Pojawiają się już technologie i producenci zapowiadający
wprowadzenie na rynek paneli PV o mocy 500 W lub 600 W i więcej. Na przykład, Canadian Solar zapowiada produkcję paneli PV
o mocy 665 W, zbudowanych ze 132 monokrystalicznych ogniw PERC, o długości boku 210 mm, o wydajności sięgającej 21,4%
[141].
Panele fotowoltaiczne wytwarzają prąd stały. Natężenie prądu na wyjściu z panelu zależy ściśle od nasłonecznienia. Natężenie
prądu można zwiększyć poprzez równoległe połączenie paneli PV w systemie fotowoltaicznym.
Napięcie otrzymywane z panelu PV w niewielkim stopniu zależy od poziomu nasłonecznienia, natomiast można go regulować
poprzez szeregowe i równoległe łączenie ogniw fotowoltaicznych w panelu PV. Panele fotowoltaiczne mogą pracować przy
napięciu 12 V lub 24 V w instalacji odizolowanej, natomiast, gdy są podłączone do sieci energetycznej przy napięciu 240 V lub
więcej.
Budowę panelu fotowoltaicznego można określić jako budowę "kanapkową", czyli taką, która składa się z nakładanych kolejno
warstw materiałów i elementów. Produkcję panelu PV zaczyna się od warstwy wierzchniej, czyli od szkła; można powiedzieć, że
panel PV składany jest od góry do dołu. Zatem cały proces opisany będzie od górnej warstwy panelu PV, a na jego warstwie
dolnej kończąc.
Od góry, czyli od strony słonecznej, przed uszkodzeniami mechanicznymi panel PV chroniony jest hartowaną szybą o grubości 3,2
mm lub 4 mm. Szyba ta zmniejsza też ilość odbitego promieniowania słonecznego, ograniczając straty energii, które powodują
zmniejszenie uzyskanej przez panel PV mocy. W celu zmniejszenia odbicia światła pomocne jest wypolerowanie powierzchni
szkła, pokrycie jej warstwą przeciwodblaskową lub zastosowanie teksturowania powierzchni.
Z kolei ogniwa krzemowe (Rys. 107) są pokryte warstwą antyrefleksyjną oraz bardzo cienką metalową siatką i wraz z
przewodzącymi prąd szynami zbiorczymi (busbarami) są zabezpieczone folią EVA, tworzącą hermetyczną osłonę. Proces
wytwarzania został przedstawiony w filmie "Solar cell manufacturing and solar panel production by suntech".

Rysunek 107: Budowa kanapkowa panelu fotowoltaicznego oraz gotowy panel PV. Oprac. własne.
 http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=179
Proces wytwarzania paneli słonecznych
BeFree Green Energy, Solar cell manufacturing and solar panel production by suntech (Proces wytwarzania paneli słonecznych),
01.09.2010 (dostęp 22.12.2020). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/fZ1SC-vUe_I .

Na przedniej stronie konwencjonalnych ogniw fotowoltaicznych umieszczona jest elektroda ujemna, którą stanowią cienkie
poziome ścieżki (fingers, palce). Palce na bieżąco zbierają ładunki wygenerowane na powierzchni ogniwa fotowoltaicznego, które
następnie odbierane są przez szersze pionowe ścieżki, szyny zbiorcze, tzw. busbary. Elektroda dodatnia usytuowana jest na tylnej
części ogniwa. Z busbarów prąd przepływa do miedzianej wstążki, która łączy elektrodę ujemną jednego ogniwa z elektrodą
dodatnią drugiego. Wstążki umożliwiają więc transport generowanego foto prądu z obszaru jednego ogniwa fotowoltaicznego
do następnych ogniw tworzących panel. Dziesięć lat temu wszystkie panele PV były budowane z ogniw fotowoltaicznych
zawierających 2 busbary. Obecnie większość paneli fotowoltaicznych bazuje na konstrukcji ogniw fotowoltaicznych zawierających
co najmniej 5 busbarów. Zwiększenie liczby busbarów wpływa na podniesienie wydajności ogniw fotowoltaicznych, a także na ich
trwałość.
Od dołu szczelność panelu PV zapewnia specjalna folia elektroizolacyjna, tzw. backsheet, która nadaje mu też odpowiedni kolor
(najczęściej biały, czarny, lub transparentny). Do usztywnienia całej konstrukcji służy rama aluminiowa. Kolejnym elementem jest
puszka przyłączeniowa, z której wychodzą dwa kable zakończone wtyczkami, łączące panele w szeregi.
W tej puszce znajdują się też diody bocznikujące (bypassy) [ 142]. Diody bocznikujące są niezbędnym elementem panelu
fotowoltaicznego, chroniącym oraz usprawniającym jego działanie. Ogniwa fotowoltaiczne połączone są ze sobą szeregowo w
kierunku przewodzenia (Rys. 108). Gdyby któreś ogniwo przestało przewodzić, cały panel PV byłby wyłączony z produkcji prądu,
ale diody bocznikujące podłączone w kierunku zaporowym umożliwiają obejście niepracującego ogniwa fotowoltaicznego.
Redukują też ryzyko uszkodzenia zacienionego ogniwa fotowoltaicznego – przez zacienione (liśćmi, śniegiem) ogniwo prąd
przepływa w kierunku przeciwnym, co powoduje znaczące przegrzanie ogniwa fotowoltaicznego.
Przy podłączeniu kilku paneli fotowoltaicznych szeregowo celem zwiększenia napięcia, prąd płynący w obwodzie będzie równy
prądowi najsłabszego elementu układu. W przypadku zacieniania jednego z paneli fotowoltaicznych (np. przez komin czy okno
wykusza), moc układu radykalnie zmniejszy się. Diody bypass wyłączając z łańcucha zacieniony panel PV, zredukują straty w całej
instalacji. Prąd przepływa jak na Rys. 109. Niektóre puszki posiadają specjalny rozłącznik, który rozłączy szereg lub pojedynczy
panel PV w razie awarii.

Rysunek 108: Przepływ prądu przez ogniwa w panelu fotowoltaicznym w przypadku normalnego oświetlenia. Oprac. własne.

Rysunek 109: Przepływ prądu przez ogniwa w panelu fotowoltaicznym w przypadku zacienienia środkowego panelu. Oprac. własne.

Na Rys. 110 pokazano przykładowe podłączenie trzech i dziesięciu diod bypass, które sprawia, że w trakcie zacienienia części
panelu PV, ta część zostaje wyłączona z działania.
 Rysunek 110: Włączenie diod bypass w celu wyeliminowania działania części panelu PV podczas jego częściowego zacienienia. Oprac. własne.

Włączenie diod bypass do panelu fotowoltaicznego powoduje podzielenie panelu na 3 części w przypadku włączenia trzech diod
bypass i na 10 części w przypadku dziesięciu diod bypass. Taki podział pozwala na wykorzystanie każdej części osobno do
produkcji energii elektrycznej niezależnie od stanu pozostałych elementów ogniwa fotowoltaicznego.
W tablicach określających właściwości paneli fotowoltaicznej zwykle są podawane:

dwie wartości mocy według dwu standardów – moc znamionowa STC (Standard Test Conditions), co oznacza, że test
przeprowadzono w warunkach nasłonecznienia AM1.5, o mocy 1000 W2 w temperaturze 25 o C oraz moc w tak zwanych
m
warunkach rzeczywistych NOCT (Normal Operating Cell Temperature) – natężenie nasłonecznienia o widmie AM1.5 800 W2 ,
m
prędkość wiatru 1 m
s
w temperaturze otoczenia 20 o C,
sprawność to wielkość określająca część energii słonecznej, która może zostać przekształcona w energię elektryczną; w
przypadku seryjnie produkowanych paneli monokrystalicznych wynosi ona do 25%,
wymiary i waga modułów fotowoltaicznych – są zróżnicowane i zależą od producenta; oczywiście im cięższy jest panel PV,
tym bardziej obciąża konstrukcję dachu, a im większy, tym więcej zajmuje miejsca,
współczynnik temperaturowy pozwala określić jaką moc osiągnie moduł w określonej temperaturze; im niższy tym lepiej,
roczny spadek mocy – z czasem panele PV mogą tracić na sprawności; większość producentów określa sprawność swoich
paneli PV na poziomie 80% po upływie 25 lat; zwykle panele PV tracą 2-3% sprawności w pierwszym roku, a w następnych
tracą rocznie od 0,3% do 0,6% wydajności,
współczynnik wypełnienia FF (fill factor) – można powiedzieć, że sprawdza jakość ogniwa

Um ⋅Im
FF = Uoc ⋅Isc
(20)

zależność sprawności panelu PV od wielkości nasłonecznienia,

używa się też stosunku wydajności w warunkach NOCT do STC, jeśli on wynosi 0,8 to znaczy, że panel nadaje się do użycia.

Właściwości te umożliwiają ocenę jakości ogniw fotowoltaicznych, które tworzą panel PV jak i sam panel. Panele PV dzielą się na
trzy klasy A, B i C. Panele PV klasy A powinny mieć współczynnik wypełnienia FF powyżej 0,75. Trzeba także wziąć pod uwagę, że
nasłonecznienie w Polsce zazwyczaj jest w granicach od 200 W2 do 600 W2 i uwzględnić to przy planowaniu elektrowni
m m
fotowoltaicznej.

7.2 Technologie paneli fotowoltaicznych

Panele fotowoltaiczne zbudowane są z ogniw. Zazwyczaj jest ich 60, lub 72, a czasem więcej, w zależności od mocy, jaką zamierza
się uzyskać z pojedynczego panelu. Trzeba jasno powiedzieć, że wydajność komercyjnych ogniw fotowoltaicznych jest obecnie na
poziomie ~25% i aby panel charakteryzował się większą mocą musi zajmować większą powierzchnię. Moc standardowego ogniwa
(o wymiarach 156*156 mm*mm) wynosi około 5 Wp. Zatem, aby panel generował moc 800 Wp, musi składać się z 200 ogniw, co
przekłada się na wielkość jego powierzchni. Standardowy panel montowany w popularnych instalacjach fotowoltaicznych ma
wymiary 165 cm*100 cm. Czasem wymiary te różnią się nieznacznie, w zależności od producenta. Panel wykonany z krzemu
monokrystalicznego o takich wymiarach charakteryzuje się mocą od 310 Wp do 340 Wp.
W zależności od typu ogniwa, jakie zastosowano do budowy panelu, przyjmuje się jego nazwę, np. panel monokrystaliczny z
oznaczeniem c-Si, panel polikrystaliczny – mc-Si, czy panel amorficzny – a-Si. Oprócz typowo krzemowych, produkowane są także
panele cienkowarstwowe, w tym przypadku nazwy nadawane są w zależności od rodzaju warstwy aktywnej w ogniwie. I tak, np.
panel fotowoltaiczny CIGS/CIS zbudowany jest z jednej strony z mieszaniny miedzi, indu, galu i selenu, a z drugiej z miedzi, indu i
selenu (CIS).
Wśród paneli fotowoltaicznych, ze względu na budowę ogniwa oraz całego panelu, można wyodrębnić grupy, takie jak np.:
panele cienkowarstwowe, panele z kontaktami z tyłu, panele typu HIT, panele typu PERC, panele dwustronne, panele wykonane
w technologii SmartWire. Oczywiście, w każdej grupie można określić dodatkowe rodzaje, które będą się wyróżniały jakimś
elementem, np. ogniwa cienkowarstwowe połączone ze sobą w technologii SmartWire.

Technologia HIT - panele fotowoltaiczne z ogniwami typu HIT

Wewnętrzna cienka warstwa oparta na krystalicznym krzemie typu n znajduje się pomiędzy dwoma cienkimi warstwami
amorficznymi. Technologię paneli monokrystalicznych opracowała firma Sanyo. Zaletą tego typu paneli jest zamiana
niskoenergetycznego promieniowania (podczerwień) na energię elektryczną, niski temperaturowy współczynnik spadku mocy,
który jest na poziomie 0,29%/ o C. Poza tym, obróbka wafla krzemowego odbywa się w niższej temperaturze, bo około 200 o C.
Panele produkowane są też w kształcie sześciokąta (plaster pszczeli), co powoduje lepsze wykorzystanie krystalicznego krzemu.

Technologia oparta na monokrystalicznym krzemie typu p

Typowe ogniwo fotowoltaiczne wykonane na bazie półprzewodnika Si typu p pokazuje Rys. 111. Na rysunku a) pokazano
schematyczne ogniwo, na rysunku b) rzeczywiste ogniwo wykonane w technologii 2 busbarów, czyli 110 punktów wspólnych z
palcami zbierającymi ładunki, a na rysunku c) panel fotowoltaiczny wykonany w technologii z 2 busbarami.

Rysunek 111: Przedstawia a) warstwy występujące w klasycznym ogniwie, b) ogniwo wykonane w technologii z 2 busbarami (powiększone), c) panel fotowoltaiczny wykonany z dwoma
busbarami. Oprac. własne.

Obecnie można spotkać technologię z 2, 3, 5 busbarami, ale także i z 12 drutami pełniącymi rolę busbarów ( Rys. 112).

Rysunek 112: Panel monokrystaliczny Si typu p; a) panel fotowoltaiczny, b) ogniwo w panelu monokrystalicznym. Oprac. własne.
Panele wykonane w technologii busbarów z 12 drutami są nadal lutowane punktowo w temperaturze 250 o C, co powoduje
naprężenia w ogniwie. W podobny sposób produkowane są panele z krzemu polikrystalicznego lub amorficznego.

Panele z obiema elektrodami z tyłu

Technologia 'all back contact', z obiema elektrodami z tyłu mają stosunkowo wysoką sprawność, do 24%. Przednia część panelu
jest jednorodna, nie widać na niej żadnych elektrod. Umiejscowienie elektrod z tyłu przyczynia się do większej odporności na
korozję połączeń elektrycznych. Wadą tego rozwiązania jest tzw. efekt degradacji PID, czyli degradacja związana z
występowaniem wysokich napięć (~600V) pomiędzy ramą panelu, a półprzewodnikiem. Powoduje to przepływ ładunków do ziemi
i spadek mocy panelu. Z tego względu konieczne jest uziemienie bieguna dodatniego i odpowiedni dobór falownika, aby
dostosować go do zaistniałego problemu.

Technologiia SmartWire – panele fotowoltaiczne z mikroprzewodami

Polega ona na zastąpieniu klasycznego lutowania przez laminację folią, zawierającą 18 do 32 mikroprzewodów, które tworzą z
palcami zbierającymi ładunki 990 do 1760 punktów kontaktowych. Pozwala to na zmniejszenie temperatury, w której wytwarzany
jest panel fotowoltaiczny do 150 o C na całej powierzchni, a nie punktowo, jak w przypadku lutowania w 250 o C. Folia z
przewodami jest zakładana z przodu i tyłu panelu. Umożliwia to producentom zaoszczędzenie pasty srebrnej i materiału
lutowniczego. Tak duża ilość punktów kontaktowych pozwala pracować ogniwu nawet przy mikropęknięciach.

Technologia Shinegled - panele fotowoltaiczne gontowe

Ogniwo fotowoltaiczne w panelu gontowym [143] jest cięte na 3 do 6 pasków, które następnie montowane są w ciągi, łączące
przód każdego paska z tyłem następnego za pomocą odpowiedniego kleju przewodzącego elektrycznie (ECA), który może być
drukowany lub dozowany na powierzchni paska. Poszczególne ogniwa montowane są "na zakładkę”, czyli każdy, cienki pasek
lekko zachodzi na kolejny, a ich łączenia ukryte są pod pojedynczymi "busbarami” (Rys. 113) [144]. Aby otrzymać wymagany układ
panelu, trzeba podzielić ogniwo na odpowiednią liczbę części. Zazwyczaj montowane są ciągi pasków o długości do 2 m, co
odpowiada dłuższej stronie tradycyjnego panelu z 72-ogniwami. Ciągi pasków są następnie łączone ze sobą przez wstążki
przewodzące, montowane według tradycyjnej procedury produkcji panelu fotowoltaicznego.

Taka konstrukcja umożliwia optymalne wykorzystanie powierzchni całego panelu, co zwiększa jego obszar aktywny, a tym samym
pozwala na uzyskanie wyższej wydajności z 1 m2 powierzchni nawet o 15%.

Rysunek 113: Sposób składania kawałków ogniw w ciągi. Oprac. własne.

Podsumowując, w panelach wykonanych w technologii Shinegled powierzchnia panelu jest lepiej wykorzystana, są mniejsze straty
omowe oraz zwiększona niezawodność. Mniejsze straty omowe to także niższa temperatura pracy ogniwa.

7.3 Panele fotowoltaiczne wykonane technologią

typu PERC
Technologia typu PERC (ang. Passivated Emitter and Rear Cell) jest technologią pasywacji emitera i tylnej części ogniwa. Określa
ona konstrukcję ogniwa fotowoltaicznego różniącego się od budowy standardowego ogniwa. Różnica polega na dołożeniu
dodatkowej warstwy pasywującej od tyłu ogniwa. Warstwa ta odbija promienie słoneczne, nie zaabsorbowane przez warstwę, z
powrotem do ogniwa fotowoltaicznego, zwiększając prawdopodobieństwo absorpcji tych promieni a przez to i produkcję energii
elektrycznej. Jest to spowodowane niskim współczynnikiem ekstynkcji dla długości fal w obszarze podczerwieni (powyżej 800
nm). Ogniwo fotowoltaiczne wykonane w technologii PERC po raz pierwszy zostało zademonstrowane na Uniwersytecie Nowej
Południowej Walii (UNSW) w Australii w 1983 r. [138]. Technologia ta osiągnęła wydajność 25%.
 Rysunek 114: Ogniwo typu PERC. Oprac. własne.

Tak wysoka wydajność ogniw typu PERC jest dobrą podstawą budowania paneli fotowoltaicznych. Ogniwa PERC mają dobre
rezultaty w pochmurne dni, tak porankiem jak i wieczorem. Powyżej długości fali λ = 1180nm ogniwo oparte na krzemie nie
absorbuje.
Ponieważ warstwa pasywacji odbija światło z powrotem do ogniwa, zmniejszając poziom absorpcji przez warstwę tylną,
zmniejsza to też nagrzewanie panelu. To zmniejszenie absorpcji pomaga panelowi pracować w niższych temperaturach i
pozytywnie wpływa na jego wydajność energetyczną.

Technologia PERC zwiększa czułość paneli dla długości fal w podczerwieni [145].
Poniżej pokazano parametry panelu fotowoltaicznego opartego na monokrystalicznym krzemie typu PERC przez jednego z
producentów. Prezentowane przez firmę panele fotowoltaiczne to ogniwo z 12 busbarami (Rys. 115) oraz panel z 60 ogniwam i
panel z ogniwami połówkowymi, gdzie każde ogniwo jest połączone z następnym przez 12 busbarów.

Rysunek 115: Ogniwo z 12 busbarami oraz panele wykonane tą technologią: klasyczny i z połówkowymi ogniwami. Oprac. własne.

Zob. przykład karty katalogowej panelu fotowoltaicznego wykonanego w technologii PERC z ogniwami połówkowymi .

7.4 Panele wykonane z ogniw połówkowych

Fotowoltaiczne panele połówkowe to nowa technologia wykorzystywana już w produkcji seryjnej. Ogniwo połówkowe o
rozmiarze 156x78 mm2 powstaje poprzez podzielenie tradycyjnego ogniwa 156x156 mm2 na pół. Panel połówkowy zbudowany
jest z dwukrotnie większej liczby ogniw połówkowych łączonych w łańcuchy, które są połączone równolegle.
Podział ogniwa na pół powoduje zmniejszenie o połowę prądu produkowanego przez pojedyncze ogniwo, przy zachowaniu tego
samego napięcia. Zmniejsza też straty na rezystancji wewnątrz ogniwa, a tym samym nie podnosi temperatury pracy ogniwa.
Zwiększa to nieznacznie moc generowaną przez panel.
W panelu jest 120 ogniw połówkowych, które połączone są 3 diodami bocznikującymi bypass, dzieląc panel na 6 części po 20
ogniw, pracujących oddzielnie (Rys. 116).
W panelach standardowych z 60 ogniwami również zamontowane są 3 diody bypass, które też obejmują po 20 ogniw (Rys. 116),
ale dzielą one taki panel na 3 części.
Diody bocznikujące, bypassy, są połączone w kierunku zaporowym i w sytuacji, gdy dane ogniwo/a nie pracuje (np. z powodu
zacienienia) umożliwia przepływ prądu z ominięciem niepracującego ogniwa/ogniw.
Oznacza to, że gdy w panelu standardowym zostaje zacienione jedno ogniwo dioda bypass wyłączy 1/3 panelu, natomiast w
panelu z ogniwami połówkowymi zostanie wyłączone tylko 1/6 panelu, co z oczywistego powodu przekłada się pozytywnie na
moc wyprodukowaną przez panel.

Rysunek 116: a) Standardowy panel PV z 3 diodami bypass dzielącymi ogniwo na 3 obwody wewnątrz panelu i b) panele z ogniwami połówkowymi, 3 diodami bypass i 6 obwodami
wewnątrz panelu. Oprac. własne.

Pracę panelu przy wyłączeniu jednego ogniwa w panelu standardowym i połówkowym pokazano na Rys. 117.

Rysunek 117: Praca panelu PV podczas zacienienia części ogniw w panelu a) standardowym, b) panelu z ogniwami połówkowymi. Oprac. własne.

Jak widać na Rys. 117, ilość produkowanej energii przez panele z ogniwami połówkowymi w niesprzyjających warunkach
zacienienia jest wyższa. Straty zostały zminimalizowane o 50%. Jeszcze większa różnica wystąpi w przypadku zacienienia połowy
panelu. Taka sytuacja w naszych warunkach może się zdarzyć, np. z powodu śniegu, na instalacjach dachowych czy naziemnych
ustawionych pod kątem. Panel standardowy zostanie wówczas całkowicie wyłączony z produkcji energii elektrycznej, zaś panel z
ogniwami połówkowymi będzie pracował z wydajnością 50% mocy [146].
 Rysunek 118: Panel fotowoltaiczny z ogniwami połówkowymi oraz sposób połączenia poszczególnych ogniw i diod bypass. Oprac. własne.

Każda litera oznacza część panala składająca się z 20 półogniw. Są one połączone ze sobą szeregowo i równolegle i dodatkowo
przez diody bypass. Pozwala to pracować panelowi wydajnie. Panel fotowoltaiczny zbudowany z ogniw połówkowych
charakteryzuje się mniejszymi stratami mocy, w porównaniu z panelem standardowym. Moc stracona na oporniku wewnętrznym
jednego ogniwa wynosi

P = R ⋅ I2 (21)

a pomnożona przez 60 ogniw w standardowym panelu wynosi

60 ⋅ R ⋅ I 2 (22)

Straty na ogniwie w panelu połówkowym równają się

2
P= R
2
⋅ ( I2 ) (23)

co pomnożone przez 120 ogniw daje 15 ⋅ R ⋅ I 2 , czyli są one 4 razy mniejsze. Powoduje to w konsekwencji niższą temperaturę
pracy panelu i jego większą wydajność [147].

7.5 Panele fotowoltaiczne dwustronnie aktywne

Panele fotowoltaiczne dwustronnie aktywne to takie, których ogniwa absorbują światło z obu stron, tzn. z przodu i z tyłu
(wykonane w technologii bifacial). Panele dwustronne posiadają dwie strony aktywne i z obu stron pokryte są szkłem
hartowanym lub przeźroczystą folią. W tej technologii więcej fotonów dociera do panelu, więc produkowana energia jest większa
od uzyskiwanej z paneli tradycyjnych, jednostronnych, nawet o 30%.
 Rysunek 119: Promienie docierające do panelu dwustronnego. Oprac. własne.

Ogniwa używane w panelach dwustronnych mają przeważnie struktury:

oparte na waflu krzemu krystalicznego typu p i o strukturze ogniwa p+-p-n+,

oparte na waflu krzemu krystalicznego typu n i o strukturze ogniwa p+-n-n+,
oparte na heterozłączu krzemowym, wykonane z wewnętrznymi cienkimi warstwami amorficznego krzemu.

Promienie słoneczne odbijają się od różnych podłoży w różnym procencie, w zależności od rodzaju podłoża. Dla efektywności
paneli dwustronnych kluczowy jest tzw. współczynnik albedo, który pokazuje zdolność odbijania światła od danej powierzchni. Im
powierzchnia jest jaśniejsza, tym więcej światła może odbić, co skutkuje uzyskaniem większej energii z tylnej powierzchni panelu.
W przypadku powierzchni bardzo jasnych współczynnik albedo może być bliski nawet 80%.
 Rysunek 120: Współczynniki albedo dla różnych powierzchni. Oprac. własne.

Największym współczynnikiem albedo charakteryzuje się biała membrana dachowa i śnieg.

Uzyskanie dodatkowej energii z tylnej powierzchni panelu dwustronnego zależy więc od podłoża, jego wysokiego współczynnika
albedo, a ponadto od kąta nachylenia panelu i wysokości umiejscowienia nad powierzchnią odbijającą.
Wytrzymałość na obciążenie i działanie związków chemicznych w przypadku paneli dwustronnych typu szyba–ogniwa–szyba jest
większa od paneli jednostronnych. Podwójna szyba ma większą wytrzymałość mechaniczną, a i odporność szyby na działanie
związków chemicznych jest większa niż dla folii EVA. Cena takiego panelu także jest wyższa.
Produkuje się też panele, które mają rozsunięte ogniwa, dając możliwość specjalnych zastosowań. Podwójna szyba zapewnia
ogniwom stabilność, co daje możliwość zastosowania tego typu konstrukcji do zadaszania tarasów, wiat czy wstawiania do
dużych połaci pokrytych szybą, a wymagających zaciemnienia. W ten sposób panel dwustronny może pełnić rolę nie tylko
producenta energii, ale także być wykorzystywany do realizacji innych celów użytkowych i estetycznych.

Polski producent Hanplast Energy rozpoczyna produkcję ogniw fotowoltaicznych w technologii HPERC. Opracowane ogniwo
stanowi pośrednie rozwiązanie pomiędzy ogniwami wykonanymi w technologii PERC i HIT. Technologia ta ma bazować na
ogniwach monokrystalicznych HJT typu n. Zastosowano łączenie ogniw w technologii SmartWire Connection Technology (SWCT).
Producent deklaruje sprawność panelu w zakresie 23%-24%, czyli do 10% wyższą wydajność niż dla konwencjonalnych paneli,
87,25% początkowej mocy panelu po 25 latach pracy, większy uzysk energii nawet do 30%. Wszystko to dzięki zastosowaniu
technologii ogniw dwustronnych (Rys. 121) [148], [149], [150].

Rysunek 121: a) Zdjęcie panelu fotowoltaicznego wykonanego w technologii bifacial firmy Hanplast Energy, b) pojedyncze ogniwo. Oprac. własne.

7.6 Systemy solarno-termalne

Ogniwami hybrydowymi (kolektorami hybrydowymi, ang. Photovoltaic Thermal, PVT) nazywa się również układy w których
zastosowano połączenie panelu słonecznego i kolektora [151]. Kolektory słoneczne przetwarzają energię promieniowania
słonecznego na energię cieplną, panele zaś energię promieniowania słonecznego na energię elektryczną. W związku z
powyższym kolektory mogą podgrzewać wodę użytkową oraz wspomagać pracę centralnego ogrzewania. Energię wytworzoną
przez panele można również wykorzystać na różne sposoby.
Jak zostało opisane w poprzednich rozdziałach wydajność ogniw fotowoltaicznych na bazie krzemu zmniejsza się wraz ze
wzrostem temperatury. Tempo tego wzrostu opisuje współczynnik temperaturowy5. Przykładowy układ został przedstawiony na
Rys. 122 [152].

Rysunek 122: Panele fotowoltaiczno-termiczne do pompy ciepła wspomaganej energią słoneczną. Instalacja eksperymentalna w Department of Energy of Politecnico of Milan. Aut. fot.
Rich Skiz, CC BY-SA 4.0, źródło: https://commons.wikimedia.org/wiki/File:SAHP_-_PVT_Panels.jpg .

Dużą zaletą jest posiadanie jednej, zamiast dwóch osobnych, instalacji. Takie rozwiązanie pozwala na zaoszczędzenie miejsca, w
przypadku ograniczonej przestrzeni przewidzianej na realizację instalacji.
Przykładową realizacją jest panel ISIEtherm [153], który według producentów ma zapewnić wzrost elektrycznego zysku
(uzyskanego z energii słonecznej) o co najmniej 10% rocznie względem układów bez koncentratorów. Może on być wykorzystany
do instalacji w basenach kąpielowych, obiektach hotelowych i jako pompy cieplne.

Przypis

1. Ogniwa busbar opisano w rozdziale: 6.1 Ogniwa z elektrodami paskowymi.

2. Smart wire opisano w rozdziale: 6.4 Ogniwa fotowoltaiczne z elektrodami typu 'smart wire'.
3. Zob. rozdział: 6.5 Ogniwa fotowoltaiczne wykonane w technologii HIT.
4. Ogniwa opisano w rozdziałach: 6.2 Ogniwa z elektrodami typu PERL i 6.7 Ogniwa fotowoltaiczne typu PERC i PERT.
5. Współczynnki temperaturowe opisano w rozdziale: 8.3 Zmiany parametrów ogniwa z temperaturą.

8. Parametry ogniw i paneli

8.1 Pomiar parametrów ogniwa
Pomiar parametrów elektrycznych pojedynczego ogniwa odbywa się przy użyciu urządzenia zwanego symulatorem słońca.
Symulator słońca/ sztuczne słońce (ang. solar simulator / artificial sun simulator) jest urządzeniem laboratoryjnym, które
wytwarza oświetlenie zbliżone do naturalnego światła słonecznego. Zadaniem symulatora słonecznego jest zapewnienie w
warunkach laboratoryjnych kontrolowanego stanowiska badawczego, służącego do badania ogniw słonecznych. Symulator
słoneczny wyznacza charakterystykę prądowo-napięciową, a oprogramowanie z nim zintegrowane wyznacza parametry ogniwa.
W wybranych modelach możliwa jest zmiana temperatury lub symulacja zjawisk pogodowych [154].
Pomiar charakterystyki prądowo-napięciowej wykonywany jest w standardowych warunkach testowych (ang. Standard Test
Conditions, STC): natężenie promieniowania 1000 W2 , widmo słoneczne AM 1.5, temperatura ogniwa powinna wynosić 25°C.
m

Alternatywnymi warunkami testowymi rzadziej stosowanymi do pomiarów są tzw. warunki nominalnej temperatury pracy modułu
fotowoltaicznego (ang. Normal Operating Cell Temperature – NOCT). Według NOTC ogniwo jest oświetlane promieniowaniem
słonecznym o natężeniu 800 W2 , w temperaturze 20 o C i prędkości wiatru równej 1 m/s. Wydajności otrzymywane w pomiarach
m
wykonanych w warunkach NOTC są niższe o około 30%, za to zbliżone do wydajności rzeczywistych [155].
Symulatory słoneczne muszą spełniać normy widma słonecznego określone przez Międzynarodową Komisję Elektrotechniczną
(IEC). Widmo spektralne światła wychodzącego ze źródła w symulatorze słonecznym jest kontrolowane zazwyczaj przy użyciu
filtrów. Sprawdzana jest też jego stabilność czasowa oraz jednorodność przestrzenna. Żywotność lampy w zależności od
zastosowania wynosi 1000-5000 godzin. W zależności od stopnia wypełnienia warunków normatywnych przypisana jest każdemu
urządzeniu odpowiednia klasa. Parametry symulatora słonecznego określa się w trzech kategoriach: dopasowanie widmowe,
nierównomierność przestrzenna i niestabilność czasowa. Każda z kategorii szergowana jest w trzech klasach A, B, C [156].
Klasa AAA, zgodnie z normami IEC 60904-9, ASTM E927 i JIS C8912, jest symbolem wypełnienia trzech różnych parametrów
normy, czyli Class A Spectral Match (dopasowanie widma do widma AM1.5 powinno się mieścić w zakresie 0,75 – 1,25, jako 1,00
rozumiemy widmo dopasowane idealnie), Class A Spatial Uniformity (dopuszczalna niejednorodność wynosi mniej niż 2% dla
ogniw o średnicy do 20 cm, a 3% dla ogniw większych) i Class A Temporal Stability (niestabilność musi być mniejsza niż 2%).
Wypełnienie warunków normatywnych pozwala na wykonywanie testów z najwyższą precyzją. Badania wykonane takim
urządzeniem stanowią podstawę oceny technicznej ogniwa. Ogniwa fotowltaiczne wchodzące na rynek powinny być przebadane
i posiadać dokument certyfikacji.

Akademia Górniczo-Hutnicza posiada symulator światła słonecznego. Jest to urządzenie I-V Curve Tracer For Solar Cells
Qualification (Klasa AAA, standard IEC 60891). Zbudowane jest ono z lampy, zasilacza, układu sterującego i pomiarowego,
komputera z oprogramowaniem, stolika pomiarowego, kontrolera temperatury (Rys. 123).

Rysunek 123: Schemat symulatora światła słonecznego. Oprac. własne.

Widok ogólny stanowiska przedstawiono na Rys. 124 [157]. W urządzeniu wykonywany jest pomiar tzw. metodą czteropunktową
(ang. four probes Kelvin technique) 6 – stąd obecność elektrod tzw. napięciowych i prądowych.
 Rysunek 124: Zestaw pomiarowy. Oprac. własne.

Urządzenie może mierzyć ogniwa słoneczne o maksymalnej wielkości 20cm x 20cm. Najważniejszą częścią zestawu pomiarowego
jest zespół lamp z filtrem dający widmo podobne do AM1.5 oświetlające marmurowy stolik pomiarowy z zestawem elektrod (Rys.
125). Zespół elektrod z mierzonym ogniwem fotowoltaicznym jest przedstawiony na Rys. 125b. Urządzenie posiada możliwość
badania zależności wydajności ogniw od temperatury. Przed dokonaniem pomiarów symulator powinien być skalibrowany,
odpowiednio dla ogniw monokrzemowych i polikrzemowych. Kalibrowane jest natężenie prądu zwarcia.

Rysunek 125: Stolik pomiarowy z sondami a) widok bez ogniwa, b) widok z ogniwem. Oprac. własne.

Urządzenie jest sterowane przy pomocy oprogramowania komputerowego Solar Cell Tester. Program służy do rejestracji i
opracowania charakterystyk prądowych - napięciowych. Ekran główny programu (pulpit operatora (Rys. 126)) przedstawia
charakterystykę prądowo-napięciową (czerwone kropki), zależność mocy ogniwa od zmierzonego na nim napięcia (niebieska
linia). Na ekranie głównym wyświetlane są min. zmierzone parametry ogniwa i warunki pomiaru. Z poziomu ekranu głównego
można wprowadzić informacje na temat badanego ogniwa, przeprowadzana jest kalibracja oraz eksport otrzymanych wyników.
 Rysunek 126: Ekran oprogramowania Solar Cell Tester sterującego urządzeniem. Oprac. własne.

Film prezentuje kompaktowy symulator firmy ISOSun Solar Simulator.

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=115
Prezentacja symulatora światła
InfinityPV, ISOSun Solar Simulator (Prezentacja symulatora światła), 20.11.2018 (dostęp 15.09.2020). Dostępne w YouTube:
https://youtu.be/Rc_CdpqVd7c .

Przypis

1. Ogniwa busbar opisano w rozdziale: 6.1 Ogniwa z elektrodami paskowymi.

2. Smart wire opisano w rozdziale: 6.4 Ogniwa fotowoltaiczne z elektrodami typu 'smart wire'.
3. Zob. rozdział: 6.5 Ogniwa fotowoltaiczne wykonane w technologii HIT.
4. Ogniwa opisano w rozdziałach: 6.2 Ogniwa z elektrodami typu PERL i 6.7 Ogniwa fotowoltaiczne typu PERC i PERT.
5. Współczynnki temperaturowe opisano w rozdziale: 8.3 Zmiany parametrów ogniwa z temperaturą.
6. Zob. film Rafała Jackiewicza: Techniczna metoda pomiaru rezystancji lub natężenia .

8.2 Symulacja zmian parametrów ogniwa w

programie PC1D
Wpływ czynników na charakterystyki i parametry ogniw fotowoltaicznych można badać doświadczalnie. Przy projektowaniu
ogniw użytecznym i tanim narzędziem są symulacje komputerowe. Przykładowym programem, w którym można przeprowadzić
symulacje charakterystyk prądowo-napięciowych dla ogniw fotowoltaicznych jest PC1D. PC1D jest prostym programem
udostępnianym bezpłatnie przez Uniwersytet Nowej Południowej Walii (Sydney). Program rozwiązuje sprzężone równania
nieliniowe dla quasi-jednorodnego transportu elektronów i dziur urządzeniach półprzewodnikowych.
W przedstawionych poniżej symulacjach została użyta wersja 5.9 programu. PC1D zawiera pliki biblioteczne o parametrach
krystalicznych półprzewodników stosowanych w technologii fotowoltaicznej, takich jak krzem, german, arsenek galu, fosforyt
indu itd. (zob. Rys. 127, Rys. 128) [158], [159].

100c 2
Symulacja została wykonana dla ogniw o powierzchni 100cm2 i grubości 300μm . Właściwości (widmo absorpcyjne, współczynnik
odbicia, przerwa energetyczna, ruchliwość ładunków itd.) zostały zaimportowane z biblioteki materiałów programu. Symulacja
zakłada oświetlenie ogniwa widmem AM1.5, o natężeniu światła 0,1 W2 , w temperaturze 300 K.
cm

Rysunek 127: Charakterystyki prądowo-napięciowe dla a) ogniwa krzemowego Si, b) ogniwa germanowego, c) ogniwa na bazie arsenku galu AsGa. Linie czerwone oznaczają
charakterystyki prądowo-napięciowe, a zielone zależność mocy od napięcia. Oprac. własne.

Rysunek 128: Parametry ogniw fotowoltaicznych otrzymane w wyniku symulacji. Oprac. własne.

Aby sprawdzić wpływ natężenia światła na charakterystyki i parametry ogniwa przeprowadzono symulacje dla ogniwa
krzemowego dla czterech różnych natężeń światła: 0,1 W2 , 0,05 W2 , 0,01 W2 , 0,001 W2 . W symulacji zostało użyte widmo AM1.5.
m m m m
Charakterystyki prądowo-napięciowe oraz zależności mocy od napięcia zostały przedstawione na Rys. 129. Na rysunku linie
czerwone oznaczają charakterystyki prądowo-napięciowe, a linie zielone zależność mocy od napięcia dla ogniwa krzemowego Si
przy mocy promieniowania
Pin (24)
a) 0,1 W2 b) 0,05 W2 c) 0,01 W2 d) 0,001 W2 . Zmniejszenie intensywności promieniowania padającego na ogniwo, powoduje
cm cm cm m
zmniejszenie wartości Isc , Voc oraz mocy wyjściowej Pout , a co za tym idzie wydajności ogniwa.
Rysunek 129: Charakterystyki prądowo-napięciowe dla ogniwa krzemowego Si przy intensywności a) AM1.5 0.1 W/cm2, b) 0.05 W/cm2, c) 0.01 W/cm2, d) 0.001 W/cm2. Linie czerwone
oznaczają charakterystyki prądowo-napięciowe, a linie zielone zależność mocy od napięcia. Oprac. własne.

Parametry ogniwa zostały zebrane i przedstawione Rys. 130.

Rysunek 130: Parametry ogniw fotowoltaicznych dla różnego oświetlenia otrzymane w wyniku symulacji. Oprac. własne.

Następnie, aby określić sam wpływ temperatury na wydajność ogniwa krzemowego przeprowadzono symulację dla zakresu
temperatury -30 o C do 50 o C. Jak pokazano na Rys. 131 wydajność maleje linowo wraz ze wzrostem temperatury. W programie
temperaturę można określić w Kelwinach lub stopniach Celsjusza. Algorytm programu uwzględnia wpływ temperatury na
ruchliwość nośników, rekombinację powierzchniową i objętościową.
 Rysunek 131: Wykres zależności wydajności ogniwa krzemowego w funkcji temperatury. Wyniki wygenerowane w programie PC1D. Oprac. własne.

Otrzymana z symulacji malejąca zależność liniowa wydajności ogniwa od temperatury jest zgodna z wynikami badań
przeprowadzanymi na rzeczywistych ogniwach fotowoltaicznych (zob. rozdział: 8.3 Zmiany parametrów ogniwa z temperaturą).

8.3 Zmiany parametrów ogniwa z temperaturą

Ogniwa i panele fotowoltaiczne pracują w zmieniających się warunkach atmosferycznych. Warunki te wpływają na parametry
ogniw. Czynnikiem, mającym istotny wpływ na zmianę parametrów ogniwa, jest jego temperatura.

Zmiany natężenia padającego światła i zmiana temperatury otoczenia oddziałują na temperaturę ogniw, wpływ ma również
wilgotność oraz prędkość wiatru. Wiatr stanowi naturalny czynnik chłodzący. Na lepsze chłodzenie (wentylacje) może wpłynąć
montaż paneli (umieszczenie paneli na stelażach zwiększa cyrkulację powietrza).
W Polsce zakres rozważanych temperatur, w których pracują ogniwa fotowoltaiczne to przedział od -20 o C do 70 o C
(standardowe panele fotowoltaiczne pracują w zakresie temperatur od -40 o C do +85 o C).

Większe natężenie światła to większa ilość zaabsorbowanej energii, więc zwiększenie natężenia światła wpływa pozytywnie na
wydajność ogniw. W przypadku powszechnie stosowanych ogniw krzemowych wraz ze wzrostem temperatury następuje
zmniejszenie wydajności ogniwa.

Wraz z temperaturą zmieniają się parametry materiałowe:

współczynnik absorpcji,
szerokość przerwy energetycznej,
ruchliwość ładunków,
koncentracja nośników ładunku.

Współczynnik absorpcji krzemu [160] i przerwa energetyczna [161] maleją wraz z temperaturą. Koncentracja nośników wzrasta
ze wzrostem temperatury [162]. Ruchliwość nośników w półprzewodnikach zależy wykładniczo od temperatury. W niskich
temperaturach temperaturowa zależność ruchliwości jest zależnością ( 25 ). We wzorze jako μ oznaczono ruchliwość nośników, a
jako T temperaturę bezwzględną.
3
μ∼T 2 (25)

Dla wysokich temperatur ruchliwość opisana jest zależnością ( 26 ).

3
μ ∼ T −2 (26)

Wzrost temperatury związany jest też ze zmniejszeniem zdolności do rozseparowania dziur i elektronów oraz zwiększeniem
rozpraszania nośników ładunku na drganiach sieci krystalicznej. Zmiany te powodują zmniejszenie napięcia złącza p-n i zmiany w
ruchliwości nośników ładunków. W konsekwencji wraz ze wzrostem temperatury rośnie prąd zwarcia. W przypadku wzrostu

o
C o
C
temperatury z 25o C do 60o C zmiana napięcia obwodu otwartego wyniesie 1,2%, natężenia mocy wyjściowej o 1,3%, a
współczynnika wypełnienia o 1,0% [163].

W przypadku komercyjnego panelu fotowoltaicznego o podatności na zmiany temperatury informują parametry podawane na
karcie katalogowej każdego ogniwa tzw. współczynniki temperaturowe. Współczynnik temperaturowy (ang. temperature
coefficient) podawany jest dla mocy maksymalnej, napięcia obwodu otwartego i prądu zwarcia panelu. Panel powinien
wykazywać temperaturę ogniw podczas pracy w warunkach NOTC (ang. Normal Operating Cell Temperature) równą co najwyżej
45o C (im mniejsza wartość tym wyższej jakości jest panel).

Na Rys. 132 zestawiono parametry temperaturowe dla czterech komercyjnie dostępnych paneli fotowoltaicznych:
I - moduł monokrystaliczny BEM 355W White (Seria extreme plus) 66 ogniw (firma: Brukbet),
II - moduł dwustronnie aktywny z ogniwami typu PERT, BEM 335W, III - Opti seria Nivo Extreme (firma: BrukBet),
III - moduł polikrystaliczny serii SV60P o mocy 280Wp (firma: Selfa),
IV- moduł monokrystaliczny serii SV60M o mocy do 315Wp (firma: Selfa).

Rysunek 132: Współczynniki temperaturowe dla wybranych paneli. Oprac. własne.

Zmiany wydajności w funkcji temperatury dla powyższych paneli fotowoltaicznych przedstawiono na wykresie (Rys. 133).

Rysunek 133: Zależność wydajności od temperatury dla czterech przykładowych paneli fotowoltaicznych: I – moduł monokrystaliczny BEM 355W White (Seria extreme plus) 66 ogniw
(firma Brukbet), II – moduł dwustronnie aktywny z ogniwami typu PERT, BEM 335W, III – Opti seria Nivo Extreme (firma BrukBet), III – moduł polikrystaliczny serii SV60P o mocy 280Wp
(firma Selfa), IV – moduł monokrystaliczny serii SV60M o mocy do 315Wp (firma Selfa). Oprac. własne.

Jak można odczytać z wykresu Rys. 133, w temperaturze 60 stopni wydajność spada o 1,5% względem wartości w 40 stopniach
Celsjusza. Ciągła praca paneli fotowoltaicznych w wysokich temperaturach niesie za sobą również ryzyko skrócenia ich
żywotności. Ochrona i dłuższa żywotność może być zapewniana poprzez użycie dodatkowych warstw ochronnych (np.
wzmocnionej foli elektroizolacyjnej lub dodatkowej tafli szklanej) oraz poprzez zapewnienie dobrej wentylacji.

8.4 Pomiar parametrów panelu

Moc jaką można uzyskać z panelu fotowoltaicznego uzależniona jest od warunków w jakich panel pracuje i zależy przede
wszystkim od natężenia promieniowania słonecznego oraz temperatury. Ponieważ porównywanie paneli pracujących w różnych
warunkach nie jest miarodajne, wprowadzono 2 standardy ustalające w jakich warunkach należy przeprowadzać pomiary:
 warunki przeprowadzenia testu – STC (Standard Test Conditions) określa rodzaj źródła światła o widmie AM1.5 i mocy 1000
W
m2
, a temperaturę pomiaru ustala na 25 o C [164],
warunki badania paneli PV – NOCT (Normal Operating Cell Temperature) określa rodzaj źródła światła AM1.5 o mocy 800
W
m2
, temperaturę pomiaru na 20 o C i prędkość wiatru na 1 m/s.

W momencie projektowania systemu fotowoltaicznego należy korzystać z parametrów wyznaczonych w warunkach STC,
natomiast warunki NOCT dają lepsze pojęcie o tym, jak będzie zachowywał się panel w rzeczywistych warunkach pracy w naszym
klimacie.
Pomiary paneli fotowoltaicznych przeprowadzane są w specjalistycznych komorach pomiarowych. Komory te charakteryzują się
kontrolowanymi parametrami:

promieniowanie tzw. sztucznego słońca o widmie AM1.5,

W W
możliwość regulowania natężenia promieniowania (od 30 m do 1000 m ,
2 2
regulowana temperatura (od -30 o C do 200 o C).

Rysunek 134: Komora do symulacji środowiskowej model SEC 2100/4100/6100 (producent Atlas Material Testing Technology, własność Małopolskie Laboratorium Budownictwa).
Oprac. własne.

Na Rys. 134 przedstawiono komorę do symulacji środowiska [165]. Spełnia ona wymienione powyżej warunki, za jej pomocą
można przeprowadzić test STC oraz NOCT. Wielkość wnętrza 2m*3mi wysokość 2m. Ekran dotykowy pozwala na wprowadzenie
parametrów warunków pomiaru panelu fotowoltaicznego: takich jak temperatura, wilgotność i natężenie oświetlenia. Na górze
komory wyświetlany jest status komory pomiarowej. Elementy sterowania, wskaźniki, wyprowadzenia czujników pokazano na
Rys. 135.

Rysunek 135: Opis najważniejszych elementów komory symulacji środowiska. Oprac. własne.

Lampy MHG są zabezpieczone szklanymi pokrywami, które są podgrzewane celem ochronienia przed zaparowaniem. Czujniki
temperatury i wilgotności służą do sterowania warunków w komorze pomiarowej. Otwory nawiewów wentylatorów wprowadzają
przygotowane powietrze do wnętrza komory celem utrzymania zadanych warunków środowiska. Z tyłu komory znajdują
nawilżacz i grzałka powietrza oraz parownik układu chłodniczego. Na rysunku widać także przepusty do przeprowadzenia
przewodów pomiarowych oraz stolik pomiarowy.
Każdy panel fotowoltaiczny posiada tabliczkę znamionową, na której pokazane są charakterystyczne parametry panelu Rys. 136.
 Rysunek 136: Tabliczka znamionowa panelu fotowoltaicznego firmy Risen Energy zawierająca jego charakterystyczne parametry.

Celem ich wyznaczenia przeprowadza się badania charakterystyki prądowo-napięciowej. Pomiary przeprowadzane są za pomocą
specjalistycznej aparatury, której schemat przedstawiono na Rys. 137 [165].

Rysunek 137: Schemat układu pomiarowego do zdejmowania charakterystyk prądowo-napięciowych. Oprac. własne.

Panel fotowoltaiczny umieszcza się w komorze umożliwiającej utrzymanie stałej temperatury i natężenia promieniowania.
Następnie podpina się go do źródła napięcia sterującego i dokonuje pomiaru napięcia oraz prądu przepływającego przez panel
PV. Całość jest sterowana przez komputer służący do rejestracji wyników pomiarowych i warunków środowiskowych.
Poniżej pokazano typową zależność prądu od napięcia dla panelu fotowoltaicznego oraz charakterystyczne parametry
elektryczne, opisujące panel fotowoltaiczny (Rys. 138).

Rysunek 138: Charakterystyka prądowo-napięciowa panelu fotowoltaicznego. Oprac. własne.

Parametry ogniwa fotowoltaicznego, jakie uzyskano w określonej temperaturze pracy i określonym natężeniu promieniowania
słonecznego to:
Isc – prąd zwarcia, czyli maksymalny prąd, jaki może wygenerować panel fotowoltaiczny,
Ipm – prąd, przy którym można pobrać maksymalną moc z ogniwa fotowoltaicznego,
Voc – napięcie obwodu otwartego, czyli maksymalne napięcie, jakie można uzyskać z panelu fotowoltaicznego,
Vpm – napięcie, przy którym można pobrać maksymalną moc z ogniwa fotowoltaicznego.
Na podstawie danych do wykresu i wyznaczonych, podanych powyżej, wielkości oblicza się maksymalną moc, wydajność,
temperaturowy wskaźnik mocy, temperaturowy wskaźnik napięcia Voc, temperaturowy wskaźnik prądu Isc.
Przykładowe parametry elektryczne w standardowych warunkach STC dla panelu BS-330=6MHB5-EL z karty katalogowej Bauer
Solartechnik GmbH:

ogniwo PV monokrystaliczne / PERC – podwójne,

ułożenie ogniw PV 12 x 10 (120),
moc nominalna w punkcie maksymalnej mocy Pmax = 330 W,
tolerancja produkcji mocy Pmax 0 do 3%,
napięcie robocze Vpm = 33,70 V,
napięcie obwodu otwartego Voc = 40,60 V,
prąd zwarcia Isc = 10,35 A,
prąd roboczy Ipm = 9,80 V,
wydajność panelu (sprawność) 18,6%,
temperatura robocza (NOCT) 45°C ± 2,
współczynnik temperaturowy ISC +0,050%/K,
współczynnik temperaturowy VOC -0,290%/K,
współczynnik temperaturowy Ppmm -0,390%/K,
liczba diod 3x1 diody bypass.

9. Systemy fotowoltaiczne
9.1 Systemy fotowoltaiczne wyspowe typu "off-grid"
System fotowoltaiczny to elektrownia słoneczna, umożliwiającą przemianę energii słonecznej w energię elektryczną z
wykorzystaniem paneli fotowoltaicznych.
Podstawowy podział instalacji fotowoltaicznych opiera się na ich mocach. Wyróżnia się następujące typy instalacji odnawialnych
źródeł energii [166]:

mikroinstalacje,
małe instalacje,
średnie instalacje,
duże instalacje.

Mikroinstalacja to instalacja odnawialnego źródła energii o zainstalowanej łącznej mocy elektrycznej (określonej przez
producenta mocy znamionowej sprzętu, dzięki któremu następuje produkcja energii elektrycznej), nie większej niż 50 kW,
przyłączonej do sieci elektroenergetycznej o napięciu znamionowym niższym niż 110 kV. Największą dynamikę wzrostu mocy
zainstalowanej uzyskano w przypadku mikroinstalacji.
Natomiast pod pojęciem małej instalacji rozumie się instalację o zainstalowanej łącznej mocy elektrycznej większej niż 50 kW i
mniejszej niż 500 kW, przyłączoną do sieci elektroenergetycznej o napięciu znamionowym niższym niż 110 kV.
Największą instalacją fotowoltaiczną są farmy fotowoltaiczne o mocy większej niż 500 kW, których moc może sięgać nawet rzędu
kilkuset MW. W przypadku instalacji o mocy pomiędzy 500 kW, a 1 MW mówimy o średniej instalacji, natomiast powyżej 1 MW o
dużej instalacji.
Systemy fotowoltaiczne dzielimy na dwie grupy ze względu na sposób współpracy z siecią:

instalacje fotowoltaiczne wyspowe (off-grid), tzn. nie podłączoną do sieci elektroenergetycznej [167],
instalacje fotowoltaiczne podłączone do sieci elektroenergetycznej (on-grid) [168] wśród których wyróżniamy:
przyłączane do sieci niskiego napięcia i najczęściej są nimi mikroinstalacji i małe instalacje,
przyłączane do sieci średniego napięcia, do których można zaliczyć instalacje średnie i duże,
przyłączane do sieci wysokiego napięcia, będące instalacjami kilkunastu MW lub kilkudziesięciu MW.

Innym kryterium podziału rodzajów instalacji fotowoltaicznej jest możliwość śledzenia ruchu Słońca przez system PV. Pod tym
względem można wyróżnić:

instalacje stacjonarne, niepodążające za ruchem Słońca,

instalacje nadążne, śledzące ruch Słońca.

W oparciu o metodę instalacji systemów fotowoltaicznych w budynku, systemy PV mogą zostać podzielone na dwa typy [169]:
systemy fotowoltaiczne doinstalowane do budynku (BAPV), w których moduły PV nie mają bezpośredniego wpływu na
konstrukcje budynków i są bezpośrednio mocowane do budynków za pomocą konstrukcji wsporczej [170],
fotowoltaiczne systemy zintegrowane z budynkiem (BIPV), w których moduły PV są scalone ze strukturą budynku [171].

Systemy fotowoltaiczne wyspowe typu off-grid

Instalacje fotowoltaiczne wyspowe typu off-grid działa poza publiczną siecią elektroenergetyczną. System tego typu składa się z
paneli fotowoltaicznych, inwertera, regulatora ładowania oraz zasobników energii. Schemat blokowy instalacji fotowoltaicznej
wyspowej przedstawia Rys. 139.

Rysunek 139: Schemat blokowy systemu fotowoltaicznego typu off-grid. Oprac. własne.

W tym typie instalacji wyprodukowana energia elektryczna w postaci prądu stałego jest zamieniana przez inwerter na prąd
przemienny. W przypadku wyprodukowania nadwyżki energii jest ona magazynowana w tzw. zasobnikach energii w celu
późniejszego wykorzystania. W instalacjach domowych najczęściej wykorzystywanymi zasobnikami energii elektrycznej są
akumulatory.
Systemy fotowoltaiczne wyspowe typu off-grid podzielone są na:

oddalone od sieci,
z możliwym dostępem do sieci elektroenergetycznej.

Instalacje off-gridowe znajdują zastosowanie przede wszystkim w miejscach, dla których koszty podłączenia do sieci elektrycznej
są zbyt duże lub ich podłączenie z jakichś powodów jest niemożliwe [172]. Przykładami tego typu miejsc mogą być np.: domy
letniskowe, statki, jachty i samochody. Systemy fotowoltaiczne typu off-grid znajdują również zastosowanie w zasilaniu prądem
ulicznych lamp, znaków drogowych oraz urządzeń przenośnych. Przykłady instalacji fotowoltaicznej pracującej w trybie off-grid
został przedstawiony na Rys. 140, Rys. 141 oraz Rys. 142.

Rysunek 140: Znaki drogowe zasilane energią promieniowania słonecznego. Fot. – archiwum aut.
 Rysunek 141: Elektryczny samochód Lightyear One zasilany energią wygenerowaną przez ogniwa fotowoltaiczne firmy Lightyear ∞. Fot. wykorzystana za zgodą Lightyear ∞,
https://lightyear.one/ .

Rysunek 142: Jacht zasilany energią wygenerowaną przez instalację fotowoltaiczną wyspową typu off-grid firmy SolTech Service. Fot. wykorzystana za zgodą SolTech Service,
https://soltech.com.pl/ .

9.2 Systemy fotowoltaiczne sieciowe typu "on-grid"

Instalacja fotowoltaiczna przyłączona do sieci elektroenergetycznej typu on-grid stanowi największy odsetek wśród instalacji
fotowoltaicznych. System tego typu składa się z paneli fotowoltaicznych, inwertera oraz układu przyłączeniowego do sieci.
Schemat blokowy instalacji fotowoltaicznej typu on-grid przyłączonej do sieci 230 V został przedstawiony na Rys. 143, natomiast
farmy fotowoltaicznej na Rys. 144.
 Rysunek 143: Schemat blokowy sieciowej instalacji fotowoltaicznej typu on-grid przyłączonej do sieci publicznej 230 V. Na rys. oznaczono rezystancję Rsieci, indukcyjność Lsieci i
napięcie Usieci jako parametry sieci elektroenergetycznej, natężenie Im i napięcie Um zespołu paneli fotowoltaicznych, a także punkty przyłączeniowe instalacji domowej A i B. Oprac.
własne.

Rysunek 144: Farma fotowoltaiczna zbudowana z paneli Sunport Power MWT 400 Wp firmy Columbus Energy. Fot. wykorzystana za zgodą Columbus Energy,
https://columbusenergy.pl/ .

Rozliczenie z zakładem energetycznym odbywa się na zasadzie bilansu pod koniec okresu rozliczeniowego, czyli do 365 dni od
chwili wprowadzenia energii do sieci [173]. W przypadku instalacji o mocy do 10 kWh możliwe jest odebranie z sieci 80%
wygenerowanej energii, natomiast dla instalacji o mocy powyżej 10 kWh 70%. Z tego względu instalacja typu on-grid wymaga
zainstalowania licznika dwukierunkowego, którego zadaniem jest odpowiednio mierzenie ilości energii pobranej z sieci i oddanej
do niej.

9.3 Instalacje gruntowe

Największe systemy stacjonarne instalowane są na gruncie. W przypadku budowy farm fotowoltaicznych o mocy zainstalowanej
rzędu kilkuset MW powierzchnia, którą zajmuje instalacja jest rzędu kilkuset hektarów. Jedną z największych farm w Polsce jest
instalacja fotowoltaiczna o mocy 2 MW w Sokołowie Małopolskim, zajmująca powierzchnię 4 hektarów, którą przedstawiono na
Rys. 145. Instalacja została zbudowana na konstrukcji stalowej RS-12 firmy RECA SOLAR oraz w oparciu o technologię modułów
dwustronnych tzw. bifacial. Farma złożona jest z 5970 sztuk modułów. Generalnym wykonawcą farmy jest firma Great Solar sp. z
o.o. Budowa farmy została zakończona w 2020 r.
 Rysunek 145: Jedna z największych farm fotowoltaicznych w Polsce o mocy 2 MW położona w Sokołowie Małopolskim firmy Great Solar sp. z o.o. Fot. wykorzystana za zgodą Great
Solar Sp. z o.o., https://greatsolar.eu/ .

Największą farmą fotowoltaiczną w Europie jest Núñez de Balboa o mocy 500 MW, która jest położona w gminie Usagre, w
regionie Estremadura w Hiszpanii. Farma położona jest na obszarze blisko 1000 hektarów i składa się z 1,43 mln paneli i 115
falowników (dane z 2020 r.) [174].
Drugą pod względem wielkości farmą fotowoltaiczną w Europie jest Cestas Solar Park we Francji o mocy 300 MW. Instalacja
zajmuje 250 hektarów i składa się z około miliona paneli. Farmę z lotu ptaka przedstawiono na Rys. 146. Na filmie "Construction
of PV power plant in Cestas" przedstawiono budowę farmy Cestas Solar Par, natomiast na filmie "Krinner Solarpark Cestas"
widok ukończonej budowy.

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=121
Instalacja farmy fotowoltaicznej
SE Solar, Construction of PV power plant in Cestas, France (Instalacja farmy fotowoltaicznej), 04.12.2015 (dostęp). Dostępne w
YouTube: https://youtu.be/YBJHUN1og9M .
 http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=122
Farma fotowoltaiczna
Steffi Englram, Krinner Solarpark Cestas (Farma fotowoltaiczna), 16.06.2015 (dostęp). Dostępne w YouTube:
https://youtu.be/qw05UuGaPGM .

Znalezienie dużych terenów nieużytków w Europie jest trudne w porównaniu do azjatyckich obszarów pustynnych i podgórskich.
Jedną z największych na świecie farm fotowoltaicznych zainstalowaną na gruncie jest Tengger Desert Solar Park o mocy 1,547
GW (łączna moc zainstalowana w Polsce do maja 2020 r. wynosi 1,95 GW [175]). Farma znajduje się w Zhongwei w Chinach i
zajmuje powierzchnię 4300 hektarów. Inną dużą farmą fotowoltaiczną na świecie jest Longyangxia Dam Solar Park w Chinach.
Składa się z ponad 4 milionów paneli, a jej moc zainstalowana to 850 MW [176].

Oprócz dużych farm fotowoltaicznych instalowane są systemy o mocach od kilku do kilkuset kW. Instalację tego typu
przedstawiono na Rys. 146.

Rysunek 146: Instalacja fotowoltaiczna firmy SolTech Service zamontowana na gruncie. Fot. wykorzystana za zgodą SolTech Service, https://soltech.com.pl/ .

9.4 Instalacje pływające

Pływające systemy fotowoltaiczne FPV (ang. floating fotovoltaics systems) to rodzaj instalacji montowanych na powierzchni
zbiorników wodnych. Zastosowanie systemów FPV umożliwia uniknięcia problemów związanych z kosztami dzierżawy terenu,
który staje się coraz droższy i mniej dostępny. Montaż instalacji PV na wodzie umożliwia także zwiększenie wydajności instalacji
dzięki poprawie chłodzenia paneli ze względu na słabsze nagrzewanie się powierzchni wody w stosunku do powierzchni ziemi i
zmniejszenie osadzania się kurzu. Montaż systemów pływających to także oszczędność terenów z punktu widzenia rolniczego i
urbanistycznego. Negatywnym aspektem instalowania tego typu systemów może być wyłączenie części akwenu z gospodarki
rybackiej, silne falowanie w przypadku instalacji morskich i oceanicznych, jak również problem z odbiorem energii [177].
Systemy fotowoltaiczne pływające są instalowane przez zastosowanie różnych rozwiązań montażowym. Panele fotowoltaiczne
instalowane są nad wodą na pontonach wykonanych z tworzyw sztucznych np. polietylenu o dużej gęstości HDPE (ang. high
density polyethylene). Instalacja zakotwiczona jest za pomocą ciężarków cementowych umieszczonych na dnie zbiornika
wodnego lub ustawionych na jego brzegu. Instalację PV zakotwiczoną do dna zbiornika przedstawiono na Rys. 147.

Rysunek 147: Pływająca farma fotowoltaiczna zainstalowana nad wodą na pontonach o mocy 500 kWp firmy NRG Island. Fot. wykorzystana za zgodą NRG Island,
https://www.nrgisland.com/floating_pv_plants.html .

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=123
Montaż systemu fotowoltaicznego pływającego
Piemme srls, Floating Photovoltaic Plant NRG ISLAND (Montaż systemu fotowoltaicznego pływającego), 23.06.2020 (dostęp
23.03.2020). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/joUC8DJwI7c .

Instalacje pływające są wykonywane również poprzez wykorzystanie systemu częściowo zatopionego, w którym panele są
częściowo zanurzone w wodzie, co umożliwia wzrost wydajności paneli dzięki ich chłodzeniu przez wodę [178]. W systemach
częściowo zatopionych wykorzystuje się panele na elastycznych podłożach, które pływają bezpośrednio na wodzie. Panele unoszą
się na powierzchni wody dzięki zastosowaniu pływaków umieszczonych przy krawędzi paneli i zakotwiczonych linami. Taką
koncepcję montażu systemów PV po raz pierwszy przedstawiła firma MIRACO, instalując system o powierzchni łącznej 75 m2
oraz mocy 8 kW w miejscowości Comino na Malcie.
Pierwszy system fotowoltaiczny pływający został wykonany w celach badawczych w 2007 r. w Aichi w Japonii o mocy 20 kW.
Panele były umieszczone na płytach z polistyrenu piankowego i uniesione pod katem 1,3° w kierunku południowym [177].
Pierwszym komercyjnym systemem PV pływającym na wodach powierzchniowych była instalacja o mocy 175 kW. Instalacja
została wykonana przez firmę SPG Solar w 2008 r. na terenie firmy Far Niente Winery.
Pierwszą elektrownią fotowoltaiczną pływającą na morzu była farma wykonana przez firmę Ocean of Energy. Farma ta została
zainstalowana w holenderskiej części Morza Północnego pod koniec listopada 2019 r. (Rys. 148). Moc instalacji wynosiła
początkowo 8,5 kW i składała się z 28 paneli, a 20 stycznia 2020 r. została zwiększona do 17,5 kW poprzez zainstalowanie
kolejnych 28 paneli. Farma do chwili obecnej przetrwała klika burz w tym orkan „Sabina”, w czasie którego pozostała
nienaruszona pomimo prędkości wiatru przekraczającego ponad 30 m s
, jak również 5-metrowych fal.
 Rysunek 148: Pierwsza elektrownia fotowoltaiczna firmy Oceans of Energy w holenderskiej części Morza Północnego. Fot. wykorzystana za zgodą Oceans of Energy,
https://oceansofenergy.blue/ .

Jedna z największych instalacji fotowoltaicznych pływających powstała na jeziorze w Anhui w Chinach. Liczy ona ponad 165 000
paneli fotowoltaicznych i produkuje rocznie 40 MWp energii elektrycznej [179]. Pływającą instalację w Anhui przedstawiono na
filmie "World's largest floating solar farm in E China".

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=124
Największa na świecie pływająca farma fotowoltaiczna w Anhui
New China TV, World's largest floating solar farm in E China (Największa na świecie pływająca farma fotowoltaiczna w Anhui),
21.06.2017 (dostęp 14.12.2020). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/qKpYH5SYUeo .

9.5 Systemy PV ruchome - instalacje nadążne

Systemy fotowoltaiczne ruchome to instalacje, których orientacja względem kierunku padania promieni słonecznych zmienia się
wraz ze zmianą ruchu Słońca lub których położenie zmienia się wraz ze zmianą położenia obiektów, na których są zainstalowane.
Ruchome instalacje PV podzielono na dwie główne grupy:

instalacje nadążne [180], [181],

instalacje przenośne [182], [183].

Instalacje nadążne
Fotowoltaiczne systemy nadążne to takie systemy, w których płaszczyzna paneli obraca się w taki sposób, aby promienie
słoneczne padały prostopadle do płaszczyzny panelu w celu zwiększenia ilości zaabsorbowanej energii. W porównaniu do
systemów stacjonarnych systemy nadążne wytwarzają do 40% więcej energii elektrycznej w porównaniu do systemów
stacjonarnych [184], [185].
Istnieją dwa rodzaje instalacji nadążnych. Do pierwszej grupy należą instalacje naziemne, w których panele umieszczone są na
obrotowych słupach zwanych trackerami. Drugie to instalacje pływające, w których płaszczyzny paneli obracają się w kierunku
aktualnej pozycji Słońca.
Ze względu na liczbę płaszczyzn, w których odbywa się ruch paneli fotowoltaicznych, systemy dzielimy na jednoosiowe i
dwuosiowe. Systemy jednoosiowe to instalacje z możliwością ruchu paneli ze wschodu na zachód tylko względem jednej osi
obrotu. Trackery dwuosiowe umożliwiają jednoczesny ruch paneli względem dwóch osi obrotu [186]. Systemy nadążne
dwuosiowe poruszają się ze wschodu na zachód wraz z możliwością zmiany kąta pochylenia paneli względem powierzchni ziemi.
Na Rys. 149 przedstawiono typy trackerów jedno- i dwuosiowych.

Rysunek 149: Typy trackerów: a) jednoosiowe, b) dwuosiowe. Oprac. własne.

Zasadę działania obu typów trackerów przedstawiono na filmach "Single Axial Solar Tracker" i "ASUN 2 Axis Solar Tracker".

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=126
Jednoosiowy system fotowoltaiczny podążający za słońcem
Solar Trackers, Single Axial Solar Tracker (Jednoosiowy system fotowoltaiczny podążający za słońcem), 22.01.2019 (dostęp
02.12.2020). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/eJv39HPSLus .

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=125
Dwuosiowy system fotowoltaiczny podążający za ruchem Słońca
Asun Trackers Pvt. Ltd, ASUN 2 Axis Solar Tracker (Dwuosiowy system fotowoltaiczny podążający za ruchem Słońca), 10.08.2019
(dostęp 02.12.2020). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/NGvcINzsweQ .

Systemy nadążne dzieli się również ze względu na zastosowany system sterowania, a mianowicie na [ 187]:

układ otwarty (pasywny), sterowany w pętli otwartej,

 układ zamknięty (aktywny), w którym sterowanie odbywa się w pętli zamkniętej.

W układzie otwartym sterowanie położeniem trackera względem Słońca odbywa się na podstawie modeli matematycznych.
Modele opierają się na danych określających położenie Słońca w określonym dniu i czasie dla danej szerokości geograficznej, czyli
na kalendarzu astronomicznym.
W trackerach ze sterowaniem w pętli zamkniętej położeniem instalacji steruje się za pomocą czujników np. fotorezystorów, czyli
rezystorów o rezystancji zależnej od oświetlania LDR (ang. Light Dependent Resistor) [188], [189]. Inny sposób sterowania
położeniem trackera polega na znalezieniu maksymalnego punktu mocy MPP (ang. maximum power point) [190]. Zmienia się on
w zależności od natężenia promieniowania i temperatury. Działanie systemu sterowania z MPP polega na zmianie położenia
instalacji w małych odstępach czasu i porównaniu uzyskanych wartości mocy. Na podstawie uzyskanego wyniku instalacja ustawia
się w położeniu, dla którego otrzymuje najwyższą moc.
W celu zwiększenia wydajności nadążnych systemów fotowoltaicznych wykorzystywane są także koncentratory promieniowania
słonecznego CPV (ang. Concentrated Photovoltaics) [191]. Technologia CPV jest nową rozwijającą się technologią systemów
fotowoltaicznych umożliwiającą skupianie promieniowania słonecznego na ogniwach PV poprzez zastosowanie soczewek lub
zakrzywionych zwierciadeł.

Instalacje nadążne naziemne

Instalacja nadążna naziemna składa się z zestawu paneli fotowoltaicznych umieszczonych na stelażu usytuowanym na
obracającym się słupie. Przykładem nadążnej instalacji jednoosiowej jest system o mocy 172 MW znajdująca się w Telangana w
Indiach (Rys. 150) [192]. Cała instalacja składa się z ponad 520 000 paneli wykonanych z multikrystalicznego krzemu firmy Hareon
Solar i zajmuje ponad 450 ha. Na Rys. 151 przedstawiono przykład instalacji nadążnej dwuosiowej.

Rysunek 150: Farma fotowoltaiczna zbudowana z jednoosiowych systemów nadążnych w Indiach. Aut. fot. Vinaykumar8687, licencja CC BY-SA 4.0, źródło:
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:172MW_Single_Axis_Tracker_Project_in_India_from_Arctech_Solar.jpg .
 Rysunek 151: Instalacja fotowoltaiczna zbudowana z dwuosiowych systemów nadążnych firmy Solar Tracker Polska. Fot. wykorzystana za zgodą Solar Tracker Polska, https://solar-
tracker.pl/ .

Fotowoltaiczne systemy nadążne wykonywane są także w jednej z najnowszych technologii CPV (ang. Concentrating
Photovoltaics) z wykorzystaniem koncentratorów promieniowania słonecznego. Największą na świecie nadążną dwuosiową
farmą fotowoltaiczną wykonaną w technologii CPV jest Golmud CPV Solar Park o mocy 138 MWp, która jest zlokalizowana w
pobliżu miasta Golmud w Chinach (Rys. 152) [193].

Rysunek 152: Największa farma fotowoltaiczna z dwuosiowych trackerów wykonanych w technologii CPV z koncentratorami promieni w Golmud w Chinach o mocy 138 MWp. Aut. fot.
Vinaykumar8687, licencja CC BY-SA 4.0, źródło: https://commons.wikimedia.org/wiki/File:3_MW_CPV_project_in_Golmud,_China.jpg .

Instalacje nadążne na wodzie

Instalacje fotowoltaiczne zainstalowane na powierzchni wody są najrzadziej spotykanymi pośród wszystkich typów instalacji
fotowoltaicznych. W tego typu instalacji panele są umieszczane na pływającej platformie i śledzą ruch Słońca poprzez jej obrót
wokół własnej osi. Jeden ze sposobów wprowadzenia w ruch platformy z panelami PV polega na skręcaniu jej dzięki kołu
tocznemu. Innym sposobem wprowadzenia w ruch obrotowy pływającej instalacji jest zastosowanie stałego miejsca do
cumowania i sterowanie liną. Kolejnym przykładem pływającej instalacji nadążnej jest system fotowoltaiczny z koncentratorem
promieniowania słonecznego FTCC (ang. Floating Tracking Cooling Concentrator). Instalacja FTCC składa się z pływających
platform, na których zamontowane są poziomo panele fotowoltaiczne, a koncentratory pod kątem w stosunku do powierzchni
paneli, co przedstawiono schematycznie na Rys. 153.

Rysunek 153: Schemat systemu fotowoltaicznego z koncentratorami promieniowania słonecznego. Oprac. własne.

System FTCC porusza się ruchem nieuporządkowanym wraz z falowaniem wody. Pierwszą tego typu instalację wykonano w
Colignola w Toskanii w 2011 r.; przedstawiono ją na filmie "Italian engineers pioneer floating solar panels".

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=129
Pierwsza nadążna instalacja fotowoltaiczna pływająca z koncentratorami promieniowania słonecznego w Colignola w Toskanii
AFP News Agency, Italian engineers pioneer floating solar panels (Pierwsza nadążna instalacja fotowoltaiczna pływająca z
koncentratorami promieniowania słonecznego w Colignola w Toskanii), 22.02.2012 (dostęp 02.12.2020). Dostępne w YouTube:
https://youtu.be/foGaExl84gw .

9.6 Instalacje przenośne - przedmioty codziennego

użytku
Fotowoltaiczne systemy przenośne umożliwiają zasilanie prądem urządzeń i obiektów w miejscach, w których zasilanie
tradycyjne z przyczyn technicznych byłoby niemożliwe lub utrudnione. Do tej grupy zaliczyć można m.in.: kalkulatory, zegarki,
plecaki, ubrania, jak również zabawki. Przykłady przedmiotów codziennego użytku zostały przedstawione na Rys. 154, Rys. 155,
Rys. 156.
 Rysunek 154: Kalkulator solarny. Oprac. własne.

Rysunek 155: Zegarek zasilany energią promieniowania słonecznwego Garmin Fenix 6X Pro Solar. Aut. fot. Crishazzard, licencja CC BY-SA 4.0, źródło:
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Garmin_Fenix_6x_Pro_Solar.jpg .

Rysunek 156: Zabawkowy solarny robot zasilany energią promieniowania słonecznego. Oprac. własne.

9.7 Instalacje przenośne - środki transportu

Panele fotowoltaiczne znajdują zastosowanie w środkach transportu jak np.: satelity, samoloty, samochody, jachty, łodzie,
tramwaje wodne itp. Pomysłodawcą pierwszego samolotu zasilanego energią słoneczną, przedstawionego na Rys. 157,
nazwanego Solar Impulse był Bertrand Piccard. Samolot wykonał swój pierwszy lot w 2010 r., a w 2016 r. zakończyła się jego
podróż dookoła świata.
 Rysunek 157: Pierwszy samolot Solar Impulse napędzany energią promieniowania słonecznego. Aut. fot. Rama, licencja CC BY-SA 2.0 FR, źródło:
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Solar_Impulse-IMG_8424-white.jpg?uselang=pl .

Pierwszy bezzałogowy samolot w Polsce został stworzony przez Koło Naukowe AGH Solar Plane w Krakowie ( Rys. 158). Samolot
o rozpiętości skrzydeł prawie 4 m waży tylko 5 kg i może osiągać prędkość ok. 50 km
h
. Samolot zasilany jest energią z 48 paneli
fotowoltaicznych o całkowitej mocy 167 W.

Rysunek 158: Bezzałogowy samolot napędzany energią słoneczną wykonany przez AGH Solar Plane. Fot. Maciej Talar, KSAF Krakowska Studencka Agencja Fotograficzna AGH,
http://ksaf.pl/ .

Ogniwa fotowoltaiczne znalazły także zastosowanie w skrzydłach Międzynarodowej Stacji Kosmicznej, którą przedstawiono na
Rys. 159.
 Rysunek 159: P4 deployed (Międzynarodowa Stacja Kosmiczna wyposażona w ogniwa słoneczne P3/P4). Fot. NASA, licencja CC0, źródło:
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:P4_deployed.jpg .

Odbiorcą instalacji fotowoltaicznych jest także rynek samochodowy. Samochody elektryczne mogą być ładowane za pomocą
elektrycznych stacji ładowania, jak również energią elektryczną wygenerowaną przez ogniwa fotowoltaiczne, które są
bezpośrednio zainstalowane na pojeździe. Przykładem zastosowania ogniw fotowoltaicznych do napędzania pojazdów jest
samochód elektryczny Lightyear One, którego maska, dach i bagażnik pokryty jest ogniwami PV łącznie o powierzchni 5 m2 .
Samochód ten został przedstawiony na Rys. 160.

Rysunek 160: Elektryczny samochód Lightyear One pokryty ogniwami fotowoltaicznymi firmy Lightyear ∞. Fot. wykorzystana za zgodą Lightyear ∞, https://lightyear.one/ .

Panele zbudowane z ogniw monokrystalicznego krzemu o wymiarach 156 mm na 156 mm zostały zastosowane w samochodzie
Volkswagen T5 California, przedstawionym na Rys. 161. W samochodzie zastosowano elastyczne panele fotowoltaiczne firmy
Solbian serii Solbian Flex CP.
 Rysunek 161: Panele Solbian Flex serii CP zastosowane w Volkswagenie T5 California firmy Solbian Energie Alternative SRL. Fot. wykorzystana za zgodą Solbian Energie Alternative
SRL, https://www.solbian.eu/en/ .

Przykładem zastosowania systemów fotowoltaicznych na jednostkach pływających jest statek „Harta”, przedstawiony na Rys.
162. Statek zaprojektowała i wybudowała Stocznia Januszkowice. Zastosowane w statku silniki są produkcji polskiej wykonane
przez Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel, natomiast dostawcą fotowoltaiki i baterii jest firma Soltech Service.
Panele fotowoltaiczne wykorzystane w projekcie statku posiadają maksymalną moc ok. 8 kW.
 Rysunek 162: Statek „Harta” wyposażony w instalację solarną firmy SolTech Service. Fot. wykorzystana za zgodą SolTech Service, https://soltech.com.pl/ .

Ogniwa słoneczne znajdują zastosowanie również w łodziach. Przykładem może być łódź Vindo 32 należąca do Mayi i Aladino z
kanału YouTube Sailing Magic Carpet, którzy za cel obrali opłyniecie świata. Łódź Vindo 32 została wyposażona w elastyczny
panel fotowoltaiczny Solbian serii SP o mocy 130 W, zbudowany z monokrystalicznych ogniw krzemowych. Elastyczne panele
fotowoltaiczne Solbian serii SP znalazły zastosowanie również w katamaranie Alibi 54, który przedstawiono na Rys. 163.

Rysunek 163: Katamaran Alibi 54 wyposażony w 12 elastycznych paneli Solbian serii SP firmy Solbian Energie Alternative SRL. Fot. wykorzystana za zgodą Solbian Energie Alternative
SRL, https://www.solbian.eu/en/ .

Na budowę zero-emisyjnej łodzi wyścigowej z napędem elektrycznym wykorzystującej w 100% odnawialną energię słoneczną
zdecydowali się studenci z Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. Łódź AGH Solar Boat Team zasilana jest 384
monokrystalicznymi ogniwami fotowoltaicznymi serii SunPower c60, dostarczającymi do 1 kW mocy (Rys. 164). Energia ta
gromadzona jest w akumulatorach litowo-jonowych o pojemności 1,5 kWh. Zespół bierze udział w licznych międzynarodowych
wyścigach łodzi solarnych i w 2018 r. zajął 3 miejsca w zawodach Monaco Solar & Energy Boat Challenge [194].
 Rysunek 164: Łódź AGH Solar Boat Team zasilana energią promieniowania słonecznego. Fot. wykorzystana za zgodą AGH Solar Boat Team, http://www.aghsolarboat.pl/ .

Ogniwa fotowoltaiczne znajdują również zastosowanie w namiotach i osłonach przeciwsłonecznych np. w bazie wojskowej Armii
Stanów Zjednoczonych w Afryce przedstawionej na Rys. 165.

Rysunek 165: Osłona przeciwsłoneczna wyposażona w ogniwa fotowoltaiczne. Fot. US Army Africa, licencja CC BY 2.0, źródło:
https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Power_shade_system,_August_2011_(6052976812).jpg .

Innym ciekawym zastosowaniem ogniw fotowoltaicznych jest ich montaż w inteligentnej odzieży wyposażonej w czujniki kontroli
parametrów życiowych. Nad tego typu rozwiązaniem pracowali naukowcy z Uniwersytetu Salento z Włoch, którzy opracowali
ubranie z zasilaniem ogniwami PV o mocy 265 mW [195].
Jednym z problemów stosowania ogniw fotowoltaicznych na ubraniach stanowi brak odporności na działanie wody. Ubranie
odporne na działanie wody z systemem fotowoltaicznym wykonali naukowcy z Tokio. Stworzyli ultracienkie ogniwo
fotowoltaiczne pokryte z obydwu stron rozciągliwą i wodoodporną warstwą. Tego typu ogniwo poddane rozciąganiu i działaniu
wody nie traci swoich fotowoltaicznych właściwości [196].

10. Inwertery
10.1 Funkcje inwerterów
Inwertery, nazywane także falownikami lub przekształtnikami DC/AC, to urządzenia służące do zmiany napięcia i prądu stałego
(DC) na napięcie i prąd przemienny (AC) sinusoidalny o parametrach zgodnych z ich wartościami w sieci publicznej niskiego
napięcia (230/400V, 50Hz). Urządzenia te znajdują zastosowanie w systemach fotowoltaicznych, ponieważ panele fotowoltaiczne
generują energię elektryczną w postaci prądu i napięcia stałego, które muszą zostać przetworzone na prąd i napięcie
przemienne. W celu uzyskania odpowiednich parametrów prądu i napięcia inwertery zbudowane są z następujących elementów
[197]:

przekształtnika DC/DC ze sterownikiem punktu mocy maksymalnej MPPT (ang. Maximum Power Point Tracker),
przekształtnika DC/AC (falownik główny),
filtra wygładzającego LC.

Przekształtnik DC/DC dopasowuje wartość napięcia wejściowego do napięcia wyjściowego. Po przejściu prądu stałego przez
przetwornik DC/DC prąd zostaje przesłany do przekształtnika DC/AC. Następuje konwersja napięcia stałego o określonej
wartości na napięcie przemienne o amplitudzie i częstotliwości dopasowanej do parametrów sieci elektroenergetycznej (230V,
50 Hz). Ostatnim elementem standardowego inwertera jest filtr wygładzający LC, który ogranicza zawartość wyższych
harmonicznych do poziomu określonego przez normy. Na rysunku Rys. 166 (oprac. na podstawie [197]) został przedstawiony
schemat przekształtnika DC/DC obniżającego napięcie (Rys. 166a) oraz podwyższającego napięcie (Rys. 166b) (oprac. na
podstawie [197]). Schemat przekształtnika DC/AC przedstawia Rys. 167 (oprac. na podstawie [197]), natomiast schemat filtra
wygładzającego Rys. 168 (oprac. na podstawie [197]). Na schematach zastosowano następujące oznaczenia: L – cewka, D – dioda,
C – kondensator, R – rezystor, F – bezpiecznik, Ł – przełącznik, T – tranzystor oraz Tr – transformator, a ze szczegółowym opisem
zasady działania poszczególnych układów elektronicznych można zapoznać się na przykład w książce A. Filipowicza [198].

Rysunek 166: Schemat przekształtnika DC/DC a) podwyższającego napięcie, b) obniżającego napięcie. Oprac. własne.

Rysunek 167: Schemat przykładowego przekształtnika DC/AC z transformatorem na wyjściu. Oprac. własne.

Rysunek 168: Schemat filtra wyjściowego AC. Oprac. własne.

10.2 Klasyfikacja inwerterów

Instalacje fotowoltaiczne mogą być podłączone do sieci elektroenergetycznej lub mogą stanowić instalację samodzielną. Ze
względu na ten podział instalacji inwertery dzielą się na:

wyspowe,
sieciowe,
hybrydowe.

Inwertery wyspowe umożliwiają ładowanie akumulatorów i nie są podłączone do sieci elektroenergetycznej. Możliwość
przesyłania energii do sieci bez możliwości ładowania akumulatorów posiadają inwertery sieciowe. W przypadku inwerterów
sieciowych, jeśli napięcie sieci elektroenergetycznej zniknie, automatycznie dochodzi do wyłączenia inwertera. Jest to kluczowe
ze względu na bezpieczeństwo, w przypadku kiedy np. wykonywane są prace konserwacyjne, dystrybutor prądu przestaje zasilać
sieć i niepożądane jest oddawanie prądu wygenerowanego przez instalacje PV. Inwertery hybrydowe mogą być przełączane w
oba modele pracy.
Inwertery stosowane w instalacjach fotowoltaicznych są również klasyfikowane ze względu na wielkość, czyli moc instalacji
fotowoltaicznych, z którą współpracują [155]:

mikroinwertery, pracujące tylko z jednym panelem o mocy ok. 0,35 kW,

inwertery stringowe (szeregowe), mające zastosowanie w małych instalacjach zbudowanych z szeregu paneli
fotowoltaicznych o mocy od 1 do 50 kW,
inwertery centralne, stosowane w dużych instalacjach fotowoltaicznych takich jak farmy PV, generujących moc rzędu
kilkudziesięciu MW.

W zależności od obecności w inwerterze transformatora, który ma na zadanie oddzielić galwanicznie stronę prądu stałego od
strony prądu zmiennego, falowniki dzieli się na [199]:

transformatorowe,
niskiej częstotliwości LF, w których transformator znajduję się na wyjściu i pracuję z częstotliwością 50Hz,
wysokiej częstotliwości HF, w których transformator znajduje się na wejściu urządzenia i pracuję z częstotliwością 20-
24 kHz (na wyjściu do sieci częstotliwość wynosi 50Hz),
beztransformatorowe.

Inny podział inwerterów opiera się na ilości faz, do których mogą one być podłączone. Wśród nich wyróżnia się inwertery:

jednofazowe, stosowane w przypadku małych instalacji rzędu kilku kW,

trójfazowe, dedykowane dla instalacji o mocy wyższej niż kilka kW [155].

10.3 Dobór inwerterów

Dobór inwertera do instalacji fotowoltaicznej jest bardzo ważnym etapem projektowania systemów PV. Źle dobrany inwerter,
nawet przy dobrych jakościowo panelach fotowoltaicznych, może znacząco obniżyć sprawność całej instalacji. Kluczowym
parametrem w doborze inwertera jest jego moc po stronie prądu stałego. Zgodnie z ogólnie przyjętą zasadą moc instalacji
fotowoltaicznej powinna wynosić od 85 do 118% mocy inwertera. Wynika to z faktu, że rzeczywiste warunki pracy paneli
fotowoltaicznych są różne od warunków laboratoryjnych, w których są badane (warunki STC: 1000 W2 , 25°C, AM1.5). Instalacja
m
fotowoltaiczna rzadko pracuje w warunkach swojej nominalnej mocy.
Dobór inwertera do instalacji fotowoltaicznej może odbywać się na jego doborze pod względem ilości regulatorów punktu mocy
maksymalnej MPPT. W przypadku, kiedy instalacja fotowoltaiczna zbudowana jest z inwertera z jednym MPPT to punkt
maksymalnej mocy MPPT będzie szukany dla wszystkich paneli jednocześnie. Ma to również miejsce, gdy panele tworzą kilka
łańcuchów i są połączone oddzielnie do inwertera. Z tego względu ważne jest, aby każdy panel PV miał zbliżone warunki pracy i
parametry. Natomiast instalacja fotowoltaiczna zbudowana z kilku szeregów łańcuchów o różnej liczbie paneli lub
nierównomiernym oświetlaniu wymaga zastosowania inwertera o większej licznie MPPT. W takim przypadku każdy łańcuch paneli
PV połączony do danego MPPT będzie odbierany przez inwerter, jako jeden oddzielny generator energii [155].
Dopasowanie inwertera przeprowadza się także na podstawie technologii, w jakiej zostały wyprodukowane panele zastosowane
w instalacji fotowoltaicznej. W przypadku paneli monokrystalicznych, polikrystalicznych, cienkowarstwowych CIS/CIGS, a także
mikromorficznych, w których warstwa przezroczystych tlenków przewodzących (TCO) jest oddzielona laminatem od szyby,
możliwe jest zastosowanie zarówno inwerterów beztransformatorowych jak i transformatorowych. Inwertery transformatorowe
galwanicznie izolowane są stosowane w przypadku instalacji wykonanej z paneli, w których warstwa TCO nie jest izolowana od
szyby. Dotyczy to paneli wykonanych w technologii cienkowarstwowej CdTe i amorficznych, które wymagają uziemienia bieguna
ujemnego [200]. Brak uziemienia może spowodować przepływ prądu do ramy panelu, co z kolei może powodować wytrącanie się
jonów sodu ze szkła i jego matowienie. Dzięki zastosowaniu inwertera transformatorowego zapewniana jest separacja
galwaniczna między stronami DC i AC systemu PV. W przypadku wystąpienia zwarcia po stronie DC prąd zwarcia nie płynie przez
inwerter, co chroni go przed uszkodzeniem.

11. Magazynowanie energii elektrycznej

11.1 Sposoby magazynowania energii
Magazynowanie energii jest jednym z podstawowych elementów w systemach produkcji energii ze źródeł odnawialnych. Jest to
szczególnie ważne, gdy energia produkowana jest niesystematycznie, jak to jest w przypadku systemów fotowoltaicznych, gdzie
dostępność energii słonecznej jest różna w skali roku – zmienia się w zależności od pory roku, w dzień i w nocy oraz z dnia na
dzień (różne warunki pogodowe). Zużycie energii w zależności od pory dnia i roku obrazuje Rys. 169. Aby zrównoważyć różne
schematy czasowe obciążeń i produkcji energii słonecznej, magazynowanie energii musi być włączone do prawie wszystkich
autonomicznych systemów zasilania.
 Rysunek 169: Produkcja (oznaczenie zielone) i konsumpcja (oznaczenie pomarańczowe) energii elektrycznej w domu z instalacją fotowoltaiczną. Oprac. własne.

Wymagania dotyczące elektrycznych systemów magazynowania energii [149]:

wysoka efektywność energetyczna,

długa żywotność,
dobra wydajność ładowania nawet przy bardzo niskich prądach,
niska szybkość samorozładowania,
duża dostępność mocy,
łatwe oszacowanie stanu naładowania i stanu zużycia,
bezpieczne zachowanie przy przeładowaniu lub głębokim wyładowaniu,
łatwość zwiększenia napięcia i pojemności poprzez połączenie szeregowe i równoległe,
mała różnica napięcia między ładowaniem a rozładowywaniem,
możliwość szybkiego ładowania,
brak efektu utraty pojemności,
niski potencjał wybuchowy,
wysoka niezawodność pracy,
łatwy recykling,
niska toksyczność materiałów,
niskie koszty.

Przez magazynowanie energii rozumie się wszelakie metody, umożliwiające przechowywanie wytworzonej energii elektrycznej.
Obecnie profesjonalne magazynowanie energii w skali świata jest oparte na specjalnych elektrowniach [ 201]. Zgodnie z ustawą o
OZE magazynem energii jest wyodrębnione urządzenie lub zespół urządzeń służących do przechowywania energii w dowolnej
postaci, niepowodujących emisji będących obciążeniem dla środowiska, w sposób pozwalający co najmniej na częściowe jej
odzyskanie.

Sposoby magazynowania energii elektrycznej otrzymanej z

energii słonecznej
Magazynowanie energii elektrycznej w sieci elektroenergetycznej
Możliwe jest traktowanie sieci elektroenergetycznej jako sposobu na magazynowanie energii słonecznej. W okresie zbyt dużej
produkcji prądu nadwyżka wprowadzana jest do sieci, skąd w dowolnym czasie może być odebrana, ale tylko w 80%, pozostałe
20% jest liczone jako „opłata” dla zakładu energetycznego za tę formę przechowywania energii. Swobodny przepływ energii
między siecią a konsumentem możliwy jest dzięki dwukierunkowemu licznikowi. Taka forma instalacji fotowoltaicznej to on-grid.
Oczywiście, nie pozwala ona na osiągnięcie energetycznej autonomii, ale umożliwia korzystanie z energii elektrycznej
wytworzonej we własnym domu, bez posiadania baterii akumulatorów.

Magazynowanie energii elektrycznej – inne sposoby

Istnieją możliwości magazynowania energii elektrycznej w polu elektrycznym i magnetycznym, a także poprzez jej zamianę na
energię elektrochemiczną, mechaniczną, chemiczną oraz energię termiczną. Niektóre z nich mogą być użyte w gospodarstwach
domowych, a inne do zastosowań przemysłowych.

Zamiana na energię elektrochemiczną

Najbardziej intuicyjna i prosta metoda magazynowania energii to ładowanie akumulatorów. Obecnie stosuje się akumulatory
kwasowo-ołowiowe, niklowo-kadmowe (NiCd), niklowo-metalowo-wodorkowe (NiMH) i litowo-jonowe [202]. Akumulatory
magazynują prąd stały pod napięciem, np. 12 V. W celu wykorzystania energii zgromadzonej w akumulatorach konieczne jest
podłączenie do urządzeń elektronicznych, które zamieniają prąd stały na zmienny, czyli zastosowania inwerterów.
Zagadnienia magazynowania energii w akumulatorach wymagają omówienia jeszcze kilku tematów, np. kwestii maksymalnych i
minimalnych napięć odbioru i dostarczania prądu do akumulatora.

Zamiana na energię mechaniczną

Duże elektrownie z turbinami gazowymi korzystają ze sprężonego powietrza jako sposobu na magazynowanie energii. W ciągu
dnia, gdy produkcja energii elektrycznej jest największa następuje sprężanie powietrza. W momencie, gdy w sieci jest
zapotrzebowanie, to sprężone powietrze jest wykorzystywane do produkcji energii elektrycznej. W przypadku małych instalacji
ze względu na małą wydajność takie przechowywanie energii nie jest opłacalne.
Można energię elektryczną przechowywać z zastosowaniem tak zwanych elektrowni szczytowo-pompowych, wyposażonych w
tzw. pompoturbiny, które w ciągu mniejszego zapotrzebowania na energię elektryczną pompują wodę do wyżej położonego
zbiornika. A zmagazynowana w ten sposób energia jest odzyskiwana przez pompoturbinę rewersyjną w okresie wzrostu
zapotrzebowania na energię. Elektrownie szczytowo-pompowe znakomicie nadają się do magazynowania ogromnych ilości
energii w długim czasie, odbierając moc z systemu w czasie jej nadpodaży, zaś dostarczając w okresie zwiększonego
zapotrzebowania. Sprawność magazynowania energii w elektrowni szczytowo-pompowej zawiera się w przedziale od 65 do 85%,
co stanowi bardzo dobry wynik na tle innych technologii magazynowania energii.

Zamiana na energię kinetyczną

Na krótką metę można magazynować energię w postaci energii kinetycznej wirującego koła zamachowego (Rys. 170) [201].
Stosowane są one często w silnikach spalinowych (o mniejszej niż 6 liczbie cylindrów) do wyrównywania ich pracy, więc
technologia ta jest w miarę dobrze opanowana. Ale poza nielicznymi zastosowaniami (np. w samochodach hybrydowych) na
większą skalę one się nie pojawiają.

Rysunek 170: G2 front2 (koło zamachowe G2). Fot. NASA, licencja CC0, źródło: https://commons.wikimedia.org/wiki/File:G2_front2.jpg .

Chemiczne magazynowanie energii elektrycznej – produkcja wodoru

Jednym ze sposobów produkcji wodoru jest elektroliza. Zaletą magazynowania energii w postaci wodoru jest możliwość
przechowywania go przez długi czas oraz wysoka gęstość energii (trzykrotnie większa niż w przypadku benzyny i ponad
stukrotnie większa niż w przypadku akumulatorów). Dzięki temu może potencjalnie być wykorzystywany jako paliwo
samochodowe. Zastosowanie wodoru w ogniwach paliwowych daje możliwość, podobnie jak koła zamachowe, reagowania na
gwałtowne zmiany zapotrzebowania na energię w sieci.
Alternatywą dla przechowywania energii w postaci wodoru jest przechowywanie jej w postaci metanu. Jest on łatwiejszy do
przechowywania przez długi czas, a ponadto może być bezpośrednio wykorzystywany w istniejących elektrowniach gazowych.
Wadą są dalsze straty energii w procesie wytwarzania metanu, które sprawiają, że całkowita ilość odzyskiwanej energii nie
przekracza 38% [203]. Wytwarzanie metanu jest atrakcyjne dla przechowywania nadmiarowej energii wytwarzanej przez
elektrownie fotowoltaiczne, a także wiatrowe [204]. Instalacje zamieniające nadmiarową energię w metan powstały w Danii oraz
w Niemczech.

Magazynowanie energii elektrycznej w superkondensatorach

Superkondensator to rodzaj kondensatora elektrolitycznego o dużej pojemności. Działa on gromadząc ładunek na podwójnej
warstwie elektrycznej, która powstaje na granicy elektrolitu i elektrody. Wykorzystane nanorurki węglowe pozwalają na
uzyskanie dużej powierzchni, a dzięki temu wzrasta pojemność kondensatorów. Przewagą superkondensatorów [205] nad
akumulatorami jest większa gęstość energii. Oznacza to, że potrafią one oddać energię o dużej mocy. Co więcej, ogromną zaletą
jest mały spadek właściwości użytkowych i długa żywotność (do 20 lat eksploatacji).

Wykorzystanie pola magnetycznego

Wykorzystanie pola magnetycznego jako magazynu energii dla prądu stałego wymaga nadprzewodnika. Pole magnetyczne,
wytworzone przez prąd w nadprzewodniku, utrzymuje się przez nieskończenie długi czas, a co za tym idzie, energia może być w
nim przechowywana też dowolnie długo. Niestety nadprzewodniki wymagają niskich temperatur, czyli chłodzenia, co jest bardzo
kosztowne. Wydajność takiego układu jest rzędu 95%, niestety przechowywanie dużej ilości energii nie jest możliwe [206].
Magazynowane energii elektrycznej – procesy termiczne
Energię nadmiarową można zmagazynować przez ochłodzenie powietrza do -195°C co powoduje jego skroplenie. Objętość
powietrza spada tysiąc razy, a jego przechowywanie staje się znacznie prostsze niż przechowywanie sprężonego wodoru. W
momencie zapotrzebowania skroplone powietrze można ogrzać, co spowoduje jego zamianę w gaz pod dużym ciśnieniem, który
można użyć do napędzania turbiny generującej prąd elektryczny. Wykorzystanie ciepła odpadowego z elektrowni może podnieść
jej efektywność do 70% [207], [208].
Istnieje szereg metod przechowywania energii w postaci różnicy temperatur. W większości zastosowań energia ta jednak nie jest
zamieniana potem na energię elektryczną, tylko wykorzystywana w zmagazynowanej postaci (np. do ogrzewania).
Metody, które umożliwiają magazynowanie energii elektrycznej, to między innymi pompa ciepła. Pompa ciepła może być
wykorzystana do magazynowania energii w następujący sposób: dwa zbiorniki o dużej pojemności cieplnej połączone są pompą.
W momencie małego zapotrzebowania na prąd pompuje się ciepło do gorącego zbiornika. W momencie większego
zapotrzebowania pompa jest wyłączana, a zamiast tego uruchamiane są turbiny generujące prąd dzięki różnicy temperatur.
Brytyjska firma Isentropic rozwija to rozwiązanie, przewidując, że może stać się ono konkurencją dla elektrowni szczytowo-
pompowych, przy kosztach rzędu 35$/MWh i efektywności odzyskiwania energii rzędu 72-80% [209].

11.2 Akumulatory
Energię, wytworzoną przez panele fotowoltaiczne w ciągu dnia, która nie została zużyta przez odbiorniki, można magazynować w
akumulatorach różnego typu. Efektywność ich działania szacowana jest na poziomie 90%. Zmagazynowana energia może być
zużywana w nocy lub w dni ze złymi warunkami pogodowymi. Koszty magazynów energii w układzie off-grid dochodzą do
poziomu około 30% kosztów całej instalacji fotowoltaicznej. Na Rys. 171 pokazano schemat elektryczny układu fotowoltaicznego
typu off-grid z magazynem energii, czyli zestawem akumulatorów.
W momencie ładowania energia elektryczna zamieniana jest na energię chemiczną, a w procesie rozładowania (pobierania
energii) energia chemiczna zamieniana jest na elektryczną. Zaletami akumulatorów są:

1. możliwość przenoszenia magazynu energii elektrycznej,

2. możliwość dostarczania dużej ilości energii w krótkim czasie,
3. niezawodność,
4. dostarczanie energii w postaci prądu stałego.

Energia wytwarzana w panelach fotowoltaicznych w ciągu dnia, która nie była zużywana przez odbiorniki, jest magazynowana w
akumulatorach. Zmagazynowana energia może być zużywana w nocy lub w dni ze złymi warunkami pogodowymi. Akumulatory w
systemach fotowoltaicznych są często ładowane/rozładowywane, dlatego muszą spełniać większe wymagania od akumulatorów
stosowanych np. w samochodach. Najczęściej stosowane są akumulatory klasyczne, kwasowo-ołowiowe (PbA), produkowane
specjalnie dla systemów fotowoltaicznych, które jednak mają ten minus, że psują się przy regularnym rozładowywaniu poniżej
50%. Inne rodzaje wykorzystywanych akumulatorów, to akumulatory niklowo-kadmowe (NiCd) lub niklowo-metalowo-
wodorkowe (NiMH), w których wymagane jest głębokie rozładowanie oraz akumulatory litowo-jonowe.
Akumulatory hermetyczne często zawierają elektrolit w postaci żelu i wtedy nie wymagają konserwacji. Żywotność typowych
akumulatorów podłączonych do systemów fotowoltaicznych trwa od trzech do pięciu lat, w zależności od cykli
ładowania/rozładowywania, temperatury i innych parametrów. Im akumulator jest częściej ładowany/rozładowywany, tym
krótszy jest okres jego eksploatacji.

Akumulatory, zależnie od rodzaju, mogą być ładowane na różne sposoby, na przykład przy stałym prądzie, przy stałym napięciu
itp. Sposób ładowania określany jest przez producenta.
Akumulatory opracowane specjalnie dla systemów fotowoltaicznych są zaprojektowane tak, aby miały następujące właściwości
[149]:

1. wytrzymałość na zmiany cykliczne,

2. niezawodność w cyklicznych warunkach rozładowania,
3. wzrost wydajności przy wolnym tempie rozładowania,
4. niskie samorozładowanie,
5. wysoka energia (kWh – kilowatogodzin) i pojemność (Ah - amperogodzin),
6. możliwość pracy w szerokim zakresie temperatur,
7. opłacalność,
8. długa żywotność, niskie wymagania konserwacyjne.

Wymagania techniczne dotyczące wydajności i energii systemu fotowoltaicznego typu off-grid, czyli poza siecią, są prezentowane
przez Rydh i Sandén [150]. Aby uzyskać dostateczną ilość energii zimą do zmagazynowania, wymagana jest większa ilość paneli
fotowoltaicznych niż wynika to ze średniego zużycia energii. Są potrzebne, by wychwycić wystarczająco dużo energii w ciągu kilku
słonecznych godzin zimą i zmagazynować ją w akumulatorach. Aby wykorzystać energię z akumulatorów i z paneli
fotowoltaicznych, niezbędny jest odpowiedni układ elektroniczny, którego schemat przedstawiono na Rys. 171.
 Rysunek 171: Schemat układu elektrycznego systemu fotowoltaicznego off-grid: a) elementy układu, b) kolejne procedury wykonywane przez urządzenia. Oprac. własne.

Na Rys. 171 pokazano schemat działania układu elektrycznego systemu fotowoltaicznego off-grid. Panel fotowoltaiczny zamienia
energię promieniowania słonecznego na energię elektryczną, która poprzez wyłącznik oraz miernik skierowana jest do
sterownika ładowania do magazynu energii oraz odbiorników prądu stałego (DC). Z magazynu energia płynie poprzez miernik i
wyłącznik do falownika, który przetwarza prąd stały (DC) na prąd zmienny (AC). Prąd AC przekazywany jest dalej do odbiorników
(AC).
Magazyny energii w postaci akumulatorów ołowiowych składają się z komory, w której znajduje się ciekły elektrolit, czyli kwas
siarkowy H2 SO4 w którym zanurzone są elektrody, elektroda dodatnia P bO2 oraz elektroda ujemna Pb. Zachodzą tutaj
następujące procesy ładowania i rozładowana – zob. Rys. 172.

Rysunek 172: Proces ładowania i rozładowania akumulatora. Oprac. własne.

Akumulator całkowicie naładowany, to taki, w którym elektroda dodatnia pokryta jest nadtlenkiem ołowiu, a ujemna to czysty
ołów. W tym momencie cały kwas jest w elektrolicie, czyli ciężar właściwy elektrolitu jest największy. W czasie rozładowywania
część kwasu łączy się z płytą elektrod, tworząc związek siarczan ołowiu, powstający na obu elektrodach. W czasie trwania tego
procesu można mierzyć ciężar właściwy elektrolitu, który będzie się zmniejszał, dając informację o stanie rozładowania
akumulatora. W czasie ładowania akumulatora kwas siarkowy jest wypychany z płytek akumulatora do elektrolitu. W tym
momencie ciężar właściwy elektrolitu będzie wzrastał, aż do całkowitego naładowania akumulatora.
Po całkowitym naładowaniu akumulatora, energia dostarczona do niego powoduje elektrolizę wody, podczas której wydziela się
wodór i tlen. Jest to główny powód dodawania wody do ogniw akumulatorowych.

Do popularnych producentów produkujących akumulatory należą Tesla, Mercedes Benz, MA, LG Chem i Enphase [202].
Akumulatory Tesli charakteryzują się wysoką wydajnością rzędu 90% z gwarancją na 10 lat. Mercedes Benz produkuje
akumulatory o pojemności 2,5 kWh, które można łączyć w zespół do 8 akumulatorów.
Produkt Tesli z serii PowerWall 2 zawiera akumulator (produkcji Panasonic) wraz z falownikiem. Charakteryzuje się on
wydajnością rzędu 90% oraz możliwością rozładowania do 100%. SMA produkuje falownik, które mogą być używane w systemie
off-grid i on-grid jak też zintegrowane z akumulatorami Mercedes-Benz, LG Chem, Sony i innymi. LG Chem opracował serię
akumulatorów, których sprawność sięga 95%. Marka Enphase produkuje małe akumulatory o sprawności do 96% oraz możliwości
rozładowania do 95%. W tabeli (na Rys. 173) przedstawiono porównanie parametrów akumulatorów różnych producentów.
Najważniejsze z nich to pojemność i gwarantowana żywotność.
Tabela porównuje parametry akumulatorów różnych producentów.
 Rysunek 173: Porównanie parametrów akumulatorów różnych producentów. Oprac. własne.

Pojemność akumulatora określa jaka energia może być zmagazynowana, oczywiście im wartość jest większa tym lepiej. Następna
wielkość to technologia w jakiej wytwarzany jest akumulator. Żywotność akumulatora określa po jakim czasie (po ilu latach)
możliwość magazynowania energii zmniejszy się do jakiej wartości początkowej. W następnych wierszach podane są waga,
wymiary, możliwość rozbudowy i zastosowania jako UPS.

11.3 Zbiorniki sprężonego powietrza

Jednym ze sposobów zmagazynowania energii jest sprężanie powietrza. W okresach kiedy energia jest tania lub korzystając ze
źródeł odnawialnych dokonujemy kompresji powietrza i gromadzimy skompresowany gaz w zbiornikach. Schemat takiego
systemu kompresji i produkcji energii elektrycznej z wykorzystaniem energii zgromadzonej w zbiornikach gazu przedstawiono na
filmie "CAES - Compressed Air Energy Storage - IMAGES Project – animation".

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=178
 Compressed Air Energy Storage
IMAGES Project, CAES - Compressed Air Energy Storage - IMAGES Project – animation, 18.12.2015 (dostęp 12.12.2020). Dostępne
w YouTube: https://youtu.be/MNVG7x9ZKBc .

W systemie wprowadzany jest gaz przez filtr, kompresory nisko- i wysokociśnieniowe do wielkogabarytowych zbiorników
naturalnych, takich jak podziemna komora solna lub sztucznych o mniejszej objętości. Chłodnica obniża temperaturę gazu w celu
zmniejszenia naprężeń termicznych w instalacji. Procesy napełniania zarówno naturalnego zbiornika jak i sztucznego
przedstawiono w kolejnych kadrach filmu. Tak zgromadzona energia może być użyta w dowolnym momencie np. szczytu
energetycznego kiedy ceny energii elektrycznej są najwyższe lub w sytuacjach awaryjnych do produkcji energii elektrycznej.
Sprężony gaz jest uwalniany i poprzez rekuperator oraz komory podgrzewania napędza turbiny wysokociśnieniową, a następnie
niskociśnieniową. Współosiowo z turbinami umieszczony jest generator wytwarzający energię elektryczną, która jest
przekazywana do sieci. Schemat procesu produkcji energii elektrycznej jest pokazany w końcowych kadrach filmu, gdzie
sprężone powietrze pobierane jest z podziemnej komory solnej.

Produkcja przebiega analogicznie jeśli pobieramy sprężony gaz ze sztucznych zbiorników. Już samo napełnianie zbiorników w
okresach taniej energii i produkcja w okresach kiedy cena energii jest wysoka jest uzasadnione ekonomicznie. Proces staje się
jeszcze bardziej opłacalny jeśli system zasilimy z elektrowni fotowoltaicznej, której maksima produkcji nie pokrywają się z
maksimami zużycia w sieci. Drugim jeszcze poważniejszym argumentem jest bezpieczeństwo energetyczne. Systemy ze
sprężonym powietrzem podobnie jak elektrownie pompowo-szczytowe stanowią poważne zabezpieczenie ciągłości dostaw
energii elektrycznej w przypadku awarii innych źródeł.
Przykład działania instalacji ze sprzężonym powietrzem przedstawiono na filmie "RWE Power: ADELE - Adiabatic compressed-air
energy storage (CAES) for electricity supply".

http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=176
Działanie instalacji ze sprężonym powietrzem
RWE, RWE Power: ADELE - Adiabatic compressed-air energy storage (CAES) for electricity supply (Działanie instalacji ze
sprężonym powietrzem), 12.05.2010 (dostęp). Dostępne w YouTube: https://youtu.be/K4yJx5yTzO4 .

11.4 Zbiorniki ciekłych gazów

Zasobniki energii na sprężone powietrze mają silnego konkurenta jakim są zbiorniki na ciekłe powietrze. Zasadniczą różnicą –
pomijając system sprężania gazu zamieniony na system skraplania – jest fakt, że w tej samej objętości zbiornika możemy
przechowywać znacznie większe ilości gazu, jeśli jest on w postaci cieczy. Dodatkową emocję wiążemy z tą technologią, bo
podobnie jak w przypadku produkcji monokryształów, gdzie twórcą metody był Polak – Jan Czochralski, w przypadku skraplania
powietrza pierwszymi uczonymi, którzy tego dokonali w 1883 r. byli Profesorowie Uniwersytetu Jagielońskiego – Karol Olszewski
i Zygmunt Wróblewski. Proces skraplania, a następnie produkcji energii elektrycznej przedstawiono na wideo animacji (zob. film
"Liquid Air Energy Storage Animation 2018"). Przedstawia ona ideę użycia ciekłego powietrza do produkcji jako zasobnika do
produkcji energii elektrycznej. System LAES (ang. Liquid Air Energy Storage) opracowany koncepcyjnie w Wielkiej Brytanii jako
modułowy system do powielania na instalacje o dużych mocach produkcyjny został uruchomiony jako instalacja pilotująca w
Slough.
 http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-video.php?id=177
Liquid Air Energy Storage Animation
Highview Power, Liquid Air Energy Storage Animation 2018, 17.04.2018 (dostęp 12.12.2020). Dostępne w YouTube:
https://youtu.be/kDvlh_aG7iA .

12. Projektowanie instalacji PV wspomagane

komputerowo
12.1 Używane programy symulacyjne
Projektowanie instalacji fotowoltaicznej możliwe jest dzięki użyciu specjalistycznego oprogramowania. Programy do symulacji
pozwalają na optymalizację instalacji PV, jak również na ocenę oczekiwanych efektów i założeń projektanta. Przykładowymi
programami służącymi do projektowania instalacji PV są:

PV*SOL,
Polysun,
Easy Solar,
PV Designer,
PV Manager,
Blue Sol,
Fronius Solar Configuration.

Programy te są dedykowane dla projektantów instalacji fotowoltaicznych, jak również architektów, czy instalatorów. Programy
mogą stanowić także pomoc naukową lub dydaktyczną dla studentów uczelni wyższych. Laboratorium Fotowoltaiczne na
Wydziale Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji AGH wyposażone jest w dwa specjalistyczne programy służące do
projektowania instalacji fotowoltaicznej. Programami tymi są PV*SOL oraz Polysun – używane przez projektantów na całym
świecie.

12.2 Projektowanie instalacji w programie PV*SOL

Program PV*SOL to program firmy Valentin Software GmbH służący do projektowania, dynamicznej symulacji i kalkulacji uzysku
energii z dachowych i gruntowanych systemów fotowoltaicznych. Przed przystąpieniem do projektowania systemów
fotowoltaicznych należy przeprowadzić wywiad z klientem w celu uzyskania informacji na temat obiektu i terenu
przeznaczonego pod montaż instalacji. Ważne jest określenie orientacji obiektu względem słońca, rodzaju poszycia dachu oraz
kąta nachylenia dachu, jak również zdobycie wiedzy na temat ukształtowania terenu, w przypadku projektu instalacji na gruncie.
W projekcie należy uwzględnić także obecność obiektów znajdujących się w pobliżu miejsca przyszłej instalacji, mogących mieć
wpływ na jej zacienienie. Należy określić zapotrzebowanie na energię na podstawie rachunków za prąd, liczby domowników oraz
przewidywanych ewentualnych dodatkowych odbiorników w przyszłości. Po zebraniu wszystkich niezbędnych informacji
wykonywany jest projekt instalacji fotowoltaicznej za pomocą oprogramowania.
Program PV*SOL umożliwia wprowadzenie danych projektowych np. numeru oferty i danych projektanta, danych kontaktowych
klienta, opisu projektu, adresu instalacji i planowanej daty uruchomienia. Na Rys. 174 przedstawiono ekran roboczy programu
PV*SOL, umożliwiający wprowadzenie najważniejszych danych projektowych.
 Rysunek 174: Ekran roboczy programu PV*SOL – wprowadzanie danych projektowych. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy Valentin
Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

12.2.1 Projekt obiektów 3D

Projekt instalacji fotowoltaicznej w programie PV*SOL rozpoczynamy od wprowadzenia wstępnych informacji dotyczących
rodzaju instalacji PV, której projekt ma dotyczyć.
W zależności od wersji programu PV*SOL lista typów systemów fotowoltaicznych do zaprojektowania jest różna i z roku na rok
jest rozbudowywana. Wersja programu PV*SOL Premium 2020 umożliwia zaprojektowanie jednego z niżej wymienionych
systemów fotowoltaicznych tj.:

podłączonego do sieci,
podłączonego do sieci z urządzeniami elektrycznymi,
podłączonego do sieci z urządzeniami elektrycznymi i systemami akumulatorów,
podłączonego do sieci z odbiornikami energii elektrycznej i pojazdami elektrycznymi,
podłączonego do sieci z odbiornikami energii elektrycznej, pojazdami elektrycznymi i systemami akumulatorów,
samowystarczalnego,
samowystarczalnego z generatorem dodatkowym.

Po wyborze rodzaju instalacji, projektant dokonuje wizualizacji systemu fotowoltaicznego oraz dla danej lokalizacji wprowadza jej
dane geograficzne i z bazy danych wprowadza warunki klimatyczne (Rys. 175).

Rysunek 175: Ekran roboczy programu PV*SOL – wybór rodzaju instalacji i danych klimatycznych. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy
Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .
Wyszukanie danej lokalizacji z całego świata wraz z przypisaniem jej danych klimatycznych w programie PV*SOL jest łatwe dzięki
interaktywnej mapie wbudowanej w bazie danych MeteoSyn, której główne okno robocze przedstawiono na Rys. 176.

Rysunek 176: Ekran roboczy wbudowanej bazy klimatycznej MeteoSyn w programie PV*SOL. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy Valentin
Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

Do każdej lokalizacji przypisane są warunki klimatyczne jak np. suma roczna nasłonecznienia i roczna średnia temperatura.
Program umożliwia także tworzenie nowych danych klimatycznych albo poprzez metodę interpolacji z istniejących już danych
pomiarowych lub na podstawie własnych danych miesięcznych.
Program umożliwia projektowanie trójwymiarowe obiektów do obłożenia panelami PV, dzięki wbudowanemu modułowi wyboru
rodzaju obiektu 3D, którego funkcje przedstawiono na Rys. 177. Program pozwala także na wprowadzenie do projektu gotowych
elementów budynków (np. okna, drzwi), dachów (np. kominy, lukarny) oraz obiektów (np. ogrodzenia, drzewa), które mogą
znaleźć się w pobliżu instalacji.

Rysunek 177: Ekran roboczy wbudowanego modułu wyboru rodzaju obiektu 3D w programie PV*SOL. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy
Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

Wymiary oraz orientacja względem stron świata wybranego obiektu do obłożenia panelami fotowoltaicznymi, jak również
pozostałych obiektów w projekcie mogą być dowolnie zmieniane za pomocą okna edytowania, które przedstawiono na Rys. 178.
 Rysunek 178: Ekran roboczy programu PV*SOL wraz z przykładowym oknem edytowania parametrów projektowanych obiektów. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania
PV*SOL premium 2020 firmy Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

12.2.2 Projekt instalacji fotowoltaicznej

Położenie paneli fotowoltaicznych w programie PV*SOL realizuje się przy pomocy modułu o nazwie Obłożenie Modułami (Rys.
179). Moduł ten pozwala na pokrycie powierzchni instalacji na dwa sposoby. Pierwszy z nich to ręczne wypełnienie pojedynczymi
panelami, a drugi to automatyczne wypełnienie całej dostępnej powierzchni.

Rysunek 179: Ekran roboczy programu PV*SOL – obłożenie panelami fotowoltaicznymi. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy Valentin
Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

Panele fotowoltaiczne, podobnie jak inwertery, są wybierane z wbudowanej w program bazy, która jest na bieżąco aktualizowana
przez producenta. Dzięki niej możliwy jest szybki wybór paneli fotowoltaicznych, dla których podane są najważniejsze parametry
jak np.: moc znamieniowa, napięcie, natężenie oraz wymiary, a także zastosowany typ ogniwa PV. Przykładowy widok bazy
komponentów przedstawiono na Rys. 180.
 Rysunek 180: Baza danych producentów paneli fotowoltaicznych w programie PV*SOL. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy Valentin
Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

Przykład projektu instalacji fotowoltaicznej zainstalowanej na dachu spadzistym skierowanym w kierunku południowym
przedstawiono na Rys. 181. Program umożliwia edytowanie parametrów paneli takich jak np. odległość między panelami oraz
usytuowanie względem dachu. Przykładowa instalacja składa się z 19 paneli fotowoltaicznych serii GH240P156 firmy GH Solar o
łącznej mocy 4,56 kWp. Ponadto program umożliwia automatyczne zaprojektowanie okablowania dla instalacji fotowoltaicznej,
którego schemat przedstawiono na Rys. 182. Program dokonuje obliczeń przekrojów wszystkich zastosowanych kabli, ich
długość, jak również strat w kablach całej instalacji.

Rysunek 181: Ekran roboczy programu PV*SOL przedstawiający zaprojektowaną instalację PV oraz okno do edytowania położenia paneli. Oprac. własne z wykorzystaniem
oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .
 Rysunek 182: Ekran roboczy programu PV*SOL przedstawiający projekt okablowania instalacji fotowoltaicznej. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium
2020 firmy Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

12.2.3 Symulacja efektywności instalacji PV

Program PV*SOL dzięki wbudowanym bazom dotyczących danych klimatycznych, parametrów elektrycznych paneli
fotowoltaicznych i inwerterów umożliwia wykonanie symulacji efektywności pracy zaprojektowanej instalacji fotowoltaicznej.
Program umożliwia symulację zacienienia paneli na przestrzeni całego roku, którego przykładowy wynik przedstawiono na Rys.
183. Wyniki symulacji umożliwiają projektantowi na dobór optymalnego rozłożenia paneli fotowoltaicznych.

Rysunek 183: Zrzut ekranu roboczego programu PV*SOL z wizualizacją rocznego zacienienia dla każdego panelu fotowoltaicznego. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania
PV*SOL premium 2020 firmy Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

Po zakończeniu projektowania możliwe jest wykonanie raportu dla zaprojektowanej instalacji. Wygenerowany w programie
PV*SOL projekt zawiera także m.in.:

wizualizację instalacji fotowoltaicznej,

rodzaj dobranych urządzeń ze schematami ich połączeń, przykład przedstawiono na Rys. 184,
ilość ograniczonej emisji CO2 ,
dane techniczne zastosowanych paneli, inwerterów, konstrukcji oraz okablowania,
analizę czasowo-finansową wyprodukowanej energii,
dane dotyczące średniego natężenia promieniowania słonecznego na powierzchnię panelu oraz jego temperatury.
 Rysunek 184: Schemat przykładowej instalacji fotowoltaicznej wykreślony w programie PV*SOL. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy
Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

Program umożliwia przedstawienie danych w postaci wykresów dotyczących wygenerowanej energii w poszczególnych
miesiącach. Przykład uzyskanych wyników przedstawia Rys. 185.

Rysunek 185: Wykres prognozy uzysku energii wykreślony dla przykładowej instalacji fotowoltaicznej w programie PV*SOL. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL
premium 2020 firmy Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

W raporcie uwzględniony jest oczekiwany czas zwrotu planowanej inwestycji oraz jej analiza opłacalności ekonomicznej, którego
przykład przedstawia Rys. 186.

Rysunek 186: Wykres skumulowanego cashflow w poszczególnych latach wykreślony w programie PV*SOL. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020
firmy Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

Dzięki danym klimatycznym wprowadzonym do programu, możliwe jest otrzymanie zależności natężenia nasłonecznienia na
powierzchnię panelu w poszczególnych miesiącach roku (Rys. 187).
 Rysunek 187: Wykres średniego natężenia promieniowania słonecznego na powierzchnię panelu oraz na powierzchnię poziomą w poszczególnych miesiącach roku wykreślony w
programie PV*SOL. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-
premium/ .

Możliwe jest także m.in. określenie średniej temperatury w ciągu każdego miesiąca dla powierzchni panelu i powierzchni
poziomych Rys. 188.

Rysunek 188: Wykres średniej temperatury powietrza oraz średniej temperatury powierzchni panelu w poszczególnych miesiącach roku wykreślony w programie PV*SOL. Oprac.
własne z wykorzystaniem oprogramowania PV*SOL premium 2020 firmy Valentin Software GmbH, https://valentin-software.com/en/products/pvsol-premium/ .

12.3 Projektowanie instalacji w programie Polysun

Oprogramowanie Polysun firmy Vela Solaris służące do projektowania, obliczania wydajności i optymalizowania instalacji
fotowoltaicznych. Oprócz typowych systemów PV, daje on możliwość symulowania kolektorów hybrydowych PVT
(fotowoltaiczno-termicznych) oraz łączenia systemów fotowoltaicznych z pompami ciepła, chłodnicami i bojlerami. Program
posiada bibliotekę z gotowymi projektami, które można modyfikować. Możliwy jest dobór odpowiedniego układu dla klienta.
Stosowane zapotrzebowanie można optymalizować dla odbiorców, którzy są zainteresowani wytwarzaniem energii na potrzeby
ogrzewania, ciepłej wody (DHW, domestic hot water) lub basenu Rys. 189.
Rysunek 189: Przykładowy układ zasilający ogrzewanie, basen oraz dwupiętrowy dom jednorodzinny. Energia jest generowana przy pomocy ośmiu paneli fotowoltaiczno-termicznych
wysokiej jakości. Oprac. własne z wykorzystaniem oprogramowania Polysun firmy Vela Solaris, https://www.velasolaris.com/ .

13. Przyłączenie elektrowni do sieci

13.1 Regulacje prawne dotyczące przyłączeń
elektrowni
W związku z różnorodnością aspektów, które dotyczą fotowoltaiki, rozporządzenia i akty prawne pochodzą z zakresów prawa
budowlanego, energetycznego, o odnawialnych źródłach energii oraz prawa o ochronie przeciwpożarowej i przeciwporażeniowej
(Rys. 190). W rozdziale zostaną kolejno omówione te zagadnienia.

Rysunek 190: Aspekty prawne dotyczące instalacji fotowoltaicznych. Oprac. własne.

19 września 2020 r. weszła w życie nowelizacja ustawy prawa budowlanego. Ustawa z dnia 13 lutego 2020 r. o zmianie ustawy –
Prawo budowlane oraz niektórych innych ustaw [210].

Według art. 29. ust. 4 pkt. 3 nie jest wymagana decyzja na pozwolenie budowy oraz nie jest wymagane zgłoszenie wykonywania
robót budowlanych, polegających na instalowaniu pomp ciepła, wolno stojących kolektorów słonecznych, urządzeń
fotowoltaicznych o mocy zainstalowanej elektrycznej nie większej niż 50 kW. Pozwolenie jest wymagane jeśli zachodzą
dodatkowe okoliczności np. instalacja wykonywana jest na obiekcie wpisanym do rejestru zabytków, należy do obszaru
Natura2000 lub wymaga przeprowadzenia oceny oddziaływania na środowisko [211], [212]. W przypadku jeśli w związku z
instalacją fotowoltaiczną planowana jest rozbudowa budynku, na którym będzie wykonana instalacja również potrzebne są
pozwolenia na budowę. Ten obowiązek spoczywa na inwestorze i musi on zostać wypełniony przed rozpoczęciem prac
budowlanych. Każda inwestycja (nie tylko fotowoltaiczna) musi być zgodna z planem zagospodarowania przestrzennego lub
decyzją o warunkach zabudowy.

Ustawodawca przewiduje jednak, że w przypadku instalacji o mocy zainstalowanej elektrycznej powyżej 6,5 kW istnieje
obowiązek uzgodnienia projektu instalacji fotowoltaicznej z rzeczoznawcą do spraw zabezpieczeń przeciwpożarowych, pod
względem zgodności z wymaganiami ochrony przeciwpożarowej i jednocześnie zobowiązuje do dokonania zawiadomienia
organów Państwowej Straży Pożarnej (art. 56, ust. 1 ustawy). Nie zostało sprecyzowane jaki zakres projektu powinien zostać
uzgodniony z rzeczoznawcą. Niemniej jednak Stowarzyszenie Branży Fotowoltaicznej przygotowało i opracowało sugerowane
dobre praktyki przeciwpożarowe, dotyczące instalacji montowanych w budynkach, wykonywaniu połączeń za pomocą
szybkozłączek, badaniach termowizyjnych, ochronie kabli i przewodów przed uszkodzeniem, odpowiednich narzędziach,
oznaczeniach instalacji PV, przeglądach serwisowych i dodatkowych zabezpieczeniach w aspekcie ochrony przeciwpożarowej
[213]. Ochrona przeciwpożarowa regulowana jest przez Ustawę z dnia 24 sierpnia 1991 r. o ochronie przeciwpożarowej z
późniejszymi zmianami [214].

Samo podłączenie do sieci reguluje Rozporządzenie Komisji (UE) 2016/631 z dnia 14 kwietnia 2016 r. ustanawiające kodeks sieci
dotyczący wymogów w zakresie przyłączenia jednostek wytwórczych do sieci [215], [216].

13.2 Przyłączenie elektrowni do sieci

Podłączenie do sieci regulują akty prawne [215], [216], z których najistotniejsze jest Rozporządzenie Komisji (UE) 2016/631 z dnia
14 kwietnia 2016 r. Zgłoszenia przyłączenia instalacji do sieci może dokonywać kilka rodzajów podmiotów: osoby fizyczne, osoby
fizyczne prowadzące działalność gospodarczą, przedsiębiorstwa (najczęściej są to mikro, małe i średnie firmy) oraz inne podmioty
prawne. Warunki przyłączania wynikają z rozporządzenia Komisji (UE) 2016/631 z 14 kwietnia 2016 r. ustanawiającego Kodeks NC
RfG (Network Code Requirements for Generators ). Jest to akt, którego zastosowanie w porządkach prawnych krajów
członkowskich UE jest bezpośrednie (tj. nie wymaga aktów bezpośrednich).
Kodeks zdefiniował typy jednostek wytwórczych ze względu na różny poziom napięcia, pod jakim przyłączone są jednostki
wytwórcze i maksymalną moc wytwórczą.
Zostały one zebrane w tabeli na Rys. 191.

Rysunek 191: Typy jednostek wytwórczych ze względu na poziom napięcia pod jakim są przyłączone i maksymalną moc wytwórczą. Oprac. własne.

W przypadku gdy obiekt wyposażony w fotowoltaikę jest już przyłączony do sieci dystrybutora, a moc instalacji nie przekracza
mocy przyłączeniowej możemy dokonać przyłączenia na podstawie zgłoszenia. Jeśli jednak obiekt nie jest podłączony lub moc
fotowoltaiki jest większa od mocy przyłączeniowej, przyłączenia należy dokonać na podstawie wniosku. Należy wtedy wystąpić o
zwiększenie mocy przyłączeniowej lub dostosować przyłącze energetyczne do planowanego wzrostu mocy przyłączeniowej.
Kolejne etapy przyłączenia zostały przedstawione na Rys. 192.

Rysunek 192: Etapy przyłączenia jednostki wytwórczej do sieci energetycznej. Oprac. własne.

Procedura przyłączenia jest bezpłatna. Najpowszechniejsze i najprostsze sa tzw. przyłączenia mikroinstalacji. Jako mikroinstalacje
rozumie się instalację, w której moc szczytowa nie przekracza 50 kWp, jednocześnie moc zainstalowana nie może przekraczać
mocy przyłączeniowej (określonej w umowie o świadczeniu usług). Ustawa o Odnawialnych Źródłach Energii (OZE) zawiera szereg
ułatwień dla tzw. prosumentów [217]. Prosument to połączenie wyrazów „producent” i „konsument”. Prosument jest klientem
zaangażowanym w produkcję konsumowanych dóbr, w tym przypadku energii.

Prosument energii odnawialnej to odbiorca końcowy wytwarzający energię elektryczną wyłącznie z odnawialnych źródeł energii
na własne potrzeby w mikroinstalacji pod warunkiem, że w przypadku odbiorcy końcowego niebędącego odbiorcą energii
elektrycznej w gospodarstwie domowym, nie stanowi to przedmiotu przeważającej działalności gospodarczej określonej zgodnie
z przepisami wydanymi na podstawie art. 40 ust. 2 ustawy z dnia 29 czerwca 1995 r. o statystyce publicznej (Dz. U. z 2019 r. poz.
649 i 730).

W takim wypadku przyłączenie następuje na podstawie złożonego wniosku. Wniosek zawiera dane wnioskodawcy, dane obiektu
przyłączonego do sieci, w którym wykonano mikroinstalację, dane przyłączanej mikroinstalacji (liczbę modułów moc, dane
inwertera) i informacje dodatkowe. Szczegółowe wykazy dokumentów i wnioski przedstawiają konkretni właściciele sieci
dystrybucyjnej.
Ustawa definiuje czas odpowiedzi na wniosek, np. wniosek wnioskodawcy niewyposażonego w źródło, który chce się przyłączyć
do sieci powyżej 1 kV, zostanie rozpatrzony w terminie 60 dni. Wniosek wnioskodawcy wyposażonego w źródło powinien zostać
rozpatrzony w ciągu 120 dni. Po weryfikacji i zatwierdzeniu wniosku o instalacji właściciel sieci dokonuje instalacji licznika
dwukierunkowego. Następnie podpisywana jest odpowiednia umowa regulująca współpracę (umowa sprzedaży lub dystrybucji).
W przypadku prosumentów, czyli osób produkujących prąd również na własny użytek, podpisywana jest umowa kompleksowa.
W przypadku zmian dotyczących systemu (zmianie mocy, zawieszeniu produkcji trwającym od 30 dni do 24 miesięcy, zakończeniu
wytwarzania energii elektrycznej) odbiorca ma obowiązek informować zakład energetyczny.

Przykładowe wnioski :
TAURON – Mikroinstalacja
Energa – zgłoszenie instalacji

13.3 Ochrona antypiorunowa

Uziemienie jest ważnym elementem bezpieczeństwa i wydajności systemów fotowoltaicznych. Uziemianie oznacza połączenie z
ziemią, w punkcie o zerowym potencjale odniesienia. Stosuje się dwie metody uziemienia sprzętu oraz uziemienie systemu.
Uziemienie sprzętu to łączenie ze sobą metalowych ram, obudów, czyli materiałów przewodzących, normalnie nieprzesyłających
prądu i podłączanie ich do ziemi. W ten sposób utrzymuje się te materiały o potencjale 0 V w stosunku do ziemi.
Uziemienie systemowe to podłączenie jednego z przewodów przenoszących prąd w systemie (DC lub AC) do uziemienia w
jednym punkcie, co oznacza, że przewód będzie miał odniesienie do masy, a zatem pozostanie na potencjale 0 V do ziemi.
Ponieważ należy zapobiegać potencjałom na powierzchniach odkrytych, dlatego uziemienie sprzętu jest wymagane we
wszystkich systemach, podczas gdy uziemienie systemu nie jest konieczne [154]. Wszystkie sieci energetyczne w domach czy
mieszkaniach są uziemione, co oznacza, że uziemiony jest zarówno sprzęt jak i system. Uziemienie systemu to połączenia
wykonane dla DC z przewodem ujemnym, a dla AC z neutralnym, przewody te stają się przewodami uziemienia.
Usterka uziemienia to niezamierzone, przewodzące elektrycznie połączenie między przewodem prądowym obwodu
elektrycznego, a przewodami normalnie nieprądowymi, np. metalowymi obudowami, metalowymi bieżniami, urządzeniami
metalowymi lub uziemieniem (Rys. 193).
 Rysunek 193: Odpowiednie uziemienie sprzętu zapewnia ścieżkę niskiej rezystancji do masy dla wszelkich skoków prądów, które mogą wystąpić. Oprac. własne.

Prawidłowo uziemiony panel PV przedstawiono na Rys. 194. Metalowa obudowa połączona jest z prętem uziemienia przez
przewód uziemiający urządzenie. To połączenie uziemiające zapewnia zerowy potencjał w stosunku do ziemi, przez co jest
bezpieczne dla osoby dotykającej skrzynkę i układy elektroniczne wykorzystane w systemie PV.

Rysunek 194: Uziemienie paneli fotowoltaicznych bezpośrednio do ziemi. Oprac. własne.

Na Rys. 194 pokazano ochronę odgromową z dodatkowym przewodem uziemiającym, łączącym bezpośrednio panel
fotowoltaiczny z prętem uziemienia. Połączenie to zapewnia bezpośrednią, niskoomową ścieżkę. Elektronika ma własne
połączenie z uziemieniem. Dzięki temu uziemieniu ryzyko skutków wyładowań atmosferycznych jest znacznie zmniejszone.
Wszystkie systemy elektryczne są narażone na przepięcia przejściowe. Skoki napięcia mogą być spowodowane bezpośrednimi
uderzeniami pioruna, pobliskimi błyskawicami, które indukują prąd i napięcie na przewodach systemowych lub przepięciami sieci
energetycznej, które często są spowodowane dużymi silnikami przemysłowymi lub innymi dużymi obciążeniami indukcyjnymi,
które są wyłączane i włączane. Podczas gdy błyskawica jest zawsze problemem, najczęstsze prawdopodobieństwo przepięcia
pochodzi z sieci użytkowej, więc całe domy i ich urządzenia wymagają ochrony przeciwprzepięciowej. Długie przebiegi
przewodów między tablicą a falownikiem również zwiększają to ryzyko. Typowe miejsca ochrony przeciwprzepięciowej znajdują
się przy wejściu do sieci AC i urządzeniach monitorujących system, które są częścią systemu fotowoltaicznego. Najlepszą ochroną
przeciwprzepięciową jest dobrze uziemiony system.
Uziemienie sprzętu jest absolutnie konieczne we wszystkich systemach fotowoltaicznych [218]. Przewód uziemiający służy do
łączenia wszystkich elementów nośnych i odsłoniętych części metalowych, które mogą mieć kontakt z przewodami
przewodzącymi prąd, np. ramy paneli PV, elementy montażowe układu, metalowe podstawy urządzeń, takich jak falowniki,
rozłączniki i liczniki, metalowe skrzynki podłączeniowe, uchwyty metalowe podtrzymujące przewody oraz każda odsłonięta
metalowa część, która może mieć kontakt z przewodami. W warunkach normalnych prąd nie płynie w przewodzie uziemiającym.
Jedynym okresem, w którym przewodzi prąd jest usterka, gdy przez ścieżkę o niskiej rezystancji płynie prąd do masy. Elementem
uziemiającym jest taśma stalowa ocynkowana (tzw. bednarka) wkopana w ziemię lub pręt wbity w ziemię (Rys. 195). Mogą być
także inne sposoby dające bezpośredni kontakt przewodu uziemiającego z ziemią w otworze, wykopie lub w fundamencie.

Rysunek 195: Dwie metody uziemienia a) podłączenie uziemienia systemu fotowoltaicznego do tzw. bednarki (taśmy stalowej ocynkowanej wokół budynku) i b) pręt (szpilka stalowa
ocynkowana) wbity do ziemi używany jako elektroda uziemiająca, dodatkowo c) pręt uziemiający zakończony grotem. Oprac. własne.

Przewód uziemienia jest zazwyczaj gołym drutem miedzianym, używanym do podłączenia z elementem uziemiającym. Trzeba
tutaj uwzględnić różnice pomiędzy materiałami tworzącymi złącze. Źle dobrane spowodują korozję, a w dalszej kolejności
zwiększenie oporności i utratę połączenia z ziemią.
Na Rys. 196 pokazano przykładowy schemat uziemienia całego systemu fotowoltaicznego zamontowanego na dachu lub elewacji
budynku. Elementy konstrukcji oraz skrzynki ze sprzętem elektronicznym i łączeniowym są uziemione. Przewód ujemny paneli
fotowoltaicznych (DC) jest uziemiony do ziemi przed falownikiem. Zabezpiecza to falownik przed usterką. W ten sposób tworzy
się uziemienie układu po stronie prądu stałego DC. Przewód uziemiający urządzenie po stronie prądu przemiennego (AC) biegnie
od falownika do głównego układu serwisowego, łącząc wszystkie przewody i uziemiając je.
Nieuziemiony system fotowoltaiczny musi spełniać wszystkie wymagania dotyczące uziemienia sprzętu, czyli wszystkie skrzynki i
elementy konstrukcyjne muszą być uziemione. Po stronie DC nie uziemia się przewodu ujemnego ani dodatniego, czyli nie ma
uziemienia po stronie DC. Żaden z przewodów przenoszących prąd po stronie prądu stałego nie jest połączony z ziemią. Brak
uziemienia systemu nie wpływa na funkcjonalność systemu, ale daje możliwość łatwiejszego wykrywania usterek, zarówno
pomiędzy przewodami przewodzącymi prąd, jak i podłożem. W takim przypadku muszą być użyte falowniki specjalne do użytku w
systemach nieuziemionych. Obwody paneli PV muszą być chronione, a izolowane wieloprzewodowe kable powinny być
zainstalowane w specjalnych bieżniach. Przewody do paneli PV muszą posiadać izolację bardziej wytrzymałą niż inne przewody
jednoprzewodowe. Oba muszą być chronione przez urządzenia zabezpieczające nadprądowe i muszą posiadać możliwość
rozłączenia.
 Rysunek 196: Schemat pokazuje przewody uziemiające w systemie montowanym na dachu negatywnie uziemionym. Oprac. własne.

Uziemienie po stronie prądu przemiennego AC jest realizowane przez podłączenie neutralnego przewodu AC do uziemienia w
jednym punkcie. Uziemienie prądu przemiennego jest wykonane w głównej skrzynce serwisowej, która połączona jest ze
skrzynkami i elementami konstrukcyjnymi. Przewód neutralny, który staje się przewodem uziemionym, jest połączony z drutem
łączącym szyny i metalowe korpusy obudowy.

14. Montaż instalacji fotowoltaicznej

14.1 Wymagania montażowe
Montaż instalacji fotowoltaicznej poprzedzony jest wykonaniem dokumentacji projektowej. Projekt instalacji powinien
uwzględniać informację dotyczącą między innymi:

danych inwestora,
mocy instalacji,
ilości energii wyprodukowanej w poszczególnych miesiącach,
liczby i sposobu łączenia paneli PV,
sposobu rozmieszczenia paneli PV,
danych technicznych zastosowanych urządzeń i oprzyrządowania instalacji.

W zależności od tego w jakim miejscu będzie usytuowana instalacja PV, dobieramy adekwatne systemy montażowe.
Poszczególne etapy wykonania instalacji są podobne
bez względu na jej typ. W każdym przypadku należy pamiętać, aby wszystkie ramy paneli zostały uziemione. Uziemienie
wykonywane jest poprzez połączenie wszystkich paneli poprzez tzw. mostki uziemiające, które następnie należy uziemić do pręta
uziomowego. Rezystancja uziomu powinna wynosić mniej niż 10 Ω.

W przypadku montażu instalacji fotowoltaicznej na dachu płaskim i skośnym istotne jest, aby zachować pewien margines od
krawędzi dachu. W obszarach brzegowych dachu instalacja fotowoltaiczna narażona jest na działanie wiatru z tego względu na
podstawie wymiarów budynków oblicza się margines, w którym nie powinno się instalować paneli.
Dla dłuższej krawędzi dachu margines ten wynosi:
y
a= x
10
= 5
(27)
gdzie:
a – szerokość obszaru od krawędzi dachu wyłączony z instalacji paneli fotowoltaicznych,
x – szerokość budynku mierzona wzdłuż ściany budynku równoległej do krawędzi a,
y – wysokość budynku mierzona od gruntu do najwyższego punktu dachu.

Podczas projektowania rozkładu paneli należy uwzględnić odstępy między panelami na klemy oraz odległości separacyjne między
rzędami, które wynoszą minimum 2 cm, dla wszystkich typów instalacji.
W następnych podrozdziałach zostaną przedstawione etapy wykonywania instalacji fotowoltaicznych w zależności od miejsca ich
usytuowania.

14.2 Montaż instalacji na płaskim dachu i gruncie

Montaż instalacji fotowoltaicznej na dachu płaskim nie jest ograniczony przez skosy narzucone przez projekt domu. Kąt
nachylenia paneli powinien wynosić 15-20°, aby pokryć maksymalnie powierzchnię i zapobiec odziaływaniu wiatru. System
montażu paneli PV na płaskim dachu wymaga zastosowania stelaża wykonanego najczęściej z aluminiowych profili, które
umożliwiają dopasowanie konta nachylenia paneli fotowoltaicznych. Możliwe są trzy rodzaje mocowań do dachu płaskiego:

system montażu bez balastu,

system montażu z balastem,
system montażu samonośnego.

Instalacje do 10 kW mogą być montowane na dachu, natomiast większe powinny być montowane na gruncie. Etapy instalacji na
gruncie są podobne do tych na dachu płaskim bez balastu. Wyjątek stanowi sposób przymocowania konstrukcji wsporczej do
podłoża.

14.2.1 System montażowy na dachu płaskim i gruncie

bez balastu
Zastosowanie systemu montażu bez balastu umożliwia budowę konstrukcji wsporczej dla paneli PV bez dodatkowego obciążenia.
W przypadku dachów ten system wymaga doszczelnienia miejsc mocowania. Połączenie konstrukcji wsporczej do dachu odbywa
się za pomocą wkrętów, śrub lub szpilek. Instalację PV na konstrukcji wsporczej bez balastu przedstawia Rys. 197.

Rysunek 197: Instalacja PV zainstalowana na dachu płaskim w systemie montażu bez balastu firmy SolTech Service. Fot. wykorzystana za zgodą SolTech Service, https://soltech.com.pl/
.

Montaż instalacji fotowoltaicznej bez balastu można podzielić na kilka etapów.

Pierwszy etap montażu polega na rozplanowaniu ułożenia kątowej konstrukcji wsporczej pod odpowiednim kątem w
odpowiednich odległościach między jej rzędami, aby uniknąć zacienienia. Przymocowanie konstrukcji wsporczej do dachu
odbywa się na przykład za pomocą śrub. W przypadku dachu pokrytego blachą należy zidentyfikować miejsca występowania
krokwi, do których należy wkręcić śruby. Przykład sposobu montowania konstrukcji wsporczej do dachu betonowego za
pomocą śrub przedstawiono na Rys. 198.
 Rysunek 198: Aluminiowa konstrukcja wsporcza bez balastu przykręcona na dachu płaskim – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot. wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o.,
http://www.keno-energy.com/ .

W przypadku montażu konstrukcji na gruncie należy zadbać o odpowiedni fundament, który powinien stanowić podstawę na
całej długości konstrukcji wsporczej. Dopuszczalne jest także zastosowanie podparcia w trzech punktach stosując np. betonowe
prefabrykowane pustaki uzupełnione betonem na głębokości ok. 70 cm. Przykład takiego rozwiązania przedstawiono na Rys.
199. Konstrukcja mocowana jest w takim przypadku do fundamentu za pomocą śrub do betonu. Stosowane są także konstrukcje
wkręcane w grunt bez konieczności wykonywania betonowego fundamentu.

Rysunek 199: Montaż konstrukcji wsporczej do betonowych prefabrykatów dla systemu fotowoltaicznego instalowanego na gruncie – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot.
wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-energy.com/ .

W drugim etapie montażu do kątowej konstrukcji wsporczej mocowane są aluminiowe profile, do których za pomocą klem
przykręcane zostają panele fotowoltaiczne. Rozmieszczenie klem odbywa się poprzez umieszczenie w profilach
odpowiedniej ilości wpustów przesuwnych w odstępach równych szerokości lub długości paneli, odpowiednio w przypadku
układu pionowego i poziomego paneli. Montaż profili do kątowej konstrukcji wsporczej oraz sposób rozmieszczenia klem
przedstawiono na Rys. 200.

Rysunek 200: Rozmieszczenie a) profili aluminiowych na konstrukcji wsporczej wraz z b) umiejscowieniem wpustów przesuwnych – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot.
wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-energy.com/ .

W trzecim etapie za pomocą klem przykręcane zostają panele fotowoltaiczne. Na Rys. 201 przedstawiono przykładową
instalację fotowoltaiczną z poziomym ułożeniem paneli PV.
 Rysunek 201: Panele fotowoltaiczne zamontowane na dachu płaskim z wykorzystaniem aluminiowej konstrukcji wsporczej bez balastu – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot.
wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-energy.com/ .

14.2.2 System montażowy na dachu płaskim z

balastem
Konstrukcje balastowe, czyli z obciążeniem są rozwiązaniem montażu instalacji fotowoltaicznej na dachach np. membranowych,
dla których zachowanie gwarancji i szczelności jest ważnym aspektem. W tym przypadku konstrukcja wsporcza dla paneli
fotowoltaicznych nie jest przykręcona na stałe do dachu. Z tego powodu konstrukcja wymaga dodatkowego obciążenia za
pomocą betonowych bloków, co przedstawiono na Rys. 202 oraz Rys. 203.

Rysunek 202: Instalacja PV zainstalowana na dachu płaskim w systemie montażu z balastem firmy SolTech Service. Fot. wykorzystana za zgodą SolTech Service, https://soltech.com.pl/
.

Rysunek 203: Schemat konstrukcja montażowa dla dachów płaskich z balastem – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot. wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-
energy.com/ .

W przypadku zastosowania konstrukcji z balastem etapy montażu paneli fotowoltaicznych do konstrukcji wsporczej są podobne,
jak w przypadku instalacji bez obciążenia. Waga obciążenia przypadającego na jeden panel PV zależy od strefy wietrzności, kąta
pochylenia panelu, jak również wysokości budynku. Dla jednego panelu o standardowych wymiarach (ok. 100 cm x 164 cm)
obciążenie to wynosi około 60 kg. Z tego powodu ważnym ograniczeniem zastosowania tego rodzaju systemu mocowań jest
nośność dachu.

14.2.3 Systemy montażowe samonośne

Dla systemów fotowoltaicznych o niewielkich powierzchniach stosowane są systemy montażowe samonośne . W systemach
samonośnych stosowane jest obciążenie balastowe, uniemożliwiające poderwanie konstrukcji przez np. siłę wiatru. Tego typu
konstrukcja przedstawiona jest na Rys. 204.

Rysunek 204: Instalacja fotowoltaiczna na dachu płaskim w systemie montażu samonośnym firmy SolTech Service (orientacja wschód-zachód). Fot. wykorzystana za zgodą SolTech
Service, https://soltech.com.pl/ .

Zaletą tego typu systemu jest to, iż jej konstrukcja powoduje, że nie jest na stałe mocowana do dachu i nie wymaga dużego
obciążenia, które jest umieszczane na obrzeżach. W konsekwencji jest łatwa do przeniesienia. Kąt pochylenia względem poziomu
dachu jest w tym przypadku mały i wynosi do 15°.

14.3 Montaż instalacji na dachu spadzistym

Systemy fotowoltaiczne najczęściej są montowane na dachu spadzistym. W zależności od pokrycia dachu do montażu dobierany
jest odpowiedni rodzaj uchwytów. Do najczęściej stosowanych elementów łączenia zalicza się m.in.: uchwyty montażowe z
regulacją (blacha trapezowa), haki (dachówka ceramiczna), śruby dwugwintowe (blachodachówka), uchwyty montażowe typu L
(papa), a także uchwyty montażowe bez regulacji (dachówka karpiówka), które zostały przedstawione na Rys. 205.

Rysunek 205: Przykładowe elementy do łączenia dachu z konstrukcją wsporczą dla systemu PV: a) uchwyty montażowe z regulacją (blacha trapezowa), b) hak (dachówka ceramiczna), c)
śruba dwugwintowa (blachodachówka), d) uchwyt montażowy typu L (papa) oraz e) uchwyt montażowy bez regulacji (dachówka karpiówka) – elementy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot.
wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-energy.com/ .
Montaż paneli fotowoltaicznych na dachu spadzistym przedstawiano w podrozdziale na przykładzie dachu pokrytego dachówką
ceramiczną. Montaż składa się z następujących etapów.

W pierwszym etapie następuje uniesienie dachówki i wsunięcie jej pod wyższy rząd w celu odsłonięcia krokwi, co
przedstawiono na Rys. 206.

Rysunek 206: Odsłonięcie krokwi poprzez wysunięcie dachówki – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot. wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-energy.com/ .

Drugi etap to przykręcenie haka montażowego do krokwi. Rozstaw uchwytów uzależniony jest od wymiarów paneli. W
przypadku dachówki falistej haki montażowe należy zawiesić na dachówce tak, aby część wsporcza leżała w jej zagłębieniu.
W przypadku montażu paneli fotowoltaicznych na dachu, na którym rozstaw krokwi jest większy niż szerokość panelu
należy rozbudować więźbę dachu za pomocą wzmocnienia pomiędzy dwoma krokwiami, do których będzie można
przykręcić haki montażowe. Wzmocnienia wykonuje się z łaty przykręconej do dwóch kątowników mocujących, które są z
kolei przykręcone do krokwi. Sposób przykręcenia haka montażowego do krokwi przedstawiono na Rys. 207.

Rysunek 207: Przykręcenie haka montażowego do krokwi – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot. wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-energy.com/ .

Trzeci etap polega na przycięciu dachówki w taki sposób, aby wystający hak montażowy nie zahaczał o dachówki oraz
założenie dachówki w pierwotne miejsce (Rys. 208).
 Rysunek 208: Montaż haka do dachówki – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot. wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-energy.com/ .

W czwartym etapie następuje przykręcenie profili szynowych do haków. Profile powinny znajdować się między 18 a 14
wysokości paneli, w celu równomiernego rozkładu sił działających na panel w czasie ich obciążenia np. podczas opadów
deszczu, śniegu oraz działania wiatru.

W piątym etapie wykonuje się rozmieszczenie klem na profilach i przykręcenie ich za pomocą śrub imbusowych do wpustów
przesuwnych, co przedstawiono na Rys. 209. W profilu należy umieścić odpowiednią ilość wpustów przesuwnych w
odstępach równych szerokości paneli fotowoltaicznych lub ich długości w zależności od orientacji instalacji panelu.

Rysunek 209: Zamontowane klemy do wpustów przesuwnych w profilach – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot. wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-
energy.com/ .

Ostatnim etapem jest montaż paneli fotowoltaicznych do profili za pomocą klem (Rys. 210). W czasie montażu ważne jest
zachowanie odstępu między panelami a poszyciem dachu, aby umożliwić cyrkulacje powietrza.

Rysunek 210: Montaż paneli PV na dachu za pomocą klem – systemy montażowe KENO Sp. z o.o. Fot. wykorzystana za zgodą KENO Sp. z o.o., http://www.keno-energy.com/ .

14.4 Montaż PV podążających za słońcem

Fotowoltaiczne instalacje nadążne są montowane na ruchomych konstrukcjach zwanych trackerami. Montaż paneli
fotowoltaicznych w systemie nadążnym można podzielić na następujące etapy:

1. Wykonanie fundamentu pod kolumnę trackera i jego montaż. Głębokość osadzenia fundamentu zależy od konkretnych
warunków panujących na miejscu montażu. Głębokość posadowienia fundamentów musi być również większa niż głębokość
przemarzania gruntu, która zależy w głównej mierze od strefy klimatycznej. Wymiary fundamentu determinowane są przez
projektantów oraz polskie normy i obliczane są w przypadku paneli fotowoltaicznych dla trzeciej strefy klimatycznej oraz
wykonywane z betonu klasy 25. Możliwy jest także montaż instalacji fotowoltaicznej na słupie nośnym. Tego typu konstrukcje
proponuje np. firma Solar Tracker Polska, której instalację PV przedstawia Rys. 211.

Rysunek 211: Konstrukcja wsporcza trackera usytuowana na betonowym słupie nośnym firmy Solar Tracker Polska. Fot. wykorzystana za zgodą Solar Tracker Polska, https://solar-
tracker.pl/ .

Jednym z konstrukcyjnych rozwiązań jest zamontowanie tzw. kosza w fundamencie, który przedstawiono na Rys. 212 oraz Rys.
213, do którego przykręcana jest kolumna trackera. Do wykonania kolumny wykorzystywana jest na przykład rura ze stali ST3 S o
średnicy 230 mm ze ścianką o grubości 6 mm i wysokości 2000 mm.

Rysunek 212: Kosz konstrukcyjny do montażu słupa nośnego trackera firmy Solar Tracker Polska. Fot. wykorzystana za zgodą Solar Tracker Polska, https://solar-tracker.pl/ .

Rysunek 213: Fundament wraz z umieszczonym koszem do montażu słupa nośnego trackera firmy Solar Tracker Polska. Fot. wykorzystana za zgodą Solar Tracker Polska, https://solar-
 tracker.pl/ .

2. Montaż konstrukcji wsporczej dla paneli fotowoltaicznych przedstawiono na Rys. 214.

Rysunek 214: Zainstalowana konstrukcja wsporcza trackera pod panele fotowoltaiczne firmy Solar Tracker Polska. Fot. wykorzystana za zgodą Solar Tracker Polska, https://solar-
tracker.pl/ .

3. Zainstalowanie paneli PV do konstrukcji wsporczej za pomocą klem przesuwnych i wykonanie instalacji elektrycznej (Rys. 215).

Rysunek 215: Zainstalowanie paneli fotowoltaicznych na konstrukcji wsporczej trackera oraz wykonanie instalacji elektrycznej – firma Solar Tracker Polska. Fot. wykorzystana za zgodą
Solar Tracker Polska, https://solar-tracker.pl/ .

15. Badania paneli oraz instalacji fotowoltaicznej

15.1 Kontrola instalacji fotowoltaicznej
Instalacje fotowoltaiczne cieszą się dużym zainteresowaniem, co w następstwie prowadzi do wzrostu ich produkcji. Taka sytuacja
bardzo często powoduje spadek jakości komponentów oraz jakości usług montażu instalacji fotowoltaicznych. Z tego względu
ważne są testy instalacji fotowoltaicznej po jej wykonaniu. Badanie instalacji fotowoltaicznej należy rozpocząć od wizualnych
oględzin w celu zweryfikowania poprawności doboru i montażu elementów instalacji, jak również jej zgodności z dokumentacją
projektową. Ten etap badań instalacji fotowoltaicznej jest bardzo ważny, ponieważ dzięki niemu można nie dopuścić do
eksploatacji wadliwej instalacji, jak również uchronić osobę wykonującą inspekcję przed niebezpieczeństwem. Po wizualnym
sprawdzeniu instalacji przeprowadza się odpowiednie pomiary instalacji fotowoltaicznej. Przeprowadzenie testów instalacji po jej
wykonaniu określa norma PN-EN 62446-1:2016 [219]. Do pomiarów instalacji stosowane są specjalistyczne przyrządy, które
muszą spełniać wymagania norm PN-EN 61557 [220] oraz PN-EN 61010 [221].
15.2 Testy nowej instalacji
Każdy nowozainstalowany układ paneli fotowoltaicznych powinien przejść przegląd powykonawczy. Ma on na celu sprawdzenie
czy łańcuchy paneli są podłączone prawidłowo i czy same panele nie są uszkodzone oraz wyeliminować potencjalne błędy
wykonawcze [222].
Dokumentacja instalacji powinna zawierać jej schemat, daty oddania i kontroli, dane techniczne paneli i inwerterów, moc
znamionową (maksymalna moc z jaką urządzenie może pracować przez długi czas bez narażenia się na uszkodzenie przy
minimalnych zniekształceniach), a także dane firmy instalującej. Schemat powinien podawać liczbę paneli oraz ich typy, a także:

liczbę stringów wraz z liczbą paneli, które tworzą ten string,

inwertery z przypisaniem do stringów,
typ i przekrój przewodów,
lokalizację elementów przyłączeniowych,
informację o zabezpieczeniach,
włącznik DC (parametry, lokalizacja, elementy zabezpieczające),
instalację uziemiającą,
regulator ładowania (jeśli jest),
zasobnik energii,
MPT tracker (jeśli nie jest zintegrowany z inwerterem).

Dodatkowo do dokumentacji powinny być załączone karty katalogowe urządzeń. Istotną częścią dokumentacji są instrukcje
zachowania się w przypadku awarii lub zdarzenia losowego (np. pożaru).
Jako pierwsze wykonuje się oględziny instalacji (procedury znajdujce się w zapisach normy PN-EN 62446-1), natomiast podstawą
oględzin instalacji są wytyczne normy PN-HD 60364-6.
Bazując na dokumentacji instalacji fotowoltaicznej, powinno się sprawdzić czy założone parametry pracy paneli faktycznie są
osiągane. Test należy przeprowadzić zgodnie z normą PN-EN 62446.

Testy (zgodnie z normą PN-HD 60364-6) dzielimy na dwie kategorie. Przedstawione zostały na Rys. 216 [223].

Rysunek 216: Podział testów. Oprac. własne.

Kategoria I obejmuje testy, które powinny zostać wykonane dla wszystkich instalacji. Jako pierwsza powinna zostać sprawdzona
strona zmiennoprądowa AC instalacji (zgodnie z normą PN-HD 60364-6), a następnie strona stałoprądowa DC. W przypadku
pozytywnego przejścia przez testy kategorii I, można wykonać testy kategorii II. Podstawowymi metodami badań w tej kategorii
są badania rozkładu temperatur pojedynczych paneli przy użyciu kamery termowizyjnej oraz analiza charakterystyk prądowo-
napięciowych.
W przypadku wykrycia nieprawidłowości w testach kategorii I lub II wykonywane są testy dodatkowe np. badanie napięcia
względem ziemi, test diody zaporowej, pomiar rezystancji izolacji na mokro oraz ocena zacienienia.
Po zakończeniu testów sporządza i przekazuje się inwestorowi raport zawierający wyniki dla wszystkich przeprowadzonych
testów, charakterystyki oraz datę kolejnego przeglądu. Taki raport jest podstawą świadczeń gwarancyjnych i odszkodowań [224].

15.3 Wybór i weryfikacja paneli do testowania

Panele fotowoltaiczne przeznaczone do badań powinny być odpowiednio oznakowane. Na tylnej powierzchni panelu
fotowoltaicznego powinna znajdować się tabliczka znamionowa, którą przedstawiono na Rys. 217. Każda tabliczka znamionowa
powinna zawierać informację odnośnie:

producenta panelu,
typu panelu i numeru serii,
wymiarów panelu,
daty produkcji,
wielkości napięcia w punkcie MPP oraz napięcia Voc wyrażonego w woltach,
maksymalnego napięcia systemu, do jakiego przystosowana jest izolacja panelu,
wartości prądu znamionowego bezpiecznika,
mocy maksymalnej wyrażonej w watach,
tolerancji mocy wyrażonej w procentach,
warunków pomiarowych, dla których zostały określone parametry elektryczne panelu,
informacji o certyfikatach i normach, które spełnia dany panel.

Rysunek 217: Tabliczka znamieniowa panelu fotowoltaicznego wykonanego w technologii CIGS firmy DCH Energy GmbH.

Dokumentacja techniczna powinna zawierać informację odnośnie mocy znamionowej instalacji, informację o producencie, modelu
oraz liczbie paneli i inwerterów, daty zainstalowania i oddania do użytku, jak również informację o zlecającym montaż i adres
zainstalowanej instalacji. Dokumentacja powinna zawierać także informację o firmie projektującej instalację oraz jej schemat.
Ważną częścią dokumentacji jest określenie systemów bezpieczeństwa i sposobu zachowania w czasie awarii instalacji
fotowoltaicznej. Wymagania dotyczące oznakowania, sporządzania dokumentacji technicznej, jak również sposób wyboru paneli
do badań określa norma UL 4730 Ed. 1 (2017) "Wymagania dotyczące etykietowania, danych technicznych i wybieranie próbek dla
paneli fotowoltaicznych", przy czym nie dotyczy systemów z koncentratorami światła, CPV. Norma precyzuje wymagania dla
producenta odnośnie:

metody wyznaczania liczby paneli do wyznaczenia ich znamionowej mocy,

informacji jakie powinny być umieszczone w dokumentacji technicznej oraz na tabliczce znamionowej,
informacji jakie powinny być umieszczone odnośnie tolerancji parametrów znamionowych umieszonych na tabliczce
znamionowej,
warunków, dla których są wyznaczane parametry elektryczne paneli.

Norma EN 50380:2017 "Wymagania związane z oznaczaniem i dokumentacją paneli fotowoltaicznych" precyzuje jakie informacje
powinny znaleźć się w dokumentacji technicznej panelu. Norma ta zobowiązuje do trwałego oznakowania panelu, określenia
parametrów znamionowych oraz wskazuje sposób bezpiecznego i prawidłowego użytkowania. Natomiast norma EN 50461:2015
"Ogniwa słoneczne – Karta informacyjna produktu i specyfikacja parametrów dla krystalicznych ogniw krzemowych słonecznych"
determinuje, jakie informacje powinny być podane odnośnie danych technicznych i parametrów monokrystalicznych i
multikrystalicznych ogniw krzemowych, które determinują optymalną i bezpieczną produkcję paneli fotowoltaicznych.

15.4 Poprawność działania łańcuchów paneli

W celu zweryfikowania poprawności działania łańcuchów paneli wyznaczane są charakterystyki prądowo-napięciowe. Do pomiaru
charakterystyk prądowo-napięciowych wykorzystywane są specjalistyczne przyrządy np. wielofunkcyjny miernik Metrel MI 3108
Eurotest PV, który przedstawiono na Rys. 218.
Miernik pozwala badać instalacje fotowoltaiczne zgodnie z normą PN-EN 62446, które jednocześnie spełniają wymagania norm
PN-EN 61557 oraz PN-EN 61010. Przyrząd łączy funkcje miernika parametrów instalacji elektrycznych i testera instalacji
fotowoltaicznych. Umożliwia m.in. tworzenie charakterystyk prądowo-napięciowych, przeliczanie parametrów do wartości STC
(standardowe warunki testowania) oraz pomiar mocy po stronach AC i DC inwertera. Ważnym aspektem w pomiarach instalacji
PV jest jednoczesny pomiar parametrów środowiskowych takich jak temperatura panelu i natężenie promieniowania
słonecznego.

Rysunek 218: Miernik instalacji Metrel MI 3108. Oprac. własne.

Pomiar ciągłości połączeń ochronnych i wyrównawczych

Zgodnie z zaleceniami normy PN-EN 62446-1 w pierwszej kolejności zalecany jest pomiar ciągłości połączeń ochronnych
(uziemiających) i wyrównawczych. Na Rys. 219 przedstawiony został schemat pomiaru ciągłości połączeń ochronnych za pomocą
przyrządu MI 3108 Eurotest PV, który został podłączony do ramy panelu PV oraz do obudowy inwertera.

Rysunek 219: Schemat przedstawiający instalację PV w czasie pomiaru ciągłości połączeń ochronnych za pomocą przyrządu MI 3109 Eurotest PV. Źródło: fragment instrukcji obsługi
przyrządu Metrel MI 3108 Eurotest PV.

Test polaryzacji przewodów i stringów

Ważnym etapem weryfikacji poprawności działania instalacji PV jest test polaryzacji przewodów oraz sprawdzenie poprawnego
podłączenia łańcuchów paneli. Procedura wykonywania testu polaryzacji jest opisana szczegółowo w normie PN-EN 62446-1,
natomiast schemat połączeń przewodów z miernikiem MI 3109 Eurotest PV przedstawiono na Rys. 220. Pomiar polaryzacji
polega na połączeniu wszystkich przewodów o polaryzacji ujemnej i sprawdzaniu po kolei napięć między wszystkimi przewodami
polaryzacji dodatniej do pierwszego przewodu odniesienia. Otrzymana wartość napięcia ok. 0 V oznacza poprawność połączeń, a
dwukrotność wartości znamionowej napięcia poinformuje o połączeniu odwrotnym.

Rysunek 220: Schemat instalacji PV podczas pomiaru wartości Voc/Isc za pomocą przyrządu MI 3108 Eurotest PV. Źródło: fragment instrukcji obsługi przyrządu Metrel MI 3108
Eurotest PV.

Pomiar napięcia otwartego obwodu Voc

Pomiar napięcia otwartego obwodu Voc jest jednym z ważniejszych badań, które w szybki sposób umożliwia weryfikację
poprawności połączeń paneli tworzących dany łańcuch. Pomiar przeprowadza się za pomocą miernika MI 3109 Eurotest PV,
którego schemat przyłączenia do instalacji przedstawia Rys. 221. W momencie pomiaru Voc instalacja PV nie może być
podłączona do obciążenia, a miernik podłącza się do przewodów wychodzących z paneli PV.
Wartość napięcia danego łańcucha umożliwia sprawdzenie czy w odpowiedni sposób połączona jest odpowiednia ilość paneli.
Możliwość wprowadzenia wartości parametrów środowiskowych do miernika umożliwia przeliczenie wartości napięcia otwartego
obwodu do warunków STC. W badaniu za wartości referencyjne przyjmowane są dane z karty katalogowej paneli albo wartości
zmierzone Voc dla pojedynczego panelu. Otrzymane wyniki, które odbiegają od oczekiwanych mogą sugerować:

nieprawidłowe podłączenie elementów składowych instalacji jak na przykład brak podłączenia lub zamieniona polaryzacja
paneli,
zwarcie części diod obejściowych,
uszkodzenie izolacji lub zaśniedzenie elementów łączeniowych.

Rysunek 221: Schemat instalacji PV podczas pomiaru wartości Voc/Isc za pomocą przyrządu MI 3108 Eurotest PV. Źródło: fragment instrukcji obsługi przyrządu Metrel MI 3108
Eurotest PV.

Pomiar prądu zwarcia Isc lub prądu pracy

Testem zalecanym przez normę PN-EN 62446-1 jest pomiar prądu zwarcia Isc, który można wykonać za pomocą miernika MI 3108.
Możliwy jest także pomiar prądu pracy, wykorzystując cęgi Metrel A 1391. Na Rys. 222 przedstawiono schemat połączenia
miernika z instalacją PV w celu przeprowadzenia pomiaru prądu DC. Prąd zwarcia mierzony jest przez połączenie przewodów
wychodzących z panelu PV ze sobą i założenia cęgów na przewód. Natomiast prąd pracy mierzony jest w trakcie pracy instalacji.

Rysunek 222: Schemat instalacji PV podczas pomiaru prądu po stronie DC przy pomocy przyrządu Metrel MI 3108. Źródło: fragment instrukcji obsługi przyrządu Metrel MI 3108
Eurotest PV.

Test charakterystyki prądowo-napięciowej I(U)

Ważnym etapem weryfikacji poprawności działania instalacji fotowoltaicznej jest sprawdzenie charakterystyki prądowo-
napięciowej łańcuchów paneli. Jest to rozszerzona wersja pomiarów Voc i Isc , przy czym wykreślenie całej charakterystyki I(U)
umożliwia dostarczenie informacji o napięciu punktu mocy maksymalnej Vsc , prądzie punktu mocy maksymalnej Impp i
maksymalnej mocy uzyskanej właśnie w tym punkcie. Dzięki zastosowaniu w pomiarze miernika natężenia promieniowania
słonecznego charakterystyka prądowo-napięciowa może być przeliczona do warunków STC, w wyniku czego możliwe jest realne
porównanie efektywności pracy instalacji z danymi katalogowymi producenta. Kształt charakterystyki pozwala diagnozować
również błędy w pracy instalacji. Zmiany charakterystyki I(U) i czynniki powodujące anomalie zostały przedstawione na Rys. 223 i
Rys. 224.
 Rysunek 223: Przyczyny i skutki zmiany w przebiegu charakterystyki prądowo-napięciowej. Oprac. własne.

Rysunek 224: Zmiana charakterystyki prądowo-napięciowej. Oprac. własne.

W badaniu ważne jest określenie aktualnej wartości natężenia promieniowania słonecznego (irradiancji) w płaszczyźnie paneli.
Jest to ważne ze względu na to iż norma PN-EN 62446-1 definiuje minimalne natężenie promieniowania, przy którym badanie
charakterystyki prądowo-napięciowej jest miarodajne i możliwe jest jej przeliczenie na warunki STC. W przypadku zastosowania
urządzeń firmy Metrel natężenie promieniowania powinno być na poziomie powyżej 500 W2 . Norma PN-EN 61829 określa
m
sposób wykonywania badania efektywności pracy paneli fotowoltaicznych i dokładne przeliczenie pomiarów na warunki STC
definiując wartość minimalną natężenia promieniowania słonecznego jako 700 W2 . Badanie natężenia promieniowania
m
słonecznego możliwe jest na kilka sposobów, a mianowicie wykorzystując zewnętrzny rejestrator temperatury i natężenia
promieniowania słonecznego A 1378 PV Remote Unit firmy Metrel lub za pomocą pyranometru, który przedstawiono na Rys. 225.

Rysunek 225: Pyranometr pracujący w warunkach rzeczywistych zainstalowany do panelu fotowoltaicznego w Centrum Fotowoltaiki w Miękini. Fot. – archiwum aut.

Ważne w pomiarach parametrów środowiskowych jest to, aby czujnik natężenia promieniowania słonecznego został umieszczony
w płaszczyźnie panelu, tak aby nie był zacieniony ani narażony na odbite światło. Czujnik temperatury powinien być umieszczony
na tylnej ścianie panelu i najbliżej środka któregoś z ogniw i panelu.

15.5 Test na uderzenie gradu

Ekstremalne warunki pogodowe jak silne gradobicie może doprowadzić do widocznych uszkodzeń paneli, jak również do
mikrouszkodzeń trudnych do wizualnego zidentyfikowania. Z tego powodu panele słoneczne są poddawane obowiązkowym
testom, których celem jest sprawdzenie ich odporności na uderzenia gradu zgodnie z międzynarodowymi standardami (IEC
61215). Test przeprowadzany jest w temperaturze około 4 ºC, za pomocą specjalnych wyrzutni kulek gradowych o średnicy 1 cala
(25,4 mm) i masie ok 7,53 g. Kulki uderzają panel w 11 cyklach z prędkością 23 m
s
. Po zakończeniu testu nie powinno być
widocznych uszkodzeń takich jak pęknięcia ogniw i szkła, mikropęknięcia i łagodne deformacje strukturalne (Rys. 226).

Rysunek 226: Panel fotowoltaiczny zniszczony przez gradobicie. Fot. – archiwum aut.

15.6 Test na statyczne obciążenia mechaniczne

panelu
Odporność paneli fotowoltaicznych na obciążenia mechaniczne statyczne (ang. static load test) weryfikowane jest na podstawie
testów, podczas których panele obciąża się ciśnieniem rzędu 2400 Pa, wywołując w ten sposób naprężenia przez okres 1 h. Test
wytrzymałości trwa tak długo, aż panel pęknie.

15.7 Testy elektroluminescencyjne

Do identyfikacji mikrouszkodzeń niewidocznych gołym okiem służą testy elektroluminescencyjne. Do tego typu uszkodzeń może
dojść np. w czasie silnego gradobicia, kiedy warunki pogodowe są dużo bardziej niesprzyjające, niż te w czasie wykonywania
testów gradowych, w konsekwencji czego może dojść do przekroczenia granicy wytrzymałości paneli. Do mikrouszkodzeń może
dojść także w czasie transportu czy instalacji. Testy elektroluminescencyjne mogą także posłużyć do wykrywania mikrouszkodzeń
indukowanym napięciem PID. Wykonywane są w momencie, gdy prąd przepływa przez panel. W tym czasie dwie niezależne
kamery elektroluminescencyjne wykonują zdjęcia ogniw fotowoltaicznych, dzięki czemu panele zostają prześwietlone.
Szczegółowy opis przeprowadzenia testów elektroluminescencyjnych jest przedstawiony w [225].

16. Uszkodzenia instalacji fotowoltaicznych

16.1 Rodzaje uszkodzeń w instalacjach
fotowoltaicznych
Uszkodzenia instalacji fotowoltaicznej mogą dotyczyć ogniw, paneli, jak również elementów przyłączeniowych np.: kabli, złącz,
puszek przyłączeniowych.
Uszkodzenia mogą wystąpić w czasie produkcji, transportu, montażu, jak również w czasie eksploatacji podczas działania wielu
czynników. W czasie produkcji są poddawane np. działaniu czynników chemicznych, wysokiej temperaturze i naprężeniom
mechanicznym. W czasie transportu i montażu do uszkodzenia paneli może dojść pod wpływem złego zabezpieczenia przed
upadkiem, czy też niewłaściwego zachowania się instalatora podczas wykonywania instalacji np. podczas chodzenia po panelach,
zbyt silnego dokręcania do konstrukcji wsporczej. W czasie eksploatacji panele mogą być narażone np. na działanie silnego
wiatru, opadów gradu. W środowisku morskim panele oraz elementy konstrukcji wsporczej mogą zostać trwale uszkodzone pod
wpływem wilgotnej i korozyjnej atmosfery, w wyniku gromadzenia soli na elementach instalacji.
Do najczęściej występujących wad i uszkodzeń zalicza się między innymi:

OGNIWA

gorące punkty (ang. hot-spoty),

mikropęknięcia (ang. microcraks) i pęknięcia (ang. cracks),
korozja elektrody transparentnej TCO,
degradacja indukowanym napięciem PID (ang. Potential Induced Degradation),
degradacja pod wpływem światła LID (ang. Light Induced Degradation),
degradacja pod wpływem światła i podwyższonej temperatury TeLID (ang. Light and elevated Temperature Induced
Degradation).

PANELE

delaminacja,
pęknięcia szkła.

ELEMENTY INSTALACJI

defekty złącz,
wypalone puszki przyłączeniowe.

16.2 Gorące punkty

Gorące punkty (ang. hot-spots) to miejsca, w których nastąpiła niekontrolowana zmiana rezystancji powodująca wydzielenie się
znacznej ilości ciepła Joule'a-Lenza i wzrost temperatury ogniwa w tych obszarach. Obecność gorących punktów może wynikać z
obecności wad ścieżek prądowych jak na przykład obecność niedolutowań i zmiany przekroju, jak również mikrouszkodzeń
ogniw. W obszarze uszkodzenia ogniwo zamiast generować energię, rozprasza ją w postaci ciepła. Problem występowania
gorących punktów staje się bardzo poważny w przypadku, gdy część ogniwa jest zacieniona. W takiej sytuacji zacienione ogniwo
nie produkuje energii elektrycznej, ale przepływa przez nie prąd wsteczny, wygenerowany przez niezacienione ogniwa,
powodując podwyższenie temperatury [226]. W celu zapobiegania występowania gorących punktów w panelach stosowane są
diody bocznikujące tzw. „by-pass”. Zadaniem diod bocznikujących jest przekierowanie wygenerowanego prądu w taki sposób, aby
prąd nie płynął przez uszkodzone i zacienione ogniwo [155].
Temperatura gorącego punktu zależy od miejsca jego wystąpienia oraz od przewodności materiału, z którego wykonane jest
ogniwo fotowoltaiczne [227]. Przykładowo gorący punkt w pobliżu krawędzi panelu krzemowego osiąga znacznie wyższe
temperatury niż gorący punkt występujący w jego środku. Dzieje się tak, ponieważ przewodność cieplna w krzemowym ogniwie
jest wyższa niż w laminacie. Z tego powodu ciepło jest rozprowadzane na większym obszarze w przypadku jeśli gorący punkt
pojawi się w środkowej części panelu. Gorące punkty można wykryć za pomocą badania termowizyjnego instalacji
fotowoltaicznej. Na Rys. 227 przedstawiony został obraz wykonany kamerą termowizyjną, ukazujący rozkład temperatury na
powierzchni panelu fotowoltaicznego. Temperatura powierzchni prawidłowo pracującego panelu powinna być równomierna na
całym jego obszarze. Na zdjęciu zaznaczony został obszar o podwyższonej temperaturze w porównaniu do pozostałych części
panelu, świadczący o występowaniu gorących punktów.
 Rysunek 227: Zdjęcia paneli wykonane za pomocą kamery termowizyjnej ukazujące miejsca przegrzania ogniw (tzw. gorących punktów). Fot. Stanisława Bajorskiego - pomiary
termowizyjne PV - wykorzystana za zgodą Solar Building Polska, https://solarbp.pl/ .

Ogniwa fotowoltaiczne w obszarach hot-spotów mogą nagrzać się nawet do ponad 250°C [226]. Nagrzewanie ogniwa do
wysokich temperatur, przekraczających wytrzymałość folii EVA może prowadzić do trwałego jej uszkodzenia, w wyniku, czego na
powierzchni ogniwa pojawiają się ciemne przebarwienia. Występowanie 'hot-spotów' powoduje przyspieszenie starzenia się
ogniwa, co może skutkować skróceniem żywotności panelu i spadku wydajności energetycznej o ponad 15% [228], a w skrajnych
przypadkach może prowadzić do pożaru instalacji.

16.3 Delaminacja
Delaminacja to uszkodzenie paneli polegające na odwarstwieniu warstwy folii EVA (etylenowy polioctan winylu), którą pokryte
są panele fotowoltaiczne. Proces pokrywania paneli folią EVA, czyli laminowanie, odbywa się pod określonymi parametrami
technologicznymi takimi jak temperatura i ciśnienie. Konsekwencją złego doboru parametrów technologicznych tego procesu
jest delaminacja, do której dochodzi w czasie eksploatacji. Najczęściej dochodzi do niej w gorącym i wilgotnym klimacie i
obserwowana jest w pobliżu ścieżek prądowych. Delaminacja powoduje zmętnienie folii EVA, co można zaobserwować na Rys.
228.

Rysunek 228: Delaminacja folii EVA wzdłuż krawędzi panelu. Fot. Stanisława Bajorskiego wykorzystana za zgodą Solar Building Polska, https://solarbp.pl/ .

Konsekwencją delaminacji jest pogorszenie właściwości ochronnych przed wnikaniem wilgoci w głąb paneli, jak również
pogorszenie transmisji światła do ogniwa, co skutkuje pogorszeniem efektywności pracy paneli [229], [230], [231].

16.4 Pęknięcia i mikropęknięcia ogniw

Mikropęknięcia (ang. microcraks) i pęknięcia (ang. cracks) ogniw to uszkodzenia, do których może dojść na etapie produkcji,
transportu i instalacji paneli fotowoltaicznych. Do pęknięć może dojść także podczas eksploatacji paneli pod wpływem uderzenia
lub działania czynników atmosferycznych takich jak np.: obciążenia śniegiem, silne wiatry i opady gradu [232].
Można wyróżnić kilka rodzajów pęknięć ogniw w zależności od kierunku ich występowania:

pęknięcia po przekątnej,
pęknięcia równoległe względem busbarów,
pęknięcia prostopadłe względem busbarów,
pęknięcia w wielu kierunkach.

Największy wpływ na zmniejszenie wydajności paneli fotowoltaicznych mają pęknięcia po przekątnej i pęknięcia w wielu
kierunkach, gdyż mogą prowadzić do odłączenia części ogniw od busbarów, a zatem do utraty całkowitej mocy generowanej
przez panel [233], [234].
W miejscach mikropęknięć jak również na krawędziach ogniw mogą występować tzw. „ślimacze ścieżki” [235], które są
konsekwencją zachodzących reakcji chemicznych między pierwiastkami pochodzącymi z elementów paneli oraz tlenem i wilgocią
ze środowiska. Ze względu na to, że różne reakcje mogą powodować powstanie „ślimaczych ścieżek” pojęcie to odnosi się do
klasy defektów, a nie opisuje jednego konkretnego przypadku reakcji. Jeden z mechanizmów opisujących powstawanie
„ślimaczych ścieżek” opiera się na założeniu, że wilgoć i tlen dyfunduje przez folię EVA i dociera przez mikropęknięcia do
powierzchni ogniwa. Na skutek reakcji między cząsteczkami tlenu z folii EVA i środowiska oraz cząsteczkami srebra,
pochodzącymi z tzw. palców ogniwa (cienka siatka widoczna na przedniej stronie ogniwa), powstają takie związki jak np. tlenek
srebra, chlorek srebra, węglan srebra i octan srebra [236]. Przykładową reakcję tworzenia tzw. „ślimaczych ścieżek” (octanu
srebra, AgC2 H3 O2 ), w wyniku działania promieniowania słonecznego i temperatury można zapisać jako:

UV,T (28)
4Ag(S) + O2 + 4CH3 COOH(g) → 4AgC2 H3 O2 H(s) + H2 O(g)

Przyczyną powstawania „ślimaczych ścieżek” może być także wprowadzenie cząstek srebra w procesie produkcyjnym, jako
zanieczyszczeń, co może nie mieć związku z obecnością mikropęknięć w ogniwie.

16.5 Defekty złącz i puszek przyłączeniowych

Do defektów instalacji fotowoltaicznej można zaliczyć między innymi defekty złącz oraz puszek przyłączeniowych . Konsekwencją
złej jakości złącz jest zły kontakt elektryczny, uszkodzenie w czasie montażu lub po ekspozycji na działanie czynników
atmosferycznych. Ostatecznie może dojść do wypalenia części instalacji. Innym powodem występowania wypalenia części
instalacji jest zła jakość puszek przyłączeniowych z niepoprawnie założonymi diodami bocznikującymi. Puszki przyłączeniowe
zawierają w swojej budowie diody 'by-pass', których rolą jest spowodowanie przepływu prądu poza zacienionym ogniwem. Jeśli
niewłaściwie pracują to może dojść do ich przegrzania, a następnie wypalenia.

16.6 Pęknięcia szkła

Pęknięcia szkła paneli fotowoltaicznych wynikają najczęściej z działania czynników zewnętrznych takich jak np.: uderzenia
gradem, kamieniem itp. Przykład uszkodzonego szkła panelu fotowoltaicznego przedstawiono na Rys. 229. Możliwe jest także
uszkodzenie warstwy szklanej z powodu niewłaściwego zachowania instalatora w czasie wykonywania instalacji fotowoltaicznej
np. za mocne dokręcenie klem, czy też przez chodzenie po panelu.
 Rysunek 229: Uszkodzone szkła panelu fotowoltaicznego PV przez uderzenie kamieniem. Fot. – archiwum aut.

16.7 Korozja warstwy TCO w ogniwach z krzemu

amorficznego
Korozja przezroczystej warstwy TCO (ang. Transparent Conductive Oxide) polega na jej zmętnieniu i dotyczy ogniw
cienkowarstwowych [237], jak również wytworzonych z krzemu amorficznego [238]. Korozja TCO powstaje w obecności prądów
upływu, które powodują generowanie napięcia między ogniwem a ziemią, co powoduje przedostawanie się atomów sodu,
będących składnikiem szkła, do warstwy TCO. Postępowanie korozji ma swój początek na krawędziach panelu fotowoltaicznego,
następnie proces postępuje na dalsze obszary ogniwa. W konsekwencji następuje zmętnienie warstwy oraz spadek wydajności
ogniwa. Ze względu na położenie warstwy TCO w ogniwie, wyróżnia się technologie substrate, kiedy warstwa ta jest
bezpośrednio przyległa do warstwy szklanej ogniwa oraz technologie superstage w przypadku kiedy warstwa TCO jest
rozdzielona warstwą luminatu od szkła. Z tego powodu najbardziej narażone są ogniwa wytworzone w technologii substrate. W
celu zapobiegania korozji warstwy TCO zlecane jest stosowanie falowników transformatorowych (izolacja galwaniczna), a także
uziemianie bieguna „-” tablicy paneli.

16.8 Degradacja indukowanym napięciem PID

Do strat mocy paneli PV może dojść w wyniku występowania degradacji indukowanym napięciem PID (ang. Potential Induced
Degradation), polegającym na występowaniu niewielkiego upływu prądu [239]. Zjawisko to zachodzi podczas występowania
wysokiej różnicy potencjału między uziemioną ramą paneli fotowoltaicznych o potencjale 0 V, a skrajnie położonymi w stringu
panelami (skrajnymi ogniwami) o różnej biegunowości. W przypadku systematycznego pojawiania się zjawiska PID może dojść do
nieodwracalnego uszkodzenia złączy ogniw. Natomiast w przypadku, kiedy zjawisko zachodzi nieregularnie może dojść do
odwracalnej polaryzacji ogniwa i nie powodować stałych uszkodzeń [240].

16.9 Markery technologiczne na krawędziach ogniw

Markery technologiczne są często błędnie uważane za defekty. Markery technologiczne ogniw powstają w procesie
produkcyjnym na etapie wytwarzania warstwy antyrefleksyjnej. W czasie produkcji płytki są trzymane najczęściej w dwóch
punktach na krawędzi ogniwa, w wyniku czego na ich powierzchni pojawiają się ciemniejsze obszary tzw. markery technologiczne.
Defekty tego typu nie wpływają na wydajność paneli fotowoltaicznych.

17. Aspekty ekonomiczne fotowoltaiki

17.1 Koszty instalacji fotowoltaicznej
Ze względu na duże potrzeby energetyczne korzystanie z fotowoltaiki staje się coraz bardziej opłacalne. Generalnie opłacalność
inwestycji w elektrownię fotowoltaiczną zależy od ceny instalacji i cen energii. Na koszty fotowoltaiki w dużej mierze składają się
głównie koszty samej instalacji, ponoszone jednorazowo. Cena zestawu instalacyjnego zależy również od miejsca gdzie będą
instalowane panele. Na koszt instalacji mając wpływ:

panele fotowoltaiczne,
inwertery,
okablowanie,
liczniki energii,
osprzęt elektryczny z instalacją odgromową,
koszty robocizny,
koszty elementów dodatkowych (szczególnie istotne dla systemów trackerowych),
koszty utrzymania przez okres działania,
koszt utylizacji po zamknięciu elektrowni.

Przykładowy rozkład procentowy kosztów dla firmy wykonującej instalacje został przedstawiony na Rys. 230 – oprac. na
podstawie [241], [242].

Rysunek 230: Rozkład procentowy kosztów instalacji fotowoltaicznej. Oprac. własne.

Aktualna średnia cena instalacji w Stanach Zjednoczonych w zależności od rozmiaru została przedstawiona na Rys. 231. Dla 1kW
otrzymujemy koszt 5 $/kW, a przypadku i 74 kW koszt za 1kW wynosi 3$.
Średni koszt instalacji fotowoltaiki słonecznej na świecie od 2010 do 2019 r spada od wielu lat i obecnie wynosi 995$/kW (Rys.
231 – oprac. na podstawie danych z [243]).
 Rysunek 231: Średni koszt instalacji fotowoltaiki słonecznej na świecie od 2010 do 2019 r. (w dolarach USA za kW). Oprac. własne.

17.2 Ceny paneli

Najpopularniejszymi typami ogniw są ogniwa krzemowe oraz cienkowarstwowe, ogniwa wielozłączowe (ze względu na koszt) i
barwnikowe (ze względu na wydajność, jednak stanowią marginalną część sprzedaży). Pośród powszechnie dostępnych panele
monokrystaliczne są najdroższe, ale ze względu na najwyższą sprawność są chętnie wybierane. Tańsze ogniwa to ogniwa
polikrystaliczne, natomiast najtańszą opcją są krzemowe ogniwa amorficzne (tabela na Rys. 232 – oprac. na podstawie [241]).

Rysunek 232: Porównanie kosztów różnych typów paneli fotowoltaicznych. Oprac. własne.

W związku z rozwojem technologicznym, udoskonalaniem techniki wytwarzania, spada cena samych paneli. Richard Swanson –
założyciel SunPower Corporation, producent paneli słonecznych – zaproponował odpowiednik prawa Moor’a dla paneli
słonecznych. Prawo Swansona [244] postuluje, że cena słonecznych paneli fotowoltaicznych ma tendencję do spadku o 20% za
każde podwojenie skumulowanej ilości wysyłanego towaru. Jest to prawo empiryczne. Ceny krystalicznych ogniw słonecznych
spadły z 76,67 USD/W w 1977 r. do przewidywanego poziomu 0,74 USD/W w 2013 r., w 2017 r. wynosiły 0.63 USD/W, by w 2020 r.
osiągnąć cenę 0.21 USD/W [245] (Rys. 233 – oprac. na podstawie [246]).
 Rysunek 233: Historia cen ogniw krzemowych w dolarach USA za 1W w l. 1977-2020. Oprac. własne.

17.3 Rozwój instalacji w Polsce

Łączna ilość energii wyprodukowana z fotowoltaiki w 2019 r. w Polsce wyniosła ok. 924 GWh, zaś prognoza na 2020 r. wynosi ok.
2190 GWh. Ilość energii wyprodukowanej w Polsce według źródła została przedstawiona na Rys. 234, natomiast procentowy
rozkład źródeł energii w produkcji energii przedstawia Rys. 235. Energia wyprodukowana z fotowoltaiki stanowi 1,9% ogólnej
wyprodukowanej energii w 2020 r. w Polsce [247]).

Rysunek 234: Produkcja energii według źródeł w GWh w 2019 r. w Polsce. Oprac. własne.
 Rysunek 235: Udział rodzajów energii w Polsce w 2019 r. Oprac. własne.

W sektorze PV w Polsce jest zatrudnionych 5-6 tys. osób, z czego około 1000 osób zatrudnionych w firmach produkujących
panele i komponenty instalacji. Tempo przyrostu nowych mocy instalacji fotowoltaicznych wynosi ok. 150% rocznie (Rys. 236). W
2020 r. Polska zajmuje piąte miejsce w Europie pod względem przyrostu nowych mocy w fotowoltaice [248]. 71%
zainstalowanych źródeł fotowoltaicznych stanowią mikroinstalacje.

Rysunek 236: Moc wyprodukowana w Polsce w latach 2016, 2018 i prognozowana w 2020. Oprac. własne.

Średnia cena prądu w Polsce wynosi 0,62zł/kWh i ciągle rośnie, co w połączeniu z malejącymi kosztami instalacji czyni
fotowoltaikę najbardziej obiecującą dziedziną OZE.
W ostatnich latach pojawiły się uwarunkowania stymulujące inwestycje w wytwarzanie energii elektrycznej i cieplnej.
Uporządkowano przepisy dotyczące przyłączenia do sieci – zrezygnowano z dokumentacji w formie papierowej, co pozwoliło
skrócić czas procedury instalacyjnej. Zrezygnowano także z obowiązku uzyskania koncesji przez właścicieli odnawialnych źródeł
energii o mocy do 50 kWp [247].
W ostatnich latach pojawiły się w Polsce rządowe programy wspierające instalacje fotowoltaiczne. Od 2014 r. działały dopłaty w
ramach programu Prosument. Program oferował kredyt preferencyjny do 100% kosztów instalacji oraz dotacje w wysokości 20%
lub 40% dofinansowania (15% lub 30% po 2016 r). Program powstał jako kontynuacja wcześniejszego programu "Wspieranie
rozproszonych, odnawialnych źródeł energii" . Z historycznych programów warto wspomnieć jeszcze program "BOCIAN-
rozproszone, odnawialne źródła energii" realizowany przez Narodowy Fundusz Ochrony środowiska i Gospodarki Wodnej od
2015 r. Od 30.08.2019 r. ruszył program dofinansowań "Mój Prąd", w ramach którego właściciel każdej nowej instalacji
fotowoltaicznej może liczyć na dofinansowanie w formie dotacji do 50% kosztów kwalifikowanych mikroinstalacji wchodzącej w
skład przedsięwzięcia (nie więcej niż 5 tys. zł na jedno przedsięwzięcie). Budżet bezzwrotnych form dofinansowania wyniósł 1
miliard złotych. W ramach programu do 21 maja 2020 r. przyłączono instalacje o łącznej mocy 200,77 MW przyznając prawie 26
tys. dofinansowań [249], [250].

Od 2019 r. można odliczyć od podatku dochodowego 53 000 zł w odniesieniu do wszystkich realizowanych przedsięwzięć
termomodernizacyjnych w poszczególnych budynkach jednorodzinnych, których podatnik jest właścicielem lub
współwłaścicielem. Instalacja fotowoltaiki w rozumieniu ustawy jest traktowana jako przedsięwzięcie termomodernizacyjne
[251].

Na rozwój branży fotowoltaicznej mają bardzo silny wpływ zmiany w regulacjach prawnych. Rozwój fotowoltaiki związany jest z
nałożeniem obowiązku na państwa należące do Unii Europejskiej do zapewnienia 20% udziału energii pochodzących z
odnawialnych źródeł energii w całkowitym zużyciu energii do końca 2020 r. Zobowiązanie to weszło w życie wraz z podpisaniem
dyrektywy w 2009 r. Zgodnie z dyrektywą docelowy udział OZE w końcowym zużyciu energii brutto do końca 2020 r. dla Polski
ma wynieść co najmniej 15% [252].
Raport dotyczący rynku fotowoltaicznego w Polsce 2019 r. [253] wskazuje dynamiczny wzrost mikroinstalacji w ostatnich dwóch
latach. Porównanie mocy zainstalowanej w źródłach fotowoltaicznych od 2014 r. do czerwca 2019 r. z uwzględnieniem rodzaju
instalacji fotowoltaicznej przedstawia Rys. 237 – oprac. na podstawie [247].

Rysunek 237: Moc zainstalowana w źródłach fotowoltaicznych i przyłączona do sieci w Polsce w l. 2014-2019. Oprac. własne.

Przyrost mocy z mikroinstalacji obserwowany jest od 2015 r., gdy w życie weszła ustawa o odnawialnych źródłach energii [254].
Zwiększenie produkcji energii elektrycznej z mikroinstalacji było także konsekwencją Regionalnych Programów Operacyjnych na
lata 2014-2020. Łączna moc zainstalowana w źródłach fotowoltaicznych na koniec 2018 r. wynosiła ok. 500 MW, w maju 2019 r.
przekroczyła 700 MW, a już pół roku później ok. 1.5 GW, natomiast w maju 2020 r. przekroczyła 1,95 GW.
Wzrost sprzedaży energii z odnawialnych źródeł było także spowodowane wprowadzeniem systemu aukcyjnego. W systemie
aukcyjnym wytwórcy deklarują ilość dostarczonej energii w czasie 15 lat oraz cenę za jaką będą sprzedawali energię. Zwycięzcami
aukcji są producenci energii, którzy zaproponowali najniższą cenę. Aukcje na energię wprowadzono na podstawie ustawy o OZE z
2015 r. [252], która nie weszła w życie od razu, ale po jej nowelizacji w 2016 r. [253]. W 2018 r. zainstalowana moc pochodząca z
instalacji, które wygrały aukcje OZE wynosiła ok. 50 MW, natomiast w 2019 r. ok 170 MW, co stanowi prawie 3,5-krotny wzrost
mocy. Aukcje kontroluje Urząd Regulacji Energetyki, a ich przebieg opisuje Regulamin Aukcji [254].

17.4 Rozwój instalacji w Europie

Moc zainstalowanych ogniw fotowoltaicznych w ciągu ostatnich lat wzrosła o wzrosła o około 100 GW. W 2019 r. wynosiła 130
GW. Średni wzrost wynosi 10 GW/rok, jego tempo, podobnie jak na całym świecie, zwiększa się – w 2019 r. moc wzrosła o 13%. W
Europie zainstalowano 16,7 GW, co oznacza ponad stuprocentowy wzrost w porównaniu z 8,2 GW na koniec 2018 r. Największe
wzrosty zanotowały Hiszpania (wzrost o 4,7 GW), Niemcy (4 GW), Holandia (2,5 GW) oraz Francja (1,1 GW). Wpływ na to miała
wejście w życie Dyrektywa OZE (28/2009/WE) w 2009 r. W latach 2007-2014 instalacje były skoncentrowane w Hiszpanii. Drugi
największy europejski rynek fotowoltaiki to Włochy, gdzie całkowita moc elektrowni fotowoltaicznych przekracza już 21 GW.
Fotowoltaika stanowiła 92% przyrostu nowych mocy w małych instalacjach OZE – Rys. 238 [255].
 Rysunek 238: Przyrost liczby paneli PV w 2019 r. Oprac. własne.

17.5 Rozwój instalacji na świecie

Na całym świecie regularnie wzrasta światowa konsumpcja energii – według British Petrol Statistical Review of World Energy
2020 całkowite zużycie energii wzrosło o 1.3% względem poprzedniego roku (Rys. 239). Odnawialne źródła energii (w tym
biopaliwa) odnotowały rekordowy wzrost w zakresie zużycia energii ( 3, 2EJ = 3, 2 ⋅ 1018 J ). Wiatr w największym stopniu
przyczynił się do rozwoju odnawialnych źródeł energii (1,4 EJ), drugi w kolejności wkład wniosła energii pochodząca ze Słońca
(1,2 EJ). Od kilku lat najszybciej rozwija się rynek fotowoltaiki w Chinach. 16 GW nowych instalacji zainstalowano w Unii
Europejskiej, a w Stanach Zjednoczonych pojawiło się ich 13.
Wydatki na badania i rozwój w dziedzinie energii odnawialnej wzrosły o 10%, osiągając 13 mld $. Około połowa tej kwoty została
przeznaczona na energię słoneczną [256], [257].

Rysunek 239: Procentowy wzrost zużycia energii słonecznej w 2019 r. Oprac. własne.
Chiny (odpowiadające za 28,5% globalnej emisji CO2 ) zadeklarowały, że do 2060 r. chcą osiągnąć neutralność klimatyczną, czyli
przestać emitować do atmosfery nadmiar dwutlenku węgla. IHS Markit wskazuje, że moc paneli fotowoltaicznych będzie musiała
wzrosnąć ponad dziesięciokrotnie z obecnych 213 GW do 2200 GW, a moc wiatraków z 231 GW do 1700 GW. Rozwój technologii
odnawialnych źródeł energii, w tym fotowoltaiki, w najbliższych latach stanie się jednym z kluczowych obszarów gospodarki
[258].

Bibliografia

1. A. Jaeger-Waldau: Snapshot of photovoltaics – February 2019, Energies 2019, Vol. 12, Iss. 5, 769, dostęp:14.12.2020
2. N. Scafetta, R. C. Willson: ACRIM total solar irradiance satellite composite validation versus TSI proxy models, Astrophysics and
Space Science 2014, Vol. 350, Iss. 2, pp. 421-442, dostęp:28.09.2020
3. OpenStreetMap: Copyright and License, OpenStreetMap contributors, dostęp:12.10.2020
4. Solargis: Global Solar Atlas, GHI map © 2020, dostęp:12.10.2020
5. E. Popko: Efekt fotowoltaiczny – ogniwo słoneczne, dostęp:14.12.2020
6. A. Masłowski: Energia słoneczna w Polsce – nasłonecznienie, dostęp:18.12.2020
7. M. Sibiński, K. Znajdek: Przyrządy i instalacje fotowoltaiczne, Wydawnictwo Naukowe PWN, Warszawa 2016.
8. K. T. Wojciechowski, K. Marszałek: A hybrid solar energy converter, EP 2 827 383 A1 2017, dostęp:14.12.2020
9. T. Markvart (Ed.): Solar Electricity, 2nd Edition, Wiley, Chichester 2000.
10. F. Kasten: A new table and approximate formula for the relative optical air mass, Archiv für Meteorologie, Geophysik und
Bioklimatologie, Serie B 1965, Vol. 14, pp. 206-223, dostęp:14.12.2020
11. Friko.net: Wschód i zachód Słońca w Krakowie, dostęp:12.12.2020
12. B. Szymański: Pochylenie i kierunek instalacji fotowoltaicznej, GLOBEnergia : Odnawialne Źródła i Poszanowanie Energii
2013/1, s. 34.
13. Willoughby Smith: Wikipedia (autor nieznany), dostęp:10.10.2020
14. Philipp Lenard: Wikipedia (autor nieznany), dostęp:05.06.2020
15. Wilhelm Hallwachs: Wikipedia (autor nieznany), dostęp:05.06.2020
16. Jan Czochralski: Wikipedia (autor nieznany), dostęp:05.06.2020
17. Explorer 6 (NASA): Wikipedia, dostęp:05.06.2020
18. Telstar (NASA): Wikipedia, dostęp:5.11.2020
19. Solar Challenger (NASA): Wikipedia, dostęp:5.11.2020
20. C. Kittel: Wstęp do fizyki ciała stałego, PWN, Warszawa 1974.
21. N. W. Ashcroft, N. D. Mermin: Fizyka ciała stałego, PWN, Warszawa 1986.
22. M. A. Green: Silicon Solar Cells : Advanced Principles & Practice, Centre for Photovoltaic Devices and Systems – University of
New South Wales, Sydney 1995.
23. M. S. Tyagi: Introduction to semiconductor materials and devices, Wiley, New York 1991.
24. T. Soga: Nanostructured materials for solar energy conversion, Elsevier, Amsterdam, Boston 2006.
25. A. Luque, S. Hegedus: Handbook of photovoltaic science and engineering, Wiley, Chichester, West Sussex 2014.
26. B. Szymański: STC, NOCT. Warunki w jakich badane są baterie PV, GLOBEnergia : Odnawialne Źródła i Poszanowanie Energii
2013/3.
27. A. Luque, S. Hegedus: Handbook of photovoltaic science and engineering, Wiley, Hoboken, New Jork 2003.
28. JA Solar: 330W PERC Module JAM60S09 310-330/PR, [karta katalogowa], dostęp:10.09.2020
29. W. Shockley: The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors, The Bell System Technical Journal
1949, Vol. 28, Iss. 3, pp. 435-489.
30. K. Drabczyk, P. Panek: Silicon-based solar cells : characteristics and production processes, Institute of Metallurgy and
Materials Science of Polish Academy of Sciences, Kraków 2012.
31. P. Menna, G. Di Francia, V. La Ferrara: Porous silicon in solar Cells: a review and a description of its application as an AR
coating, Solar Energy Materials and Solar Cells 1995, Vol. 37, Iss. 1, pp. 13-24, dostęp:14.12.2020
32. M. Wolf, G. T. Noel, R. J. Stirn: Investigation of the double exponential in the Current-Voltage Characteristics of Silicon Solar
Cells, IEEE Transactions on Electron Devices 1977, Vol. 24, Iss. 4, pp. 419-428.
33. L.-M. Huang, H.-Y. Hsu, R.-Ch. Lai, F.-M. Lin, Ch.-Y. Peng, F.-Y. Yeh: Physical Properties of EVA and PVB Encapsulant Materials
for Thin Film Photovoltaic Module Applications, 23rd EUPVSEC (Conference), Valencia, Spain, 2008, dostęp:14.12.2020
34. K. Drabczyk: Modyfikacje elektrod na bazie srebra w aspekcie zastosowań w krzemowych krystalicznych ogniwach
fotowoltaicznych, Instytut Metalurgii i Inżynierii Materiałowej Polskiej Akademii Nauk, Kraków, Kozy 2018.
35. K. Drabczyk: Kontakty elektryczne krystalicznych krzemowych ogniw fotowoltaicznych, Prace Instytutu Elektrotechniki 2014,
Z. 264, s. 41-49, dostęp:14.12.2020
36. G. Beaucarne, G. Schubert, J. Hoornstra, J. Horzel, S. W. Glunz: Summary of the third workshop on metallization for crystalline
silicon solar cells, Energy Procedia 2012, Vol. 21, pp. 2-13, dostęp:14.12.2020
37. T. Minami: Transparent conducting oxide semiconductors for transparent electrodes, Semiconductor Science and Technology
2005 Vol. 20, Nr 4, pp. 35-44.
38. S. H. Mohamed, F. M. El-Hossary, G. A. Gamal, M. M. Kahlid: Properties of Indium Tin Oxide Thin Films Deposited on Polymer
Substrates, Acta Physica Polonica A 2009, Vol. 115, No. 3, pp. 704-708, dostęp:14.12.2020
39. A. Way, J. Luke, A. D. Evans, Z. Li, J.-S. Kim, J. R. Durrant, H. Ka Hin Lee, W. C. Tsoi: Fluorine doped tin oxide as an alternative of
indium tin oxide for bottom electrode of semi-transparent organic photovoltaic devices, AIP Advances 2019, 9, 085220,
dostęp:14.12.2020
40. Fluorine doped Tin Oxide (FTO) Glass, dostęp:08.09.2020
41. Z. Y. Banyamin, P. J. Kelly, G. West, J. Boardman: Electrical and Optical Properties of Fluorine Doped Tin Oxide Thin Films
Prepared by Magnetron Sputtering, Coatings 2014, Vol. 4, Iss. 4, pp.732-746, dostęp:14.12.2020
42. M. A. Aouaj, R. Diaz, A. Belayachi, F. Rueda, M. Abd-Lefdil: Comparative study of ITO and FTO thin films grown by spray
pyrolysis, Materials Research Bulletin 2009, Vol. 44, Iss. 7, pp. 1458-1461, dostęp:14.12.2020
43. J. W. Cleary, E. M. Smith, K. D. Leedy, G. Grzybowski, J. Guo: Optical and electrical properties of ultra-thin indium tin oxide
nanofilms on silicon for infrared photonics, Optical Materials Express 2018, Vol. 8, Iss. 5, pp. 1231-1245, dostęp:14.12.2020
44. R. Pietruszka, G. Luka, B. S. Witkowski, L. Wachnicki, S. Gieraltowska, K. Marszałek, T. Stapiński, M. Godlewski: Opracowanie
efektywnych metod domieszkowania warstw ZnO glinem w procesie ALD i optymalizacja tych warstw, Przegląd
Elektrotechniczny 2014, R. 90, Nr 10, s. 203-205, dostęp:14.12.2020
45. L. Schmidt-Mende, J. L. MacManus-Driscoll: ZnO – nanostructures, defects, and devices, Materials Today 2007, Vol. 10, Iss. 5,
pp. 40-48, dostęp:14.12.2020
46. G. C. Yi, C. Wang, W. I. Park: ZnO nanorods: Synthesis, characterization and applications, Semiconductor Science and
Technology 2005, Vol. 20, Nr 4, pp. 22-34, dostęp:14.12.2020
47. D. C. Look: Electrical and optical properties of p-type ZnO, Semiconductor Science and Technology 2005, Vol. 20, Nr 4, pp. 55,
dostęp:14.12.2020
48. K. Znajdek, M. Sibiński, K. Przymęcki, Z. Lisik: Transparentne warstwy drukowane PEDOT jako kontakty emiterowe do aplikacji
w elastycznych ogniwach fotowoltaicznych, Przegląd Elektrotechniczny 2014, R. 90, nr 9, s. 101-104, dostęp:8.09.2020
49. I. Khrapach, F. Withers, T. H. Bointon, D. K. Polyushkin, W. L. Barnes, S. Russo, M. F. Craciun: Novel Highly Conductive and
Transparent Graphene‐Based Conductors, Advanced Materials 2012, Vol. 24, Iss. 21, pp. 2844-2849, dostęp:14.12.2020
50. D. Janczak, M. Słoma, G. Wróblewski, M. Jakubowska, A. Młożniak: Grafenowe elektrody transparentne dla drukowanych
ogniw fotowoltaicznych, Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania 2013, Vol. 54, nr 5, s. 35-37.
51. F. I. Chowdhury, T. Blaine, A. B. Gougam: Optical transmission enhancement of fluorine doped tin oxide (FTO) on glass for thin
film photovoltaic applications, Energy Procedia 2013, Vol. 42, pp. 660-669, dostęp:14.12.2020
52. PVEducation: Anti-Reflection Coatings, dostęp:10.10.2020
53. T. Stapiński, K. Marszałek, J. Jaglarz: Właściwości optyczne pokryć antyrefleksyjnych dla zastosowań fotowoltaicznych,
Przegląd Elektrotechniczny 2014, R. 90, Nr 9, s. 91-93, dostęp:14.12.2020
54. A. G. Aberle: Surface passivation of crystalline silicon solar cells: a review, Progress in Photovoltaics 2000, Vol. 8, Iss. 5, pp.
473-487.
55. J. Zhao, A. Wang, M. A. Green: High-efficiency PERL and PERT silicon solar cells on FZ and MCZ substrates, Solar Energy
Materials and Solar Cells 2001, Vol. 65, Iss. 1-4, pp. 429-435, dostęp:14.12.2020
56. B. Szymański: Moduły fotowoltaiczne PERC – Co je wyróżnia i dlaczego zdobywają rynek?, GLOBEnergia 2017/6,
dostęp:09.07.2020
57. M. Fisher: ITRPV 11th edition, October 2020, key findings - maturity report update, International Technology Roadmap for
Photovoltaic (ITRPV), dostęp:10.11.2020
58. P. Kumar: Organic solar cells : device physics, processing, degradation, and prevention, CRC Press, Taylor et Francis Group,
Boca Raton 2017.
59. D. Angmo, N. Espinosa, F. C. Krebs: Indium Tin Oxide-Free Polymer Solar Cells: Toward Commercial Reality. In: Z. Lin, J. Wang
(Eds.), Low-cost Nanomaterials, Springer, London 2014.
60. NREL: Best Research-Cell Efficiency Chart, dostęp:08.05.2020
61. Solar Power Europe: Global Market Outlook for Photovoltaics, dostęp:14.12.2020
62. G. Masson, I. Kaizuka, J. Lindahl, A. Jaeger-Waldau, G. Neubourg, P. Ahm, J. Donoso, F. Tilli: A Snapshot of Global PV Markets -
The Latest Survey Results on PV Markets and Policies from the IEA PVPS Programme in 2017. In: 2018 IEEE 7th World Conference
on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC) (A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC & 34th EU PVSEC),
dostęp:14.12.2020
63. R. Doering, Y. Nishi (Eds.): Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, CRC Press, Boca Raton, London, New York
2000, pp. 67-71.
64. Omron Semiconductor: Wafer preparation, slicing the ingot. In Industrial Automation, An Introduction to Application
Expertise-Semiconductor, Photovoltaic & Electronics Industry, 2010.
65. Wafel krzemowy: WikiZero, dostęp:08.10.2020
66. D-H. Neuhaus, A. Münzer: Industrial Silicon Wafer Solar Cells, Advances in OptoElectronics 2007, Vol. 2007, Article ID 24521,
doi:10.1155/2007/24521, dostęp:14.12.2020
67. J. E. Cotter, B. S. Richards, F. Ferraza, C. B. Honsberg, T. W. Leong, H. R. Mehrvarz, G. A. Naik, S. R. Wenham: Design of a
Simplified Emiter Structure for Buried Contact Solar Cells, Proc. of the 2nd World Conf. and Exibition on Photovoltaic Solar
Energy Conversion, 6-10 Juli, 1998, Vienna, p. 1511-1514.
68. V. Meemongkolkiat, K. Nakayashiki, D. S. Kim, R. Kopecek, A. Rohatgi: Factors limiting the formation of uniform and thick
aluminum back surface field and its potential, Journal of The Electrochemical Society 2006, Vol. 153, Nr 1, p. 53,
dostęp:14.12.2020
69. W. C. O'Mara, R. B. Herring, L. P. Hunt: Handbook of semiconductor silicon technology, Elveiser 1990.
70. Silicon single crystal (aut. M. Lincetto): Wikipedia, dostęp:10.12.2020
71. Wafer 2 Zoll bis 8 Zoll 2: Wikipedia (autor nieznany), dostęp:08.12.2020
72. Thin Film Flexible Solar PV Ken Fields 1 (aut. Ken Fields): Wikipedia, dostęp:20.09.2020
73. J. Ramanujam, D. M. Bishop, T. K. Todorov, O. Gunawan, J. Rath, R. Nekovei, E. Artegiani, A. Romeo: Flexible CIGS, CdTe and a-
Si:H based thin film solar cells: A review, Progress in Materials Science 2020, Vol. 110, (Article Nr) 100619, dostęp:14.12.2020
74. R. Figura, W. Zientarski: Analiza parametrów pracy modułu fotowoltaicznego, Autobusy : technika, eksploatacja, systemy
transportowe 2016, R. 17, nr 12, s. 602-611, dostęp:14.12.2020
75. T. Markvat, L. Castañer: Solar cells : materials, manufacture and operation, Elsevier, Oxford 2005.
76. R. W. Birkmire, B. E. McCandless: CdTe thin film technology: Leading thin film PV into the future, Current Opinion in Solid
State and Materials Science 2010, Vol. 14, Iss. 6, pp. 139-142, dostęp:14.12.2020
77. Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH: CdTe solar cell material, dostęp:07.10.2020
78. D. Lan, M. A. Green: Up-conversion of sunlight by GaInP/GaAs/Ge cell stacks: Limiting efficiency, practical limitation and
comparison with tandem cells, Energy Procedia 2017, Vol. 130, pp. 60-65, dostęp:14.12.2020
79. J. M. Romá: State-of-the-art of III-V Solar Cell Fabrication Technologies, Device Designs and Applicatione, Materials Science
2004, dostęp:14.12.2020
80. J. W. Garland, T. Biegala, M. Carmody, C. Gilmore, S. Sivananthan: Next-generation multijunction solar cells: The promise of II-
VI materials, Journal of Applied Physics 2011, Vol. 109, Iss. 10, (Article nr 102423), dostęp:14.12.2020
81. E. Dumiszewska, P. Knyps, M. Wesołowski, W. Strupiński: Wielozłączowe ogniwa słoneczne, Przegląd Elektrotechniczny 2014,
R. 90, Nr 5, s. 215-221, dostęp:14.12.2020
82. W. Shockley, H. J. Queisser: Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cells, Journal of Applied Physics 1961,
Vol. 32, Iss. 3, pp. 510-519.
83. C. B. Honsberg, A. M. Barnett: Paths to Ultra-High Efficiency (>50% Efficient) Photovoltaic Devices (pp. 453-456). In: 20th
EUPVSEC (Conference), Barcelona, Spain, 2005, dostęp:14.12.2020
84. A. Belghachi: Theoretical Calculation of the Efficiency Limit for Solar Cells (chapter 2, pp. 47-76). In: L. A. Kosyachenko (Ed.),
Solar Cells : New Approaches and Reviews, dostęp:5.12.2020
85. NREL: Best Research-Cell Efficiency Chart, dostęp:10.09.2020
86. B. R. Weinberger, M. Akhtar, S. C. Gau: Polyacetylene photovoltaic devices, Synthetic Metals 1982, Vol. 4, Iss. 3, pp. 187-197,
dostęp:14.12.2020
87. S. Glenis, G. Tourillon, F. Garnier: Influence of the doping on the photovoltaic properties of thin films of poly-3-
methylthiophene, Thin Solid Films 1986, Vol. 139, Iss. 3, pp. 221-231, dostęp:14.12.2020
88. N. Kaur, M. Singh, D. Pathak, T. Wagner, J. M. Nunzi: Organic materials for photovoltaic applications: Review and mechanism,
Synthetic Metals 2014, Vol. 190, pp. 20-26, dostęp:14.12.2020
89. A. Sharma, D. Pathak, T. Wagner: Organic photovoltaic materials: A review on synthesis, structure and properties, Journal of
Optoelectronics and Advanced Materials 2014, Vol. 16, No. 11-12, pp. 1257-1268, dostęp:14.12.2020
90. NREL: Best Reserch-Cell Efficiences, dostęp:21.09.2020
91. B. O'Regan, M. Grätzel: A low-cost, high-efficiency solar cell based on dye-sensitized colloidal TiO2 films, Nature 1991, Vol.
353, pp. 737-740.
92. K. Siuzdak, M. Klein, K. Łapiński, A. Cenian: Barwnikowe ogniwa słoneczne, Rynek Energii 2015, Nr 5, s. 75-83.
93. NREL: Best Reserch-Cell Efficiences, dostęp:17.10.2020
94. M. Dusza, M. Woźniak, O. Malinkiewicz: Perowskity – przyszłość fotowoltaiki, dostęp:10.12.2020
95. NREL: Perovskite Solar Cells, dostęp:20.10.2020
96. W.-J. Yin, T. Shi, Y. Yan.: Unique Properties of Halide Perovskites as Possible Origins of the Superior Solar Cell Performance,
Advanced Materials 2014, Vol. 26, Iss. 27, pp. 4653-4658, dostęp:14.12.2020
97. T. A. N. Peiris, A. K. Baranwal, H. Kanda, S. Fukumoto, S. Kanaya, T. Bessho, L. Cojocaru, T. Miyasaka, H. Segawa, S. Ito: Effect of
Electrochemically Deposited MgO Coating on Printable Perovskite Solar Cell Performance, Coatings 2017, Vol. 7, Iss. 3, (Article
nr 36), dostęp:14.12.2020
98. M. Liu, M. B. Johnston, H. J. Snaith: Efficient planar heterojunction perovskite solar cells by vapour deposition, Nature 2013,
Vol. 501, pp. 395-398.
99. J. Burschka, N. Pellet, S.-J. Moon, R. Humphry-Baker, P. Gao, M. K. Nazeeruddin, M. Grätzel: Sequential deposition as a route
to high-performance perovskite-sensitized solar cells, Nature 2013, Vol. 499, pp. 316-319.
100. First certified efficiency of 15% in perovskite solar cells with area of over 1 square cm, Science Daily 2015,
dostęp:14.12.2020
101. Dyesol to commercialize perovskite cells in Turkey, PV Magazine 2015, dostęp:01.09.2020
102. D. Kim, C. Kim: A Ladder-Type Organosilicate Copolymer Gate Dielectric Materials for Organic Thin-Film Transistors,
Coatings 2018, Vol. 8, Iss. 7, (Article Nr 236), dostęp:14.12.2020
103. S. Ryu, J. Seo, S. S. Shin, Y. C. Kim, N. J. Jeon, J. H. Noh, S. I. Seok: Fabrication of metal-oxide-free CH3NH3PbI3 perovskite
solar cells processed at low temperature, Journal of Materials Chemistry A 2015, Vol. 3, Iss. 7, pp. 3271-3275, dostęp:14.12.2020
104. J.-S. Huang, C.-Y. Hsiao, S.-J. Syu, J.-J. Chao, C.-F. Lin: Well-aligned single-crystalline silicon nanowire hybrid solar cells on
glass, Solar Energy Materials and Solar Cells 2009, Vol. 93, Iss. 5, pp. 621-624, dostęp:14.12.2020
105. X. Wang, A. Bolag, W. Yun, Y. Du, C. Eerdun, X. Zhang, T. Bao, J. Ning, H. Alata, T. Ojiyed: Enhanced performance of dye-
sensitized solar cells based on a dual anchored diphenylpyranylidene dye and N719 co-sensitization, Journal of Molecular
Structure 2020, Vol. 1206, (Article Nr) 127694, dostęp:14.12.2020
106. L. L. Yan, C. Han, B. Shi, Y. Zhao, X. D. Zhang: A review on the crystalline silicon bottom cell for monolithic perovskite/silicon
tandem solar cells, Materials Today Nano 2019, Vol. 7, (Atricle Nr) 100045, dostęp:14.12.2020
107. Q. Jeangros, M. Bräuninger, T. C. J. Yang, J. Werner, F. Sahli, P. Fiala: Perovskite Cells for Tandem Applications,
dostęp:12.07.2020
108. H. Wei, H. Zhang, H. Sun, B. Yang: Preparation of polymer–nanocrystals hybrid solar cells through aqueous approaches, Nano
Today 2012, Vol. 7, Iss. 4, pp. 316-326, dostęp:14.12.2020
109. A. Luque, V. M. Andreev: Concentrator Photovoltaics, Springer, Berlin 2007.
110. A. Mroziński (Red.), J. Flizikowski: Inżynieria instalacji fotowoltaicznych : monografia, Grafpol Agnieszka Blicharz-Krupińska,
Bydgoszcz 2016.
111. X. Ning, R. Winston, J. O’Gallagher: Dielectric totally internally reflecting concentrators, Applied Optics 1987, Vol. 26, Iss. 2,
pp. 300-305.
112. R. A. Sherif, R. R. King, N. H. Karam, D. R. Lillington: The path to 1 GW of concentrator photovoltaics using multijunction solar
cells, Conference Record of the Thirty-first IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 3-7 January 2005, pp. 17-22.
113. A. Hasan, J. Sarwar, A. H. Shah: Concentrated photovoltaic: A review of thermal aspects, challenges and opportunities,
Renewable and Sustainable Energy Reviews 2018, Vol. 94, pp. 835-852, dostęp:14.12.2020
114. S. S. Indira, C. A. Vaithilingam, K.-K. Chong, R. Saidur, M. Faizal, S. Abubakar, S. Paiman: A review on various configurations of
hybrid concentrator photovoltaic and thermoelectric generator system, Solar Energy 2020, Vol. 201, pp. 122-148,
dostęp:14.12.2020
115. Parabolic trough at Harper Lake in California (Mojave Solar Project): Wikipedia, dostęp:10.10.2020
116. Front (left) and back side (right) of a standard solar cell with a three busbar metallization layout, dostęp:15.09.2020
117. SOLsum blog: Moduł fotowoltaiczny mono PERC 315-325Wp z innowacjami, dostęp:19.10.2020
118. Redakcja GLOBEnergia, GLOBEnergia, 2/2017
119. J. Zhao, M. A. Green : Optimized antireflection coatings for high-efficiency silicon solar cells, IEEE Transactions on Electron
Devices 1991, Vol. 38, Iss. 8, pp. 1925-1934.
120. M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, S. R. Wenham: 45% Efficient Silicon Photovoltaic Cell Under Monochromatic Light, IEEE
Electron Device Letters 1992, Vol. 13, Iss. 6, pp. 317-318.
121. M. A. Green, Z. Jianhua, A. W. Blakers, M. Taouk, S. Narayanan: 25-Percent Efficient Low-Resistivity Silicon Concentrator Solar
Cells, IEEE Electron Device Letters 1986, Vol. 7, Iss. 10, pp. 583-585.
122. A. Wang, F. Yun, G. Zhang, D. M. Roche, S. R. Wenham, M. A. Green: 20 000 PERL silicon cells for the ‘1996 World Solar
Challenge’ solar car race, Progress in Photovoltaics 1997, Vol. 5, Iss. 4, pp. 269-276, dostęp:14.12.2020
123. M. A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E. D. Dunlop: Solar Cell Efficiency Tables (Version 42), Progress in
Photovoltaics 2013, Vol. 21, Iss. 5, pp. 827-837, dostęp:14.12.2020
124. R. J. Schwartz: Review of Silicon Solar Cells for High Concentrations, Solar Cells 1982, Vol. 6, Iss. 1, pp. 17-38,
dostęp:14.12.2020
125. Rekord sprawności ogniwa: Magazyn Fotowoltaika, dostęp:13.10.2020
126. M. A. Green, J. Hansen: Catalogue of Photovoltaic Drawings, Photovoltaics Special Research Centre – University of New
South Wales, Sydney 2002.
127. R. R. King, R. A. Sinton, R. M. Swanson: Front and Back Surface Fields for Point-Contact Solar Cells, Conference Record of the
Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Las Vegas, NV, USA, 26-30 Sept. 1988, pp. 538-544.
128. R. Swanson: Photovoltaics: The Path from Niche to Mainstream Supplier of Clean Energy, Solar Power, San Jose 2006.
129. Meyer Burger: Mehr Solarstrom für alle durch hocheffiziente Technologie, dostęp:09.07.2020
130. Nowe rozwiązania w ogniwach PV krzemowych, dostęp:10.07.2020
131. Panasonic: HIT Photovoltaic module, dostęp:06.07.2020
132. H. Sakata, T. Nakai, T. Baba, M. Taguchi, S. Tsuge, K. Uchihashi, S. Kiyama: 20.7% highest efficiency large area (100.5 cm2)
HIT/sup TM/ cell, Conference Record of the Twenty-Eighth IEEE Photovoltaic Specialists Conference – 2000 (Cat. No.00CH37036),
Anchorage, AK, USA, 15-22 Sept. 2000.
133. Y. K. Chieng, M. A.Green: Computer simulation of enhanced output from bifacial photovoltaic modules, Progress in
Photovoltaics 1993, Vol. 1, Iss. 4, pp. 293-299, dostęp:14.12.2020
134. M. Pagliaro, R. Ciriminna, G. Palmisano: Flexible Solar Cells, Wiley-Vch, Weineheim 2009.
135. Z. M. Jarzębski: Energia słoneczna : konwersja fotowoltaiczna, PWN, Warszawa 1990.
136. S. Schuler, S. Siebentritt, S. Nishiwaki, N. Rega, J. Beckmann, S. Brehme, M. Ch. Lux-Steiner: Self-compensation of intrinsic
defects in the ternary semiconductor CuGaSe2, Physical Review B 2004, Vol. 69, Iss. 4, pp. 045210-1 – 045210-9,
dostęp:14.12.2020
137. E. Dunlop, T. Huld, M. Suri, H. Ossenbrink: Is solar electricity in Europe expensive?, Proceedings of the 20th European
Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona, 2005, p. 2865-2868.
138. M. D. Archer, M. A. Green: Clean electricity from photovoltaics, Imperial College Press, London 2015.
139. Moduł fotowoltaiczny mono PERC 315-325Wp z innowacjami, dostęp:19.06.2019
140. Npeak-Cells, dostęp:dostęp 15.09.2020
141. Gramwzielone.pl: Kolejny producent wprowadza moduł fotowoltaiczny o mocy +600 W, dostęp:10.10.2020
142. B. Szymański: Dioda bypass w panelach fotowoltaicznych, dostęp:08.10.2020
143. Gramwzielone.pl: Panele w technologii Shingled od Hyundai Energy Solution, dostęp:12.10.2020
144. D. Tonini, G. Cellere, M. Bertazzo, A. Fecchio, L. Cerasti, M. Galiazzo: Shingling Technology For Cell Interconnection:
Technological Aspects And Process Integration, Energy Procedia 2018, Vol. 150, pp. 36-43, dostęp:14.12.2020
145. LG Neon 2 Black Flat, dostęp:12.09.2020
146. Emiternet: Fotowoltaiczne moduły połówkowe – Nowa technologia w seryjnej produkcji, dostęp:13.09.2020
147. S. Lewkowicz: Ogniwa fotowoltaiczne HALF CUT – czyli dlaczego 0,5 + 0,5 > 1?, dostęp:12.09.2020
148. Hanplast Energy: PV – SmartWire Bi-facial, dostęp:17.08.2020
149. A. Chaurey, S. Deambi: Battery storage for PV power systems: An overview, Renewable Energy 1992, Vol. 2, Iss. 3, pp. 227-
235, dostęp:14.12.2020
150. C. J. Rydh, B. A. Sandén: Energy analysis of batteries in photovoltaic systems. Part I: Performance and energy requirements,
Energy Conversion and Management 2005, Vol. 46, Iss. 11-12, pp. 1957-1979, dostęp:14.12.2020
151. E-instalacje: Kolektory hybrydowe – zasada działania, ich zalety i wady, dostęp:13.08.2020
152. R. Skiz: SAHP - PVT Panels, Wikipedia, dostęp:13.08.2020
153. PRE Edward Biel: Panele hybrydowe, ISIEtherm, dostęp:13.08.2020
154. Solar Electric Handbook: Photovoltaic Fundamentals and Applications, Pearson Learning Solutions, Boston 2013.
155. B. Szymański: Instalacje fotowoltaiczne : teoria i praktyka od pomysłu do realizacji, GlobEnergia, Kraków 2020.
156. F. C. Krebs (Ed.): Polymer Photovoltaic: A Practical Approach, Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)
Press, Bellingham 2008, dostęp:14.12.2020
157. PV Test Solutions, dostęp: 22.10.2020
158. PVEducation: PC1D, dostęp:08.08.2020
159. M. Belarbi, A. Benyoucef, B. Benyoucef: Simulation of the solar cells with PC1D, application to cells based on silicon,
Advanced Energy: An International Journal (AEIJ) 2014, Vol. 1, No. 3, dostęp:14.12.2020
160. R. Braunstein, A. R. Moore, F. Herman: Intrinsic Optical Absorption in Germanium-Silicon Alloys, Physical Review 1958, Vol.
109, Iss. 3, dostęp:14.12.2020
161. L. Nascimento, L. C. L. A. Jamshidi, C. M. B. de Menezes Barbosa, R. J. Rodbari: Semiconductors of crystalline alloys in
superlattices, Revista Tecnológica 2015, Vol. 24, Iss. 1, pp. 81-93, dostęp:14.12.2020
162. W. Spitzer, H. Y. Fan: Infrared Absorption in n-Type Silicon, Physical Review 1957, Vol. 108, Iss. 2, pp. 268-271
163. E. Radziemska: The effect of temperature on the power drop in crystalline silicon solar cells, Renewable Energy 2003, Vol.
28, Iss. 1, pp. 1-12, dostęp:14.12.2020
164. PN-EN 61853-1:2011 : Badanie własności modułów fotowoltaicznych (PV) i wyznaczanie ich energii znamionowej -- Część 1:
Pomiary wpływu natężenia promieniowania i temperatury na parametry i moc znamionową.
165. SEC komory do symulacji środowiska z lampami MHG. Instrukcja obsługi.
166. Ustawa z dnia 7 czerwca 2018 r. o zmianie ustawy o odnawialnych źródłach energii oraz niektórych innych ustaw,
dostęp:14.12.2020
167. Z. Hanzelka, A. Firlit : Elektrownie ze źródłami odnawialnymi : zagadnienia wybrane, Wydawnictwa AGH, Kraków 2015.
168. A. De Almeida, P. Moura, N. Quaresma: Energy-efficient off-grid systems – review, Energy Efficiency 2020, Vol. 13, pp. 349-
376, dostęp:14.12.2020
169. N. M. Kumar, K. Sudhakar, M. Samykano: Performance comparison of BAPV and BIPV systems with c-Si, CIS and CdTe
photovoltaic technologies under tropical weather conditions, Case Studies in Thermal Engineering 2019, Vol. 13, (Article nr)
100374, dostęp:14.12.2020
170. N. M. Kumar, K. Sudhakar, M. Samykano: Performance of thin-film BIPV as double sloped pitched roof in buildings of
Malaysia, Energy Sources, Part A: Recovery, Utilization, and Environmental Effects 2018, Vol. 40, Iss. 20, pp. 2476-2484,
dostęp:14.12.2020
171. E. Biyik, M. Araz, A. Hepbasli, M. Shahrestani, R. Yao, L. Shao, E. Essah, A. C. Oliveira, T. del Caño, E. Rico, J. L. Lechón, L.
Andrade, A. Mendes, Y. B. Atli: A key review of building integrated photovoltaic (BIPV) systems, Engineering Science and
Technology : an International Journal 2017, Vol. 20, Iss. 3, pp. 833-858, dostęp:14.12.2020
172. K. Ukoba, O. Fadare, T.-C. Jen: Powering Africa Using An Off-Grid, Stand-Alone, Solar Photovoltaic Model, Journal of Physics:
Conference Series 2019, Vol. 1378, Iss. 2, (Article Nr) 022031, dostęp:14.12.2020
173. Ustawa z dnia 19 lipca 2019 r. o zmianie ustawy o odnawialnych źródłach energii oraz niektórych innych ustaw,
dostęp:14.12.2020
174. Gramwzielone.pl: Powstała największa elektrownia fotowoltaiczna w Europie, dostęp:01.05.2020
175. EC BREC Instytut Energetyki Odnawialnej: Raport Rynek Fotowoltaiki w Polsce 2020, dostęp:08.09.2020
176. SolarInsure: Top 5 largest solar power plant of the world, dostęp:03.04.2020
177. K. Trapani, M. R. Santafé: A review of floating photovoltaic installations: 2007-2013, Progress in Photovoltaics 2015, Vol. 23,
Iss. 4, pp. 524-532, dostęp:14.12.2020
178. M. Rosa-Clot, P. Rosa-Clot, G. M. Tina, P. F. Scandura: Submerged photovoltaic solar panel: SP2, Renewable Energy 2010, Vol.
35, Iss. 8, pp. 1862-1865, dostęp:14.12.2020
179. Planete Energies: Huainan: Largest Floating Solar Farm in the World, dostęp:12.04.2020
180. A. Awasthi, A. K. Shukla, S. R. Murali Manohar, C. Dondariya, N. K. Shukla, D. Porwal, G. Richhariya: Review on sun tracking
technology in solar PV system, Energy Reports 2020, Vol. 6, pp. 392-405, dostęp:14.12.2020
181. M. Kurantowicz: Trackery – instalacje fotowoltaiczne nadążne za słońcem, cz.1, dostęp:01.07.2020
182. M. B. Schubert, J. H. Werner: Flexible solar cells for clothing, Materials Today 2006, Vol. 9, Iss. 6, pp. 42-50,
dostęp:14.12.2020
183. A. H. M. E. Reinders: Options for Photovoltaic Solar Energy Systems in Portable Products. In: Horvath, I. Li, P. and Vergeest,
J. (Eds.), Proceedings of TMCE 2002, Forth International Symposium, April 22-26, 2002, Wuhan, P.R. China, dostęp:14.12.2020
184. W. Trzasko: Analiza wydajności dwuosiowego solarnego układu nadążnego, Pomiary Automatyka Robotyka 2018, R. 22, nr 1,
s. 11-17, dostęp:14.12.2020
185. H. Moradi, A. Abtahi, R. Messenger: Annual performance comparison between tracking and fixed photovoltaic arrays, 2016
IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 5-10 June 2016, Portland, OR, USA, dostęp:14.12.2020
186. T. Hong, K. Jeong, C. Ban, J. Oh, C. Koo, J. Kim, M. Lee: A preliminary study on the 2-axis hybrid solar tracking method for
the smart photovoltaic blind, Energy Procedia 2016, Vol. 88, pp. 484-490, dostęp:14.12.2020
187. C.-Y. Lee, P.-C. Chou, C.-M. Chiang, C.-F. Lin: Sun tracking systems: A review, Sensors 2009, Vol. 9, Iss. 5, pp. 3875-3890,
dostęp:14.12.2020
188. A. G. Melo, D. O Filho, M. M. Oliveira Júnior, S. Zolnier, A. Ribeiro: Development of a closed and open loop solar tracker
technology, Acta Scientiarum. Technology 2017, Vol. 39, Iss. 2, pp. 177-183, dostęp:14.12.2020
189. J. M. Wang, C. L. Lu: Design and implementation of a sun tracker with a dual-axis single motor for an optical sensor-based
photovoltaic system, Sensors 2013, Vol. 13, Iss. 3, pp. 3157-3168, dostęp:14.12.2020
190. R. Aparnathi, V. V. Dwivedi: Maximum Power Point Tracking in PV System with Industry Applications, International Journal of
Power Electronics and Drive Systems 2013, Vol. 3, Nr 4, pp. 417-423, dostęp:14.12.2020
191. M. Wiesenfarth, I. Anton, A. W. Bett: Challenges in the design of concentrator photovoltaic (CPV) modules to achieve
highest efficiencies, Applied Physics Reviews 2018, Vol. 5, Iss. 4, (Article Nr) 041601, pp. 1-27, dostęp:14.12.2020
192. 172MW Single Axis Tracker Project in India from Arctech Solar: Wikipedia, dostęp:20.10.2020
193. 3 MW CPV project in Golmud, China (Dual axis tracker with CPV modules in Golmud): Wikipedia, dostęp:20.10.2020
194. AGH Solar Boat Team, dostęp:20.10.2020
195. R. De Fazio, D. Cafagna, G. Marcuccio, A. Minerba, P. Visconti: A multi-source harvesting system applied to sensor-based
smart garments for monitoring workers’ bio-physical parameters in harsh environments, Energies 2020, Vol. 13, Iss. 9, (Article Nr)
2161, dostęp:14.12.2020
196. H. Jinno, K. Fukuda, X. Xu, S. Park, Y. Suzuki, M. Koizumi, T. Yokota, I. Osaka, K. Takimiya,T. Someya: Stretchable and
waterproof elastomer-coated organic photovoltaics for washable electronic textile applications, Nature Energy 2017, Iss. 2, pp.
780-785, dostęp:14.12.2020
197. J. Bakalczyk: Przekształtniki energoelektroniczne w instalacjach fotowoltaicznych, Czasopismo Inżynierii Lądowej,
Środowiska i Architektury (JCEEA) 2014, z. 61, nr 3/II, s. 19-32, dostęp:14.12.2020
198. A. Filipkowski: Układy elektroniczne analogowe i cyfrowe, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa 2006.
199. GLOBEnergia: Dopasowanie mocy falownika do generatora PV, dostęp:18.07.2020
200. GLOBEnergia: Dopasowanie mocy falownika do generatora PV, dostęp:16.07.2020
201. Magazynowanie energii elektrycznej: Wikipedia, dostęp:14.12.2020
202. D. Kaczmarczyk: Akumulatory do fotowoltaiki, dostęp:02.01.2020
203. Energiewirtschaftliche und ökologische Bewertung eines Windgas-Angebote, dostęp:14.12.2020
204. T. Smedley: Power-to-gas energy storage could help displace use of fossil fuels, dostęp:14.12.2020
205. M. Harasimczuk: Hybrydowy system amagazynowania energii fotowoltaicznej, Poznan University of Technology Academic
Journals. Electrical Engineering 2016, No. 87, pp. 109-118, dostęp:14.12.2020
206. P. Kundur: Power system stability and control, McGraw-Hill, New York 1994.
207. J. Hruska: British company offers efficient energy storage using liquid air, dostęp:14.12.2020
208. K. Bullis: The Resurgence of Liquid Air for Energy Storage, MIT Technology Review 2013.
209. Interesting Engineering: Rio Madeira, World's Longest Transmission Link, dostęp:14.12.2020
210. Ustawa z dnia 13 lutego 2020 r. o zmianie ustawy – Prawo budowlane oraz niektórych innych ustaw, dostęp:20.09.2020
211. Urząd Nadzoru Budowlanego: Opinia Głównego Urzędu Nadzoru Budowlanego (2014), dostęp:07.08.2020
212. Wojewódzki Sąd Administracyjny: Orzeczenie Wojewódzkiego Sądu Administracyjnego w Łodzi z dnia 30 listopada 2017 r. o
sygnaturze III SA/Łd 974/17 2017, dostęp:07.07.2020
213. Stowarzyszenie Branży Fotowoltaicznej: Fotowoltaiczny dekalog dobrych praktyk : 10 zasad bezpiecznej instalacji PV ppoż.,
dostęp:10.10.2020
214. Ustawa z dnia 24 sierpnia 1991 r. o ochronie przeciwpożarowej, dostęp:10.10.2020
215. Rozporządzenie Komisji (UE) 2016/631 z dnia 14 kwietnia 2016 r. ustanawiające kodeks sieci dotyczący wymogów w zakresie
przyłączenia jednostek wytwórczych do sieci, dostęp:14.12.2020
216. Polskie Towarzystwo Przemysłu i Rozdziału Energii Elektrycznej: Warunki i procedury wykorzystania certyfikatów w procesie
przyłączenia modułów wytwarzania energii do sieci elektroenergetycznych, dostęp:17.09.2020
217. J. Popczyk: Energetyka rozproszona : od dominacji energetyki w gospodarce do zrównoważonego rozwoju, od paliw
kopalnych do energii odnawialnej i efektywności energetycznej, Polski Klub Ekologiczny Okręg Mazowiecki, Warszawa 2011.
218. W. Jaskółowski, J. Wiatr: Instalacje fotowoltaiczne. Podstawy fizyczne działania. Ochrona odgromowa. Zasady neutralizacji
zagrożeń porażenia prądem elektrycznym w czasie pożaru, Zeszyty Naukowe SGSP / Szkoła Główna Służby Pożarniczej 2016, Nr
59 (3), s. 71-99, dostęp:14.12.2020
219. PN-EN 62446-1:2016-08 : Systemy fotowoltaiczne (PV) – Wymagania dotyczące badań, dokumentacji i utrzymania – Część 1:
Systemy podłączone do sieci – Dokumentacja, odbiory i nadzór.
220. PN-EN 61557-1:2009 : Bezpieczeństwo elektryczne w niskonapięciowych sieciach elektroenergetycznych o napięciach
przemiennych do 1000 V i stałych do 1500 V – Urządzenia przeznaczone do sprawdzania, pomiarów lub monitorowania środków
ochronnych – Część 1: Wymagania ogólne.
221. PN-EN 61010-1:2011 : Wymagania bezpieczeństwa dotyczące elektrycznych przyrządów pomiarowych, automatyki i
urządzeń laboratoryjnych – Część 1: Wymagania ogólne.
222. T. Lipiński: Badanie bezpieczeństwa i efektywności instalacji fotowoltaicznych zgodnie z normą PN-EN 62446 cz. 1,
dostęp:04.08.2020
223. T. Lipiński: Badanie bezpieczeństwa i efektywności instalacji fotowoltaicznych zgodnie z normą PN-EN 62446 cz. 2 - Testy
kat. 1, dostęp:04.08.2020
224. T. Lipiński: Badanie bezpieczeństwa i efektywności instalacji fotowoltaicznych zgodnie z normą PN-EN 62446 cz. 3 - Testy
kat. 2, dostęp:04.08.2020
225. K. Mik, M. Juźwik: Zobaczyć niewidoczne: elektroluminescencja modułów fotowoltaicznych, Magazyn Fotowoltaika 2020/2.
226. B. Szymański: Gorące punkty – tzw. hot spoty mogą stanowić istotny problem dla instalacji fotowoltaicznej, GLOBEnergia
2013/4, dostęp:10.06.2020
227. H. J. Solheim, H. G. Fjær, E. A. Sørheim, S. E. Foss: Measurement and simulation of hot spots in solar cells, Energy Procedia
2013, Vol. 38, pp. 183-189, dostęp:10.06.2020
228. C. Olalla, M. N. Hasan, C. Deline, D. Maksimović: Mitigation of hot-spots in photovoltaic systems using distributed power
electronics, Energies 2018, Vol. 11, Iss. 4, (Article Nr) 726, dostęp:11.06.2020
229. A. R. Gxasheka, E. E. van Dyk, E. L. Meyer: Evaluation of performance parameters of PV modules deployed outdoors,
Renewable Energy 2005, Vol. 30, Iss. 4 , pp. 611-620, dostęp:14.12.2020
230. N. C. Park, J. S. Jeong, B. J. Kang, D. H. Kim: The effect of encapsulant discoloration and delamination on the electrical
characteristics of photovoltaic module, Microelectronics Reliability 2013, Vol. 53, Iss. 9-11, pp. 1818-1822, dostęp:14.12.2020
231. E. E. van Dyk, J. B. Chamel, A. R. Gxasheka: Investigation of delamination in an edge-defined film-fed growth photovoltaic
module, Solar Energy Materials and Solar Cells 2005, Vol. 88, Iss. 4, pp. 403-411, dostęp:14.12.2020
232. M. Dhimish, V. Holmes, B. Mehrdadi, M. Dales: The impact of cracks on photovoltaic power performance, Journal of Science:
Advanced Materials and Devices 2017, Vol. 2, Iss. 2, pp. 199-209, dostęp:14.12.2020
233. M. Köntges, I. Kunze, S. Kajari-Schröder, X. Breitenmoser, B. Bjørneklett: Quantifying the risk of power loss in PV modules
due to micro cracks, 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition / 5th World Conference on
Photovoltaic Energy Conversion, 6-10 September 2010, Valencia, Spain (pp. 3745-3752).
234. S. Kajari-Schröder, I. Kunze, U. Eitner, M. Köntges: Spatial and orientational distribution of cracks in crystalline photovoltaic
modules generated by mechanical load tests, Solar Energy Materials and Solar Cells 2011, Vol. 95, Iss. 11, pp. 3054-3059,
dostęp:14.12.2020
235. I. Rutschmann: Unlocking the Secret of Snail Trails, Photon International 2012, pp. 114-125.
236. J. Fan, D. Ju, X. Yao, Z. Pan, M. Terry, W. Gambogi, K. Stika, J. Liu, W. Tao, Z. Liu, Y. Liu, M. Wang, Q. Wu, T. J. Trout: Study on
snail trail formation in PV module through modeling and accelerated aging tests, Solar Energy Materials and Solar Cells 2017,
Vol. 164, pp. 80-86, dostęp:14.12.2020
237. S. J. Ikhmayies: Transparent Conducting Oxides for Solar Cell Applications (pp. 899-907). In: Ali Sayigh (Ed.), Mediterranean
Green Buildings & Renewable Energy : Selected Papers from the World Renewable Energy Network's Med Green Forum,
Springer Nature, Cham 2017, dostęp:14.12.2020
238. C. Ballif, S. De Wolf, A. Descoeudres, Z. C. Holman: Chapter Two – Amorphous Silicon/Crystalline Silicon Heterojunction Solar
Cells. In: G. P. Willeke, E. R. Weber (Eds.), Advances in Photovoltaics: Part 3, Semiconductors and Semimetals, Vol. 90 (Series),
Elsevier 2014, dostęp:14.12.2020
239. S. Pingel, O. Frank, M. Winkler, S. Daryan, T. Geipel, H. Hoehne, J. Berghold: Potential induced degradation of solar cells and
panels (pp. 2817-2822), 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 20-25 June 2010, Honolulu, HI, USA, dostęp:14.12.2020
240. W. Luo, Y. S. Khoo, P. Hacke, V. Naumann, D. Lausch, S. P. Harvey, J. P. Singh, J. Chai, Y. Wang, A. G. Aberle, S. Ramakrishna:
Potential-induced degradation in photovoltaic modules: A critical review, Energy & Environmental Science 2017, Vol. 10, Iss. 1,
pp. 43-68, dostęp:14.12.2020
241. EnergySage: The cost of solar panels in 2021: are they worth it?, dostęp:18.09.2020
242. SunWaySolar: Solar System, dostęp:12.09.2020
243. Statista: Average installed cost for solar photovoltaics worldwide from 2010 to 2019 (in U.S. dollars per kilowatt),
dostęp:10.09.2020
244. L. Partain, R. Hansen, S. Hansen, D. Bennett, A. Newlands, L. Fraas: ‘Swanson's Law’ plan to mitigate global climate change,
IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 5-10 June 2016, Portland, OR, USA, dostęp:14.12.2020
245. L. Shih, R. Tsao, S. Chen, Y. Lee: EnergyTrend Market Intelligence, 2018 Global Photovoltaic Market Overview.
246. Price history of silicon PV cells since 1977 (aut. Rfassbind), Wikipedia, dostęp:10.09.2020
247. Instytut Energetyki Odnawialnej: Rynek fotowoltaiki w Polsce 2020. Streszczenie i wnioski raportu, dostęp:14.12.2020
248. Europejska firma: Polska na piątym miejscu w UE pod względem rozwoju fotowoltaiki, dostęp:12.09.2020
249. Narodowy Fundusz Ochrony Środowiska i Gospodarki Wodnej: Lista programów priorytetowych, dostęp:12.09.2020
250. Program dofinansowania mikroinstalacji fotowoltaicznych, dostęp:12.09.2020
251. Ustawa z dnia 20 listopada 1998 r. o zryczałtowanym podatku dochodowym od niektórych przychodów osiąganych przez
osoby fizyczne, dostęp:18.09.2020
252. Ustawa z dnia 20 lutego 2015 r. o odnawialnych źródłach energii, dostęp:14.12.2020
253. Ustawa z dnia 22 czerwca 2016 r. o zmianie ustawy o odnawialnych źródłach energii oraz niektórych innych ustaw,
dostęp:14.12.2020
254. Urząd Regulacji Energetyki: Regulamin Aukcji – według stanu prawnego na październik 2019 r., dostęp:10.10.2020
255. EUobserv'ER: Solar thermal and concentrated solar power barometer 2019, dostęp:18.09.2020
256. A. Jäger-Waldau: PV Status Report 2019, dostęp:18.09.2020
257. British Petrol: Statistical Review of World Energy 2020 : 69th edition, dostęp:18.09.2020
258. D. Szymański: Chiny mówią światu "sprawdzam". Ta deklaracja dotknie każdego z nas, dostęp:18.09.2020

Publikacja udostępniona jest na licencji Creative Commons Uznanie autorstwa - Na tych samych warunkach 3.0 Polska. Pewne
prawa zastrzeżone na rzecz autorów i Akademii Górniczo-Hutniczej. Zezwala się na dowolne wykorzystanie treści publikacji pod
warunkiem wskazania autorów i Akademii Górniczo-Hutniczej jako autorów oraz podania informacji o licencji tak długo, jak tylko
na utwory zależne będzie udzielana taka sama licencja. Pełny tekst licencji dostępny na stronie
http://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/pl/.
Data generacji dokumentu: 2021-03-29 12:59:32

Oryginalny dokument dostępny pod adresem: http://epodreczniki.open.agh.edu.pl/openagh-podreczniki_view.php?

categId=143&handbookId=107