ers20,00 NOVA ELETRORIGA N21 - FEVEREIRO 77.— REEDICAO DE MAIO 77 Ee Revista BUTE f TEMPORIZADOR « PROGRAMAVEL PARA INDUSTRIA. — FOTOGRAFIA SUSTAINER PARA GUITARRAS BIO-REALIMENTAGAO . SIRENE ELETRONICA “CONTA-GIROS DIGITAL” PARA MONTAR E COLOCA-LO EM SEU CARRO VOCE GOSTARIA DE MONTAR UM — MULTIMETRO DIGITAL? : ENTAO CONHECA O “DVM” CURSO DE PROGRAMAGAO DE MICROCOMPUTADORESUs Ce Te Tg i i rtester Jl rvalusionae, Fer G0 COMERCIAL IMPORTADORA “ALP” LTDA. Alameda Jau, 1528 - cj.31 - Sao Paulo Instrumentos de Medigdes Eletricas, Transistorizados, Portateis, Procedéncia Italiana~~ Diretor Responsdvel ¢ Superintendente LEONARDO BELLONZ1 Gerente Administrativo ‘Assessor Técnico e Redator JULIANO BARSALI Consultor de Arte e Fotografia SERGIO OLIVELLA Desenhos CARLOS W. MALAGOL! Past-up JOKO BATISTA RIBEIRO F* CONSULTORIA TECNICA: Claudio C. Diat Baptista ‘Goraide Coen Jotoph E. Blumenfeld “uliano Borsa Ko Ming Cho Leonardo Bellonzi ‘CORRESPONDENTE EM NEW YORK: Guido Forgnoni Impresso na Cia. Lithographica Ypiranga Rua Cadete, 209 DISTRIBUICAO NACIONAL: ABRILS.A, Cultural ¢ Industrial Emilio Goel, 575 NOVA BLETRONICA 6 uma publicagfo de propriedade de EDITELE — Editora Técnica Eletrénica Ltda, Redacéo, Cj. 5 — salas 2 € 3, TODA A CORRESPONDENCIA DEVE SER EXCLUSIVAMENTE ENDERECADA A: NOVA ELETRONICA ©. POSTAL 30 141, 01000 ~ 5. Paulo ~ SP SUMARIO REEDIGAO em MAIO — 77 TEMPORIZADOR PRO- 5 APLICACOESDOMOS | re OR L —M POTENCIAS ELE- VADAS (V-MOS) 12 A_BIO-REALIMENTA- gho 16 CURSO DE PROGRA- MAGAO DE MICRO- COMPUTADORES 57 “SARGRAPH” 93 UM TACOMETRO DI- GITAL DE PRECISAO G0 muttimetro oierrat 67 UMA SIRENE ELE- TRONICA 98 AuDIO E SONS DIFE- RENTES Nos con. §9 JUNTOS MUSICAIS AMPLIFICADORES DE AUDIO DE 20 A 60 WATTS USANDO. TRANSISTORES DAR- LINGTON COMPLEMEN- 3Q OSUSTAINER PRnES Todos 0s direitos reservados; proibe-se a reproduco parcial ou total dos textos e ilustrag6es desta publicardo, assim como tradugées @¢ adaptagSes, sob pena das sancdes estabelecidas em lei. Os artigos publicados so de intoira responsabilidade dos seus autores, € veda- do 0 emprego dos circuitos em carécter industrial ou comerci salvo com expressa autorizagdo escrita dos Editores; apenas & permi- tida a realizagdo para aplicagao dilentat(stica ou didétics, Néo assumimos nenhuma responsabilidade pelo uso dos circuitos descr tos e se 08 mesmos fazem parte de patentes. Em virtude de varia- Bes de qualidade e condi¢do dos componentes, os Editores no se responsabilizam pelo ndo funcionamento ou desempenho deticiente dos dispositivos montados pelos leitores. Néo se obriga a Revista, nem seus Editores, a nenhum tipo de assisténcia técnica nem comer- 1; 08 prototipos sé minuciosamente provados em laboratorio proprio antes de suas publicacdes. NUMEROS ATRASADOS: preco da Gltima edigdo & venda, por intermédio de seu. jornaleiro, no Dis- tribuidor ABRIL de sua cidade ou na Editora; no remetemos pelo reembolso, sendo que os pedidos devergo ser acompanhados de cheque visado pagével em S, Paulo, mais o frete registrado de super- ficie ou aéreo, em nome de EDITELE — Editora Técnica Eletrénica Ltda, Temos em estoque somente as ditimas seis edi¢des. NOVA ELETRONICA 1O langamento desta Revista foi precedido de planejamento e contactos de nivel internacional durante mais de um ano. Pretendiamos nao apenas trazer ao publico interessado ou profissional em eletrénica um novo subsidio de consultas e desenvolvimento de seus conhecimentos, mas algo mais e que sempre sentimos faltar, Nao se trata, como de imediato possa parecer, de “mais uma revista’. A literatura técnica é necessdria e indispensdvel em qualquer ramo de atividade; nada se pode desenvolver quando nao existe disponibilidade de fontes de consulta, teorlas, aplicagées prdticas. Imbufdos de tal pensamento e procurando preencher a lacuna de uma publicagio de bom nivel, que atingisse todos os escalées de especialidades e conhecimentos no setor da eletrénica sem, contudo, fugir as limitagées dos interesses e conhecimentos dos militantes em cada um desses escalées, 6 que decidimos fazer esta revista. O desenvolvimento da eletrénica € alucinante. Diariamente surgem novas técnicas, novos conceitos, novos componentes. O técnico e o projetista so obrigados a uma constante atualizagao. A quantidade de novos componentes € jimpressionante. Todos os pesquisadores trabalham incessantemente na busca de maior miniaturizagéo, melhor desempenho e redugéo de custos. E imprevisivel 0 caminho da Ciéncia Eletrénica: a tremenda novidade de hoje é superada em curtissimo espago de tempo. Apresentamos aos profissionais e amantes da eletrénica uma publicacao diferente sob todos os aspectos. Dizemos diferente no melhor dos sentidos. Pesquisas por nés feitas mostraram-nos a avidez pelo novo. Essa é uma de nossas metas. Diariamente recebemos dos mais renomados fabricantes, laboratérios e distribuidores de todo 0 mundo, noticias, caracteristicas, exemplos de aplicacées praticas e amostras de novos componentes. Nossa bibliogratia é das mais completas, ricas e atuais.no que tange a material, cuja divulgag&o’ precisa ser feita a todos e néo a uma minoria privilegiada. Nao pretendemos, apenas, divulgar teorias; 6 muito importante dar a conhecer 0 lado prético, a aplicagéo funcional. Para isso possuimos um Jaboratério humana e materialmente bem equipado. Nele so desenvolvidos, submetidos as mais variadas e completas provas 0 que publicamos com sentido prdético e que certamente o /eitor iré querer montar. De uma coisa pode haver certeza: os protétipos foram por nés ou por nossos colaboradores montados e provados com componentes existentes no mercado nacional; apés essa fase é que sao publicados, coisa que nao é muito comum. /sso somente 2 NOVA ELETRONICAdé ao leitor uma certeza e confiabilidade que ele se habituou a nao ter. As fotografias que fartamente iréo ilustrar nossos artigos documentaréo tal afirmativa. Eis a grande novidade, inédita entre nds e que certamente/iré agradar: 6 nossa inteng3o ter, sob a forma de “kit’; 0 material para que o leitor possa executar ,com sucesso, a parte pratica de nossos artigos. Evidentemente, respeitada a complexibilidade maior ou menor dos mesmos, teremos nao sé todos os componentes necessérios como também as placas de fiag&o impressa e mesmo as caixas apropriadas que dardo um acabamento bem profissional ao dispositivo. O leitor deveré prestar atencéo aos anuncios e as noticias complementares inseridas no mesmo nimero ou nos ndmeros subseqiientes. Por outro lado, seréo encontrados, nas paginas de nossa Revista cursos de grande interesse. Neste numero iniciamos o de “Programagéo de Microcomputadores“. Tais cursos nao se limitarfo, apenas, 4 enfadonha\mas indispensdvel)matéria te6rica; sempre teréo a parte prética, a qual, para maior facilidade, poré 4 disposi¢0 de todos. os “kits” de componentes e materiais requeridos para um perfeito aprendimento prético. Preocupar-nos-emos com a publicagéo de caracteristicas, tecnologia e aplicag6es de componentes comuns e os mais recentes langados no mercado mundial, ~ Isso tudo faremos com uma apresentacdo grdfica inigualével na América Latina, 0 que pode ser comprovado ja neste primeiro,niimero. Sobre a empresa que distribue a nossa Revista, s6 seu nome dispensa qualquer comentédrio, Sua organizagao impecavel é a melhor garantia de que a distribuic¢go por todo o Territério Nacional jamais deixaré aos leitores a divida na continuidade da aquisi¢o de nossos nimeros. As paginas de NOVA ELETRONICA sio de todos: dos que lidam na “mais alta eletrénica” até aos simples curiosos; dos estudantes; dos técnicos de todos os niveis; dos amadores e profissionais; enfim, de todos os que jé se encontram envolvides pela Ciéncia Eletrénica ou que pretendem adentré-la. Acreditamos que, de méos dades e na maior das confraternizacdes com as demais publicages nacionais existentes, poderemos colaborar de forma marcante para o desenvolvimento daquela Ciéncia no Brasil. Trabalhamos com 0 pensamento voltado para o leitor, para aquele que Ié revistas importadas e fica na espectativa do material para aplicar na solugao de seu problema pessoal ou de sua empresa e para aquele que deseja montar um dispositive funcional com o qual pretenda impressionar amigos ou familiares. NOVA ELETRONICA 3EDITORIAL Todo nosso planejamento foi feito para que, em cada numero, 0 leitor sempre encontre coisas iteis, de aplicagao 0 mais imediata possivel e dentro da maior atualidade, procurando facilitar a execugdo pratica através de “kits” @ componentes avulsos, Nao pretendemos, jamais, parar no espaco e no tempo, ufanantes com sucessos colhidos. Lutaremos para caminhar ao lado —e quics 8 frente — das mefhores publicagées congéneres do estrangeiro, as quais recebemos logo apds sua safda_a publica e-mesma muito antes de terem chegado ao Brasil As Cconstantes e periddicas viagens de nossos Diretores aos Estados Unidos e Europa garantem o suprimento de matéria atual. sso 6 um fato muito importante, pois que, nessas viagens, vao visitar_fabricantes e laboratérios de renome, dos quais trazem as mais recentes novidades e técnicas. Isso tudo sé poderd beneficiar os leitores, que teréo em nossa Revista 0 campo mais vasto e a mais perfeita atualizagao, Estamos a inteira disposicéo de todos aqueles que, desenvolvendo um projeto original ou inédito, bem como os que tenham aperfeicoado ou criado uma tecnologia, queiram tornar seu trabalho conhecido pelo publico; bastard submeter seus planos e a exeqiibilidade dos mesmos a nossa aprecia¢ao pata possivel aproveitamento, recebendo em troca 0 mais amplo e imprescindivel apoio. De uma forma democratica, aceitamos todas as Griticas @ sugestdes que merecero nossa melhor atengao; sendo razodveis, possiveis de executar € atendendo é maioria, serao imediatamente postas em pratica. E claro que néo é facil, de forma alguma, “agradar a Gregos e a Trojanos”. Com isso nao queremos dizer que atenderemos a necessidade particular de um ou outro que precisa de algo especifico para resolver 0 seu problema. Queremos que todos os que adquirirem nossa Revista sempre se sintam compensados pelo prego que estéo pagando e bendigam o tempo que dedicarem 4 sua leitura. Finalmente, convidamos todos os fabricantes, montadores, importadores, distribuidores, comerciantes, etc., que nos enviem, periodicamente, noticias sobre suas atividades, langamentos de novos componentes ou equipamentos, ou entrem em contacto conosco, para que possamos dara mais ampla, completa e desinteressada divulgagéo de tudo que ocorre no campo da Eletrénica no Brasil. | 4 NOVA ELETRONICAAplicacoes do MOS em poténcias elevadas [V-M0S) A estrutura do sulco em V proporciona uma familia de transistores de efeito de campo para funcionar acima de 25 W com safda linear e alta impedanci SUPRIDOURO PORTA (source) (GATE) p (corpo) Pa CANAL n> EPITAXIAL * SUBSTRATO ALUMiNIO Li Sion, A tecnologia dos semicondutores de 6xido metélico — MOS, até ao presente considerada aplicével apenas em dispositivos para pequenos sinais e baixas poténcias, esta pronta para trabalhar as altas poténcias. Aplicada exclusivamente em circuitos de baixa poténcia, possibilitou a combi- nagdo de vantagens de desempenho com 0 baixo custo em légica e memérias. Agora, uma nova versio, V-MOS, ou seja semicondutores de 6xido metélico vertical, dé-nos essas mesmas vantagens em aplicacées de poténcia Familia dos transistores de efeito de campo de poténcia V-MOS, com capacidade de manipulacéo de correntes da ordem de 10 Ampéres, tensdo de ruptura (breakdown) superior a 200 Volts ¢ resisténcias de fragdes de Ohm, comegam a surgir. Efetivamente, MOS-FET de poténcia que podem operar acima de 25 Watts e comutar 2 Ampéres, so disponiveis em encapsulamentos TO-3, TO-39 ‘ou ceramicos tipo flangeado para aplicagées em freqiiéncias elevadas. Sdo fabricados para tensdes de ruptura tipicas de 35 V com umresisténcia de 1,49, 60V com 2,22 e 90V com 3,42 Avangando nesta tecnologia, logo existiro dispo- ivos para 400 V com muito mais poténcia de dissipagao. Os V-MOS fornecem alta densidade de corrente e caracter/sticas de transferéncia linear sobre uma ampla gama de correntes, alta capacidade de ruptura fonte-dreno e baixa capacitancia residual ‘SUPRIDOURO (source) PORTA (GATE) DRENO (DRAIN) Awuminio | RENO | (pRaIN) FIGURA 1 NOVA ELETRONICA 5porta (gate) — dreno (drain) — caracteristicas simplesmente nao obtiveis nos convencionais tran- sistores MOS, VANTAGENS ADICIONAIS Transistores bipolares, controlados por corren- tes de portadores minoritérios, tém sido 0s Gnicos dispositivos em estado s6lido linear disponiveis Para altas poténcias. Os transistores de efeito de c&mpo V-MOS, que sio dispositivos controlados Por tensio de portadores majoritérios, oferecem Muitas vantagens. Possuem mais alta impedéncia de entrada devido a caréncia de condugéo entre a Porta (gate) ¢ o canal (channel), alta velocidade de comutacao devido & auséncia de armazenamento de portadores minoritérios e auséncia de ruptura secundaria (second breakdown) porque seu coefici ente negativo de temperatura limita uma excessiva corrente de dreno, Além disso, suas caracteristicas de transferéncia sao lineares de 400 miliampéres a mais de 2 Ampéres — essencial em aplificadores lineares de poténcia. A tecnologia V-MOS combi estas vantagens em dispositivos préticos de potén- Cia e isto abre um novo campo de facilidades para 0 engenheiros projetistas. A tecnologia V-MOS resulta do conhecimento dos semicondutores de éxido metilico e do Processamento bipolar. O primeiro paso é difun- dir as regiGes do canal (channel) e supridouro (source) de maneira semelhante as difusées de base @ emissor nos transistores bipolares. Entéo um sulco em forma de V é tragado através das regides, do canal ¢ supridouro, usando-se um anisotrépico ou tragador preferencial para assegurar dimensoes precisas. Estas dimensdes séo determinadas apenas pela profundidade (espessura) da ““janela” de 6xido e estrutura cristalina do silicio. O proceso é completado pelo crescimento de didxido de silicio sobre 0 sulco em V da regio porta e, entio, aplica-se a metalizacéo. CONDUGAO VERTICAL A corrente flue verticalmente no cristal (chip) semicondutor; por isso 0 "V"" no V-MOS. A secodo ilustrada na fig. 1 mostra-nos as quatro camadas (n*, Pp, n~ e n*) cujas dimensdes criticas so precisa mente controladas por processos de difusio. Os transistores MOS convencionais possuem estru- turas laterais com dimensdes menos bem contro- ladas, proveniente do processo foto-litogréfico usado. Além disso, tais estruturas apresentam apenas trés regides a(n*, p e n*). A fabricagdo em " aa a us av z ie ok : wv oe ‘ iY " iy on yi A = it 1) SSeS ST ee FIGURA2 quatro camadas e 0 aspecto vertical do V-MOS Possibilitam transistores de poténcia com estreitas tolerancias necessérias para dispositivos de potén- cia de alto desempenho. A alta densidade do V-MOS resulta parcial- mente do curto espacamento do canal, que é da ordem de 1,5 microns, comparado com o espaga- mento dos atuais transistores que é de cerca de 5 microns. Acrescente-se que cada face do sulco da Porta aumenta a densidade da corrente, pois que séo possiveis dois “caminhos” de corrente para uma Unica porta. Também outro fator a adicionar & capacidade de alta corrente 6 a localizagio do dreno por detrés do cristal (chip) onde pratica- mente ele no ocupa drea de silicio. A alta tensao de ruptura e a baixa capacitancia residual do V-MOS provém da regio n extra. A relativamente baixa concentracdo de impurezas de tal regio permite a regio de deplexao dreno-canal espalhar-se para o dreno, reduzindo o pico de campo elétrico através da juncéo e com isso aumentando a capacidade da tenséo de ruptura. A capaciténcia dreno-porta do V-MOS 6 reduzida pelo efeito armazenador (buffering) da regido de deplexio. Ainda outra_caracteristica importante do V-MOS ¢ a relagdo linear da corrente de dreno e tensio de porta numa ampla gama de correntes de dreno. Os convencionais transistores MOS séo dispositives quadréticos (square-low) nos quais a corrente de dreno é proporcional ao quadrado da tensGo de porta. No V-MOS, contudo, um estreito canal provoca 0 efeito de velocidade de saturagio de portadores que, por outro, lado causa uma ss 6 NOVA ELETRONICArelagdo linear entre a corrente de dreno ¢ a tenséo de porta acima de aproximadamente 400 miliam- péres (fig. 2). Com uma estrutura vertical semelhante ao transistor bipolar, 0 V-MOS oferece vantagens de alta tensio de ruptura, alta capacidade de corrente € alta freqiiéncia de trabalho sem as desvantagens do desempenho dos bipolares. MELHOR COMUTAG AO. © MOS FET de poténcia apresenta diversas significantes vantagens para alta poténcia e comu- taco em estado sélido. Um tipico dispositive como 0 VMP1 pode comutar 1A em 4 nanosegun- dos, 200 vezes mais rapidamente que um conven- cional transistor bipolar Darlington de tamanho equivalente. E com uma resisténcia de entrada de 1000 MQ 0 V-MOS FET néo necessita de circui- tos de excitacdo de alta corrente ou amplificadores para acoplé-lo com circuitos excitadores de porta légica complementar MOS (C-MOS). sa8v sav FIGURA 3 Como ele é um dispositive tipo enriquecimento {enhencement), uma tenséo de entrada de O V provocaré o corte (a corrente de fuga seré menor que 0,5 HA). Com uma tensio de porta de 10 V, suporta uma garantida minima corrente dreno- supridouro (drain-to-source) Ij, de 1A com uma resisténcia de 29214, Para comutar um transistor bipolar em menos de 1s é necessério, pelo menos, 200 mA e para corté-lo rapidamente é preciso uma tensdo negativa. Mas o FET de poténcia com uma alta impedancia de entrada necesita, praticamente, de corrente para tal. Alguns microampéres de corrente de excitag3o sdo ecessérios para alterar a capacitancia de entrada de quase 40 pF para mudar seu estado em menos de tus, A simplicidade dos projetos comutadores de alta corrente \6gico-compativels (fig. 3) usando V-MOS FET elimina a necessidade de resistores externos usualmente requeridos para a limitacado da corrente de entrada, adaptar a tensdo ou prote¢3o contra fugas. O pulso de entrada para a Porta légica produz um pulso na saida em 20 ns (figura 3B). Se uma porta C-MOS simples como o tipo 4011 for empregada no lugar de quatro, o atrazo (delay) aumentaré para préximo de 50 ns devido ao baixo “drive” dispon‘vel para carregar @ capacitancia de entrada de 40 para 60 pF do ‘VMP1. © circuito TTL de coletor aberto pode ser usado de muitas formas para excitar 0 FET, como no circuito “drive” da lmpada esquematizado na fig. 3. 1do 0 valor do resistor de 10 kK do TTL adaptador sera aumentada a velocidade do circuito. No entanto, para aplicagdes em limpadas como a do exemplo, qualquer valor pode ser adequado se a poténcia necesséria for disponivel. Um resistor de 1 k&2 drenaré 1 mA; um resistor de 100 kQ drenaré 50 WA. A. substitui¢éo de transistores bipolares por MOS FET de poténcia pode reduzir enormemente 0s componentes necessérios 0 que aumentaré a confiabilidade. Consideremos 0 circuito da fig. 4 que emprega uma gestéo da interface para perifé- rico programédvel da série 8 000 projetado para o micro-processador tipo 8080 para controlar im- pressoras, selendides, lays”, atuadores, etc. Setenta e dois resistores e quarenta e oito transistores bipolares podem ser substitufdos por 24 dispositivos V-MOS! A muito maior impedancia de entrada de 1.000 MQ do FET reduz 0 consumo do circuit de alimentago. Cada par Darlington de transistores bipolares precisa de 2 mA de corrente de excita- do. Com uma fonte de alimentacdo de 5 V, 0 circuito bipolar drenaré 240 mW de poténcia. NOVA ELETRONICA 7BIPOLAR INTERFACE V-Mos inrenrace FIGURA 4 Considerando que hé mais de 10 nA de perda de corrente em cada um dos FET, 0 ito total drenaré 240 nA a 5 V, ou apenas, 1, 2 UW. MANIPULANDO CORRENTES MAIS ELEVADAS Onde € necesséria a comutagdo de mais de 2 A, dois ou mais FET podem ser ligados em paralelo. E ‘Go fécil como conectar as portas de um C-MOS, em paralelo para maior capacidade de excitagdo. Sobretudo, precaugdes especiais so desnecessérias Para assegurar a distribuicdo da carga de corrente entre os dispositivos. O coeficiente positive de temperatura da resisténcia dreno-supridouro limita correntes excessivas por qualquer um dos disposi- tivos. O coeficiente negativo de temperatura dos dispositivos bipolares tende justamente ao oposto. Aumenta 0 fluxo de corrente nos dispositivos muito quentes devido 4 queda de resisténcia dos ‘transistores bipolares com o aumento da tempera- tura, 1380 provoca uma condig&o de fuga térmica, 8 NOVA ELETRONICA que causa a rpida destruicéo do dispositivo (efeito de avalanche). © circuito apresentado na tig. 5A simplicidade da ligagdo em paralelo de trés VMP1, FET de poténcia de 2A para formar um comu- tador de 6A sem nenhum outro componente externo. Esse circuito ou uma ligacio de seis dispositives com capacidade de comutar 12 A, pode ser excitado por uma Gnica porta C-MOS série 4000, apenas sacrificando a velocidade de comutagio. Em aplicagées necessitando operar com tensio mais elevada que um simples FET de poténcia pode manipular, vérios dispositivos podem ser ligados em série (fig. 5B). Na condicéo de condugao a porta (gate) de Q1 esté a+ 15 V coma tensio do dreno (drain) a cerca de 1V devido a queda Ips x rps do dreno para o supridouro (source) de Q1. O transistor Q2 também esté conduzindo devido & tenséo positiva em sua port O divisor de tensio, resistores R1 e R2, aplica 55% da aliinentagio do +15V a porta de Q2 e, considerando 0 dreno a +2V com 1V nosupridouro, produz um muito adequado enrique- cimento (enhancement) de +8,15 V para Q2 — levando-o rapidamente @ conducdo. Na condi¢ao de no condugio, a porta de Q1 é posta a terra pela porta légica do C-MOS e menos de 1 HA de corrente flue por Q1. divisor de tensZo resistivo agora “vé'" 85 V de diferenca entre a fonte de alta tensdo e a fonte logica. Isto coloca a porta de Q2 a cerca de 53 V. Q2 entdo atua como um seguidor de supridouro (source) suportando apenas microampéres de corrente entre dreno e supridouro. Entéo a sua tensio entre porta e supridouro é essencialmente 0; © que causa uma queda através de Qt, remanescendo uma queda de 47 V através de Q2, Isto distribue de uma forma razoavelmente igual @ alta tenséo entre ambos os FET. Para garantir que esta divisio de tensio seja mantida sob condi¢ées transientes, o valor dos capacitores C1 e C2 é escolhido para fazer as constantes de tempo R1C1 e R2C2 constantes. E 0s valores desses capacitores séo suficientemente elevados para balancear a capacitncia de entrada de Q2, A capacidade em manipulacdo de corrente de controle de um motor trifésico pode ser extendida simplesmente pela adi¢éo de um FET de poténcia fem paralelo com os originais. Desde que estes comutadores de poténcia séo diretamente légico- compativeis e tém alta impedancia de entrada, 6 FIGURA S bem possivel ter 2-, 4-, 6-, ou BA de modulagéo de largura de pulsos em controles de motores com torque constante operando com uma simples porta C-MOS da série 4000 excitando cada terminal. E os requisitos de baixa excitacéo de comutagdo tém adicionais beneficios de per- mitir que os terminais superiores sejam excitados com opto-isoladores de menor poténcia melhor que com volumosos transformadores de pulsos. APLICACOES LINEARES Para circuitos analégicos, 0 V-MOS FET tem diversas vantagens. Seu ganho de corrente é essencialmente equivalente a0 de um dispositive bipolar com beta infinito, devido impedancia de entrada de aproximadamente 1000 M& Tem um ganho unitério de freqiiéncia de resposta de 600 MHz devido a0 modo de operagao por efeito de campo de portadores majoritérios. A mais alta caracteristica de ganho linear para a corrente dreno-supridouro de 400 mA a 2 A torna-o itil em aplicagées de poténcia linear. Talvez a mais simples aplicagéo analégica do FET V-MOS 6 como comutadora. Um comutador analégico de baixa resistencia tem de 1,543 2de resisténcia de condugéo, dependendo do tipo de dispositivo, para sinais de 0 a 10 V. A corrente de fuga de desligamento ¢ menor do que 0,5 HA. Como o corpo de um encapsulamento de poténcia ‘com 3 terminais deve ser ligado ao supridouro do FET, a corrente analégica deve sempre ser feita fluir do dreno para o supridouro. O fluxo de corrente inversa vai encontrar o diodo pn existente FIGURA 6 Ado NOVA ELETRONICA 9(yvme2 FIGURA7 10 NOVA ELETRONICA| | | — | | | | L entre 0 corpo e 0 dreno diretamente polarizado. © circuito de prova e resposta de freqiénci ilustrado na fig. 6 mostra a simplicidade necesséi para um amplificador de banda larga de CC a 10 MHz. © VMP1 sob prova possue uma trans- condutancia, gm, de aproximadamente 0,27 mhos , com uma carga de 242 fornece um ganho do circuito (gm x resisténcia de carga RL) de 6,5. A distoreo harménica total para este circuito varia de 0,075% a 1 Vim de safda até 0,8% a 10 Vims- Estes dispositivos fazer estagios éudio-ampli- ficadores de alta qualidade, Um amplificador estéreo de 80 W (um dos canais é esquematizado na fig, 7) usa seis FET de poténcia em arranjo “push-pull”. A distorgéo harménica é inferior a 0,047 usando pequeno “feedback” negativo para uma resposta de freqiiéncia dentro de 3dB de 1 Hz a 800 kHz, S6 22 dB de “feedback” foram necessdrios com os FET, onde so usualmente empregados 40.dB com estégios a transistores bipolares. A distorgdo, que depende da poténcia de safda, & mostrada para varias combinagées de operacdo em “loop” aberto e fechado, com e sem filtro de RF. Um “bonus” extra quando se usa FET nesta saida de amplificador é inerentemente a protecdo contra curto-circuitos, a ruptura secundéria (secon- drary breakdown) e a fuga térmica. USOS EM ALTAS FREQUENCIAS ‘A mesma geometria de cristal (chip) € conse- guida numa familia de RF, a VMP4; usa a tecnologia da montagem de flange em linha. Emprega, ainda, bastante elevada resisténcia de entrada e baixa capacitancia de entrada; compara- do com um transistor bipolar equivalente, torna-o Gtil em amplificadores de poténcia VHF de banda larga. Por exemplo, um simples FET de poténcia, usado no circuito da fig. 8 tem um ganho de poténcia plana dentro de 15db para cerca de £1 db de 40 a 180 MHz — nio facilmente obtido com transistores bipolares equivalentes. O circuito pode fornecer 10 a 12W a uma carga de 50 9, dependendo da entrada (fig. 9). Uma caracter{s- tica-chave é a habilidade do circuito para resistir 3 cargas infinitas de relagdes de tensées de ondas estaciondrias sem nenhum circuito de poténcia especial Estes dispositivos V-MOS séo os primeiros a nascer de uma familia de MOS FET que provocaré sua extrema utilidade em comutagéo de poténcia de estado sblido e aplicagdes em poténcias lineares. Encontraréo usos em ambas as novas aplicagdes & como eventuais substitutos dos antigos. OBSERVAGOES: Os circuits apresentados neste artigo so meramente ilustrativos, no se destinando, portanto, a aplicrades préticas imediotas, Os V-MOS estardo, dentro de algum tempo, & disposigo no mercado brasileiro;, os leitores ‘aguardem nossa comunicacdo quando isso ocorrer. FIGURA 9 NOVA ELETRONICA 11A BIO-REALIMENTAGAO O QUE E A BIO-ENGENHARIA Sob o titulo de bio-engenharia, en- genharia biomédica, bidnica, etc., aflora, aparentemente, uma nova especializaco profissional. Tal fato, porém, nao é total- mente correto. Embora os nomes sejam realmente fruto do nosso século, a bio- engenharia acompanha nossa espécie desde © surgimento como “Homo sapiens”. Cabe, entretanto, destacar os experimentos do anatomista Galvani (1791) e do fisico Volta (1800), talvez como a primeira tentativa de se quantificar instrumental- mente um parametro fisiolgico. Assim como para um engenheiro diag- nosticar em um equipamento eletronico seu defeito, ou para um médico diagnosticar uma doenca qualquer, ambos utilizam sinais-pista detectados pelos seus sentidos basicos. Um ou outro, no entanto, se ressentem da insensibilidade e subjetividade desses sentidos bdsicos (visio, audi¢éo, tato, etc.). Paralelamente ao desenvolvimento tecno- légico da eletrénica, surge a oportunidade de se construirem aparelhos eletronicos capazes de auxiliarem 0 médico no diagnés- 12 NOVA ELETRONICA tico, bem como permitirem a quantificagdo de parametros normais e patolégicos para 98 seres vivos. Vale salientar ao leitor que a bio-engenharia envolve, além da eletrénica, os setores de hidrdulica, fisica, fisica nuclear, quimica, cibernética, matemética, materiais, etc. Antes do advento da_bio-engenharia como especialidade, o desenvolvimento dos equipamentos era feito pelos proprios pes- quisadores de bio-ciéncias, em seus labora- trios. O avango da instrumentagao bio-médica acompanhou de uma forma notével o desenvolvimento da tecnologia eletronica e, como seria de se esperar, comecou a tornar-se altamente sofisticada e dificil de ser desenvolvida por um pesquisador dedi- cado mais as bio-ciéncias. Em meio a uma confusa e nem sempre tranqiiila simbiose de engenheiros e pesquisadores de bio- ciéncias, hé umas duas décadas atrés, surgiu 0 bio-engenheiro, individuo altamente espe- cializado tendo como caracteristica 0 co- nhecimento de, pelo, menos, uma especia- lidade em engenharia e uma em bio-ciéncia,Gary Gronich além de possuir uma linguagem que o torna capaz de se comunicar satisfatériamente com os dois grupos de pesquisadores. Iniciando uma série de artigos que tem como intengéo a divulga¢do da bio-enge- nharia em nosso meio, desenvolvemos pe- quenos projetos que, longe de serem equi- pamentos sofisticados de laboratério, fun- cionam a contento do experimentador, sendo Uteis para professores e alunos demonstrarem, seja em aula ou em exposi- Ses de ciéncias, diversos e importantes fendmenos biolégicos, além de terem um custo muito acessivel. BIO-REALIMENTACAO. Antes de abordarmos o projeto propria- mente dito, cumpre-nos ressaltar com ve- eméncia dois fatos: 12 — este projeto, bem como os futu- ros, tem carater ilustrativo, ndo devendo, portanto, ser utilizado para fins terapéu- ticos; 2° — um dos principios bésicos em bio-engenharia, consiste em se proteger 0 individuo, que interage com o equipamen- to, de eventuais danos fisicos; todo o equipamento elétrico que entrar em contac- to.com 0 corpohumano deve ser construido de forma a evitar possiveis choques elétri- cos; em vista de serem as fontes de alimentago convencionais as principais causadoras desse tipo de acidente e comoa montagem de tais fontes, a partir da rede elétrica domiciliar, que preencha aquele principio basico é razoavelmente complexa, além de ser muito cara, nossos projetos sero todos alimentados por baterias; em hipétese alguma deveréo ser utilizadas fontes tipo transformador + retificador ou divisores resistivos. E oportuno alertar ao leitor que se decidir montar e experimentar algum de Nossos circuitos fazé-lo seguindo rigorosa- mente nossas instru¢es, evitando introdu- zir modificagées ou adaptagées. O material que empregamos é de facil aquisic¢o e nada tem de especial; portanto, nao procure equivalentes. A bio-realimentacao consiste em se reali- NOVA ELETRONICA 13mentar instrumentalmente num individuo © estado atual de um pardmetro fisioldgico normal, sobre o qual o individuo ndo tem informagao ao nivel coincidente. Varios sao os parametros fisiolégicos que Podem ser realimentados, assim como vé- rios so os meios dessa realimentagao. Nosso projeto consiste num circuito eletré- nico capaz de medir a resistencia da pele e continuamente informar ao individuo, atra- vés da variagao de frequiiéncia de um tom audivel, as variages dessa resisténcia. A escolha da realimentagao auditiva prende-se ao fato de ser 0 ouvido humano muito sensivel a variagdes de freqiiéncia, o que simplifica, sobre maneira, 0 projeto bio-realimentador. Para esta realimentagdo nao é necessdrio conhecer 0 valor absoluto da resisténcia da pele, mas sim seus valores relativos. O que se pretende com a realimentago é variar “‘conscientemente” a resisténcia da pele, para o que sera necessério um certo treinamento. A maior ou a menor facili- dade de se conseguir este intento prende-se capacidade de cada um em se concentrar e se controlar. Para a realizag3o da bio-realimentagdio devemos permanecer em repouso, uma vez que a atividade fisica, assim como as variagées do estado emocional, sio acompa nhadas de variagdes da resisténcia da pele, independente de nossa vontade ou de qualquer realiemntagdo externa. Os eletrodos deveréo ser fixados aos dedos anular e indicador, por meio de fita gomada ou esparadrapo, devendo a mio Para tal finalidade usada, ficar também em repouso e numa posi¢ao confortdvel. RELAGAO DE COMPONENTES it eC Pas?) Liye Ravisia BUTE SSRRUGROMOEAOIDEEO SULLA LEONE O curso de Programacao de Microcomputadores que iniciamos neste numero 6 inédito e sem similares, mesmo em revistas estrangeiras. O leitor pode, realmente, encontrar algo, relativo ao assunto, em artigos esparsos, mas jamais sob a forma de um curso. Em virtude de ser uma matéria bastante atual e palpitante, quem se decidir a seguir nossas lig6es ird adquirir inestiméveis conhecimentos e uma série de conceitos sui-generis. O assunto ird exigir conceitos basicos que o leitor jé deveré possuir; no entanto, 4 medida que eles se tornarem necessdrios, os recordaremos sumariamente, se possivel. A primeira vista pode parecer um curso de nivel muito elevado. Na realidade a terminologia é um pouco diferente, seremos obrigados a usar palavras e frases em inglés as quais, traduzidas, jamais teriam o verdadeiro significado. ‘Além do mais essa terminologia tornou-se mundialmente usada e 0 leitor precisard compreendé-la e absorvé-la. Convém esclarecer que este nao é um curso por correspondéncia. ‘| As licdes devem ser estudadas com muita aten¢ao desde a primeira pois que, sendo umas seqiiéncia légica das outras, nao havendo um método, surgiré uma contusdo dificil de ser resolvida. Os exercicios que se propuserem terGo suas respostas e explicacées na licao seguinte. Assim, os leitores nao nos devergo enviar os mesmos, resolvidos, para que procedamos és corregées. O nosso curso abordard os seguintes e principais tépicos: — Introdugao aos Microcomputadores — Estrutura do Processador 8080 — Programas — Programas Avangados O curso terminaré com pormenorizados dados, elementos e instrugdes para que 0 leitor, se assim 0 desejar, possa montar um microcomputador cuja aquisi¢ao seré brevemente possivel sob forma de “kit”, pré-montado, pré-calibrado e que funcionaré perfeitamente. NOVA ELETRONICA 17SINAIS DE | , SELEGAO_E PRE-DISPOSIGAO 3-BARRAS BIDIRECIONAIS FIGURA 1 Os microcomputadores esto se difun- dindo cada vez mais; séo utilizados como controladores de sistemas complexos, para substituir conjuntos légicos discretos, etc. Seu preco, cada vez mais baixo, permite o que antes era impossivel: um amador pode montar um computador completo em sua prépria casa; um empresdrio pode especifi- car um sistema de computacao exatamente adaptado, em custo e tamanho, as suas ne- cessidades. O acesso a um computador era, hd alguns anos atrds, caro e dificil. Sua lo- calizagio exigia espaco, instalacdes espe- ciais, pessoal treinado. Hoje, um microcom- putador de capacidade equivalente a um computador médio de ha cinco anos passa- dos, pode ser instalado sobre uma mesa, ocupando pouco mais que um amplificador. Mas nada vale esta facilidade se no sabemos usar nosso microcomputador. Sa- ber usé-lo é saber programar. Esta 6 a primeira ligo de uma série que visa ensinar @ programagio de um microcomputador. Saber programar significa saber “ensinar”’ a maquina a fazer o que’ queremos. As possibilidades de um microcomputador so infinitas. Podemos “ensind-lo” a calcular, a controlar méquinas-ferramenta, a controlar nosso aparelho de TV de forma a realizar jogos, a emitir uma fatura, a fazer uma lista de compras, a guardar dados numa fita “cassete”’, etc. . . O que é um microcomputador? Um 18 NOVA ELETRONICA — 4 microcomputador € um dispositivo légico variavel; um micromputador nada mais é que um circuito que realiza uma func3o légica, Possue, contudo, uma caracteristica excepcional: essa fungdo ldgica pode “mudar’. Um mesmo microcomputador Pode trabalhar como mdquina de calcular, pode controlar um torno, pode imprimir faturas ou ainda jogar xadrez. Pode, enfim, realizar qualquer fungo ldgica imagindvel. Esta possibilidade de mudar a funcdo da maquina faz com que ela seja chamada de maquina universal (GENERAL PURPOSE COMPUTER) — fig. 1. O que permite a um microcomputador realizar fungdes diferentes? E 0 programa “diz” méquina o que ela deve fazer. Para cada funcao, hé um programa: o programa que imprime faturas, o programa que joga xadrez, etc, .. Muda-se o programa e muda a fungao do microcomputador. Nosso objetivo, neste curso, é ensinar a Programar microcomputadores. Consegui- remos “ensinar” o microcomputador a realizar as fungées desejadas. Programas podem ser muito simples (por exemplo: somar dois nuimeros) ou complex {ssimos (por exemplo: traduzir um texto do inglés ao portugués), Comegaremos estudando a estrutura do microcomputador; veremos seus blocos principais e sua “linguagem” interna.O MICROCOMPUTADOR Um microprocessador é um dispositivo composto de um pequeno numero de “chips” LSI, que: — opera sob controle de um programa; — pode efetuar operagdes sobre dados, tais como, operagées légicas, opera- g6es aritméticas, “input/output” (en- trada/saida) de dados, controle do “input/output”, decis6es sobre a exe- cugéo do programa em fungdo dos dados, etc. Um microcomputador & um dispositivo composto de: — um microprocessador — meméria — circuito de “input/output” Para a programagdo néo é necessério conhecer 0 funcionamento interno do microcomputador, nem seus circuitos, Bas- ta ter um modelo claro de sua estrutura. O modelo classico esté representado na fig. 2. FIGURA 2 N&o vamos entrar nos detalhes de funciona- mento de cada uma das partes; para nos basta entender sua fun¢ao como um bloco, sem nos preocuparmos com a realizado eletronica. Assim como existiu a maquina de calcular mecanica, existiu 0 computador mecanico e até mesmo o computador hidréulico, onde a corrente elétrica era substituida pelo escoamento de um fluido! Os principios de funcionamento séo sempre ‘0s mesmos. As unidades de “input” forne- cem dados ao sistema. Exemplos: chaves, teclados, conversor analégico/digital, leitor de fita de papel, leitor de “cassette”. As unidades de “output” recebem resultados do sistema, Exemplos: LEDs, video, im- Pressora, gravador de ‘‘cassette’’.. Fazendo uma analogia com uma calculadora de bolso, o teclado seria a unidade de “input” e o “display” a unidade de “output”. Normalmente, em um microcomputador, pode haver varias unidades de “input” e varias de “output”. A escolha de uma unidade de “input” ou “output” depende da finalidade do sistema. Se for controlar um processo industrial, nosso microcom- putador precisaré, provavelmente, de cha- ves e conversores analégico/digitais. Se for usado para emitir faturas, precisara de uma impressora. De qualquer forma, as unidades de “input/output” (abreviado 1/0) séo essenciais para comunicacao com o sistema. Sem elas, 0 sistema se tornaré inutil O processador é a alma do microcom- putador. Gera os sinais que controlam os outros dispositivos, executando o progra- ma, Veremos adiante, em detalhe, como o processador executa um programa. A meméria & um dispositive que arma- zena dados. E um conjunto de registra- dores, numerados de zero até a capacidade total da méquina. Chama-se a este numero de endereco do registrador. O registrador pode conter um dado. Este dado ¢ um ndmero binario. A capacidade dos registra- dores (mais conhecidos como posigées de meméria) varia de computador para com- putador e 6 uma caracter/stica da maquina. Nos microcomputadores mais usados, a meméria tem posicGes de oito “bits”. Cada posic&io pode armazenar um numero que vai de 0 a 256. Veremos adiante o que é “bit” e como se usa numeracao bindria. O ndmero armazenado em uma posicéo de memiédria é 0 seu contetido. Na figura 3 esta representada uma memoria de 32 posicdes. FIGURA 3 NOVA ELETRONICA 19