ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA KĨ THUẬT HÓA HỌC

--------------------oOo-------------------
CHUYÊN ĐỀ LUẬN VĂN

NGHIÊN CỨU HỆ THỐNG

ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ
PHẢN ỨNG CSTR
---------------------------------------------
--SV: Vũ Hoàng Lộc _ MSSV:1712056--
-- GVHD: TS. Bùi Ngọc Pha --
Năm học: 2020 – 2021
LỜI CẢM ƠN
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA
KHOA KĨ THUẬT HÓA HỌC

----------------------oOo---------------------
CHUYÊN ĐỀ LUẬN VĂN

NGHIÊN CỨU HỆ THỐNG

ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ
PHẢN ỨNG CSTR

-------------------------------------------------
--SV: Vũ Hoàng Lộc _ MSSV:1712056--
-- GVHD: Bùi Ngọc Pha --
Năm học: 2020 – 2021

[DOCUMENT TITLE]
P a g e 2 | 20
 MỤC LỤC
1. MỞ ĐẦU................................................................................................................... 1

1.1. Đặt vấn đề..........................................................................................................1

1.2. Mục đích và mục tiêu của chuyên đề luận văn................................................2

2.1. Các bộ phận chính của thiết bị.........................................................................3

2.2. Thực trạng vận hành thiết bị............................................................................3

2.3. Nguyên nhân của thực trạng.............................................................................3

3. CƠ SỞ LÍ THUYẾT, NỀN TẢNG CƠ BẢN.........................................................4

3.1. Động học của phản ứng.....................................................................................4

3.2. Lý thuyết điều khiển..........................................................................................5

3.2.1 Những khái niệm cơ bản...............................................................................................5

3.2.2. Các thành phần cơ bản của hệ thống.........................................................................6

3.2.3. Các sách lược điều khiển cơ bản................................................................................6

3.2.4. Bộ điều khiển..................................................................................................................7

4. THÔNG SỐ ẢNH HƯỞNG QUÁ TRÌNH VẬN HÀNH CSTR...........................9

4.1. Phản ứng xảy ra trong thiết bị..........................................................................9

4.2. Quy ước kí hiệu..................................................................................................9

4.3. Thiết lập mô hình thiết bị phản ứng...............................................................11

4.3.1. Phương trình cân bằng mực chất lỏng....................................................................11

4.3.2. Phương trình tốc độ phản ứng..................................................................................11

4.3.3. Phương trình cân bằng năng lượng.........................................................................11

4.3.4. Phương trình cân bằng nồng độ...............................................................................12

 MỤC LỤC HÌNH ẢNH

Hình 1: Sơ đồ quy trình công nghệ của hệ thống thiết bị phản ứng hoạt động gián

đoạn hiện tại ……………………………………………………………………………….……

Hình 2: Xác định biến quá trình và biến trạng thái trong 1 quá trình ……………...

……5

Hình 3: Các thành phần cơ bản của một hệ thống điều khiển quá trình ……………...

Hình 4: Cấu trúc của sách lược điều khiển phản hồi ……………………………………

Hình 5: Cấu trúc của sách lược điều khiển tầng ….. …………………………………....

Hình 6: Cơ chế điều khiển ON-OFF ………………………………………………………

Hình 7: Cơ chế cải tiến điều khiển ON-OFF có dãy chết …………….…………………

8
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
1. MỞ ĐẦU
1.1. Đặt vấn đề
Điều khiển tự động trong công nghiệp hóa học đã và đang ngày một phát triển.
Đặc thù của quá trình công nghệ sản xuất hóa chất là khó thay đổi công nghệ, mô
hình phức tạp, chịu nhiều tác động của nhiễu. Do mỗi thiết bị có đặc tính riêng nên
nhu cầu phải thiết lập một hệ thống điều khiển phù hợp với đặc thù của quá trình
công nghệ là hoàn toàn cần thiết.
Thiết bị phản ứng là một những thiết bị cơ bản được sử dụng trong ngành hóa
với các thông số công nghệ phải được kiểm soát liên tục và chặt chẽ. Điều này chỉ
có thể được đảm bảo thực hiện tốt nhờ ứng dụng của kỹ thuật điều khiển tự động
thay cho điều khiển thủ công truyền thống.
Nhằm ứng dụng những kiến thức đã học vào điều khiển một quá trình thực tế mả
cụ thể đối tượng ở đây là thiết bị phản ứng khuấy trộn trong phòng thí nghiệm quá
trình thiết bị (105-B2), tôi đã tiến hành khảo sát, thu thập dữ liệu nhằm thay đổi cơ
chế hoạt động của thiết bị phản ứng này từ gián đoạn sang liên tục cũng như đưa ra
phương án tối ưu hóa quá trình điều khiển cho thiết bị phản ứng.

Hình 1: Sơ đồ quy trình công nghệ của hệ thống thiết bị

phản ứng hoạt động gián đoạn

[DOCUMENT TITLE]

Trang 1
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
Việc thay đổi cơ chế hoạt động của thiết bị đem lại nhiều lợi ích có thể kể đến:
tạo chất lượng sản phẩm đồng đều với một số lượng lớn do đó tạo ra lợi thế cạnh
tranh kinh tế cho sản phẩm. Giảm chi phí vận hành mà ở đây là chi phí khởi động
và chi phí để ổn định hệ thống.

1.2. Mục đích và mục tiêu của chuyên đề luận văn

Mục đích
- Chuyển đổi thiết bị phản ứng từ vận hành gián đoạn sang vận hành liên tục
( chuyển đổi thành thiết bị phản ứng CSTR ).
- Thiết kế bộ điều khiển PLC S7-1200 sử dụng quy luật PID và sách lược điều khiển
tầng để tối ưu quá trình điều khiển nhằm :
 Giảm thời gian xác lập của hệ từ lúc vận hành đến khi hệ thông ổn định
 Tăng độ ổn định của các thông số công nghệ trong hệ thống khi vận hành
 Triệt tiêu nhiễu tác động gây mất cân bằng lên hệ thống
 Nâng cao năng suất, sản lượng sản phẩm
- Đơn giản hóa quy trình vận hành thông qua sử dụng màn hình giao diện HMI

Mục tiêu
- Vận dụng lí thuyết nền, nghiên cứu cơ bản về cơ sở điều khiển, thiết bị phản ứng
CSTR làm tiền đề cho những ý tưởng cải tiến, thay đổi cấu tạo thiết bị
- Khảo sát những yếu tố, những thông số công nghệ ảnh hưởng lên hệ thống thiết bị
phản ứng CSTR để khắc phục, giải quyết những vấn đề tồn đọng của hệ thống thiết
bị phản ứng.
- Sử dụng phần mềm lập trình TIA Portal V15 để thiết lập thuật toán điều khiển cho
PLC S7-1200 cũng như thiết kế tủ điện.

[DOCUMENT TITLE]

Trang 2
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
2. GIỚI THIỆU HỆ THỐNG THIẾT BỊ PHẢN ỨNG THỰC TẾ
2.1. Các bộ phận chính của thiết bị
Nồi đun dòng gia nhiệt ( gia nhiệt điện trở )
Bơm 3 pha – 380V và bơm DC- 12V
Tháp giải nhiệt: Tháp đệm
Bình phản ứng phản ứng khuấy hoạt động gián đoạn
Hệ thống tủ điện.

2.2. Thực trạng vận hành thiết bị

- Không ổn định được nhiệt độ nồi đun dòng gia nhiệt ở giai đoạn đầu quá trình
vận hành do thuật toán điều khiển chưa phù.
- Mối liên hệ giữa nhiệt độ nồi đun và bình phản ứng được khảo sát dựa trên thực
nghiệm chưa dùng cơ sở lý thuyết để kiểm chứng.
- Sử dụng phương pháp dò dẫm thực nghiệm để tìm chiều cao lớp đệm của tháp
giải nhiệt, chưa tìm ra được chiều cao tối ưu để giải nhiệt tốt nhất .
- Tốc độ bơm dòng nóng biến thiên quá nhanh mặc dù nhiệt độ bình phản ứng đạt
gần giá trị cài đặt làm hệ thống khó ổn định nhiệt độ.
- Hệ thống cách điện chưa tốt gây nguy hiểm cho người vận hành.

2.3. Nguyên nhân của thực trạng.

- Thiếu thời gian khảo sát nhiều phương án để tìm ra phương án vận hành tối ưu.
- Phương pháp khảo sát mối liên hệ nhiệt độ nồi đun và bình phản ứng chưa được
tổng thể, khái quát chi tiết.
- Thiếu gian thời tính toán chiều cao lớp đệm phù hợp.
- Do thuật toán điều khiển chưa hợp lí => Gây tác động lên quy trình vận hành.
- Do thiết kế thiết bị: Vị trí đặt cảm biến chưa thật sự hợp lí, tháp giải nhiệt được
thiết kế từ việc tận dụng các vật liệu có sẵn trong lab không dựa nhiều vào cơ sở
tính toán lí thuyết thuần túy.
- Ảnh hưởng bởi yếu tố bão hòa tích phân trong thuật toán PID.

[DOCUMENT TITLE]

Trang 3
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
3. CƠ SỞ LÍ THUYẾT, NỀN TẢNG CƠ BẢN
3.1. Động học và của phản ứng
Động học phản ứng là một phần của hóa học vật lý nghiên cứu tốc độ phản ứng.
Tốc độ phản ứng được định nghĩa là lượng tăng số mol sản phẩm/ lượng giảm số
mol tác chất trong một đơn vị thể tích trong một đơn vị thời gian.
Các yếu tố ảnh hưởng đến tốc độ phản ứng
- Diện tích bề mặt của tác chất rắn: càng lớn thì tốc độ phản ứng càng tăng.
- Nồng độ của tác chất ban đầu: càng cao thì tốc độ phản ứng càng tăng.
- Nhiệt độ: Nhiệt độ cao thường tạo điều kiện cho tốc độ phản ứng tăng.
- Áp suất: Trong phản ứng pha khí, áp suất tăng thì tốc độ phản ứng tăng.
- Xúc tác: Làm tăng tốc độ phản ứng thông qua giảm năng lượng hoạt hóa
- Yếu tố khác: Môi trường phản ứng, tốc độ khuấy trộn,…
=> Do hệ thống phản ứng hiện tại là phản ứng không sử dụng xúc tác, pha lỏng
đồng thể, bản chất phản ứng là bất thuận nghịch, tỏa nhiệt nên chỉ quan tâm đến
các yếu tố nồng độ tác chất ban đầu, nhiệt độ và tốc độ khuấy trộn.

Tốc độ phản ứng

Theo thời gian, độ chuyển hóa tăng khiến nồng độ tác chất giảm kéo theo tốc
độ phản ứng giảm nhưng khi nhiệt độ tăng làm tăng tốc độ phản ứng tăng.
Ở độ chuyển hóa thấp, do nồng độ tác chất vẫn còn nhiều nên tăng nhiệt độ
dẫn đến tốc độ phản ứng tăng. Ở độ chuyển hóa cao, việc tăng nhiệt độ không có
lợi cho phản ứng vì tốc độ phản ứng tăng khi tăng nhiệt độ chậm hơn so với tốc
độ phản ứng giảm khi nồng độ tác chất giảm còn rất ít.
=> Tốc độ phản ứng bị ràng buộc bởi độ chuyển hóa X nên khi X=100% thì r = 0
ở mọi nhiệt độ.

Độ chuyển hóa X
Phản ứng tỏa nhiệt là phản ứng có chiều thuận là tỏa nhiệt
Nếu tăng nhiệt độ môi trường lên, môi trường lại có xu hướng cho lại, không có
xu hướng nhận dẫn đến cấn nhiệt lượng tỏa, phản ứng không thuận lợi về mặt
nhiệt động học.
 Phản ứng tỏa nhiệt không cho độ chuyển hóa cao khi tăng nhiêt độ

[DOCUMENT TITLE]

Trang 4
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
3.2. Lý thuyết điều khiển
3.2.1 Những khái niệm cơ bản

Quá trình là một trình tự các diễn biến vật lý, hóa học hoặc sinh học, trong đó
vật chất, năng lượng hoặc thông tin được biến đổi, vận chuyển hoặc lưu trữ. Trạng
thái hoạt động và diễn biến của một quá trình thể hiện qua các biến quá trình.

Điều khiển quả trình là ứng dụng kỹ thuật điều khiển tự động trong điều khiển,
vận hành và giám sát các quá trình công nghệ nhằm đảm bảo chất lượng sản phẩm,
hiệu quả sản xuất và an toàn cho con người, máy móc và môi trường.

Biến quá trình gồm biến vào và biến ra, trong đó: biến vào là đại lượng hoặc 1
điều kiện phản ánh tác động từ bên ngoài vào quá trình còn biến ra là một đại
lượng hoặc một điều kiện thể hiện tác động của quá trình ra bên ngoài.

Biến trạng thái bao gồm: biến cần điều khiển, biến điều khiển và nhiễu
Biến cần điều khiển ( Controlled Variable ) là một biến ra hoặc một biến trạng
thái của quá trình được điều khiển, điều chỉnh sao cho gần với giá trị đặt
(setpoint)
Biến điều khiển ( Manipulated Variable ) là một biến vào của quá trình có thể
can thiệp trực tiếp từ bên ngoài, qua đó tác động tới biến ra theo ý muốn.
Biến nhiễu ( Disturbance ) là những biến còn lại không can thiệp được một
cách trực tiếp hay gián tiếp trong phạm vi quá trình đang quan tâm.

Hình 2: Xác định biến quá trình và biến trạng thái trong 1 quá trình

[DOCUMENT TITLE]

Trang 5
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
3.2.2. Các thành phần cơ bản của hệ thống

Thiết bị đo: chức năng của một thiết bị đo là cung cấp một tín hiệu ra tỉ lệ theo
một nghĩa nào đó với đại lượng đo. Một thiết bị đo gồm hai thành phần cơ bản là
cảm biến (sensor): đo đại lượng quan tâm và chuyển đổi đo (transducer): chuyển
đổi tín hiệu ra từ cảm biến sang một dạng thích hợp.
Thiết bị chấp hành (final control): chức năng của hệ thống/ thiết bị chấp hành là
nhận tín hiệu ra từ bộ điều khiển và thực hiện tác động can thiệp tới biến điều
khiển. Các thiết bị chấp hành tiêu biểu trong công nghiệp là van điều khiển, động
cơ, máy bơm và quạt gió.
Thiết bị điều khiển (bộ điều khiển, controller): một thiết bị tự động thực hiện
chức năng điều khiển, là thành phần cốt lõi của một hệ thống điều khiển công
nghiệp.

Hình 3: Các thành phần cơ bản của một hệ thống điều khiển quá trình

3.2.3. Các sách lược điều khiển cơ bản

Điều khiển phản hồi
Dựa trên nguyên tắc liên tục đo giá trị biến được điều khiển và phản hồi
thông tin về bộ điều khiển, so sánh nó với giá trị đặt, dựa vào sai lệch giữa biến
được điều khiển và giá trị đặt để xác định tín hiệu tác động vào biến điều khiển.
Sách lược điều khiển này còn được gọi là điều khiển vòng kín

[DOCUMENT TITLE]

Trang 6
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
Hình 4: Cấu trúc của sách lược điều khiển phản hồi
Điều khiển tầng
Điều khiển tầng là sách lược điều khiển sử dụng cấu trúc các bộ điều khiển
lồng nhau, tín hiệu điều khiển vòng ngoài ( biến thứ nhất ) sẽ dùng để tính toán
tín hiệu đặt cho vòng điều khiển trong ( biến thứ hai ).
Điều khiển tầng khắc phục nhược điểm của điều khiển phản hồi đơn vòng
như: sự ảnh hưởng của nhiễu quá trình tới biến cần điều khiển chậm được phát
hiện, đặc biệt là các quá trình có các hằng số thời gian lớn, bộ điều khiển phản
hồi đơn vòng khó thực hiện được.

Hình 5: Cấu trúc của sách lược điều khiển phản hồi

3.2.4. Bộ điều khiển

Bộ điều khiển PID
Bộ điều khiển PID (Proportional Integral Derivative) là một cơ chế phản hồi
vòng điều khiển sử dụng rộng rãi trong các hệ thống điều khiển quá trình công
nghiệp. Bộ điều khiển sẽ thực hiện giảm tối đa sai lệch bằng cách hiệu chỉnh giá
trị điều khiển đầu vào.
Giải thuật tính toán bộ điều khiển PID gồm 3 thành phần: tỷ lệ P, tích phân I
và vi phân D. Một bộ điều khiển PID sẽ được gọi là bộ điều khiển PI, PD, P
hoặc I nếu vắng mặt các tác động bị khuyết. Trong đó bộ điều khiển PI là phổ
biến nhất, do đáp ứng vi phân khá nhạy đối với các nhiễu đo lường.

[DOCUMENT TITLE]

Trang 7
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]

Thành phần tỷ lệ
Tỷ lệ với sai lệch điều khiển tại thời điểm hiện tại. Đáp ứng tỷ lệ có thể
được điều chỉnh bằng cách nhân sai số đó với một hằng số Kp, được gọi là
độ lợi tỷ lệ. Thành phần tỷ lệ được tính theo công thức (1):
P=K p .e(t) C p (s)=K p
(1) (2)
Với Kp là độ lợi tĩnh hay hệ số khuếch đại, e(t) là sai số tại thời điểm đang
xét. Sai số chính bằng hiệu giữa tín hiệu đặt và tín hiệu hồi tiếp trong quá
trình quá độ. Hàm truyền của thành phần tỷ lệ theo công thức (2).
Thành phần tỷ lệ không thể triệt tiêu sai số xác lập trong mọi trường hợp.
Nếu Kp tăng, tốc độ đáp ứng của hệ tăng lên, sai số xác lập giảm. Tăng tiếp
Kp, nếu chưa có vọt lố thì thời gian xác lập giảm, nếu có vọt lố thì thời gian
xác lập tăng. Kp quá lớn sẽ làm cho hệ mất ổn định.

Thành phần tích phân

Thành phần tích phân tỷ lệ thuận với cả biên độ sai số lẫn quảng thời gian
xảy ra sai số và được tính theo công thức (3)
Ki là hệ số tích phân. Giá trị tích phân xác định tổng các giá trị sai số
trong quá khứ theo thời gian. Hàm truyền tính theo công thức (4)
t
Ki
I=K i . e(t)dt (3) Ci (s)= (4)
o
s

Sự tác động của thành phần tích phân làm cho sai lệch tĩnh xấp xỉ bằng
không khi kết hợp với bộ điều khiển tỷ lệ P. Trường hợp này người ta gọi là
bộ điều khiển PI (tỷ lệ - tích phân).
Khi nào còn sai số thì còn tín hiệu điều khiển do thành phần tích phân tạo
nên, và khi hệ số tích phân càng lớn, sai số xác lập càng nhỏ nhưng độ vọt lố
sẽ tăng. Tuy nhiên thành phần tích phân cũng có một nhược điểm là hiện
tượng bão hòa tích phân xảy ra khi biến điều khiển đi vào những vùng bão
hòa hay cơ cấu chấp hành có hạn chế gây ra sai số xác lập.

Thành phần vi phân:

[DOCUMENT TITLE]

Trang 8
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
Cải thiện chất lượng điều khiển theo cách dự báo trước xu hướng của sai
lệch điều khiển và đưa ra tác động chống lại xu hướng đó. Tốc độ thay đổi
sai số của quá trình được tính toán bằng cách xác định độ dốc của sai số theo
thời gian ( đạo hàm bậc 1 theo thời gian). Thành phần vi phân được tính
theo công thức (5) với Kd là hệ số vi phân. Hàm truyền của bộ điều khiển vi
phân (6).
de(t)
D=K d . (5) Cd (s)=K ds (6)
dt
Thành phần vi phân làm hệ đáp ứng chậm hơn nhưng ổn định hơn. Điều
khiển vi phân được sử dụng để làm giảm biên độ vọt lố, K d càng lớn thì độ
vọt lố càng nhỏ. Tuy nhiên đôi khi làm hệ mất ổn định do thành phần vi
phân khá nhạy với nhiễu. Thành phần vi phân không thể sử dụng một mình
mà phải kết hợp với các thành phần tỷ lệ và tích phân.

4. THÔNG SỐ ẢNH HƯỞNG QUÁ TRÌNH VẬN HÀNH CSTR

4.1. Phản ứng xảy ra trong thiết bị
A+BC+D
Tính chất của phản ứng :
Xảy ra trong pha lỏng
Phản ứng thuận nghịch
Phản ứng tỏa nhiệt ( Hr < 0 )
Các giả thiết đặt ra :
Tỉ lệ mol của chất tham gia phản ứng là 1:1
Chiều cao mực chất lỏng trong thiết bị phản ứng được giữ không đổi => Thể tích
dung dịch trong bình phản ứng là hằng số.
Khuấy trộn lí tưởng: nồng độ các chất là như nhau tại mọi vị trí
Bậc phản ứng trong phản ứng trên là bậc 2.

4.2. Quy ước kí hiệu

Thông số về phản ứng
k1: Hằng số tốc độ phản ứng theo chiều thuận
k2: Hằng số tốc độ phản ứng theo chiều nghịch
Hr : Enthapy của quá trình phản ứng chiều thuận

[DOCUMENT TITLE]

Trang 9
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
o
Nhiệt độ ( C)
T: Nhiệt độ trong bình phản ứng
T1: Nhiệt độ của dòng nhập liệu thứ nhất
T2: Nhiệt độ của dòng nhập liệu thứ hai
THot: Nhiệt độ dòng gia nhiệt vào thiết bị phản ứng
T’Hot : Nhiệt độ dòng gia nhiệt ra thiết bị phản ứng
TCool : Nhiệt độ dòng giải nhiệt vào thiết bị phản ứng
THot: Nhiệt độ dòng giải nhiệt ra thiết bị phản ứng
Năng lượng (J)
E: Năng lượng trong bình phản ứng
E1: Năng lượng dòng nhập liệu thứ nhất mang vào
E2: Năng lượng dòng nhập liệu thứ hai mang vào
EHot: Năng lượng dòng nóng gia nhiệt cho thiết bị
ECool: Năng lượng dòng lạnh giải nhiệt cho thiết bị
Nồng độ mol (mol/l)
CA: Nồng độ mol cấu tử A trong thiết bị phản ứng
CA0: Nồng độ mol cấu tử A trong dòng nhập liệu thứ nhất
CB: Nồng độ mol cấu tử B trong thiết bị phản ứng
CB0: Nồng độ mol cấu tử B trong dòng nhập liệu thứ hai
CC: Nồng độ mol cấu tử C trong thiết bị phản ứng
CD: Nồng độ mol cấu tử D trong thiết bị phản ứng

Lưu lượng (l/s)

F1: Lưu lượng dòng nhập liệu thứ nhất
F2: Lưu lượng dòng nhập liệu thứ hai
F: Lưu lượng sản phẩm
Fhot : Lưu lượng dòng gia nhiệt thiết bị phản ứng
Fcool: Lưu lượng dòng giải nhiệt thiết bị phản ứng

Nhiệt dung riêng (J/kgoC)

Cp1: Nhiệt dung riêng của dòng nhập liệu thứ nhất
Cp2: Nhiệt dung riêng của dòng nhập liệu thứ hai
Cp: Nhiệt dung riêng của dung dịch trong thiết bị phản ứng

[DOCUMENT TITLE]

T r a n g 10
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
CpHot : Nhiệt dung riêng của dòng gia nhiệt
CpCool : Nhiệt dung riêng của dòng giải nhiệt

Khối lượng riêng (kg/m3)

1: Khối lượng riêng dòng nhập liệu thứ nhất
2: Khối lượng riêng dòng nhập liệu thứ hai
hối lượng riêng của dung dịch trong bình phản ứng
Hothối lượng riêng của dòng gia nhiệt
Coolhối lượng riêng của dòng giải nhiệt
Thông số thiết bị
A: Diện tích đáy của thiết bị phản ứng (m2)
h: Mực chất lỏng dung dịch trong thiết bị phản ứng (m)
m: Khối lượng dung dịch trong bình phản ứng (kg)
V: Thể tích của dung dịch trong thiết bị phản ứng (l)

4.3. Thiết lập mô hình thiết bị phản ứng

4.3.1. Phương trình cân bằng mực chất lỏng
Adh
 Fin  Fout  F1  F2  F  0
dt (1)

4.3.2. Phương trình tốc độ phản ứng

rC  rD  rA  rB  k1C ACB  k2CC CD  k1C A2  k 2CC2 (2)
Theo phương trình Arrhenius: Công thức tính hằng số tốc độ phản ứng
E
k  ko e RT

Với E là năng lượng hoạt hóa của phản ứng, không phụ thuộc nhiệt độ
Kết luận: Hằng số tốc độ phản ứng phụ thuộc vào nhiệt độ

4.3.3. Phương trình cân bằng năng lượng

dE
 Ein  Eout  ERe action  Ehot  Ecool
dt (3)
Trong đó:
dE d ( VCpT ) VCpdT
 
dt dt dt ERe action  rV H r  V H r (k1C A2  k2CC2 )

[DOCUMENT TITLE]

T r a n g 11
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
EHot   Hot CpHot FHot (THot  THot
'
) ECool  Cool CpCool FCool (TCool  TCool
'
)

E in  1F1Cp1T1   2 F2Cp2T2 E out   FCpT

4.3.4. Phương trình cân bằng nồng độ

VdC A
 Fin C A 0  Fout C A  VkrA
dt (4)
 F1C A0  FC A  V (k1C A2  k2CC2 )

VdCB
 FinCB 0  Fout CB  VkrB
dt (5)
 F2CB 0  FCB  V (k1C A2  k2CC2 )

VdCC VdCD
   FCC  V (k1C A2  k2CC2 )
dt dt (6)

4.4. Xác định các thông số ảnh hưởng ở từng mô hình

Mô hình (1), yếu tố mực chất lỏng h trong thiết bị phản ứng phụ thuộc: lưu lượng
dòng vào: F1 và F2 và lưu lượng dòng ra: F.
Mô hình (2), yếu tố tốc độ phản ứng mà ở đây là thông qua hằng số tốc độ phản
ứng: k1, k2 bị ảnh hưởng do nhiệt độ trong thiết bị phản ứng: T
Mô hình (3), nhiệt độ của thiết bị phản ứng: T chịu tác động mạnh bởi các yếu tố
Lưu lượng và nhiệt độ ban đầu của dòng gia nhiệt: FHot, THot .
Lưu lượng và nhiệt độ ban đầu của dòng giải nhiệt: FCool, TCool .
Lưu lượng và nhiệt độ của dòng nhập liệu thứ nhất và thứ hai: F1, T1 và F2, T2
Thế tích của bình phản ứng: V
Mô hình (4), (5) và (6) , nồng độ các chất trong dòng sản phẩm ( bình phản ứng )
bị tác động mạnh bởi các yếu tố
Lưu lượng dòng vào thiết bị: F1 và F2
Lưu lượng dòng ra thiết bị: F
Tốc độ của phản ứng

Bảng tóm tắt các yếu tố gây ảnh hưởng ở từng mô hình
Mô hình Đại lượng quan tâm Đại lượng gây ảnh hưởng lớn
Cân bằng mực chất lỏng h F1, F2 và F
Tốc độ phản ứng k1, k2 T,THot, TCool, T1 và T2
FHot, FCool, F1 và F2

[DOCUMENT TITLE]

T r a n g 12

Cân bằng năng lượng
Cân bằng nồng độ
NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
T THot, TCool, T1 và T2
F1, F2 và F
CA,CB,CC và CD k1, k2

4.5. Chọn thông số công nghệ để điều khiển ở từng mô hình

Để cải tiến thiết bị phản ứng vận hành từ chế độ gián đoạn sang liên tục, ta cần:
- Chọn điều khiển đại lượng F để ổn định h
- Chọn điều khiển đại lượng FHot và FCool để ổn định T
- Chọn điều khiển đại lượng F1 và F2 để cố định thời gian lưu cũng như tỉ lệ chất
tham gia phản ứng. Thời gian lưu có ảnh hưởng lên nồng độ các chất CA,CB, CC và
CD trong dung dịch thiết bị phản ứng
- Điều khiển nhiệt độ dòng nhập liệu T 1,T2 giúp T đạt giá trị cài đặt nhanh hơn. T
tác động lên k1,k2 làm tăng tốc độ của phản ứng ( mặt động học )
Kết luận: Cần điều khiển 7 đại lượng F, FHot, FCool, F1, F2, T1 và T2.

5. NHỮNG ĐỀ XUẤT VÀ DỰ ĐỊNH THỰC HIỆN TRONG LUẬN VĂN

5.1. Đề xuất về thiết kế , cấu tạo thiết bị
- Lắp màn hình HMI giao diện điều khiển
- Thiết kế lại hệ thống thiết bị phản ứng từ gián đoạn sang liên tục :
 Sử dụng thêm cảm biến lưu lượng phục vụ điều khiển tầng
 Lắp thêm cảm biến mức trong thiết bị phản ứng
 Lắp thêm hệ thống 2 bình gia nhiệt nhập liệu
 Lắp thêm hệ thống 3 bình chứa
 Kiểm tra, tính toán thay thế đường ống phù hợp.
- Tính toán lại chiều cao lớp đệm của tháp giải nhiệt
- Điều khiển hệ thống từ xa không dây thông qua modun Wifi
- Thay trở nồi đun với công suất cao hơn
- Mô phỏng hệ thống bằng phần mềm COMSOL để tìm hệ số kP, kI và kD.

5.2. Đề xuất cải tiến thuật toán điều khiển

- Thay đổi sách lược điều khiển: điều khiển tầng thay thế điều khiển phản hồi.
- Khắc phục điểm yếu của thuât toán PID: hiện tượng bão hòa tích phân
- Thay đổi quy trình vận hành để nâng cao hiệu suất

[DOCUMENT TITLE]

T r a n g 13
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
- Phương pháp tìm kiếm hệ số KP, KI, KD tối ưu

6. QUY TRÌNH THỰC HIỆN LUẬN VĂN

Công việc Mô tả Mục đích Thời gian

Tìm hiểu Hệ thống lại kiến thức về Đánh giá đúng sự ảnh
hệ thống cơ sở điều khiển quá trình, hưởng của các thông số công
thiết bị các kiến thức về thiết bị nghệ đến hiệu suất của phản 1 tháng
phản ứng phản ứng, lý thuyết về ứng là nền tảng để đưa ra
hiện tại nhiệt động và động học các phương án cải tiến phù
phản ứng của phản ứng tỏa hợp
nhiệt

Nghiên cứu cụ thể hơn, Có ý nghĩa trong việc tối

toàn diện hơn nhằm cải tiến ưu hóa trong vận hành, khắc
Thiết kế lại thiết bị từ vận hành gián phục được những nhược
hệ thống đoạn sang liên tục, đồng điểm do thiết kế mang lại,
2 tháng
thiết bị thời đề xuất các phương án chất lượng điều khiển được
phản ứng đổi mới khác nhằm giải nâng cao (ổn định được
quyết các vấn đề còn tồn nhiệt độ mong muốn) đồng
đọng chưa được giải quyết thời đảm bảo được chất
lượng đầu ra của sản phẩm
(nồng độ).

Thiết lập
Thiết lập thuật toán PID
thuật toán, Phục vụ cho việc vận hành
trên bộ điều khiển PLC S7-
thiết kế khảo sát các thông số mà hệ 1 tháng
1200, thiết kế màn hình
giao diện thống quan tâm
giao diện HMI – Kinco.
điều khiển

Có cái nhìn tổng quan về

Hoàn Thu thập, tổng hợp, đánh quá trình nghiên cứu
thành giá số liệu, trình bày một Nhìn nhận được những 2 tháng

[DOCUMENT TITLE]

T r a n g 14
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
chuyên đề báo cáo chuyên đề luận văn vấn đề nào đã được giải
hoàn chỉnh quyết, vấn đề nào còn nhiều
bất cập nhằm có hướng phát
triển cho luận văn sau này

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] Vũ Bá Minh. Quá trình và thiết bị hóa bị công nghệ hóa học & thực phẩm _ Tập 4
_ Kĩ thuật phản ứng, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh
[2] Phạm Văn Bôn, Nguyễn Đình Thọ. Quá trình và thiết bị truyền nhiệt _ Quyển 1:
Truyền nhiệt ổn định, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh
[3] Hoàng Minh Sơn, Cơ sở hệ thống điều khiển quá trình, Nhà xuất bản BK Hà Nội
[4] Võ Đại Bình. Điều khiển thiết bị phản ứng khuấy trộn hoạt động liên tục CSTR sử
dụng giải thuật di truyền, Tóm tắt luận văn thạc sĩ, Đại học Đà Nẵng
[5] Thomas Vielhaben, Günter Schulz-Ekloff, Rolf Neimeier and Georg Thiele,
Design of Fuzzy Control for Maintaining a CSTR in the Steep Section of Its Nonlinear
Characteristic
[6] Mahdieh Alamdar Ravari and Mahdi Yaghoobi, “Optimum design of fractional
order pid controller using chaotic firefly algorithms for a control CSTR system”, Asian
Journal of Control, Vol. 21, No. 5, pp. 1–11, September 2019.
[7] Geetha. M , Balajee. K. A, Jovitha Jerome , “Optimal Tuning of Virtual Feedback
PID Controller for a Continuous Stirred Tank Reactor (CSTR) using Particle Swarm
Optimization (PSO) Algorithm” , IEEE-International Conference On Advances In
Engineering, Science And Management (lCAESM -2012) March 30, 31, 2012.
[8] Abhishek Singh, Dr. Veena Sharma, “Concentration Control of CSTR Through
Fractional Order PID Controller by Using Soft Techniques” , IEEE – 31661.
[9] Nguyễn Chí Ngôn, “ Tối ưu hóa bộ điều khiển PID bằng giải thuật di truyền”, Tạp
chí Khoa học 2008:9 241-248
[10] Neha Khanduja and Bharat Bhushan, “ Intelligent Control of CSTR using IMC-
PID and PSO-PID Controller” , 1st IEEE International Conference on Power
Electronics. Intelligent Control and Energy Systems (ICPEICES-2016)

[DOCUMENT TITLE]

T r a n g 15
 NGHIÊN CỨU ĐIỀU KHIỂN THIẾT BỊ CSTR
[DOCUMENT TITLE]
[11] M. Sha Sadeghi, F. Bavafa, M. H. Zarif and S. M. S. Alavi , “New approach to
design a nonlinear PI controller for a CSTR system” , 2nd International Conference on
Control, Instrumentation and Automation (ICCIA), 2011

[DOCUMENT TITLE]

T r a n g 16