Bài tập

Kỷ thuật điện tử
(phần bài giải của sinh viên)

Họ & tên sinh viên: . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Nhóm hp: . . . . . . . . . Lớp: . . . . . . .

-1-
 Lưu ý:

 Mổi sinh viên hãy tự làm bài tập trực tiếp vào tài liệu này (trên khổ giấy
A4). Không sao chép bài giải của người khác.

 Tài liệu tham khảo:

- [Dư Quang Bình] - Bài giảng Kỷ thuật điện tử, (2000).
- [Rizzoni G] - Principles and Applications of Electrical Engineering, (2004).

Địa chỉ liên hệ khi cần: Thầy Dư Quang Bình, 0905894666, hoặc: Email:
binhduquang@.gmail.com

 Thời hạn hoàn thành và nộp bài tập: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

tại bm: K ỹ t h u ậ t Điện tử, Khoa Điện tử-Viễn thông, Trường Đại học
Bách Khoa Đà Nẵng – 54 Nguyễn Lương Bằng, Quận Liên Chiểu, Tp Đà Nẵng.
(không chấp nhận sự chậm trể).

-2-
-3-
Các chất bán dẫn và diode
Tóm tắt nội dung phần diode.

 Vật liệu bán dẫn có độ dẫn điện thuộc trong khoảng giữa độ dẫn điện của các chất dẫn điện và
các chất cách điện. Đặc tính độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn hữu dụng trong việc chế tạo
nhiều cấu kiện điện tử để có biểu hiện đặc tuyến i-v phi tuyến. Trong số các cấu kiện bán dẫn
thì diode là một trong các cấu kiện thông dụng nhất.
 Diode bán dẫn hoạt động giống như một van dẫn điện theo một chiều, cho phép dòng điện chảy
chỉ khi được phân cực thuận. Mặc dù hoạt động của diode được mô tả theo phương trình hàm
mủ nhưng ta có thể xét gần đúng hoạt động của diode bằng các mô hình mạch đơn giản. Mô
hình mạch đơn giản nhất là xem diode như một ngắn mạch hoặc hở mạch (mô hình đóng-mở
hay mô hình lý tưởng). Mô hình lý tưởng có thể được mở rộng để bao gồm cả nguồn điện áp
ngưỡng (thường từ 0,2 V đến 0,7 V), đó là tương ứng với thế hiệu tiếp giáp tại tiếp giáp của
diode. Mô hình thực tế chi tiết hơn là mô hình diode chi tiết sẽ tính cả các ảnh hưởng của điện
trở thuận của diode. Bằng các mô hình mạch của diode ta có thể phân tích các mạch diode sử
dụng trong kỹ thuật phân tích mạch DC và AC đã được khảo sát trong chương.
 Một trong những đặc tính quan trọng nhất của diode bán dẫn là sự chỉnh lưu, tức là cho phép
chuyển đổi các mức điện áp và dòng điện AC thành các mức điện áp và dòng điện DC. Các
mạch chỉnh lưu bằng diode có thể là kiểu bán kỳ hay có thể là kiểu toàn kỳ. Các bộ chỉnh lưu
toàn kỳ có thể cấu trúc theo dạng mạch hai diode thông dụng hoặc mạch cầu. Các mạch chỉnh
lưu bằng diode là bộ phận chỉnh của các bộ nguồn cung cấp DC và thường được sử dụng kết
hợp với các tụ lọc để nhận được dạng sóng điện áp DC tương đối bằng phẳng. Ngoài việc
chỉnh lưu và lọc cũng cần phải ổn định mức điện áp ra của nguồn cung cấp DC; các diode
Zener sẽ thực hiện nhiệm vụ ổn định điện áp bằng cách giữ mức điện áp không đổi khi mức
điện áp phân cực ngược vượt trên mức điện áp Zener.
 Ngoài các ứng dụng làm nguồn cung cấp, các diode còn được sử dụng trong nhiều mạch xử lý
tín hiệu và điều hòa tín hiệu. Trong đó có mạch xén bằng diode, mạch tách sóng bằng diode, và
mạch ghim đã được khảo sát trong chương. Hơn nửa, do các đặc tính của vật liệu bán dẫn cũng
bị tác dụng bởi cường độ sáng nên một số loại diode được gọi là photodiode, có ứng dụng làm
các mạch tách quang [light detector], pin mặt trời [solar cell], hay các diode phát-quang [LED].

-4-
Các chất bán dẫn
1.1 Trong vật liệu bán dẫn, điện tích thực bằng 0, điều này cần phải có mật độ điện tích dương cần
bằng với mật độ điện tích âm. Cả hai loại hạt tải điện (điện tử và lỗ trống tự do) và các nguyên tử tạp
chất bị ion hóa có điện tích bằng về độ lớn điện tích của một điện tử. Do vậy, phương trình trung hòa
về điện tích (CNE – charge neutrality equation) là:
po  Nd  no  Na  0
trong đó: no = nồng độ hạt tải điện tích âm ở trạng thái cân bằng
po = nồng độ hạt tải điện tích dương ở trạng thái cân bằng
N a = nồng độ chất nhận [acceptor] bị ion hóa
N d = nồng độ chất cho [donor] bị ion hóa
Phương trình tích hạt tải điện (CPE – carrier product equation) phát biểu rằng, khi một chất bán dẫn
được pha tạp thì tích của nồng độ hạt tải điện vẫn không đổi:
nopo = hằng số
đối với silicon thuần tại T = 300 K:
2
 16 1  1
Constant = niopio = nio  pio  1,5 10
2 2
3 
 2, 25 1032 3
 m  m
Vật liệu bán dẫn dạng-n hay –p là tùy thuộc vào nồng độ tạp chất donor hay acceptor lớn hay không.
Phần lớn các nguyên tử tạp chất bị ion hóa tại nhiệt độ phòng. Nếu silicon thuần được pha tạp:
1
N A  N a  1017 3 ; ND = 0
m
Hãy xác định:
a. Đây là bán dẫn tạp dạng-p hay –n
b. Hạt tải điện đa số và thiểu số là loại nào ?
c. Nồng độ hạt tải điện đa số và thiểu số.

-5-
1.2 Nếu silicon thuần được pha tạp:
1 1
N A  N a  1017 ; N D  N d  5 1018
m3 m3
Hãy xác định:
d. Đây là bán dẫn tạp dạng-p hay –n
e. Hạt tải điện đa số và thiểu số là loại nào ?
f. Nồng độ hạt tải điện đa số và thiểu số.

1.3 Hãy mô tả vi cấu trúc của các loại vật liệu bán dẫn. Ba loại thông dụng nhất được sử dụng là loại
vật liệu bán dẫn nào ?

1.4 Hãy mô tả sự phát nhiệt của các hạt tải điện trong chất bán dẫn và quá trình phát nhiệt sẽ hạn chế
như thế nào đến hoạt động của cấu kiện bán dẫn.

1.5 Hãy mô tả các đặc tính của các nguyên tử tạp chất donor và acceptor và ảnh hưởng của chúng đến
nồng độ của các hạt tải điện trong vật liệu bán dẫn.

1.6 Mô tả sơ lược hoạt động của các hạt tải điện và các nguyên tử tạp chất được ion hóa ở lân cận
tiếp giáp pn của cấu kiện bán dẫn để tạo nên rào thế có khuynh hướng chặn các hạt tải điện di chuyển
ngang qua tiếp giáp.

-6-
Các mô hình mạch của diode
1.7 Tính điện áp vL ở mạch hình P1.7, trong đó D là diode lý tưởng.
Sử dụng các trị số của
vS < và > 0.

1.8 Trong mạch hình P1.7, vS = 6 V; và R1 = RS = RL = 500. Hãy xác định iD và vD theo phương
pháp đồ thị, bằng cách dụng đặc tuyến của diode 1N461A.

1.9 Cho diode ở mạch hình P1.9 yêu cầu mức dòng nhỏ nhất là 1 mA trên
mức dòng khuỷu ở đặc tuyến i-v của diode.
a. Trị số điện trở của R để thiết lập mức dòng 5 mA trong mạch cần phải
bằng bao nhiêu ?
b. Với trị số của R đã xác định được ở phần (a), trị số nhỏ nhất để điện áp E
có thể bị giảm xuống và vẫn duy trì mức dòng của diode trên mức dòng
khuỷu là bao nhiêu ? Sử dụng diode có V = 0,7 V.

1.10 Mạch ở hình P1.10 có nguồn cung cấp sóng sin 50 Vrms. Sử
dụng mô hình diode thực tế cho diode.
a. Mức dòng thuận lớn nhất là bao nhiêu ?
b. Hãy tính mức điện áp ngược đỉnh (PIV) trên diode ?

-7-
1.11 Hãy xác định diode nào
được phân cực thuận và diode
nào được phân cực ngược
trong từng mạch ở hình P1.11.

1.12 Hãy xác định khoảng trị số điện áp Vin để diode trong mạch
hình P1.12, phân cực thuận. Giả thiết các diode lý tưởng.

1.13 Hãy xác định các diode

trong mạch ở hình P1.13, diode
nào được phân cực thuận và
diode nào được phân cực ngược.
Giả sử sụt áp trên mỗi diode được
phân cực thuận là 0,7 V, hãy tính
mức điện áp đầu ra.

-8-
1.14 Hãy vẽ dạng sóng ra và đặc tính truyền đạt điện áp cho mạch ở
hình P1.14. Giả sử các đặc tính diode lý tưởng, vS(t) = 10 sin (2000t).

1.15 Diode trong mạch ở hình P1.15, được chế tạo từ silicon và có:
iD  I S (evD /VT  1) , trong đó tại T = 300 K; IS = 250 x 10-12 A;
kT
VT   26mV ;
q
vS = 4,2 V + 110 cos(t) mV;  = 377 rad/s; R = 7 k.
Sử dụng sự chồng chập hãy xác định thông số DC hay mức dòng tại
điểm-Q của diode:
a. Sử dụng mô hình diode thực tế
b. Sử dụng cách giải theo đặc tuyến của mạch (tức phương trình đường tải DC) và đặc tuyến của diode
(phương trình diode).

1.16 Nếu diode trong mạch hình P1.15, là được chế tạo từ silicon và có:
kT
iD  I S (evD /VT  1) ; trong đó tại T = 300 K; IS = 2,030 x 10-15 A; VT   26mV ;
q
vS = 5,3 V + 7 cos(t) mV;  = 377 rad/s; R = 4,6 k.
Sử dụng sự chồng chập và mô hình thực tế của diode, hãy xác định thông số DC hay mức dòng tại
điểm-Q của diode.

-9-
1.17 Nếu diode trong mạch ở hình P1.15, được chế tạo từ silicon và có:
kT
iD  I S (evD /VT  1) ; trong đó tại T = 300 K; IS = 250 x 10-12 A; VT   26mV
q
vS = 4,2 V + 110 cos(t) mV;  = 377 rad/s; R = 7 k; và điểm làm việc DC hay điểm tĩnh (điểm-Q)
là: IDQ = 0,5458 mA; VDQ = 379,5 mV. Hãy xác định trị số điện trở tương đương AC tín hiệu nhỏ của
diode ở nhiệt độ phòng tại điểm-Q đã cho.

1.18 Nếu diode trong mạch ở hình P1.15, được chế tạo từ silicon và
có:
iD  I S (evD /VT  1) ; trong đó: T = 300 K; IS = 2,030 x 10-15 A;
kT
VT   26mV ;
q
vS = 5,3 V + 70 cos(t) mV;  = 377 rad/s; R = 4,6 k; và điểm
làm việc DC hay điểm tĩnh (điểm-Q) là: IDQ = 1,000 mA; VDQ =
0,700 V. Hãy xác định trị số điện trở tương đương AC tín hiệu nhỏ của diode ở nhiệt độ phòng tại
điểm-Q đã cho.

1.19 Nếu diode trong mạch ở hình P1.15, được chế tạo từ silicon và có:
kT
iD  I S (evD /VT  1) ; trong đó: T = 300 K; IS = 250 x 10-12 A; VT   26mV
q
vS = 4,2 V + 110 cos(t) mV;  = 377 rad/s; R = 7 k; và điểm làm việc DC hay điểm tĩnh (điểm-Q)
là: IDQ = 0,548 mA; VDQ = 0,365 V; rd = 47,45 . Hãy xác định điện áp AC trên diode và dòng AC
chảy qua diode bằng phương pháp chồng chập.

-10-
1.20 Diode trong mạch ở hình P1.20, được chế tạo từ silicon và mạch có:
R = 2,2 k; VS2 = 3 V. Hãy xác định trị số nhỏ nhất của VS1 để diode dẫn có
mức dòng đáng kể.

Các mạch chỉnh lưu và các nguồn điện áp

1.21 Tính giá trị trung bình của điện áp ra cho mạch ở hình P1.21, nếu
điện áp vào là dạng sin có biên độ là 5 V. Cho V = 0,7 V.

1.22 Trong mạch chỉnh lưu ở hình P1.22, v(t) = A sin (2 100)t V. Giả sử
sụt áp thuận là 0,7 V trên diode khi diode dẫn. Nếu sự dẫn điện cần phải
bắt đầu trong suốt bán kỳ dương tại góc dẫn không lớn hơn 5, thì trị số
đỉnh, A nhỏ nhất là bao nhiêu để tạo nên nguồn AC ?

-11-
1.23 Điện áp trung bình đầu ra của mạch chỉnh lưu bán kỳ là 50 V.
a. Hãy vẽ sơ đồ mạch của mạch chỉnh lưu bán kỳ.
b. Vẽ dạng sóng của điện áp ra.
c. Xác định trị số đỉnh của điện áp ra.
d. Vẽ dạng sóng điện áp vào.
e. Mức điện áp hiệu dụng (Vrms) tại đầu vào là bao nhiêu ?

1.24 Hãy thiết kế mạch chỉnh lưu cầu toàn kỳ cho

một bộ nguồn cung cấp. Biến giảm áp đã được
chọn sẵn. Biến áp cung cấp mức điện áp 12 V rms
đến mạch chỉnh lưu. Bộ chỉnh lưu toàn kỳ thể
hiện ở mạch hình P1.24.
a. Nếu các diode có mức điện áp ngưỡng là 0,6 V,
vẽ dạng sóng điện áp nguồn đầu vào, vS(t); và
dạng sóng điện áp ra, vL(t); và cho biết diode nào
dẫn và diode nào ngưng dẫn trong các chu kỳ phù
hợp của vS(t). Tần số của nguồn là 50 Hz.
b. Nếu RL = 1 000  và tụ điện được mắc song
song với RL để lọc có trị số là 8 µF, vẽ dạng sóng
điện áp đầu ra, vL (t).
c. Lặp lại câu (b), với tụ có điện dung là 100 µF.

-12-
1.25 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở hình P1.25, các
diode có số hiệu là 1N4001 có thông số điện áp ngược đỉnh (PIV) là 25 V.
Các diode được chế tạo từ silicon.
n = 0,05883; C = 80 µF; RL = 1 k
Vline = 170 cos (377t) V
a. Hãy xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode
b. Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không phù hợp với các
thông số đã cho.

1.26 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở hình P1.25, n =
0,1; C = 80 µF;
RL = 1 k; Vline = 170 cos (377t) V
Các diode đều là diode chuyển mạch 1N914 (nhưng được sử dụng để
chuyển đổi AC-DC), được chế tạo bằng silicon với các thông số định
mức sau: Pmax = 500 mW tại nhiệt độ T = 25C; Vngược-đỉnh = 30 V.
Hệ số suy giảm công suất là 3 mW/C đối với nhiệt độ trong khoảng:
25C < T  125C và
4 mW/C đối với nhiệt độ trong khoảng: 125C < T  175C.
a. Hãy xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi diode
b. Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không phù hợp với
các thông số đã cho.

-13-
1.27 Các diode trong bộ nguồn DC toàn kỳ như mạch ở hình P1.25,
đều là silicon. Dạng sóng điện áp trên tải như thể hiện ở hình P1.27.
Nếu:
IL = 60 mA; VL = 5 V; Vr = 5%; Vline = 170 cos (t) V  = 377
rad/s
Hãy xác định các giá trị của:
a. Tỷ số các cuộn dây, n.
b. Trị số của tụ điện, C.

1.28 Các diode trong bộ nguồn DC toàn kỳ như mạch ở hình P1.25, đều
là silicon. Nếu:
IL = 600 mA; VL = 50 V; Vr = 8% = 4 V; Vline = 170 cos (t) V
 = 377 rad/s.
Hãy xác định các giá trị của:
a. Tỷ số các cuộn dây, n.
b. Trị số của tụ điện, C.

-14-
1.29 Các diode trong bộ nguồn DC toàn kỳ như mạch ở hình P1.25, đều là silicon. Nếu:
IL = 5 mA; VL = 10 V; Vr = 20% = 2 V; Vline = 170 cos (t) V  = 377 rad/s
Hãy xác định các giá trị của:
a. Tỷ số các cuộn dây, n.
b. Trị số của tụ điện, C.

1.30 Trong mạch ở hình P1.25:

IL = 600 mA; VL = 50 V; Vr = 4 V; C = 1000 µF;
vS1(t) = vS2(t) = VS0 cos (t) V  = 377 rad/s
Các diode đều là silicon. Nếu thông số công suất của một trong các diode bị
vượt quá và diode bị nổ hay hở mạch, hãy xác định các giá trị mới của điện
áp ra DC hay điện áp trên tải và điện áp gợn:

-15-
1.31 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở
hình P1.31, các diode là 1N4001 có thông số điện áp ngược
đỉnh (PIV) là 50 V. Các diode được chế tạo từ silicon.
Vline = 170 cos (377t) V; n = 0,2941; C = 700 µF; RL = 2,5
k
a. Hãy xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi
diode
b. Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không
phù hợp với các thông số đã cho.

1.32 Trong bộ nguồn chỉnh lưu toàn kỳ như thể hiện ở

hình P1.31, các diode là 1N4001 có thông số điện áp ngược
đỉnh (PIV) là 10 V. Các diode được chế tạo từ silicon.
Vline = 156 cos (377t) V; n = 0,04231; Vr = 0,2 V; IL = 2,5
mA; VL = 5,1 V;
a. Hãy xác định mức điện áp ngược đỉnh thực tế trên mỗi
diode
b. Hãy giải thích tại sao các diode đó phù hợp hoặc không
phù hợp với các thông số đã cho.

-16-
1.33 Các diode trong bộ nguồn DC toàn kỳ như thể hiện ở hình P1.31, đều là silicon. Nếu:
IL = 650 mA; VL = 10 V; Vr = 1 V;  = 377 rad/s; Vline = 170 cos (t) V;  = 23,66
Hãy xác định trị số dòng trung bình và dòng ngược chảy qua mỗi diode

1.34 Các diode trong bộ nguồn DC toàn kỳ như thể hiện ở hình P1.31, đều là silicon. Nếu:
IL = 85 mA; VL = 5,3 V; Vr = 0,6 V;  = 377 rad/s
Vline = 156 cos (t) V.
Hãy xác định trị số của:
a. Tỷ số các cuộn dây, n.
b. Điện dung của tụ, C.

1.35 Các diode trong bộ nguồn DC toàn kỳ đều là silicon. Nếu:

IL = 250 mA; VL = 10 V; Vr = 2,4 V;  = 377 rad/s
Vline = 156 cos (t) V.
Hãy xác định trị số của:
a. Tỷ số các cuộn dây, n.
b. Điện dung của tụ, C.

-17-
Diode Zener và ổn định điện áp
1.36 Diode trong mạch ở hình P1.36, có đặc tuyến tuyến tính chi tiết thông
qua các điểm
(- 10 V, - 5 µA), (0 V, 0 µA), (0,5 V, 5 mA), và (1 V, 50 mA). Hãy xác định
mô hình chi tiết và sử dụng mô hình đó tính i và v.

1.37 Hãy xác định trị số nhỏ nhất của RL trong mạch ở hình
P1.37, để cho mức điện áp ra duy trì ở mức 5,6 V.

1.38 Hãy xác định trị số nhỏ nhất và trị số lớn nhất để điện trở mắc nối tiếp có thể có trong mạch ổn
định mà điện áp đầu ra của mạch là 25 V, điện áp vào của mạch thay đổi từ 35 V đến 40 V, và mức
dòng tải lớn nhất của mạch ổn định là 75 mA. Diode Zener sử dụng trong mạch có thông số dòng lớn
nhất là 250 mA.

-18-
1.39 Hình P1.39, là đặc tuyến i-v của một diode bán dẫn được chế tạo
để làm việc trong vùng đánh thủng Zener. Zener hay vùng đánh thủng
trải rộng từ mức dòng nhỏ nhất tại điểm khuỷu của đặc tuyến vào
khoảng – 5 mA (từ đặc tuyến) và mức dòng định mức lớn nhất bằng –
90 mA (từ trang số liệu). Hãy xác định điện trở Zener và điện áp Zener
của diode.

1.40 Diode Zener trong mạch ổn định điện áp đơn giản thể hiện ở hình P1.40, là 1N5231B. Điện áp
nguồn nhận được từ bộ nguồn cung cấp DC có mức DC và thành phần gợn:
vS = VS + Vr, trong đó: VS = 20 V; Vr = 250 mV; R = 220 ; IL = 65 mA; VL = 5,1 V; VZ = 5,1 V; rZ =
17 ; Pđịnh mức = 0,5 W; iZ min = 10 mA. Hãy xác định dòng định mức lớn nhất để diode có thể xử lý mà
không vượt quá giới hạn công suất của diode.

-19-
1.41 Diode Zener 1N963 trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, có các thông số: VZ
= 12 V; rZ = 11,5 ; Pđịnh mức = 400 mW;
Tại điểm khuỷu của đặc tuyến: iZk = 0,25 mA; rZk = 700 .
Hãy xác định dòng định mức lớn nhất để diode có thể xử lý mà không vượt quá giới hạn công suất của
diode.

1.42 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, R cần phải duy trì mức dòng của diode
Zener trong phạm vi các giới hạn quy định của diode đối với tất cả các giá trị của điện áp nguồn, dòng
tải, và điện áp của diode Zener. Hãy tìm trị số nhỏ nhất và lớn nhất của R có thể sử dụng.
VZ = 5 V ± 10%; rZ = 15 ; iZ min = 3,5 mA; iZ max = 65 mA; VS = 12 V ± 3 V; IL = 70 ± 20 mA.

1.43 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, R cần phải duy trì mức dòng của diode
Zener trong phạm vi các giới hạn quy định của diode đối với tất cả các giá trị của điện áp nguồn, dòng
tải, và điện áp của diode Zener. Nếu:
VZ = 12 V ± 10%; rZ = 9 ; iZ min = 3,25 mA; iZ max = 80 mA; VS = 25 V ± 1,5 V;
IL = 31,5 ± 21,5 mA. Hãy xác định trị số nhỏ nhất và lớn nhất của R có thể sử dụng.

-20-
1.44 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, diode Zener là 1N4740A.
VZ = 10 V ± 5%; rZ = 7 ; ; Pđịnh mức = 1 W;; iZ max = 91 mA; VS = 14 V ± 2 V; R = 19,8 .
Hãy xác định trị số dòng tải nhỏ nhất và lớn nhất mà dòng diode vẫn duy trì trong phạm vi các giá trị
quy định của diode.

1.45 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, diode
Zener là 1N963. Hãy xác định trị số dòng tải nhỏ nhất và lớn nhất mà
dòng diode vẫn duy trì trong phạm vi các giá trị quy định của diode.
VZ = 12 V ± 10%; rZ = 11,5 ; ; iZ min = 2,5 mA;
iZ max = 32,6 mA; PR = 400 mW;
VS = 25 V ± 2 V; R = 470.

1.46 Trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, diode Zener là 1N4740A. Hãy xác định
mức điện áp nguồn nhỏ nhất và lớn nhất mà dòng diode vẫn duy trì trong phạm vi các giá trị quy định
của diode.
VZ = 10 V ± 5%; rZ = 7 ; ; iZ min = 10 mA; iZ max = 91 mA; Pđịnh mức = 1 W; R = 80  ± 5%;
IL = 35 ± 10 mA.

-21-
1.47 Diode Zener trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, là 1N4740A. Điện áp nguồn
là được lấy từ nguồn cung cấp DC. Nguồn DC có mức DC và thành phần gợn:
vS = VS + Vr
trong đó: VS = 16 V; Vr = 2 V; R = 220 ; IL = 35 mA; VL = 10 V; VZ = 10 V; rZ = 7 ;
iZ max = 91 mA; iZ min = 10 mA.
Hãy xác định mức điện áp gợn ngang trên tải.

1.48 Diode Zener trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40,
là 1N5231B. Điện áp nguồn là được lấy từ nguồn cung cấp DC. Nguồn
DC có mức DC và thành phần gợn:
vS = VS + Vr
trong đó: VS = 20 V; Vr = 250 mV; R = 220 ; IL = 65 mA;
VL = 5,1 V; VZ = 5,1 V; rZ = 17 ; Pđịnh mức = 0,5 W; iZ min = 10 mA.
Hãy xác định mức điện áp gợn ngang trên tải.

1.49 Diode Zener trong mạch ổn định điện áp đơn giản như ở hình P1.40, là 1N5231B. Điện áp nguồn
là được lấy từ nguồn cung cấp DC. Nguồn DC có mức DC và thành phần gợn:
vS = VS + Vr
trong đó: VS = 30 V; Vr = 3 V; IL = 8 A; VZ = 24 V; rZ = 33 ; VL = 24 V; iZ max = 15 A;
iZ min = 1,5 A. R = 1.
Hãy xác định mức điện áp gợn ngang trên tải.

-22-
Các mạch diode khác
1.50 Giả sử các diode đều là diode lý tưởng, hãy xác định
và vẽ họ đặc tuyến i-v cho mạch ở hình P1.50. Xét trong
khoảng 10  v  0.

1.51 Cho dạng sóng điện áp vào và mạch như ở

hình P1.51, vẽ dạng sóng điện áp ra.

1.53 Xác định điện áp ra của bộ tách sóng đỉnh thể hiện ở mạch hình
P1.53. Sử dụng các mức điện áp vào dạng sin có biên độ 6 V; 1,5 V;
và 0,4 V và giá trị trung bình bằng 0. Cho V = 0,7V.

-23-
-24-
-25-
-26-
Đại cương về transistor
Tóm tắt nội dung.

 Các transistor đều là các cấu kiện điện tử ba điện cực được chế tạo từ các chất bán dẫn, đó là
các cấu kiện có thể dùng làm các bộ khuyếch đại tuyến tính và các bộ chuyển mạch.
 Transistor tiếp giáp bipolar (BJT) hoạt động như một nguồn dòng điện được điểu khiển bằng
dòng điện, sự khuyếch đại dòng base nhỏ bằng một hệ số khoảng từ 20 đến 200. Nguyên lý
hoạt động của BJT có thể giải thích dựa trên các họ đặc tuyến i-v base-emitter và collector của
cấu kiện. Các mô hình mạch tuyến tính tín hiệu-lớn có thể có được bằng cách xét transistor như
một nguồn dòng điện được điều khiển.
 Các transistor hiệu ứng trường (các FET) có thể được phân loại thành ba họ chính: các
MOSFET tăng cường; các MOSFET nghèo; và các JFET. Tất cả các FET hoạt động giống như
các nguồn dòng được điều khiển bằng điện áp. Họ đặc tuyến i-v của FET về bản chất đều là phi
tuyến, được đặc trưng bằng sự phụ thuộc bậc hai của dòng máng vào điện áp cổng. Các
phương trình phi tuyến để giải thích các họ đặc tuyến máng của FET có thể được tóm tắt dưới
dạng tập hợp các đặc tuyến chung cho mỗi loại.

Bipolar Transistor
2.1 Đối với mỗi transistor ở hình
P2.1, hãy xác định các tiếp giáp
BE và BC nào là được phân cực
thuận và phân cực ngược, và xác
định vùng làm việc của mỗi
transistor.

2.2 Hãy xác định vùng làm việc của các transistor sau:
a. npn, VBE = 0,8 V; VCE = 0,4 V. b. npn, VCB = 1,4 V; VCE = 2,1 V.
c. pnp, VCB = 0,9 V; VCE = 0,4 V. d. pnp, VBE = - 1,2 V; VCB = 0,6 V

-27-
2.3 Cho mạch ở hình P2.3, hãy xác định điểm làm việc của transistor. Giả sử BJT là cấu kiện silicon
có  = 100. Transistor làm việc ở vùng nào ?

2.4 Các mức dòng emitter và dòng base của một transistor pnp là 6 mA và 0,1 mA tương ứng. Điện
áp trên các tiếp giáp emitter-base và collector-base tương ứng là 0,65 V và 7,3 V. Tính:
a. VCE.
b. IC.
c. Tổng công suất tiêu tán ở transistor, được định nghĩa ở đây là P = VCEIC + VBEIB.

2.5 Cho mạch như ở hình P2.5, hãy xác định dòng emitter và điện áp collector-base. Cho BJT có V =
0,6 V.

-28-
2.6 Cho mạch như ở hình P2.6, hãy xác định điểm làm việc của
transistor. Transistor có
V = 0,6 V; và  = 150. Transistor làm việc ở vùng nào ?

2.7 Cho mạch như ở hình P2.7, hãy xác định dòng emitter và
điện áp collector-base. Cho BJT có V = - 0,6 V trên tiếp giáp
BE.

2.8 Nếu điện trở emitter ở bài tập 2.7 (hình P2.7) bị thay đổi trị số thành 22 k, thì điểm làm việc của
BJT sẽ thay đổi như thế nào ?

-29-
2.9 Họ đặc tuyến collector của một transistor
như ở hình P2.9.
a. Hãy xác định tỷ số IC / IB tại VCE = 10 V, và
IB = 100 µA; 200 µA; và 600 µA.
b. Sự tiêu tán công suất collector cho phép lớn
nhất là 0,5 W tại IB = 500 µA. Xác định VCE.
[Gợi ý: Công suất tiêu tán tại collector có thể
chấp nhận xấp xỉ bằng tích của dòng điện và
điện áp collector: P = ICVCE. Trong đó, P là
độ tiêu tán công suất cho phép trên transistor;
IC là dòng collector tĩnh; VCE là điện áp
collector-emitter tại điểm làm việc.]

2.10 Cho mạch như ở hình P2.10, giả sử cả hai transistor đều được chế tạo
từ silicon có  = 100. Hãy xác định:
a. IC1, VC1, VCE1. b. IC2, VC2, VCE2.

-30-
2.11 Sử dụng các thông số của transistor npn 2N3904 để xác định
điểm làm việc (ICQ, VCEQ) của transistor ở mạch hình P2.11. Trị số của
 tại điểm làm việc này là bao nhiêu ?

2.12 Cho mạch như ở hình P2.12, hãy kiểm chứng rằng transistor hoạt động ở vùng bảo hòa bằng
cách tính tỷ số của dòng collector đối với dòng base. [gợi ý: Hãy tham khảo mô hình BJT tương ứng ở
hình 2.22, V = 0.6 V; VSAT = 0,2 V].

-31-
2.13 Mạch ở hình P 2.13, có điện áp VE = 1 V. Nếu transistor có V = 0,6 V, hãy xác
định:VB; IB; IE; IC; ; và .

2.14 Mạch ở hình P2.14, là tầng khuyếch đại emitter-chung.

Hãy xác định đại lượng tương đương Thévenin cho phần mạch
gồm R1; R2; và VCC theo các đầu điện cực của R2. Vẽ lại mạch
theo cách sử dụng tương đương Thévenin.
Trong đó: VCC = 20 V;  = 130; R1 = 1,8 M; R2 = 300 k;
RC = 3 k; RE = 1 k; RL = 1 k; RS = 0,6 k;
vS = 1 cos (6,28 x 103 t) mV.

-32-
2.15 Mạch thể hiện ở hình P2.14, là một tầng khuyếch đại emitter-chung được thực hiện bằng
transistor silicon npn. Hãy xác định VCEQ và vùng làm việc của BJT. Trong đó:
VCC = 15 V;  = 100; R1 = 68 k; R2 = 11,7 k; RC = 200 ; RE = 200 ; RL = 1,5 k;
RS = 0,9 k; vS = 1 cos (6,28 x 103 t) mV.

2.16 Mạch thể hiện ở hình P2.14, là một tầng khuyếch đại
emitter-chung được thực hiện bằng transistor silicon npn.
Hãy xác định VCEQ và vùng làm việc của BJT. Trong đó:
VCC = 15 V;  = 100; R1 = 68 k; R2 = 11,7 k; RC = 4 k;
RE = 200 ; RL = 1,5 k; RS = 0,9 k;
vS = 1 cos (6,28 x 103 t) mV.

-33-
2.17 Mạch thể hiện ở hình P2.17, là một tầng khuyếch đại
collector-chung (cũng được gọi là tầng lặp lại emitter) được thực
hiện bằng transistor silicon npn. Hãy xác định VCEQ tại vùng làm
việc DC hay điểm Q. Trong đó: VCC = 12 V;
 = 130; R1 = 82 k; R2 = 22 k; RS = 0,7 k; RE = 0,5 k; RL =
16 k.

2.18 Mạch thể hiện ở hình P2.18, là một tầng khuyếch đại
emitter-chung được thực hiện bằng transistor silicon npn và hai
nguồn cung cấp điện áp DC (một nguồn dương và một nguồn
âm) thay cho một nguồn. Mạch phân cực DC được kết nối đến
base gồm một điện trở. Hãy xác định VCEQ và vùng làm việc của
BJT. Trong đó: VCC = 12 V; VEE = - 4 V;  = 100; RB = 100 k;
RC = 3 k; RE = 3 k; RL = 6 k; RS = 0,6 k;
vS = 1 cos (6,28 x 103 t) mV.

-34-
2.19 Mạch thể hiện ở hình P2.19, là một tầng khuyếch đại
emitter-chung được thực hiện bằng transistor silicon npn.
Mạch phân cực DC được kết nối đến base gồm một điện trở;
tuy nhiên, điện trở base được mắc trực tiếp giữa base và
collector . Hãy xác định VCEQ và vùng làm việc của BJT.
Trong đó: VCC = 12 V;  = 130; RB = 325 k;
RC = 1,9 k; RE = 2,3 k; RL = 10 k; RS = 0,5 k;
vS = 1 cos (6,28 x 103 t) mV.

2.20 Mạch thể hiện ở hình P2.19, là một tầng khuyếch đại emitter-chung được thực hiện bằng
transistor silicon npn. Hãy xác định VCEQ và vùng làm việc của BJT. Trong đó:
VCC = 15 V; C = 0,5 µF;  = 170; RB = 22 k; RC = 3,3 k; RE = 3,3 k; RL = 1,7 k;
RS = 70 ; vS = 1 cos (6,28 x 103 t) mV.

-35-
2.21 Mạch thể hiện ở hình P2.14, là một tầng khuyếch đại
emitter-chung với:
VCC = 15 V; C = 0,47 µF; R1 = 220 k; R2 = 55 k;
RC = 3 k; RE = 710 ; RL = 3 k;
RS = 0,6 k; vS = Vio sin (t) Vio = 10 mV. Phân tích DC
đã cho điểm làm việc DC hay điểm Q là: IBQ = 19,9 µA và
VCEQ = 7,61 V. Transistor là transítor silicon npn có đặc
tuyến truyền đạt và beta:
 v /V
iC  I S evBE /VT  I S e BEQ be T ;  = 100
V

Đặc tuyến i-v được vẽ ở hình P2.21.

a. Hãy xác định hệ số khuyếch đại không tải tín hiệu lớn (
vo / vi ).
b. Vẽ dạng sóng của điện áp ra theo thời gian.
c. Giải thích dạng sóng điện áp ra bị méo dạng so với dạng
sóng vào.

-36-
Transisistor hiệu ứng trường.
2.22 Thể hiện ở hình P2.22, là các ký hiệu mạch
của MOSFET kiểu nghèo và kiểu tăng cường.
Đối với MOSFET kiểu tăng cường có:
k = 0,56 mA/V2 và VGSTh = + 5 V.
Đối với MOSFET kiểu nghèo có: IDSS = 7 mA và
VGSOFF = - 5 V.
a. Các MOSFET trên là cấu kiện kênh-p hay kênh-
n?
b. Cấu kiện kiểu nghèo là loại nào ? Cấu kiện kiểu
tăng cường là loại nào ?
c. Đối với mỗi cấu kiện, các điều kiện trạng thái để
làm việc ở vùng bảo hòa thể hiện dưới dạng các
điện áp theo cấu kiện và các điện áp ngưỡng hay
điện áp thắt kênh đã cho ở trên là bao nhiêu ?

2.23 Các transistor thể hiện ở

hình P2.23, có VT  3V . Hãy xác
định vùng làm việc của mỗi loại
tương ứng.

-37-
2.24 Tại ba điện cực của một MOSFET kiểu tăng cường kênh-n có các mức điện áp là 4 V; 5 V; và
10 V so với đất. Hãy vẽ ký hiệu mạch, với các mức điện áp thích hợp tại mỗi điện cực nếu cấu kiện là
đang hoạt động:
a. ở vùng thuần trở [ ohmic ].
b. ở vùng bão hòa.

2.25 Một transistor NMOS kiểu tăng cường có VGSTh = 2 V, cực nguồn của nó được nối đất và có
mức điện áp cổng-nguồn là 3 VDC. Hãy xác định trạng thái làm việc của MOSFET nếu:
a. VD = 0,5 V.
b. VD = 1 V.
c. VD = 5 V.

-38-
2.26 Trong mạch ở hình P2.26, là transistor kênh-p có VGSTh = - 2 V; và
k = 10 mA / V 2. Hãy tính trị số của R và VD để có ID = 0,4 mA.

2.27 Một transistor NMOS kiểu tăng cường có VGSTh = 2 V; và ID = 1 mA khi VGS = VDS = 3 V. Hãy
tính trị số của ID theo VGS = 4 V.

2.28 Một transistor MOSFET kiểu tăng cường kênh-n được phân cực để hoạt động ở vùng thuần trở
[ohmic], với VDS = 0,4 V và VGSTh = 3,2 V. Điện trở hiệu dụng của kênh dẫn được tính theo RDS = 500 /
(VGS – 3,2) . Hãy tính trị số của ID khi VGS = 5 V; RDS = 500 ; và VGD = 4 V.

2.29 Một JFET kênh-n có VGSOFF = - 2,8 V. Nếu transistor đang hoạt động ở vùng thuần trở [ohmic]
(hay còn gọi là vùng tuyến tính), với khi VGS = - 1 V; VDS = 0,05 V và ID = 0,3 mA. Hãy xác định trị
số của ID nếu:
a. VGS = - 1 V; VDS = 0,08 V.
b. VGS = 0 V; VDS = 0,1 V.
c. VGS = - 3,2 V; VDS = 0,06 V.

-39-
2.30 Một transistor NMOS kiểu tăng cường có VGSTh = 2,5 V có cực nguồn của nó được nối đất và
điện áp cổng-nguồn là 4 VDC. Hãy xác định vùng làm việc của cấu kiện nếu:
a. VD = 0,5 V.
b. VD = 1,5 V.

2.31 Một transistor NMOS kiểu tăng cường có VGSTh = 4 V; ID = 1 mA khi VGS = VDS = 6 V. Bỏ qua
sự phụ thuộc của ID vào VDS ở vùng bão hòa, hãy xác định giá trị của ID theo VGS = 5 V.

2.32 Một transistor NMOS trong mạch ở hình P2.32,

có VGSTh = 1,5 V; k = 10 mA / V 2. Bây giờ, nếu vG là
dạng xung có biên độ từ 0 V đến 5 V, hãy xác định
các mức điện áp của tín hiệu xung ra tại cực máng.

2.33 Một JFET có VGSOFF = - 2 V và IDSS = 8 mA là đang hoạt động tại trị số VGS = - 1 V; và VDS rất
nhỏ. Hãy xác định trị số:
a. rDS. b. VGS tại trị số rDS bằng một nửa trị số của nó ở (a).

-40-
2.34 Mạch thể hiện ở hình P2.34, là một tầng khuyếch đại
nguồn-chung. Hãy xác định điểm làm việc DC và xác nhận rằng
cấu kiện đang hoạt động ở vùng bão hòa.
Trong đó: k = 1 mA / V2; VGSTh = 1,5 V; R1 = 1,32 M;
R2 = 2,2 M; RD = 4 k; RS = 4 k; RL = 1,3 k;
C = 0,47 µF; RSS = 0,7 k; VDD = 12 V.

2.35 Mạch thể hiện ở hình P2.35, là một tầng khuyếch đại nguồn-chung đã được đơn giản hóa trong
đó mạch phân cực DC tại mạch cổng đã được thay thế bằng mạch tương đương Thévenin của nó. Hãy
xác định điểm làm việc DC hay điểm Q và vùng làm việc.
Trong đó: IDSS = 7 mA; VGSOFF = -2,65 V; RG = 330 k; VGG = 4,7 V; RD = 3,3 k; RS = 3,3 k; RL =
1,7 k;
C = 0,5 µF; RSS = 70 k; VDD = 15 V.

-41-
2.36 Mạch ở hình P2.35, là một tầng khuyếch đại nguồn-chung,
RG là một cấu kiện thực tế trong mạch và VGG đã được loại bỏ
(tức là thực hiện bằng 0). Việc giải cụ thể cho điểm làm việc DC
hay điểm-Q sẽ cho: IDQ = 1,324 mA; VGSQ = - 4,368 V ; IDSS = 18
mA; VGSOFF = - 6 V;
RG = 1,7 M; RS = 3,3 k; RL = 3 k; C = 0,5 µF; VDD = 20 V;
VGG = 0 V;
vS (t) = 1 cos (6,28 x 103 t) V. Hãy xác định trị số của RD để có
VDSQ = 6 V.

2.37 Mạch ở hình P2.35, là một tầng khuyếch đại nguồn-chung,

RG là một cấu kiện thực tế trong mạch và VGG đã được loại bỏ
(tức là đã được ngắn mạch). Việc giải cụ thể cho điểm-Q sẽ cho:
IDQ = 2,97 mA; VGSQ = - 3,56 V
Hãy xác định trị số của RD để có VDSQ = 6 V.
Trong đó: IDSS = 18 mA; VGSOFF = - 6 V; RG = 1,7 M;
RS = 1,2 k; RL = 3 k; C = 0,5 µF; VDD = 20 V;
VGG = 0 V; vS (t) = 1 cos (6,28 x 103 t) V.

-42-
2.38 Mạch thể hiện ở hình P2.38a, là một tầng khuyếch đại nguồn-chung được thực hiện bằng một
MOSFET kiểu nghèo kênh-n có họ đặc tuyến i-v tĩnh như ở hình P2.39b. Điểm-Q và trị số của các cấu
kiện là: VDSQ = 13,6 V; VGSQ = 1,5 V; RD = 1 k; RS = 0,4 k; RL = 3,2 k;
RSS = 0,6 k; và vS (t) = 2 cos (t) V.
Hãy xác định trị số điện áp nguồn cung cấp DC cần thiết để có điểm-Q và các trị số của các cấu kiện
đã được quy định ở trên.

-43-
-44-
-45-
Tóm tắt nội dung mạch transistor
 Mô hình tín hiệu nhỏ của transistor cho phép phân tích mạch khuyếch đại như mạch tuyến tính.
 Các mô hình BJT tín hiệu nhỏ đưa đến việc xem xét các đặc tuyến i-v base và collector dưới
dạng các thông số điện trở đã được tuyến tính hóa và các nguồn có điều khiển. Các mô hình đó
có thể được sử dụng để phân tích hoạt động của BJT như một bộ khuyếch đại tuyến tính. Có
các cấu hình khuyếch đại khác nhau, mà mỗi loại đều có thể được đặc trưng bằng một điện trở
vào và ra tương đương và bằng một hệ số khuyếch đại điện áp vòng hở.
 Các transistor hiệu ứng trường cũng có thể được mô hình hóa bằng phương pháp tham số tín
hiệu nhỏ và các nguồn điều khiển. Các mạch khuyếch đại tính hiệu nhỏ bằng FET có thể được
thiết kế trên cơ sở các mô hình mạch tuyến tính theo cách tương tự với các mạch khuyếch đại
bằng BJT.
 BJT được đặc trưng bằng đặc tính truyền đạt tuyến tính hơn so với FET nên thường cho tín
hiệu ra có mức dòng lớn hơn. Tuy nhiên, trở kháng vào của FET lớn hơn nhiều. Nói chung, các
đặc tính có lợi của mỗi loại transistor có thể được khai thác khi thiết kế các mạch khuyếch đại
nhiều tầng.
 Tất cả các mạch khuyếch đại transistor đều bị hạn chế về đáp ứng tần số của chúng do có các
tụ ghép tầng và do các điện dung ký sinh nội của transistor.
 Các transistor tạo nên thành phần chính của nhiều mạch chuyển mạch. Các chuyển mạch bằng
transistor có thể sử dụng các mạch hoặc bằng BJT hoặc bằng FET, tạo ra hai họ mạch logic số
rất lớn: TTL và CMOS. Mỗi họ đều được đặc trưng bằng một số ưu điểm; trong thực tế các
mạch TTL hoạt động nhanh hơn và có thể cung cấp mức dòng điện lớn hơn, trong khi các
mạch CMOS được đặc trưng bởi mức tiêu thụ công suất cực thấp và dễ chế tạo hơn. Các mạch
chuyển mạch bằng transistor có thể được phân tích dễ dàng hơn so với các mạch khuyếch đại
tuyến tính, do các mạch chuyển mạch thường chỉ được xem như hoặc là cấu kiện dẫn [on] hoặc
là ngưng dẫn [off].

-46-
Các mạch khuyếch đại bằng transistor bipolar
3.1 Mạch thể hiện ở hình P3.1, là một mạch base-chung đã được
rút gọn.
a. Hãy xác định điểm làm việc của mạch transistor.
b. Vẽ mạch tương đương AC cho mạch.

3.2 Xét mạch khuyếch đại emitter-chung có các trị số của

các thông số sau (xem hình 3.7):
VCC = 10V; R1 = 3 k; R2 = 3 k; RS = 50 ;
RC = RE = 100 ; RL = 150 ;  = 100.
a. Xác định điểm làm việc của transistor
b. Vẽ mạch tương đương AC của bộ khuyếch đại.
c. Nếu điện dẫn ra = 10-5 S, hãy xác định hệ số khuyếch
đại điện áp như được định nghĩa bằng vout / vin.
d. Tính điện trở vào, ri.
e. Tính điện trở ra rO

-47-
3.3 Transistor thể hiện trong mạch khuyếch đại ở hình P3.3,
có  re, = 1,3 k;  = 90; và 1 /ro = 120 µS.
Xác định hệ số khuyếch đại của mạch.

3.4 Mạch thể hiện ở hình P3.4, là một biến thể của mạch
khuyếch đại base-chung.
a. Xác định điểm làm việc của transistor
b. Vẽ mạch tương đương AC của bộ khuyếch đại.
c. Tính hệ số khuyếch đại điện áp, vL / vin.
d. Tính điện trở vào, ri.
e. Tính điện trở ra. rO.

-48-
3.5 Cho mạch thể hiện ở hình P3.5, vS là tín hiệu nhỏ dạng sóng sin
có trị trung bình là 3 V. Nếu  = 100 và RB = 60 k.
a. Xác định trị số của RE để IE = 1 mA.
b. Xác định trị số của RC để VC = 5 V.
c. Cho RL = 5 k, hãy vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ của bộ
khuyếch đại.
d. Tính hệ số khuyếch đại điện áp.

3.6 Mạch ở hình P3.6, là cấu hình collector-chung.

Sử dụng bảng 3.2 và cho biết RC = 200 :
a. Xác định điểm làm việc của transistor
b. Vẽ mạch tương đương AC của bộ khuyếch đại.
c. Nếu hệ số khuyếch đại điện áp được định nghĩa bằng,
vout / vin, hãy tính hệ số khuyếch đại điện áp.
Nếu hệ số khuyếch đại dòng điện được định nghĩa bằng,
iout / iin, hãy tính hệ số khuyếch đại dòng điện.
d. Tính điện trở vào, ri.
e. Tính điện trở ra. rO.

-49-
3.8 Một cuộn dây relay
DC được chuyển đổi
thành một cuộn điện cảm
với điện trở nối tiếp do
các vòng dây như ở hình
P3.8a. Relay ở hình
P3.8b sẽ được điều khiển
bằng mạch transistor.
Khi VR lớn hơn 7,2 VDC,
thì chuyển mạch của
relay sẽ đóng (kín mạch)
nếu chuyển mạch của
relay ở trạng thái hở.
Nếu chuyển mạch đã
được đóng, thì chuyển
mạch sẽ hở khi VR thấp hơn 2,4 VDC. Điện trở của diode khi dẫn là 10 , còn khi diode ngưng dẫn
điện trở của diode là . Relay được định mức công suất tiêu tán là 0,5 W khi VR = 10 V. Nếu RE = 40
; RB = 450 ; RS = 20 ; L = 100 mH; Rw1 = Rw2 = 100 ; VCE Sat = 0,3 V; V = 0,75 V; và VS(t) là
sóng vuông có điện áp từ 0 V đến 4,8 V và có mức dòng đỉnh là 20 mA.
a. Hãy xác định mức công suất tiêu tán lớn nhất của mạch.
b. Xác định khoảng thời gian cần có để relay chuyển mạch từ vị trí kín mạch sang vị trí hở mạch nếu
VS đã được đặt ở mức 4,8 V liên tục.

-50-
3.9 Mạch ở hình P3.9, được dùng để chuyển mạch
relay đóng mở đèn chiếu sáng tắt [off] hay sáng [on]
nhờ điều khiển bằng máy tính. Relay tiêu tán công
suất là 0,5 W ở mức 5 VDC. Mạch sẽ chuyển mạch
ON ở mức 3 VDC và OFF ở mức 1,0 VDC. Tần số
lớn nhất là bao nhiêu để nguồn sáng có thể được
chuyển mạch ? Điện cảm của relay là 5 mH, và
transistor sẽ bảo hòa ở mức 0,2 V, V = 0,8 V.

3.10 Một cặp transistor Darlington mắc như mạch ở hình P3.10. Các
thông số của transistor cho hoạt động ở mức tín hiệu nhỏ là: transistor
Q1: rb,  1,5k ; µe = 4 x 10-4; 1/roe = 110 µA/V, và
fe = 130; Q2: rb,  0, 2k ; µe = 10-3; 1/roe = 500 µA/V, và fe = 70.
Tính:
a. Hệ số khuyếch đại dòng toàn bộ.
b. Trở kháng vào.

-51-
3.11 Cho mạch khuyếch đại emitter-
chung như ở hình P3.11, trong đó
transistor có các thông số theo bảng.
Hãy xác định giá trị lớn nhất và nhỏ
nhất của:
a. Hệ số khuyếch đại điện áp vòng
hở AV.
b. Hệ số khuyếch đại dòng điện
vòng hở AI.

3.12 Transistor trong mạch ở hình P3.12, có V = 0,6 V. Hãy xác định trị số của
R1 và R2 để có:
a. Điện áp collector-emitter tĩnh, VCEQ = 5 V.
b. Dòng collector tĩnh, ICQ thay đổi không quá 10% khi  thay đổi từ 20 đến 50.

3.13 Xét hệ số khuyếch đại của mạch ở hình P3.12. Hãy xác định trị số của R1 và R2 để mạch cho độ
dao động đối xứng lớn nhất ở dòng collector. Giả sử  = 100.

-52-
Các mạch khuyếch đại
bằng transistor hiệu
ứng trường
3.24 Đặc tuyến i-v của một
MOSFET kiểu nghèo thể
hiện ở hình P3.24a, và mạch
khuyếch đại bằng MOSFET
tương ứng như mạch ở hình
P3.24b. Hãy xác định điểm
làm việc tĩnh nếu VDD = - 30
V và
RD = 500 .

3.25 Hãy xét hệ số khuyếch đại của mạch khuyếch đại như ở hình P3.24. Hãy xác định điểm làm việc
tĩnh nếu VDD = - 15 V và RD = 330 .

3.26 Xét hệ số khuyếch đại của mạch khuyếch đại như ở hình P3.24. Hãy xác định điểm làm việc
tĩnh nếu VDD = - 50 V và RD = 1,5 k.

-53-
3.27 Hãy xét mạch khuyếch đại như ở hình P3.24. Cho RD = 1 k. Nếu điểm làm việc tĩnh là:
IDQ = - 25 mA; VDSQ = - 12,5 V, hãy xác định trị số của VDD .

3.28 Xét mạch khuyếch đại như ở hình P3.24. Cho RD = 2 k. Nếu điểm làm việc tĩnh là IDQ = - 25
mA; VDSQ = - 12,5 V, hãy xác định trị số của VDD .

3.29 Hãy xét hệ số khuyếch đại của mạch khuyếch đại như ở hình P3.24, có trị số cấu kiện như quy
định ở bài tập 3.24. Cho vGS = 1 sin t V. Hãy vẽ dạng sóng điện áp và dòng ra, và tính hệ số khuyếch
đại điện áp.

3.30 Hãy xét hệ số khuyếch đại của mạch khuyếch đại như ở hình P3.24, có trị số cấu kiện như quy
định ở bài tập 3.24. Cho vGS = 3 sin t V. Hãy vẽ dạng sóng điện áp và dòng ra, và tính hệ số khuyếch
đại điện áp.

-54-
3.31 Hãy xét hệ số khuyếch đại của mạch khuyếch đại như ở hình P3.24, có trị số cấu kiện như quy
định ở bài tập 3.25. Cho vGS = 1 sin t V. Hãy vẽ dạng sóng điện áp và dòng ra, và tính hệ số khuyếch
đại điện áp.

3.32 Hãy xét hệ số khuyếch đại của mạch khuyếch đại như ở hình P3.24, có trị số cấu kiện như quy
định ở bài tập 3.25. Cho vGS = 3 sin t V. Hãy vẽ dạng sóng điện áp và dòng ra, và tính hệ số khuyếch
đại điện áp.

3.33 Hãy xét hệ số khuyếch đại của mạch khuyếch đại như ở hình P3.24, có trị số cấu kiện như quy
định ở bài tập 3.24. Hãy tính Avo và gm tại điểm làm việc tĩnh.

-55-
3.34 Mạch ở hình P3.34, là một tầng khuyếch đại nguồn-chung bằng
MOSFET kiểu nghèo kênh-n. Điểm làm việc-Q và trị số các cấu kiện là:
VDSQ = 13,6 V; VGSQ = 1,5 V; RD = 1,0 k; RS = 0,4 k; RL = 3,2 k;
RSS = 0,6 k; VDD = 35 V; vi(t) = 2 sin (t) V.
a. Xác định đường tải DC
b. Xác định đường tải AC.
c. Bằng các trị số trên đường tải AC, vẽ đặc tuyến truyền đạt, nghĩa là
đặc tuyến dòng máng phụ thuộc vào điện áp cổng-nguồn.
d. Sử dụng hàm truyền, vẽ dạng sóng điện áp ra như một hàm số của t
với 0 < t < 2.
Nhớ rằng: vI = VIQ + vi.
e. Hãy xác định hệ số khuyếch đại điện áp có tải của tầng.

3.35 Mạch ở hình P3.34, là một tầng khuyếch đại nguồn-chung bằng MOSFET kiểu nghèo kênh-n.
Cho điểm làm việc-Q và trị số các cấu kiện là:
VGSQ = 1,5 V; VDSQ = 13,6 V; IDQ = 15,3 mA; RD = 1,0 k; RS = 0,4 k; RL = 3,2 k; RSS = 0,6 k;
VDD = 35 V; vi(t) = 1 sin (t) V.
a. Đối với các điều kiện có tải (tính cả các ảnh hưởng của điện trở tải), xác định đường tải AC, vẽ điện
áp ra như một hàm số của t, và xác định hệ số khuyếch đại điện áp tín hiệu lớn.
Xác định đường tải AC.
b. Lặp lại câu a khi không tính ảnh hưởng tải của điện trở tải.

-56-
3.37 Một MOSFET kiểu tăng cường kênh-n có các thông số: IDSS = 7 mA; VGSth = 5 V. FET được
phân cực để làm việc tại điểm-Q: VGSQ = 7 V; IDQ = 1,120 mA.
a. Hãy vẽ ký hiệu của transistor.
b. Hãy xác định bằng số các thông số cho mô hinh AC tín hiệu nhỏ đơn giản nhất của transistor.
c. Vẽ mô hình AC tín hiệu nhỏ.

3.38 Mạch tương đương AC tín hiệu nhỏ của một mạch có các FET, các tụ chặn DC, các tụ rẽ mạch,
các nguồn DC lý tưởng, các thành phần nào dưới đây trong mạch được mô hình hóa ở dãi tần trung
bình:
a. Các transistor ?
b. Các tụ ghép AC và chặn DC ?
c. Các tụ rẽ mạch ?
d. Điện dụng nội của transistor ? Có điện dung nội nhỏ giữa các cực cổng và máng và điện dung khác
giữa cực cổng và cực nguồn.
e. Nguồn cung cấp DC lý tưởng ?

-57-
3.39 Các thông số cho dưới đây là các thông số của một transistor,
giả sử điểm-Q của transistor, và trị số của các cấu kiện trong mạch ở
hình P3.39, là:
IDSS = 0,5 mA; VGSth = 1 V; IDQ = 0,5 mA; VGSQ = 2 V; R1 = 10 M;
R2 = 10 M; RD = 6 k; RS = 6 k; RL = 3 k; RSS = 50 .
a. Hãy xác định mô hình AC cho transistor gồm các giá trị bằng số.
b. Vẽ mạch tương đương AC tín hiệu nhỏ.

3.40 Các thông số cho dưới đây là các thông số của một transistor, giả
sử điểm-Q của transistor, và trị số của các cấu kiện trong mạch ở hình
P3.40, là:
IDSS = 0,5 mA; VGSth = 1 V; IDQ = 0,5 mA; VGSQ = 2 V; R1 = 10 M; RD
= 6 k; RS = 6 k; RL = 3 k; RSS = 50 .
a. Hãy xác định mô hình AC cho transistor gồm các giá trị bằng số.
b. Vẽ mạch tương đương AC tín hiệu nhỏ.

-58-
3.41 Hãy định nghĩa các thông số điện trở vào, điện trở ra, và hệ số
khuyếch đại điện áp không tải của một tầng khuyếch đại. Kể cả các
điều kiện cần thiết để xác định mỗi thông số. Sử dụng mạch tương
đương tín hiệu nhỏ AC như ở hình P3.41, để xác định các điện áp,
dòng điện, v. v. . . được sử dụng trong các định nghĩa và các điều
kiện. Vẽ mô hình đơn giản hóa bằng cách sử dụng ba thông số của
mạch đó. Khi kể cả nguồn tín hiệu và tải cũng như dẫn xuất biểu
thức cho hệ số khuyếch đại toàn bộ.

3.42 Mạch ở hình P3.39, là một tầng khuyếch đại nguồn-chung.

Các thông số của transistor, điểm-Q, và trị số của các cấu kiện trong
mạch là:
IDSS = 1,125 mA; VGSth = 1,5 V; IDQ = 1,125 mA; VGSQ = 3 V; R1 =
1,32 M; R2 = 2,2 M; RD = 4 k; RS = 4 k; RL = 1,3 k; RSS =
700 .
a. Hãy xác định tất cả các trị số cấu kiện cho mạch và vẽ mạch
tương đương tín hiệu nhỏ AC (cho trung tần).
b. Viết các biểu thức để xác định trị số của điện trở vào Ri, điện trở
ra Ro, và hệ số khuyếch đại không tải Avo.
c. Xác định hệ số khuyếch đại điện áp toàn bộ vo/vi (tính cả các ảnh hưởng của tải và điện trở của
nguồn tín hiệu) theo dB.

-59-
3.43 Mạch ở hình P3.43, là tầng khuyếch đại máng-chung (hay tầng lặp
lại nguồn – SF). Các thông số của transistor, điểm-Q, và trị số của các
cấu kiện là:
k = 1,5 mA/V2; VGSth = 1,5 V; IDQ = 1,125 mA; VGSQ = 3 V; R1 = 1,32
M; R2 = 2,2 M; RS = 4 k; RL = 1,3 k; RSS = 700 ; VDD = 12 V.
a. Hãy vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ AC.
b. Lập các biểu thức để xác định các trị số của điện trở vào Ri, điện trở ra
Ro, và hệ số khuyếch đại điện áp không tải Avo.
c. Xác định hệ số khuyếch đại điện áp chung vo/vi (tính cả các ảnh hưởng
của tải và điện trở của nguồn tín hiệu) theo dB.

-60-
Các cổng và chuyển mạch
3.44 Hãy chứng tỏ rằng mạch ở hình P3.44, có chức năng
như một cổng HOẶC [OR] nếu tín hiệu ra được lấy tại vo1.

3.45 Hãy chứng tỏ rằng mạch ở hình P3.44, có chức năng như một cổng KHÔNG HOẶC [NOR] nếu
tín hiệu ra được lấy tại vo2.

3.46 Hãy chứng tỏ rằng mạch ở hình P3.46, có chức năng

như một cổng VÀ [AND] nếu tín hiệu ra được lấy tại vo1.

-61-
3.47 Hãy chứng tỏ rằng mạch ở hình P3.46, có chức năng như một cổng KHÔNG VÀ [NAND] nếu
tín hiệu ra được lấy tại vo2.

3.48 Ở hình P3.48, giá trị nhỏ nhất của vin theo mức tín hiệu vào cao là 2 V.
Biết rằng transistor Q1 có  thấp nhất bằng 10. Tính khoảng trị số điện trở RB
để có thể chắc chắn làm cho transistor Q1 dẫn [ON].

3.49 Hình P3.49, là mạch với hai bộ đảo bằng transistor

được mắc nối tiếp, trong đó R1C = R2C = 10 k và
R1B = R2B = 27 k.
a. Tính vB, vout, và trạng thái của transistor Q1 khi vin có mức
thấp.
b. Tính vB, vout, và trạng thái của transistor Q1 khi vin có mức
cao.

-62-
3.50 Với mạch đảo ở hình P3.50, RB = 5 k; và RC1 = RC2 = 2 k.
Xác định các trị số nhỏ nhất của 1 và 2 để đảm bảo rằng Q1 và Q2
bảo hòa khi vin có mức cao.

3.51 Với mạch đảo ở hình P3.50, RB = 4 k; và RC1 = 2,5 k; và 1 = 2 = 4. Hãy chứng tỏ rằng Q1
sẽ bảo hòa khi vin ở mức cao. Xác định điều kiện cho RC2 để đảm bảo cho Q2 cũng bảo hòa.

3.52 Mạch cổng TTL cơ bản là mạch ở hình P3.52. Hãy xác định chức năng
logic được thực hiện bằng mạch này.

-63-
3.53 Hình P3.53, là sơ đồ mạch cổng NAND TTL ba đầu vào.
Giả sử tất cả các điện áp vào đều ở mức cao, hãy xác định vB1;
vB2; vB3; vC2; và vout. Ngoài ra, cho biết vùng làm việc của mỗi
transistor.

3.54 Hãy chứng tỏ rằng khi hai hay nhiều hơn các đầu ra của mạch lặp lại
emitter được nối đến tải chung, như mạch ở hình P3.54, là kết quả của phép
toán HOẶC [OR]; tức là, vo = v1 HOẶC v2.

3.55 Với cổng NAND bằng CMOS như mạch ở hình 3.61, hãy nhận dạng
trạng thái của mỗi transistor khi: v1 = v2 = 5 V.

3.56 Với cổng NAND bằng CMOS như mạch ở hình 3.61, hãy nhận dạng
trạng thái của mỗi transistor khi: v1 = 5 V; v2 = 0 V.

3.57 Vẽ sơ đồ mạch của cổng OR bằng CMOS hai đầu vào.

-64-
3.58 Vẽ sơ đồ mạch của cổng AND bằng CMOS hai đầu vào.

3.59 Vẽ sơ đồ mạch của cổng OR bằng TTL hai đầu vào.

3.60 Vẽ sơ đồ mạch của cổng AND bằng TTL hai đầu vào.

3.61 Hãy chứng tỏ rằng mạch ở hình P10.61, có chức năng như một bộ đảo
logic.

3.62 Hãy chứng tỏ rằng mạch ở hình P10.62, có chức

năng như một cổng NOR.

-65-
3.63 Hãy chứng tỏ rằng mạch ở hình P10.63, có chức năng như một cổng
NAND.

Tóm tắt nội dung phần điện tử công suất

 Các cấu kiện điện tử công suất có thể sử dụng được với điện áp lên đến vài ngàn volt và dòng
điện đạt đến vài trăm amper nên có nhiều ứng dụng trong công nghiệp. Các loại khác nhau của
các mạch điện tử công suất và các ứng dụng đã được giải thích trong chương.
 Các bộ ổn định điện áp sử dụng trong các bộ nguồn cung cấp DC để cung cấp điện áp DC ổn
định tại đầu ra của bộ nguồn. Phần tử chính của bộ ổn định điện áp là diode Zener.
 Các transistor có nhiều ứng dụng trong cả các mạch khuyếch đại và chuyển mạch công suất;
BJT, MOSFET, và IGBT được sử dụng thông dụng, đặc biệt là dùng cho chức năng chuyển
mạch. Mỗi loại thường có các ưu điểm riêng, chẳng hạn như khả năng chịu dòng lớn hơn, hay
đáp ứng nhanh hơn. Công nghệ chế tạo cấu kiện đã được cải thiện vượt bậc, nhất là các
MOSFET công suất.
 Các diode công suất và các loại thyristor khác nhau được ứng dụng rộng rãi trong các bộ chỉnh
lưu và các mạch chỉnh lưu có điều khiển, cả ở các mạch một pha và nhiều pha. Các bộ chỉnh
lưu là bộ phận cần thiết ở các bộ nguồn cung cấp DC; các bộ chỉnh lưu có điều khiển cũng
được ứng dụng làm các bộ điều khiển động cơ DC và trong nhiều ứng dụng chuyển đổi điện áp
khác nhau.
 Các bộ điều khiển động cơ điện dựa trên các cấu kiện điện tử công suất cho phép thực hiện
điều khiển động cơ phức tạp. Các bộ điều khiển động cơ DC gồm cả các bộ ổn định có điều
khiển và các bộ đóng ngắn [chopper] (các bộ chuyển đổi DC-DC), trong khi các bộ điều khiển
động cơ AC gồm các mạch nghịch lưu (chuyển đổi DC-AC). Hiện nay cả hai kiểu mạch điều
khiển đều được chế tạo bằng cách sử dụng phổ biến các phần tử chuyển mạch công suất như
MOSFET, thyristor, BJT, và IGBT.
-66-
Các mạch nguồn ổn định và chỉnh lưu
4.1 Hãy xác định dòng tải lớn nhất, ILmax có thể cho phép và thông số công suất của diode Zener, PZ
cần thiết dùng cho bộ ổn định bằng Zener như mạch ở hình 4.7, trong đó: VS = 20 V; VZ = 7 V; RB = 47
; RL = 10 . Số liệu của transistor: TIP31 (bảng 4.2)

-67-
4.2 Cho mạch ổn định dòng điện như ở hình P4.2, tìm biểu thức của RS.

4.3 Cho mạch ổn định điện áp kiểu song song [shunt-type] như ở hình P4.3,
hãy xác đinh biểu thức cho điện áp ra, Vout.

4.4 Cho mạch như ở hình 4.17, nếu tải LR được thay
bằng một tụ điện, hãy vẽ dạng sóng ra và ghi các giá trị.

4.5 Rút ra biểu thức cho vL(t) và gán các trị số cho mạch ở hình 4.17, nếu điện trở thuận của diode là
50 , điện áp phân cực thuận là 0,7 V, còn tải bao gồm điện trở R = 10  và cuộn điện cảm L = 2 H.

-68-
4.6 Cho mạch như ở hình P4.6, vAC là sóng sin với biên độ đỉnh là 10-V,
R = 2 k, và điện áp dẫn thuận của D là 0,7 V.
a. Vẽ dạng sóng của vL(t).
b. Tính giá trị trung bình của vL(t).

4.7 Một mạch nạp ắc-quy của ô-tô như ở hình P4.7. Hãy giải thích hoạt động
của mạch, và vẽ dạng sóng điện áp ra (L1 và L2 tương ứng với các điện cảm của
các cuộn dây của máy phát điện AC.

4.9 Cho mạch như ở hình P4.9, là một hệ thống điều khiển tốc độ
cho động cơ DC. Giả sử rằng, các thyristor được kích dẫn ở góc dẫn 
= 60 nên lúc đó dòng động cơ là 20 A và không gợn. Nguồn cung
cấp là 110 VAC (rms).
a. Vẽ dạng sóng điện áp ra, vO.
b. Tính công suất tiêu thụ bởi động cơ.
c. Xác định mức volt-ampere được phát ra từ nguồn cung cấp.

-69-
4.10 Mạch chỉnh lưu có điều khiển
một pha toàn kỳ được sử dụng để
điều khiển tốc độ của một động cơ
DC. Mạch tương tự như mạch như ở
hình 4.2, ngoại trừ việc thay thế tải
điện trở bằng một động cơ DC. Động
cơ làm việc với mức áp 110 V và tiêu
thụ mức công suất 4 kW. Nguồn AC
là 80 V, 60 Hz. Giả sử rằng, điện
cảm của động cơ là rất lớn (tức là:
dòng của động cơ là không gợn), và
động cơ ổn định ở 0,055
V/vòng/phút. Nếu động cơ chạy ở
mức 1000 vòng/phút tại mức dòng định mức:
a. Xác định góc kích dẫn của bộ chuyển đổi.
b. Xác định giá trị hiệu dụng (Vrms) của dòng điện nguồn cung cấp.

-70-
4.11 Cho mạch điều khiển độ sáng của đèn như ở hình 4.27. Xác định: (1) điện áp tải hiệu dụng như
một hàm của góc dẫn và (2) công suất cung cấp cho tải điện trở tại góc dẫn bằng 0; 30; 60; 90;
120; 150; và 180; và vẽ biều đồ công suất tải theo góc dẫn, .. Trong đó, VAK on = 0 V; RL = 240 .
Dòng cổng xung , iG(t), được định thời như ở hình 4.28.

-71-
4.12 Trong mạch thể hiện ở hình P4.12, nếu: VL = 10 V; Vr =
10% = 1 V; IL = 650 mA; vline = 170 cos(t);  = 2513 rad/s
Và nếu các diode được chế tạo từ silicon, hãy xác định góc
dẫn của các diode.

4.13 Cho góc dẫn của các diode silicon trong mạch ở hình
P4.13, là:  = 23
vs1 (t )  vs2 (t )  8cos(t ) V ;  = 377 rad/s; RL = 20 k;
C = 0,5 µF. Hãy xác định giá trị hiệu dụng của điện áp gợn.

-72-
4.14 Các diode trong mạch nguồn cung cấp DC toàn kỳ ở hình P4.12, là silicon. Nếu: IL = 85 mA; VL
= 5,3 V; Vr = 0,6 V;  = 377 rad/s; vline = 156 cos (t) V; C = 1023 µF;  = góc dẫn = 23,90.
Hãy xác định giá trị dòng điện trung bình và đỉnh chảy qua mỗi diode.

4.15 Các diode trong mạch nguồn cung cấp DC toàn kỳ ở

hình P4.13, là silicon. Nếu: IL = 600 mA; VL = 50 V; Vr = 8%
= 4 V; vline = 170 cos (t) V.
Hãy xác định trị số của góc dẫn của các diode và trị số dòng
điện trung bình và đỉnh chảy qua mỗi diode. Dạng sóng điện
áp trên tải như thể hiện ở hình P4.15.

-73-
Khuyếch đại thuật toán
Các mạch khuyếch đại lý tưởng

5.1 Mạch thể hiện ở hình P5.1, có một nguồn tín

hiệu, hai tầng khuyếch đại, và tải. Hãy xác định hệ
số khuyếch đại công suất G theo dB, trong đó:
RS = 0,6 k; RL = 0,6 k; Ri1 = 3 k; Ri2 = 3 k;
Ro1 = 2 k; Ro2 = 2 k; AVO1 = 100; Gm2 = 350 mS.

5.3 Mạch thể hiện ở hình P5.3, có một nguồn tín

hiệu, hai tầng khuyếch đại, và tải. Hãy xác định hệ số
khuyếch đại công suất G = Po / Pi theo dB, trong đó:
P V2
G  o ; Pi  i1 ; RS = 0,7 k; RL = 16 ; Ri1 = 1,1
Pi Ri1
k; Ri2 = 19 k; Ro1 = 2,9 k; Ro2 = 22 ;
AVO1 = 65; Gm2 = 130 mS.

-74-
5.4 Trong mạch ở hình P5.4,
RS = 0,3 k; RL = 2 k; Ri1 = Ri2 = 7,7 k;
V
Ro1 = Ro2 = 1,3 k; AVO1 = AVO2 = 17; o  149,9 .
Vi1
Hãy xác định: a. Hệ số khuyếch đại công suất theo dB.
b. Hệ số khuyếch đại điện áp toàn bộ vo / vS.

5.5 Giá trị điện áp và các dòng điện thể hiện ở hình P5.5, thường vào khoảng gần
đúng bao nhiêu để có mô hình mạch khuyếch đại thuật toán lý tưởng ?.

5.6 Giá trị các cấu kiện và các thông số thể hiện ở hình P5.5, thường vào khoảng gần đúng bao nhiêu
để có mô hình mạch khuyếch đại thuật toán lý tưởng ?

Các mạch bằng op-amp

5.7 Tính v1 trong mạch ở hình P5.7a, và P5.7b.
Chú ý bộ lặp điện áp sẽ giử v1 trong mạch P5.7b
bằng mức vg / 2, khi đầu ra của “tải” điện trở 3 k
như ở mạch hình P5.7a.

-75-
5.8 Hãy xác định biểu thức hệ số khuyếch đại toàn bộ AV = vo / vi cho
mạch ở hình P5.8. Giả sử op-amp là lý tưởng.

5.9 Tính dòng i trong mạch ở hình P5.9.

5.10 Chứng minh rằng mạch ở hình P5.10, là một bộ tổng không
đảo.

5.11 Hãy xác định biểu thức cho hệ số khuyếch đại chung
AV = vo/vi của mạch ở hình P5.11. Tính độ điện dẫn G = ii / vi
xét từ nguồn điện áp, vi. Giả sử op-amp là lý tưởng.

-76-
5.12 Hãy xác định biểu thức cho hệ số khuyếch đại chung AV =
vo/vi của mạch ở hình P5.12. Tính độ điện dẫn G = ii / vi xét từ
nguồn điện áp, vi. Giả sử op-amp là lý tưởng.

5.13 Trong mạch ở hình P5.13, mạch ở điều kiện tới hạn với hệ số khuyếch
đại giữ trong phạm vi 2% của giá trị thông dụng là 16. Tính giá trị điện trở,
RS để có thể đạt hệ số khuyếch đại yêu cầu, và giá trị lớn nhất và nhỏ nhất
của RS là bao nhiêu có thể có trạng thái trên. Để đảm bảo an toàn theo yêu
cầu này thì điện trở tiêu chuẩn 5% thích hợp là bao nhiêu ? (xem bảng trị số
điện trở tiêu chuẩn).

5.14 Một bộ khuyếch đại đảo sử dụng hai điện trở sai số 10%: RF = 33 k, và RS = 1,2 k.
a. Hệ số khuyếch đại thông thường của mạch khuyếch đại là bao nhiêu ?
b. Giá trị lớn nhất của AV là bao nhiêu ?
c. Giá trị nhỏ nhất của AV là bao nhiêu ?

-77-
5.15 Mạch ở hình P5.15, sẽ loại bỏ thành phần DC của tín hiệu vào,
v1(t) = 10 + 10-3 sint V, RF = 10 k, và Vpin = 20 V.
a. Tính RS để không có điện áp DC xuất hiện tại đầu ra.
b. vout(t), với giá trị RS ở phần (a) là bao nhiêu ?

5.16 Hình P5.16, là mạch khuyếch đại thực tế đơn giản sử dụng
op-amp 741. Số thứ tự chân như đã ghi trên hình. Cho điện trở vào là
R = 2 M, hệ số khuyếch đại vòng hở K = 200000 và điện trở ra
Ro = 75 . Tính giá trị gần đúng của hệ số khuyếch đại AV = vo / vi.

5.17 Hãy sử dụng mạch khuyếch đại tổng đảo để nhận được tổng trọng số của bốn nguồn tín hiệu
khác nhau như sau:
1 
vout    sin 1t  5sin 2t  2sin 3t  16sin 4t 
4 
Cho RF = 10 k, và xác định các điện trở vào, RS cần thiết.

-78-
5.18 Mạch khuyếch đại ở hình P5.18, có một nguồn tín hiệu, tải và một
tầng khuyếch đại với:
RS = 11 k; RF = 7 k; R1 = 1 k; RL = 16 ; sử dụng op-amp
Motorola MC1741C có: ri = 2 M; hệ số khuyếch đại vòng hở bằng
200 000; ro = 25 .
Theo phân tích xấp xĩ thứ nhất, các thông số của op-amp đã cho ở trên
có thể được bỏ qua và op-amp được sửa đổi như một cấu kiện lý tưởng.
Ở bài tập này, kể cả các ảnh hưởng ở thông số của op-amp lên điện trở
vào của mạch khuyếch đại.
a. Suy luận biểu thức cho điện trở vào vi / ii kể cả các ảnh hưởng của op-amp.
b. Hãy xác định trị số của điện trở vào khi bao gồm cả các ảnh hưởng của op-amp.
c. Hãy xác định trị số của điện trở vào khi giả thiết op-amp là lý tưởng.

5.19 Mạch khuyếch đại ở hình P5.19, nếu:

R1 = 50 k; R2 = 1,8 k; RF = 220 k; vS = 10-2 + 7 x 10-6 cos(t) V,
hãy xác định:
a. Biểu thức cho điện áp ra.
b. Trị số của điện áp ra.

-79-
5.20 Nếu trong mạch ở hình P5.20, có:
vS = 17 x 10-3 + 3 x 10-3 cos(t) V, RS = 50 ; RL = 200 ; hãy xác định
điện áp ra.

5.21 Trong mạch ở hình P5.21, có:

vS1 = 2,9 x 10-3 cos(t) V, vS2 = 3,1 x 10-3 cos(t) V, R1 = 1 k;
R2 = 3 k; R3 = 13 k; R4 = 11 k; hãy xác định điện áp ra.

5.22 Trong mạch ở hình P5.21, có:

vS1 = 13 mV, vS2 = 19 mV, R1 = 1 k; R2 = 13 k; R3 = 80 k; R4 = 68 k; hãy xác định điện áp ra.

5.23 Trong mạch ở hình P5.23, nếu:

vS1 = vS2 = 7 mV; RF = 2,2 k; R1 = 850 ; R2 = 1,5 k; và op-amp
MC1741C có các thông số như sau: ri = 2 M; hệ số khuyếch đại vòng
hở bằng 200 000; ro = 25 . Hãy xác định:
a. Điện áp ra.
b. Hệ số khuyếch đại điện áp theo hai tín hiệu vào.

-80-
5.24 Trong mạch ở hình P5.21, hai nguồn điện áp là cảm biến nhiệt có đáp ứng: vS1 = kT1; vS2 = kT2;
trong đó: k = 23 mV/C; R1 = 11 k; R2 = 21 k; R3 = 33 k; R4 = 56 k; T1 = 35C và T2 = 100C,
hãy xác định:
a. Điện áp ra.
b. Các điều kiện cần để có điện áp ra chỉ phụ thuộc vào sự chênh lệch giữa hai nhiệt độ.

5.25 Trong một mạch khuyếch đại chênh lệch, nếu:

Av1 = - 20; Av2 = + 22.
Viết biểu thức cho mạch và suy ra cách xác định trị số của các hệ số khuyếch đại kiểu chung và kiểu
sai lệch.

5.26 Nếu trong mạch ở hình P5.21, vS1 = 1,3 V, vS2 = 1,9 V, R1 = R2 = 5 k; R3 = R4 = 10 k; RL =
1,8 k. Hãy xác định:
a. Điện áp ra.
b. Thành phần kiểu chung của điện áp ra.
c. Thành phần kiểu vi sai của điện áp ra.

-81-
5.27 Hai nguồn điện áp trong mạch ở hình P5.21, là các cảm biến áp suất trong đó P là áp suất tính
theo kPa:
vS1,2 = A + BP1,2; A = 0,3 V; B = 0,7 V/psi; R1 = R2 = 5 k; R3 = R4 = 10 k; RL = 1,8 k.
Nếu P1 = 6 kPa và P2 = 5 kPa, hãy xác định, bằng cách sử dụng sự chồng chập, đó là phần của điện áp
do:
a. Điện áp vào kiểu chung.
b. Điện áp vào kiểu vi sai.

5.28 Một biến trở tuyến tính (điện trở có thể thay đổi được trị số) Rp được dùng để làm cảm biến và
cho điện áp tín hiệu vy tỷ lệ với vị trí y là dòng điện trên máy vẽ đồ thị x-y. Tín hiệu chuẩn vR được
cung cấp bởi việc điều khiển mềm máy vẽ đồ thị. Độ chênh lệch giữa các điện áp trên cần phải được
khuyếch đại và cung cấp cho động cơ. Động cơ chạy và làm thay đổi vị trí của bút vẽ và vị trí của
“điểm” cho đến khi điện áp tín hiệu bằng với điện áp chuẩn (chỉ thị bút vẽ là ở vị trí yêu cầu) và điện
áp động cơ = 0. Để hoạt động chính xác thì điện áp của động cơ cần phải bằng 10 lần điện áp chênh
lệch giữa tín hiệu và điện áp chuẩn. Để quay đúng chiều, điện áp động cơ cần phải âm so với điện áp
tín hiệu đối với các cực tính như hình vẽ. Một yêu cầu bổ sung là iP = 0 để tránh quá tải bộ vẽ và gây
sai lệch điện áp tín hiệu.
a. Hãy thiết kế mạch op-amp để có thể đạt được các thông số đã cho. Vẽ lại mạch thể hiện ở hình
P5.28, bằng cách thay khối hộp (vẽ trong đường đứt nét) bằng mạch thiết kế. Cần phải đảm bảo điện
áp tín hiệu và điện áp ra được kết nối trong mạch thiết kế.
b. Hãy xác định giá trị của mỗi cấu kiện trong mạch thiết kế. Op-amp là 741.

-82-
5.29 Trong mạch ở hình P5.21, vS1 = 13 mV, vS2 = 19 mV, R1 = 1 k; R2 = 13 k; R3 = 80 k;
R4 = 68 k. Hãy xác định điện áp ra.

5.30 Mạch ở hình P5.30, là bộ chuyển đổi điện áp thành dòng điện đơn
giản. Hãy chứng tỏ rằng dòng điện Iout chảy qua diode phát quang [LED]
và do đó độ sáng của LED là tỷ lệ với điện áp nguồn VS với điều kiện là
VS > 0.

5.31 Mạch ở hình P5.31, là bộ chuyển đổi dòng điện thành điện áp đơn
giản. Hãy chứng tỏ rằng dòng điện Vout là tỷ lệ với dòng được tạo ra bởi
tế bào quang điện [cadmium sulfide cell] Cds. Thêm nửa, hãy chứng tỏ
rằng transimpedance của mạch là Vout / IS bằng - R.

-83-
5.32 Trong một số ứng dụng xử lý tín hiệu, một mạch ghim được sử
dụng để duy trì tín hiệu ra tại một mức nào đó ngay cả khi tín hiệu vào
liên tục tăng. Một trong những mạch như vậy thể hiện ở hình P5.32. Hãy
xác định quan hệ giữa vo và vi và vẽ dạng sóng của nó.

5.33 Mạch ở hình P5.33, dùng để ổn định điện áp, mà điện áp ra của
mạch có thể điều chỉnh. Giả thiết op-amp và diode zener lý tưởng và
diode Zener sẽ duy trì điện áp trên đầu cực của diode khi có iZ  0,1IZ.
a. Tìm biểu thức cho vo theo VZ.
b. Nếu RS, R1, VZ, và IZ là đã biết, hãy xác định khoảng VS mà trong đó
mạch có thể ổn định.

5.34 Mạch Voltmeter bằng op-amp như ở hình P5.34, cần để do điện áp
vào lớn nhất là E = 20 mV. Dòng vào của op-amp là IB = 0,2 µA, và mạch
đồng hồ có độ lệch đầy thang là Im = 100 µA và rm = 10 k. Hãy xác định
các giá trị thích hợp cho R3 và R4.

-84-
Các mạch lọc, mạch tích phân, và mạch vi phân

5.35 Mạch ở hình P5.35, là một mạch lọc tích cực có: C = 1 µF; R = 10
k; RL = 1 k.
Hãy xác định:
a. Hệ số khuyếch đại (theo dB) trong dãi thông.
b. Tần số cắt.
c. Bộ lọc này là bộ lọc thông thấp hay thông cao ?

5.36 Mạch op-amp ở hình P5.36, được sử dụng như một mạch lọc có:
C = 0,82 µF; RL = 16 ; R1 = 9,1 k; R2 = 7,5 k.
Hãy xác định:
a. Bộ lọc này là bộ lọc thông thấp hay thông cao ?
b. Hệ số khuyếch đại Vo / VS, theo dB trong dãi thông, tức là tại dãi
tần được thông qua bởi bộ lọc.
c. Tần số cắt.

5.37 Mạch op-amp ở hình P5.36, được sử dụng như một mạch lọc có: C = 82 pF; RL = 16 ; R1 = 10
k; R2 = 130 k.
Hãy xác định:
a. Bộ lọc này là bộ lọc thông thấp hay thông cao ?
b. Hệ số khuyếch đại Vo / VS, theo dB trong dãi thông, tức là tại tần số khởi đầu được thông qua bởi bộ
lọc.
c. Tần số cắt.

-85-
5.38 Mạch ở hình P5.38, là một mạch lọc tích cực có: R1 = 5 k;
R2 = 68 k; C = 8 pF; RL = 22 k.
Hãy xác định dãi tần số cắt và biên độ của hàm truyền điện áp tại các
tần số rất thấp và rất cao.

5.39 Mạch ở hình P5.39, là một mạch lọc tích cực có: R1 = 1 k;
R2 = 5 k; R3 = 80 k; C = 5 nF.
Hãy xác định:
a. Biểu thức của hàm truyền điện áp dưới dạng chuẩn:
V ( j )
H v ( j )  o
Vi ( j )
b. Dãi tần số cắt
c. Hệ số khuyếch đại dãi thông
d. Giản đồ Bode.

5.40 Mạch op-amp ở hình P5.40, được sử dụng làm mạch lọc có: R1 = 9,1
k; R2 = 7,5 k; C = 0,82 µF; RL = 16 .
Hãy xác định:
a. Mạch là lọc thông thấp hay thông cao
b. Biểu thức dạng chuẩn cho hàm truyền điện áp.
c. Hệ số khuyếch đại theo dB trong dãi thông, tức là tại dãi tần truyền qua
bởi bộ lọc, và tần số cắt.

-86-
5.41 Mạch op-amp ở hình P5.40, là mạch lọc thông thấp có: R1 = 220 ; R2 = 68 k; C = 0,47 nF; RL
= 16 .
Hãy xác định:
a. Biểu thức dạng chuẩn cho hàm truyền điện áp.
b. Hệ số khuyếch đại theo dB trong dãi thông, tức là tại dãi tần truyền qua bởi bộ lọc, và tần số cắt.

5.42 Mạch ở hình P5.42, là mạch lọc thông dãi có: R1 = R2 = 1 k;
C1 = C2 = 1 µF.
Hãy xác định:
a. Hệ số khuyếch đại dãi thông.
b. Tần số cộng hưởng.
c. Tần số cắt.
c. Hệ số phẩm chất Q của mạch.
d. Giản đồ Bode.

5.43 Mạch op-amp ở hình P5.43, là mạch lọc thông thấp có: R1 = 220 ;
R2 = 68 k; C = 0,47 nF; RL = 16 .
Hãy xác định:
a. Biểu thức dạng chuẩn cho hàm truyền điện áp.
b. Hệ số khuyếch đại theo dB trong dãi thông, tức là tại dãi tần truyền qua
bởi bộ lọc, và tần số cắt.

-87-
5.44 Mạch ở hình P5.44, là mạch lọc thông dãi. Nếu: R1 = 220 ;
R2 = 10 k; C1 = 2,2 µF; C2 = 1 nF.
Hãy xác định hệ số khuyếch đại dãi thông.

5.45 Hãy tính đáp ứng tần số của mạch ở hình P5.45.

5.46 Mạch khuyếch đại đảo như ở hình P5.46, có thể được sử dụng như mạch lọc thông thấp.
a. Tìm đáp ứng tần số của mạch.
b. Nếu: R1 = R2 = 100 k; C = 0,1 µF; tính độ suy giảm theo dB tại  = 1000 rad/s.
c. Tính hệ số khuyếch đại và pha tại  = 2500 rad/s.
d. Xác định khoảng tần số mà trên đó độ suy giảm thấp hơn 1 dB.

5.47 Tìm biểu thức cho hệ số khuyếch đại của mạch như ở hình P5.47.

-88-
5.48 Cho mạch như ở hình P5.48, hãy vẽ đáp ứng biên độ của
V2 / V1, bằng chỉ thị dãi tần nữa công suất.
Giả sử op-amp là lý tưởng.

5.49 Hãy sử dụng khái niệm trở kháng để tìm nghiệm cho trở
kháng vào ZS = VS / IS của mạch như ở hình P5.49. Chứng tỏ rằng,
trở kháng vào này có dạng tương đương của một điện cảm
ZL = jL. Hãy xác định độ tự cảm giả định dưới dạng của R1, R2, R3,
R4, và C.

5.50 Mạch ở hình P5.50a, sẽ cho điện áp

ra hoặc là tích phân hoặc là vi phân của
điện áp nguồn tín hiệu thể hiện ở hình
P5.50b được nhân với hệ số khuyếch đại
nào đó. Nếu:
C = 1 µF; R = 10 k; RL = 1 k, hãy xác
định biểu thức cho và vẽ dạng điện áp ra
như một hàm số của thời gian.

-89-
5.51 Mạch ở hình P5.51a, sẽ
cho điện áp ra hoặc là tích phân
hoặc là vi phân của điện áp
nguồn tín hiệu thể hiện ở hình
P5.51b được nhân với hệ số
khuyếch đại nào đó.
Hãy xác định:
a. Biểu thức cho điện áp ra.
b. Giá trị của điện áp ra tại t = 5;
7,5; 12,5; 15; và 20 ms và vẽ
điện áp ra như hàm của thời gian
nếu:
C = 1 µF; R = 10 k; RL = 1 k.

5.52 Mạch ở hình P5.52, là một mạch tích phân. Tụ điện ban đầu
chưa được nạp, và điện áp nguồn tín hiệu là:
vin(t) = 10 x 10-3 + sin (2000t) V.
a. Tại thời điểm t = 0, chuyển mạch, S1 là được đóng. Chuyển mạch
lấy khoảng thời gian bao lâu trước khi xuất hiện tín hiệu tại đầu ra
nếu RS = 10 k và CF = 0,008 µF ?
b. Tại các thời điểm nào sự tích phân tín hiệu vào DC làm cho op-
amp bảo hòa hoàn toàn ?

-90-
5.53 Một mạch tích phân thực tế như ở hình 5.21 Lưu ý rằng, điện trở
mắc song song với tụ hồi tiếp sẽ tạo ra đường xã điện DC cho tụ. Thông
thường, hằng số thời gian RFCF đã được chọn là đủ lớn đẻ không gây trở
ngại cho sự tích phân.
a. Nếu RS = 10 k; RF = 2 M; CF = 0,008 µF, và
vS(t) = 10 V + sin (2000t) V, hãy xác định vout bằng cách sử dụng phân
tích pha.
b. Lặp lại câu (a) nếu RF = 200 k, và nếu RF = 20 k.
c. Hãy so sánh các hằng số thời gian RFCF với chu kỳ của dạng sóng cho
ở các câu (a) và (b). Có thể phát biểu gì về hằng số thời gian và khả năng
của mạch đối với việc tích phân ?

5.54 Mạch ở hình 5.26, là một mạch vi phân thực tế. Giả thiết op-amp
lý tưởng với
vin(t) = 10 x 10-3 + sin (2000t) V; CS = 100 µF; CF = 0,008 µF;
RF = 2 M, và RS = 10 k,
a. Hãy xác định đáp ứng tần số, Vo / VS().
b. Sử dụng sự chồng chập để tính điện áp ra thực tế
(nhớ rằng DC = 0 Hz).

-91-
5.55 Hãy suy luận phương trình vi phân tương ứng với mạch mô phỏng máy tính tương tự ở hình
P5.55.

5.56 Hãy xây dựng máy tính tương tự mô phỏng tương ứng với phương trình vi phân sau đây:
d 2x dx
2
 100  10x  5 f (t )
dt dt

Các giới hạn của op-amp

5.58 Xét mạch khuyếch đại vi phân. Yêu cầu tín hiệu ra kiểu chung thấp hơn 1% tín hiệu ra kiểu vi
sai. Hãy tính tỷ số loại bỏ nhiễu kiểu chung theo dB nhỏ nhất (CMRR) để đáp ứng yêu cầu này nếu hệ
số khuyếch đại kiểu vi sai Adm = 1000. Cho:
v1  sin(2000 t )  0,1sin(120 t ) V
v2  sin(2000 t  180 )  0,1sin(120 t ) V
 v v 
vo  Adm (v1  v2 )  Acm  1 2 
 2 

-92-
5.60 Xét mạch khuyếch đại đảo có hệ số khuyếch đại vòng hở 105. Với việc tham khảo phương trình.

 1 1 1 
vS  vout    
R /R
 F S AV (OL) RF / RS AV (OL) 

a. Nếu RS = 10 k và RF = 1 M, tính hệ số khuyếch đại vòng kín AV(CL).

b. Lặp lại câu (a) nếu RS = 10 k và RF = 10 M.
c. Lặp lại câu (a) nếu RS = 10 k và RF = 100 M.
d. Sử dụng các trị số điện trở ở cấu (c), hãy tính AV(CL) nếu AV(OL)  .

5.61 a. Nếu op-amp ở mạch hình P5.61, có hệ số khuyếch đại vòng hở là

45 x 105, tính hệ số khuyếch đại vòng kín với RF = RS = 7,5 k.
b. Lặp lại câu (a) nếu RF =5 (RS) = 37,5 .

5.62 Cho độ rộng băng tần hệ số khuyếch đại đơn vị của op-amp lý tưởng bằng 5,0 MHz, tính hệ số
khuyếch đại điện áp tại tần số f = 500 kHz.

-93-
5.65 Nếu trong mạch ở hình P5.65:
vS1  2,8  0,01cos(t ) V
vS 2  3,5  0,007cos(t ) V
Av1= -1,3; Av2 = 10;  = 4 krad/s.
Hãy xác định:
a. Các tín hiệu vào kiểu chung và vi sai
b. Các hệ số khuyếch đại kiểu chung và vi sai
c. Các thành phần kiểu chung và kiểu vi sai của điện áp ra.
d. Tỷ số loại bỏ nhiểu kiểu chung.

5.66 Nếu trong mạch ở hình P5.65:

vS1  3,5  0,01cos(t ) V

vS 2  3,5  0,01cos(t ) V
Avc= 10 dB; Avd = 20 dB;  = 4 x 103 rad/s.
Hãy xác định:
a. Các điện áp vào kiểu chung và vi sai
b. Các hệ số khuyếch đại điện áp cho vS1 và vS2.
c. Các thành phần kiểu chung và kiểu vi sai của điện áp ra.
d. Tỷ số loại bỏ nhiểu kiểu chung (CMRR) theo dB.

-94-
5.67 Nếu trong mạch ở hình P5.67, hai nguồn điện áp là cảm biến nhiệt độ
với T = nhiệt độ (Kelvin) và:
vS1 = kT1 ; vS2 = kT2, trong đó: k = 120 µV/K; R1 = R3 = R4 = 5 k;
R2 = 3 k; RL = 600 .
Nếu: T1 = 310 K; T2 = 335 K.
Hãy xác định:
a. Các hệ số khuyếch đại điện áp theo hai điện áp vào.
b. Điện áp vào kiểu chung và kiểu vi sai
c. Các hệ số khuyếch đại kiểu chung và kiểu vi sai
d. Thành phần kiểu chung và thành phần kiểu vi sai của điện áp ra.
e. Tỷ số loại nhiễu đồng pha (CMRR) theo dB.

5.68 Trong mạch khuyếch đại chênh lệch ở hình P5.67: vS1 = 13 mV ; vS2 = 9 mV; vo = voc + vod;
voc = 33 mV (điện áp ra kiểu chung); vod = 18 V (điện áp ra kiểu vi sai).
Hãy xác định:
a. Hệ số khuyếch đại kiểu chung.
b. Hệ số khuyếch đại kiểu vi sai.
c. Tỷ số loại nhiễu đồng pha theo dB.

-95-
-96-