MỤC LỤC

MỤC LỤC...................................................................................................................................1
BÀI 1:..........................................................................................................................................2
SEMICONDUCTOR FUNDAMENTAL...................................................................................2
Chủ đề 1: Giới thiệu về chất bán dẫn.....................................................................................2
Chủ đề 2 : Diode và chỉnh lưu bán kỳ.....................................................................................2
Chủ đề 3 : Chỉnh lưu toàn kỳ và mạch lọc...............................................................................6
Chủ đề 4 : Tiếp giáp của Transistor và sự phân cực Dc cho Transistor PNP........................11
Chủ đề 5 : Đường tải và hệ số khuyếch đại của Transistor...................................................12
BÀI SỐ 2:..................................................................................................................................16
CÁC NGUYÊN LÝ CƠ BẢN CỦA F.E.T...............................................................................16
I. THIẾT BỊ.......................................................................................................................16
II. NỘI DUNG:.................................................................................................................16
CHỦ ĐỀ 1: LÀM QUEN VỚI BẢNG MẠCH.....................................................................16
CHỦ ĐỀ 2: FET CÓ CỔNG TIẾP GIÁP – JFET................................................................16
CHỦ ĐỀ 3: MẠCH KHUẾCH ĐẠI BẰNG JFET................................................................19
CHỦ ĐỀ 4: NGUỒN DÒNG BẰNG JFET..........................................................................20
CHỦ ĐỀ 5: MOSFET CỔNG ĐÔI......................................................................................22
CHỦ ĐỀ 6: TRANSISTOR ĐƠN NỐI - UJT.......................................................................25
BÀI SỐ 3:..................................................................................................................................27
THYRISTOR VÀ CÁC MẠCH ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT................................................27
Tìm hiểu thyristor và các mạch điều khiển công suất...........................................................27
II. DỤNG CỤ:...................................................................................................................27
III. NỘI DUNG:.................................................................................................................27
CHỦ ĐỀ 1: LAM QUEN VỚI BẢN MẠCH........................................................................27
CHỦ ĐỀ 2: SCR....................................................................................................................29
CHỦ ĐỀ 3: ĐIỀU KHIỂN SCR BẰNG TÌN HIỆU DC......................................................31
CHỦ ĐỀ 4 : ĐIỀU KHIỂN SCR BẰNG TÍN HIỆU AC....................................................32
Chủ đề 5:................................................................................................................................34
ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT KHI SCR ĐƯỢC KÍCH DẪN BẰNG MẠCH UJT.............34
CHỦ ĐỀ 6: TRIAC....................................................................................................37
CHỦ ĐỀ 7: ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT AC BẰNG TRIAC...........................................38
BÀI SỐ 4:..................................................................................................................................40

1 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 BÀI 1:
SEMICONDUCTOR FUNDAMENTAL
I.Thiết bị:
- Máy hiện sóng 2 chiều
- Máy tạo sóng sin
- Bảng mạch
II.Nội dung thí nghiệm:
Chủ đề 1: Giới thiệu về chất bán dẫn
a. Mục đích:
Hiểu định nghĩa giải thích về vật liệu bán dẫn và chức năng của nó trong các dụng bán
dẫn.Nhận dạng và kiểm chứng nguyên lý hoạt động của một số dụng cụ bán dẫn.
b. Kết luận:
- Diode và transistor được cấu trúc từ vật liệu bán dẫn, thường là silicon và
Germanium.
- Diode có một tiếp giáp PN, Transistor có 2 tiếp giáp PN.
- Diode,zener, LED khác nhau về kí hiệu.
- Ký hiệu của PNP transistor có chiều mũi tên cực BASE,còn NPN thì chiều mũi tên
chỉ vào cực Emiter
- Diode có 2 cực Anode và Cathode.Transistor có 3 cực Emiter,Base,collector.

Chủ đề 2 : Diode và chỉnh lưu bán kỳ

a. Mục đích :
Hiểu, giải thích và mô tả các nguyên lý và các đặc tính hoạt động của Diode bán dẫn.
Mạch thí nghiệm :

Các thông số đo được trên mạnh là :

VA = -10VDC
VR1 = -9.37
VR2 = -0.1mV
Với các giá trị như thế CR1 được phân cực thuận, CR2 được phân cực nghịch.

2 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Các thông số đo được trên mạnh là :
VA = 10VDC
VR1 = 0.1mV
VR2 = 9.39V
Với các giá trị như thế CR1 được phân cực nghịch, CR2 được phân cực thuận.
Dựa vào định luật Ohm ta xác định được dòng điện qua điện trở R2 :
V
I R 2  R 2  2.85mA
R2
Dựa và giá trị của IR2 ta xác định được dòng qua CR2 :
ICR2 = 2.85mA
VA (V) VR2 (V) ICR2 = VR2 /3.3KΩ (mA) VD = VA – VR2 (V)
0.75 0.29 0.088 0.46
5 4.41 1.34 0.59
10 9.38 2.84 0.62
Kết luận :
- Đặc tuyến dòng một chiều của diode mô tả dòng và điện áp thuận và ngược.
- Khi điện áp phân cực thuận tăng, vượt qua điện áp chắn thì dòng tăng nhanh chóng,
với sụt áp trên diode nhỏ.
- Khi diode phân cực ngược, có dòng rò nhỏ chạy qua. Cho đến khi đạt được điện áp
đánh thủng, dòng ngược tăng nhanh chóng, diode bị đánh thủng.
- Diode có điện trở thuận thấp, điện trở nghịch cao.

3 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

Thí nghiệm 2 : Hình minh họa mối quan hệ giữa dạng sóng vào và sóng ra của chỉnh lưu bán
kỳ dương.

Khi Vi (pk) = 4V  Vo(pk) = Vi(pk) – VF = 4V

Khi Vo (pk) = 5V  Vo (avg) = 0.318 x Vo (pk) = 1.59V

Quan hệ giữa sóng vào và sóng ra của chỉnh lưu bán kỳ dương.
Mạch chỉnh lưu diode bán kỳ:

4 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 * VI (pk) = 1V  Vo (pk) = VI (pk) – 0.6 = 0.4V
Với 0.6V là sụt áp trên CR1
* VI (pk) = 2V  Vo (pk) = VI (pk) – 0.6 = 1.4V
* Vo(pk) = 3V  Vo(avg) = 0.318 x Vo(pk) = 0.954V

Kết luận :
- Chỉnh lưu bán kỳ là quá trình biến đổi tín hiệu xoay chiều thành xung một chiều suốt
nữa chu kỳ.
- Diode và điện trở tải hình thành một chỉnh lưu bán kỳ.
- Khi anode của diode được kết nối với tín hiệu xoay chiều, thì tín hiệu ra là xung
dương trong bán kỳ dương.
- Khi cathode của diode được kết nối với tín hiệu xoay chiều, thì tín hiệu ra là xung âm
trong bán kỳ âm.
- Sụt áp trên diode giảm điện thế ra của chỉnh lưu toàn kỳ.

Chủ đề 3 : Chỉnh lưu toàn kỳ và mạch lọc.

Mục đích : Hiểu, giải thích và kiểm chứng mạch chỉnh lưu toàn kỳ, mạch lọc và mạch
nhân đôi điện áp.
Thí nghiệm 1 : Chỉnh lưu toàn kỳ

Vo(pk) = 10V  Vo (avg) = 0.636 x Vo(pk) = 6.36V

Chỉnh lưu toàn kỳ:

5 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Ta có : VI (pk-pk) = 20V, fI = 100Hz
 fo = 2x fI = 200Hz
 Vo(pk) = VI(pk) – 2x0.6 = 8.8V
 Vo(avg) = 0.636 x Vo(pk) = 5.59V

Kết luận :
- Mạch chỉnh lưu cầu toàn kỳ chuyển đổi cả 2 pha của tín hiệu xoay chiều vào thành
xung ra 1 chiều
- Tần số của tín hiệu ra gấp 2 lần tần số vào
- 4 diode tạo thành mạch chỉnh lưu cầu. vì vậy dòng chỉ chảy qua 2 diode trong cùng 1
thời gian
- 2 diode dẫn sẽ hướng điện áp làm cho dòng tải luôn chạy theo 1 hướng
- Điện áp đỉnh ra nhỏ hơn diện áp đỉnh vào vì do sụt áp trên 2 diode.
- Vo(avg)=0.636xVo(pk)
Thí nghiệm 2 : Mạch lọc

Vo(pk) = 10 V  Vo(pk) = 12V

Thêm tụ C1 vào hình vẽ:

6 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

Với VOM, dòng điện DC ra = 12V

Kết nối thêm R2 vào mạch như sau :

Dựa vào máy hiện sóng, điện thế gợn sóng :

Vr(pk) = 50mV
Điện thế DC ra :
Vo = 9.2V

Nối thêm C2 song song vói C1 và R2 như sau :

Dựa vào máy hiện sóng, điện thế gợn sóng :
Vr(pk) = 60mV
Điện thế DC ra :
Vo = 8.7V
Kết luận :
- Tụ lọc ra được gọi là tụ hóa khi kết nối ngang với tín hiệu chỉnh lưu ra.
- Tụ xả nhanh chóng tại điện thế chỉnh lưu đỉnh.
- Điện thế ra giữa 2 xung bằng không, tụ đã nạp được xả và cung cấp dòng qua tải.
- Trước khi điện áp tụ rơi chậm, một xung ra khác từ bộ chỉnh lưu sẽ được nạp lại cho
đến khi tụ đạt đến điện áp đỉnh.
- Thời gian xả trên tụ lớn hơn thời gian nạp.
- Độ gợn sóng tồn tại trong dải Volt có thể được giảm xuống đến dải mV.

Thí nghiệm 3 :

Mạch nhân đôi điện áp

Cho mạch như hình vẽ :

7 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 VI(pk) = 10V  Vo(pk) = 2x VI(pk) = 20V
VC1 = VC2 = 10V
Độ gợn r = 20mV(pk-pk)
* Thay đổi RL = 39KΩ
 Độ gợn r = 54mV(pk-pk)
 Vo = 12V
Kết luận :
- 2 diode và 2 tụ lọc có thể tạo thành mạch nhân đôi điện áp.
- Mạch nhân đôi điện áp chỉnh lưu tín hiệu vào và lọc tín hiệu ra có điện áp bằng 2 lần
điện áp vào.
- Tại mỗi nữa chu kỳ của tín hiệu xoay chiều, gồm một diode dẫn và 1 tụ nạp.
- Bời vì :
+ 2 tụ mắc nối tiếp ngang qua điện áp ra nên tín hiệu ra một chiều bằng tổng điện áp
trên 2 tụ.
+ 1 tụ nạp trong suốt nữa bán kỳ của tín hiệu AC, tần số gợn sóng ra của mạch nhân
đôi điện áp bằng 2 lần tần số tín hiệu vào.

Exercise 2 : Zener Diode

VCR1 = -0.6V

Nối mạch như hình vẽ :

8 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Đặc tuyến của diode Zener

Kết luận :
- Diode được thiết kế để hoạt động an toàn trong miền đánh thủng.
- Tại phân cực thuận,diode Zener đóng vai trò như một diode chỉnh lưu.
- Dựa vào đặc tuyến phân cực ngược của diode Zener chỉ rằng diode Zener sẽ ngưng
dẫn khi VZ đạt tới điểm đánh thủng.
- Tại VZ, dòng ngược tăng nhanh, điện áp ngược tăng rất chậm.
- Trong mạch diode Zener, điện trở được mắc nối tiếp với điện trở Zener để giới hạn
dòng có giá trị bằng dòng IZT.
Kết luận :
- Diode Zener được sử dụnh trong các mạch điều hòa điện áp do mức điện áp Zener
hầu như không thay đổi.
- Diode Zener sẽ giữ mức điện áp ra bằng mức điện áp Zener, bất chấp các biến thiên
của điện áp nguồn cung cấp và điện trở tải.
- Dòng điện tổng trong mạch ổn định điện áp bằng diode Zener là tổng dòng chảy qua
diode Zener và dòng chảy qua tải.
- Các Diode Zener thực hiện tốt sự điều chỉnh điện áp bởi vì I Z có thể thay đổi đáng kể
theo sự thay đổi nhỏ của điện áp đặt vào khi làm việc ở vùng đánh thủng.
- Lượng tăng lên của dòng tải sẽ đượ bù bằng lượng giảm của dòng Zener, đặc tính này
sẽ cho khả năng điều hòa tải của bộ ổn định điện áp.
- Độ ổn định của tải theo phần trăm được đo bằng độ thay đổi điện áp trên tải do sự
thay đổi ở tải.

Chủ đề 4 : Tiếp giáp của Transistor và sự phân cực Dc cho Transistor PNP.
Mục đích : Xác định và giải thích các đặc tính và nguyên lý hoạt động của Transistor, áp
dụng bằng cách đo thử các transistor, và khảo sát chuyển mạch bằng transistor.

Exercise 2 :

9 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 VE = -1.5V R1 = 1MΩ)
VBE = 0mV VR2 = 3.48V
VCE = -13.6V 
(R1 = 10KΩ) VR 2
IC   3.48x10 6 V / K
VBE = -0.74V R2
VCE = -0.04V IC = 0.00348mA
VR2 = 13V VBE = -0.65V
VR 2 VCE = -9.7V
IC   13V / K
R2
Kết luận :
- Transistor lưỡng cực có thể làm việc như một chuyển mạch bằng sự thay đổi dòng
Base từ mức 0 đến giá trị lớn nhất.
- Để tiếp giáp JE phân cực thuận, thì base của transitor PNP sillicon phải có mức
khoảng 0.5Vdc đến 0.8Vdc, âm hơn so với cực Emiter.
- Điện trở của tiếp giáp JC tùy thuộc vào dòng IB.
- Tiếp giáp JE được phân cực thuận sẽ làm cho điện trở Collector – Emitter rất thấp,
cho phép dòng chảy trong mạch tương tự như một chuyển mạch kín.
- Khi tiếp giáp JE được phân cực ngược, dòng IB = 0 gây ra điện trở Collector - Emittor
rất cao, chặn dòng chảy trong mạch Collector, tương tự như chuyển mạch hở.
- Khi dòng Collector lớn nhất, transistor dẫn bão hòa nên VCE gần bằng không.
- Khi dòng IB = 0 thì không có dòng IC,transistor ở vùng ngắt, VCE gần bằng điện áp
nguồn cung cấp
IE = I B + I C
Vì mức dòng IB không đáng kể, nên IC và IE gần như bằng nhau.

Chủ đề 5 : Đường tải và hệ số khuyếch đại của Transistor

Mục đích : Hiểu, giải thích và kiểm chứng các trạng thái hoạt động và ảnh hưởng của hệ
số khuếch đại của Transistor nên các dòng điện của transistor bằng cách sử dụng đường tải DC

Thí nghiệm 1 :

VBEO = -2.499V

10 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Đặc tính quan hệ VBEO và IBEO

Kết luận :
+ Tiếp giáp PE của transistor được phân cực thuận hay ngược phụ thuộc vào điện thế
của nguồn cung cấp.
+ Đặc tính phân cực thuận DC của tiếp giáp BE transistor tương tự như các diode khác
+ Dòng điện phân cực giữa Base và Emittor từ 0 đến dưới microamp cho đến khi V BEO
đạt 0.5V
+ VBE nằm trong khoảng 0.5V đến 0.8V, dòng IBEO tăng nhanh chóng với VBEO tăng rất
nhỏ.
+ Sau khi dòng Base – Emitter đạt 2mA, điện áp phân cực thuận gần như không đổi
Kết luận :
- Dòng IC lớn của transistor được điều khiển bởi dòng IB nhỏ
- Tỷ số dòng IC và IB được gọi là hệ số khuyếch đại dòng transistor.
- Dòng IE = IC + IB
- IB = 5%IE
Kết luận :
- Họ đặc tuyến dòng Collector là đồ thị dòng của Collector theo điện áp Collector-
Emitter khi dòng base là thông số.
- Do ß hầu như không đổi ở vùng tích cực của transistor nên đồ thị theo điện áp
Collector-Emitter khi dòng base không đổi là đặc tuyến tăng rất ít.
- Điểm Q hay điểm làm việc là điểm giao chéo giữa đường tải và I B và sẽ được xác
định bằng điều kiện phân cực DC của transistor.
- Các mạch transitor được sử dụng để khuếch đại tín hiệu nhỏ, thường được thiết kế để
có điểm nằm ở trung tâm đường tải. điều này sẽ cho khoảng hoạt động trong vùng tích cực đối
với tín hiệu AC đặt vào.
- Việc xác định đường tải sẽ bị ảnh hưởng theo các thay đổi ở nguồn cung cấp collector
hay trị số của điện trở collector.

11 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 BÀI SỐ 2:
CÁC NGUYÊN LÝ CƠ BẢN CỦA F.E.T

I. THIẾT BỊ
- FACET Base Unit.
- Bảng mạch FET FUNDAMENTAL CIRCUIT.
- Nguồn +15V, -15V.
- Đồng hồ vạn năng.
- Máy tạo sóng Sin.
- Máy hiển thị sóng.
II. NỘI DUNG:
CHỦ ĐỀ 1: LÀM QUEN VỚI BẢNG MẠCH.
1. Mục đích:
Nhận dạng các dụng cụ bán dẫn chính và các khối mạch trên bảng mạch FET.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 1.1: Nhận dạng và xác định vị trí của mạch.
Thí nghiệm 1.2: Khảo sát nguyên lý hoạt động của mạch dao động bằng UJT.
Mắc mạch như hình vẽ:

Dùng máy hiển thị sóng xác định dạng sóng tại cực E của UJT. Dạng sóng như hình
vẽ:

CHỦ ĐỀ 2: FET CÓ CỔNG TIẾP GIÁP – JFET.

1. Mục đích:
Khảo sát và hiểu được các đặc tính và nguyên lý hoạt động của transistor JFET.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 2.1: Đặc tuyến làm việc của JFET.
Mắc mạch như hình vẽ:Đo IDS

12 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Dùng máy hiện sóng điều chỉnh VDS = 10Vdc
Dùng Multimeter đo IDSS :
IDSS = 7.96 mA
Giảm VDS đến 8Vdc: IDSS không đổi.
Giảm VDS đến 0Vdc, tăng VDS từ 0 đến 2Vdc: Dòng IDS tăng khi VDS tăng.
Mắc mạch lại như hình vẽ: Đo IDS khi thay đổi VGS

Chỉnh VDS =10Vdc. VGS = 0Vdc. Đo IDSS.

IDSS = 8mA.
Giảm VGS đến VGS = -1Vdc, ta thấy IDS giảm.
Giảm VGS đến VGS = -10Vdc, dòng IDS giảm đến 0mA.
Kết luận:
- VGS phân cực ngược điều khiển dòng IDS
- VGS phân cực thuận không dùng cho JFET.
- VGS = 0Vdc, IDSS cực đại.
- IDSS giảm đến 0mA tại 1 giá trị xác định của VGS phân cực ngược.
- Có 2 vùng hoạt động của JFET: vùng thuần trở, vùng bão hòa (hay vùng thắt
kênh).

13 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

Thí nghiệm 2.2: Họ đặc tuyến của JFET.
Mục đích: Quan sát họ đặc tuyến ID – VDS để xác định đặc tính của JFET.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:

Dùng máy hiện sóng chỉnh GEN 15Vpk-pk tần số f = 1000Hz.

Dùng đồng hồ đo chỉnh VGS = 0Vdc
Kết nối máy hiện sóng như hình vẽ, chỉnh máy hiện hiện sóng ở chế độ XY, để
hiển thị đặc tuyến ID – VDS .

Chỉnh VGS = -1Vdc.Quan sát dạng sóng.

Từ từ giảm VGS đến -10Vdc.Quan sát dạng sóng.Ta có họ đặc tuyến:

14 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Kết luận:
- VGS phân cực xác định đặc tuyến hoạt động của JFET.
- IDS có thể giảm đến 0mA tại 1 giá trị xác định của VGS.
- VG phải âm đối với JFET kênh n.
- Họ đặc tuyến của JFET được tạo ra bằng cách thay đổi VDS và VGS.

CHỦ ĐỀ 3: MẠCH KHUẾCH ĐẠI BẰNG JFET.

1. Mục đích:
Kiểm chứng nguyên lý hoạt động với tín hiệu một chiều và tín hiêuj xoay chiều ở
mạch khuếch đại JFET.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 3.1: Hoạt động DC của mạch khuếch đại bằng JFET.
Mục đích: Khảo sát và đo các điện áp một chiều của mạch khuếch đại bằng JFET.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:
Dùng đồng hồ đo xác định VR2: VR2 = 1.47Vdc.
Xác định VGS: VGS = -1.47Vdc.
Xác định VR3: VR3 = 1.45Vdc
Theo định luật Ohm ta có:
IDS =VR3/ R3 =1.45/2.7=0.537mA
Ta thấy kết quả IDS bằng kết quả tại R2 :
IR2=VR2/R2 =1.47/2.7=0.544mA
Dùng đồng hồ đo vạn năng đo VD:
VD=13.40Vdc
Kết quả này gần bằng với kết quả đo theo lý thuyết
VD=VDD-VR3=15V-1.45V=13.55V

Kết luận:
- Điện áp rơi trên điện trở nguồn tạo ra điện áp phân cực
- Trong mạch phân cực nguồn VDD = VD + VR3.
- Phân cực nguồn hay tự phân cực giảm tác động của sự thay đổi IDSS.
- Dòng máng và dòng nguồn xấp xĩ bằng nhau.
Kích hoạt CM17 để thay đổi R3.
Đo VD = 13.03 Vdc
Khi không kích hoạt CM17, VD = 13,41 Vdc.
Ta có: VD = VDD – ID.R3.
Do ID, VDD không đổi, VD giảm => CM17 kích hoạt làm R3 giảm.
Thí nghiệm 3.2: Hoạt động AC của mạch khuếch đại bằng JFET.
Mục đích: Đo hệ số khuếch đại AC của mạch khuếch đại bằng JFET.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:

15 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Dùng máy hiện sóng điều chỉnh GEN 100mVpk-pk, 1000Hz.
Dùng kênh 2 của máy hiện sóng xác định dạng sóng ra tại cực D => sóng có biên độ
lớn hơn.
Vpk-pk = 0,44 V.
Kích hoạt CM18 để R3 giảm từ 2,7K=> 2.1K.Vpk-pk giảm còn 0.34V.
Bỏ C2 thì điện áp ra Vpk-pk giảm.
Dạng sóng đầu vào và đầu ra ngược pha nhau.

Kết luận:
- Tụ nối song song với RS làm giảm tác động của RS đến hệ số khuếch đại.
- Với mạch cực nguồn chung, tín hiệu đầu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào.
- Hệ số khuếch đại của JFET khi không có hồi tiếp là hàm số của RL và gm.
Av = RL.gm.

CHỦ ĐỀ 4: NGUỒN DÒNG BẰNG JFET.

1. Mục đích:
Kháo sát nguyên lý hoạt động của mạch nguồn dòng bằng JFET.

2. Nội dung thí nghiệm:

Thí nghiệm 4.1: Nguyên lý hoạt động của nguồn dòng hằng bằng JFET
Mục đích: Quan sát và đo dòng ra của một nguồn dòng hằng bằng JFET

Nội dung:

Mắc mạch như hình vẽ:

16 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Điều chỉnh theo chiều kim đồng hồ làm ngắn mạch R2 mạch chỉ còn R1 =100Ω.Đo IDSS :
IDSS=14.3mA
Điều chỉnh R2 để tổng trở (R1+R2)=400Ω đo IDSS :
IDSS=14.25mA
Kết luận:
- Một JFET có thể cung cấp một dòng không đổi khi hoạt động trong vùng ngắt hoặc
vùng bão hòa
- Giá trị của nguồn dòng không đổi khi thay đổi giá trị điện trở
- Nguồn dòng của một JFET có thể dùng trong phân cực 0 ,cực cổng và nguồn ngắn
mạch với nhau
- Giá trị lớn nhất của nguồn dòng không đổi xảy ra khi cực cổng và cực nguồn được
ngắn mạch với nhau
Thí nghiệm 4.2: Sự phân bố công suất và điện áp của JFET

Mục đích: Xác định sự phân bố điện áp và công suất của nguồn dòng bằng JFET.
Nội dung:

Mắc mạch như hình trên (thí nghiệm 4.1)

Điều chỉnh theo chiều kim đồng hồ làm ngắn mạch R2 mạch chỉ còn R1 =100Ω.Đo IDSS :
IDSS=14.3mA
Kết nối mạch như hình vẽ:

Ngắn mạch R2 đo VR1

VR1=1.412Vdc
Đo điện áp rơi trên D&S của Q1 :
VDS=13.44Vdc
Công suất tiêu tán trên JFET với điện trở là 100Ω được
tính theo công thức :
P=IDSS.VDS=14.3mA.13.44Vdc=192.2mW
Điều chỉnh R2 để tổng trở (R1+R2)=400Ω .Đo VDS:
VDS=9.22Vdc
Công suất tiêu tán trên JFET với điện trở là 400Ω được tính theo công thức :
P=IDSS.VDS=14.3mA.9.22Vdc=131.85mW
Kết luận:
- Điện áp cung cấp được phân phối qua mỗi thành phần của nguồn dòng không đổi
mắc nối tiếp.
- Sự phân bố điện áp giữa nguồn dòng (JFET) và tải phụ thuộc vào giá trị của điện trở
tải.
- Công suất tiêu tán của nguồn dòng không đổi tăng khi điện trở tải giảm.

17 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 CHỦ ĐỀ 5: MOSFET CỔNG ĐÔI
1. Mục đích:
Khảo sát hoạt động DC và AC của MOSFET.
2. Trình tự thí nghiệm:
Thí nghiệm 5.1: Các chế độ hoạt động của MOSFET.
Mục đích: Xác định ảnh hưởng của sự phân cực ở các chế độ hoạt động của MOSFET
bằng cách dùng các mạch đo thông dụng.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:

Dùng máy hiện sóng chỉnh GEN 10Vpk-pk, 100Hz.

Điều chỉnh R1 để VGS = 0Vdc.
Đặt máy hiển thị sóng ở chế độ XY, kênh 1( X) nối vào cực D, kênh 2 (Y) nối vào cực S.
Quan sát dạng sóng, sau đó lần lượt điều chỉnh R1 để VGS đến +0,3V, -0,3V. Ta có
dạng sóng như hình vẽ:

Kết luận:
- Đối với MOSFET ở chế độ tăng cường kênh, điện áp phân cực dương được đặt, ở chế
độ nghèo kênh, điện áp phân cực âm được đặt vào.
- MOSFET kênh N kiểu tăng cường/nghèo kênh có thể hoạt động với điện áp G -
dương hoặc âm, và không tạo nên dòng cổng.
- Điện áp G dương làm tăng dòng I DS đối với MOSFET kênh N kiểu tăng cường/nghèo
kênh.

18 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 - Điện áp G âm làm giảm dòng I DS đối với MOSFET kênh N kiểu tăng cường/nghèo
kênh.
- IDSmax không xuất hiện tại VGS = 0Vdc.

Thí nghiệm 5.2: Bộ khuếch đại điện áp bằng MOSFET.

Mục đích: Xác định các đặc tính hoạt động của bộ khuếch đại điện áp bằng MOSFET
kênh N.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:

Mắc đồng hồ đo điện thế tại cực D, điều chỉnh R1 để VD = 7.5Vdc.

Dùng máy hiện sóng để chỉnh GEN 200mVpk-pk, 1000 Hz.

19 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

Xác định dạng sóng tại cực D qua kênh 2 của máy hiện sóng. Ta thấy tín hiệu ra có biên độ
lớn hơn tín hiệu đầu vào.
Mắc thêm C4 song song với R6, biên độ tín hiệu đầu ra tăng so với khi không có tụ.
Bỏ tụ C4, tín hiệu đầu ra ngược pha so với tín hiệu đâu vào.

Mắc sơ đồ mạch lại như hình vẽ:

Chỉnh R1 hết sang chiều kim đồng hồ.

Điều chỉnh GEN 200mVpk-pk, 1000Hz.
Điều chỉnh R1 ngược chiều kim đồng hồ
, sau đó cùng chiều kim đồng hồ để thay đổi
Vdc tại G2. Ta thấy biên độ sóng ra tại D thay đổi.

Kết luận:
- Trong chế độ phân cực bình thường cho MOSFET, VD xấp xĩ ½ VDD.
- Trong bộ khuếch đại S chung, tín hiệu ra ngược pha tín hiệu vào.
- Dùng tụ nối song song với RS làm tăng hệ số khuếch đại.
- MOSFET là thiết bị điều khiển bằng điện áp.
- Trong MOSFET cổng đôi cả 2 cổng đều điều khiển dòng ID.
CHỦ ĐỀ 6: TRANSISTOR ĐƠN NỐI - UJT.
1. Mục đích:
Khảo sát nguyên lý hoạt động của mạch dao động tích thoát dựa trên mạch thí nghiệm
sử dụng UJT.
2. Trình tự thí nghiệm:
Thí nghiệm 6.1: Các đặc tính làm việc của UJT.
Mục đích:
Kiểm chứng các đặc tính làm việc của UJT.
Nội dung:
Mắc mạch như hình vẽ:

20 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Dùng đồng hồ đo điện trở để xác định điện trở giữa B 1 - B2, B2 - B1, E-B1, E-B2 ta được
RBB(B1 - B2 ) = 5,84K, RBB(B2 – B1 ) = 5,87K, suy ra B1 - B2 giống như một điện trở; EB1,
EB2 giống như tiếp giáp PN.
Mắc mạch như hình vẽ:

Đo VC1, ta được VC1 = 7,07 V.

VJ =VC1 = 7,07V.
=> η = VJ/ VBB = 0.707.
Dùng máy hiện sóng xác định dạng sóng tại cực E. Ta thấy dòng I E đỉnh xuất hiện tại
giá trị VV.

Kết luận:
- Một Ohm kế có thể dùng để kiểm tra UJT.
- Điện trở nội xuất hiện giống như 1 giá trị điện trở.
- UJT có 1 tiếp giáp giữa PN giữa E và B.
- Điện áp đỉnh Emitter có quan hệ với tỉ số dừng nội tại.
- Vp = VJ – VD.
- Đặc tuyến làm việc của UJT có 3 vùng: vùng ngắt, vùng điện trở âm và vùng bão
hòa.
- UJT cho thấy đặc tuyến điện trở âm khi dẫn.

Thí nghiệm 6.2: Mạch tạo dao động bằng UJT.

Mục đích:
Khảo sát hoạt động của mạch dao động tích thoát bằng UJT.
Nội dung:
Nối mạch như hình vẽ:

21 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Nối kênh 1 của máy hiện sóng tại cực E, sóng có dạng răng cưa.
Xác định chu kỳ của sóng: T =1,1ms => f = 1/T = 909Hz.
Tính f theo công thức: f = 1/(R1xC2) = 1/(10.103.0,1.10-6) = 1000Hz
Khi kích hoạt CM6 để thay đổi giá trị của C 2, tần số của tín hiệu tại E giảm, => CM6
làm C2 tăng.
Bỏ kích hoạt CM6, nối kênh 2 của máy hiện sóng đến cực B 1, dạng sóng tại B1 là xung
dương, có tần số bằng tần số của sóng tại E.
Nối kênh 1 vào B1, kênh 2 vào B2, dạng sóng trên B2 là xung âm. Dạng sóng trên B1 và
trên B2 ngược pha nhau, có tần số bằng nhau.
Kết luận:
- Dạng sóng tại E là dạng răng cưa.
- Dạng sóng tại B1 và B2 lần lượt là xung dương và xung âm.
- Xung tại cực Base xuất hiện khi UJT dẫn.
- Thời gian dẫn của UJT bằng thời gian xả của tụ.
- Tần số hoạt động của mạch phụ thuộc vào tụ định thời, điện trở nạp (R 1) và điện trở
mở rộng tại B1.
- Tiếp giáp làm xả tụ qua B1 và điện trở tại B1.
- Điện trở mở rộng tại B1 cần để tạo xung tại B1.

BÀI SỐ 3:
THYRISTOR VÀ CÁC MẠCH ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT
I. MỤC ĐÍCH:
Tìm hiểu thyristor và các mạch điều khiển công suất.
II. DỤNG CỤ:
- FACET Base Unit.
- Bảng mạch THYRISTOR & POWER CONTROL CIRCUITS.
- Nguồn +15V, -15V.
- Đồng hồ vạn năng.
- Máy tạo sóng Sin.
- Máy hiển thị sóng.

III. NỘI DUNG:

CHỦ ĐỀ 1: LAM QUEN VỚI BẢN MẠCH.
1. Mục đích:
Nhận dạng bảng mạch và các thyristor trên bảng mạch THYRISTOR & POWER
CONTROL CIRCUITS.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 1.1: Nhận dạng các thyristor và các cấu kiện điện tử tren bảng mạch.

22 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Thí nghiệm 1.2: Liên kết các mạch thyristor trên bảng mạch THYRISTOR & POWER
CONTROL CIRCUITS.

THYRISTOR & POWER CONTROL CIRCUITS.

Lắp bảng mạch SILICON CONTROLED RECTIFIER (SCR)

Điều chỉnh VA=6 vdc
Đo VR4 =0.1mv dc
Nhấn S1 và đo lại VR4 =5.22 Vdc

MẮC BẢNG MẠCH: SCR DC GATE HALF-WAVE AND FULL-WAVE

23 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Bảng mạch: SCR AC GATE AND UJT HALF-WAVE AND FULL- WAVE

Kết nối kênh 1 và kênh 2 của máy hiện sóng ngang qua hai dầu điện trở R8 như hình vẻ

Kết luận:
- SCR được sử dụng chủ yếu để chuyển mạch trong các mạch điều khiển AC và DC.
SCR là cấu kiện 3 cực
- Triac có 3 cực, đó là chuyển mạch được điều khiển bằng cổng. G . Triac là dụng cụ
hai chiều và hoạt động như hai SCR mắc sng song
- Transistor điơn nối là một dụng cụ 3 cực có một tiếp giáp PN , có thể được dùng làm
trể tín hiệu tại cổng SCR

CHỦ ĐỀ 2: SCR
1. Mục đích:
Kiểm chứng nguyên lý hoạt động cơ bản của SCR
2. Nội dung thí nghiệm:
* Thí nghiệm 2.1 :
Mục đích:
- Đo thử 1 SCR bằng đồng hồ vạn năng
- Cần phải có đồng hồ có chức năng đo điện trở hay chức năng đo diod
- Tiếp giáp G-K của SCR chỉ là một tiếp giáp PN nên có thể đo như 1 diod
* Thí nghiệm 3
1.Mục đích thí nghiệm
Đo điện áp kích khởi ở cổng và dòng giữ của 1 SCR2.
2.Trình tự thí nghiệm
Mắc mạch như hình vẽ

24 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 - Lúc đầu R3 có giá trị lớn nhất (CCW), SCR không dẫn
- Xoay nhẹ R3 và cho tới khi SCR dẫn (có dòng qua R 4), VAK=1V và đo dược VGT=
0.643V
-Tắt SCR bằng cách cho hở mạch A và R4
Mắc mạch như hình để đo dòng giữ

-Khi SCR đả dẫn ta đo dược V R4=5.23V suy ra dòng chạy qua R4 là IR4 = VR4/R4 =
5.23/220 = 0.024A
-Xoay R3 ngược chiều kim đồng hồ (CCW) cho tói khi SCR tắt , tại thời điểm SCR
gần tắt ta có VR4=0.33Vdc, suy ra dòng giữ IH= VR4/R4= 0.33/220=0.0015A
Kết luận :
- Điện áp kích khởi cổng VGT là mức điện áp cổng nhỏ nhất cần thiết để mở SCR
- Để xcs định giá trị cua điện áp kích khởi cổng , ta quan sát SCR khi tăng điện áp tại
cổng cho đến khi SCR chuyển sang dẫn
- Dòng giử của SCR IH Là dòng anode thuận nhỏ nhất cần thiết để giử SCR ở trang thái
dẫn
- Để xác định giá trị dòng giử ta quan sát dòng anode thuận khi giảm dòng anode cho
tới khi điện áp tại cổng tăng lên đột ngột SCR chuyển sang tắt CHỦ ĐỀ 3: ĐIỀU KHIỂN
SCR BẰNG TÌN HIỆU DC

I. MỤC ĐÍCH
Kiểm chứng sự điều khiển DC của các mạch chỉnh lưu dung SCR
II. TRÌNH TỰ THÍ NGHIỆM
* Thí nghiệm 3.1
1. Mục đích:
Kiểm chứng hoạt động của SCR như một bộ chỉnh lưu bán kỳ được điều khiển
2 .Trình tự thí nghiệm

Mắc mach như hình vẽ :

-Chưa nhấn S1 thì SCR chưa dẫn

-Nhấn S1 thí SCR dẫn , tín hiệu ra trên R4 có dạng chỉnh lưu nữa chu kỳ

25 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 -Tín hiệu trên SCR có dạng như hình vẽ

* Thí nghiệm 3.2

1.Mục dích thí nghiệm
-Kiểm chứng việc điều khiển bằng SCR với bộ chỉnh lưu bán kỳ
2.Trình tự thí nghiệm
Mắc mạch như hình :

- Khi chưa nhấn S1 , SCR không dẫn không có điện thế trên R4
- Nhấn S1 SCR dẫn, dòng dẫn được duy trì bởi R3
- Tín hiệu ra trên R4 như hình vẽ
-Tắt SCR bằng cách nhổ cổng kết nối giủa R3 và A

* Thí nghiệm 3.3

1.Mục đích thí nghiệm
Kiểm chứng việc điều khiển bắng SCR đối với bộ chỉnh lưu toàn kỳ
2. Trình tự thí nghiệm
Mắc mạch như hình vẽ

- Một SCR có thể điều khiển bộ chỉnh lưu toàn kỳ

- Khi SCR không dẫn thì sẻ không có dòng chảy qua R4 hay SCR , Q1

26 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 - Khi S1 đóng sẻ chuyển SCR sang dẫn , dòng điện lúc này chảy qua R4 và SCR
- SCR vẩn ở trạng thái dẫn bởi vì dòng giử được cung cấp bởi R3
- Sự chỉnh lưu toàn kỳ của tín hiệuu vào xảy ra tại CR2 sau khí kích dẫn

CHỦ ĐỀ 4 : ĐIỀU KHIỂN SCR BẰNG TÍN HIỆU AC

1.Mục đích :kiểm chứng sự điều khiển bằng tín hiệu ac của một SCR khi sử dụng các
mạch điều khiển pha bán kỳ và toàn kỳ.
2. Nội dung thí nghiệm:
Thí nghiệm 4.1 ĐIỀU KHIỂN PHA BÁN KỲ BẮNG SCR
Mắc mạch như hình vẽ :(mạch điều khiển pha bán kỳ)

Đầu vào 18Vpk-pk ,60Hz sine

Dạng sóng hiển thị ở 2 đầu R8:

Kết luận :
-Điện trở cổng thay đổi có thể điều khiển góc dẫn của SCR xấp xỉ từ 180 đến 90 độ
-Khi mắc thêm tụ đến cổng là nguyên nhân làm dịch chuyển pha tín hiệu ở cổng , làm
tăng khoảng điều khiển của góc dẫn SCR từ 180 đên 0 độ
-Một mạch điều khiển pha SCR có thẻ điều khiển tốc độ của motor một chiều
-Khi một mạch điều khiển pha SCR được dùng để điều khiển tốc đôc của motor một
chiều thì motor sẽ phát ra một điện áp trong thời gian SCR ngưng dẫn
* Thí nghiệm 4.2 ĐIỀU KHIỂN PHA TOÀN KỲ BẰNG SCR
Mạch như hình vẽ:

27 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

Thay đổi R2 theo CW quan sát dạng sóng trên R8:

Dạng sóng trên cực cổng của SCR khi R2 đặt ở CW:

Điều chỉnh R2 xem sự thay đổi của góc dẫn SCR từ 90 đến 180 độ:

Kết luận :
- Một SRC có thể điều khiển tải của máy chỉnh lưu toàn kỳ.
- Mạch điều khiển pha có thể điều chỉnh góc dẫn cuả SCR.
- Công suất cực đại ở tải của mạch chỉnh lưu toàn kỳ có thể gấp đôi.

28 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Chủ đề 5:
ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT KHI SCR ĐƯỢC KÍCH DẪN BẰNG MẠCH UJT
1. Mục đích:
Hiểu rõ ứng dụng của UJT làm cấu kiện kích khởi cho SCR

2. Trình tự thí nghiệm:

Thí nghiệm 5.1: đặc tuyến V-A của UJT.
Mục đích thí nghiệm 5.1: kiểm chứng họ đặc tuyến của UJT
Mắc mạch như hình vẽ;

Điều chỉnh máy phát đến 18Vpp và 60Hz sin

Điều chỉnh R2 đến CW :
Quan sát trên máy hiển thị sóng ta thấy dạng sóng:sóng vào –sóng ra :hình :1

Hình:1 hình :2
Điều chỉnh tăng R2 chậm ta thấy dạng sóng:
Thể hiện ở hình 2
Tăng R2 đến cực đại ta có dạng sóng sau:
Tín hiệu đỉnh âm ở emiter là: Ve=-7,9 V
Kết luận :
- UJT được kích mở khi đạt tới điện thế VP( firing voltage)
- Chúng ta có thể điều khiển xung ra ở B1 từ 0 đến 180 độ.
- UJT tắt khi điện thế ở emitter giảm xuống dưới điện thế Vv

* Thí nghiệm 5.2 ĐIỀU KHIỂN PHA BÁN KỲ / TOÀN KỲ BẰNG UJT

29 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Mục đích : Kiểm chứng mạch điều khiển pha bán kỳ và toàn kỳ với UJT
Mạch điều khiển pha bán kì băngUJT :

Điều chỉnh R2 nhỏ nhất ta thấy dạng sóng trên R8 là:

Mạch chỉnh lưu toàn kì điều khiển băng UJT:

Điều chỉnh R2 đến CW ta thấy dạng sóng ra trên R8 là:

30 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 KẾT LUẬN:
- Bằng cách sử dụng mạch điều khiển pha bán kì dùng UJT ,SCR ta có thể điều
khiển công suất của tải từ góc dẫn 0o đến 180o
- Xung được tạo ra trên UJT có thể được dùng để kích mở SCR
- Bằng cách sử dụng mạch điều khiển pha toàn kì dùng UJT ,SCR ta có thể điều
khiển công suất của tải từ góc dẫn 0o đến 360o.

CHỦ ĐỀ 6: TRIAC
1. Mục đích: Kiểm chứng hoạt động của các TRIAC thông dụng
2. Trình tự thí nghiệm:
Thí nghiệm 6-1 :SỰ DẪN ĐIỆN THEO 2 HƯỚNG TRIAC
Mục đích : Kiểm chứng và giải thích họ đặc tuyến dẫn 2 chiều của triac.
Mắc mạch như hình vẽ ở bảng mạch TRIAC AC POWER CONTROL như hinh vẽ.

Điều chỉnh VA =6Vdc .ta đo được điện thế ở MT2 là 6Vdc.( vì triac không dẫn).
ấn S1 triac sẽ dẫn (VMT2=0.8vdc)
thay VAbằng nguồn -6Vdc: => đo được VMT2= -6Vdc.
ấn S1 triac sẽ dẫn (VMT2= -0.8vdc)
KẾT LUẬN :
-Triac là một thiết bị dẫn 2 chiều
-Triac giống như CSR yêu cầu tín hiệu kích dẫn ở cực cổng để mở
-Để tắt triac, ngắt dòng ở MT2

Thí nghiệm 6-2: CÁC CHẾ ĐỘ KÍCH DẪN CHO TRIAC

Mục đích : Kiểm chứng và nhận biết 4 chế độ kích dẫn của triac.

Mắc mạch như hình vẽ : ở bảng mạch TRIAC AC POWER CONTROL

31 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 Điều chỉnh VA= 6Vdc lần lượt thay đổi cực tính của các nguồn V A, VG để kiểm
chứng 4 kiểu dẫn của triac.
KẾT LUẬN :
-Triac có thể được kích dẫn bằng 1 trong 4 kiểu .
-Triac có thể dẫn khi MT2 dương hoặc âm hơn so với MT1
-Điện thế kích dẫn cổng của triac có thể dương hoặc âm.
-Sụt áp trên triac đang dẫn gần 0,8V dc

CHỦ ĐỀ 7: ĐIỀU KHIỂN CÔNG SUẤT AC BẰNG TRIAC

1 Mục đích :
Kiểm chứng việc sử dụng triac để điều khiển công suất ac.
2 Trình tự thí ngiệm :
Thí nghiệm 7.1
Mắc mạch như hình vẽ :

Mạch triac bán kỳ

Điều chỉnh máy phát 18Vpk-pk, 60Hz sine.

Điều chỉnh R1 đến CW ta quan sát được dạng sóng trên MT2 :

Điều chỉnh R1 theo CCW, góc dẫn thay đổi như sau:

Quan sát dạng sóng ra trên cực cổng( gate) khi R1 ở CW như sau:

32 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

 KẾT LUẬN:
- Một mạch triac bán kỳ dẫn khi nó đạt đến điện thế kích khởi cổng.
- Hoạt động của một mạch triac bán kỳ giống như một SCR.
- Chúng ta có thể sử dụng mạch điều khiển pha ở cực cổng của triac để diều khiển
góc dẫn của triac.
Thí nghiệm 7.2
Mạch triac toàn kì :

Điều chỉnh R1 đến CW ta quan sát dạng sóng ra

Điện thế trên cổng khi triac mở là 1V

KẾT LUẬN :
- Một mạch triac chỉnh lưu toàn kì dẫn theo 2 chiều.
- Chúng ta có thể điều khiển góc dẫn của triac trên cả 2 kỳ.
- Chúng ta có thể kích mở triac bằng điện áp cổng dương hoặc âm

33 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1

BÀI SỐ 4:

34 Nhóm 4B1 – Lớp 06DT1