You are on page 1of 10

BỘ GIÁO DỤC VÀO ĐÀO TẠO KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

ĐH Sư Phạm Kỹ Thuật TP.HCM Bộ Môn Cơ Sở Kỹ Thuật Điện

Chương 5 : ĐẠI CƯƠNG VỀ


TRANSISTOR TRƯỜNG FET
5.1. Transistor trường JFET
5.1.1. Cấu tạo, kí hiệu
Drain(D)
Drain(D) Kênh P
Kênh N

N P N
P N P Gate (G)
Gate (G)

Vùng
Vùng nghèo
Source(S) Source(S)
nghèo
D
D
G ID
G ID
VGS
VGS
S S
JFET kênh N JFET kênh P

2
5.1. Transistor trường JFET
5.1.2. Nguyên lý hoạt động
Để JFET làm việc, phải cung cấp điện áp 1 chiều tới các cực của nó, gọi là phân
cực cho JFET (phân cực cho mối nối GS và DS
DS)
IG= 0 Vùng điện trở

ID= IS D Vùng thắt kênh


ID ID(mA)

IDSS 8 VGS = 0V

+
VDD
G P e P VGS = -1V
e
VGS 3
N 2 VGS = -2V
VP VGS = -3V
IS 1
S VGS = -4V
VGS -4 -3 -2 -1 0 |VP |
VDS
3
5.1. Transistor trường JFET
5.1.2. Nguyên lý hoạt động
ID(mA)
IDSS: dòng điện ID khi ngắn mạch GS
(short) IDSS 8 VGS = 0V
VP: điện áp nghẽn (thắt kênh)
r0: điện trở cực máng nguồn khi VGS= 0
VGS = -1V

3
2 VGS = -2V
VP 1 VGS = -3V
VGS = -4V
VGS -4 -3 -2 -1 0 |VP |
VDS
r 0
r d 
Vùng điện trở: 2
 V G S

 1  
 V P 
2
Vùng thắt kênh:  VGS  0  ID  IDSS
IID =0 I DSS 1  
ID= IS G
 VP  VP  VGS  0
4
5.1.3. Các thông số của JFEET

5
5.3.MOSFET
5.3.1. D-MOSFET – Depletion Mosfet
a. Cấu tạo SiO2
SiO2
D
D
P Keânh Daãn P
N Keânh Daãn N
G
G Ñeá SS
Ñeá SS N
P P
N
S
S

D D D D
G G G G
SS SS
S S S
S

6
5.3.1. D-MOSFET – Depletion Mosfet
b. Nguyên lý hoạt động

Để MOSFET làm việc,


ID ID
D RD D RD
phải cung cấp điện áp 1
chiều tới các cực của nó, gọi
N Keânh N N Keânh N
e là phân cực cho MOSFET
G e +VD G e +VD (phân cực cho mối nối GS và
Ñeá S ee S DS)
DS
e P S
D
e S
D

N N Ñeá ID(mA) V > 0V


GS
P
S S
VGS = 0V
IS IS IDSS 8

IG= 0 ID= IS
VGS = -1V
2 4
 VGS 
I D  I DSS 1   0  ID
 VP  VGS
VP  VGS VP
1 VGS = -3V
-3 0 VP V7DS
5.3.2. E-MOSFET
a. Cấu tạo
Chưa có kênh
SiO2
SiO2 dẫn
D
D
N
P
G
Ñeá SS G
Ñeá SS
P
N N
P
S
S
D
D
G G D D
SS G G
S S SS
S S

8
5.3.2. E-MOSFET – Enhanced
b.. Nguyên lý hoạt động
0  ID IG= 0
ID ID= IS
D VT VGS
RD
2
N
I D  k VGS  VT 
e ID(mA) ID(mA)
e +
G VDD 8 8
e Ñeá P
SS 7 7 VGS = 10V
VVGS
GS=>0V
0V e e 6 6
5 5 VGS = 8V
N 4 4
S 3 3
VGS = 6V
IS 2 2
1 1 VGS = 4V
V
0 T
0 VDS
2 4 6 VGS

VT: điện áp ngưỡng (threshold) 9

You might also like