Entrega temes 3-4

Grup 8: Ester Pagès, David Pérez, Marina Ristol

25 de març de 2021

Exercici 3.7 (Gener 2006)

Un semiconductor hipotètic a temperatura ambient presenta el diagrama de bandes de la figura

següent, on EF n i EF p són els pseudonivells de Fermi d’electrons i forats respectivament.
a) Selecciona un terme de cada parella i justifica adequadament la tria:
1. Equilibri termodinàmic / No equilibri
2. Uniformement dopat / No uniformement dopat
3. Tipus-n / tipus-p
4. Semiconductor degenerat / Semiconductor no degenerat
5. Il·luminació / A les fosques
6. Baix / alt nivell d’injecció
7. Polaritzat externament / no polaritzat
b) Fes un esquema quantitatiu del camp elèctric, potencial electrostàtic i concentració de portadors.
c) Fes un esquema mostrant com està conectat el generador extern, i determina la densitat de corrent
que circula.
d) Quina hauria de ser la concentració de portadors en excés per aconseguir variar la conductivitat
de la regió 1 (0 < x < 400µm) un 10% respecte la situació d’equilibri?

DADES:
∆E1 = 0.1eV ∆E2 = 0.15eV ∆E3 = 0.4eV Mc = Mv = 2.5x1019 cm−3 kT = 26meV
e = 1.6 · 10−19 C

1
REGIÓ 1(0 < x < 400µm) : µn = 1050 cm2 /V · s µp = 400 cm2 /V · s
REGIÓ 2(400µm < x < 1000µm) : µn = 1350 cm2 /V · s µp = 450 cm2 /V · s

Apartat a
1. Equilibri termodinàmic/ No equilibri
La condició d’equilibri és que el nivell de Fermi sigui constant a tot el material, que veiem clarament
que no es compleix.1
Resposta: No està en equilibri

2. Uniformement dopat/ No uniformement dopat

Ec −EF n Ec −EF n
De les expressions de la concentració n = Mc e− KT = Mc e − KT , com que ∆E1 < ∆E2 , el
dopatge a la primera regió és més gran i per tant no és uniforme.
Resposta: No està uniformament dopat.

3. Tipus-n/ Tipus-p
Es veu clarament que ∆E3 és més gran que ∆E1 i ∆E2 , per tant això significa que hi haurà una
concentració d’electrons més gran i serà de tipus-n.
Resposta: Tipus-n

4. Semiconductor degenerat/no degenerat

Per mirar si és degenerat o no, ens fixem amb la diferència ∆E1 que és el pseudonivell que està més
aprop a les bandes (en aquest cas, la de conducció). Serà no degenerat quan els pseudonivells es
troben a una distància major a KB T per fora de les bandes. En el nostre cas, estem treballant amb
kB T = 26meV , ∆E1 = 100meV i llavors ∆E1 > kB T , per tant, com que tots els pseudonivells estan
més allunyats de kB T de les bandes, concloem que és no degenerat.
Resposta: No degenerat

5. Il·luminació/ A les fosques

Com que els pseudonivells de Fermi dels forats i dels electrons no coincideixen (EFn 6= EFp ), hi ha
il·luminació.
Resposta: Il·luminació

6. Baix/alt nivell d’injecció

Com que el semiconductor és de tipus n, la densitat de portadors majoritària serà la d’electrons.
Podem suposar que no estem gaire lluny de les condicions d’equilibri EF = EFn = ctant., que implica
que ∆n ≈ 0 i per tant, serà de baix nivell d’injecció.
Resposta: Baix nivell d’injecció

7. Polaritzat/ No polaritzat
Amb aquesta diferència dels nivells de fermi amb les bandes de cada regió, veiem clarament que hi ha
un factor extern que polaritza el semiconductor.
Resposta: Polaritzat
1 Realment, quan veiem que estem tractant pseudonivells de Fermi, automàticament hem de saber que no ens trobem

a l’equilibri.

2
Apartat b
A continuació hi ha els esquemes quantitatius del camp elèctric, potencial electrostàtic i concentració
de portadors del semiconductor. Per a l’anàlisi hem tingut en compte que hi ha dues regions:

Regió 1 : 0 < x < 400 µm
Regió 2 : 400 < x < 1000 µm

Camp elèctric i potencial electrostàtic

El camp elèctric es defineix com:
1 dEc 1 dEv
ξ= =
e dx e dx
Per tant, (
1 0.1−0eV
Regió 1 : ξ1 = e 400µm = 0.25V /mm
1 1.9−1.1eV
Regió 2 : ξ2 = e 600µm = 1.33V /mm
Un cop tenim el camp elèctric, obtenim el potencial amb ξ = −∇V , i sabent que ha de ser continu,
obtenim els gràfics:

1.4

1.2

1
E(V /mm)

0.8

0.6

0.4

0.2
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
x(mm)

Figura 1: Camp elèctric en funció de la profunditat.

3
 −0.4

−0.6

−0.8

∆V (V )
−1

−1.2

−1.4
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
x(mm)

Figura 2: Potencial electrostàtic en funció de la profunditat

Concentració de portadors
Sabem que les concentracions d’electrons i forats vindran donades per:
Ec −EF n EF p −Ev
n = M c e− KT p = Mv e − KT

i per a les diferents regions:

( ∆E1 ∆E3
Regió 1 : n1 = Mc e− KT p2 = Mv e− KT
∆E2 ∆E3
Regió 2 : n2 = Mc e− KT p2 = Mv e− KT
Amb les dades de l’enunciat obtenim:
n1 = 5.34 · 1017 cm−3 p1 = 5.2 · 1012 cm−3

Regió 1 :
Regió 2 : n2 = 7.8 · 1016 cm−3 p2 = 5.2 · 1012 cm−3

4
 1018

1017
n

1016

n, p(cm−3 )
1015

1014

1013 p

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

x(mm)

Figura 3: Concentració d’electrons i forats en funció de la profunditat. Eix y en escala logarı́tmica

Apartat c
A continuació hi ha un esquema de com està connectat el generador extern:

Figura 4: Esquema del semiconductor connectat a una font de corrent externa

La densitat de corrent que circula pel nostre semiconductor la podem trobar a partir d’una de les
equacions que ens descriuen el que passa en un semiconductor en l’equilibri tant pels electrons com
pels forats:

5
 ~ r n + σn ξ~
Jn = eDn ∇
~ r p + σp ξ~
Jp = eDp ∇
A més a més, podem relacionar els tensors de conductivitat i els coeficients de difusió amb la
mobilitat dels portadors de la següent manera:

σn = enµn σp = epµp
KT KT
Dn = µn Dp = µp
e e
Les concentracions de portadors en situació de no-equilibri són:
Ec −EF n EF p −Ev
n = M c e− KT p = Mv e − KT

Llavors, operem:
∇~ r n = dn
dx
 
dn −1 d Ec − EF n −n d
= Mc (Ec − EF ) exp − = (Ec − EF n )
dx KT dx KT KT dx
Anàlogament, per els forats obtenim:
dp −p d
= (EF p − Ev )
dx KT dx
Substituint totes aquestes expressions a la densitat de corrent:
 
KT −1 d d d
Jn = eµn n (Ec − EF n ) + ξenµn = nµn ξe − Ec + EF n
e KT dx dx dx
1 dEc 1 dEv
A partir de l’expressió: ξ = e dx = e dx , tenim:

Jn = nµn ξe

i, anàlogament pels forats:

Jp = pµp ξe
Els resultats numèrics obtinguts a partir de les dades de l’enunciat, i per a cada regió són:

Jn1 = 224.28A/cm2 Jp1 = 8.32 · 10−4 A/cm2


Regió 1 :
Regió 2 : Jn2 = 224.08A/cm2 Jp2 = 4.9 · 10−3 A/cm2
Tal i com es pot veure a les dues regions la densitat de corrent es manté pràcticament constant. A
més a més només circula corrent per la banda de conducció, ja que la densitat de corrent a la banda
de valència és pràcticament nula. a

6
Apartat d
Es vol variar la conductivitat de la regió I un 10% respecte la situació d’equilibri, per tant, primer
de tot es calculen les concentracions en l’equilibri. Per tant, sense l’energia de Fermi, haurem de fer
l’aproximació de que el nivell de Fermi és igual al pseudonivell de fermi, EF = EFn :
 
Ec − EFn
n0 = MC exp − = 5, 3 × 1017 cm−3
kB T
n2
p0 = i
n0
Calculem la concentració intrı́nseca per obtenir p0 .
 
Ec − Ev
2
ni = Mc MV exp − = 1, 24 × 1022 cm−6
kB T
n2
p0 = i = 23, 16 × 103 cm−3
n0
Ara ja es pot calcular la conductivitat en l’equilibri:

σ0 = e(n0 µn + p0 µp ) = 89, 72 S/cm

Per variar la conductivitat un 10% caldrà que:

σ 0 = σ0 ± 0, 1σ0

On:

σ 0 = e((n0 + ∆n)µn + (p0 + ∆p)µp ) = σ0 + e(∆nµn + ∆pµp )

Com que ∆n = ∆p (quasi neutralitat elèctrica) busquem:

±0, 1σ0
e∆n(µn + µp ) = ±0, 1σ0 −→ ∆n = = ±3, 87 × 1016 cm−3
e(µn + µp )