You are on page 1of 35

- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-1

Tema I

Estructura de bandes dels semiconductors


(Previsió de resolució a classe: 1.3, 1.7, 1.8)

1.1 Considereu un model atòmic simplificat en una dimensió on l'energia potencial


d'interacció entre l'electró i el nucli s'expressa per:

W ( x )= - α δ ( x )

a) Determineu la funció d'ona i l'energia associades a l'únic estat lligat del sistema.
b) Proveu que només hi ha un estat lligat.

a) Representació del potencial:

V (x ) = 0 ∀ x ≠ 0
V (x ) = −∞ ; X = 0

 h2 2 
Equació de Schrödinger :  − ∇ + V (r ) Ψ ( x ) = E ⋅ Ψ (r )
 2m 
b) tindrem estats lligats sempre que E < 0

 h2 2 
• x < 0 ⇒ − ∇  Ψ = E ⋅Ψ
 2m 
I-2 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

2⋅m⋅ E
SOLUCIÓ GENERAL : Ψ = B ⋅ e − β ⋅x + C ⋅ e β ⋅x β=
h2

CONDICIONS DE CONTORN:

Ψ (+ ∞ ) finita → C = 0 Ψ+ = B ⋅ e − β ⋅x x > 0

Ψ (− ∞ ) finita → B = 0 Ψ− = B ⋅ e + β ⋅x x < 0

CONTINUÏTAT: Ψ+ (0 ) = Ψ− (0 ) ⇒ B = C

ε ε ε
h2 2
∫− ∇ Ψ ( x ) ⋅ dx − α ∫ δ ( x ) ⋅ Ψ (x ) ⋅ dx = E ∫ Ψ ( x ) ⋅ dx integrant i simplificant 1 β
−ε
2m −ε −ε

ε ε
h 2 dΨ 1
− α ⋅ Ψ (0) = E ⋅ ⋅ Ψ (x ) on Ψ ( x ) −ε s’anul·la quan ε → 0
ε
− ⋅
2m dx −ε β −ε

dΨ+ dΨ− 2mα 2mα


lim ε →0 ⇒ − =− 2
⋅ Ψ (0 ) = − 2 ⋅ B
dx 0 dx 0 h h

2mα 2m E 2mα mα 2
B ⋅ (− β ) − B ⋅ β = − 2 B− 2⋅ =− 2 ⇒ E =
h h2 h 2h 2
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-3

1.2 A partir del model atòmic simplificat detallat a l'exercici anterior, construïm un cristall
unidimensional amb periodicitat a.
a) Resoleu l'equació de valors propis de l'hamiltonià a la zona (0,a).
b) Imposeu les condicions de contorn a (0,a) a partir de la simetria de translació.
c) Escriviu l'equació que dóna els nivells d'energia permesos en la forma
βo
cos ( k a ) = cosh ( β a ) - senh ( β a )
β

d) Proveu que els valors permesos de l'energia es troben en una banda permesa
definida per
βI < β < βS

essent βI i βS les solucions de les equacions

βSa βS βIa βI
coth = tgh =
2 βo 2 βo

e) Proveu que βI → βS → βo quan a tendeix a l'infinit. Preneu A=1 quan sigui precís.

Per resoldre l’equació de valors propis, primer hem de tenir l’expressió matemàtica del
potencial com a successió periòdica de distribucions δ

V
-2a -a a 2a

ψ_ ψ ψ+ B

x
I-4 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica


W ( x ) = −α ⋅ ∑ δ ( x − ma )
n =0

a) SOLUCIÓ GENERAL: Solució de l’equació de Schrödinger en la regió 0 < x < a

h 2 d 2Ψ
⋅ = E ⋅Ψ = − E ⋅Ψ
2m dx 2

Ψ (x ) = A ⋅ e −β⋅x + B ⋅ e β⋅x
2m E
β=
h2

b) CONDICIONS DE CONTORN: degut a la simetria de translació

1 ) V( x ) periòdic ⇒ Ψ (x + a ) = e ik ⋅a ⋅ Ψ (x ) k ∈ R aplicant el Teorema de Bloch

Ψ (0 + a ) = e ik ⋅a ⋅ Ψ (ma )
A ⋅ e −β⋅a + B ⋅ e β⋅a = (A + B) ⋅ e ik⋅a

2 ) Discontinuïtat de la derivada ( que es veu al problema anterior )

dΨ+ dΨ+ 2mα


− =− ⋅ Ψ (0 )
dx ma dx ma h2

En l’origen :

dΨ+ dΨ− 2mα


− =− ⋅ Ψ (0)
dx 0 dx 0 h2

Imposem la condició anterior en x = 0 ; com que 0 − no pertany a l’interval ( 0, a )


la calculem a partir de a −
dx 0−
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-5

dΨ+
• = −β ⋅ A + β ⋅ B
dx 0

dΨ−

dx 0

Ψ (x ) = Ψ (x + a ) ⋅ e − ika

dΨ (x + a )

dx
= e −ik⋅a ⋅
dx
= e −ik⋅a ⋅
d
dx
[
A ⋅ e −β⋅( x + a ) + B ⋅ e β⋅( x + a ) = ]

[
= e −ik ⋅a ⋅ A ⋅ (− β ) ⋅ e −β⋅( x + a ) + B ⋅ β ⋅ e β⋅( x + a ) ]


dx −
[
= e −ik ⋅a ⋅ − β ⋅ A ⋅ e − β ⋅a + β ⋅ B ⋅ e β ⋅a ]
x =0

2mα
[− A ⋅ β + β ⋅ B] − e −ik ⋅a ⋅ dΨ = ⋅ Ψ (0)
dx x =0 − h2
2mα 2mα
β ⋅ A − β ⋅ B − e −ik ⋅a ⋅ [A ⋅ β ⋅ e − β ⋅a − B ⋅ β ⋅ e β ⋅a ] = − 2
⋅ Ψ (0) = − 2 ⋅ ( A + B )
h h

Amb l’aplicació d’aquestes dues condicions de contorn sobre la solució general tenim
dues equacions amb les incògnites A i B:

A ⋅ e −β⋅a + B ⋅ e + β⋅a = (A + B) ⋅ e ik ⋅a

[ ]
A ⋅ β − B ⋅ β − e −ik⋅a ⋅ β ⋅ A ⋅ e −β⋅a − B ⋅ e β⋅a = −
2mα
h2
⋅ (A + B)

Tenim doncs, un sistema d’equacions homogeni que tindrà solució ≠ 0 si el det M = 0

e −β⋅a − e ik⋅a e + β⋅a − e ik⋅a


2mα 2mα = 0
β − β ⋅ e −ik⋅a −β⋅a + − β + β ⋅ e −ik⋅a +β⋅a +
h2 h2
I-6 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

c) Imposant aquesta nova condició, i introduint un nou paràmetre βo s’obté la resposta


que demana l’apartat c de l’enunciat:


cos ka = cosh (β a ) − ⋅ sinh (β a ) β=
2m E
h 2β h2

β mα
cos ka = cosh (β a ) − 0 ⋅ sinh (β a ) β0 =
β h2

d ) Hem de demostrar ara que els valors d’energia permesos (que recordem es troben
determinats dintre del paràmetre β), estan compresos en una banda de valors entre βI i
βs:
 βs ⋅ a βs
coth 2 = β
 0
βI < β < βs essent 
tgh β I ⋅ a  = β I
  2  β 0

β0
Per demostrar-ho considerem la funció : cosh (β ⋅ a ) − sinh (β ⋅ a ) ≈ f (β )
β

(r) ( r ) (r )
Tenim una funció E k parella ⇒ E − k = E k i periòdica ja que depèn de cos ka .

Per a representar gràficament aquesta funció f(β), ens plantegem veure el límit de la
funció en diferents punts:

• Fem el límit quan β → 0

β 0  1 + β ⋅ a −1 + β ⋅ a  mα
lim β →0 f (β ) = 1 − ⋅  = 1 − 2 ⋅ a = −∞ (1 − 10 )
18

β  2  h

a ∼ 10 −10 m

on m = me
 −19
 E0 = 10 J

α es pren de la forma que a l’àtom aïllat l’energia E sigui de l’ordre de eV


m ⋅α 2
E∼ ∼ 10 −19 J
2 ⋅ h2

Recordem ara algunes expressions matemàtiques referents a les funcions


hiperbòliques que més endavant aplicarem:
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-7

e x − e −x e x + e −x
shx = ch x =
2 2
e x − e −x 1
tgh x = ctg h =
e x + e −x tghx

x chx − 1 sinh (x ) cosh ( x ) − 1


tgh =± = =
2 chx + 1 cosh ( x ) + 1 sinh ( x )

• Fem el límit quan β → ∞

e β ⋅a + e − β ⋅a β 0 e β ⋅a − e − β ⋅a
lim β →−∞ f (β ) = ∞ = − ⋅
2 β 2

β0
• Si fem f (β ) = −1 ⇒ −1 = ch(β ⋅ a ) − ⋅ sh(β ⋅ a )
β

 βI ⋅a 
β I = β 0 ⋅ tgh 
 2 

β0
ch(β ⋅ a ) + 1 = sh(β ⋅ a ) ⋅
β

βI  β ⋅a 
= tgh I 
β0  2 

β0
• Si fem f (β ) = 1 ⇒ 1 = ch(β s ⋅ a ) − ⋅ sh(β s ⋅ a )
βs

β0
ch(β s ⋅ a ) − 1 = sh(β s ⋅ a ) ⋅
βs

βs  β ⋅a 
= cth s 
β0  2 

En conseqüència, si fem una representació de la funció obtenim:


I-8 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

f (β)

1
βs β
-1
βi

Veiem que els valors de l’energia estaran compresos entre els límits βI βs,
corresponents a f (βI)=-1 f (βS)=1 .

Si a més considerem les igualtats

 β ⋅a   β ⋅a 
sh(β ⋅ a ) = 2 ⋅ sh  ⋅ ch 
 2   2 
 β ⋅a 
ch(β ⋅ a ) = 1 + 2 ⋅ sinh 2  
 2 

β 2⋅ x β ⋅a
Dibuixem rectes = ⇒ x=
β0 a ⋅ β0 2

tgh x

1
ctgh x
x= β·a/2
βI βS βI βS
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-9

β ⋅a
Dibuixem les funcions tghx i cothx essent x = , i dibuixem les rectes β β 0 com a
2
funció de x ; amb tot això les interseccions ens donaran el valors βI, βs. Obtenim
parelles de valors βI,βs que són cada vegada més propers entre si a mesura que x
augmenta.

e) Finalment, en aquest apartat hem demostrar que β I → β s → β 0 quan a tendeix a


infinit. Es veu a la gràfica anterior; en quant als valors de l’energia:

a ↓⇒ la banda s ' eixampla


E (a ) → 
a ↑⇒ la banda es fa més estreta

• Quan a → ∞ coth x ∼ tghx ⇒ β s = β I = β 0 que és l’energia corresponent a una


sola δ .

• Si a ↓ β s i β I es separen → Per tant les bandes s’eixamplen.

Si féssim una representació gràfica ens quedaria :

E0

a
I-10 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

1.3 Considereu un semiconductor l'energia dels electrons de conducció del qual s'expressa
per:

E (k ) = E 0 − E1 cos(k x a ) cos(k y b )cos(k z a )

a) Descriviu els punts extremals que es troben a les direccions [100] i [111].
b) A k =0, ¿quina és la relació entre les masses efectives segons les direccions [100] i
[111]?
c) Doneu una expressió general de la velocitat d'un electró a l'estat k .
d) Calculeu l'acceleració a la direcció [010] quan s'aplica un camp elèctric constant a la
direcció [100].

a) Per determinar els punts extremals al llarg de les dues direccions indicades
analitzem els zeros de la primera derivada de la funció E(k):

• DIRECCIÓ [100]
En aquesta direcció, la component kx pot prendre qualsevol valor, però les ky i kz
hauran de ser nul·les. Obtindrem la condició sobre kx per tenir un punt extremal
fent:

∂E
= + E1 ⋅ a ⋅ sen(k x a ) ⋅ cos(k y a ) ⋅ cos(k z a ) = E1 ⋅ a ⋅ sen(k x a ) = 0
∂k x 100
100

⇒ sen(k x a ) = 0


kx = ±
a

∂E
= + E1 ⋅ a ⋅ cos(k x a ) ⋅ sen(k y a ) ⋅ cos(k z a ) =0 ∀k x
∂k y 100
100

∂E
=0 ∀k x
∂k z 100

Veiem doncs, que en definitiva només tenim una condició periòdica per kx, que
dintre de la primera zona de Brillouin queda reduïda a dos valors fent n=0 i n=1.
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-11

v
nπ n=0 k = 0 
kx = ± ⇒ v π 1a Zona de Brillouin
a n =1 k =± 
a

r  nπ 
k = ± ,0,0 
 a 

Una vegada discutits els punts extremals, hem de veure si es tracten de màxims o
mínims, analitzant la segona derivada de la funció E(k).

• Si prenem n=1:
r
k = [100]

∂2E
2
= + E1 ⋅ a 2 ⋅ cos(k x a ) ⋅ cos(k y a ) ⋅ cos(k z a ) = − E1 ⋅ a 2 ⇒ màxim d ' energia
∂k x π 
 , 0,0 
π 
 , 0 , 0 
a 
a 

∂2E ∂2E
= = − E1 ⋅ a 2 ⋅ sen(k x a ) ⋅ sen(k y a ) ⋅ cos(k z a ) =0
∂k x ∂k y π  ∂k x ∂k y π 
 ,0, 0   , 0,0 
a  a 
π 
 , 0 , 0 
a 

∂2E
= − E1 ⋅ a 2 ⋅ cos(k x a ) ⋅ sen(k y a ) ⋅ sen(k z a ) =0
∂k y ∂k z π  π 
 , 0 , 0 
 , 0,0  a 
a 

En aquest cas, el tensor massa efectiva queda reduït a un escalar:

 − E1 a 2 0 0 
∗ −1 1  
m v  π 
= 2 0 − E1 a 2 0 
h 
− E1 a 2 
k = ± , 0, 0 

 0 0
 a 

− h2
m ∗ [100 ] =
E1 a 2
r
• Si prenem n=0: k = (000 )

∂2E
2
= E1 a 2 f 0 ⇒ mínim d ' energia
∂k i r
k = (000 )
I-12 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

∂2E
= 0 perquè sempre queda un terme sen (0)
∂k j ∂k i r
k = (000 )

tenim doncs:

h2
m ∗ [000 ] =
E1 a 2

• DIRECCIÓ [111] :
A priori, la única restricció que ens imposa aquesta direcció, és que les tres
components del vector k han de ser iguales. Si calculem per quins valors
d’aquestes components se’ns anul·la la primera derivada de la funció:

∂E
= + E1 ⋅ a ⋅ sen(k x a ) ⋅ cos(k y a ) ⋅ cos(k z a ) =0
∂k x 111
111


 nπ
kx = ±
 a

 (2n + 1)π 
ky = ±
 2a 
 
 (2n + 1)π 
ky = ±
 2a 
 nπ
 kx = ± o bé
 a
∂E 
= + E1 ⋅ a ⋅ cos(k x a ) ⋅ sen(k y a ) ⋅ cos(k z a ) =0  ky = ±
(2n + 1)π 
∂k y 111
 2a 
111
 
(2n + 1)π 
 ky = ±
 2a 


∂E o bé k z = ±
=0 ⇒ a
∂k z 111 (2n + 1)π
o bé k x = k y = ±
2a

En definitiva, veiem que tindrem dos possibles conjunts de punts extremals, i els que
queden dintre de la primera Zona de Brillouin corresponen als valors de n=0 i n=1:
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-13

r
k=0
nπ n = 0 r π
kx = k y = kz = ±  k = ± [111]
a n = 1 a
r π
k = ± [111]
2a

(2n + 1)π
kx = ky = kz = ± ⇒n=0
2a

Pel cas k=0 ja hem demostrat que es tractava d’un mínim de la funció. Veiem si els
altres dos conjunts de valors es tracten de màxims o mínims, analitzant la segona
derivada de la funció E(k).

r π
• Si considerem: k = ± [111] i = x,y,z
2a

∂ 2E π
2
( )
= E 1a 2 cos k x a cos(k y a )cos(k z a ) = 0 perquè sempre hi ha cos
∂k i r π
k = ± (111)
2
2a

∂2E π
= − E1 a 2 cos(k l a ) cos(k i a ) cos(k j a ) = 0 perquè sempre hi ha cos
∂k i ∂k j r π 2
k = ± (111)
2a

−1
m∗ r π
=0
k = ± (111)
2a

r π
• Si considerem: k = ± [111]
a

∂ 2E
2
= − E 1a 2 ⇒ màxim d' energia
∂k i r π
k = ± (111)
a

∂2E −1
=0 ⇒ m ∗ també és escalar
∂k i ∂k j r π
k = ± (111)
a

− h2
m ∗ ± π [111] =
a E 1a 2

b) Ara ens demanen quina és la relació entre les masses efectives en les direccions
r
[100] i [111] des del punt k = (000) .
I-14 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

 E1 a 2 0 0 
∗ −1 1  
m [000 ] = 2 0 E1 a 2 0 
h 
 0 0 E1 a 2 

r
La massa des de k = [000] cap a [100] es trobaria fent el producte

 E1 a 2 0 0  1
    E1 a 2
[100] (m ) ∗ −1
[100] = 12 (100)  0 E1 a 2 0  0 = 2
h  0 0 E1 a 2  0 h
  

h2
m ∗ [000 ]→[100 ] = escalar
E1 a 2

 E 1a 2 0 0   E 1a 2 
[111]  0 E 1a 2 0 
 [111] 1 1   1 3 E a2
= 2 ⋅ (111)  E 1a 2  = 2 E 1a 2 = 1 2
3   3 h 3  2 h 3 h
 0 0 E 1a 2   E 1 a 

h2
m ∗ [000 ]→[111] = també escalar
E1 a 2

r
en k = (000) m ∗ [000 ]→[100 ] = m ∗ [000 ]→[111]

r
c) Podem estimar la velocitat d’un electró a l’estat k associant-la a la velocitat de grup
del grup d’ones

r
vg ≡ r
r
1 ∂E k ()
h ∂k

sin (k x a)cos (k ya)cos (k za)


1  ∂E ∂E ∂E  1  
= E1a cos (k x a)sin (k ya)cos (k za)
r
vg ≡ 2 , ,
h  ∂k x ∂k y ∂k z  h 
 cos (k x a)cos (k ya)sin (k za)

r
d) ξ = [ξ,0,0] quina és l’acceleració en la direcció [010] ?
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-15

r
Fext = [− eξ,0,0]

Estimem l’acceleració també a també a partir de la derivada de la velocitat de grup del


paquet d’ones.

r
r dv g dv y
 (cos(k x a )sin (k y a )cos(k z a ))
E 1a  d 
a= ay = =
dt dt h  dt 

Si considerem l’aproximació semiclàssica sobre la variació de la quantitat de moviment


en aplicar una força externa, en deduïm que:

( )
r r
d hk dp r dk y dk z
= = Fext = (− eξ,0,0) = m ∗ ⋅ a ⇒ = =0
dt dt dt dt

Per tant, al calcular l’acceleració, només ens hauran de preocupar les derivades
respecte de kx ja que les altres són nul·les, així:

E 1a 2  dk x 
− sin (k x a )sin (k y a )cos(k z a ) ⋅ dt 
dk x eE
ay = on =− ;
h   dt h

ay =
eE E 1a 2
h h
[ ]
sin (k x a )sin (k y a )cos(k z a )
I-16 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

1.4 Una banda d'energia hipotètica pot ser aproximada per la relació

E (k ) = 1 − exp(− a 2 k 2 )

on a és la constant de la xarxa. Calculeu:


a) la massa efectiva a k = 0.
b) el valor de k per al màxim de la velocitat.
c) la massa efectiva a la frontera de la primera zona.

a) Busquem directament els punts extremals de la funció unidimensional:

∂E
∂k
2 2
(
= e −a ⋅k ⋅ 2 ⋅ k ⋅ a 2 ) k =0

∂2E
= 2 ⋅ a 2 ⋅ e −a ⋅k − 4 ⋅ k 2 ⋅ a 4 ⋅ e −a ⋅k = e −a ⋅k ⋅ (2a 2 − 4 ⋅ k 2 ⋅ a 4 )
2 2 2 2 2 2

∂k 2

∂2E
= 2a 2 > 0
∂k 2 k =0

∂E ∂ 2E
=0 ; > 0 ⇒ k = 0 mínim
∂k k =0 ∂k 2 k =0

h2
m* =
2a

b) El valor de k per tenir una velocitat màxima.

r 1 dE
vg = ⋅
h dk

r d 2E
v g màxima ⇒ 2
= 0 ⇒ 2⋅ a4 − 4⋅ k 2 ⋅ a4 = 0
dk

2⋅ a2 1
k2 = =
4⋅a 4
2⋅ a2

1
k=±
2 ⋅ a2
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-17

c) Finalment, determinem la massa efectiva en la frontera de la 1ª Z.B.

1 ∂2E
(m )
* −1
= ⋅
h 2 ∂k 2 π
=
1 −a 2 ⋅k 2
h 2
⋅e (
⋅ 2 ⋅ a2 − 4 ⋅ k 2 ⋅ a4 ) π
=
1 −π 2
h 2
( )
⋅ e ⋅ 2 ⋅ a 2 − 4 ⋅π 2 ⋅ a 2 =
k =± k =±
a a

=
1 −π 2
h2
(
⋅ e ⋅ 2 ⋅ a 2 ⋅ 1 − 2 ⋅π 2 )

2
h 2 ⋅ eπ
m =*
<0
2 ⋅ a 2 ⋅ (1 − 2 ⋅ π 2 )
I-18 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

1.5 La banda de valència del GaP a l'entorn del punt k=0 es separa en dues bandes,
respectivament, de forats lleugers i de forats pesats, que prenen la forma

E ( k ) = A k 2 ± [ B 2 k 4 + C 2 ( k 2x k 2y + k 2y k 2z + k 2z k 2x ) ]
1/2

Calculeu la massa efectiva a cadascuna d'aquestes sub-bandes al llarg de les


direccions (100) i (111). Suposant que C2/B2 és molt menor que 1, definiu una massa
efectiva mitja.

()
r r
a) Primer calcularem les derivades de E k en l’entorn del punt extremal k = 0

E BC

BV
k 2 = k x2 + k y2 + k z2

E(k ) = A ⋅ (k 2x + k 2y + k 2z ) ± B 2 ⋅ k 4 + C 2 ⋅ (k 2x ⋅ k 2y + k 2y ⋅ k 2z + k 2z ⋅ k 2x )

(
k 4 = k x2 + k y2 + k z2 )2

∂E
• = (2 ⋅ A ⋅ k x m 2 ⋅ B ⋅ k x ) kr =0 = 0
∂k x k y ,k z =0
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-19

∂E
= 2 ⋅ A⋅ kx m
(
2 ⋅ B 2 ⋅ k 2 ⋅ 2 ⋅ k x + 2 ⋅ C 2 ⋅ k y2 ⋅ k x + k z2 ⋅ k x )
∂k x  
2 ⋅ B 2 ⋅ k 4 + C 2 ⋅  ∑ k i2 ⋅ k 2j 
 i≠ j 

∂E 2 ⋅ B 2 ⋅ k x3
= 2 ⋅ A⋅ kx m = 2 ⋅ A⋅ kx m 2 ⋅ B ⋅ kx = 0
∂k x k y ,k z =0
B ⋅ k x2

∂E
= 2⋅ A⋅ ky m 2⋅ B ⋅ ky
∂k y
k x ,k z =0

∂E
= 2⋅ A⋅ kz m 2⋅ B ⋅ kz
∂k z k x ,k y =0

∂E
=0
∂k r
k =0

b) Si calculem la derivada en la direcció [100]

∂2E

∂k x
2
= 2 ⋅ ( A m B ) ⇒ m *x ( ) −1
=
2
h2
⋅ (A m B)

 2 
 2 ⋅ (A m B) 0 0 
h   1
2   2
(1 0 0) 
 0 ⋅ (A m B) 0 
  0 = 2 ⋅ (A m B)
h2  0 h
 2   
 0 0 2
⋅ ( A m B )
 h 

Fem un canvi de coordenades i passem a coordenades esfèriques :

k x = k ⋅ cos ϕ ⋅ sin θ
k y = k ⋅ sin ϕ ⋅ sin θ
k z = k ⋅ cosθ

(1)
r
() [
E k = k 2 ⋅ A m {C 2 ⋅ sin 2 θ ⋅ (sin 2 ϕ ⋅ cos 2 ϕ ⋅ sin 2 θ + cos 2 θ )}
12
]

DEMOSTRACIÓ
I-20 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

12
  k 4 ⋅ sin 2 ϕ ⋅ cos 2 ϕ ⋅ sin 4 θ 
()
r
E k = k 2 ⋅ A m B 2 ⋅ k 4 + C 2 ⋅  

  + k 4
⋅ sin 2
ϕ ⋅ sin 2
θ ⋅ cos 2
θ + k 4
⋅ cos 2
ϕ ⋅ sin 2
θ ⋅ cos 2
θ  

()
r
[
E k = A ⋅ k 2 m k 4 ⋅ (B 2 + C 2 ⋅ {sin 2 ϕ ⋅ cos 2 ϕ ⋅ sin 4 θ + sin 2 θ ⋅ cos 2 θ ⋅ (sin 2 ϕ + cos 2 ϕ )}) =
12
]
{ [ (
= A ⋅ k 2 m k 4 ⋅ B 2 + C 2 ⋅ sin 2 θ ⋅ sin 2 ϕ ⋅ cos 2 ϕ ⋅ sin 2 θ + cos 2 θ )]}
12
=

12
  B  2  
(
= A ⋅ k m C 2 ⋅ k 4 ⋅   + sin 2 θ ⋅ sin 2 ϕ ⋅ cos 2 ϕ ⋅ sin 2 θ + cos 2 θ
2
)
  C   

 B
Si fem l’aproximació   << 1 llavors:
C

()
r
[ { (
E k = k 2 ⋅ A m C 2 ⋅ sin 2 θ ⋅ sin 2 ϕ ⋅ cos 2 ϕ ⋅ sin 2 θ + cos 2 θ )}12
]
Si considerem superfícies isoenergètiques de simetria esfèrica, el que equival a
suposar :

()
r h2 ⋅ k 2
(2) E k =−
2 ⋅ m*

Per a que ambdues expressions ( 1 ) i ( 2 ) tinguin sentit, la massa efectiva ha de tenir


el següent valor

(m )
* −1
=−
h
2
2
[ (
⋅ A ± C 2 ⋅ sin 2 θ ⋅ sin 2 ϕ ⋅ cos 2 ϕ ⋅ sin 2 θ + cos 2 θ )]
Com la massa efectiva no pot dependre de θ ,ϕ :

(m ) * −1
=−
2
h2
⋅ (A + B)

• Si ara ho calculem per a la direcció [111]


- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-21

 2 
 2 ⋅ (A m B) 0 0 
 h  1
( )
* −1
m →[111] =
(1 1 1) 
0
2
⋅ (A m B) 0  1   2
⋅ 1 = ⋅ (A m B)
3  h2  3   h2
   
2 1
 0 0 ⋅ ( A m B )
 h2 

(m )[

111] =−
h2
2(A ± B )
I-22 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

1.6 L'energia en funció de la impulsió ve donada per:


Regió I E = 3p2/2m* |p|≤po/4
Regió II E = -(po-p)2/2m* + 3/4 (po2/2m*) po/4≤p≤po
Regió III E = -(po-p)2/2m* + 3/4 (po2/2m*) po≤p≤-po/4

A partir de t=0 apliquem un camp elèctric positiu uniforme, E. Calculeu, per a temps
t<po/4eE, les funcions p(t), v(t) i x(t) que determinen el moviment de l'electró. Considereu
les següents condicions inicials:
a) x(0)=0, p(0)=0
b) x(0)=0, p(0)=po
c) x(0)=0, p(0)=-po

• Representem en primer lloc la funció E (p)

E (p)
3/4 p20 /4

p
-p0 -p0 /4 p0 /4 p0

dE II (p − p )
= − 0 * = 0 ⇒ E II màxim en p0
dp m

• Apliquem un camp elèctric positiu i uniforme ξ

En conseqüència tenim F = − e ⋅ ξ

• Aplicant l’aproximació de massa efectiva:


- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-23

r
dv r
m ⋅ *
= Fext ⇒ v(t ) ⇒ x(t )
dt

El que sempre és vàlid es

r r
* dp dE
Fext = m ⋅ v=
dt dp

a) Primer cas condicions inicials : x(0 ) = 0 ; p(0 ) = 0 ⇒ REGIÓ I

3⋅ p2
• EI = per l’enunciat del problema
2 ⋅ m*

dE 3 ⋅ p 3
• m =
m*
3
*
I( perquè en clàssica E =
p2
2 ⋅ m*
v= (
= * = * ⋅ mI* ⋅ v )
dp m m
)

• Fext = − e ⋅ E

r
dv r − e ⋅E
m ⋅ *
I = − e ⋅ E ⇒ dv = ⋅ dt
dt m*

Si integrem :

r − e ⋅E
dv = ⋅ dt
mI*

3⋅ e ⋅ E
v(t ) = v(0) − ⋅t
m*

Imposem condicions de contorn:

1 dE 3 ⋅ p 1
vI = ⋅ = ⋅ ⇒ p(0 ) = 0 ⇒ v(0) = 0
h dp m* h

− 3⋅ e ⋅ E ⋅ t
vI =
m*

dx − 3 ⋅ e ⋅ E ⋅ t
• =
dt m*

3 e ⋅E
x(t ) = x(0) − ⋅ * ⋅ t 2
2 m
I-24 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

3 e ⋅E
x(t ) = − ⋅ * ⋅ t 2
2 m

m* − 3 ⋅ e ⋅ E ⋅ t m*
• p(t ) = v(t ) ⋅ mI* = v(t ) ⋅ = ⋅
3 m* 3

p(t) = −e ⋅ E ⋅ t

b) Segon cas condicions inicials : x(0 ) = 0 ; p(0 ) = p0 ⇒ REGIÓ II

• E II =−
( p0 − p ) 3
2
+ ⋅
p02
2 ⋅ m* 4 2 ⋅ m*

(p − p 0 )2
• m = − m ; si comparem amb E = E 0 −
* *
II
2 ⋅ m*

• Fext = − e ⋅ E
r r
dr r * dv
m ⋅
*
II = Fext ⇒ − m ⋅ = −e ⋅E
dt dt

r e ⋅E e ⋅E
dv = * ⇒ v(t ) = v(0) + * ⋅ t
m m

1 dE p0 − p
• v II = ⋅ = p (0 ) = p0 ⇒ v II (0 ) = 0
h dp m

e ⋅E
v(t ) = ⋅t
m*

1 e ⋅E 2
x(t ) = ⋅ ⋅t
2 m*

• p 0 − p = v(t ) ⋅ m *II = − v(t ) ⋅ m *

p = p0 − e ⋅ E ⋅ t

c) Tercer cas condicions inicials : x (0 ) = 0 ; p(0 ) = − p 0 ⇒ REGIÓ III


- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-25

• E III =−
( p0 + p ) 3
2
+ ⋅
p02
⇒ mIII
*
= −m*
2m * 4 2m *

• Fext = − e ⋅ E

1 dE 1 ( p + p)
• v III = ⋅ =− ⋅ 0 * p (0 ) = − p0 ⇒ v III (0 ) = 0
h dp h m

Solucionem:

dv III e ⋅E
m* ⋅ = Fext ⇒ dv III = * ⋅ dt
dt m

e ⋅E
v III (t ) = ⋅t
m*

e ⋅E
x(t ) = ⋅t2
2 ⋅ m*

p 0 + p = v(t ) ⋅ m *III

p = − p0 − e ⋅ E ⋅ t
I-26 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

1.7 Calculeu l'angle entre un camp elèctric aplicat en la direcció [100] i l'acceleració causada
en un electró de la banda de conducció si el mínim d'aquesta banda es troba a la
direcció [111], la massa efectiva transversal val m* = 0,08mo i la massa efectiva
longitudinal, m* = 1,60mo.

r
ξ = (ξ,0,0)
∗ ∗
m t = 0.08m 0 ; m l = 1.6m 0

Podem recordar la expressió de l’energia, tenint en compte que la superfície


isoenergètica serà un el·lipsoide de revolució orientat segons la direcció [111]:

()
2 2 2
r r h 2k t h 2k l h2k t
E k = cte = ∗
+ ∗
+ ∗
2m t 2m l 2m t

Ky
[111
[

Ky

Kx
r
F = [− eξ,0,0]

Si descomposem la força en les direccions paral·lela i perpendicular, segons els eixos


de l’el·lipsoide:

r r r r (111) 3
Fl = F ⋅ u l = F ⋅ = −e ⋅ξ⋅
3 3
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-27

1
r r2 2
Ft =  F − Fl  = e ⋅ ξ ⋅
2 2
  3

∗ −1 2 ∗ −1 2
mt ⋅ Ft + m l ⋅ Fl
cos θ = = 0.83
( ) + (m )
1
 ∗ −1
2
∗ −1  r
2 2
 m t ⋅ Ft l ⋅ Fl  ⋅ F

( ) a l’entorn d’un punt extremal


r
TEORIA GENERAL: Podem aproximar l’energia E k
com:

() ( )
r r h2
E k − E k0 = (k i − k oi )(k j − k oj )
2m ij

Definim velocitat de grup com:

()
v
1 dE k 1  h 2  1  h 2 
δ il (k j − k oj ) + (k j − k oj )
h
v gl = = δ jl (k i − k oi ) =
h dk l h  2m ij 

h  2m ij 

m lj

∗ ∗
Havent tingut en compte que m ij = m ji

dv gl dv gl dk i
al = = ⋅
dt dk i dt

Introduirem ara la llei de Newton com:

dp i d (hk i )
= = Fi
dt dt

al =
1 dv gl

h dk i
1 h
⋅ Fi = ⋅
h m lj
δ ij Fi = m li

( ) −1
⋅ Fi

( )
a l = m li
∗ −1
⋅ Fi ⇒ Llei de Newton en forma tensorial, ja que m ij és un tensor.

r r
a⋅F
cos θ = r r =
∗ −1
m lj Fj ⋅ Fl ( )
r v
a⋅F a⋅F
I-28 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

1.8 Considereu el cas per a un electró de conducció del silici a la direcció (001) per al que

2 2
E ( k ) = h * ( k 2x + k 2y )+ h * k 2z
2 m⊥ 2 m//

a) Si aquest electró es veu sotmès a l'acció simultània d'un camp sinusoidal E =E * exp
(iωt) dirigit segons l'eix OX i d'un camp magnètic constant B perpendicular a l'eix OX,
formant un angle θ amb l’eix z, trobeu les equacions dinàmiques de l'electró.
b) Busqueu una solució del tipus v =v * exp (iωt) per a la velocitat tal que compleixi

iωe E* 1
vx =
m
*
⊥ ω - ω cos θ - ω ⊥ ω _ sen2 θ
2 2

2

on
eB eB
ω⊥= * ω // = *
m ⊥ m//

c) Considereu ara una mostra de silici situada en uns camps com els descrits
anteriorment. Suposeu, alhora, que els eixos cristal⋅lins del material es confonen amb
les direccions x,y,z i que n és el nombre d'electrons en el punt extremal de la direcció x
considerada. El corrent s'expressarà per

J x ( B) = env x

Demostreu que J passa per una ressonància per a un determinar valor del camp
magnètic.

d) Si es té en compte que el silici presenta sis punts extremals equivalents al descrit,


degut a les propietats de simetria de la seva configuració cristal⋅lina (totes les direccions
del tipus [001] són equivalents), proveu que, per a un valor prefixat de ω, el corrent
presentarà dues ressonàncies per a θ =0.

e) Tenint en compte l’estructura de bandes del Si, compareu els resultats amb un
espectre típic de ressonància ciclotrònica del silici obtingut quan el camp magnètic
s’aplica a la direcció (001) i l’elèctric a (100) (figura inferior).

DADES:

Massa efectiva dels electrons: m⊥*=0.19mo, m//*=0.98mo

Massa efectiva dels forats: mlh*=0.16mo, mhh*=0.49mo


- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-29

Absorció (u.a.)

B (Gauss)
1000 2000 3000 4000

a) Escrivim en primer les coordenades dels camps segons la orientació que diu
l’enunciat.
r
 E = E * ⋅ e iωt (100)
v
 B = B(0, sinθ , cosθ )

Les equacions dinàmiques del moviment dels electrons en el mínim de la banda de


conducció donat serien les següents:

 1 
 0 0 
m ∗   Fx 
r  ⊥     F
r dv 1 Fy Fz 
a= = 0 ∗
0   Fy  =  x ∗ , ∗
, 
∗ 
dt  m⊥     ⊥ m m ⊥ m // 
 1   Fz 
 0 0 ∗ 
 m // 

En l’experiència de ressonància ciclotrònica s’aplica un camp elèctric sinusoïdal en la


direcció x i un camp magnètic constant en la direcció perpendicular. La corresponent
força de Lorentz seria:

r r r r r
( ) r r
F = qE + q v× B = −e ⋅ E − e· v× B ( )
î ĵ k̂
v x v y vz = (v y Bz − vz By )î + (vz Bx − v x Bz ) ĵ + (v x By − v y Bx )k̂
Bx By Bz
I-30 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

Si substituïm aquestes coordenades en les equacions dinàmiques obtenim un conjunt


d’equacions diferencials no homogènies que haurem de resoldre:

dv x
Fx = −e ⋅ E − e ⋅ v y ⋅ B cos θ + e ⋅ v z B sin θ = m *⊥ ⋅
dt
dv y
Fy = + e ⋅ v x ⋅ B cos θ = m *⊥ ⋅
dt
dv
Fz = −e ⋅ v x ⋅ Bc sin θ = m *// ⋅ z
dt

b) Si tenim un camp elèctric E = E ⋅ e iωt podem assajar una solució per a la velocitat
que tingui la mateixa dependència, segons ens proposa l’enunciat:

v j = v j ⋅ e iωt amb j = x,y,z

si substituïm això a les equacions dinàmiques:

Fy dv y e 
• ∗
= = ∗
v x ⋅ B cos θ ⋅ e iωt 
m⊥ dt m⊥  1
 ⇒ ∗
e ⋅ v x ⋅ B cos θ ⋅ e iωt = iω ⋅ v y ⋅ e iωt
dv y  m⊥
iωt
= iω v y ⋅ e 
dt 

eB cos θ
1) vy = ∗
vx
iωm ⊥

dv z e v x B sin θ iωt
• = iω ⋅ v z ⋅ e iωt = − ∗
e
dt m //

eB sin θ
2) vz = − ∗
vx
iωm //

dv x
Si substituïm les equacions 1) i 2) a la expressió de donada a la primera equació
dt
a partir de la component Fx:

iω v x ⋅ e iωt =
dv x
dt
=
1
m⊥

[− e E ⋅ e iωt
− e v y ⋅ B cos θ ⋅ e iωt + e v z ⋅ B sin θ ⋅ e iωt ]
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-31

−E  e 2 B 2 cos 2 θ e 2 B 2 sin 2 θ 
vx = ∗  − e E − ∗
v x − ∗
v x 
iωm ⊥  iωm ⊥ iωm // 

−eE  e 2 B 2 cos 2 θ e 2 B 2 sin 2 θ 


vx = + +  v
iω m ⊥
∗  m ∗ω 2
 ⊥ ( m ⊥ )

m //
∗ 2 
ω 
x

eE  cos 2 θ sin 2 θ 
= e 2 B2  + − 1 vx
iωm ⊥
∗ 2
( ∗
)

 m ∗ ⊥ ω 2 m ⊥ m // ω
2


Multipliquem tot per ω 2 :

eEω ie E ω  e 2 B 2 cos 2 θ e 2 B 2 sin 2 θ 


=− = + − ω2  v x
im ⊥

m⊥

 m ∗ ⊥( 2
) ∗
m ⊥ m //



eB eB
Definim: ω⊥ = ∗
ω" = ∗
m⊥ m //

vx =
ie E ω
m⊥

[ω − (cos θ)ω
2 2

2
− (sin 2 θ )ω // ω ⊥ ]
−1

iω e E 1
vx = ⋅
m⊥
∗ 2
( 2
) 2
( )
ω − cos θ ω ⊥ − sin 2 θ ω // ω ⊥

arribant a l’expressió que calia demostrar, on “i” ens indica que hi haurà un
desfasament de 90 0 entre el camp elèctric i v x .

c) Quan s’anul·li el denominador tindrem una velocitat molt gran. El mateix succeirà
amb el corrent elèctric.

I
r r
j = e ⋅n⋅v
r r
j = e ⋅ µ ⋅ E  r r
 j = σ⋅E
σ = e ⋅ n ⋅ µ 

En efecte, tindrem
Bresonància B ressonància quan
I-32 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

ω 2 − ω 2⊥ cos 2 θ − ω ⊥ ω // sin 2 θ = 0

e 2 B2 e 2 B 2 ⋅ sin 2 θ
2
cos 2 θ + * *
− ω2 = 0
m *⊥ m ⊥ m //

 cos 2 θ sin 2θ 
e2 B2  + * *  =ω2
*2 m⊥ m // 
 m⊥

−1 2
ω  cos 2 θ sin 2θ 
B=  + * *
e  m⊥* 2 m⊥ m // 

d) En aquest apartat hem de tenir en compte tots els mínims equivalents per direcció de
simetria. Pels mínims segons la direcció [010] ja ens serveix el mateix
desenvolupament matemàtic que hem fet fins ara. Així, prenent θ = 0 tindríem la
contribució dels mínims segons la direcció, [001] i prenent θ = π/2 tindríem en compte
els mínims segons la direcció [010]. Això és així perquè en tots dos casos el camp
magnètic es situa al pla que conté l’eix longitudinal de l’el·lipsoide. Ara bé, pel que fa
als mínim segons la direcció [100] és el camp elèctric el que resulta paral·lel a l’eix
longitudinal de l’el·lipsoide, i per tant hauríem de rescriure les equacions dinàmiques
del moviment, tenint en compte que en aquest cas la massa efectiva longitudinal ens
haurà d’aparèixer en la component Fx. Si plantegem i resolem de nou l'equació del
moviment en aquest tercer cas:

z
 Fx = −eE − ev y B
B 
 Fy = ev x B

θ  Fz = 0
[010
[
E
y
[100
[

x [001 [
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-33

 dvx 1
[
 dt = m* − eE − ev y B ]
 //

 dv y 1
 = * evx B
 dt m⊥
 dvz
 =0
 dt

Si resolem imposant E = E ⋅ eiωt ; vα = vα ⋅ e iωt ; v z = cte

1
i ω v y ⋅ e i ωt = *
⋅ e v x ⋅ B ⋅ e iωt
m⊥

1
vy = ⋅ e ⋅ vx ⋅ B
iωm⊥*

Si ara substituïm en la equació de dv x dt

1  e 2 B 2 v x iωt 
iω v x e iωt =  − e E e iωt
− e 
m //*  iωm⊥* 

1  e 2 B2 
− v x ω2 = *  *
v x − e E iω
m //  m ⊥ 

eω E 1
vx = ⋅
im *
// ω // ω ⊥ − ω 2

Tindrem ressonància quan: ω 2 = ω // ω ⊥

Analitzem ara la situació pels mínims segons les tres direccions:

• Pels mínims en la direcció [100], segons acabem de trobar tindrem ressonància per

ω 2 = ω // ω ⊥

ω m⊥* m//*
B=
e
I-34 PROBLEMES D’ ELECTRÒNICA FÍSICA. Tema I. Departament d’Electrònica

• Pels mínims en la direcció [001] solament hauríem de substituir θ = 0 en les


expressions trobades als primers apartats del problema:

cosθ = 1
θ =0⇒ ⇒ v x → ∞ ω 2 − ω ⊥2 = 0 ⇒ ω ⊥ = ω
sinθ = 0

ω m⊥*
B=
e

π
• Pels mínims en la direcció [010] hauríem de considerar θ =
2

π cosθ = 0
θ= ⇒ ⇒ vx → ∞ ω 2 − ω ⊥ω // = 0
2 sinθ = 1

eB eB
ω2 = ⋅
m⊥* m //*

que de fet ens porta a la mateixa condició sobre el camp que la obtinguda en el primer
cas:

ω m⊥* m//*
B=
e

e) Una vegada obtinguts els possibles valors de B que ens donarien ressonància,
podem calcular-los fent servir els valors de les masses efectives longitudinals i
transversals que diu l’enunciat pels electrons:

ω ⋅ m⊥* ω ⋅ m⊥* ⋅ m//


B1 = B2 =
e e

ω = 2 ⋅ π ⋅ν = 2 ⋅ π ⋅ 2.4 ⋅1010 rad s e = 1.6 ⋅10 −19 C

m⊥* = 0.19 me  −31


 me = 9.1 ⋅10 K g
m// = 0.98 me 
*

B1 = 1630 G
B 2 = 3700 G
- GRUP D’INNOVACIÓ DOCENT EN ELECTRÒNICA: e-LINDO I-35

Veiem doncs que ens surten dos valors de camp magnètic, que s’ajusten a la posició
de dos dels pics que apareixen a l’espectre de ressonància de la primera figura. Encara
hauríem de respondre: d’on surten els altres dos pics?.

La resposta és senzilla si recordem que hem de tenir en compte la contribució al


corrent dels altres portadors de càrrega existents al semiconductor, és adir els forats.
Per aquests portadors, situats al màxim de la banda de valència amb k=[000], les
superfícies isoenergètiques es poden aproximar per esferes per tant m⊥* = m//* la qual
cosa suposaria un valor més de camp magnètic que ens donés ressonància. Encara
ens quedaria per esbrinar una darrera qüestió: d’on surt el quart pic a l’espectre?
i per tant solament hauríem tenir un valor de ressonància.

De nou la resposta és simple si recordem que el màxim de la banda de valència està


degenerat, en dues subbandes amb diferent curvatura, i per tant amb diferent massa
efectiva, la de forats pesats i forats lleugers, amb masses efectives m*hh i m*lh
respectivament, tal com presenta l’esquema de la figura inferior.

1 ∂ 2E
(m )
* −1
= ⋅
h 2 ∂k 2

1) forats pesats → m *hh = 0.49m e


2) forats lleugers → m *lh = 0.16m e

Substituint aquests valors arribem a :


ω ⋅ mlh*
B= ⇒ B = 1372 G
e

ω ⋅ mhh
*
B= ⇒ B = 4100 G
e

You might also like