23 TEXTO DE SEMICONDUCTORES ESPECIALES LRMIerperesge7777? CAPITULO 2: e TRANSISTOR DE UNIJUNTURA Ing. José A. Rios A. Escaneado con CamScanner7 r POT TTT TV VT PSCSCSCSVovsosoesdevsossesesbee¥ e000 ‘ORES ESPECIALES TEXTO DE SEMICONDU APITULO 2: TRANSISTOR DE UNIJUNTURA / 2.1 GENERALIDADES nijuntura (UIT), como se enuncia es un tran tienen, por ejemplo, dos junturas, ya El Transistor de U nsistor que presenta una sola juntura, a diferencia de los transistores bipolares, qu sea el caso de NPN 6 PNP. UIT, es la de generar sefiales, estas pueden ser cuitos que se analizan del tipo de onda de La fancion principal d sierra 6 un tren de pulsos, este tiltimo caso es el que interesa a los cir en el texto . E A \w¥ BL fa) (b) &) 2.1 Transistor Unijuntura; (a) Simbolo; (b) Cireuito Equivalente; (c) Curva Caracteristicn. Escaneado con CamScannerEn Ia Fig. 2.1a, se observa el simbolo del UIT, donde se presenta los tres terminales del dispositivo, estos son Emisor ; Base 1 y Base 2, este simbolo ya muestra la diferencia de 1¢ el terminal del este tipo de transistor con los transistores bipolares, puesto que no se ti colector, es su lugar se presenta otra base. Ib, se presenta el circuito equivalente del UIT, este muestra una resistencia variable entre bases, denominada Typ, esta resistencia suele estar en el siguiente rango de valores 4K he <9K Este valor depende del punto de trabajo del transistor y de sus caracteristicas propias det mismo. Se debe considerar que la resistencia interbases, es la suma de las resistencias de ceada base, respecto al punto medio, es decir, que se tienen dos resistencias, que son: rl: Resistencia de Base 1 rb2: Resistencia de Base 2 Por tan Upp = Por + Mp2 - Un parimetro importante que se deriva de estas resistencias es el denominado “eta”, que esta dado por la siguiente expresion. loi Picea Tso ~ Escaneado con CamScanner ; 4De la expresién de “eta”, se establece que su valor es siempre menor a la unidad. 2.1e, se observa la curva caracteristica de! UIT, donde se presenta una zona de En la Fi endiente negativa, esto indica, que a medida que la trabajo en que la curva tiene una p cortiente aumenta el voltaje disminuye, 0 viceversa. De este comportamiento es que al UST, asi como a otros componentes de similar caracteristica, se los denominan dispositivos de “Resistencia Negativ Este comportamiento no contradice la Ley de Ohm, donde si aumenta la corriente aumenta ncia, razon por la que en el circuito a, sino que el componente reduce su impe equivalente se dibuja un potenciometro entre bases 2.2 CIRCUITO CON UST El circuito base que se analizard, es el que se muestra en la Fig, 2.2. ec Ra 7 ake Rb 2.2 Circuito con Transistor de Unijuntura, Ee VodSbo boo ESI dds. 000 000% Escaneado con CamScannerde la Fig. 2.2, son Las consideraciones de diseiio que se realizan para el anélisis del ci Donde Pico, se obtiene, de la curva ca se obtiene, ene, de la curva caracteristica del UIT e obtiene, de la curva caracteristica del UJT 30, lo anterior representa un serio problema de informacion para el disefiador, es que es n ficil obtener los valores antes citados, dicho de otro modo, generalmente no se dispone de la curva caracteristica de! Ul ‘4. Por tanto, debe consider un rango de valores para R, que permitan al diseflador re el predisefio, este o de valores fue obtenido de manera experimental, por el presente Texto Este rango de valores para R, per e con un alto grado de seguridad (> 90 96) realizar el Predisefio del ciruito, pero, de ninguna manera excluye la posibilided de utitizar otros valores que estén fuera del ra esto significa que, por ejemplo, existen UIT que pueden funcionar con un valor de R = $ K, u otros que pueden funcionar con R 0 K, solo que Como ef disefador no conoce la curva caracterist entonces corre el rie 0 que el UIT Escaneado con CamScanner 2999722PVOVVVVV EEO D DD SS SSL ELELG2b% sass 000 que utilice no funcione con esos valores, mientras que si utiliza los valores del rango propuesto, es précticamente seguro que el circuito funciona En cuanto a los valores de Ra y Rb, estos no representan mayor problema, ya que se puede utilizar como referencia el minimo valor de la resistencia interbase, esto significa lo siguiente | | Ra+Rb<<4K | | Por tanto: Ra = Rb = 0.2K También se puede dar el caso siguiente: Ra=0 ; Rb=0.47K | que se obtiene en el terminal de la Este caso se presenta, cuando no se requiere la Base 2, esto se explicaré con mas detalle, mas adelante. Definidos las condiciones bésicas, se procede al analisis del circuito de la Fig, 2.2. El transistor de Unijuntura presenta dos opciones de comportamiento, que son las siguientes’ 1 - Base 1, es menor 2: a) Cuando el Voltaje entre Er Vig. <1Vec+0.6 EI UIT (No funciona) se'eomporta como si fuera una resistencia pasiva (pp) entre bases, lar, al caso del transistor sin permitir el paso de corriente por Emisor, algo parcialmente sit bipolar cuando esta en corte. Escaneado con CamScannerEscaneado con CamScannerPOVVVd dob bo bSHSSEE ESOS SS SSS 5555555550095 233 7F0% 2.2.1 ANALISIS DE ONDAS DEL CIRCUITO Las sefiales en Emisor, Base 1; Base 2, del circuito de la Fig, 2.2, se obtienen en base a los circuitos de la Fig. 2.3, esto si fica que se tendrd tramos que corresponda al circuito de la 2.3a y otros al circuito de Ia Fig. 2.3b,, es decir, para euando el UT no funciona y para cuando e! UIT funciona. Todos los voltajes estén referidos a tierra, as eA ais ee NO j}SI, NO jst} NO | SI Fig. 2.4 Diagramas de Ondas que produce el Circuito con UJT. La explicacién del como se obtienen las ondas de la Fig. 2.4, se realizara, analizando los tramos (cuando el UIT no funciona y cuando el UIT funciona), por separado. a) CUANDO EL UJT NO FUNCIONA Al conectar la alimentacion al circuito, esta claro que el voltaje Eiisor ~ Base 1, eg cero, debido a que el condensador recién empieza a cargars 88, por tanto, el UIT no ‘Escaneado con CamScanner——_"_ 2 ©. ‘omienza con este VOLTAJE EN EMISOR EI circuito de la F 3a presenta una red R ~ ¢ nto, el voltaje de Emisor s resistencias Ra y Rb son similares, plece que este valor es cercai Ra=0.2K Rb=02K fpb=SK Veo= n Base 1, 0 Jo que es estado del Emisor, es la misma qui por simple divisor de tensio ig. 2.3a , es necesa ero sin embargo la suma de est erbases, Mpp. Entonces, p\ nalisis, se realizara un eje transistor, 0 sea con las alimentada por una tension de | voltaje Jos tramos razon que en entre las tres resistencia: ario recordar que los valores tas es mucho divisor de tension se co, partiendo de 10 mismo sobre Rb es: Escaneado con CamScanner DRDDDM®®OOS SSS a eee Viw= 0.4 ¥ (que es un valor despreciable frente a Vec) VOLTAJE EN BASE 2 Considerando los mismos criterios, sobre las resistencias, que en el caso del voltaje Base 1, se deduce que el voltaje en Base 2, es practicamente el valor de Vee, ya que es sobre la resistencia Typ, donde se tiene la mayor caida de voltaje Al igual que en el caso anterior, con la finalidad de aclarar, este anilisis, se realizaré un ejemplo numérico, partiendo de los siguientes valores: Ejemplo Ra=02K Rb=02K Tpyp=5K — Veo= 10v Por divisor de tension, el voltaje en Base 2 es: h Tip + RO Be eT A Rb+r,+Ra 0.2+5+02 Vin = 9.6 v (que es pricticamente el valor de Vee) b) CUANDO EL UJT FUNCIONA Cuando el voltaje sobre el condensador, (que es pricticamente ef mismo que el ce Emisor) llega al valor que hace funcionar al UY", se obtiene las ondas ce los otros tramos, bajo el siguiente aniilisis, Escaneado con CamScannerOt i VOLTAJE EN EMISOR El circuito de la Fig, 2.3b presenta una red R - C alimentada por una tension de corriente continua Vee, por tanto, el voltaje de Emisor, es el mismo que el voltaje sobre el condensador, que representa en este caso la descarga del mismo, es por esta razon sor, es Ja misma que la que en los tramos de funcionamiento del UIT, la seftal en de la descarga del condensador VOLTAJE EN BASE 1 1r de tension” entre las tres El voltaje en Base 1, se obtiene, por simple “divis resistencias que se observan en lado derecho de la Fig, 2.3b , es necesario recordar que los valores de las resistencias Ra y Rb son similares, mientras que el valor de resistencia interbases, I'pp, ahora se reduce a Fp» que es un valor mucho menor que el de Tpp. Por tanto, el voltaje en Base 1, se incrementa notablemente, ademas este ine se debe a que el condensador se descarga a través de la resistencia Rb, Con Ia finalidad de aclarar, este analisis, se realizard un ejemplo numérico, partiendo de los siguientes valores: Ejemplo: Ra= K Rb=0.2K Ppp = SK> Ry EI tiempo de descarga del condensador es pricticamente despreciable, frente al tiempo de 4, por tanto, el periodo de Ia sefal se reduce al tiempo de cat Escaneado con CamScanner(PVSOSSSHESSEEEE ELLE LE EE LE LEE L LL UU ULL LG sss see ret, El tiempo de carga del condensador esta incluida en la siguiente ecuacion: Wee Come el voltaje Ve, es practicamente el voltaje de Emisor ~ Base 1, del UJT, ento puede igualar esta expresién de Ve a la expresién del voltaje de disparo del UIT, por t se obtiene la siguiente ecuacién i nVcc+0.6=(l-e *° Wee de donde, considerando que T = Ty, se tiene: Wo ees Ai 3) Vec(\-)-06) | TC “nf En muchos circuitos de este tipo, se puede cumplir con: Vec(1-1) >> 0.6 a n= 0.65 ‘Silo anterior se cumple, entonces se puede llegar a T= RC Por tanto, la frecuencia de pulsos estard dado por _ Escaneado con CamScannera= Rb=0.22K; R=S0K 1 Le Sin mucho error, y siempre con la posibilidad de realizar ajuste, se puede utilizar estas dos ecuac ae le vitos con el transistor de unijuntura 2.3 DISENO CON UsT Los ¢ UIT se disefian en base a las ecuaciones anteriormente obtenidas, como s ao a s es a oo a a ecuacion de T se despeja C, por tanto, se tiene: C=20* 10° C=20 (ur) b) Disefiar un circuito con UIT para =1 (KHz): Vec= 15 (v); R=50K Disefto: Como F = 10°, entonces de la ecuacién de F se despeja C, por tanto, se tiene: C=1/(F*R) = 1/(10 * 50 *10°) C=20* 10" C=20(nF) Is Escaneado con CamScannerPRVOSEOE EEO D DTU UU UU sae eeUee Con los resultados obtenidos, se puede implementar el circuito de la Fig. 2.5. 20 (nF) Fig. 2.5 Circuito del Ejemplo de Disefio. Este circuito, tiene la particularidad, de que, puede cambiar su periodo 6 frecuencia de trabajo en un orden de tres magnitudes (de 1 Hz 2 1000 Hz) eon sélo cambiar el valor del condensador. Por supuesto, se pueden disefiar circuitos donde e! cambio se frecuencia 6 periodo se realice mediante la variacién de una resistencia (potencidmetro), esto se observa enla Fig. 2.6 Los valores utilizados son los siguientes: Vee =15v Ra =Rb=0.22K R=33K Rpot = 50K Se considera que: Escaneado con CamScannerR=R’+Rpot C= 100* 10° uF) a) Cuando Rpot = 0 El valor del periodo R'*C=33 #10? © 100+ 104 T= 3.3 (seg) ) Cuando Rpot = 50K del periodo es: * C= (R' Rpot) * C= (33 +50) #10? * 100 * 10 8.3 (seg) PILI te : eo Mad ae ) Rpot_s< | Escaneado con CamScannerPor los resultados obtenidos de los célculos previos, se observa, que !a variacién del %, e| valor minimo obtenido. periodo supera en mas del 10 Si al circuito anterior se afladicra la posibilidad de cambiar los valores de los condensadores, se tendria un cambio de escala en cada caso, y entonces, el circuito presentaria una amplia variedad de valores de T 2.4 EL TRANSISTOR DE UNIJUNTURA PROGRAMABLE (PUT) Existe un dispositivo que permite variar (programar) el valor de eta, es decir, la relacién de las resistencias interbases del transistor, Razén por la cual se denomina 2 este transistor, SOOO bb bbb asses Ree gramable, aunque su comportamiento se asemeja mas al de un Transistor Un TTiristor, dispositive que seré objeto de analisis en el siguiente capitulo 44 © a Loe IIe a ee J + a ef 2 vm 2 P 6 5 exe Cd . 2 £ Escaneado con CamScanner