sine des Compasants we Durée 1h30 & t Exereice 1; Un échantillon de silicium (Eg = 1,12 eV) est dopé avec 10!# atomes/cm?. L'arsenic est lm atome dopant donncur. Quelle est la concentration de trous po A 'équilibre & 300K. Oi est la position du niveau de Fermi par rapport au niveau intrinséque, On donne n? = 2,25 10° / em) Bile substance devait étre converti en type p, quel niveau de dopage serait nécesssire pour déplacer leniveau de Fermi de 0,2 eV en dessous du niveau dénergie intrinsdque ? Exereice 2 : On considére unc jonction P-N a base de Silicium, dopée de Na = 10cm cété P et de No = 10'’eny cdté N En prenant lhypothése d'une jonction de type abrupt et une Zone de charge despace (ZCE) entigrement dépeuplée. On rote les extensions de ZCE x, cbté N et xp cOt6 P. La jonction abrupt se trouve a x = 0, On donne ; KT=26meV, e~ 10" Fem et q= 1:6:10" C, euet1.9 A Péquilibre thermodynamique : 1- Expliquer qualitativement la formation de ZCE. 2+ Tracer ct étiqueter clairement le diagramme de bandes en énergie, 3+ Etablir les expressions du champ et da potentiel clectrostatique dans les différentes régions, 4- Btablir I’expression de la largcur W de ZCE. Application numérique. +5 Pourquoi ZCE s'étend sur des dimensions différentes dans les différentes régions. En polarisation direete : On polarise la jonction en direct sous ure tension V ~ 0:36 V positive. 6- Tracer et étiqueter clairement le diapramme de bandes en énergie. 7 Expliquez pourquoi un courant peut traverser la jonction alors que ZCE ne eomporte pas de porteurs libres 8 Exprimer la largeur W" de ZCE en fonction de W, Vs (Ia barre de potentiel& I"équiibre thermodynamique) ct Vj, Commenter, Exerelce 3: On considére une jonction Schortky métal-Silicium 4 T= 300 K. On suppose que le semiconducteur est dopé par No = 1.5-10'cnr, som affinité électronique est 2%, =4.05V , la hauteur de la barriére Schottky est #,, = 0,8 V . Nous pouvons supposer que tous les donneurs sont ionisés, a Calculer le travail de sortie du métal g, de la jonction Schottky métal-Silisium.. be Caleuler Ia position du niveau de Fermi dans le silicium par rapport A Ee c+ Dessinez le diagramme de bande indiquant énergie de Fermi, la bande de valence et la bande de conduction pour cette jonction Schottky métal-Silicium a Caleuler le potentiel de diffusion Vi de la jonction Schottky métal-Silicium © Expliquer la différence entre un contact Schottky, un contact olimique, et un contact de tunnel, yy ' /