Master : 2017 Epreuve : physique des semiconducteurs 3S j ss gout a difad Frac les Scenes Durée 1h30 avec un dopage en aceepteuts Na = 10l/em? et en ix = 0, xq lextension de lu zane de churge digspuce Exercice I- On considére une jonction abrupt PN de Silicium donneurs No = 10cm". La jonction métallurgique se wouve a x s A (ZCE) cdté N, et -x, l'extension de la ZCE c6té P. (py. 45:12" 5 e PHL, T BIG, Gg 24 1) A ’équilibre thermodynamique : 2) Expliquer qualitativement La formation de la ZCE, en justifiant I'éublissement d'un régime d'équilibre dynamique. . by Tracer et étiqueter clairement le diagramme de bandes d°énergi ¢) Calculer la barrigre de potentiel de diffusion Vx. d) Determiner !'expression du champ électrique E(x) a l'intérieur de Ia ZCE. ¢) Etablir "expression de |'épaisseur W de la ZCE et celles donnant ses extensions xy ¢t Xs dans les régions P ot N. Application numérique pour les trois grandeurs et commenter. 2) On polarise la diode en direct avec une tension Vp = 0.4Y positive. 8) Tracer et étiqueter clairement le diagramme de bandes d' énergie. Quelles sont los différences de ce diagramme de bandes par rapport & celui de I"équilibre thermodynamique ? b) Expliquer lorigine et In nature du courant qui circule. ¢) Calculer la nouvelle épaisseur W de Ia ZCE et les nouvelles extensions Xp et Xe, commenter, Exereice H- On réalise un contact entre un métal et un semi-conducteur de type N, Le métal utilisé un travail de sortie de qga 4.7 eV, et le semi-conducteur préseate une affinité électronique de qy~4.0.eV , avec une densité équivalent d’états dans la bande de conduction No=10" em, La permittivité du Si:v= 10°F cm", KT = 26 meV, a= 1.6 10%. 1) Définir ; niveau du vide, travail de sortie, ct l'affinité électronique. Tracer les Diagrammes des bandos d’énergie du Métal et du semiconductqur séparés. 2). Pour réaliser une barriére Schottky du contact métal-semiconducteur, Quelles conditions doivent rendre le métal et le semi-conducteur ? Tracer le Diagrammes de bande d'énergic de Ia structure Méial-semiconducteur. 3) Calculer le dopage du cemi-conducteur pour que le potentiel de diffusion soit de 0.53 V. 4). Exprimer la largeur de la zone désertée qui existe dans le semiconducteur, W, en fonction du potentie! de diffusion et le dopage. 5) Déduire la valeur de la capacité par unité de surface de la burridre non polarisée, 6) Calculer la tension & appliquer pour obtenir un courant direct 10 6 fois plus grand que le courant d'émission des electrons du métal vers le semi-conducteur, en considérant seulement le courunt thermotonique. 7) Expliquer la différence entre un contact Schottky, un contact chmique, et ua contact de tunnel. Comment faire pour réaliser un contact omique avec le métal ef le semi-conducteur préeédents Exercice III : Soit un transistor NPN. 1- Tracer et étiqueter le diagramme de bandes d’énergie de la structure a |’équilibro thermodynami 2. Expliquez pourquoi l'émetteur est beaucoup dopé ‘equilibre thermodynamique 3 Expliquez pourquoi la base est mince. 4 Décrivec qualitativememt lorigine du phénoméne de claquage qui apparait lors de la polarisation d'une jouetion PN en sens bloquant.