capituio 18 Propriedades Elétricas 0 para armazenar informagber digitale, depende ds propredadeselticas cipecah do slio, um mate vemicondutor (0 cartSo de memes ter cut na Seco 18.15.) (a) Microraiseleténica de varedure de um ccitointegredo, comport por slicioe interconexses metilicat. Ox componenter do ctcuito Intoprado so utllados pars aemazenaeinformagdes em formato dita. () Fotografias de tts pos diferentes de cartées de mem. (6) Fotografia mottrando um cartbo de meméda rend fede em uma cSmera digits. Ese cartio de meméris armazenacs imagens fotogrfics (e em alguns casos, leaingio GPS). (4) Or eatses de meméra também sSo empregados em telefonet cellars para armazenar ox programas neceitivios para fae receber ligase, aim como ot nimeror de telefone chamados com frequéncia. © telefone cellar ‘modemo também pode ter outa funcionadades que necesitam do srmazenamento de informaeées — para mensogens de texto jogos, eSmera clou sravador de video. (Chip de sicto EPROM: Andrew Syed/Photo Researchers, In. cartes de meméxia portteis:cortess da SanDik Corporation; cartio de meméxin de chmera digital: Melia King/Shuttentock;telefone cellar com cartio de meméria: Stockohoto,) 100 pm @ + 613Se ea er ee et a ‘Consideragdes sobre as propriedades eltricas dos materi s50, com frequéncia, importantes durante o projeto de um componente ov estutura, se fazer aselegso de materia se decir técnica de procesamento, Por exemplo, quando ceonsideramot uma placa de ciruitointegrado, ot ‘comportamentos eitricos dos vrios materia 550 dstntos. ‘Algurs prockaro ser excalentes condutores eldtscos (p. ax, ot fios de conexio), enquanto outros devem ser holantes(p. ex, © cencapsulamento de protecio de cicuitos). ‘No exquema de processamento/estrutura[propriedades] desempenho para semicondutores de silico, a rand para ‘estudar as propriedades eletrcas dos materbis so as seguintes: * As propriedades eltrcas dos semicondutores (p. ex, silcio) ‘So dependentes das extruturas ds suas bandas eletrénicas ~ Cou se)a, dos estados de energiaeletrénicos que so ocupados por elétrons, que estde disponiveis para partcipar do processo de condugie. Neste capitulo, introduzimos © ‘conceita de condugSo elétrica para ox semicondutores 2 partir da perspectiva das estruturas das suas bandas. = Também discutimos como a adigio de Stomos de elementos, ‘expeciicos em concentragées diminutasafeta a estrutura da banda e, por sua vex as caraterstcas elévicas de um semicondutor. © Ascaracteristicaselétricas e 0 mecanismo de operacio de dois dispositivos semicondutores diferentes, que s80 empregados ‘em cicuitos integrades, também sio deseritas e explicadas Objetivos do Aprendizado ‘Apés estudar este capitulo, voc8 devers ser capar de fazer o seguinte: 1. Descrever as quatro estruturas possiveis das bandas eletrénieas para os materials sélidos. 2. Descrever sucintamente os eventos de excitagso letrénica que produzem elétronslivres/buracos nos (a) metais, (b) semicondutores (intrinsecos ¢ extrinsecos) © (6) iolaates. 3. Caleular as condutividades elétricas de metais, ee (ere © carnconme) e eter : ddada(s) a(s) massa(s) especifca(s) e a(s) mobilidade(s) do(:) aah portador(es) de cargas. 4, Distinguir entre os materiis semicondutores intrinsecas © ‘extrinsocos. 5. (a) Em.um gréfico do logaritmo da concentracio do orf {cela tec) lar sea as tamara Aabsoluta, tracar curvas esquemsticas para materiais semicondutores tanto intrinsecos quanto extrinsecos. (b) Na curva para o semicondutor extrinseco, determinar {2s regibes de congelamento, extrinseca eintrnseca. 6. Para uma jungio p-n, explicar 0 processo de retificagso ‘em termos dos mevimentos de elétrons e buracos. 7. Calcular a capacitincia de um capacitor de placat pacalelas. 18. Definira constante dielétrica em termos das ppermissividades. 19. Explicarsucintamente como a capacidade de ‘armazenamento de cargas de um capacitor pode sor ‘2umentada pela insergo e pela polarizagio de um material dielétrico entre suas placas. 10. Citar e descrever os tréstipos de polarizagzo. 11. Descrever sucintamente os fendmenos da ferrodletricidade ¢ plexoeletricidade. 181 INTRODUCAO O principal objetivo deste capitulo ¢ explorar as propriedades eléttices dos materias, ou seja, suas respostas 8 aplicagdo de um campo elétrico. Comecamos com o fenémeno da condiugao elétrica: os pardmetros pelos quais cla ¢ expressa, o mecanismo da condugdo por clétrons ¢ como a estrutura da banda de energia eletronica de um material influencia sua habilidade de,condugio elétrica. Esses principios so estendidos aos metais, aos semicondutores ¢ aos isolantes. E dada uma atengo particular ds caracteristicas dos sernicondutores, entdo aos dispositivos semicondutores. Também sio tratadas as earacieristicas dielétricas dos materiais isolantes. As seq0esfinais so dedicadas aos fendmenos peculiares da ferrocletricidade e da piezoeletricidade. Condugio Elétr 18.2 LEIDE OHM ‘Uma das caracterfsticas elétricas mais importantes de um material s6lido ¢ a facilidade com que ei de Ohm ele transmite uma corrente elétrica. A lei de Ohm relaciona a corrente J ~ ou taxa de passagem de cargas ao longo do tempo ~ & voltagem aplicada V da seguinte maneira: Expresstio da lei de Si 18.1 epee VIR (18.1) 614 -Propriedades Elétricas + 615 esate varie! amperinewe (A) some ‘ =e rca de segso~ y “Amostra inet 5 Figua 181 Repeensio pede i dpa vara el aredatiete a em que Ré a resistencia do material através do qual a corrente esté passando. As unidades para V, Te R io, respectivamente, volt (I/C), amptre (Cf) ¢ ohm (V/A).O valor de R ¢ influenciado pela resistividade elétrica configuragio da amostra, ¢ para muitos materiais ele ¢ independente da corrente. A resistividade Resistividade elétrica rica p € independente da geometria da mostra, mas esté relacionada a R pela expresso = dependéncia em relagio a resistencia, a ‘rea da seco ‘transversal da amostra 8 distancia entre os pontosde medigdo em que /é a distancia entre os dois pontos onde a voltagem é medida e A € a érea da seqlo trans- versal perpendicular & direcdo da corrente. A unidade para p € 0 ohm-metro (Q-m).A partir da expressdo para a lei de Ohm ¢ da Equagéo 18.2, tem-sc (182) Ressividadecetica — dependéncia em relagio voltage VA pica, coments & oT 183) Sea dasegto gamversal da ames Figura 181 € um diagrama exquemético de um arranjo experimental para medigko da resistivi- pontosdemedigio” dade elétrica, 18.3 CONDUTIVIDADE ELETRICA ‘condutividade Algumas vezes, condutividade elétrica o € considerada para especificar a natureza elétrica de um_ létriea ‘material, Ela é simplesmente o inverso da resistividade, ou seja, Relagao inversa entre a i ‘condutividede oat (18.4) elétrica ea ° resistividade © €indicativa da facilidade pela qual um material ¢ capaz de conduzir uma corrente elétrica. A uni- dade para o € 0 inverso de ohm-metro [({1-m)~', ou mho/m]. As discusses a seguir sobre as pro- Expresso daleide _priedades elétricas utilizam tanto a resistividade quanto a condutividade. ‘Ohm em tormosda "Alm ds Equagao 18.1, lei de Ohm pode ser expressa como densidade de ee soe ess oor aaaae em que J €a densidade de corrente, a corrente por unidade de érea da amostra /A,e@ ¢ a inten- sidade do campo elétrco, ou adiferenca de vollagem entre dois pontos dvidida pela distancia que os separa, ou sea, Intensidade do v campo elétrico Sa ) ‘A demonstragio da equivaléncia entre as duas expressdes da lei de Ohm (Equagdes 18.1 ¢ 18.5) & deixada como um exercicio. Os materiais s6lidos exibem uma faixa surpreendente de condutividades elétricas estendendo- se por 27 ordens de grandeza; provavelmente, nenhuma outra propriedade fisica apresenta essa amplitude de variagio. De fato, uma forma de classificar os materiais sdlidos ¢ de acordo com afacilidade pela qual eles conduzem uma corrente elétrica; nesse esquema de classificago, existem metal trés grupos: condutores, semicondutores ¢ isolantes. Os metais sio bons condutores, apresentando tipicamente condutividades da ordem de 10° (Sm) '. No outro extremo estéio materiais com con- fsolante dutividades muito baixas, variando entre 10°" 10-® (O-m)-'; esses materiais so 0s isolantes clé- tricos Os materiais com condutividades intermedisrias, geralmente entre 10-* ¢ 10* (Om), so semicondutor denominados semicondutores. As faixas de condutividade elétrica para os varios tipos de materiais estdo comparadas no gréfico de barras da Figura 1.7. 18.4 CONDUCAO ELETRONICA E IONICA ‘Uma corrente elétrica resulta do movimento de particulas eletricamente carregadas em resposta a forgas que atuam sobre elas a partir de um campo elétrico externamente aplicado. As particulas carregadas positivamente so aceleradas na diregdo do campo, enquanto as paricuas carregadas negativamente sto accleradas na dirego oposta, Na maioria dos matcrais sides, uma corrente tem origem a partir dofluxode eltrons,o que € denominado condugdoeletrdnica. Além disso, n08 materia iGnicos, possivel haver um movimento resultante de fons earregados,o que produ uma condugio inca _correntey esse fendmeno é denominado condugio iéniea.A presente dscissdo tata da conduglo eletrénica; eondugio ini estétratada sucintamente na Segio 18.16. 18.5 ESTRUTURAS DAS BANDAS DE ENERGIA NOS SOLIDOS Em todos os condutores, semicondutores e em muitos materiais isolantes existe apenas a condugo ele- trOnica,e a magnitude da condutividade elétrica éaltamente dependente do ntimero de elétrons dispo- nivel para participar no proceso de condusao. No entanto, nem todos os elétrons em cada étomo serdo acelerados na presenca de um campo elétrico. O niimero de elétrons dispontveis para & conducdo elé- {rica em um material particular estérelacionado ao arranjo dos estados ou nfveis eletrOnicos em relacdo aenergia eentdo, & maneira na qual esses estados estao ocupados pelos elétrons Uma exploragio apro- fundada désses t6picos € complicada e envolve principios da mecinica quintica, que estio além do cscopo deste livro;o desenvolvimento que se segue omite alguns conecitos e simplifica outros ‘Os conceites relacionados aos estados de energia dos elétrons, ds suas ocupagdes ¢ a configu- ragio eletrénica resultante para étomos isolados foram discutidos na Segio 2.3. Para fins de revi- silo, para cada étomo indiviclual existem niveis discretos de energia que podem ser ocupados pelos elétrons, os quais esto arranjados em camadas e subcamadas. As camadas so designadas por ‘ndmeros inteiros (1,2,3 etc.) ¢ as subcamadas por letras (sp, de f). Para cada ume das subeama- das 5,p, de f existem, respectivamente, um, trés, cinco e sete estados. Os elétrons na maioria dos ‘tomos preenchem somente aqueles estados que possuem as energias mais baixas, dois elétrons com spins opostos por estado, de acordo eom o prinefpio da exclusio de Paul. A configuragio ele- trdnica de um étomo isolado representa o arranjo dos elétrons nos estados permitidos. ‘Vamos agora fazer uma extrapolagao de alguns desses conceitos aos materiais s6lidos. Um s6lido pode ser considerado como consistindo em uum grande ntimero, digamos N, de étomos que se encontram inicialmente separados uns dos outros e que so subsequentemente agrupados ¢ liga- dos para formar o arranjo atOmico ordenado encontracio no material cristalino, Em distincias de separagdo relativamente grandes, cada tomo ¢ independente de todos os demas e possuirs os niveis de energia atOmica e a configuragao eletrénica que teria se estivesse isolado. Entretanto, conforme os étomos ficam mais préximos uns dos outros, os elétrons séo influenciados, ou pertur- bados, pelos elétrons € miicleos de atomos adjacentes. Essa influéncia ¢ tal que, no solido, cada estado atémico distinto pode ser dividido em uma série de estados eletrGnicos espacados mas pré- banda de energia _ximos entre si, para formar o que € denominado banda de energia cletronica. A extensio dessa eletrénica divisio depende da separagao interatdmica (Figura 18.2) e comega com as camadas eletrOnicas mais externas, uma vez que sto as primeiras a serem perturbadas conforme os étomos coalescem. Em cada banda, os estados de energia sto discretos, porém a diferenca de energia entre os estados adjacentes é muito pequena. No espacamento de equilfbrio, pode nao ocorrer a formagio de ban- das para as subcamadas eletrOnicas mais préximas ao ntcleo, como estéilustrado na Figura 18.36. ‘Além disso, podem existir espagamentos entre bandas adjacentes, como também esté indicado na figura; normalmente, as energias dentro desses espagamentos entre bandas nao esto disponiveis para ocupagio por elétrons A maneira convencional de se representar as estruturas das bandas életrénicas nos s6lidos esté mostrada na Figura 18 3a. ‘O miimero de estados em cada banda seré igual ao total da contribuigio de todos os estados pelos NV dtomos. Por exemplo, uma banda s consistiré em N estados,¢ uma banda p em 3N estadios. Em relagiio A ocupagiio, cada estado de energia pode acomodar dois elétrons, que devem ter spins em diregdes opostas. Além disso, as bandas conterdo os elétrons que estavam localizados nos n{veis correspondenies dos étomos isolados, por exemplo, uma banda de energia 4s no s6lido conterd aqueles elétrons 4s dos dtomos isolados. Obviamente, haverd bandas vazias ¢, possivelmente, ban- das que estio apenas parcialmente preenchidas.Propriedades Elétricas + 617 Banca oe eneria “enico os eltons Zo}. Estado elettoien 2x ‘iz estas) i Estados nerttices permtides ineicuais Bence de energie f Estado ltrico Ls Gos ievons Ie —} Tid etaceel Separaco nteatémien Fiprs 282. Grélico cayamlico da enerpia ds eltrns em fo da partes para um ‘plegade de 12 dlomos (N= 12) Conforms os Sloe se proniman, cada im dos estado admis Is 2s ‘© civie pra formar um banda de enerpacetnzaconstindo em 12 esados ia —— Espavament entre bandas de energie i nea —— t Sepaaio —_ Espogamerto ——_metattea inverts Se ‘cuir @ © Figura 18.3 (a) Representagdo convencional da estrutura da banda de energia eletrOnica para um material solide na separacao interatémica de equilibria (b) A energia eletzinica em funglo da separaco interat6miea para um agregado de étomos,ilustrando como é gerada a estrutura da banda de energia na separagio de equilbrio em (a). (De Z. D-lastrzebski, The Nature and Properties of Engineering Materials, 3 ed. Copyright © 1987 por John Wiley & Sons, Inc. Reimpresso sob permissio de John Wiley & Sons, Inc.) As propriedades elétricas de um material sélido so consequéncia da estrutura da sua banda eletrOnica - ou seja, do arranjo das bandas eletrOnicas mais externas e da maneira pela qual elas so preenchidas com elétrons. Quatro tipos diferentes de estruturas de bandas so posstveis a0 K. Na primeira (Figura 18.42), ‘uma banda mais externa esta apenas parcial mente preenchida com clétrons. A energia correspon- ‘energia de Fermi _ dente ao estado preenchido mais elevado a 0 K 6 chamada de energia de Fermi, E,,como indicado na figura. Essa estrutura de banda de energia 6 caracteristica de alguns metais, em particular daque- eS com um tinico elétron de valencia s (p. ex.,0 cobre). Cada stomo de cobre tem um tinico elétron 4scentretanto, para um sélido composto por N étomos, a banda 4s ¢ capaz de acomodar 2N elétrons. essa forma, apenas metade das posigbes eletrdnicas disponiveis nessa banda 4s esté preenchida. Para a segunda estrutura de banda, também encontrada nos metais (Figura 18.46), existe uma superposigao de uma banda vazia com uma banda preenchida. O magnésio possui essa estrutura,618 + Capitulo anda de valencia banda de condugio ‘espacamento entre Dandas de energia zee ae oa “at 7 0 wean | 4 corms eras ® © Figura 184 As vrias estruturas possiveis de bandas eletrOnicas nos solidos a 0X. (¢) Estrutura de banda cletrOnica encontrada em metais como o cobre, onde existem, na mesma banda, estas eletrénicos ‘isponiveisacima e adjacentes aes estados preenchidos (b) Estrutura de banca eletOnica de metas tis ‘como 0 magnésio, onde existe ume superposigao das bandas mais externas preenchidas e vazias (c) ‘Estrutura de banda eletrOnica caratersica dos isolantes; a banda de valencia preenchida esta separada da ‘banda de conduglo vazia por um espacamento entre bandas relativamente grande (>2 eV).(d) Estrutura de banda eletrOnica encontrada nos semicondutore, que € a mesma exibida pelos isolantes, exceto pelo fato de aque oespagamento entre bandas érelativamente estreito (<2 eV). de banda, Cada étomo isolado de Mg tem dois elétrons 3s. Entretanto, quando um sélido € for- mado, as bandas 3s ¢ 3p se superpoem. Nesse caso e a 0 K, a energia de Fermi é considerada como fquelaenegiaabaizo da qual par N étomos,estadas esto preenchides, com dois eletrons por estado, ‘As duas dltimas estruturas de banda sao semelhantes; uma banda (a bunda de valencia) que esté completamente preenchida com elétrons estd separada de uma banda de condugio vazia existe um espagamento entre bandas de energia entre elas. Nos materiais muito puros, os elétrons no podem ter energias dentro desse espacamento. A diferenga entre as duas estruturas de banda esté na magnitude do espagamento entre as bandas; nos matcrias isolantes, o espagamento entre as bandas ¢ relativamente amplo (Figura 18.4c), enquanto nos semicondutores ele ¢ estreito (Figura 184d). A energia de Fermi para esas duas estruturas de banda esti localizada dentro do espaga- mento entre as bandas ~ préximo 2 regifio central. 18.6 CONDUGAO EM TERMOS DE BANDAS E MODELOS DE LIGACAO ATOMICA elétron livre Neste ponto da discussdo, é vital a compreensio de outro conceito ~ 0 de que apenas os elétrons com energias maiores que a energia de Fermi podem ser influenciados ¢ acelerados na presenga de um campo elétrico. Esses so os elétrons que participam do processo de conducao, os quais si denominados elétrons livres. Outra entidade eletrOnica carregada, chamada de buraco, € encon- trada nos semicondutores e isolantes. Os buracos tém energias menores que E,, ¢ também partici- pam na conduggo eletronica. Como a discussdo a seguir revelar4, a condutividade elétrica é uma fungao direta dos mimeros de elétrons livres e de buracos. Além disso, a diferenca entre condutores € nao condutores (isolantes e semicondutores) esté na quantidade desses portacores de carga, os elétrons livres ¢ os buracos. Metais Para que um eétron tome-s¢ livre, cle deve ser excitado ou promovido para um dos estados de energia vazios ¢ disponiveis acima de , Para os metais com qualquer uma das estruturas de banda rmostradas nas Figuras 18.4a ¢ 18.4, existem estados de energia vazios adjacentes ao estado preen- chido mais elevado em E,. Dessa forma, muito pouca energia necesséria para promover 0s elé- trons para 05 estados de energia mais baixos que estdo vazios, como mostrado na Figura 18. Geralmente,a energia fornecida por um campo elétrico € suficiente para excitar grandes miimeros de elétrons para dentro desses estados de eonducéo. Para o modelo de ligagao metélica discutido na Seco 2.6, foi assumido que todos os elétrons de-valéncia apresentam liberdade de movimento ¢ formam um gas eletrénico que esta distributido tuniformemente por toda a rede de mticleos iénicos. Embora esses elétrons niio estejam ligados localmente a qualquer étomo espectfico, eles devem softer alguma excitagio para tornarem-se elé- trons de condugéo que sejam realmente livres. Dessa forma, apesar de apenas uma frago desses elétrons ser excitada, isso ainda dé origem a um nimero relativamente grande de elétrons livres consequentemente, 2 uma alta condutividade.Propriedades Elétricas + 619 8 8 | Escitagso dowition Estados =| i i z é Figura 185 Ocupugto dos estos eletOncos antes (6) depois de ums exist dos létrons em um metal = Isolantes e Semicondutores Para os isolantes c semicondutores os estados varios adjacentes 20 topo da banda de valéncia pre- enchida nio estao dispontveis. Pera tomarem-se livres, portanto, os elétrons devem ser promovidos através do espagamento entre bandas de energia para estados vazios na parte inferior da banda de condugio. 1:80 86 ¢ possfvel dando a um elétron a diferenga de energia entre esses dois estados, que 6 aproximadamente igual & energia do espagamento entre as bandas, E. Esse proceso de excitagio esté demonstrado na Figura 18.6.’ Para muitos materias, esse espagamento entre bandas tem uma largura equivalente a varios elétrons-volt. Mais frequemtemente, a energia de excitago vem de uma fonte no elétrica, tal como o calor ow a luz, geralmente a primeira (O miimero de clétrons termicamente excitados (por energia térmica) para a banda de condu- go depende da largura do espagamento entre as bandas de energia, assim como da temperatura. Em uma dada temperatura, quanto maior for o E., menor seré a probabilidade de um elétron de valéneia ser promovido para um estado de energia dentro da banda de condugdo; iso resulta em. ‘menos elétrons de condugao. Em outras palavras, quanto maior for o espagamento entre as bandas, menor ser a condutividade elétrica em uma dada temperatura. Dessa forma, a diferenga entre semicondutores ¢ isolantes esté na largura do espagamento entre as bandas; nos semicondutores esse espagamento ¢ estreito, enquanto nos isolantes ele ¢relativamente largo, (© ‘aumento da temperatura tanto de semicondutores quanto de isolantes resulta cm um ‘aumento na energia térmica disponivel para @ excitagio dos elétrons. Assim, mais elétrons so pro- ‘movidos para a banda de condugao, 0 que dé origem a uma maior condutividade, ah} = 3B) S| cn |i ii gaa gs Excito & ge i eoatien Easel a $ = 3 — 3 a a3 53 as z valencia @ o Figura 18.6 Ocupagio dos estados eletrOnicos (a) antes ¢ (b) depois de uma excitagio dos elétrons da banda de valencia para dentro da banda de condugdo para um isolante ou semicondutor,onde tanto um clétron live quanto um buraco sio gerados. "As magnitudes da energia do espagamento entre bandas e das energias entre nivels adjacentes tanto na banda de valencia quanto na banda de condusso na Figura 18.6,nao estao em scala. Enquanto a energia do tespayamento entre bandas é da ordem de 1 elétron-volt, esses niveis esto separados por energias de 10 eV.620 + Capitulo mobilidade ‘Velocidade de arraste do elétron — dependéncia em relagio A mobilidade do elétrone & intensidade do ‘campo elétrico ‘Condutividade elétrica - dependéncia em relagho A cconcentraglo, carga e ‘mobilidade dos clstrons A condutividade dos isolantes ¢ semicondutores também pode ser vista a partir da perspectiva dos modelos de ligagao atomica discutidos na Segao 2.6. Nos materiais solantes elétricos,a ligagdo interatOmica ¢ nica ou fortemente covalente. Dessa forma, os elétrons de valencia estio firme- mente ligados ou so compartilhados entre os étomos individuais. Em outras palavras, esses elé- trons estdo altamente localizados e ndo estio,em nenhum sentido, livres para vagar pelo cristal. A ligagio nos semicondutores ¢ covalente (ou predominantemente covalente) e relativamente fraca, (© que significa que os elétrons de valencia nao estdo to firmemente ligados aos étomos. Conse- quentemente, esses elétrons sio mais facilmente removidos por excitacdo térmica que aqueles nos isolantes MOBILIDADE ELETRONICA Quando um campo elétrico ¢ aplicado, uma forga atua sobre 0s elétrons livres; como consequéncia, todos eles sofrem aceleragdo em uma direcao oposta & do campo, em virtude de suas cargas nega- tivas De acordo com a mecfnica quintica, nfo existe nenhuma interagdo entre um elétron em ace- leragdo e os dtomos em uma rede cristalina perfeita. Sob tais circunstncias, todos os elétrons livres devem acelerar enquanto o campo elétrico estiver sendo aplicado, o que deveria originar uma cor- rente elétrica continuamente crescente ao longo do tempo. Entretanto, sabemos que uma corrente atinge um valor constante no instante em que um campo € aplicado, indicando que existe o que pode ser denominado forgas de frieao, as quais se contrapdem a essa aceleragao devida 20 campo externo. Essas forgas de fricgo resultam do espalhamento dos elétrons por imperfeigdes da rede cristalina, que incluem étomos de impurezas, lacunas, étomos intersticiais, discordancias e até mesmo vibragdes térmicas dos proprios étomos. Cada evento de espalhamento faz com que um elétron perca energia cinética ¢ mude a diregéo do seu movimento, como representado esquemz- ticamente na Figura 18.7. Existe, no entanto, um movimento resuitante dos elétrons na direcéo posta 20 campo, esse fiuxo de carga é a corrente elétrica Ofendmeno do espalhamento manifesta-se como uma resistencia a passagem de uma corrente elétrica. Varios pardmetros sao considerados para descrever a extensdo desse espalhamento; esses incluem a velocidade de arraste e a mobilidade de um elétron. A velocidade de arraste v, representa a velocidade média do elétron na diregio da forga imposta pelo campo elétrico, aplicado, Ela € diretamente proporcional ao campo elétrico, de acordo com: w= wb (187) ‘A constante de proporcionalidade j1, € chamada mobilidade eletrOnica, ¢ 6 uma indicagio da fre~ quencia dos eventos de espalhamento; sua unidade é metros quadrados por volt-segundo (m*V°s).. ‘Accondutividade c para a maioria dos materiais pode ser expressa como o = Hep, 288) em que n 6 0 nlimero de elétrons livres ou de eondugio por unidade de volume (p.ex.,por metro cibico) ¢ lel é a magnitude absoluta da carga elétrica de um elétron (1,6 X 10°" C). Assim, a condutividade elétrica é proporcional tanto ao ndmero de eléirons livres quanto & mobilidade dos elétrons. <2 _ evens ee > Jesparamerio Figure 18:7 Diagrama esquemético que mostra a trajet6ria + ‘de um elétron defletido por eventos de espalhamento. Wosimento resultant eanPropriedades Elétricas + 621 1 Se um material metélico for resfriado por meio de sua temperatura de fusio a uma taxa extrema- mente répida, cle formard um solido nao cristalino (ie., um vidro metélico). A condutividade elé- trica do metal ndo eristalino seré maior ou menor que a do seu anélogo cristalino’ Por qué? [A resposia esté disponivel no site da LTC Editora] Verificagao de Conceitos 1 18.8 RESISTIVIDADE ELETRICA DOS METAIS Regra de Matthiessen ~ para uum metal,a resistividade elétrica total igual A soma, das contribuigdes Aérmicas, das impurezas.e das deformagies regra de Matthiessen Dependéncia da contribuigio da resistividade térmica em relagioa temperatura ‘Como mencionado anteriormente, os metais s4o, em sua maioria, extremamente bons condutores de cletricidade; as condutividades & temperatura ambiente para varios dos metais mais comuns esto. apresentadas na Tabela 18.1. (A Tabela B9 no Apéndice B lista as resistividades elétricas de um. grande niimero de metais ligas) Novamente, os metais tm altas condutividades devido ao grande ‘mero de elétrons livres que foram excitados para os espagos vazios acima da energia de Fermi. Dessa forma,7 apresenta um valor elevado na expressio para a condutividade, Equagio 18.8. Neste ponto, & conveniente discutir a condugao nos metais em termos da resistividade, que & co inverso da condutividade; razdo para essa mudanga deve ficar aparente durante a discussio que se segue. ‘Uma vez que os defeitos cristalinos servem como centros de espalhamento para os elétrons de conduedo nos metais, o aumento de seu mimero aumenta a resistividade (ou diminui a condutivi- dade). A concentragao dessas imperfeigGes depende da temperatura, da composigéo e do grau de trabalho a frio da amostra do metal. De fato, observa-se experimentalmente que a resistividade total de um metal & 2 soma das contribuigdes das vibragées térmicas, das impurezas e da deforma- 40 plastica; ou seja, os mecanismos de espalhamento atuam de mancira independente uns dos Outros. Isso pode ser representado em termos matematicos da seguinte forma: Pusat = Ps + Pi * Ba (18.9) em que p,p,¢ p, representam, respectivamente, as contribuigdes individuais das resistividades tér- mica © das resistividades devidas as impurezas e &s deformagdes A Equagio 18.9 ¢ algumas vezes conhecida como regra de Matthiessen. A influéncia de cada varidvel p sobre @ resistividade total esté demonstrada na Figura 18.8, na forma de um gréfico da resistividade em fungdo da tempera- tura para o cobre e varias ligas cobre-niquel nos estados recorido e deformado. A natureza aditiva das contribuigoes resistivas individuais est demonstrada a — 100°C. Influéncia da Temperatura Para o metal puro e para todas as ligas cobre-niquel mostradas na Figura 18.8, a resistividade aumenta linearmente com a temperatura acima de aproximadamente ~200°C. Assim, p= pot al (18:10) em que py € aso constantes para cada metal especifico, Essa dependéncia do componente térmico da resistividade em relagSo a temperatura deve-se ao aumento das vibragdes térmicas ¢ de outras Tabela 18.1 Condutividades Elétricas 3 Temperatura Ambiente para Nove Metais © Ligas Comuns Condutividade Elérrica Metal [idem Prate 68 x10 Cobre 60 x10 ure 43 x10 Aluminio 38 x10) Lato (10Cv-302n) 16 x10 Fearo 10 x10 Platina 0.94 x 10° ‘Ago-carbono 06 x10) ‘Ago inaxidével 02 x0622 + Capitulo Temperatura) +100 cu 2:5%a Ne Figura 18.8 Resistividade clétrica See poet ean uae eee ee reser eee ee rea seceee a yo ae Siecle ee anaes —— inregularidades da rede (p.ex.,lacunas), que servem como centros de espalhamento dos elé:rons, com o aumento da temperatura, Influéncia das Impurezas Contribuigdo das Para as adigées de uma tinica impureza que forme uma solugéo sélida, a resistividade devido as impurezas 8 impurezas p, est relacionada 4 concentragdo das impurezas c, em termos da fragio al6miica resistividade (para (%a/100) da seguinte mancira: solugGes sélidas) — aoe = Ac{t — ¢) (agit) conentagio de impurezas (fragio em que A 6 uma constante independente da composigdo, que é uma fungao tanto do metal hospe- atbmiea) deiro quanto da impureza. A influéncia de adigbes de impurezas de niquel na resistividade do cobre & temperatura ambiente est demonstrada na Figura 18.9 para até 50%p Ni; nessa faixa de composigdes, o nfquel ¢ completamente solével no cobre (Figura 9.3a). Novamente, os étomos de niquel no cobre atuam como centros de espalhamento, e um aumento da concentragao do niquel no cobre resulta em um aumento da resistividade. Resistvdade eltrica 10" fm) L L L L 0 1020 30 280 ‘composicio para ligas cobre-niguel. Composio (9 Ni Figura 189 Resistividade elétriea temperatura ambiente em fungo daContribuigdo das impurezas 8 resistividade (para ligas bifésicas) — dopendéncia em relagdo Bs fragGes vvoluinétricas eas resistvidades das das fases Propriedades Elétricas + 623 Para uma liga bifésica que consista nas fases a ¢ i, uma expressio do tipo regra das misturas pode ser usada para aproximar a resistividade, da seguinte mancira’ P= Va * OV (18.12) em que os termos V e prepresentam as fragdes volumétricas ¢ as resistividades individuais para as, respectivas fases, Influéncia da Deformagso Plastica ‘A deformagdo pléstica também aumenta a resistividade elétrica como resultado do maior mimero de discordéncias, que causam o espalhamento dos elétrons. O efeito da deformagio na resistivi- dade também esté representado na Figura 18.8. Além disso, sua influéncia é muito mais fraca que © aumento da temperatura ou a presenga de impurezas, Verificagao de Conceitos 18.2 As resistividades elétricas & temperatura ambiente para o chumbo puro ¢ o estanho puro sto de 2,06 X 10-7 1,11 < 10°’ O-m, respectivamente. (a) ‘Trace um gréfico esquemitico da resistividade elétrica & temperatura ambiente em funsio da ‘composigao para todas as composigdes entre 0 chumbo puro € o estanho puro. (b) Nesse mesmo grafico, trace esquematicamente a resistividade elétrica em fungo da composi- ‘gd0 a 150°C. (© Explique as formas dessas duas curvas, assim como quaisquer diferengas entre elas. Sugestdo: Voce pode querer consultar 0 diagrama de fases chumbo-estanho, Figura 9.8. [A resposta esté disponivel no site da LTC Editora] 18.9 CARACTERISTICAS ELETRICAS DE LIGAS COMERCIAIS ‘As propriedades elétricas, assim como outras propriedades, tornam 0 cobre 0 condutor metélico ‘mais amplamente utilizado. O cobre de alta condutividade isento de oxigénio (OFHC — oxygen- ‘ree high-conductivity), que apresenta teores de oxigenio e de outras impurezas extremamente bai- os, 6 produzido para muitas aplicagdes elétricas. O alum{nio, com uma condutividade de apenas metade daquela do cobre, também € empregado com frequéncia como condutor eléirico, A prata tem uma condutividade elétrica maior em relagdo tanto ao cobre quanto ao aluminio; entretanto, seu uso € restrito devido a seu custo. Ocasionalmente, é necessirio melhorar a resisténcia mecéinica de uma liga metétiea sem com- prometer de maneira significativa sua condutividade elécrica. Tanto a formagio de ligas por solu- 40 sélida (Sedo 7.9) quanto 0 trabalho a frio Seg20 7.10) melhoram a resisténcia, porém ao custo de perda da condutividade e, portanto, deve haver um equilforio entre essas duas propriedades. Frequentemente,a resisténcia € melhorada pela introdugéo de uma segunda fase que nao tenba um efeito to adverso sobre a condutividade. Por exemplo, as ligas cobre-berilio sio endurecidas por precipitagao (Segao 11.9); porém, mesmo assim, a condutividade ¢ reduzida por um fator de apro- ximadamente Sem relagio ao eobre de alta pureza. ara algumas aplicagoes,tais como nos elementos de aquecimento de fornos, ¢ desejével uma resistividade elétrica elevada. A perda de energia pelos elétrons que sto espalhados ¢ dissipada como energie térmica. Teis materiais no devem apreseatar apenas resistividade elevada, mas tam- bém resisténcia & oxidagdo em temperaturas elevadas e, obviamente, ponto de fusio elevado. O nicromo, uma liga niquel-cromo, é empregado comumente em elementos de aquecimento. Fios Elétricos de Aluminio cobre ¢ empregado normalmente nas fiagdes elétr ’cas em prédios residenciais e comerciais Noentanto, entre 1965 1973,0 prego do cobre aumentou de maneira significativa e, eonsequentemente, foram instaladas fia- ‘goes de alumfnio em muitos prédios construfdos ou refor- mados durante aquele perfodo, pois o aluminio era um ‘condutor elétrico mais barato. Um néimero extraordina- riamente grande de inc&ndios ocorreu nesses prédios, ©624 + Capitulo Tabela 18.2 TabulagSo das Composicées, Condutividades Elétricas o Coeficientes de Expansio Térmica para Ligas de Aluminio © de Cobre Empregadas em FiagSes Elétricas Corfciente de Conduite Blrica spams emia Nome da Liga Designagao da Liga Composigio (%op) (om * ‘Aluminio (grau para 1350 99.50 Al0,10Si,005 Cu 357 x10 ye 10 conduloreetico) 00 Ma, 001 Cr, 0,5 Zn, 003 Ga, 0058 Cobre (letrotico) x10 99,00 Vu, 004 0 588x107 119% 10 as investigagSes revelaram que a fiacio de aluminio representava um risco maior de incéndios em relagéo & fiagtio de cobre. ‘Quando corretamente instalada, a fiagdo de alumfnio pode ser tio segura quanto a de cobre. Esses problemas de seguranga surgiram em pontos de conexdo entre 0 alumt- nio e 0 cobre;a fiagdo de cobre foi usada para os terminais de conexao nos equipamentos elétricos (disjuntores,toma- das, interruptores etc.) aos quais a fiagtio de alumfnio foi fixada, ‘Conforme os circuitos elétricos sto ligados destiga- os, a fiagtio elétrica aquece © depois resfria, Esse ciclo tér- ‘ico faz.com que 0s fis alternadamente se expandam e se contraiam. As intensidades da expansio ¢ da contragio para o aluminio s20 maiores que para o cobre - 0 aluminio, ‘tem um coeficiente de expansio térmica maior que ocobre. (Segdo_ 19.3)? Consequentemente, essas diferengas na expansio € na contragdo entre os fios de alumfnio e de cobre podem causar 0 afrouxamento das conexdes, Outro fator que contribui para o afrouxamento das conexdes das, fiagdes de cobre ¢ de aluminio € a fluéncia (Segao 8.12); cexistem tenses mectnicas nessas conexdes das fiages,¢ 0 aluminio é mais suscetivel & deformagio por fluencia (& temperatura ambiente ou em temperatures proximas a la), que o cobre. Esse afrouxamento das conexdes com- promete o contato elétrico fio a fio, o que aumenta a resis- ‘8ncia elétrica na conexdo leva a um maior aquecimento. aluminio oxida-se com maior facilidade que cobre, € Conjunogsoantes de terenca COPALUM Torace [ibe Isoamenta ca ~ tial de alurinie Fotranco de ante Focrete de alanine Fiotera de slinine Estraricace aeneece ove Islamarto da fide alurio Figura 18.10. Diagrams esquemético de um dispositive conector COPALUM usado em cteuitoseltricos com fagdo Se elumini.(Reimpresso sob permissio da US Consumer Product Safety Commission.) esse revestimento de Gxido aumenta ainda mais a resistén- cia clétrica na conexio. Por fim, uma conexio pode dete- riorarse até 0 ponto de fafscas elétricas e/ou o actimulo de calor poderem incendiar qualquer material combustivel na vizinhanga da jungio. Uma vez que a maioria das tomadas, dos interruptores ¢ de outras conexbes estilo fora de visio, esses materiais podem arder lentamente ou um ine&ndio pode espalhar-se sem ser detectado durante um periodo de tempo protongado. ‘Os sinais de alerta que sugerem posstveis problemas, com as conexdes incluem interruptores ou tomadas com espelhos quentes, odor de plistico queimado préximo as safdas ou interruptores luzes que piscam ou que queimam rapidamente, estética anormal em rédios/televisdes disjuntores que desarmam sem nenhuma razao aparente. ‘Varias opgoes estdo disponiveis para tomar seguros os, prédios com fiagdes de aluminio.’ A mais ébvia (e também ‘a mais cara) € substituir todos os fios de aluminio por fios de cobre. A segunda melhor opeo € a instalaglo de uma ios de cobre Fotografia de duas ngs fio de cobre-fo de aluminio (ocalizada em tia exe de jungdes) que sre aquesimento excessive. da direita (dentro da porca para facto amarela) fo opltamente (Es fotografia ua cos de ohn “Os valores para ocoeficiente de expansio térmica, assim como as composiges ¢outras propriedades de ligns de aluminio ¢ de cobre empregadasem figbes eles esto apresentados ns Tabela 182, Uma dscusso das vias opebes de reparos pode ser baixada da segunte pégina na internet hp: wwwepsegovlepsepubfpubs!516. patunidade de reparo com conector de plissar em cada cone- Xxio aluminio-cobre. Com essa técnica, uma pega de fio de cobre € presa a0 ramal de fiagao de aluminio existente usando uma luva metélica especialmente projetada ¢ uma ferramenta de plissagem; a luva metdlica é chamada “eonector de emenda paralela” (COPALUM). A ferra- menta de plissagem faz essencialmente uma solda a frio centre dois fios Finalmente, a conexio é encapsulada em ‘uma luva isolante. Uma representagio esquemética de um dispositive COPALUM esté mostrada na Figura 18.10. Propriedades Elétricas + 625 Apenas eletricstas qualificados e especialmente treinados ‘estdo habilitados a instalar esses conectores COPALUM. ‘Duas outras opgdes menos desejéveis sio os disposit ‘vos CO/ALR e a emenda das extremidades. Um disposi- tivo CO/ALR ¢ simplesmente um interruptor ou uma tomada de parede projetado para ser usado com fiago de alumfnio, Na emenda das extremidades, uma porca conec- tora de fios,do tipo de torgao,¢ usada,a qual emprega uma ‘graxa que inibe a corrosio ao mesmo tempo em que man~ ‘ém uma alta condutividade elétrica na jungio. Semicondut dade — ‘A condutividade elétrica dos materiais semicondutores nfo é to elevada quanto a dos metais; entretanto, eles apresentam algumas caracteristicas elétricas especiais que os tornam especial- mente Uiteis. As propriedades elétricas desses materiais so extremamente sensiveis & presenga de concentragées de impurezas, mesmo que muito pequenas. Os semicondutores intrinsecos sfo aque- ‘por base a estrutura eletrénica inerente ao metal puro, ‘Quando as caracteristieas elétricas so ditadas pelos dtomes de impurezas, 0 semicondutor é dito semicondutor intrinseco. les nos quais o comportamento elétrico tem semicondutor ser extrinseeo, extrinseco 18.10 SEMICONDUGAO INTRINSECA (Os semicondutores intrinsecos sto earacterizados pela estrutura de banda eletronica mostrada na Figura 18.4d:a 0 K, uma banda de valencia completamente preenchida esté separada de uma banda de condugao vazia por um espacamento entre bandas proibido, relativamente estreito, geralmente menor que 2 eV. Os dois semicondutores elementares sao o silico (Si) €o germénio (Ge), que apre- sentam energias de espagamento entre bandas de aproximadamente 1,1 eV € 0,7 eV, respectiva- ‘mente. Ambos esto no Grupo IVA da tabela periédica (Figura 2.6) ¢ se ligam por ligagoes cova- lentes Além disso, uma gama de materiais semicondutores compostos também exibe comporta- ‘mento intrinseco. Um desses grupos é formado entre elementos dos Grupos IIIA e VA, por exem- plo,o arseneto de galio (GaAs) € 0 antimoneto de fndio (InSb); com frequéncia, sdo chamados de ‘ompostos III-V. Os compostos constituldos por elementos dos Grupos [LB e VLA também exibem. comportamento semicondutor; esses incluem o sulieto de c4dmio (CDS) € 0 telureto de zinco (Zave). Conforme os dois elementos que formam esses compostos ficam mais separados em rela- Go as suas posigdes relativas na tabela periddica (Le.,as eletronepatividades tornam-se mais dife- Tentes, Figura 2.7),2 igacdo atomica torna-se mais idnica ea magnitude da energia do espagamento centre as bandas aumenta — os materiais tendem a tornar-se mais isolantes. A Tabela 18.3 fornece 0 espagamentos entre bandas para alguns compostos semicondutores. razio(Ses) para a escolha. Verificagéo de Conceitos 18.3 Dentre 0 ZnS ¢ o CdSe, qual teré maior energia de espagamento entre bandas F,? Cite a(8) [A resposia esté disponivel no site da LTC Editora) Conceito de um Buraco Nos semicondutores intrinsccos, cada elétron excitado para a banda de condugio resulta na falta de um elétron em uma das ligagdes covalentes ou, no esquema de bandas, hé um estado cletr6nico vazio na banda de valencia, como mostrado na Figura 18.66.' Sob a infuéncia de um campo elé- “ats bandas de valencia no silo e no germanio correspondem a nveis de enersia hibrdos sp” para @ tomo isolado; ests bandas de valencia horicizadas esta completamente precnchidas a0 K 0s buracos (além dos elétrons lives) io cracls nos semicondutores ¢ isolantes quando ocarrem ttansigbes eletricas de estados preenchidos na banda de valencia Para estados varios ba banda de condugio (Figura 186). Nos metas as irunsgdes cletOnicas ocorrem normalmente de estados Yaics para tstados preenchidos dentro da mesma Banda (Fighra 185), sem a ciagio de buracos.626 + Capitulo Condutividade clétrica para um semicondutor intrinseco — dependéncia em relagio is cconcentragSes de elétronsouracos e as mobilidades dos elétrons/buracos ‘Condutividade em termos da cconcentragao de portadores. intrinsecos para um semicondutor intrinseco Tabela 18.3. Energias dos Espacamentos entre Bandas, Mobilidades dos Elétrons © dos Buracos, ¢ Condutividades Elétricas Intrinsecas & Temperatura Ambiente para Materiais Semicondutores Espacamento entre Condutividade ‘Mobilidade do Mobilidade do Materiat ‘Bandas (eV) Elétriea[(Q-m)-"| Eltron (m'/V's)—— Buraco (m'/V's) Elementos si 1 4x 104 O14 0.05 Ge ost 22 038 038 ‘Compostos I1-V Gar 22s - 003 cots Gass 4a 10+ 08s 004 Insb 017 2x10 m7 007 Compostos IVI os 240 = 93 = ZaTe 226 - 003 oot trico, a posigdo desse elétron ausente na rede cristalina pode ser considerada como se estivesse movendo-se devide ao movimento de outros elétrons de valencia que preenchem repetidamente & ligagdo incompleta (Figura 18.11). Esse processo pode ser compreendido mais simplesmente se 0 clétron ausente na banda de vaiéncia for tratado como uma particula carregada positivamente, chamada de buraco. Considera-se que um buraco tern uma carga com a mesma magnitude daquela de um clétron, porém com o sinal oposto (+1,6 Xx 10-"* C).Dessa forma, na presenga de um campo elétrico, os elétrons excitades ¢ os buraces movem-se em diregdes opostas. Além disso, nos semi- condutores, tanto os elétrons quanto os buracos sto espalhados pelas imperfeigdes na rede, Condutividade Intrinseca ‘Uma vez que existem dois tipos de portadores de carga (0s elétrons livres ¢ os buracos) em um semicondutor intrinseco, a expresso para a condugao elétrica, Equacéo 18.8, precisa ser modifi- cada para incluir um termo que leve em consideragao a contribuigio da corrente devida aos bura- cos. Portanto, podemos escrever, o = ne, + pleas csi3) em que p ¢ 0 mimero de buracos por metro cbico e j4, ¢ a mobilidade dos buracos. A magnitude de, € sempre menor que a de 4, para 0s semicondutores. Para os semicondutores intrinsecos, cada elétron promovido através do espagamento entre bandas deixa para trés um buraco na banda de valencia dessa forma, n=p=n, (18.14) em que n, 6 conhecido como a concentrago de portadoresinirinsecos. Além disso, @ = miele + He) = Ple(He * Hs) meldte + Ho) ‘As condutividades intrinsecas & temperatura ambiente ¢ as mobilidades dos elétrons e dos buracos para varios materiais semicondutores também esto apresentadas na Tabela 18.3. (18.15)Propriedades Elétricas + 627 ©:®@ :@:@: ©:6: ©:@ @:®@ ‘e;8 :©@:@ ©:®@ :©@:©:@:628 + Capitulo PROBLEMA-EXEMPLO 18.1 Célculo da Concentrag3o de Portadores Intrinsecos & ‘Temperatura Ambiente para 0 Arseneto de Galio Para o arseneto de gatio intrinseco, a condutividade elétrica & temperatura ambiente & de 410° (-m)",as mobilidades dos elétrons e dos buracos so, respectivamente, de 0,85 m:IV-s ¢ 0,04 m?/V-s. Calcule a concentracdo de portadores intrinsecos n, 8 temperatura ambiente. Solugao ‘Uma vez que 0 material ¢ intrinseco, a concentragio de portadores pode ser ealculada usando a Equagio 18.15, tal que mele Fas) 10°(Q-m)! (1,6 10 9C)[(0,85 + 0,04) m/V-s] 0 x 10m 18.11 SEMICONDUCAO EXTRINSECA ‘estado doador Dependéncia da ccondutividade em relagio a cconcentragao © & mobilidade dos celétrons para um semicondutor extrinseco do tipo n Virtualmente, todos os semicondutores comerciais so extrinsecos; ou seja,o comportamento elétrico é determinado pelas impurezas, as quais, quando presentes mesmo em concentragdes minima, intro- dduzem um excesso de elétrons ou de buracos. Por exemplo, uma concentragio de impurezas de um ‘tomo em cada 10 étomos é suficiente para tomnar o silfcio extrinseco & temperatura ambiente. Semicondugo Extrinseca do Tipo n Para ilustrar como a semicondugio extrinseca ¢ obtida, considere novamente o semicondutor ele- mentar de silicio. Um dtomo de Si apresenta quatro elétrons, cada um dos quais esté ligedo cova- lentemente 2 um dentre quatro dtomos de Si adjacentes. Agora, suponha que um étomo de impu- reza com valéncia 5 seja adicionado como uma impureza substitucional; as possibilidades incluem 08 dtomos da coluna do Grupo VA da tabela periédica (p.ex.,P,Ase Sb). Apenas quatro dos cinco clétrons de valencia desses dtomos de impurezas podem participar da ligagdo, pois existem apenas quatro ligagdes possfveis com dtomos vizinhos O elétron adicional, que nfo forma ligagbes, fica fracamente preso & regio em tomo do étomo de impureza, por uma atragdo eletrostitica fraca, como ilustrado na Figura 18.124 A energia de ligagio desse elétron € relativamente pequena (da ordem de 0:01 eV);dessa forma, ele é removido com facilidade do atomo de impureza,em cujo caso ele se torna um elétron livre ou de condugao (Figuras 18.126 ¢ 18.12c). ‘estado de energia de um elétron desse tipo pode scr visto a partir da perspectiva do esquema do modelo de bandas eletrOnicas. Para cada um dos elétrons fracamente ligados existe um tinico nivel de energia, ou estado de energia, que estd localizado dentro do espacamento proibido entre bandas, imediatamente abaixo da parte inferior da banda de condugdo (Figura 18.132). A energia de ligacao do elétron corresponde & energia necesséria para excitar 0 elétron desde um desses esta- dos da impureza até um estado dentro da banda de condugdo. Cada evento de excitagao (Figura 18.136) fornece ou doa um tinico elétron para a banda de condugao; uma impureza desse tipo € chamada apropriadamente de doadora. Uma ver que cada elétron doado é excitado a partir de um nivel da impureze, nenhum buraco correspondente ¢ criado ne banda de valencia ‘A temperatura ambiente, a energia térmica dispontvel é suficiente para excitar um grande niimero de elétrons a partir dos estados doadores; além disso, ocorrem algumas transigGes intrin- secas da banda de valéncia para a de condugio, como mostrado na Figura 18.66, mas em intensi- dade desprezivel. Dessa forma, o mimero de elétrons na banda de condugio exzede em muito 0 nimero de buracos na banda de valéncia (ou n >> p) 0 primeiro termo no lado direito da Eque- ao 18.13 suplanta 0 segundo; ou seja, o=nlep, (18.16) ‘Um material desse tipo é dito ser um semicondutor extrinseco do tipo n. Os elétrons sto os ‘portadores majoritdrios em virtude de sua massa especifica ou concentragdo; os buracos, por outro lado, sio os portadores de carga minoritérios. Nos semicondutores do tipo n,o nivel de Fermi € des- locado para cima no espagamento entre bandas, até a virinhanga do estado doador, sua posigdo exata é uma funglo tanto da temperatura quanto da concentragio de doadores,+ cataso condor & [apeoeooee Propriedades Elétricas + 629 Figura 18.12. Modelo de semiconduyioexirinseca do tipo n ete ek) Ui tomo de purer al come 0 faite que pou lao cletrousGe valben, pe statin sz ona is aor ue de eo fairs, que etd ipatoc orbit dlomo de purer.) Eeckals pars Sonar un elvontire (oO morinerto dese elton ive em repos a um campo eleaca, Eleron te na bande da concugso Figura 18.13 (a) Esquema da banda de cenergia eletrOnica para um nfvel de impureza donors locas deakro do cepayareato entre bandas e imediatamente abaixo do nivel inferior da banda de condugto. (6) Exitagio a partir de um estado doador no {qual um elétron livre € gerado na banda de Sondugio.630 + Capitulo estado receptor e é e e @ é e e @ e e @ o Figura 1814 Modelo de semiconduedo entriseca do tipo p (ligagio eletrOnica) (2) Um étomo de impurera al como o boro com irs elétrons de valencia, pode substitu um étome de silico. Iso resulta na falta de um elétron de valéncia ou em um buraco,que estéastociado ao dtomo de impureza.(b) 0 ‘movimento desse buraco em resposta a um campo clérico. Semicondugio Extrinseca do Tipo p Um efeito opasto ¢ produzido pela adigao ao silicio ou ao germénio de impurezas substitucionais trivalentes, tais como aluminio, boro e gélio, do Grupo IITA da tabela periédica. Uma das ligagdes covalentes ao redor de cada um desses étomos fica deficiente em um elétron; tal deficiéncia pode ser vista como um buraco que esté fracamente ligado ao étomo de impureza, Esse buraco pode ser liberado do étomo de impureza pela transferéncia de um elétron de uma ligagio adjacente, como ilustrado na Figura 18.14, Essencialmente, 0 elétron e 0 buraco trocam de posigbes. Um buraco em movimento € considerado como estando em um estado excitado, ¢ participa no processo de condu- Gao de maneira andloga & de um elétron excitado, de um doador como descrito anteriormente. ‘As excitagbes extrinsecas, nas quais sao perados os buracos, também podem ser representadas, usando o modelo de bandas. Cada étomo de impureza desse tipo introduz um nfvel de energia den- tro do espagamento entre bandas, localizado acime, porém muito préximo, parte superior da banda de valencia (Figura 18.15a), Imagina-se que um buraco seja criado na banda de valencia pela exci- tagdo térmica de um elétron da banda de valéncia para esse estado eletrOnico da impureza, como demonstrado na Figura 18.156. Em uma transicao desse tipo, apenas um portador é produzido ~ um buracona banda de valencia: um elétron livre nao 6 criadio nem no nivel da impureza nem na banda de-condugdo. Uma impureza desse tipo ¢ chamada de receptora, pois é capaz de accitar um elétron da banda de valencia, deixando para trés um buraco, Segue-se que o n{vel de energia introduridono espagamento entre bandas por esse tipo de impureza seja chamado de estado receptor. Para esse tipo de condugio exirinseca, os buracos estéo presentes em concentragdes muito maiores que os elétrons (i.,p >> n);e¢ sob essas circunstancias um material € denominado do tipo pois particulas carregadas positivamente so as principais responséveis pela condugao elétrica. Obviamente, os buracos s80 os portadores majoritérios ¢ os elétrons estdo presentes em concen- ands ae congue I emia — Espacamento ~ Esato veconier |. uraco na losnce ce vlence ana valle B |oseseneen & looseoonoars Figura 18.15 (a) Esquema da banda de energia para um nfvel de impureza receptora localizado dentro do ‘espagamento entre bandas ¢ imediatamente acima do topo da banda de valencia, (6) Excitagao de um ‘létcon para dentro do nfvel receptor, eixanco para trés um buraco na banda de valencia,