ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CAO CỦA

MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC

2.1 BỘ KHUẾCH ĐẠI TRANSISTOR Ở TẦN SỐ CAO:

Chúng ta vừa khảo sát: ở tần số thấp mạch có đáp ứng phụ thuộc vào tụ ghép và bypass. Ở
dãy tần số cao, đáp ứng tần số bị giới hạn do các điện dung bên trong của dụng cụ. Trong một
transistor mối nối C-B hoạt động như là một diode phân cực ngược. Khi cực C được phân cực
âm so với B, các lỗ trống trong miền cực base dịch chuyển về phía collector và ngược lại các
electron dịch chuyển từ C về B, các electron trong base và các lỗ trống trong collector dịch
chuyển khỏi tiếp giáp C-B tạo nên vùng khuyết. Chiều dài hiệu dụng của vùng khuyết là L
càng lớn khi điện thế phân cực ngược càng tăng. Vì các điện tử và lỗ trống dịch chuyển khỏi
mối nối, vùng khuyết ở base trở nên tích điện dương và vùng khuyết ở collector trở nên tích
điện âm. Do đó mối hoạt động giống như tụ điện về lý thuyết thay đổi ngược với điện áp V CB.
Thực tế điện dung mối nối C b’c tỷ lệ ngược với luỹ thừa 1/2 hoặc 1/3 điện áp V CB tùy thuộc
vào transistor tần số cao (transistor cao tần). Tại mối nối B-E cũng xuất hiện một điện dung
Cb’e có giá trị lớn hơn nhiều so với Cb’c tiêu biểu vào khoảng 100 đến 5000pF.

2.1.1 Mạch tương đương hình PI:

Hầu hết các kiểu tần số cao của transistor được dùng là mô hình “HYBRID-PI”.
rbb' B’ Cb'c
B C
ib' 1
rb'e C hfeib'
b'e
hoe
E E
Hình 2.1: Mô hình Hybrid – pi của transistor
Trong hình H2.1, ký hiệu B’ để chỉ mối nối cực base và B tiêu biểu cho đầu cuối base của
transistor. Điện trở rbb’ là điện trở tỉ lệ trực tiếp với độ rộng base có trị số khoảng 10 đến 50.
Các transistor cao tần có độ rộng cực base bé nên r bb’ nhỏ hơn so với transistor ở tần số thấp.
Điện trở mối nối B-E:
0.025h fe
rbe  (T  300 o K )
I EQ
1
Trở kháng ra ở tần số cao có thể bỏ qua vì thường lớn hơn RL nhiều. Do đó:
h oe
0.025h fe
h ie  rbb  rbe  rbb  (T  300 o K ) (2.1)
I EQ
Tần số cắt:
Ảnh hưởng của các tụ điện ký sinh vừa nói ở trên ở tần số cao sẽ cho một tần số f  được
định nghĩa như sau: Cho vce = 0, kiểu mẫu HYBRID-PI sẽ trở thành mạch đơn giản.

B rbb’ B’ Cb’c C
ib' iC
1 iLSC
Cb’e rb'e hfeib'
ii hoe RL = 0
Trang 15
E E
Hình 2.2: Mô hình hybrid – pi dùng để tính f
 Ta có độ lợi dòng ngắn mạch:
ic
sẽ suy giảm 3dB tại tần số:
i i v 0
ce

1 1
f   (vì C be  Cbc ) (2.2)
2rbe (Cbe  Cbc ) 2rbe Cbe
Do đó f là tần số ngắn mạch 3dB.
Giới hạn tần số trên của transistor đôi khi được định nghĩa theo f T có độ lợi dòng điện CE
bằng 1. Độ lợi dòng điện ngắn mạch của bộ khuếch đại lý tưởng như H2.2 sau:
ic h fe

ii j (2.3)
1

Độ lợi sẽ bằng 1 khi:
f  f T  f  h fe2  1  f  h fe (2.4)
Tần số fT được gọi là tích số độ lợi khổ tần của bộ khuếch đại.

Kiểu mẫu transistor ở tần số cao trong cách mắc cực base chung như sau:

E C
ii ie rb 'e
Cb’e h fe hfbie Cb’c
Hình 2.3
B B
Độ lợi dòng điện ngắn mạch:
i h fb
A i  sc 
i c v 0 j (2.5)
cb 1
h fe 
Và băng thông 3dB của bộ khuếch đại là f, từ (2.5) ta có:
f   f  h fe (2.6)
So sánh (2.4) và (2.6) ta có: f   f T . Kết quả này không chính xác vì các mạch CB ở trên
không có giá trị ở fT.
Tần số cắt  có thể xác định bằng:
f   (1  )f T  (1   )h fe f  (2.7)
 có giá trị từ 0.2 đến 1, tiêu biểu là 0.4
Để dễ dàng mạch tương đương thứ nhất ở trên bài toán này có thể tính điện áp v b’e hơn là
dòng ib’ chảy qua rb’e. Nguồn dòng điện ngõ ra hfeib’ có thể chuyển thành dòng điện kiểm soát
bằng điện áp:

Trang 16
 v 
h fe i b  h fe  be   g m v be (2.8)
 rbe 
h I EQ 1
và g m  fe   40I EQ ôûT  300 o K; g m  (2.9)
rbe 0.025 h ib
Để tiện dùng ký hiệu cho BJT, FET, TUBE ta dùng ký hiệu gm.
rbb' Cb’c
B B’ C
+ + +
vbe Cb’e vb’e rb'e vce
gmvb’e
E- - E -
Hình 2.4: Mô hình tương đương hybrid – pi với áp được điều khiển bởi dòng
Tóm tắt các phần tử mạch tương đương PI:
rbb  10 ñeán50
h fe
rbe 
40I EQ
I EQ
gm   40I EQ
0.025
hoe tỉ lệ với IEQ
f fe 40I EQ g m
C be   
 T rbe T T
C bc tæleä v cb  vôùip  1 2 ñeán1 3
p

(Cb’c thường được nhà sản xuất cho dưới ký hiệu là Cob điện dung ngõ ra của các mắc CB)

Thí dụ: Đặc tính của transistor 2N3647 được nhà sản xuất cho ở: I CQ = 150mA; VCE = 1V
như sau: fT = 350MHz; hoe = 10-4mho; hfe = 150; Cob = 4pF. Từ các thông số này, tính toán các
tham số của mạch tương đương ở tần số cao nếu transistor hoạt động ở ICQ = 300mA.
Giải:
h fe VCC
150
rbe    12.5
40I EQ 40  300  10 3
Rc C
rbb’ không được cho, Rchúng ta giả sử bằng
c2 10
2
g m  40  0.3  12mho
Cc1 iL
h oe  2  10 4 mho
gm 12 RL
ii C be ri   R  5450pF
T 21  350  10R6 Ce
e
Cb’c = Cob = 4pF Hình 2.5a

2.1.2 Bộ khuếch đại cực phát chung ở tần số cao – điện dung Miller:
B rbb’ B’ Cb’c C
+
ib’ iL
gmvb'e
ii ri Rb rb’e vb'e Rc
Cb’e
-
E Trang 17

Hình 2.5b: Mạch tương đương ở tần số cao

 RL

Để đơn giản ta đặt Rb = Rb//rbb’ và RL = RL//Rc. Mạch có thể xem như loại khuếch đại hồi
tiếp sai lệch dòng điện Cb’c được thay thế bằng Rf.
B rbb’ B’ Cb’c C
ib’ +
iL
ii Rb rb’e vb'e gmvb'e
Cb’e RL
-
Hình 2.5c ’
E sau:
Dùng kỹ thuật hồi tiếp, ta có mạch tương đương mới như
B’ C
+ +
Cb’c jCb’cvb’e RL
i'i Rb’e Cb’e v Cb’c vL
v’L b’e gmvb’e
- -
Hình E
R b 2.6a
Với: i i  i i  ii vì R b  rbb (2.10a)
R b  rbb
Và Rb’e = rb’e // (Rb +rbb’) (2.10b)
Chúng ta giả sử rằng:
1 1
 R L  // RL  RL (2.11a)
C bc Cb 'c
C bc  g m (bỏ nguồn dòng jCb’cvb’e) (2.11b)
Mạch sẽ đưa về dạng tương đương đơn giản như sau:
B’ C
+ +
C iL
b’c
i'i Rb’e Cb’e vb’e RL VL
v’L gmvb'e
- -
E
Hình 2.6b

Trang 18
 Độ lợi vòng:
vL v L v be  jR be C be 
T    g m R L   (2.12)
vL ii 0
v be vL  1  j  R 
be ( C 
be  C  )
bc 

Tổng dẫn vào:

1 i 1
Yi   i   j C be  C bc  (2.13a)
Z i v be vL  0
R be
Tổng dẫn hồi tiếp là:
 1   jg m R L R be C be 
Yif  Yi 1  T     j C be  C bc    1  
 R be   1  jR be (C be  C bc ) 
1
  j C be  1  g m R L  C bc  (2.13b)
R be
Chúng ta nhận thấy mạch vào Thevenin có hồi tiếp gồm có:
Rb’e // Cb’e // (1 + gmRL)Cb’c (2.13c)
Vì thế điện dung ngõ vào được tăng lên bởi điện dung Miller:
CM = (1+gmRL)Cb’c (2.13d)
Do đó điện dung hồi tiếp collector – base được nhân bởi hệ số (1 + g mRL) khi được phản
ánh đến mạch vào. Đây chính là hiệu ứng Miller và thông thường sẽ làm giảm băng thông 3dB
ở tần số cao.
Nếu trở kháng tải là ZL thì:
YM = j(1 + gmZL)Cb’c
Tổng dẫn ra:
Tổng dẫn ngõ ra Thevenin có hồi tiếp:
 1  1 jg m R L R be C be
Yof   1  T    (2.14a)
 RL  R L 1  jR be (C be  C bc )
1 1 1 1
Yof    
RL (Cbe  Cbc ) 1 RL R  1 (2.14b)

g m Cbc jg m Rbc Cbc j C
Tổng dẫn ra gồm có điện trở RL song song với một mạch RC với
1  C be  C be
R 1    (2.14c)
g m  C bc  g m C bc
và C = gmRb’e B’Cb’c C (2.14d)
+
+ C
Độ lợi dòng điện ngắn mạch: Cb'e
i'Từ v A i’ R v
i mạch tương rbb’ rb'e
Rb +đương Norton, chúng b'e ta xác định kế tiếp iscđộ i lợi Rdòng điện LngắnL mạch A isc.
Từ hình vẽ H2.6b trên cho ta: v L  v L - 0 ,

 A isc 
i sc

i scE v be C M  1
 

 g mgRm bRe L Cb 'c  -
(2.15)
i i v be i i 1  jR be (C be  C bc )
Hình 2.7: Mạch tương đương Norton
Mạch tương đương Thevenin có thể vẽ từ mạch Hình 2.6a và 2.6b kết hợp với các phương
trình (2.13a), (2.14b) vàR(2.15)
b’e để cho H2.7. Mạch tương đương đơn giản hơn có thể từ hình vẽ
2.6b dùng hiệu hiệu ứng Miller (2.13d) B’ để có H2.8. Từ đây có thể tính độ lợi dòng + điện và trở
+
kháng nhập. gmvb'e
i'i C C vb'e RL vL
rb'e b'e M
Rb + rbb’
- - Trang 19

Hình 2.8: Mạch tương đương dùng hiệu ứng Miller

 Độ lợi dòng điện và băng thông:
Từ mạch tương đương Hình 2.8, dùng kỹ thuật hồi tiếp:
Ai
A if  (2.16)
1 T
1
h 
R be  C be  C bc (1  g m R L )
Kết quả:
i g m R be
A if  L  (2.17)
i i 1  jR be (C be  C M )
Độ lợi dãy giữa là:
Aim = gmRb’e (2.18a)
Độ lợi suy giảm 3dB ở tần số:
1
fh  (2.18b)
2R be (C be  C M )
Được gọi là tần số 3dB ở phía trên. Khi dùng các bộ khuếch đại RC, f h lơn hơn rất nhiều so
với fL, do đó ta định nghĩa băng thông 3dB là (fh – fL).

Av Tần số thấp Tần số giữa Tần số cao

gmRb'e 6dB/octave

L h

1
h 
Rb 'e  Cb 'e  1  g m RL  Cb 'c 
Hình 2.9: Đáp ứng tần số của mạch CE

Trang 20
 Thí dụ: Một bộ khuếch đại có các tham số: ri = 10K; Cb’c = 2pF; Rb = 2K; Cb’e = 200pF; rbb’
= 25; gm = 0.5mho; RL = 200; rb’e = 150. Tìm độ lợi dãy giữa và tần số 3dB – fh.
Giải: VCC

Từ (2.18a) ta có độ lợi dòng điện dãy giữa là:

Aim = -gm(Rb + rbb’) // ri // rb’e  -0.5150 = -75 Rc C
R2 c2
Tần số 3dB fh (1.18) :
Cc1
  1  iL
C be  C M  200  21  200   400pF
  2 
RL
1 ii ri R1
fh   2.6MHz Re Ce
2R be (C be  C M )
1
f h   400MHz Hình 2.10
2R L C bc
Vì: fh = 2.6MHz << 400MHz
Mỗi khi f được dùng xấp xỉ bằng fh. Trong ví dụ này:
1
fh   5.3MHz
2R be C be
Do đó sự xấp xỉ không chính xác, và điều này đạt được chỉ khi có:
Cb’e >> Cb’c(1+gmRL) và Rb’e  rb’e

2.1.3 Mạch phát theo ở tần số cao:

VCC

ri Cc1→∞
Cc2→∞
Rb +
vi
Re RL ve
VBB
-
Hình 2.11a
+ vb’e -

ri Cb’e
B rbb’ B’ E
rb’e +
Rb Cb’c Re RL
vi gmvb’e ve
-
C
Zi Z’i Zo
Trong hầu hết các mạch phát theo, độ lợi điện áp đều mong muốn bằng 1 do đó r i được
Hình 2.11b: Mạch tương đương ở tần số cao
chọn rất bé, Rb được chọn rất lớn để tiện tính toán ta xem như vô hạn. Trở kháng nhập và xuất
ở tần số giữa, độ lợi ở tần số giữa là:

Trang 21
 Zim = hie +(hfe + 1)R’e  hfeR’e (2.19a)
R’e = Re // RL
r  h ie ri  rbb  rbe
Z om  i  (2.19b)
h fe  1 h fe  1
v
A vm  e  1 (2.19c)
vi

Bây giờ ta xác định ảnh hưởng của Cb’c và Cb’e:

Trở kháng vào:
r  h fe R e
Zi  R e  be
s (2.20)
1

Kết hợp với rbb’ và Cb’c cho ta trở kháng của Zi. Nếu R’ >> R’e có thể bỏ qua R’e thì giá trị
Z i bằng 0.707 lần giá trị dãy giữa xảy ra ở tần số:
1
1  (2.21a)
(rbe  h fe R e )(C bc  C)
1 C be
Với C   (2.21b)
 ( rbe  h fe R e ) 1  g m R e
R’i
ri rbb' R'e
+ 1
C ' 
vi Cb’c v'b R'  rb 'e  h fe R'e    rb 'e  h fe R'e 
- Cb 'e

Zi Z’i 1  g m R 'e
Hình 2.12: Trở kháng vào của mạch EC ở cao tần

Mạch tương đương trên ta thấy rằng Zi có 1 cực và zero. Ở các tần số rất cao
 1 
 treân  , Zi  rbb’ nhỏ hơn so với dãy giữa nhiều.
 rbb C bc 
Trở kháng ra:
 
 
rbe  R i 1  sC be (rbe // R i ) 
Zo  (2.22)
h fe  1   s  s 
 1  1   
   T  i  
Với R’i = ri + rbb’ (2.23a)
1
Và i  (2.23b)
R i C bc

Trang 22
 Nếu R’i nhỏ hơn rb’e nhiều, zero ở (2.22) xảy ra ở tần số cao hơn  nhưng nhỏ hơn i. Ở
tần số này trở kháng ngõ ra bắt đầu tăng cao hơn giá trị ở dãy giữa. Ở các tần số cao hơn các
cực ở mẫu số của (2.22) và trở kháng giảm.
Độ lợi điện áp:
v v
A v  e  b
v b v i
ve
Ta tính bằng cách viết phương trình nút ở điểm nút Emitter:
v b
v be v
 g m v be  e (2.24a)
Z be R e
rbe
Z be 
Với s
1

Vì vb’e = vb’ – ve, (2.24b)
(2.24a) có thể viết:
 1  ve
 v b  v e   g m    (2.24c)
 Z be  R e
1
gm 
Z be
Và ve  vb  vb (2.25a)
1 1
gm  
Re Z be
 1 
 vì R e   (2.25b)
 g m 
Chú thích: Độ lợi điện áp từ B’ đến E xấp xỉ bằng 1, và độc lập đối với tần số. Độ lợi điện
v b
áp có thể xác định từ mạch ngõ vào và tương đương của hình vẽ trên. Ở tần số thấp hơn
vi
, trở kháng của C’ lớn hơn trở kháng R’. Do đó C’ có thể bỏ qua.
v b 1 1
  vôùis  j  j
v i 1  sC bc R i s (2.26a)
1
i
Giả sử rằng R’i << rb’e + hfeR’e. Cho s = j = j
v 1
 b  1
vi   
2
(2.26b)
1   
 i 
Ở tần số cao hơn , trở kháng của C’ nhỏ hơn (r b’e + hfeR’e) do đó hình vẽ trên có thể đơn
giản thành H2.13. Mạch tương đương đơn giản phát theo tần số cao:

R 'i  ri  rbb ' R’e

+
Cb 'e
vi Cb’c vb' C'
1  g m R 'e
- Trang 23

Hình 2.13: Mạch vào EF đơn giản ở cao tần

 Độ lợi:
v b 1  sCR e
 (2.26c)
v i 1  s (R e  R i )C  R i C bc   s 2 R e CR i C bc
ve v
Vì  1 xem như là ở mọi tần số theo (2.25a). Vậy độ lợi điện áp được coi như là b và
v b vi
được tính theo (2.26a) và (2.26b). Khi đó tần số 3dB của mạch được phát theo được tính theo
(2.26c).
Thí dụ: Mạch phát theo hình vẽ Hình 2.11 có các tham số:
Cb’e = 1000pF; hfe = 100; Cb’c = 10pF; R’e = 100
Rb’e = 100; R’i = 100; rbb’ = 30.
Tìm Zi, Zo và Av.
Giải:
Zim = rbb’ +rb’e + (1 + hfe)R’e  10K
Vì rb’e + hfeR’e >> R’e. Dùng (2.21a) có thể cực tần số thấp nhất của Zi. Dùng (2.21b)
C be C be 1000  10 12
C     10pF
1  g m R e h fe 1  100
1 R e
rbe
1 1
Và 1    5  10 6 rad / s
 
(rbe  h fe R e )(C bc  C ) (100  10 )(10  10)10
4 12

H2.14 cho biểu đồ tiệm cận của Zi.

rb 'e   h fe  1 R'e  10
6dB/octave
4
Không xác định
Đường
thực tế
6dB/octave

rbb' = 30 , Mrad/s
=5 1
 3300
1

= 10 rbb 'Cb 'c

Từ (2.22), với:
Hình 2.14: Trở kháng vào của mạch EF
gm 1
T   10 rad / s và i 
9
 10 9 rad / s
C bc R i C bc

Trang 24
    s 
  1  
rbe  Ri 1  sC be (rbe // Ri)  (100  100)(1  s  10  50)
9
 2 10 7 
Và Z o   2
h fe  1   s  s   s  s   s 
2

 1  1    1011  9 1  9    9 

1
  T  i    10  10   10 

Zo ,
100 6dB/octave
50

10 Đường thực tế
2
, Mrad/s
1 = 10 20 100 1000 10,000
Hình 2.15: Trở kháng ra của mạch EF
Độ lợi điện áp: Xấp xỉ bằng 1 ở    theo (2.25a) và (2.26b). Để xác định tần số 3dB ta
dùng (2.26c):
1  s  100  10  10 12
Av 
 
1  s (200)(10  10 12 )  (100)(10  10 12 )  s 2  100  10  10 12  100  10  10 12
s
9 1 9
1  10 s 10
 9 18 2

1  3  10 s  10 s  s  s 
1  9 
1 9 
 0.38  10  2.62  10 
Av = 380 Mrad/s
1 6dB/octave
0.707
0.38

0.1 , Mrad/s
10 100 440 1000 2620
2.1.4 Dao động ở tầnHình 2.16: Độ lợi áp của mạch EF
số cao:
Trong thực tế, các mạch phát theo trở nên bất ổn và sinh ra dao động ở tần số cao. Do các
điện dung dây nối sai lệch từ emitter xuống đất dài với trở kháng nội của nguồn cung cấp, làm
cho độ lợi dòng lớn hơn 1. Tính bất ổn có thể loại trừ bằng cách tăng r i cho đến khi ngừng dao
động. Điều này lại bất lợi là tăng trở kháng nhập và giảm độ lợi. Giải pháp khác, thêm vào
cảm kháng có Q thấp nối tiếp với ri. Trở kháng này được chọn để trở kháng của nó trong dãy
tần số được chọn có thể bỏ qua, trong khi ở tại tần số dao động nó lại có 1 giá trị trở kháng
cao. Hiệu quả sẽ làm tăng giá trị ri ở tần số cao.

Trang 25
2.2 FET Ở TẦN SỐ CAO:
ri G Cgd D
+ +
ri D
vi vgs Cgs gmvgs rds Rd vd
S Rd - -
vi S
Hình 2.17b: Mạch tương đương ở tần số cao

Hình
Ở tần số cao, các 2.17a
điện dung ở các mối nối trong FET là C gs và Cgd. Từ kết quả phân cực
ngược mối nối diode, điện dung Cgs và Cgd có thể tương tự như Cb’c.
C gs ~  - Vgs 
1 2
Do đó Vgs  0 (2.27a)
C gd ~  - Vgd 
1 2
Vgd  0 (2.27b)
Vì v gd  v gs do đó: Cgd << Cgs (2.27c)
Tiêu biểu: Cgs có giá trị khoảng 50pF ở các FET tần số thấp, nhỏ hơn 5pF ở các FET cao
tần. Tụ hồi tiếp Cgd thường nhỏ hơn 5pF và ở các IGFET cao tần thì nhỏ hơn 0.5pF.

2.2.1 Bộ khuếch đại nguồn chung (CS) ở tần số cao:

Tụ điện Miller được tính bằng:
CM = Cgd (1 + gm(rds // Rd)) (2.28a)
Kết quả này có giá trị đối với tần số thỏa:
1 g
  vôùi  m (2.28b)
C gd (rds // R d ) C gd
Ta vẽ được mạch tương đương sau:
ri G D
+
+ CM 
vi Cgs vgs r vd
C gd 1 g m  rds // Rd   gmvds ds Rd
- -
S
Hình 2.18: Mạch CE khi loại bỏ hồi tiếp
So sánh hình vẽ của mạch tương đương BJT ta thấy có dạng giống nhau.
Độ lợi điện áp:
v 1
A v  d  g m  rds // R  (2.29a)
vi
A1v jri (C gs  C M )
Tần số 3dB là:
 1
f h  g m rds // Rd
2ri (C gs  C M )
 (2.29b)

Độ lợi điện áp được vẽ ở hình sau:

1
h 
ri  C gs  C M  Trang 26

Hình 2.19: Đáp ứng biên tần của mạch khuếch đại CS
 Thí dụ: Bộ khuếch đại FET như H2.17 có các giá trị sau:
Rd = 10K; rds = 15K; gm = 310-3mho; Cgs = 50pF; Cgd = 5pF
Tìm ri để đảm bảo băng thông ít nhất là 100KHz
Giải:
Từ (2.29b) ta có:
1 1
ri  
2f h (C gs  C M ) 2(10 )(50  10  5  10 12 (1  3  10 3  6  10 3 ))
5 12

= 11K (CM tính từ (2.28a)).

Ta có thể chọn ri = 10K

Độ lợi điện áp khi ri = 0: Xét bộ khuếch đại dùng FET như H2.17a, với r i = 0, mạch tương
đương có vẽ như hình 2.20b ở trên và đơn giản là hình 2.20c.
Cgd
+ +
vi gmvgs rds//Rd vd  g m  jC gd vi Cgd rds//Rd vd
- -
Hình 2.20a Hình 2.20b
Nếu ta có: vgs = vi.
A v  d    g m  jC gd 
v rds // R d
vi 1  jC ds  rds // R d 
jC gd
1
gm (2.30)
 g m  rds // R d 
1  jC ds  rds // R d 
Với g m  rds // R d  >> 1 (2.31)
Độ lợi điện áp được vẽ ở hình 2.21.
Av
g m  rds // Rd 

1
gm
1 C gd
h  Trang 27
C gd  rds // Rd 
Hình 2.21: Độ lợi áp của mạch khuếch đại dùng FET
 Chú ý: nếu Rd vô hạn, băng thông 3dB của bộ khuếch đại cực nguồn chung sẽ bị giới hạn
bởi điện trở rds và tụ điện Cgd.

2.2.2 Đáp ứng tần số cao của mạch nguồn theo: (Source Follower)
ri G Cgs S
ri D +
G i i’0
S + vi Cgd gmvgs rds Rs vs
vi
vs -
Rs D
- Z’i Z’o

Hình 2.22b: Mạch tương đương ở cao tần

Mạch nàyHình
khác2.22a
với loại phát theo ở BJT vì có điện trở vô hạn song song với C gs thay vì rb’e
rất bé ở BJT.
Trở kháng vào:
v gd  1 
Zi    rds // R d    1  g m (rds // R d )  (2.32)
i  jC 
 gs 

C gs
C'
ri G 1  g m  rds // Rs 

vi Cgd rds//Rs

Zi D Z’i
Hình 2.23a: Mạch tính Zi
ri G ri G
C gs
vi Cgd 1 g m  rds // Rs  Cgd rds//Rs
vi

Zi D Zi D

Hình 2.23b: Khi << gm/Cgs Hình 2.23c: Khi >> gm/Cgs
Từ Hình 2.23a trở kháng nhập gồm có Cgd song song với mạch nối tiếp RC.
Giả sử: g m (rds // R d )  1 (2.33a)

Trang 28
 2
 g 
Zi  (rds // R d )   m  (rds // R d ) 2
2 2
Ta có: (2.33b)
 C 
 gs 
gm
Tụ C’ có trở kháng cao hơn điện trở (rds // R d ) miễn là:  
C ds
Trong dãy tần số này, mạch tương đương có thể vẽ đơn giản như H2.23b. Đối với các tần
gm
số thỏa   mạch tương đương trở thành H2.23c. Ta có:
C ds C gs
C'
1  g m  rds // Rs 
1
1 Zi
1 jC(rds // R s )
Zi   (2.34) 6dB/octave
jC gd 1 1 1 
1   
j(rds // R s )  C C gd 
Trở kháng ra:
Từ H2.22b ta có:
v 1 1  j(C gd  C gs )ri
Zo  s  
i o v  0 g m  jC gs 
1  jri C gd 
(2.35a)
i 1  1
 gm  1 1  1 
 
C ' rds // Rs  C ' C  r // R 

Nếu ri = 0, các tiệm cận của Zo tương đương  gd  ds s 
với 1/gm đến tần số 1: Hình 2.24a: Đặc tính Zin theo tần số
g
1  m (2.35b) Zo
C gs
6dB/octave
1
Và sẽ giảm ở mức 6dB/octave
gm
Độ lợi điện áp: ri = 0
v v vg
Av  s  s  (2.36)
vi vg vi gm
1 
C gs
Hình 2.24b: Trở kháng ra
vs Av
được tính trực tiếp từ hình 2.24b bằng 6dB/octave
vg
1
cách dùng KCL:
(gmvgs + i)(rds // Rs) = vs (2.37a)
i
Với v gs  v g  v s  (2.37b)
jC gs 1 (Mrad/s)
Thay vào (2.37a) ta có: h   100
ri C gd
 jC gs 
 1  Hình 2.24c: Độ lợi áp
vs g m (rds // R s )  gm  1
 (2.37c)
v g 1  g m (rds // R s )  (rds // R s ) 
1  jC gs 1  g ( r // R ) 
 m ds s 

Trang 29
vg gm
được tính từ H2.23 ở các tần số thấp hơn .
vi C gs
vg 1

Ta có: vi  C gs  (2.38a)
1  jri C gd  
 1  g m (rds // R s ) 
gm
Ở các tần số cao hơn dùng hình vẽ 2.23c ta có:
C gs
vg 1 ri // rds // R s 
   (2.38b)
vi ri 1  jC gd (ri // rds // R s ) 
vg
Nếu ri  0,  1 không phụ thuộc vào tần số.
vi
Thí dụ: Một mạch nguồn theo FET, có các thông số sau đây:
Cgs = 6pF; Cgd = 2pF; rds = 70K; gm = 310-3mho. Nếu Rs = 10K và ri = 5K, vẽ độ lợi điện
áp theo tần số và xác định tần số 3dB.
Giải:
Độ lợi điện áp là:
v v vg
Av  s  s 
vi vg vi
Từ (2.37c) ta suy ra:
vs
1
vg
vg
Để xác định , ta xét các tần số nhỏ hơn:
vi
gm 3  10 3
 12
 5  10 8 rad / s
C gs 6  10
Dùng (2.38a) và ta chú ý rằng:
C gs
C gd 
1  g m (rds // R s )
vg 1 1
Av   
v i 1  jri C gd 1  j  10 8
Vậy tần số 3dB là:
gm
h = 100106rad/s <
C gs
Xem hình vẽ độ lợi điện áp ở H2.24c.

2.3 BỘ KHUẾCH ĐẠI ĐA TẦNG RC:

Trang 30
 Giữa các tầng, khi ghép lại có sự tương tác, do đó phép tính phức tạp hơn đơn tầng rất
nhiều. Phương pháp tính toán, bắt đầu từ tầng cuối cùng, sau đó đi dần tới mạch vào, nhờ đó ta
có được các trở kháng Miller.
VC C

Rc2 Cc 3→∞
Rc1
Cc 2→∞
Cc 1→∞ iL

Rb1 Rb2
RL
ii ri VBB Re1 VBB Re2
Ce1→∞ Ce1→∞

Hình 2.25a: Mạch khuếch đại liên tầng

ii B1 rbb’ B’1 Cb’c C1 B2 rbb’ B’2 Cb’c C2 iL

+ +
ri Rb1 rb’e vb'1 C Rc1 Rb2 rb’e vb'2 Cb’e Rc2 RL
b’e gmvb’1 gmvb’2
- -
E1 E2
Hình 2.25b: Mạch tương đương tần số cao
B’ Cb’c B’ iL
+ 1 + 2
gmvb'2
rb’e gmvb'1
ii ri Rb1 vb'1 Rc1 Rb2 vb'2 rb’e Rc2 RL
Cb’e
- -

Hình 2.26: Mạch rút gọn C 2  Cb 'e  C M

Để tính toán độ lợi dòng điện A i = iL/ii, giả sử bỏ qua rbb’, dùng các kết quả của phần 2.1.2
để xác định điện dung Miller của tầng thứ hai. Ta được H2.26.
Tuy nhiên mạch vẫn còn phức tạp, để đơn giản ta thay:
R 2  R c1 // R b 2 // rbe (2.39)
C 2  C be  C bc 1  g m  R L // R c 2   (2.40)
với C M  C bc 1  g m  R L // R c 2  
R 1  ri // R b1 // rbe . (2.41)
Ta được mạch đơn giản như hình 2.27:
A C
B’1 b’c B’2
+ + iL
ii R1 Cb’e vb’1 gmvb'1 R2 C2 vb’2 Rc2 RL
gmvb'2
- -
Trang 31
A’
Hình 2.27: Mạch rút gọn đơn giản hơn
 Để đơn giản hơn ta xác định trở kháng Miller nhìn vào các cực AA’.
1 1
 YAA  sC bc 
Z AA 1 C2 (2.42)

sC bc g m R 2 g m C bc
ZAA’ Cb’c
Công thức trên chứng tỏ rằng ZAA’ gồm có 1 tụ Cb’c
song song với mạch RC nối tiếp như H2.28. gmR2Cb’c
Kết quả cuối cùng ta được mạch tương đương như H2.29.
Hình 2.28
iL
+ gmR2Cb’c +
gmvb'1 vb’2 gmvb'2
ii R1 vb’1 Cb’e Cb’c C2 R2 C2 Rc2 RL
- g m Cb 'c -

Hình 2.29: Mạch tương đương cho hai tầng khuếch đại CE

Độ lợi dòng điện là:

iL i v v
Ai   L  b 2  b1
ii v b 2 v b1 i i
 s 
R 1 1  
 g m R c2  g m R c2   2 
   (2.43a)
R c2  R L s  1 1   s 2
  C  C 
1 1  s      b e b c

2 
 1  2   
 1 2  C 1 
Chú ý: Vẫn có biểu thức s/2 nhưng có ký hiệu đơn giản và mẫu số cho (1 + s/2)
1 1
với 1  ; 2  (2.43b) và (2.43c)
R1C1 R2C2
C1  C be  1  g m R 2  C bc (2.43d)
Băng thông 3dB khuếch đại trên có thể rút ra từ (2.43a)
2 2
  2h  C be  C bc   1 1 
1      2h     2 (2.44)
 1 2  C1   1  2 
Giải ra ta có:
 2 
1 2    2 1    2 1 
  2
    2  1  q       2 1  q    4 q 2 
(2.45a)
2q 2   1  2    
h

   1 2  
C  C bc
với q  be (2.45b)
C1
Thí dụ: Tìm độ lợi và băng thông của mạch Hình 2.25a nếu:

Trang 32
 rb’e = 100, rbb’ = 0
Cb’e = 100pF, Cb’c = 1pF
Rc1 = Rc2 = Rb1 = Rb2 = ri = 2K
RL = 100, hfe = 100.
Giải: Độ lợi dãy giữa có thể tính từ (2.43a) bằng cách cho s = j = 0.
 g2 R 
A im   m c 2 R 1 R 2   g m rbe   h fe2  10 4
2

 R c2  R L 
Để xác định tần số 3dB, ta phải tính 1, 2, và q.
C M  C bc 1  g m rbe   h fe C bc  100pF
1 1 1 1
1   2    
R 2 C 2 rbe (C be  C M ) 100  (10  10 ) 2  10 8
10 10

Dùng (2.45b) ta được:

10 10  10 12 1
q  10 12

10  100  10 2
Tần số gãy được tính từ (2.45a)
10 16 
 1  1  2(1 / 2)   1  1  2(1 / 2)   4(1 / 2) 2   0.08  1016
2
h 
2
2 
8(1 / 2)  
Suy ra:
 h  28 Mrad / s  f h  4.5MHz 

2.4.1 Ghép liên tầng dùng FET:

VC C

Rd Rd
Cc1→∞
Cc1→∞ +
ri

Rg RL vL
vi Rg
-

ri G1 Cgd Hình 2.30aG2 Cgd

+ + +
vi Rg Cgs vg1s gmvg1s vg2s Cgs gmvg2s vL
- - -
Rd//rds//Rg Rd//rds//RL

Hình 2.30b: Mạch tương đương ở cao tần

Trang 33
 Từ mạch tương đương và đồng nhất trên với trường hợp BJT, ta có tần số 3dB được chọn ở
(2.45) với:
R 1  ri // R g (2.46a)
R 2  R d // rds // R g (2.46b)
C1  C gs  C gd 1  g m (R d // rds // R g )  (2.46c)
C 2  C gs C gd 1  g m (R d // rds // R L )  (2.46d)

2.4 TÍCH SỐ ĐỘ LỢI KHỔ TẦN:

2.5.1 Tích số độ lợi khổ tần của mạch khuếch đại đơn tầng:
Định nghĩa: Tích số độ lợi khổ tần GBW:
GBW  A im f h (2.47)
Đối với tầng khuếch đại CE lý tưởng đơn tầng, (R L  0) độ lợi dãy giữa xấp xỉ bằng hfe và
tần số 3dB cao là f :
h fe gm
 GBW  f  h fe  f T   (2.48)
2rbe C be 2C be
Nhà sản xuất thường cho biết giá trị của fT và được dùng để ước lượng GBW cho
transistor. Sự phỏng định này là giới hạn trên, giá trị thật sự sẽ giảm do điện dung Miller đã bỏ
qua khi đến (2.48).
Để ước lượng chính xác, xét (2.18):
g R  1  gm
 GBW  m be   (2.49)
2  R be (C be  C M )  2(C be  C M )
So sánh (2.48) và (2.49) ta thấy CM làm giảm GBW

Thí dụ 1: Tìm GBW của bộ khuếch đại sau, với các giá trị được cho như sau: r i = 1K; Cb’c
= 2pF; Rc = Rb’e = 100; Cb’e = 100pF; Cb’c = 1pF; hfe = 100.
Giải:
B’
+
ic
ii ri rb'e vb'e Rc
gmvb'e
Rc -
ii ri E Cb’e + CM

Hình 2.31a Hình 2.31b

C M  Cb'c 1  g m Rc 

Từ (2.49) ta có:
gm
 GBW   0.8GHz
2(C be  C M )

Trang 34
 gm 1010
Với: fT    1.6GHz
2C be 2
Tích số độ lợi khổ tần của FET:
Từ (2.29) ta tính được:
 1 
GBWFET  g m  rds // R d    (2.50)
 2ri (C gs  C M ) 
Công thức trên thường dùng để chuẩn hoá bằng cách giả sử rằng:
gm
ri  rds // R d  GBWFET  (2.51)
2(C gs  C M )
Thí dụ 2: Tìm GBW của bộ khuếch đại dùng JFET có thông số: g m = 310-3mho; Cgs =
6pF; Cgd = 2pF; Rd = 10K; rds = 70K.

Giải:
CM = Cgd[1 + gm(rds // Rd)] = 10-12(1 + 3 70/8) = 54pF
gm 3  10 3
GBW    8MHz
2(C gs  C M ) 2(6  54)10 12
So sánh với thí dụ trước ta thấy transistor có GBW cao hơn nhiều do g m rất lớn trong
transistor.

Thí dụ 3: Một IGFET có thông số: gm = 2.510-3mho; Cgs = 6pF; Cgd = 0.6pF; Rd = 10K; rds
= 60K. Tìm GBW.
Giải:
CM = Cgd[1 + gm(rds // Rd)] = 0.6  10-12(1 + 2  2.5  60/7) = 14pF
Từ (2.51) ta có:
gm
GBW   20MHz
2(C gs  C M )
Nhận xét: GBW của IGFET cao hơn so với JFET nhưng vẫn nhỏ hơn BJT.
VC C
2.5.2 Tích số độ lợi khổ tần của mạch khuếch đại đa tầng:
2.4.2

Tầng 1 Tầng 2 Tầng N

Hình 2.32a

gmvb'1 gmvb'N
ii rb’e RL
Cb’e Cb’e Cb’e
Trang 35

Hình 2.32b: Mạch tương đương

 Giả sử: rbb’ = Cb’c = 0 (về mặt trị số) ta sẽ ước tính số độ lợi khổ tần cực đại:
RL << Rc (2.52a)
Rb’e = Rc // Rb // rb’e  ri // Rb // rb’e (2.52b)
1
1  (2.52c)
R be C be
i i vb vb vb
Ai  L  L  n    2  1
ii v b n v b n 1 v b1 i i
     
     
 g m R be       g m R be     g m R be   g m R be  n
 g m  
(2.53)
 s   s   s  
n

 1   1   1  s 
1 1 1 1  
       1 
A im    g m R be 
n
Độ lợi dãy giữa: (2.54)
Tần số 3dB được tính bằng cách cho A i  A im 2
n 2
    2

 1   h   21 2 (2.55)
  1 
h f h
Giải ra ta có:   21 n  1 (2.56)
1 f 1
Ta lập bảng, với fh là tần số 3dB:
Nhận xét: Băng thông 3dB suy giảm chậm kể từ tầng thứ 2 trở đi.

Thí dụ 1: Tìm độ lợi dãy giữa và băng thông của bộ khuếch đại 2 tầng. Dùng tính toán ở
trên, so sánh với giá trị tính được khi thêm vào hiệu ứng Miller.
Giải:
Ở thí dụ trong mục 2.3 ta có: Aim = 104. Dùng (2.52b) ta có:
1
R be  rbe // R c // R b  rbe  100  f h   15.9MHz
2(100)(100)(10 12 )
Từ bảng trên, cho n = 2, fh = (0.64)(15.9MHz) = 10MHz. So với mục 2.4 của cách tính
trên, fh = 4.5MHz khi thêm vào hiệu ứng Miller. Chú ý rằng: Tích số GBW bao gồm điện
dung Miller là: (104)(4.5106) = 4.5GHz. Trong khi thiết kế, các đặc tính gồm độ lợi dãy
giữa, tần số 3dB – fh và transistor loại nào là các dữ liệu để chúng ta dựa vào đó mà định các
chế độ làm việc và tần số cần thiết để thỏa mãn yêu cầu.

Thí dụ 2: Thiết kế bộ khuếch đại có độ lợi dãy giữa là 5000, tần số 3dB là 200KHz.
Transistor có hfe = 100; fT = 10MHz và Cb’c = 10pF.

Trang 36
 Giải: Dùng GBW = fT và Aim = hfe cho mỗi tầng. Do đó để có bộ khuếch đại có A im = 5000
ta cần ít nhất là 2 tầng khuếch đại. Giả sử 2 tầng giống nhau, độ lợi dãy giữa cho mỗi tầng là:
5000  71
fT 10 7
Giả sử: GBW  f T  f h    140KHz
A im 71
Cho n = 2 ,ứng với 2 tầng, từ bảng trên ta có:
Fh < (0.64)(140)(103) = 90KHz
Nhận xét: với 2 tầng giống nhau, không đủ cung cấp độ lợi cần thiết và dải thông đồng
thời. Ta dùng 3 tầng, khi độ lợi dãy giữa của mỗi tầng là:
10 7
3
5000  17; f h   590KHz
17
Tra bảng với n = 3  fh < 0.51590103 = 300KHz. Do đó nếu điện dung Miller không
làm giảm số này xuống dưới giá trị 200KHz cần thiết thì bộ khuếch đại có 3 tầng có thể sử
dụng được.
Bước kế tiếp, ta ước lượng điện dung Miller. Dùng (2.49) để ước tính GBW cho mỗi tầng.
Ta giả sử dòng điện tĩnh IEQ = 2mA (tuỳ định) để rb’e và Cb’e có thể ước tính được, suy ra rb’e =
1200, gm = 0.08 mho và:
h fe 100
C be    1300pF
2rbe f T 2  1200  10 7
Từ (2.49) GBW cho mỗi tầng là:
gm 0.08
A im f h  
2(C gs  C M ) 2[(10 13)  (1  0.8R be )  10 11 ]
10

Với Rb’e = Rb // Rc // rb’e là điện trở liên tầng, do đó g mRb’e là độ lợi dãy giữa cho mỗi tầng
mà ta tính bằng 17  Rb’e = 17/0.8 = 210
0.08
 GBW  17f h   8.6MHz
2[(10  13)  (18  10 11 )]
10

và fh = 507KHz cho mỗi tầng khuếch đại thay vì 590KHz.

Từ bảng trên cho n = 3 suy ra tần số 3dB cho tầng 3 là: f h = 0.51507103 = 258KHz, thỏa
mãn băng thông theo yêu. Ta có ước lượng điện trở cần thiết giữa các tầng và ngõ vào, ngõ ra
bằng cách chú ý: Rb’e = 210 và rb’e = 1200. Điện trở tải bên mỗi collector là Rb’e = Rb //
Rc // 1200 = 210 hay Rc // Rb = 260.
Các giá trị ở trên chưa kể đến hiệu ứng Miller, tuy nhiên với độ dự trữ trên cũng đủ để thỏa
yêu cầu của đề bài.



Trang 37