Robert &.Reed-Hill (CIA. EDITORIAL CONTINENTAL, S. A. DE C. V., MEXICO DISTRIBUIDORES: ESPANA-ARGENTINA-CHILE-VENEZUELA-COLOMBIA-PERU. Bolivia — Brasil — Costa Rica — Dominicana — Ecuador — El Salvador Estados Unidos — Guatemala — Honduras — Nicaragua — Panama — Paraguay Portugal — Puerto Rico — Uruguayee —— ~ Titulo original en inglés: LLURGY PRINCIPLE: s Traducido por: ING. ANTONIO GALAN PATINO Edicién autorizada por: LITTON EDUCATIONAL PUBLISHING INTERNATIONAL “Published by D. Van Nostrand Company, copyright © 1973 by Litton Educational Publishing, Inc.” Library of Congress Catalog Card Number: 79-181094 ISBN: 0442-06864.6 Tercera impresién: noviembre de 1982 ISBN-968-26-0086-3 Derechos Reservados © en Lengua Espaiiola~1979, Primera Publicacién CIA. EDITORIAL CONTINENTAL, 8. A. DE C. V. CALZ. DE TLALPAN NUM. 4620, México 22, D. F. MIEMBRO DE LA CAMARA NACIONAL DE LA INDUSTRIA EDITORIAL Registro Nim, 43 DISTRIBUIDORES PRINCIPALES EN: CAvVANILLES Ntm. 52, Maprip 7, Espana Av. Canninc Nims. 96, 98 y 100, Esq. PADILLA, 1414 Buenos Aires, ARGENTINA MiraFLores NbM. 354, SANTIAGO DE CHILE, CHILE Ven-Lex, C, A., Av. Furrzas Anmapas, Esq. SAN MicuEL Eprricio Roprimer, Piso 6, CaRACAS, VENEZUELA CALLE 11 Nb. 2-56, BocorA, CoLomBIA Av. REP. DE PANAMA NOM. 2199, La Victorta—Lima 13, Pert IMPRESO EN MEXICO PRINTED IN MEXICOPrefacio En este yolumen se han continuado tanto el plan basico como la filosofia de la edicién original. Los cambios principales en la nueva edicién son principalmente el resultado de las sugerencias constructivas y consejos del Profr. Richard W. Heckel, de la Drexel University, Dean Walter S. Owen, de la Northwestern University, y el Profr. Marvin Metzger, de la University of Ilinois. Uno de los resultados de estas sugerencias es la inclusion de un capitulo sobre nucleacién y cinética de creci- miento, La idea de este capitulo fue inspirada también por un juego de notas pro- porcionadas gentilmente al autor por el Profr. Heckel. Se reconoce con gratitud la considerable ayuda del Dr. John Kronsbein en la revisién y aumento del Cap. 3, Teoria Elemental de los Metales. Como consecuencia de las peticiones para la inclusién de t6picos faltantes 0 cubiertos, demasiado ligeramente en la primera edicién, el nuevo libro ha sido aumentado en tamafio en cerca de un diez por ciento. En un sentido amplio, el material adicional ajusta en dos clasificaciones. Primero se encuentran los tépicos que recientemente se han vuelto importantes en el campo de la metalurgia. El se- gundo grupo consiste en materias bien establecidas que no fueron cubiertas en la primera edicién, pero que, con el uso del texto, se encontré que era necesaria una presentacién més unificada, Entre las dreas de las primeras materias estén Ja micros- copia electronica, mecinica de las fracturas, sobreconductividad, sobreplasticidad, recuperacién dindmica, envejecimiento por deformacién dindmica, electrotransporte, migracién térmica, y dislocaciones emisarias. En la tltima categorfa se encuentra el nuevo capitulo sobre nucleacién y cinética del crecimiento y tépicos tales como ‘magnetismo, teorfa zonal de las fases de. aleacién, los cinco grados de libertad de un plano de exfoliacién, la regla de fase, la tensién y la deformacién reales, la solucién s6lida y homogenizacién de piezas fundidas, el endurecimiento por el traba- jo y la difusién en sistemas no isomérficos. El numero de problemas ha sido aumentado sustancialmente con respecto a los del libro original, de conformidad con la tendencia comtin en ingenierfa de poner mayor énfasis en la solucién de-problemas. Los problemas han sido escritos con el 4nimo de ilustrar los puntos cubiertos en el texto y exponer al estudiante el material y los conceptos no cubiertos directamente en el libro. Se reconoce con gratitud 1a valiosa, ayuda de los doctores John Hren, Robert T. DeHoff, Derek Dove, Ellis Verink y F. N. Rhines, todos ellos de la Universidad de Florida, quienes revisaron secciones del libro o dieron sugerencias sobre el mismo. Robert E. Reed-HillIndice de Materias Prefacio 1 LA ESTRUCTURA DE LOS METALES A5 1.1. La Estructura de los Metales, 15 1.2. Preparacién de Probetas Metalograficas, 16 1.3. La Estructura Cristalina de los Metales, 18 1.4, Celdas Unitarias, 18 1.5. La Estructura Cabica Centrada en el Cuerpo, 19 1.6. Namero de Coordinacién de la Red Cuibica Centrada en el Cuerpo, 20 1.7. La Red Cuibica Centradaen las Caras,20 1.8. Comparacién de las Estructuras Cubica Centrada en las Caras y Hexa- gonal Compacta, 22 1.9. Niimero de Coordinacién de los Sistemas Compactos, 23 1.10. La Celda Unitaria de la Red Hexagonal Com- pacta, 23 1.11. Anisotropia, 24 1.12. Texturas u Orientaciones Preferentes, 26 1.13. Indices de Miller, 27 1.14. Estructuras Cris- talinas de los Elementos Metilicos, 33 1.15. La Proyeccién Estereo- grafica, 33 1.16, Direcciones que Quedan en un Plano, 34 1.17. Planos de Zona, 35 ‘1.18, La Red de Wulff, 35 1.19. Proyecciones Esténdar, 41 1.20. El Tridngulo Estereografico Est4ndar para Cris- tales Cubicos, 43 Problemas, 43 2 METODOS DE DIFRACCION aT 2.1. La Ley de Bragg 48 2.2. Técnicas de Laue, 51 2.3, Método del Cristal Rotatorio, 53 2.4. El Método de Debye-Scherrer 0 del Polvo, 54 2.5. El Espectrémetro de Rayos X, 57 2.6. El Microsco- pio de Emisién Electrénica, 58 Problemas, 64 3 TEORIA ELEMENTAL DE LOS METALES 67 3.1. La Energia Interna de un Cristal, 67 3.2. Cristales Iénicos, 67 3.3. La Teoria de Born Sobre los Cristales Iénicos, 69 3.4. Cristales de Van der Waals, 73 3.5. Dipolos, 73 3.6. Gases Inertes, 74 3.7. Dipolos Inducidos, 74 3.8. La Energia Reticular de un Sélido de Gas Inerte, 75 3.9. La Frecuencia de Debye, 76 3.10.8 Indice de Materias 4 5 La Energia de Punto Cero, 78 3.11. Términos Dipolo-Cuadrupolo y Cuadrupolo-Cuadrupolo, 79 3.12. Cristales Moleculares, 79 3.13. Refinamientos de la Teoria de Bom Sobre Cristales Iénicos, 80 3.14. Enlace Covalente y Metdlico, 80 3.15. El Principio de la Duda (o Incertidumbre), 84 3.16. La Doble Naturaleza de la Materia, 85 3.17. Teoria del Electron Libre, 89 3.18, La Densidad de Estados, 98 3.19. El Efecto de la Temperatura Sobre la Distribucién de Electrones en los Niveles de Energia, 98 3.20. Calor Especifico Elec- trénico, 99 3.21. La Teoria de la Zona, 99 3.22. La Dependencia de la Energia Sobre el Nimero de Onda, 105 3.23. La Densidad de la Curva de Estados, 108 3.24. Aplicacién de la Teoria de Zona a las Fases de Aleacién, 109 3.25. Conductores y Aisladores, 112 3.26. Semiconductores, 116 3.27. Semiconductores Impuros, 117 3.28. Magnetismo, 120 3.29, Ferromagnetismo, 124 3.30. Antiferromag- netismo y Ferrimagnetismo, 127 3.31. La Resistividad Eléctrica como una Funcién de Ja Temperatura, 128 3.32. Superconductivi- dad, 129 Problemas, 134 DISLOCACIONES Y FENOMENOS DE DESLIZAMIENTO 137 4.1, La Discrepancia Entre el Limite de Fluencia Teérico y el Obser- vado en los Cristales, 137 4.2. Dislocaciones, 139 4.3, El Vector de Burgers, 148 4.4. El Foco de Frank-Read, 150 4.5, Nucleacién de Dislocaciones,151 4.6. Deslizamiento de flexién, 154 4.7, Des- lizamiento Rotacional, 156 4.8. Ascenso de las Dislocaciones de Bor- de, 158 4.9. Planos de Deslizamiento y Direcciones de Deslizamiento, 161 4.10. Sistemas de Deslizamiento, 162 4,11. Esfuerzo Cizallan- te Critico Determinado, 163 4.12. Deslizamiento Sobre Sistemas de Deslizamiento Equivalentes, 166 4.13. La Densidad de la Disloca- cién, 166 4.14. Sistemas de Deslizamiento en Diferentes Formas Cristalinas, 167 Problemas, 172 DISLOCACIONES Y LIMITE DE GRANO 1% 5.1. Deslizamiento Transversal, 179 5.2. Bandas de Deslizamiento, 181 5.3. Deslizamiento Transversal Doble, 181 5.4. Rotacién de la Estructura Cristalina Durante la Deformacién en Tensién y en Compresién, 183 5.5. Anotacién para los Sistemas de Deslizamiento en la Deformacién de los Cristales c.c.ca., 186 5.6. Anotacién Vec- torial para Dislocaciones, 188 5.7. Dislocaciones en la Red Citbica Centrada en las Caras, 189 5.8, Fallas de Apilamiento Intrinsecas y Extrnsecas en los Metales Cibicos Centrados en las Caras, 193 59, Dislocaciones Extendidasen los Metales Hexagonales, 194 5.10. I slocaciones Extendidas y Deslizamiento Transversal, 194Indice de Materias 9 5.11, Intersecciones de Dislocacién, 196 5.12. Limites de Grano, 199 5.13. Modelo de Dislocacién de un Limite de Grano de Angulo Pequefio, 200 5.14. Los Cinco Grados de Libertad de un Limite de Grano, 201 5.15, Energia de Limites de Grano, 203 5.16. Tensién Superficial del Limite de Grano, 203 5.17. Limites Entre Cristales de Fases Diferentes, 206 5.18. Tamafio de Grano, 209 5.19. El Efecto de Limites de Grano Sobre las Propiedades Mecdnicas, 212 Problemas, 214 LUGARES VACANTES 221 6.1. Comportamiento Térmico de los Metales, 221 6.2. Energia In- terna, 223 6.3. Entropia, 223 6.4. Reacciones Espontineas, 224 6.5. La Energia Libre de Gibbs, 224 6.6. Definicién Mecénica Esta- distica de la Entropia, 226 6.7. Lugares Vacantes, 330 6.8, Mo- vimiento de Lugares Vacantes, 235 6.9. Atomos Intersticiales y Pa- res de Lugares Vacantes, 238 Problemas, 241 RECOCIDO 245 7.1, Energia Almacenada del Trabajo en Frio, 245 7.2. Relacién de la Carga de Energia Libre a la Energia de Deformacién, 246 7.3. Revelacién de la Energia Almacenada, 247 7.4. Recuperacién, 248 7.5. Recuperacién en Cristales Simples, 249 7.6, Poligonizacién, 251 7.7. Movimientos de Dislocacién en la Poligonizacién, 254 7.8. Procesos de Recuperacién a Temperaturas Elevadas y Bajas, 257 7.9. Recuperacién Dinamica, 258 7.10. Recristalizacién, 258 7.11. Efecto del Tiempo y la Temperatura Sobre la Recristalizacion, 261 7.12. Temperatura de Recristalizacién, 262 7.13. El Efecto de la Deformacién Sobre la Recristalizacién, 263 7.14. Velocidad de Nu- cleacién y Velocidad de Crecimiento de Grano, 264 7.15. Formacién de Niicleos, 265 7.16. Fuerza Impulsora para la Recristalizacion, 267 7.17. El Tamafio de Grano Recristalizado, 268 7.18. Otras Variables en la Recristalizacién, 270 7.19. Pureza del Metal, 270 7.20. Tamafio Inicial de Grano, 271 7.21. Crecimiento de Grano, 271 7.22. Coalescencia Geométrica, 274 7.23. Los Tres Cambios Tridimensionales en la Geometria de Grano, 275 7.24. La Ley del Crecimiento de Grano, 276 7.25. Atomos de Impureza en Solucién Sélida, 280 7.26. Impurezas en Forma de Inclusiones, 282 7.27. Los Efectos de Superficie Libre, 285 7.28. El] Tamafio de Grano Limitador, 286 7.29. Orientacién Preferente, 288 7.30. Recrista- lizacién Secundaria, 288 7.31. Migracién de Limites por Esfuerzos de Deformacién Inducida, 288 Problemas, 29010 Indice de Materias 8 SOLUCIONES SOLIDAS 295 8.1. Fases Intermedias, 295 8.2. Soluciones Sélidas Intersticiales, 296 8.3, Solubilidad del Carbono en el Hierro Ctibico Centrado en el Cuerpo, 297 8.4. Soluciones Sélidas Sustitucionales y las Reglas de Hume-Rothery, 300 8.5. Interaccién de Dislocaciones y Atomos de Soluto, 301 8.6. El Campo de Esfuerzos de una Dislocacién Helicoi- dal, 301 8.7. El Campo de Esfuerzos de una Dislocacién de Borde, 302 8.8. Atmésferas de Dislocacién, 302 8.9. La Ecuacién de Oro- wan, 305 8.10. Arrastre de Atmésferas Sobre Dislocaciones en Movi- miento, 306 8.11. Limite Eldstico Agudo y Bandas de Liiders, 308 8.12. La Teoria de Cottrell Sobre el Limite Elastico Agudo, 310 8.13. Envejecimiento por Deformacién, 312 8.14. Envejecimiento por De- formacién Dindmica, 312 8.15. El Papel de la Tension de Arras- tre en el Envejecimiento por Deformacién Dindmica, 315 — Pro- blemas, 318 9 ENDURECIMIENTO POR PRECIPITACION 323 9.1. La Importancia de la Curva de Solubilidad o de “Solvus”, 324 9,2. Tratamiento de Disolucién, 325 9.3. El Tratamiento de Enve- jecimiento, 326 9.4. Nucleacién de Precipitados, 329 9.5, Nuclea- cién Heterogénea Contra Homogénea, 331 9.6. Teorias Sobre el Endurecimiento, 334 9.7. Factores Adicionales en el Endurecimien- to por Precipitacién, 336 Problemas, 338 10 DIFUSION EN SOLUCIONES SOLIDAS SUSTITUCIONALES ML 10.1. Soluciones Perfectas, 341 10.2. Soluciones Imperfectas, 342 10.3. Difusién en una Solucién Perfecta, 343 10.4. El Efecto Kir- kendall, 347 10.5. Porosidad, 351 10.6. Ecuaciones de Darken, 353 10.7. Segunda Ley de Fick, 357 10.8. El Método de Mata- no, 360 10.9. Determinacién de las Difusibilidades Intrinsecas, 362 10.10. Autodifusién en Metales Puros, 364 10.11. Dependencia de la Temperatura del Coeficiente de Difusién, 367 10.12. Difusién Quimica a Baja Concentracién de Soluto, 369 10.13. Estudio de Ja Difusién Quimica Usando Indicadores Radiactivos, 370 10.14. Di- fusién a lo Largo de los Limites de Grano y de las Superficies Libres, 373 10.15. Primera Ley de Fick en Términos de una Movilidad y una Fuerza Efectiva, 377 10.16, Electrotransporte y Termomigra- cién, 379 Problemas, 382Indice de Materias 11 U1 DIFUSION INTERSTICIAL 385, 11.1, Medicién de las Difusibilidades Intersticiales, 386 11.2. El Efecto Snoek, 386 11.3. Determinacién Experimental del Tiempo de Relajamiento, 393 11.4. Datos Experimentales, 400 11.5. Medi- ciones Anelasticas a Deformacién Constante, 400 Problemas, 402 405, 12.1. Definiciones Basicas, 405 12.2. La Naturaleza Fisica de las Mezclas de Fases, 407 12.3. Termodindmica de las Soluciones, 407 12.4, Equilibrio Entre dos Fases, 410 12.5. El Ntimero de Fases en un Sistema de Aleacién, 411 12.6. Sistemas de dos Componentes Conteniendo dos Fases, 418 12.7, Determinaciones Graficas de las Energias Libres Molales Parciales, 419 12.8. Sistemas de dos Com- ponentes con Tres Fases en Equilibrio, 422 12.9. La Regla de Fase, 423 12.10. Sistemas Ternarios, 425 Problemas, 425 13. NUCLEACION Y CINETICA DE CRECIMIENTO 427 13.1. Nucleacién de un Liquido Desde el Vapor, 427 13.2. La Teo- ria Becker-Déring, 434 13.3. Solidificacién, 436 13.4. Reacciones de Estado Sdlido, 438 13.5. Nucleacién Heterogénea, 440 13.6. Ci- nética del Crecimiento, 444 13.7. Crecimiento de Difusién Contro- lada, 447 13.8. Interferencia de Crecimiento de las Particulas de Precipitado, 451 13.9. Crecimiento Controlado de 1a Intercara, 452 13.10. Transformaciones que Ocurren en el Calentamiento, 455 13.11, Disolucién de un Precipitado, 456 Problemas, 459. 14 DIAGRAMA DE EQUILIBRIOS BINARIOS 463, 14,1. Sistemas de Aleacién Isomorfos, 463 14.2. La Regla de la Palanca, 465 14.3, Calentamiento o Enfriamiento de Equilibrio de una Aleacién Isomorfa, 467 14.4. El Sistema de Aleacin Isomorfo Desde el Punto de Vista de la Energia Libre, 470 14.5, Maxima y Minima, 471 14.6. Superestructuras, 473 14.7. Separaciones de la Miscibilidad, 477 14.8. Sistemas Eutécticos, 479 14.9. Las Micro- estructuras de Equilibrio de los Sistemas Eutécticos, 480 14.10. La Transformacién Peritéctica, 485 14.11. Monotécticas, 488 14.12. Otras Reacciones de Tres Fases, 488 14.13. Fases Intermedias, 489 14.14, Diagrama de Equilibrio Cobre-Zine, 492 14.15. Difusién en Sistemas de Aleacién no Isomorfos, 494 Problemas, 49912 Indice de Materias ib at SOLIDIFICACION DE LOS METALES 503 15.1. La Fase Liquida, 503 15.2, Nucleacién, 506 15.3. Creci- miento de Cristales Desde la Fase Liquida, 509 15.4. Solidificacién Estable de la Intercara, 511 15.5. Crecimiento Dendritico, 512 15.6. Solidificacién Dendritica en Aleaciones, 516 15.7. Solidifica- cién de Lingotes, 520 15.8. El Tamajio de Grano de las Piezas Fun- didas, 524 15.9. Segregacién, 525 15.10, Homogeneizacién, 527 15.11. Segregacién Inversa, 532 15.12. Porosidad, 533 Proble- mas, 538 MACLAJE DE DEFORMACION Y REACCIONES DE LA MARTENSITA Bal 16.1. Maclaje de Deformacién, 541 16.2. Teorfa Cristalografica For- mal del Maclaje, 544 16.3. Identificacién de las Maclas de Defor- macién, 550 16.4. Nucleacién de Maclas, 552 16.5. Limites de Maclas, 553 16.6. Crecimiento de Maclas, 554 16.7. Acomodacién del Corte de Maclaje, 557 16.8. Martensita, 562 16.9. Distorsién de Bain, 564 16.10. La Transformacién Martensitica en una Alea- cién de Indio-Talio, 566 16.11. Reversibilidad de la Transformacion Martensitica, 567 16.12. Transformacién Atérmica, 567 16.13. Teoria de Wechsler, Lieberman y Read, 568 16.14. Naturaleza Irra- cional del Plano Habitual o Dominante, 573 16.15. Multiplicidad de Planos Habituales, 575 16.16. La Transformacién Martensitica del Hierro-Niquel, 575 16.17. Formacién Isotérmica de la Martensita, 577 16.18. Estabilizacién, 577 16.19. Nucleacién de Placas de Martensita, 578 16.20. Crecimiento de Placas de Martensita, 578 16.21. El Efecto del Esfuerzo, 579 16.22. El Efecto de la Deforma- cién Plastica, 579 Problemas, 580 EL SISTEMA HIERRO CARBONO 585 17.1. Transformacién de la Austenita a Perlita, 587 17.2. Perlita, 589 17.3. Efecto de la Temperatura Sobre la Transformacién de la Perlita, 593 17.4. Curvas de Transformacién-Temperatura-Tiempo, 600 17.5. La Reaccién Bainitica, 602 17.6. Diagrama T-T-T Com- pleto de un Acero Eutectoide, 608 17.7. Aceros Hipoeutectoides En- friados Lentamente, 610 17.8. Aceros Hipereutectoides Enfriados Lentamente, 613 17.9. Diagramas de Transformacién Isotérmica para Aceros no Eutectoides, 613 Problemas, 617Indice de Materias 13 18 ENDURECIMIENTO DEL ACERO 621 18.1, Transformaciones Durante el Enfriamiento Continuo, 621 18.2. Templabilidad, 623 18.3, Las Variables que Determinan la Templabilidad de un Acero, 630 18.4. Tamafio de Grano Austeni- tico, 630 18.5. Efecto del Tamafio de Grano Austenitico Sobre la Templabilidad, 631 18.6. Influencia del Contenido en Carbono Sobre la Templabilidad, 631 18.7. Influencia de los Elementos de Aleacién Sobre la Templabilidad, 632 18.8. Significado de la Templabilidad, 636 18.9. La Transformacién Martensitica en el Acero, 637 18.10. La Dureza de la Martensita del Hierro-Carbono, 642 18.11. Cambios Dimensionales Asociados con la Formacién de la Martensita, 645 18.12, Grietas de Temple, 646 18.13. Revenido, 648 18.14. Ce- mentita Esferoidizada, 656 18.15. El Efecto del Revenido Sobre las Propiedades Fisicas, 656 18.16. La Interrelacién Entre Tiempo y Temperatura en el Revenido, 658 18.17. Endurecimiento Secun- dario y la Quinta Etapa de Revenido, 659 Problemas, 660 19 FRACTURA 663, 19.1. Rotura por Corrimiento Facil, 663 19.2. Ruptura por Estric- cin (Corrimiento Multiple), 664 19.3. Efecto del Maclaje, 666 19.4. Clivaje, 666 19.5. Fractura en el Vidrio, 668 19.6. La Teo- ria de Griffith, 671 19.7. Grietas de Griffith en Vidrio, 672. 19.8. Velocidades de Agrietamiento, 673 19.9. La Ecuacién de ‘Griffith, 674 19.10. Nucleacién de las Grietas de Clivaje, 675 19.11. Nu- cleacién de Grietas en el Hierro, 677 19.12. Nucleacién de Grietas en el Zinc, 678 19.13, Propagacién de las Grietas de Clivaje, 680 19.14, Efecto de los Limites de Grano, 684 19.15. El Efecto del Estado de Esfuerzo, 688 19.16. Ensayo de Resistencia. al Choque, 690 19.17, El Significado del Ensayo de Resistencia al Choque, 691 19.18, Fracturas Dictiles, 695 19.19. Fractura por Fragilidad In- tercristalina, 702 19.20. Fragilidad de Revenido, 702 19.21. Fragi- lidad Azul, 703 19.22. MecAnica de la Fractura, 704 19.23, Factor de la Intensidad del Esfuerzo, 707 19.24, Mediciones de la Tenaci- dad a la Rotura, 708 19.25. Fallas por Fatiga, 716. 19.26. El Cardcter Macroscépico de la Falla por Fatiga, 716 19.27. Ensayo a la Fatiga en Viga Giratoria, 717 19.28. Aspectos Microscépicos de la Falla por Fatiga, 719 19.29. Crecimiento de las Grietas por Fati- ga, 723 19.30. El Efecto de las Inclusiones no Metdlicas, 725 19.31. El Efecto de la Microestructura del Acero Sobre Ja Fatiga, 727 19.32. Fatiga de Ciclo Corto, 728 19.33. Ciertos Aspectos Practicos de la Fatiga, 728 Problemas, 72814 Indice de Materias 20 TERMOFLUENCIA 731 20.1. Endurecimiento por Trabajo, 731 20.2. Criterio de Considére, 733 20.3. Relacion Entre la Densidad de Dislocacién y el Esfuerzo, 734 20.4, Relacién de Taylor, 735 20.5. La Naturaleza de las Componentes del Esfuerzo de Fluencia, 737 20.6. El Efecto de Jas Aleaciones Sobre Jas Componentes del Esfucrzo de Fluencia, 737 20.7. Funciones Relativas de las Componentes del Esfuerzo de Fluen- cia en los Metales de Red Ciibica Centrada en la Cara y Red Cubica Centrada en el Cuerpo, 740 20.8. Superplasticidad, 742 20.9. La Naturaleza de la Deformacién Dependiente del Tiempo, 743 20.10. Mecanismos de Termofluencia, 748 20.11. Termofluencia Cuando Funciona mas de un Mecanismo, 758 20.12. Cizallamiento de Limite de Grano, 763 20.13. Fractura Intercristalina, 765 20.14. La Cur- va de Termofluencia, 769 20.15. Aplicaciones Précticas de los Datos de Termofluencia, 773 20.16, Aleaciones Resistentes a la Termo- fluencia, 777 20.17. Sistemas de Aleacién, 778 Problemas, 780 Apéndices 785 Lista de Simbolos Importantes 798 Lista de Simbolos del Alfabeto Griego 800 Indice 801La Estructura de los Metales El aspecto més importante de cualquier material de ingenieria es su estructura, Puesto que sus propiedades est4n estrechamente relacionadas con esta caracteristica. Para ser satisfactorio, un ingeniero en materiales debe estar familiarizado con esta relacién entre estructura y propiedades. Como via de ilustracién, la madera es un material muy f4cil para ver la estreca interaccién entre estructura y propiedades, Una madera estructural caracteristica, tal como el pino amarillo meridional, es, de una manera esencial, una ordenacién de largas celdas ahuecadas o fibras, Estas fibras, formadas principalmente de celulosa, estén alineadas con el grano de la madera y se encuentran cementadas juntas por otro material orgénico mas débil Mamado lignina. La estructura de 1a madera es asi aproximadamente andloga a la de un manojo de pajas (popotes). Se la puede hender con facilidad a lo largo de su grano; esto es, paralelo a las celdas, La madera es también mucho més fuerte en compresién (0 tensién) paralelo a su grano que en compresién (o tensién) perpen- dicular al mismo. Es un buen material para excelentes columnas y vigas, pero no es realmente apropiado para miembros tensores requeridos para soportar grandes car- gas, porque la baja resistencia de la madera al corte paralelo a su grano dificulta la colocacién de sujetadores en los extremos los que no soportaran la traccién. Como resultado, los puentes de madera y otras grandes estructuras de madera, con frecuencia se construyen conteniendo varillas de tensién para soportar las cargas de tensién. ‘ 11. La estructura de los metales. La estructura en los metales es de impor- tancia similar que en la madera, aunque con frecuencia de manera ms sutil. Los metales son cristalinos cuando se encuentran en forma sélida. Aun cuando se pue- den preparar cristales sencillos, muy grandes, los objetos metélicos normales cons- tan de un conjunto de muchos cristales muy pequefios. Por consiguiente, los metales son policristalinos. Los cristales en estos materiales se conocen por lo general como sus granos. Debido a su tamafio tan pequeiio, se requiere normalmente un microscopio 6ptico, operando a aumentos de entre 100 y 1000 veces, para examinar las caracteristicas estructurales asociadas con los granos en el metal. Las estructuras que requieren estos limites de amplificacién para su examen caen en la clase conocida como microestructuras. En ocasiones, los objetos metélicos, tales como las piezas fundidas, pueden tener cristales muy grandes que son perceptibles a simple vista 0 resolverse con facilidad bajo un microscopio de pequefia potencia. La es- tructura en esta categoria se denomina macroestructura, Por tltimo, hay la estruc-16 Prineipios de Metalurgia Fisica tura bésica dentro de los granos mismos: esto es, la disposicién atémica dentro de los cristales. Esta forma de estructura se denomina légicamente estructura cris- talina. De las varias formas de estructura, Ja microestructura (que es visible bajo el microscopio 6ptico) ha sido histéricamente del mayor uso e interés para el meta- Jurgista. Debido al funcionamiento normal del microscopio metalirgico a ampli- ficaciones donde la profundidad de campo es bastante superficial, la superficie metélica a ser observada debe ser muy plana. Al mismo tiempo, debe revelar con precisin Ja naturaleza de Ja estructura en el interior dei metal. En consecuencia, nos enfrentamos con el problema de preparar una superficie muy tersa y sin dis- torsién, lo cual no es, por supuesto, una tarea facil. Los procedimientos requeridos para obtener la meta deseada caen bajo la denominacién general de preparacién de probetas metalograficas. 12. Preparacién de probetas metalogrificas. En gran parte, la preparacién de Jas probetas metalograficas es un arte, Las técnicas tienden a variar un tanto de un laboratorio a otro. Se pueden xequerir variaciones en los procedimientos, depen- diendo de la naturaleza del metal a examinar, puesto que los metales varian am- pliamente en dureza y textura. Sin embargo, las operaciones basicas tienden a ser similares: con el propésito de ilustrar Ja naturaleza de la preparacién de probetas metalograficas, consideremos una técnica apropiada para hierro y aceros. Lo que sigue es un simple esbozo, para mayores detalles se debe consultar un libro de referencia apropiado.t ‘Supongamos que se ha cortado un trozo pequefio de un objeto de acero y que se ha preparado una superficie plana apropiada sobre un lado de esta muestra me- diante aserrado y esmerilado. El procedimiento normal es montar la muestra en un pequefio disco de plastico [de unos 25 mm (1 plg) de didmetro y 13 mm (34 ple) de grueso] con la superficie de la muestra que s¢ ha de pulir expuesta sobre un lado del disco, como se muestra en la Fig. 1.1. Una técnica para formar este disco consiste en colocar primero el trozo de muestra dentro de un molde anular, y vaciando entonces resina epoxidica Iiquida dentro del molde para Menarlo. La resina endusece en unas cuantas horas para rendir un manejo conveniente y sujetar la muestra durante los pasos subsecuentes en la preparacién de la superficie. Estos pasos implican cuatro tipos bdsicos de operaciones: (1) esmerilado fino, (2) pulido basto, (3) pulido final y (4) ataque quimico, En los tres primeros pasos, el obje- Fic. 11, Probeta metalogrifica + Polishing the Micro Section. Partes 1 y 2. The AB Metal Digest, 13, Néms. 2 y 3 (1965). Buehler, Ltd., Evanston, Dlinois.La Estructura de tos Metoles 17 tivo basico es reducir el espesor de 1a capa deformada que queda debajo de la su- perficie de la muestra. Todas las operaciones de corte y esmerilado deforman mucho el metal cercano a la superficie. La estructura real del metal ser visible sélo cuando se ha removido por completo la capa deformada. Puesto que cada paso en la preparacién de la muestra tiende a deformar la superficie de la misma, es nece- sario utilizar una sucesién de abrasivos cada vez més finos. Cada abrasivo actia para remover la capa deformada dejada por el paso mas grueso precedente, en tanto que a su vez deja una capa distorsionada de profundidad reducida. Esmerilado fino, Durante este paso, se esmerila la superficie de la muestra em- pleando polvos de carburo de silicio aglomerados sobre papeles especialmente pre- parados. La muestra puede ser frotada a mano contra el papel abrasive, que se coloca sobre una superficie plana, tal como un trozo de vidrio plano. Alternativa- mente, se puede montar el papel abrasivo sobre la superficie de una rueda plana, girando en forma horizontal, oprimiendo contra ella la muestra metalogréfica. En cualquier caso, por lo comin la superficie se lubrica con agua, la que proporciona una accién lavadora que retira las particulas cortadas de la superficie. Se utilizan tres grados de abrasivo: 320, 400 y 600 granulos. El tamajio de particula corres- pondiente para el carburo de silicio es de 33, 23 y 17 micras, respectivamente, en donde una micra es 10-* cm. En cada uno de estos pasos de esmerilado fino se mueve la pieza sobre la superficie de manera que se formen lag rayas en sélo una direccién. Al proseguir de un papel al siguiente, se hace girar la muestra unos 45”, de manera que las nuevas rayas queden situadas sobre la superficie en Angulo con las formadas durante el paso precedente. Entonces se contimia el esmerilado hasta que desaparecen las rayas del paso anterior. ‘ Pulido basto. Este es probablemente el paso critico, En la actualidad, el abra- sivo mas usado para la operacién de pulido basto es el polvo de diamante, con un tamafio de partfcula de unas 6 micras. El polvo de diamante se obtiene en pasta que es soluble en aceite, Se necesita una cantidad muy pequeiia de esta pasta, la que se coloca sobre la superficie cubierta con nylon de una rueda giratoria de pulir. El lubricante empleado durante la operacién de pulido es un aceite especialmente preparado. La muestra se presiona contra el pafio de la rueda giratoria con una fuerte presién. En los pasos del pulido no se mantiene la muestra en una posicién fija sobre la rueda de pulir, sino que se la mueve alrededor de ésta en direccién opuesta a la rotacién de la misma. Esto asegura una accién de pulido més uniforme. Las particulas de diamante tienen una fuerte accién cortante y pueden ser efec- tivas para retirar la profunda capa de deformacién remanente de la operacién de esmerilado fino. El hecho de que el polvo de diamante de 6 micras sea capaz de qui- tar los efectos resultantes del abrasivo de carbuto de silicio de 17 micras en el paso anterior, habla por s{ mismo. Pulido final. Aqui se eliminan las rayas finas y la delgada capa distorsionada remanente del paso de pulido basto, El compuesto pulidor coménmente usado es alimina (A1,0,) en polvo (forma gamma), con un tamajio de particula de 0.05 micras. Este polvo se coloca sobre una rueda cubierta con un paiio, utilizndose agua destilada como lubricante. En contraste con el pafio de nylon sin pelo empleado en el pulido basto, el pafio utilizado en este paso normalmente contiene pelo. Si éste y los pasos precedentes han sido Hevados a cabo con todo cuidado, se obtendra una superficie libre de xayas, con una capa de metal distorsionado casi imperceptible. Ataque quimico, Usualmente no se puede ver bajo el microscopio la estructura granular de una muestra metalogrdfica hasta que se ha completado la operacién de pulido final. Los limites de grano en un metal tienen un espesor del orden de unos cuantos didmetros atémicos cuando més, y la fuerza resolutiva de un microscopio es demasiado baja para revelar su presencia. Sélo ser4n visibles los limites, si el metal contiene varios cristales de diferentes colores que se toquen unos a otros. En un48 Principios de Metalurgia Fisica Superficie antes del a atagque quimico | —Superficie después del atague quimico Fis. 1.2, La solucién de ataque revela los limites de los existales metal puro, por supuesto, esto es imposible. Para hacer visibles los limites, las muestras metalogréficas se atacan quimicamente de ordinario. En la mayoria de Jos casos esto implica introducir Ja superficie pulida en una solucién de ataque 4cida 0 basica débil. La solucién mas cominmente usada para aceros es la deno- minada nital, que consta de una solucién del 2% de acido nitrico en alcohol. En algunos casos, se aplica Ja solucién’ de ataque a la superficie frotandola suavemente con un algodén impregnado con el agente. En cualquier caso, el efecto resultante es disolver metal de la superficie de la muestra. Con una buena solucién de ataque, Ja remocién del metal de la superficie no ocurriré de manera uniforme. Algunas veces el agente quimico atacaré los limites de grano con mayor rapidez que la superficie de los mismos. Otras soluciones de ataque disolveran los diversos granos de acuerdo a la orientacién de la superficie que presentan a la solucién de ataque. En Ja Fig. 1.2 se muestra esquematicamente Ja naturaleza de este efecto. Aqui los Mmites se hacen visibles debido a que aparecen como escalones poco profundos sobre la superficie de la muestra. Estas superficies casi verticales no reflejan luz en las lentes objetivo de un microscopic de la misma forma que las superficies horizontales y tersas de los cristales que quedan entre ellas y, como resultado, se observarin bajo el microscopio los limites de los cristales Electropulido y clectroataque. Hay cierto niimero de metales, tales como el acero inoxidable, el titanio y el circonio, de los cuales es muy dificil remover las capas superficiales distorsionadas, El pulido mecénico no es muy satisfactorio con estos materiales. Como resultado, estos metales se pulen frecuentemente mediante una técnica de electropulido en Ja etapa del pulido final. En este caso la muestra se convierte en el anodo en un baiio electrolitico adecuado, mientras que el cétodo es un material insoluble. Si se utiliza la densidad de corriente apropiada, es posible disolver y xetirar la superficie de la muestra de tal manera que produzca un pulido fino de Ja superficie. En el electropulido se controlan deliberadamente el baiio y la corriente para producir una superficie tersa y sin relieve. Por otra parte, es posible también alterar la composicién del bafio y la densidad de la corriente como para producir el relieve de la superficie requerido en el ataque, El procedimiento correspondiente se denomina electroataque. 13. La estructura cristalina de los metales, Se ha definido a un cristal como una formacién ordenada de 4tomos en el espacio. Hay muchos tipos diferentes de estructuras cristalinas, algunas de las cuales son bastante complicadas. Por fortuna, la mayor parte de los metales cristalizan en una de tres estructuras relativamente sencillas; ciibica centrada en las caras, cibica centrada en el cuerpo, y hexagonal compacta. 14, Celdas unitarias. La celda unitaria de una estructura cristalina es el gru- po mds pequefio de dtomos que posee la simetria del cristal, que cuando se repite en todas las direcciones, formard la red cristalina, La Fig. 1.3A muestra la celda unitaria de la red citbica centrada en el cuerpo, Es evidente que su nombre se deriva de Ja forma de Ja celda unitaria. En la Fig. 1.3B se han combinado ocho celdas unitarias para indicar la forma en que Ja celda unitaria ajusta en Ia red completa.La Estructura de los Metales 19 @ Fic. 13. (A) Celda unitaria ctibiea centrada en el cuerpo. (B) Ocho celdas unitarias de la red ctibiea centrada en el cuerpo Si volvemos nuestra atencién al étomo a de la Fig. 1.3B encontramos que éste no Pertenece \inicamente a una celda unitaria, sino que forma parte de las ocho celdas unitarias que lo rodean. En consecuencia, puede decirse que sélo un octavo de este dtomo corresponde a cualquiera de las celdas unitarias. Para calcular el numero de 4tomos por celda unitaria en un cristal cubico centrado en el Cuerpo puede uti- lizarse este hecho. Aun un cristal pequefio contendra miles de millares de celdas unitarias, y las celdas unitarias en el interior del cristal deben exceder con mucho el ntimero de las que quedan en la superficie. Por tanto, en nuestros célculos se pueden menospreciar las celdas de Ja’ superficie. En el interior de un cristal, cada tomo situado en la esquina de una celda unitaria es equivalente al atomo a de la Fig. 1.3B y contribuye con un octavo de étomo a una celda unitaria, Ademds, cada celda posee un dtomo situado en su centro que no es compartide’ con otras celdas unitarias, Asi, la red ciibica centrada en el cuerpo tiene dos atomos por celda uni- taria; uno formado por los atomos de las esquinas, y uno situado en el.centro de la celda. En la Fig, 1.4 se muestra la celda unitaria de la red cGbica centrada en las caras. En este caso, la celda unitaria tiene un dtomo situado en el centro de cada cara. El ntéimero de dtomos por celda unitaria en la red ciibica centrada en las caras se puede calcular en la misma forma que para la red ciibica centrada en el cuerpo. Nuevamente, los ocho 4tomos de las esquinas contribuyen a formar un tomo de la celda unitaria, Hay que considerar seis étomos centrados en las caras, formando parte cada uno de dos celdas unitarias. Estos contribuyen con seis mitades de ato mo, 0 tres 4tomos para la celda. La red ciibica centrada en las caras tiene un total de cuatro étomos por celda unitaria, 0 el doble que la red cibica centrada en el cuerpo. 1.5. La estructura ctibica centrada en el cuerpo. Con frecuencia, es conveniente considerar Jos cristales metlicos como estructuras formadas apilando esferas du- xas. Esto conduce al modelo de bola dura de una red cristalina, donde se toma el Fic. 1.4 Celda unitaria ciibiea centrada en las caras20 Prineipios de Metalurgia Fisica radio de las esferas como la mitad de la distancia entre centros de los dtomos més cercanos. La Fig. 1.5 muestra a Ja celda unitaria considerada en esta forma. Un estudio de la figura muestra que el 4tomo en el centro del cubo es colineal con cada ato- mo de Jas esquinas, esto es, los atomos que conectan diagonalmente las esquinas opuestas del cubo forman lineas rectas, tocando cada dtomo al que le sigue en secuencia, Esta disposicién lineal no termina en las esquinas de la celda uni- taria, sino que contintia a través de los cristales en forma muy parecida a las cuentas de un rosario ensartadas en un alambre (véase la Fig. 1.3B). Estas cuatro Giagonales del cubo constituyen las direcciones de compactacién del cristal cubico centrado en el cuerpo, direcciones que corren continuamente a través de la red sobre la cual estén los 4tomos tan compactados como es posible. Otras consideraciones sobre las Figs. 1.5 y 1.3B revelan que todos los 4tomos en la red ciibica centrada en el cuerpo son equivalentes. Asi, el 4tomo en el centro del cubo de a Fig. 1.5 no tiene un significado especial sobre los que ocupan las posiciones de las esquinas. Cada-uno de estos ultimos podria haber sido escogido como centro de una celda unitaria, haciendo que todos los Atomos de las esquinas en la Fig. 1.3B fuesen centros de celdas, y todos los centros de celdas resultasen esquinas. 1.6. Ntimero de coordinacién de Ja red ciibiea centrada en el cuerpo. El ntme- xo de coordinacién de una estructura cristalina es igual al niimero de vecinos mas cercanos que posee un dtomo en la red. Asi, en la red ciibica centrada en el cuerpo, el dtomo centrado en el cuerpo tiene ocho vecinos que lo tocan (véase la Fig. 1.5). Hemos visto ya que todos los dtomos en esta red son equivalentes. En consecuencia, cada dtomo de Ja estructura cibica centrada en el cuerpo que no quede en la superficie exterior posee ocho vecinos m4s cercanos, y el miimero de coordinacién de la red es ocho, 1.7. La red etibiea centrada en las caras. El modelo de la bola dura para la Presentacién de una red cristalina toma un significado especial en el caso de la red cibica centrada en las caras, porque en esta estructura los dtomos o esfe- tas estan compactados tan cerca como es posible. La Fig. 1.6A muestra una celda ciibica centrada en las caras, completa, y la Fig. 1.6B muestra la misma celda um- tarla con un dtomo de esquina removido para revelar un plano compactado (plano octaédrico) en el cual los dtomos estén situados tan cerca como es posible. La Fig. 1.7 muestra una dea mas extensa de uno de estos planos compactos. En el ‘Fie. 1.5, Modelo de bola dura de la celda uniteria oftbiea centrada en el cuerpoco) Fic, 16. (A) Celda unitaria cibica centrada en las caras (modelo de bola dura). (B) La misma celda con un. atomo de esquina removido para mostrar un plano octdédrico. (C) Las Girecciones diagonales de seis caras plano octaédrico quedan tres direcciones compactas (las direcciones aa, bb y cc), porque en estas direcciones las esferas tocan a los vecinos més cercanos y son coli- neales, Regresando a la Fig. 1.6A, vemos que las direcciones compactas de la Fig. 1.7 corresponden a las diagonales que cruzan las caras del cubo. Hay seis de estas direcciones compactas en la red cibica centrada en las caras, como se muestra en la Fig. 1.6C. Las diagonales de cara que quedan sobre las caras inversas del cubo no se cuentan en este total porque cada una es paralela a una direccién que queda sobre una cara visible y, considerando cristalogrificamente las direcciones importan- tes, las direcciones paralelas son las mismas, Debe hacerse notar también que la red ctibica centrada en las caras tiene cuatro planos octaédricos 0 compactos. Esta aseveracién puede ser verificada de la manera siguiente. Si se quita un 4tomo de cada esquina de una celda unitaria en forma similar que en la Fig. 1.6B, se reve- lara en cada caso un plano octaédrico. Hay ocho de estos planos, pero como los planos opuestos diagonalmente son paralelos, son cristalogrificamente iguales. Este hecho reduce a cuatro el ntimero de planos octaédricos diferentes. La red ctibica centrada en las caras, sin embargo, es tmica en que contiene tantos como cuatro planos compactos, cada uno conteniendo tres direcciones compactas, Ninguna otra red posee tan gran nimero de planos compactos y direcciones compactas. Este hecho es: importante porque proporciona a los metales ciibicos centrados en las caras, propiedades fisicas diferentes de los otros metales, entre las cuales esta la habilidad para soportar deformacién plastica severa.22 Prineipios de Metalurgia Fisica 1.8. Comparacién de las estructuras ciibiea centrada en las earas y hexagonal compacta, La red ctibica centrada en las caras puede ser construida disponiendo primero los 4tomos dentro de cierto ntimero de planos compactos, en forma similar ‘ como se muestra en la Fig. 1.7, y entonces apilando estos planos uno sobre otro en la secuencia apropiada. Hay cierto ntimero de formas en que se pueden apilar planos compactos. Una secuencia da la red hexagonal compacta, otta la red ciibica centrada en las caras. El que haya més de una forma de apilar planos compactos se debe al hecho de que cualquier plano puede ser colocado sobre otro previo en dos maneras diferentes. Por ejemplo, considérese la disposicion de los 4tomos en la Fig. 1.8 la cual muestra también un plano compacto. El centro de cada dtomo en Ja figura esté indicado por el simbolo A. Ahora, si un simple 4tomo es colocado sobre la parte superior de la configuracién de la Fig. 1.8, serd atrafdo por las fuerzas interatémicas dentro de una de las cavidades que se presentan en cualquiera de tres 4tomos contiguos. Supéngase que el dtomo cae dentro de Ja cavidad marcada B, en la parte superior izquierda de Ja figura; entonces un segundo tomo no puede caer en C, 0 en C, porque el Atorho en B, se extiende sobre la cavidad en estos dos puntos. Sin embargo, el segundo Atomo puede caer dentro de B, 0 B, y comenzar la formacién de un segundo plano compacto consistiendo en Atomos que ocupan todas las posiciones B. Alternativamente, el segundo plano podria haber sido esta- Dlecido preparéndolo en tal forma que s6lo Henase las posiciones C. En esta forma parece que si el primer plano compacto ocupa las posiciones A, el segundo plano puede ocupar las posiciones B 0 C. Supéngase que el segundo plano tiene la con- figuracién B. Entonces las cavidades del segundo plano caen parcialmente sobre los centros de atomos en el primer plano (posiciones A) y parcialmente sobre las cavida- des C en el primer plano. Ahora puede establecerse el tercer plano sobre el segundo, dentro de las posiciones A 0 C. Al depositarlos en las posiciones A, los étomos en la tercera capa caen directamente sobre los étomos de Ja primera. Este no es el orden ciibico centrado en las caras, sino la estructura hexagonal compacta. El orden para el apilado del ciibico centrado en las caras es: A para el primer plano, B para el segundo plano, y C para el tercer plano, lo cual puede escribirse ABC. Sin embargo, el cuarto plano en la red citbica centrada en las caras cae sobre la posicién A, el d ‘s Fic. 1.7. Disposicién atémica en el plano octaédrico de un metal cUhico centrado en las caras. Nétese que los étomos estén compactados lo mAs cerca posible. Esta misma configuracién de ftomos se observa también en el plano basal de los cristales hexagonales compactos. Las @irecciones compactas son aa, bb y coFic, 1.8, Seouencias apiladas en estructuras cristalinas compactas quinto sobre B, y el sexto sobre C, por lo que el orden de apilamiento para los crista- Jes ctibicos de centrado en las caras es ABCABCABC, etc. En la estructura hexago- nal compacta, los 4tomos de un plano caen directamente sobre los de otro, co- rrespondiendo al orden de apilamiento ABABAB. .. No hay diferencia basica en la compactacién obtenida por el apilado de las esfe- ras en la disposicién ciibica centrada en las caras o en Ja hexagonal compacta, puesto que ambas dan una estructura compacta ideal. Hay, sin embargo, una marcada diferencia entre las propiedades fisicas de los metales hexagonales com- pactos (tales como el cadmio, zinc y magnesio) y los metales cibicos de centrado en las caras, la cual se relaciona directamente con la diferencia en su estructura cristalina. La diferencia m4s evidente es el ntimero de planos compactos. En la red cibica centrada en las caras hay cuatro planos compactos, los planos octaédricos, pero en la red hexagonal compacta sélo un plano, el plano basal, es equivalente al plano octaédrico. El plano compacto simple de la red hexagonal da origen, entre otras cosas, a propiedades de deformacién plastica que son mucho mis direcciona- Jes que las encontradas en los cristales ctibicos. 1.9. Numero de coordinacién de los sistemas compactos. El niimero de coordi- nacién de un atomo en un cristal ha sido definido como el néimero de vecinos mas cereanos que posee, En los cristales hexagonales compactos y en los ciibicos de centrado en las caras, este ntimero es 12, como puede verificarse con la ayuda de la Fig. 1.8. Asi, consideremos el dtomo A, que queda en el plano de dtomos mos- trados como circulos dibujados con Iineas continuas. Otros seis Atomos que quedan en el mismo plano compacto que A, se encuentran en las posiciones vecinas mas cercanas. El 4tomo A, toca también tres dtomos en el plano directamente por en- cima. Estos tres dtomos podrian ocupar las posiciones B, como se indica por las Iineas de trazos alrededor de las cavidades B,, B, y B,, 0 podrian ocupar las posi- ciones C,, C, y C,. En cada caso, el ntimero de vecinos mas cercanos en el plano justamente sobre A, es limitado a tres. De igual forma, puede mostrarse que Ay tiene tres vecinos mas cercanos en el plano siguiente por debajo del plano compacto que contiene a A,. El ndmero de vecinos mas cercanos al tomo A, son en esta forma doce: seis en su propio plano, tres en el plano superior y tres en el plano inferior. Como el argumento es valido no importa si los dtomos en los planos compactos justamente arriba y abajo del dtomo A, estén en las posiciones B 0 C, se aplica a la secuencia de apilamiento tanto del ciibico de centrado en las caras como del hexagonal compacto. Decidimos, en consecuencia, que el ntimero de coordinacién en estas redes es 12. 1.40, La celda unitaria de la red hexagonal compacta, En Ja Fig. 1.9 se muestra la configuracién de los Atomos que se emplea con més frecuencia para Tepresen- tar la red hexagonal compacta. Este grupo de Atomos contiene mas del nimero24 Principios de Metalurgia Fisica Fic. 1.9. Celda unitarla hexagonal compacta mfinimo de Atomos necesario para formar un bloque de construccién elemental para la red; por lo tanto, no es una verdadera celda unitaria. Sin embargo, debido a que la disposicién de la Fig. 1.9 descubre caracteristicas cristalogrdficas impor- tantes, incluyendo la simetria séxtuple de Ja red, se utiliza cominmente como la celda unitaria de la estructura hexagonal compacta. Una comparacién de la Fig. 1.9 con la Fig. 1.7 muestra que los dtomos en los planos superior, inferior y cen tral de la celda unitaria pertenecen a un plano compacto, el plano basal del cristal. La figura muestra también que Jos 4tomos en estos planos basales tienen Ja secuencia de apilamiento adecuada para la red hexagonal compacta (ABA...); los 4tomos en Ia parte superior de la celda estén directamente sobre los del fondo, en tanto que los atomos en el plano central tienen un juego de posiciones dife- rentes. El plano basal de un metal hexagonal, en la misma forma que el plano octa- édrico de un metal cabico centrado en las caras, tiene tres direcciones compactas. Estas direcciones corresponden a las Iineas aa, bb, cc, de la Fig. 1.7. 111. Anisotropia. Cuando Jas propiedades de una sustancla son independien- tes de la direccién, se dice que el material es isotrépico. De esta manera, en un material isotrépico ideal, se debe esperar encontrar que tiene la misma resistencia en todas las direcciones. O, si se fuese a medir su resistividad eléctrica, se ob- tendria el mismo valor de esta propiedad independiente de cémo se halla cortado una muestra de resistividad de una cantidad del material. Las propiedades fisicas de los cristales dependen normal y fuertemente de la direccién a lo largo de Ia cual se las ha medido. Esto significa que, bdsicamente, los cristales no son isotrépicos, sino anisotrépicos. A este respecto, consideremos un cristal de hicrro ciibico cen- trado en el cuerpo. Las tres direcciones mas importantes en este cristal son las marcadas a, b y c en la Fig. 1.10. Se puede reconocer que estas direcciones no son equivalentes del hecho de que los espacios de los Atomos a lo largo de las tres direcciones son diferentes, siendo iguales, respectivamente, en términos del pard- metro de Ja red a (Ja longitud de un borde de la celda unitaria), a a, ¥2a, y v%a. Las propiedades fisicas del hierro, medidas a lo largo de estas tres direc- clones, tienden también a ser diferentes. Como un ejemplo, consideremos la cur- va B-H para la magnetizacién de cristales de hierro. Como puede verse en la Fig. 1.11, la induccién magnética B aumenta con mayor rapidez con la intensidad del campo magnético H a lo largo de la direccién a, a una velocidad intermedia a lo largo de b, y con menor rapidez a Io largo de c. Interpretado de otra manera, podemos decir que a es la direccién de la magnetizacién més fécil, mientras que © es correspondientemente la més dificil. Idealmente, se podria esperar que una muestra policristalina fuese isotrépica si sus cristales estuviesen orientados al azar, pues entonces, desde un punto de vista. macroscépico, la anisotropia de los cristales deberd ser promediada. Sin embargo, rara vex se logra una disposicién de los cristales verdaderamente al azar, ya que los procesos de manufactura tienden a ‘alinear los granos en un metal de manera que sus orientaciones no estan distribuidas de manera unifor-La Estructura de los Metales 25 eo 6 Fic. 110, Las direcciones mAs importantes en un cristal cdbico centrado en el cuerpo me. El resultado es lo que se conoce como una textura 0 una orientacién preferen- te. Debido a que la mayorla de los metales policristalinos tienen orientacién pre- ferente, tienden a ser anisotrépicos, dependiendo el grado de su anisotropia del grado de alineamiento de los cristales. 25,000 20,000 15,000 10,000} 5,000}- a ° 200400600800 4 Fig. 1.11. Un cristal de hierro es mucho més facil de magnetizar a lo largo de una direceién @ de la Fig. 1.10 que a lo largo de una direccin bo c. (Segtn Barrett, C. S., Struture of Metals, iz. 453, New York: McGraw-Hill Book Co., 1943, Usado con permiso)4 rrmeros ae meraurgia Fisica 12. Texturas u orientaciones preferentes. Los alambres se forman estirando va- rillas a través de hileras de estirar cada vez mas pequefias. En el caso del hiexro, esta clase de deformacién tiende a alinear a Ja direccién b de cada cristal para- lela al eje del alambre. Sobre esta direccién se considera normalmente que los cristales estén dispuestos al azar. Este tipo de disposicién de los cristales en un alambre de hierro o de acero es bastante persistente. Aun si al metal se le da un tratamiento térmico? que reforma completamente la estructura cristalina, los cristales tienden a mantener una direccién b paralela al eje del alambre. Debido a que la.deformacién empleada al formar léminas y placas es basicamente de cardcter bidimensional, la orientacién preferente encontrada en ellas es mas res- trictiva que la observada en los alambres. Como se indica en la Fig. 1.12A, no sélo se tiende a encontrar una direccién b paralela a la direccién del laminado o sentido longitudinal de la placa, sino que hay también una fuerte tendencia para que un plano del cubo, o cara de la celda unitaria, sea alineada paralela al plano de laminacién o superficie de la Jdmina o placa. Hay cierto némero de razoneé por las que es importante para el metalurgista un entendimiento de las propiedades de los cristales. Una de éstas es que la ani- sotropia basica de los materiales cristalinos se refleja en los objetos policristali- nos del comercio. Debe notarse también que esto no es siempre indeseable. Las orientaciones preferidas pueden resultar a veces en materiales con propiedades superiores. Un interesante ejemplo de esta clase se encuentra en la aleacién de Fic, 1.12, Dos orientaciones cristalinas bésicas que se pueden obtener en placas laminadas de metales chicos centrados en el cuerpo 2 un el Cap. 7 se discute Je recristalizaciém que sigue al trabajo en frfo,La Estructura de los Meteles 27 hierro con 4% de silicio, empleada para hacer bobinas de transformadores. En este caso, mediante una complicada combinacién de procedimientos de laminado y tratamiento térmico, es posible obtener una orientacién preferente muy fuerte en la cual una alineacién a de los cristales se alinea paralela a la direccién de la laminacién, en tanto que un plano del cubo, o cara de la celda unitaria, per manece paralela al plano de laminacién. Esta orientacién promedio se muestra esquemdticamente en la Fig. 1.12B. La caracteristica significativa de esta textura es que coloca la direccién de facil magnetizacién paralela al sentido longitudinal de Ja ldmina. En la fabricacién de transformadores es, por tanto, un asunto més bien sencillo alinear las placas en el nticleo para que esta direccién sea paralela a la direccién en que corre el flujo magnético. Cuando esto ocurre, puede ser muy pequefia la pérdida por histéresis resultante, 1.13. Indices de Miller. Segiin penetramos mas y mas en el estudio de los cristales se hace evidente la necesidad de simbolos para describir 1a orientacién en el espacio de las direcciones y planos cristalogréficos importantes. Asi, mientras que las direcciones de compactacién en la red ctibica centrada en el cuerpo pueden ser descritas como las diagonales que atraviesan a la celda unitaria, y las direcciones correspondientes en la red ctibica centrada en las caras como las diagonales qué cruzan las caras de un cubo, es mucho més facil definir estas direcciones en ter: minos de varios enteros simples. El sistema de Miller para la designacién de {ildi ces para planos y direcciones cristalograficas es aceptado universalmente para este propésito, En la discusién que sigue, se considerardn los indices de Miller para cristales cibicos y hexagonales. No son dificiles de desarrollar los {indices pa- ra otras estructuras cristalinas, pero condiciones de espacio impiden su discusién. Indices de direccién en la red ciibica. Tomemos un sistema de coordenadas cartesianas con ejes paralelos al borde de la celda unitaria de un cristal cibico (véase la Fig. 1.18). En este sistema de coordenadas, la unidad de medicion a lo largo de los tres ejes es la longitud del borde de uma celda unitaria, designada por el simbolo. a en la figura. Los indices Miller se introducen con la ayuda de va- tios ejemplos sencillos. En esta forma, la diagonal del cubo m de la Fig. 1.13 tiene la misma direccién que un vector t con una longitud que iguala la distancia diagonal a través de la celda. La componente del vector t en cada uno de los ejes coordenados es igual a a. Como la unidad de medicién a lo largo de cada eje es igual a a, el vector tiene componentes 1, 1 y 1 sobre los ejes x, y y 2, respectiva- mente, Ahora se escriben los indices Miller de la direccién m [111]. En la misma manera, la direccién n, que cruza diagonalmente una cara de la celda unitaria, tiene la misma direccién que un vector s cuya longitud es la diagonal de la cara de la celda unitaria. Las componentes x, y y z de este vector son 1, 0 y 1, respectiva-