DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES JASPRIT SINGH University of Michigan ‘Traduccién Efrén Alatorre Miguel Licenciado en Ciencias Fisicas Facultad de Ciencias, UNAM Revision técnica David Gonzdlez Maxinez Profesor-investigador Instituto Tecnolégico y de Estudios Superiores de Monterrey, Campus Estado de México McGRAW-HILL MEXICO + BUENOS AIRES + CARACAS + GUATEMALA * LISBOA MADRID « NUEVA YORK * PANAMA + SAN JUAN SANTAFE DE BOGOTA + SANTIAGO * SAO PAULO AUCKLAND * HAMBURGO + LONDRES + MILAN + MONTREAL NUEVA DELHI « PARIS * SAN FRANCISCO * SINGAPUR ST. LOUIS * SIDNEY + TOKIO » TORONTOGerente de producto: Carlos Mario Ramfrez Torres Supervisor de edicién: Mateo Miguel Garcia Supervisor de produccién: Zeferino Garefa Garcia DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Prohibida la reproduccién total o parcial de esta obra, por cualquier medio, sin autorizacién escrita del editor. DERECHOS RESERVADOS © 1997, respecto a la primera edicién en espaiiol por McGRAW-HILL/INTERAMERICANA EDITORES, S. A. de C. V. Cedro Num. $12, Col. Atlampa 06450 México, D. F. Miembro de la Cémara Nacional de la Industria Editorial Mexicana, Reg. Nim. 736 ISBN 970-10-1024-8 ‘Translated of the first edition in English of SEMICONDUCTOR DEVICES: AN INTRODUCTION Copyright © MCMXCIV, by McGraw-Hill, Inc., U.S.A. ISBN 0-07-057625-4 1284567890 P.E.-97 9086543217 Impreso en México Printed in Mexico Esta obra se terminé de imprimir en Febrero de 1997 en Programas Educativos, S.A. de C.V. Calz. Chabacano No. 65-A Col. Asturias Delegacién Cuauhtémoc G.P. 06850 México, D.F, Se tiraron 4500 ejemplaresContenido Acerca del autor Prefacio Introduccién 1.1 Laelectrénica de estado s6lido en Ja vida moderna. 12 Laerade la informacién 1.3 Retos para el ingeniero de dispositivos 14 Objetivo de este libro 5. Consejos para instructores 1 Mecénica cudntica y fisiea estadistica de los electrones Descripcién clasica del mundo fisico: particulas y ondas Descripeién cudntica del mundo fisico Ges La ecuacién de Schridinger para los electrones... El problema del electrén libre. Be Lienado de los estados electrénicos: estadistica persiGn de electrones Resumen del capftulo Un poco de historia Problemas ..... 0 Lecturas recomendadas Ree uaneoee 2 Electrones en cristales: estructura de bandas del semiconductor vat El reto de la clectrénica de estado sélido: 22 Periodicidad de un cristal .......... on Tipos de red basicos 2.4 Electrones en un potencial perisdico . aoe Metales, semiconductores y aislantes. 2.6 — Huecos en semiconductores 2.7 Estrueturas de bandas de algunos semiconductores 2.8 — Modificacién de la estructura de bandas .. ekg Resumen del capitulo. 2.10 Un poco de historia 2.11 Problemas aS 2.12 Lecturas recomendadas wee xiii xv xix XX xxii xxv 65 95Contenido Adulteracién de semiconductores ..... 31 32 33 34 3.5 3.6 37 3.8 Concentracién de portador intrinseco Adulterdcién: donadores y aceptores .... Portadores en semiconductores adulterados Adulteracién con modulacién Resumen del capitulo... Un poco de historia. Problemas : Lecturas recomendadas.. Transporte y propiedades dpticas en semiconductores 4a 42 43 44 45 46 47 48 49 4.10 41 4.12 4.13 414 Dispersién en semiconductores . Relaciones de velocidad-campo eléctrico en nn semiconductores Transporte en campo muy intenso: fenémenos de ruptura Transporte de portadores por difusién ‘Transporte por deriva y difusién: La relacién de Einstein . Propiedades épticas de los semiconductores Inyeccién de carga y cuasi-niveles de Fermi Inyeccién de carga y recombinacién radiativa Inyeccién de carga: efectos no radiativos - La ecuacién de continuidad: longitud de difusién Resumen del capitulo . . . Un poco de historia Problemas Lecturas recomendades Uniones en semiconductores: diodos p-n 5.1 5.2 53 5.4 55 5.6 5.7 58 5.9 5.10 5.1 Uniones de semiconductores con metales y aislantes, 61 62 63 64 Demandas del dispositive... La unién p-n no polatizada Unién p-n bajo polarizacién . El diodo real: consecuencias de los defectos ... Efectos de alto voltaje en diodos ............ Modulacién y conmutacién: respuesta de ca . Aplicaciones de los diodos Resumen del capitulo... Un poco de historia . . . Problemas ...... Lecturas recomendadas ... Metales como conductores: interconexiones ........ El diodo de barrera Schottky Contactos éhmicos A Uniones aisiante-semiconductor 97 98 104 109 119 122 122 123 125 127 128 131 140 146 149 152 159 162 166 169 173 1B 17 180 181 181 184 195 a 24 218 229 230 233 234 237 239 239 242 257 262Contenido 6.5 Aplicaciones y cuestiones tecnoldgicas ...... 6.6 Resumen del capitulo 6.7 Un poco de historia 68 — Problemas 6.9 Lecturas recomendadas Transistores de unién bipolar... . 7.1 Introduccién .. . 7.2 Transistor bipolar: imagen conceptual... 7.3 Caracteristicas estéticas de los transistores bipolares 74 Pardietros de rendimiento estatico del BIT . 7.5 Efectos secundarios en dispositivos reales 7.6 EI BIT como dispositive de conmutacién VT Comportamiento del BJT a alta frecuencia 78 Limitaciones de disefio en BJT: la necesidad de adaptacién de banda y HBT 7.9 Dispositivos evanzades y y sus aplicaciones 7.10 Resumen TAL Unpoco de historia 7.12 Problemas 7.13 Lecturas recomendadas Transistores de efecto de campo: JFET, MESFET y MODFET 8.1 Introduccién 82 El transistor de efecto de campo de unién 83 El transmisor de efecto de campo de metal semiconductor 8.4 Efectos en dispositives reales . 8.5. Transistores de efecto de eampo de heteroestructura 8.6 Cuestiones de alta frecuencia-alta velocidad ..... 8.7 Cuestiones avanzadas de dispositive 8.8 Resumen 8.9 Unpoco de historia 8.10 Problemas 8.11 Lecturas recomendadas ‘Transistores de efecto de campo: MOSFET. 9.1 Introduecién . . 9.2 El capacitor de metal-6xido-semiconductor 9.3 Caracteristicas de capacitancia-voltaje de la estructura MOS. 9.4 Transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor 9.5 Cuestiones importantes en MOSFETs reales 9.6 Cuestiones de alta frecuencia 9.7 El dispositivo acoplado de carga . 9.8 Dispositivos MOS avanzados ... ix 266 269 269 272 273 275 275 216 282 296 301 309 317 320 325 332 333 335 338 339 339 34 346 355 358 365 373 316 379 380 384 385 385 386 307 404 419 424 427 430x 10 u 12 Contenido 9.9 Resumen 9.10 Problemas 9.11 Lecturas recomendadas Dispositivos optoelectrénicos: de fotones a electrones 10.1 La promesa del procesamiento de informacién éptica 10.2 Absorci6n éptica en un semiconductor 10.3 Fotocorriente en un diodo p-n 10.4 El detector fotoconductivo 10.5 El fotodetector P-I-N 10.6 El fotodetector de avalancha 10.7 El fototransistor . 10,8 Detectores de metal-semiconductor 10.9 Limites de deteccién y ruido 10.10 Detectores avanzados 10.11 Resumen del capitulo . 10.12 Un poco de historia . 10.13. Problemas 10.14 Lecturas recomendadas Dispositivos optoclectrénicos: emisi6n de luz Wl Introduccién 11.2 El diodo emisor de luz 11.3. Cuestiones de rendimiento de LED 11.4 — Bstructuras avanzadas de LED. ILS El léser de semiconductor: prinipios bésicos 11.6 — Cuestiones de disefio de léser de semiconductor 11.7 Bstructuras de laser avanzadas . 11.8 Moduladores épticos 11.9 Resumen del capitulo 11.10 Un poco de historia 1.11 Problemas a 11.12 Lecturas recomendadas . . Sistemas de comunicacién épticos: necesidades del dispositive 12.1 Introduccién 122 Una imagen conceptual del sistema de comunicacién dptica 12.3. Contenido de informacién y capacidad de canal . 12.4 Algunas propiedades de las fibras 6pticas 12.5 Resumen de requerimientos de dispositivos 12.6 Dispositivos avanzados:circuitos integrados optoclectr6nicos (OEICS) 12.7 Dispositivos avanzados: integracién de diferentes tecnologfas de semi- conductor 12.8 Resumen dei capitulo 432 432 438 491 491 492 508 512 515 531 536 538 540, 540 344. 546 547 847 548, 549) 553 566 568 568 S71Contenido 12.9 Un poco de historia. 12.10 Problemas 12.11 Lecturas recomendadas .... Lista de simbolos Propiedades importantes de los semiconductores B.1— Introduccién Diodos de microondas de impedancia negativa Cl Introduceién C2’ Resistencia negativa e inestabilidad de carga C3 Dispositivos de transferencia de electrones C4 IMPATTy dispositivos de tiempo de trénsito relacionados C5 Lecturas recomendadas Alguna informacién adicional y problemas El misterio de la emisién espontanea y de la emisién estimulada indice xi 371 572 3573 515 581 581 591 591 592 596 601 608 609 627 629Acerca del autor Jasprit Singh recibié su Doctorado (Ph.D.) en fisica del estado s6lido de la Universidad de Chicago. Ha dirigido sus investigaciones en electrnica de estado s6lido en la Universidad de! Sur de California, en la Base Wright Patterson de la Fuerza Aérea y la Universidad de Michigan, Ann Arbor, donde actualmente es profesor en el Departamento de Ingenierfa Electronica y Ciencias de la Computacién. Sus intereses de investigacién cubren las dreas de materiales semiconductores y sus dispositivos para procesamiento de informacién. También es autor de La fisica de los semiconductores y sus heteroestructuras, McGraw-Hill (1993).Prefacio La tecnologia de la electr6nica del estado sélido se esta transformando a grandes saltos en las iiltimas décadas. Esto ha creado nuevas oportunidades y retos para el ingeniero electrénico. Las oportunidades son notables en las nuevas industrias que han sido incubadas por los dispo- sitivos electr6nicos y 6pticos. Las nuevas industrias no solamente se basan en la tecnologia de silicio, sino que también en la del arseniuro de galio, arseniuro de galio-indio y otros semicon- ductores. La litografia de lineas finas, los nuevos sistemas de semiconductor y los nuevos conceptos de dispositivos son impulsores de lo iitimo en la materia. Incluso también subyace el reto para los estudiantes de ingenierfa electrénica y los libros de texto para ingenierfa elec- trénica. Los nuevos avances en la tecnologfa también significan que se necesita una gran base de conocimientos para comprender y explotar los nuevos dispositivos. Considérense los si- guientes conceptos importantes que se aplican en los dispositivos actuales: i) efectos de elec- trén térmico en dispositivos del orden de los submicrones; if) confinamiento de unién heterogénea para dispositivos bipolares; ii/) confinamiento cudntico para liseres de barrera cuéntica, etc. Estas ya no son cuestiones alcanzadas s6lo por investigadores en sus laboratorios aislados en torres de marfil: son cuestiones relevantes para los dispositivos més recientes de la actualidad, {Cémo responde un libro para estudiantes universitarios a los cambios que ocurren en la tecnologia de semiconductores? El estudio de los dispositivos semiconductores involucra tres ingredientes: i) la fisica de semiconductores; i) los dispositivos electrénicos de semiconductor; y iti) los dispositivos optoclectrénicos de semiconductor. La mayor parte de los instructores, tienen diferentes puntos de vista de cémo deberfa repartirse un semestre efectivo de clases entre estos tres temas. Por tradici6n, predomina el segundo tema. Se presenta una base mfnima de fisica con el fin de establecer el Ienguaje basico de semiconductores. El tercer tema con frecuencia es ignorado. Los libros de texto de dispositivos semiconductores también siguen por lo regular este enfoque tradicional, se basa en buenas razones y ha servido mucho a los ingenieros electrnicos. Sin embargo, en vista de los cambios ocurridos en la tecnologfa de los semiconductores, puede que no sea la eleccién obvia. Claro, es necesario un entendimiento de los dispositivos optoelectrnicos importantes en vista de la importancia de su crecimiento. Y también son esenciales algunas bases en fisica si el ingeniero electrnico va a apreciar los conceptos de los dispositivos que evolucionan répidamente. En este libro he intentado presen- tar un tratamiento balanceado de estos tres temas de modo que el instructor pueda elegir los que serdn cubiertos, dando su particular sentido de prioridades y segtin las limitantes de tiempo de la clase. Examinemos brevemente los tres temas mencionados. Fisica de semiconductores. Con el fin de comprender completamente la fisica sobre la cual se basan los conceptos como masa efectiva, movilidad, coeficiente de absorcién, es- tructura de bandas, etc., se necesitan uno 0 més cursos a nivel de posgrado, Sin embargo, ta ruta que conduce a estos conceptos puede ser explicada sin todo el rigor matemético a estu-xvi Prefacio diantes universitarios. En los primeros cuatro capitulos de! libro se revisa la fisica de los semi- conductores haciendo uso de un mfnimo de mateméticas y un mfnimo de mecdnica cudntica. He intentado hacer completas las secciones. Un instructor que no quiera insistir en algunas ‘reas puede saltérselas o asignarlas como material de lectura. Al hallar cerca de 60 ejemplos resueltos en estos capitulos relacionados con la fisica, espero que los estudiantes puedan seguir la mayorfa de los temas con bastante facilidad. Dispositivos electrénicos de semiconductor. Los dispositivos electrénicos de semiconductor forman el niicleo de la mayor parte de los cursos universitarios. En este libro se cubren con detalle todos los dispositivos importantes. Se incluyen alrededor de 50 ejemplos resueltos para ilustrar los conceptos discutidos. dems, se presentan las motivaciones para de nuestro “dispositivo ideal” hacia los dispositivos del mundo real de la actualidad y del futuro. En cada capitulo se revisan aspectos acerca de dispositivos avanzados. Estas secciones pueden ser discutidas brevemente por el instructor o tan slo asignarse como material de lectu- ra, Al exponer al estudiante los conceptos de los dispositivos avanzados, creo que se rompe el rigor de la manipulacién de las ecuaciones de Poisson y de continuidad de corriente, y el estudiante puede sentir mayor interés en las cosas por venir. Dispositivos optoelectrénicos de semiconductor. Tradicionalmente, los dispositivos optoelectrénicos se han revisado con brevedad en los textos y curricula universitarios. Parte de la raz6n se deriva de un sentimiento de que algo como los dispositivos optoelectrénicos son “ms mecdnica cudntica” que dispositivos electr6nicos. Mientras que, hist6ricamente, los efectos 6pticos pueden estar més vinculados a la mecénica cudntica, en realidad el nivel de necesario no es muy diferente en los dispositivos electrénicos y optoclectrSnicos. Considere, por ejemplo, la movilidad en un semiconductor y la absorci6n éptica o procesos de emisién Un proceso de dispersién dominante en la movilidad es la dispersién de electrones por los “fonones 6pticos” o “fonones dpticos polares”. Para estudiar verdaderamente este fenémeno, se necesita el entendimiento de la formulacién matricial de la mecénica cudnt cuantizacién”. El concepto de emisiGn esponténea y estimulada es necesario para comprender la movilidad del GaAs (0 Si). El mismo nivel de mecénica cudntica es necesario para entender Ia absorcién éptica y los procesos de emisién que intervienen en los léseres y detectores de semiconductor. La interesante drea de los dispositivos electrénicos es conducida dentro del aleance de un estudiante universitario, haciendo que tenga un “acto de fe” al aceptar el concepto de movi- lidad en los semiconductores. En este texto intento motivar el mismo acto de fe para el estu- diante al darle el concepto de absorci6n y emisién épticas. Esto me permite tratar los dispositivos optoelectrénicos al mismo nivel de detalle con el que trato los dispositivos electrénicos. Con la creciente importancia de los dispositivos optoelectrénicos, espero que este texto serviré a las necesidades de los instructores que deseen discutir estos dispositivos. Con base en la discusién anterior, espero que este texto pueda ser utilizado para un curso introductorio de dispositivos semiconductores a nivel de principiantes y avanzados. En un curso de esta naturaleza, el enfoque puede estar centrado en los dispositivos electrénicos. Por otro lado, también podrfa ofrecerse un curso introductorio en optoelectrénica de semiconduc- tores, tal vez aun nivel de avanzados o incluso a nivel de principiantes en posgrado. Al ofrecer una discusién balanceada y alrededor de 150 ejemplos trabajados, tengo la esperanza de que este libro de texto no s6lo sirva para las necesidades del curso de los estudiantes, sino que también pBdrfa ser una amplia fuente de término para sus futuras carreras, El nivel de dificul- tad de las diversas secciones se sefiala como se discute en detalle en a IntroducciénPrefacio xvi En cada capftulo también he incluido la seccién “Un poco de historia”. Esta seccién explora el desarrollo historico de tos conceptos que se tratan en el capitulo y suministra una instanténea de fas personalidades que intervienen y de los retos de la época. Siento que para el estudiante de ingenierfa electrénica es importante sentirse vinculado a través de la historia a los dispositivos que son parte integral de nuestra vida Este manuscrito fue mecanografiado por la Sra, Izena Goulding, a quien le estoy muy agradecido. Las figuras, léminas en color, disejio de portada y formacién de este libro fueron realizadas por Teresa Singh, mi esposa. Ella también proporcion6 el apoyo sin el cual este libro 1no hubiera sido posible. El apoyo del Dr. John Hincley al luchar con intrincados detalles de tipografia también se agradece en gran medida. También estoy en deuda con mis colegas y la administracién de la Universidad de Michigan por proporcionar Ia atmésfera y los recursos fisicos para hacer posible la escritura del libro en estos tiempos de répida investigacién. Finalmente, quiero agradecer a la Sra. Anne Brown, mi editora en McGraw-Hill, por proporcionarme la ayuda de un extraordinario equipo de dictaminadores. Sus comentarios fueron invaluables para cristalizar y enfocar este texto. En particular me gustaria agradecer a los profesores Wayne Anderson de la Universidad del Estado de Nueva York en Buffalo, Frank S. Barnes de la Universidad de Colorado en Boulder, Chin-Li Chen de la Universidad de Purdue, Phillip Christie de la Universidad de Delaware, Thomas A. DeMassa de la Universi- dad del Estado de Arizona, Stephen Goodnick de la Universidad del Estado de Oregon, Fred Lindholm de la Universidad de Florida, Richard S. Muller de la Universidad de California en Berkeley, William L. Wilson, Jr. de la Universidad Rice y el Dr. Michael Stroscio de la Oficina de Investigacién de la Armada de los Estados Unidos, Carolina de! Norte, por su asistencia en {a revisién del manuscrito. También debo dar las gracias al Profesor Stephen, Director de la Universidad Carnegie Mellon por su asistencia como Editor Consultor. Se tiene disponible (en inglés) un Manual del instructor para los profesores. Este manual tiene soluciones al final de los problemas del capitulo y problemas adicionales del apéndice D que los instructores pueden hallar dtiles para examinar a los estudiantesIntroduccion LI LAELECTRONICA DE ESTADO SOLIDO EN LA VIDA MODERNA Tanto los nifios como los adultos han sentido fascinacién con las historias mitol6gicas y los cuentos de hadas. Las leyes de la fisica parecen no existir mientras leemos acerca de puertas que se abren al conjuro de una palabra magica o de semidioses que pueden destruir a los seres vivientes s6lo con mirar un objeto. Si ahora damos un paseo a través de una exhibicién de modernos productos electrénicos, nos sorprenderemos de ver que muchas de esas fantasfas no eran, después de todo, tan inconsistentes con las leyes de la fisica. La moderna electronica de estado sdlido est convirtiendo répidamente la fantasfa en realidad. Los rastreadores de laser, sensores térmicos y quimicos, cdmaras de video, méquinas de facsimil (“fax”), etc., estén Ilevando nuestras vidas a una “tierra mdgica”. El cientifico dedicado a estos dispositivos, el disefiador de sistemas y el ingeniero de programacién (“software”) han creado una verdadera “fuente de los deseos” donde se puede pedir casi cualquier clase de artefacto y éste se le suministrara, Probablemente dos sitios en el mundo sean los responsables del impacto més intenso de las fuerzas que se han desatado a causa de la electronica de estado s6lido. Uno es el famoso Silicon Valley (“Valle de! silicio”) en el norte de California (Estados Unidos de América). A medida que nos introducimos en Silicon Valley, caemos en el ojo de un tornado. Desde compa ‘fas inmensas como National Semiconductor e Intel, hasta diminutas compafifas con slo dos o tres empleados, en Silicon Valley prosperan las visionarias empresas que han cambiado para siempre la vida humana. Los ingenieros se emocionan mientras elucubran sobre nuevas ¢ inte- resantes especificaciones para productos ¢ introducen nuevas tecnologias. Capitalistas afortu- nados, con los bolsillos Tenos, se encuentran a la biisqueda de nuevas ideas que puedan “pegar”. “Compradores de trabajo” brincan de una compaiifa a otra vendiendo su experiencia y perici: de manera muy semejante al “reparatodo” que hace unas cuantas generaciones legaba a arre- glar cosas al pueblo, En realidad, es dificil imaginar la vida que Hevarfamos sin los visionarios cientificos de Silicon Valley. El segundo lugar responsable de otro verdadero impacto de tecnologfa en el visitante primerizo es la seccién de mercancfas de Akihabara en Tokio (Jap6n). Aqui, més de 600 tien- das crean un ambiente de carnaval, y no venden algodén de azticar ni carruseles, sino lo Gitimo en cémaras de video, reproductores de CD, maquinas de lavado basadas en “I6gica difusa” y todo lo imaginable. El érea tiene un sabor de “bazar oriental”, y ofrece una vivida imagen de lo Jejos que ha llegado 1a industria de la electr6nica de estado sélido. En principio, todas las hazaffas que realizan los modernos sistemas con electrénica de estado sélido podrian efectuarse mediante tubos de vacfo, bulbos u otras tecnologfas sin semi- conductores. Sin embargo, ,quién querrfa hacer su ejercicio de carrera 0 caminata con un “walkman de bulbos” de 20 kg?, ,0 jalar mas de 500 kg de computadora “portatil"? Sélo la tecnologfa del semiconductor pudo realizar esta hazaiia.xx Introducci6n Tabla 1.1: Imaginemos la vida moderna sin alguno de estos productos electrénicos de estado sélido. Radio de transistores Sistemas de television y visualizacién ‘Computadoras personales y macrocomputadoras Reproductores de discos compactos El radiotransmisor portatil ("walkie-talkie") La maquina de facsimil o “fax” Lectores laser de cédigo de barras en las tiendas departamentales EI teléfono celular Sistemas computarizados en medicina Sistemas sensores ‘Aerondutica controlada por computadora La tecnologia del semiconductor de estado sélido ha llevado sistemas complejos y de gran valor al alcance de la gente comtin. Con la radio de transistores, poblaciones en remotos Tincones del mundo pueden conectarse con el resto del globo terréqueo al oprimir un botén. La tecnologia de semiconductores es confiable, barata y proporciona la comodidad més importan- te del mundo actual: informacién y conocimiento, En la tabla 1.1 se enumeran algunos de los sistemas que han Hegado a ser parte integral de nuestras vidas, como los muebles de madera y la baterfa de cocina, Imaginese cémo serfan nuestras vidas sin estos productos que s6lo tienen una generacién de antigiiedad. ;Por qué somos tan dependientes de estos productos que parecfan frivolidades cuando aparecieron por primera vez? La raz6n es que nos movemos de manera creciente hacia la era de la informaci6n. 1.2 LA ERA DE LA INFORMACION La época en que estamos viviendo se conoce a menudo como la era de la informacién, Sin embargo, la informacién ha sido siempre de gran significado a través de la historia. Cuando Alejandro Magno invadié la India, fue crucial en su victoria la informacién que obtuvo acerca del ejército basado en elefantes del rey indio Porus. En la actualidad, la informacién obtenida por sistemas de comunicacién via satélite es invaluable para ganar un poco més en el campo de batalla. De hecho, ya sea en la guerra o en la paz, la informacién ha sido siempre un elemento clave para “progresar” (aunque ganar una guerra no siempre sea considerado como progreso). En la actualidad, los médicos que realizan delicadas cirugfas pueden rastrear en tiempo real : Las secciones son un poco dificiles y/o apropiadas para estudiantes que hayan tenido alguna introduccién a los dispositivos de semiconductor. En una clase introductoria, el instructor puede decidir saltarse estas secciones por completo o resumir los resultados sin pasar por las derivaciones matemdticas. RK: Las secciones se presentan para lectura informativa, Los estudiantes pueden ir a través de estas secciones como si estuvieran leyendo una revista de ciencia popular. Los ins- tructores pueden, entonces, asignar estas secciones como tareas de lectura.Introducci6n xxv Laminas a color. En las laminas a color de este libro se discuten varias cuestiones importantes relacionadas con dispositivos y procesamiento. Mi motivacién fue proporcionar alguna informacién al lector acerca de estos importantes asuntos sin incrementar excesiva- mente el tamafio del texto. Se invita al usuario a observar cuidadosamente estas léminas ya que las cuestiones de procesamiento y tecnologia son de gran importancia en los dispositivos de semiconductor. Unidades. El libro hace uso de las unidades del Sa todo lo largo del mismo. Muchos de los ejemplos resueltos proporcionan las unidades en cada paso. El estudiante puede notar que se utilizan centimetros en algunas partes y metros en otras. También, las unidades de energia se establecen en joules en unas partes y electrén-voltios en otras. Estas son para con- formar practicas esténdar y no debern ocasionar ninguna dificultad al estudiante. Problemas adicionales, Apéndice D. Una observacién final para los usuarios es con respecto al apéndice D. Este apéndice tiene alrededor de 150 problemas, algunos con utiles segmentos de informacidn acerca de la ffsica de los semiconductores y sus dispositivos. Algo de la informacién dada podria haber sido incluida en el texto, pero siento que la continuidad de la discusién habria reflejado el desvfo. Se advierte al usuario que debe considerar el apéndi- ce D como parte integral del texto. El apéndice puede probar ser titil sobre todo cuando el lector esté evaluando qué tan bien ha comprendido los temas cubiertos. 15 CONSEJOS PARA INSTRUCTORES Los consejos para el uso de este texto en cursos introductorios de dispositivos electrénicos de semiconductor o dispositivos optoelectrdnicos se presentan en las figuras adjuntas. Se sugiere una programacién de 35 horas de lectura a lo largo del semestre. Por supuesto, éstos s6lo son consejos sugeridos y pueden beneficiar a un instructor que utilice el libro por primera vez. Como puede advertirse, no hay tiempo de sobra para cubrir los temas basicos esenciales para estos cursos. Asf, puede ser muy dtil para el instructor emplear auxiliares visuales, con lo que se evitarfa gastar demasiado tiempo de clase dibujando complicadas estructuras de dispositi- vos escribiendo largas ecuaciones. Al menos, el autor encuentra dificil hacer uso del pizarrén y los estudiantes con frecuencia se abusren mientras se est4 dibujando un detallado dibujo de estructura de bandas del Si o un perfil de bandas de un MOSFET de Si. El uso de diapositivas puede ser titil y puede mantenerse el énfasis sobre la informacién real que se transmite. Tam. bién es muy ttil sia Jos estudiantes se les puede proporcionar un detallado esquema de lectura ‘con una seria recomendacién para leer por adelantado. Estoy suministrando una gufa para un curso de dispositivos electrénicos y un curso de dispositivos optoelectrdnicos. El anterior ha sido un curso esténdar oftecido por décadas en la mayorfa de los departamentos de ingenierfa eléctrica. Sin embargo, con la creciente importan- cia de la optoclectrénica, varias escuelas estén comenzando a ofrecer un curso de optoelectrénica a nivel universitario o a nivel de principiantes en posgrado. Este libro ha sido escrito para servir a las necesidades de un curso introductorio de dispositivos electrénicos asf como alas de tun curso sobre dispositivos optoelectrénicos.xxvi—_ Introduccién Capitulo 1: + Discusién del enfoque mecénico-cudntico a los fenémenos fisicos; discusiones breves so- bre el dtomo de hidrogeno, efecto tine! (1 fecturad El problema del electrén libre; conceptos de densidad de estados (1 lectura) * Estadisticas del electron (1 lectura) * Dispersién de electrones (tarea de lectura) Capitulo 2: » Estructura bisica de red de los semicon- ductores (1 lectura) ‘+ Electrones en una estructura periédica; desde los niveles at6micos hasta las bandas; concepto del vector-k (1-1/2 lecturas) ‘+ Metales; semiconductores, aislantes (172 lecturad + Concepto de los huecos (1 tectura) + Discusién de importantes estructuras de bandas de semiconductores (1 lectura) + Modificacion de la estructura de bandas (opcionah Capitulo 3: + Concentracién de portador intrinseco (1 tectura) Concepto de adulteracién (dopado); Conductores en los semiconductores adulterados (dopados) (1-1/2 lecturas) Conceptos de modulacién de dopado (172 leeturad (1 Fectural lad Capitulo 4: Conceptos de dispersion y mo + Transporte de deriva (relaciones velocidad- | ‘campo, ruptura) (1 lectura) ‘+ Breve discusin de procesos 6pticos; conceptos del cuasi-nivel de Fermi (1 lectura) = Recombinacién no radiativa (172 lecturad Ecuacién de continuidad; difusién de deriva. (1 lectura) Figura 1.2 Temas sugeridos para un curso introductorio orientado hacia los dispositivos electr6nicos basicos.Figura 1.3 Capitulo 5: + Capitulo 6: Capitulo 7: « Capitulo 8: + Capitulo 9: + Introduceién Unién p-n en equilibria (1 lectura) Unién p-m bajo polarizaci6n (cuestiones re- lacionadas con los diodos emisores de luz; los detectores pueden ser brevemente men- cionados) (2 lecturas) Respuesta en el tiempo de un diodo p-n (1 lectural iscusion del diodo Schottky (2 lecturas} Discusin de los contactos shmicos (1/2 tectura) Funcionamientos conceptuales de un dispo- sitivo bipolar (1 lectura) LV caracteristicas de un dispositive bipolar; pardmetros de rendimiento de un 8)T (3 lecturas) Cuestiones en un dispositivo bipolar real (area de lectura) Cuestiones de alta frecuencia/alta velocidad (1 ectura) Adaptacion de bandas y HBT (1 lectura) Dispositivos avanzados trarea de lectura) Caracteristicas de corriente-voltaje de JFET, MESFET G lecturas) Cuestiones de dispositives reales (tarea de lectura) MODFET (opcional) Cuestiones de alta frecuencia/alta velocidad (1 lectura) Cuestiones de dispositive avanzados_(tarea de lectura) El capacitor MOS (2 tecturas) Caracteristicas de corriente-voltaje del MOSFET (2 lecturas Cuestiones de dispositivos reales (tarea de lectura) cco (tarea de lectura) Temas sugeridos para un curso introductorio orientado hacia los dispositivos electrénicos basicos (continuacion) xxvixxviii Introduccién Los primeros tres capitulos podefan cubrirse como en el caso del curso introductorio de dispositivos electrénicos. Silos estudiantes ya han tenido tun curso introductorio de importancia, estos temas pueden cubrirse a un | paso mis acelerado. Capitulo 4: + Dispersion de electrones; concepto de mo- vilidad,relaciones de velocidad-campo; efec- tos de ruptura (2 lecturas) + Transporte de difusién (1 lectura) + Propiedades dpticas de los semiconductores. (3 lecturas) + Conceptos de cuasi-nivel de Fermi (1 lectural + Efectos no radiativos 41/2 lectura) + Ecuacién de continuidad (1 lectura) —— Capitulo 5: * Unién p-n en equi (1 teeturad + Unién p-n bajo polarizacién (2 tecturas) | * Eldiodo real; efectos de alto voltaje (1 fecturad Capitulo 6: + Diodo Schottky (1 lectura) | + contacts shmics (ecw) Figura a Temas sugeridos para un curso introductorio hacia dispositivos optoclecte6nicos.Figura 1 Capitulo 12: Fotocorriente en un diodo p-n * Detector fotoconductivo * Detector PAN + Fotodetector de avalancha * Fototransistor, detector MSM = Ruido en la deteccin isor de luz; funcionamiento ba- + Cuestiones de rendimiento del LED + Estructuras avanzadas de LED os fundamentales del diodo laser + Cucstiones de disefio de liser ‘+ Moduladores épticos + Sistema de comunicacién éptica y capaci- dad de transmision + Propiedades de las fibras dpticas ‘+ Demanda de dispositivos épticos Introduccién xxix (1 lect. (1 tectara) (1 Feetura (1 lecturay (2 lectura) 10 lectura) (2 lecturas) (2 lecturas) (2 lecturas) (1 lectura) 3 lecturas) (1 lectura) (1/2 lectura) (7 Fectura) (2 lecturas) (7 lectura) Temas sugeridos para un curso introductorio hacia dispositivos optoelectrdnicos (continuacién)CAPITULO 1 MecdGnica cuadntica y fisica estadistica de los electrones UNA MIRADA AL CAPITULO * ‘La descripcién clasica del mundo donde las particulas son particulas y las ondas son ondas Secci6n 1.4 * La descripcién cuantica del mundo donde las particulas pueden comportarse como ondas y las ondas pueden ‘comportarse como particulas Seccién 1.2 * ta ectiacién de Schridinger que describe el comporta- miento de tipo ondulatorio de los electrones: aplicaciones iitiles " Seccién 1.3 * 4Cémo se comportan los electrones en el espacio libre? ‘Un-concepto de la mayor importancia: la densidad de los estados (concepto utilizado en todo este libro) Seccién 1.4 ‘+ :C6mo ocupan los electrones fos estados electrénicos dis- ponibles en equilibrio? La distribucién de Fermi-Dirac Seccién 1.5 + 4Cémo se dispersan los electrones de un estado a otro? Secci6n 1.6 Todos los dispositivos electrénicos y optoelectrénicos basados en semiconductores utilizan las propiedades especiales que tienen Ios electrones dentro de los semiconductores. Los neutrones y protones que se hallan presentes no participan directamente en ningtin proceso fisico aunque son esenciales y, junto con los electrones centrales, proporcionan la quimica que causa que el material sea un semiconductor. Los neutrones y protones se hallan inméviles mientras los electrones son “libres” de moverse alrededor. Para comprender las propiedades de los sen conductores y sus dispositivos debemos comprender las propiedades de los electrones dentro de los semiconductores. En particular, deberfamos ser capaces de comprender dos aspectos de las propiedades electrénicas: i) qué es la energfa, momento, posicién, etc. del electrén dentro de un semiconductor; y if) cémo responden los electrones a una perturbacién externa tal como un campo eléctrico, magnético, electromagnético, ete. Bajo ciertas condiciones, los electrones en los semiconductores casi obedecen las ecuaciones clésicas del electrén “Iibre” de la forma: (1)2 Capitulo 1 Mecénica cudntica y fisica estadistica de los electrones dp at (1.2) donde E, p, Fey y ~¢ son la energia del clectrén, el momento, Ia fuerza y la carga, Las fuerzas externas incluyen los efectos de un campo eléctrico F y un campo magnético H. Sin embargo, a diferencia del espacio libre, la cantidad m* no es 1a masa del electrén libre sino algo muy diferente. Se le denomina la masa efectiva y puede ser positiva o negativa. Ast, aun cuando las ecuaciones 1.1 y 1.2 tengan el aspecto de ecuaciones clasicas, incluyen un extrafio concepto: el de la masa efectiva. Para entender este concepto y muchos otros fendmenos fisicos que no se describen mediante las ecuaciones 1.1 y 1.2, necesitamos hacer uso de la mecénica cudnt EI primer paso para nuestra comprensidn de los semiconductores ser apreciar los conceptos basicos de la mecénica cudntica, En este capitulo discutiremos algunas propiedades importan- tes de los electrones por medio de la mecénica cudntica. Antes de hacerlo, revisaremos breve- mente algunos conceptos clisicos. 1.1 DESCRIPCION CLASICA DEL MUNDO FISICO: PARTICULAS ¥ ONDAS + El mundo clisico que hemos usado (véase la tabla 1.1) esta descrito por dos clases de entidades: i) sistemas que pueden ser caracterizados como particulas 0 coleccién de particulas. Ejemplos de ellos son este libro, una pluma, la tierra, la luna, etc.; 7) sistemas que se describen mediante una forma parecida a Ja de una onda. Ejemplos de éstos son las ondas electromagné- icas, de sonido, etc. La descripcién fisica de estas dos clases de entidades esta dada por ecu: ciones especiales, las cuales describen ciertas propiedades fisicas observables de la entidad. Por ejemplo, en el caso de las particulas tenemos las ecuaciones de Newton del movimiento, la relacin de la energfa de una particula con respecto a su momento, etc. Estas ecuaciones pue- den enumerarse brevemente como Relacién energia-momento: (1.3) eu: jones de Newton: (4) donde p es el momento, F., una fuerza, U(r) la energta potencial y m la mas En forma similar, se tienen ecuaciones de movimiento para las entidades caracterizadas ‘como ondas. Tenemos las ecuaciones de Maxwell, que representan las ondas electromagnéti cas, la ecuacién de onda para ondas de sonido, eteétera. Tanto las particulas como las ondas de la fisica clasica pueden ser portadoras de energia. Sin embargo, hay diferencias importantes entre estos dos conjuntos de entidades fisicas. Una posicién, momento, ete, de una particula puede definirse con precisién arbitraria, Su energia puede tomar un valor continuo como se demuestra en la ecuacién 1.3. Este no es el caso para una onda. En el caso de una onda, hay una incertidumbre en la descripcion de su posicién y su1 Descripcién clasica del mundo fisico: particulas y ondas_ 3 ‘momento, Revisemos primero la incertidumbre en ta descripcién de onda. Considérese una ecuacién de onda de la forma Particulas: (planetas, piedras,...) © Entendimiento mediante las ecuaciones de Newton + Posicién, momento bien definid * Ausencia de comporta- miento cuantizado Hay duali Descripci tipo ondul es decir, li Tabla 1.4 Vision clasica y cudntica de! mundo, Incertidumbre en cantidades fisicas observables ‘© Cuantificacién de cantidades fisicas observables, valores continuos ay ay et Ls a ae a FISICA CLASICA Ondas: (sonido, ondas acusticas,...) Entendimiento mediante las ecuaciones de onda Incertidumbre en la posicién: vector de onda Las frecuencias pueden estar cuantizadas MECANICA CUANTICA idad particula + onda i6n fisica de paticulas mediante ecuacién latoria: ecuaci6n de Schrédinger as cantidades fisicas pueden no tener fisico.4 Capitulo 1 Mecénica cuantica y fisica estadistica de los electrones Las soluciones de esta ecuacién son de la forma (A es una constante de normalizaci w(x, ) =A exp [i(kx - w)] (1.6) donde =f «7 Vets Las cantidades fisicamente mensurables que describe la onda de la ecua vector de onda k, la posicién x, la frecuencia y el tiempo . Hagdmonos la pregunta: ;dénde se localiza la onda en el espacio? La respuesta es: jen todo el espacio! Esto puede verse si se advierte que la probabilidad de que la onda esté en algtin punto en el espacio es simplemente ly, 8 la cual es igual a.A* en todos los puntos. De este modo una vez que el vector de onda k se especifica con precisién, ta posicién de la onda queda jcompletamente inespecificada! Esto contrasta con el problema de la particula. Con el fin de describir una onda que esté loca- lizada en alguna regiGn del espacio, se utiliza el concepto de un “paquete de ondas”. El paquete de ondas se localiza en el espacio como se muestra en la figura 1.1. Por ejemplo, cuando se lanza una piedra en un estanque, se produce un paquete de ondas de agua y en cualquier instan- te de tiempo el paquete de ondas se localiza en alguna posicin en el espacio, Al construir un paquete de ondas, sacrificamos su precision en el espacio-k en Ak y ganamos una precisién Ax en el espacio real. En general, la anchura de! paquete de ondas en el espacio real y el espacio k tiene la relacién Ak Ax21 (1.8) Podemos repetir este procedimiento para una onda que tiene una forma temporal jon (19) wo y obtener también un paquete de onda que est localizada en tiempo y frecuencia. Las incerti- ‘dumbres en tiempo y frecuencia se relacionan nuevamente por A@ar>1 (1.10) Ademés del problema de incertidumbre discutido anteriormente, examinemos otro as- pecto de las ondas: las variables fisicas discretas. Estamos familiarizados con las frecuencias emitidas por la cuerda de un violin o por una cftara. Una vez que se afina una cuerda, la frecuencia se fija sin importar cémo se pulse la cuerda. En la cftara, el virtuoso ajusta répid: mente con el dedo la Jongitud de la cuerda, alterando de este modo la frecuencia. La razén de que las frecuencias estén “cuantizadas” (es decir, si la longitud de onda est cuantizada, luego entonces la frecuencia también esté cuantizada) es que para una longitud dada de la cuerda el mimero de longitudes de onda que pueden caber en ella est dado por na (any1.1 Descripcién clasica del mundo fisico: particulas yondas 5 donde es la longitud de onda, L Ja longitud de la cuerda y n un entero. Ast, las longitudes de onda y frecuencias “permitidas” no son continuas sino discretas. De la discusién en esta seccién, vemos que en la fisica cldsica el fenémeno de tipo “ondulatorio” y el fenmeno de tipo “particula” tienen una clase diferente de descripcién. Por supuesto, cuando examinamos un sistema no tenemos problema en decidir si es una particula Parte real de una onda Ld — a x ” | = be Parte real del “paquete de ondas’ yv Figura 1.1 4) Una descripcién esquematica de una onda unidimensional e** que se extiende sobre todo el espacio; 6) un paquete de ondas producido por la combinacién de varias ondas origina un paquete que se localiza en el espacio con una diseminacién finita. El paquete de ondas se muestra centrado en x,y tiene una dispersién Ax. La dispersion es tal que Ak Ax= 1. fsta es una “telacin de incertidumbre” en fisica clasica para ondas. Nohay tal incertidumbre en la fisica clasica para particulas.6 — Capitulo 1 Mecanica cudntica y fisica estadistica de los electrones o.una onda. En la siguiente seccién, veremos cémo esta distincidn se desvanece cuando uno se enfrenta al problema cudntico 1.2. DESCRIPCION CUANTICA DEL MUNDO FISICO —> La descripcién clasica discutida en la seccién anterior fue adecuada para describir fend- ‘menos complejos tales como movimientos planetarios, méquinas herramientas de varios tipos, reflexién, refracci6n ¢ interferencia de la luz, etc. De hecho, casi todo lo que se puede percibir con nuestros sentidos podrfa ser (al menos superficialmente) examinado por la fisica clésica, Entonces, al principio del siglo xx, se efectuaron algunas observaciones que comenza- ron a estremecer los fundamentos del pensamiento clésico. Por supuesto, la ciencia siempre ha progresado por una interaccién entre las observaciones experimentales y la descripcién tedrica del fenémeno. Sin embargo, nunca antes los cientificos se habfan enfrentado a un impre nante cuerpo de observaciones experimentales de esta clase que desafiaban completamente una explicacién clésica. Resumiremos algunas de estas importantes observaciones. (Véase la seccién “Un poco de historia”, al final de este capitulo.) La radiaci6n de cuerpo negro. Considere un sistema a una temperatura T en equili- brio con Ia radiacién que genera. Se encuentra que la radiacién tiene un espectro muy bien definido, Este espectro no era explicado por la mecénica clasica y slo fue comprendido cuan- do Planck sugirié que una onda electromagnética con frecuencia @ intercambia energia con la ‘materia en un “cuanto” dado por E y=ho (1.12) Aqui hes una constante universal llamada la constante de Planck (h es h/272) Esta suposicin pareciera sugerir que las ondas luminosas tienen una energfa bien definida del mismo modo que las particulas lo hacen. El efecto fotoeléctrico. En el experimento fotoeléctrico estudiado por Binstein, Ia ra- diacién 6ptica incide sobre un sistema material y los electrones eran extraidos debido a la interaccién de la luz. con los electrones. Einstein encontré que el intercambio de energia estaba gobernado por la relacién E=ho (1.13) es decir, para una longitud de onda particular de la luz, solamente una energia bien definida era transmitida a los electrones sin importar la intensidad del haz. de luz. Elespectro atémico. Mientras los dos experimentos anteriores sugieren que las ondas Juminosas se comportan como particulas en algunas situaciones, Ia observacién del espectro at6mico mostré que los electrones dentro de los étomos ocupan niveles discretos de energia bien definidos, los cuales tienen una relacién especial entre sf. Se efectuaron otras observacio- nes que también sugerfan que las energfas de las particulas estaban “cuantizadas” en algunos casos (como en el de las ondas en la discusién de la seccién anterior), Los experimentos mencionados y muchos otros parecen sugerir que hay una dualidad en Ja naturaleza. Las partfculas se comportaban en ocasiones como ondas y viceversa. Es un gran tributo a los genios de la época que ellos fueran capaces de resolver estas cuestiones y de desarrollar un formalismo que explics estos nuevos resultados y que aun esclarecieran fené- menos que eran clésicos en la naturaleza.EJEMPLO 1.1 EJEMPLO 1.2 1.2 Descripcién cuantica del mundo fisico 7 Los desarrollos en mecénica cudntica egaron en varios pasos y culminaron con Ia des- cripcién de Schrédinger y de Heisenberg. Estas dos descripciones son enfoques diferentes a la misma naturaleza cudntica de la fisica. El enfoque de Heisenberg proporciona famosas relacio- nes de incertidumbre de Heisenberg entre el momento p y la posicién x, y entre la energia y el tiempo, (1.14) Para nuestros propésitos la descripcién de Schrédinger es més util y la revisaremos en la siguiente secci6n, En un experimento, se fuerza 4 los étomos de hidrégeno a alcanzar su primer estado excitado mediante Ja colisién con un haz de electrones. Experimentalmente, se observa que las energfas de los electto- nes retiradas desde el haz. de electrones inicial no son idénticas aun si el haz inicial es monoenergético. La fluctuacién en la energia del electrén es de ~10- eV. Calcule el tiempo de vida media det estado excitado. La fluctuacién en la energfa se debe al hecho de que el estado excitado del étomo de hidrégeno no dura eternamente, sino que tiene un tiempo de vida finito que, por el principio de incertidumbre, est dado por & ab ote $1.05 x10 I-58) 2AE (10x 1.6x 10" J) =3.3x 10s Considere un carro de 1 000 kg que se mueve a una velocidad de 100 km por hota con un error de velocidad de 1 jim/hora, Calcule el error mite al especificar la posicién del carro, El error en el momento del carro es p= Mav = (10a) (— 2.77 x 107 kg mis 60 El error Ifmite en la posicién impuesto por la mecénica cudntica es 1 ou ae 2 105x108 a 1.89 108 m 2Ap 22.77 10") .9 x 10° jde un cabello humano! Este ejemplo s6lo sirve para mostrar que en situaciones de la vida real, cuando tratamos con objetos, ‘grandes, el principio de incertidumbre no tiene implicaciones. En el ejemplo anterior los errores en Ap 0 ‘Ax son despreciables. Tenemos que empezar a preocuparnos acerca de la mecénica cudntica cuando tratemos con particulas de masas muy pequefias, como los electrones.