AC 128
GERMANIUM - p-n-p ~ NF-TRANSISTOR
fiir Endstufen,
ala Transistorpaar fiir Gegentakt-B-Schaltungen,
in Verbindung mit AC 127 als komplementires Paar
Abmessungen in mm:
Gehituse: Metall
Roter Punkt: Kollektorseite
frmax,94-24+min 38.= Kiihischelle 56 227
c / Trertpunie pm
we ES =
rE a ey $
ESL FS
Ee mmax.§ nicht verzint | |
Wirmewiderstan
Kg 5 0,04 grd/aw <—— 17»
0,29 grd/mW ohne Kihlschelle
0,14 grd/mW mit Kihlschelle
0,08 grd/mW mit Kihlachelle
und Kihlfliche
von 12,5 cm
an)
WW
lute Grenzwerte:
“Ugg = max. 32 V
“Ugg = mex. 32 v 1) |
“Ugg = max. 10 V !
Ip = max, 1 A
-Igp = max. 40 mA a5 —-y
P + 700 mW ?) _
3; = max. 90 °C —
d= min, -55 °C SS
4, = max. 15 °C Kiihischelle 56 226
1) bei Rgp $ 500 9, siehe auch Grenz—
"BE
kurve
2) gesamte Verlustleistung; 9; gay darf dabei nicht iiberschritten werden.
Spitzenwert bei B-Verstirkern mit Sprache- und Musik-Aussteuerung max. 1 W.
————
vORTEN | = WALVO HALBLEITERDIODEN UND TRANSISTOREN 863AC 128
Kennwerte: (= 25 °C, sofern nicht anders angegeben)
Kollektor-Reststrom bei -Ucp = 10 V: -lep 0 & 10 vA
Emitter-Reatstrom bei Ugg = 5 V, 9; = 75% -Ipgp 9 § 500 ba
Kollektorspannung bei -Icg y = 200 BA: pur aieeeeeee2 v
Emitterspannung bei -Ipp g = 200 uA: Upp 2 10 v
Kollektor-Restspannung bei -Ig = 1 A '): ep o 946 v
Basisspannung bei Upp = 0, Ig = 50 mA: Ugg * 300 nV
bei Ug = 0, Ig = 300 mi: Upe £ 450 ny
Gleichstromverstirkung
bei Ucg = 0, Ig = 50 mA: B = 90 (55...175)
bei Ugg = 0, Ig = 300 ma: B 90 (60...175)
bei Upp = 0, Ig= 1A: B 80 (45...165)
Frequenz fiir [8|= 1 bei -Upg=2V, Ip = 10m: fy 1,5 (2 1,0) Miz
Grenzfrequenz bei Ugg = 2 V, Ip = 10 mA: fg = 15 (2 10) kHz
Basisbabnwiderstand bei -Ugg = 5 V, Tg = 1 mA mp = 8S a
Kollektorkapazitat bei -Upg = 5 V, Ip = 0 Cyre = 100 pF
Stromverstirkungs-Verhiltnis = 0,60 (2 0,50) *)
Transistorpaai
Das Verhéltnis der Gleichstromverstarkungen beider Transistoren zueinander
bei Ig = 50 mA, Ucy = 0 sowie bei Ip = 300 mA, Upp = 0 ist 1,1 (S$ 1,25).
1) gir die Kennlinie, die bei gleichem Basisstrom durch den Kennlinienpunkt
Ig = 1,14, Ugg = 1V geht
2) bei Up = 10 V, By = 169
943 VALVO HALBLEITERDIODEN UND TRANSISTORENAC 128
VALVO HALBLEITERDIODEN UND TRANSISTOREN 563AC 128
gz (wt) ®- 002.
Ost
ol
ol
(yuu)
3,
Sz (vw) 1-02 St
‘aHOMNIS ———
{ HOMOHIN,
DeGZe
9 = 2).
(vu)
007
VALVO HALBLEITERDIODEN UND TRANSISTOREN
6:
126AC 128
002 (nu) #47- Ost oot os
(n-)9
woe
A/NY7'O @nry0
ev
CNT
PsB/ Aw E'z -=
0 008 (4747-009 _007 00z
OL
(yu)
4
+
tt
t = ‘SyaMne§ ———
Se nieon Laman
002
009
008
‘0001
(yu)
31
o0zt
z
a
Fy
°
5
i
a
z
<
=
&
a
z
2
z
a
a
Q
a
a
=
#
a
2
3
<
=
°
2
<
>AC 128
100 200 300 400 =/¢ (mA) 500
| minimale Kollektor -Emitter--/:|-——
| Spannung fiir di./dUpe= 400yS —
cE
20
10 Fhermische Stabilitat muB gewahrleistet sein
nf et
10? 10° 104 Zoe (2) 10°
VALVO HALBLEITERDIODEN UND TRANSISTORENAC 128
(uA)
max.
1000 Streuwerte
\Mittelwerte
100
20 40 60 80 3 (°C) 100
VALVO HALBLEITERDIODEN UND TRANSISTOREN 482