CK - Vat Ly Chat Ran (khoa 2008).

pdf
CK - Vat Ly Chat Ran (khoa 2009).pdf
CK - Vat Ly Chat Ran (khoa 2010A).pdf
CK - Vat Ly Chat Ran (khoa 2010B).pdf
CK - Vat Ly Chat Ran (khoa 2011A).pdf
CK - Vat Ly Chat Ran (khoa 2011B).pdf
CK - Vat Ly Chat Ran (khoa 2012A).pdf
CK - Vat Ly Chat ran (khoa 2013).pdf
 Trang 1/4

ĐỀ THI CUỐI KÌ – MÔN: VẬT LÝ CHẤT RẮN

KHÓA 2008 - Thời gian: 75 phút
Ngày thi: 30/6/2010
(Thí sinh không được sử dụng tài liệu)

A. PHẦN TRẮC NGHIỆM (5 điểm)

Chọn câu trả lời đúng trong các câu sau:
Câu 1: Lý thuyết phônôn về nhiệt dung của chất rắn:
A. Phù hợp với thực nghiệm đối với các loại vật liệu.
B. Chỉ đúng đối với vật liệu bán dẫn.
C. Chỉ đúng đối với vật liệu kim loại.
D. Chỉ đúng đối với vật liệu điện môi.
Câu 2: Phônôn:
A. Là sự lượng tử hóa của sóng đàn hồi môi trường vật chất.
B. Có thể tồn tại trong mọi môi trường, trừ chân không.
C. Có mật độ hạt tăng khi nhiệt độ giảm.
D. Tuân theo phân bố Bose - Einstein.
Câu 3: Theo lý thuyết cổ điển về khí điện tử của Druge, một kim loại ở nhiệt độ 37oC thì vận tốc nhiệt của điện
tử tự do trong nó bằng:
A. 1,19.105 m/s B. 4,1.104 m/s C. 9,7.104 m/s D. Không xác định được
Câu 4: Nhiệt dung riêng của đồng (khối lượng mol là 63,54 g/mol) theo lý thuyết nhiệt dung cổ điển bằng:
A. 393 J/kg.độ B. 229 J/kg.độ C. 22,95 J/kg.độ D. Một giá trị khác.
Câu 5: Độ linh động của điện tử trong vật dẫn được tính bởi công thức:
A. B. C. D.

Với = độ dẫn điện riêng của vật dẫn; = thời gian sống; = mật độ của điện tử trong vật dẫn.
Câu 6: Cho một kim loại có nồng độ hạt tải là 8,5.1023 m-3, độ dẫn điện = 5,7.107 . Áp một điện
trường có giá trị E = 100 V/m vào mẫu. Vận tốc cuốn của các electron dẫn bằng:
A. 0,42 m/s B. 0,21 m/s C. 4,21 m/s D. 2,10 m/s
Câu 7: Giả sử một kim loại kết tinh theo dạng lập phương tâm mặt, hằng số mạng a = 3,61nm; hóa trị 1, độ dẫn
điện Thời gian hồi phục của electron dẫn trong kim loại này là:
A. 2,38.10-9s B. 3,28.10-14s C. 2,38.10-14s D. Một giá trị khác
Câu 8: Bán dẫn là vật liệu có cấu trúc:
A. Vùng dẫn không chứa điện tử và độ rộng vùng cấm Eg > 3MeV.
B. Vùng dẫn không chứa điện tử và độ rộng vùng cấm Eg < 3MeV
C. Vùng hóa trị đầy điện tử và độ rộng vùng cấm Eg < 0.
D. Cả A, B, C đều sai.
Câu 9: Độ rộng vùng cấm được tính bởi:
More Documents: http://physics.forumvi.com
 Trang 2/4

A. Eg = Ev + Ec B. Eg = Ec – Ev C. Eg = (Ev + Ec)/2 D. Eg = (Ec – Ev)/2

Câu 10: Trong bán dẫn loại n ở nhiệt độ 0oK:
A. Mức năng lượng Fermi EF nằm chính giữa vùng cấm.
B. Mức năng lượng Fermi EF nằm trong vùng cấm gần với đáy vùng dẫn.
C. Mức năng lượng Fermi EF nằm trong vùng cấm gần với đỉnh vùng hóa trị.
D. Mức năng lượng Fermi EF nằm trong vùng hóa trị gần với đỉnh vùng hóa trị.
Câu 11: Khối lượng hiệu dụng m* của lỗ trống trong tinh thể ở vùng dẫn có thể nhận hóa trị:
A. m* < 0 B. m* = 0 C. m* > 0 D. Cả A, B, C đều sai
Câu 12: Trong vùng hóa trị, electron ở mức năng lượng gần đỉnh vùng hóa trị, có khối lượng hiệu dụng:
A. m* > 0 B. m* < 1 C. m* < 0 D. Cả A, B, C đều sai
Câu 13: Khi đặt bán dẫn loại n và kim loại tiếp xúc nhau, lớp chuyển tiếp chỉnh lưu hình thành khi:
A. Công thoát của bán dẫn loại n nhỏ hơn công thoát của kim loại.
B. Công thoát của bán dẫn loại n lớn hơn công thoát của kim loại.
C. Công thoát của bán dẫn loại n bằng công thoát của kim loại.
D. Các đáp án A, B, C đều sai.
Câu 14: Chất bán dẫn có vùng cấm nghiêng là chất bán dẫn có:
A. Đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị không có cùng giá trị năng lượng.
B. Đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị không có cùng giá trị k.
C. Đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị có cùng giá trị k.
D. Cả A và B đều đúng.
Câu 15: Trong chất bán dẫn:
A. Nhiệt độ càng cao, điện trở suất bán dẫn điện càng giảm..
B. Mật độ electron dẫn luôn luôn bằng mật độ lỗ trống.
C. Bán dẫn loại p tích điện dương, vì mật độ lỗ trống lớn hơn mật độ electron..
D. Bán dẫn có điện trở suất cao hơn kim loại, vì trong bán dẫn có hai loại hạt tải điện trái dấu, còn trong
kim loại chỉ có một loại.
Câu 16: Trong các tiếp xúc sau, tiếp xúc nào thuộc loại tiếp xúc Omic:
A. Kim loại – Bán dẫn riêng có công thoát điện tử .
B. Kim loại – Bán dẫn loại N có công thoát điện tử
C. Kim loại – Bán dẫn loại P có công thoát điện tử
D. Cả A, B, C đều sai.
Câu 17: Giả sử một chất bán dẫn có Eg = 1,5 eV. Bước sóng giới hạn của bức xạ điện từ có thể kích thích
electron từ vùng hóa trị lên đến vùng dẫn là:
A. Hồng ngoại B. Khả kiến C. Tử ngoại D. Tia X
Câu 18: Sự phụ thuộc của điện trở suất của chất bán dẫn vào nhiệt độ theo quy luật:
A. Tăng theo hàm mũ B. Tăng tuyến tính
C. Giảm theo hàm mũ D. Tỷ lệ nghịch
Câu 19: Trong bán dẫn tạp chất, khi nhiệt độ của chất bán dẫn đủ lớn, nồng độ các hạt tải điện đạt giá trị bão
hòa. Dòng điện trong chất bán dẫn khi đó chủ yếu là do đóng góp các hạt tải điện của:
A. Tạp chất B. Bán dẫn riêng
More Documents: http://physics.forumvi.com
 Trang 3/4

C. Cả tạp chất và bán dẫn riêng D. Không đủ dữ liệu để kết luận

Câu 20: Trong tiếp xúc p – n, khi phân cực ngược, dòng điện đi qua lớp tiếp xúc là dòng của:
A. Các electron từ bán dẫn loại n sang bán dẫn loại p.
B. Các lỗ trống từ bán dẫn loại p sang bán dẫn loại n.
C. Các lỗ trống từ bán dẫn loại n sang bán dẫn loại p và các lỗ trống từ bán dẫn loại p sang bán dẫn loại n.
D. Các electron từ bán dẫn loại n sang bán dẫn loại p và các electron từ bán dẫn loại p sang bán dẫn loại n.

B. PHẦN TỰ LUẬN (5 điểm)

Bài 1: (1,5 điểm) Khối lượng riêng của Zn là D = 7,3.103 kg/m3, nguyên tử lượng M = 65,4. Tính nồng độ
electron tự do trong kim loại đó. Biết rằng mỗi nguyên tử Zn đóng góp 2 electron tự do.

Bài 2: (1,5 điểm) Lớp tiếp xúc bán dẫn P – N có nồng độ các tạp chất cho và tạp chất nhận tương ứng là
4.1020 m-3 và 5.1021 m-3. Biết ở nhiệt độ phòng 27oC, hiệu thế tiếp xúc là 0,6V. Hãy xác định nồng độ hạt tải
riêng ở nhiệt độ phòng.
𝛔
𝐥𝐧
𝛔𝐨
Bài 3: (2 điểm) Đồ thị hình trên trình bày sự thay đổi độ dẫn
- 40
( ) theo nhiệt độ (1/T) của bán dẫn Ge.

a) Tính độ rộng vùng cấm Eg của Ge. - 80

b) Để chất bán dẫn đó dẫn điện, người ta dùng bức xạ điện
từ chiếu vào nó. Xác định tần số tối thiểu của bức xạ trên - 120
và bức xạ đó thuộc dải nào trong thang sóng điện từ.
Biết khối lượng electron tự do là 9,1.10-31kg; điện tích - 160
nguyên tố 1,6.10-19C; hằng số Boltzman 1,38.10-23 J/K; hằng
số Plank 6,625.10-34 J.s; hằng số Avogadro 6,023.1023 mol-1. - 200 𝟏
-2 -2
10 -2
2.10-2
3.10 4.10 𝐓
- - - HẾT - - -

PHIẾU TRẢ LỜI TRẮC NGHIỆM

Môn thi: VẬT LÝ CHẤT RẮN
Thời gian thi: 75 phút
Họ và tên sinh viên: ……………………………………………………..………………
Lớp: ……………………………… Mã số sinh viên: ………………………………….

PHẦN TRẮC NGHIỆM: (Đáp án tham khảo, mọi sai sót mong được góp ý)
A B C D A B C D A B C D A B C D
1 6 11 16
2 7 12 17
3 8 13 18
4 9 14 19
5 10 15 20

More Documents: http://physics.forumvi.com

 Trang 1/4

ĐỀ THI CUỐI KÌ – MÔN: VẬT LÝ CHẤT RẮN

KHÓA 2009 - Thời gian: 75 phút
Ngày thi: Tháng 6/2011
(Thí sinh không được sử dụng tài liệu)

A. PHẦN TRẮC NGHIỆM (5 điểm)

Câu 1: Theo thuyết khí điện tử tự do trong kim loại. Thời gian tự do trung bình của điện tử :
A. Càng nhỏ thì hệ nhiễu loạn trở lại cân bằng càng chậm.
B. Phụ thuộc vào vận tốc cuốn vd của điện tử, vận tốc này càng lớn thì càng lớn.
C. Phụ thuộc vào vận tốc chuyển động nhiệt của điện tử, vận tốc này càng lớn thì càng nhỏ.
D. Tăng khi điện trường ngoài tăng.
Câu 2: Trong các mô hình lý thuyết về nhiệt dung, mô hình phù hợp nhất với vật liệu kim loại là:
A. Mô hình cổ điển B. Mô hình Einstein C. Mô hình Debye D. Cả A, B, C đều sai.
Câu 3: Một sợi dây làm bằng đồng (khối lượng mol là 63,54g/mol; khối lượng riêng là 8,96g/cm3; hóa trị 1),
nếu dây có đường kính là 2mm, và dòng 1A chạy qua thì vận tốc cuốn của electron dẫn là:
A. 2,3.10-3cm/s B. 2,3.10-3m/s C. 1,2.10-3cm/s D. 1,2.10-3m/s
Câu 4: Giả sử một kim loại kết tinh theo dạng lập phương tâm mặt, hằng số mạng a = 3,6nm; hóa trị 1, độ dẫn
điện Thời gian hồi phục của electron dẫn trong kim loại này là:
A. 2,38.10-9s B. 3,28.10-14s C. 2,38.10-14s D. Một giá trị khác.
Câu 5: Cho kim loại có nồng độ hạt tải 8,5.1028/m3, độ dẫn điện . Nếu điện trường áp vào
mẫu là 100V/m thì vận tốc cuốn của electron dẫn là:
A. 0,416m/s B. 0,146m/s C. 0,614m/s D. Một giá trị khác.
Câu 6: Khi tăng nhiệt độ cho một chất bán dẫn điện riêng từ 27oC lên 127oC thì độ dẫn điện của nó tăng gấp 30
lần. Độ rộng vùng cấm của chất bán dẫn điện đó là:
A. 0,5eV B. 0,6eV C. 0,7eV D. Một giá trị khác.
Câu 7: Theo lý thuyết nhiễu loạn:
A. Với tinh thể có vùng cấm thẳng, khối lượng hiệu dụng của electron tỷ lệ nghịch với độ rộng vùng cấm.
B. Với tinh thể có vùng cấm thẳng, khối lượng hiệu dụng của electron tỷ lệ với độ rộng vùng cấm.
C. Với tinh thể có vùng cấm nghiêng, khối lượng hiệu dụng của electron tỷ lệ với độ rộng vùng cấm.
D. Với tinh thể có vùng cấm nghiêng, khối lượng hiệu dụng của electron tỷ lệ nghịch với độ rộng vùng cấm.
Câu 8: Theo lý thuyết vùng năng lượng, xác suất tìm thấy điện tử:
A. Ứng với sóng dừng là bằng 0 ở vị trí các ion dương.
B. Ứng với sóng dừng là bằng 1 ở vị trí giữa các ion dương.
C. Ứng với sóng dừng là bằng 1 ở vị trí giữa các ion dương.
D. Ứng với sóng chạy là bằng 1 ở vị trí các ion dương và bằng 0 ở vị trí giữa các ion dương.
Câu 9: Kim loại là vật liệu liệu có cấu trúc:
A. Vùng dẫn chứa đầy điện tử và độ rộng vùng cấm lớn Eg > 3eV.

More Documents: http://physics.forumvi.com

 Trang 2/4

B. Vùng dẫn đầy điện tử và độ rộng vùng cấm nhỏ Eg < 3eV.
C. Vùng hóa trị đầy điện tử và độ rộng vùng cấm lớn Eg < 3eV.
D. Cả A, B, C đều sai.
Câu 10: Độ rộng vùng cấm được tính bởi:
A. Eg = Ev + Ec B. Eg = Ec – Ev C. Eg = (Ev + Ec)/2 D. Eg = (Ec – Ev)/2
Câu 11: Trong bán dẫn loại n ở nhiệt độ 0oK:
A. Mức năng lượng Fermi EF nằm chính giữa vùng cấm.
B. Mức năng lượng Fermi EF nằm trong vùng cấm gần với đáy vùng dẫn.
C. Mức năng lượng Fermi EF nằm trong vùng cấm gần với đỉnh vùng hóa trị.
D. Mức năng lượng Fermi EF nằm trong vùng hóa trị gần với đỉnh vùng hóa trị.
Câu 12: Khối lượng hiệu dụng m* của electron nằm gần đỉnh vùng năng lượng trong tinh thể có giá trị:
A. m* > 0 B. m* = 0 C. m* < 0 D. Cả A, B, C đều đúng
Câu 13: Trong vùng hóa trị, lỗ trống ở mức năng lượng càng xa đỉnh vùng hóa trị:
A. Có khối lượng hiệu dụng càng âm. B. Có động năng càng lớn.
C. Có thế năng càng lớn. D. Cà A, B, C đều sai.
Câu 14: Trong đồ thị biểu diễn nồng độ hạt tải điện theo nhiệt độ của chất bán dẫn loại p tại miền bão hòa
(đường ngang) hạt tải điện chính là:
A. Electron do tạp chất cung cấp. B. Lỗ trống do tạp chất cung cấp.
C. Electron do bán dẫn tinh khiết cung cấp. D. Lỗ trống do bán dẫn tinh khiết cung cấp.
Câu 15: Trong bán dẫn Si, khối lượng hiệu dụng của điện tử bằng 0,5 lần khối lượng của điện tử tự do, hằng số
điện môi bằng 12. Năng lượng ion hóa của tạp chất Asen trong bán dẫn Si bằng:
A. 0,0047eV B. 0,047eV C. 0,47eV D. 4,7eV
Câu 16: Theo thuyết điện tử tự do trong kim loại, vận tốc nhiệt của các điện tử được tính theo công thức:

A. B. C. √ D. √

Câu 17: Giả sử một chất bán dẫn có Eg = 2,7eV. Bước sóng giới hạn của ánh sáng có thể kích thích electron từ
vùng hóa trị lên đến vùng dẫn là:
A. 400 nm B. 500 nm C. 600 nm D. 700 nm
Câu 18: Chất bán dẫn có vùng cấm thẳng là chất bán dẫn có:
A. Đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị có cùng giá trị năng lượng.
B. Đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị không có cùng giá trị năng lượng.
C. Đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị có cùng giá trị k.
D. Cả A và C đều đúng.
Câu 19: Chọn câu sai:
A. Trong bán dẫn tinh khiết, mật độ electron luôn luôn bằng mật độ lỗ trống.
B. Nhiệt độ càng cao, bán dẫn điện càng tốt.
C. Bán dẫn loại p dẫn điện bằng lỗ trống.
D. Bán dẫn có điện trở suất cao hơn kim loại và thấp hơn điện môi.
Câu 20: Trong tiếp xúc p – n:

More Documents: http://physics.forumvi.com

 Trang 3/4

A. Điện trở của lớp chuyển tiếp p – n nhỏ khi phân cực ngược.
B. Nhiệt độ càng cao, tính chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp p – n càng kém.
C. Khi phân cực thuận thì luôn có dòng hạt tải điện chiều từ bán dẫn loại p sang bán dẫn loại n do sự
khuếch tán mạnh hơn của các hạt tải điện cơ bản so với các hạt tải điện không cơ bản.
D. Khi phân cực ngược thì không có dòng hạt tải điện di chuyển qua lớp tiếp xúc.
Câu 21: Tiếp xúc omic là tiếp xúc giữa:
A. Kim loại – Kim loại có công thoát điện tử khác nhau.
B. Kim loại – Bán dẫn loại N có công thoát điện tử
C. Kim loại – Bán dẫn loại P có công thoát điện tử
D. Cả A, B, C đều sai.
Câu 22: Một chất bán dẫn tinh khiết có mức năng lượng Fermi ở 0oK là EF = 0,5eV. Bức xạ điện từ giới hạn có
thể kích thích electron từ vùng hóa trị lên đến vùng dẫn thuộc vùng nào của thang sóng điện từ?
A. Tử ngoại B. Khả kiến C. Hồng ngoại D. Rơnghen
Câu 23: Trong chất bán dẫn loại p, loại hạt tải điện dư là:
A. Lỗ trống B. Điện tử C. Ion D. Cả điện tử và lỗ trống.
Câu 24: Khi nhiệt độ của một chất bán dẫn tăng thì độ dẫn điện:
A. Giảm B. Tăng C. Không đổi D. Chưa đủ thông tin để kết luận
Câu 25: Tinh thể M có cấu trúc lập phương tâm mặt với thông số mạng a, hệ số lấp đầy của M là:
A. 0,34 B. 0,61 C. 0,74 D. Không đủ dữ liệu để xác định

B. PHẦN TỰ LUẬN (5 điểm)

Bài 1: (3 điểm) Một dây dẫn bằng kim loại, tiết diện 20mm2, có điện trở suất là 1,7.10-8 , ở nhiệt độ
o 22 -3
phòng 27 C. Nồng độ nguyên tử kim loại trong dây đó là 10 cm và mỗi nguyên tử kim loại đóng góp 2 điện
tử tự do. Cho dòng điện cường độ 5A chạy qua dây. Tính:
a) Nồng độ electron tự do và độ linh động của điện tử trong dây dẫn.
b) Tốc độ chuyển động nhiệt và tốc độ cuốn của electron theo điện trường trong dây dẫn.

Bài 2: (2 điểm) Cho một lớp tiếp xúc kim loại – bán dẫn có công thoát electron khe
giữa kim loại – bán dẫn rộng d = 10 Tính:
a) Hiệu điện thế tiếp xúc và độ lớn của cường độ điện trường tiếp xúc.
b) Mật độ điện tích mặt.
Cho NA = 6,02.1023 mol; hằng số Boltzman k = 1,38.10-23 J.K-1; h = 6,625.10-34 J.s; c = 3.108 m/s; me =
9,1.10-31 kg; e = 1,6.10-19 C. Hằng số điện trong chân không = 8,85.10-12 C2/N.m2.

- - - HẾT - - -

More Documents: http://physics.forumvi.com

 Trang 4/4

PHIẾU TRẢ LỜI TRẮC NGHIỆM

Môn thi: VẬT LÝ CHẤT RẮN
Thời gian thi: 75 phút
Họ và tên sinh viên: ……………………………………………………..………………
Lớp: ……………………………… Mã số sinh viên: ………………………………….

A. TRẮC NGHIỆM: (Đáp án tham khảo, mọi sai sót mong được góp ý)
A B C D A B C D A B C D A B C D A B C D
1 6 11 16 21
2 7 12 17 22
3 8 13 18 23
4 9 14 19 24
5 10 15 20 25

B. TỰ LUẬN:
Bài 1: S = 20mm2 = 2.10-5m2 ; 1,7.10-8 .m ; nngtu = 1022cm-3 = 1028m-3 ; z = 2 ; I = 5A.

T = 300K

a) ( )

( )

b) √ ( )

( )

Bài 2: ; d = 10 = 10-9m.
( )
( )

More Documents: http://physics.forumvi.com