You are on page 1of 5

1.

ГАУСОВ ЗАКОН
Овај закон повезује извор електричног поља (наелектрисања у релативном мировању) и
вектор електричног поља ⃗ Е . Да би се извео овај закон уводи се појам флукса електричног
поља.
Посматрамо замишљену глатку површину S у електричном пољу ⃗ Е и ту површину
поделимо на бесконачно мале површине dS. Свакој овој бесконачно малој придржимо
вектор ⃗dS , који је нормалан на ту површину, а његова вредност је једнака самој површини
dS.
Формирају се скаларни производи вектора електричног поља ⃗ Е и површине ⃗ dS ,
Е∙⃗
тј. ⃗ dS .
Овај скаларни производ се назива елементарни флукс d, који се изражава као
d =⃗ ⃗ = Е ∙ dS ∙ cos θ ,
Е ∙ dS
где је θ угао који заклапају вектор електричног поља ⃗ Е и вектор површине ⃗ dS .

Елементарни флукс
- је максималан када су вектори електричног поља и површине истог правца и смера,
па је угао θ=0 , а cos θ=1
dmax = E∙dS
- је једнак нули када су вектор површине и вектор електричног поља међусобно
π
нормални тј. θ= , а cos θ=0
2
π
dcos ¿ E ∙ dS ∙ cos( 2 ) = 0
- је негативан када вектор електричног поља и вектор површине заклапају туп угао,
тј. када је
π
<θ ≤ π тада је cos θ< 0 , па је d< 0
2
Укупни флукс  кроз неку површину S је једнак суми елементарних флуксева d, кроз
сваку бесконачно малу (елементарну) површину, тј. једнак је интегралу елементарног
флукса по целој површини.
=∫ d=∫ E ∙ dS=∫ E ∙ dS ∙ cos θ
⃗ ⃗
S S S

Укупни флукс кроз неку површину S једнак је површинском интегралу скаларног


производа вектора електричног поља и вектора елементарне површине, ⃗ E ∙⃗
dS , кроз ту
површину.
Ако је површина S затворена, тј. потпуно обухвата део простора, тада се усваја да се
нормала на површину дефинише у смеру од површине према спољашњости
=∮ d =∮ E ∙ dS .
⃗ ⃗
S S

Флукс вектора електричног поља кроз затворену површину S једнак је затвореном


површинском интегралу скаларног производа вектора електричног поља и вектора
E ∙⃗
елементарне површине, ⃗ dS , кроз ту површину.

Одређивање Гаусовог закона за површински наелектрисану сферу


Гаусов закон се може користити за одређивање јачине електричног поља у простору које
потиче од различитих расподела наелектрисања у простору. Како је ово интегрални закон
он се може користити само уколико је
∮ ⃗E ∙ ⃗
dS
S

решив. Због тога се он користи у случајевима када је расподела наелектрисања у простору


на неки начин симетрична. Тада се према тој врсти симетрије мора одабрати пажљиво
затворена површина по којој ће се интегралити и која се у овим применама назива Гаусова
површина. Изабрана Гаусова површина треба да има исти тип симетрије као и
наелектрисања. На тај начин се постиже да је јачина електричног поља на свим тачкама
површине једнака или да је на одређеном делу иста, а на преосталом делу једнака нули.
Нека је сферна површина полупречника R наелектрисана равномерно по површини
наелектрисањем q, тако да је њена површинска густина наелектрисања
q
σ= =const .
4 π R2
Применом Гаусове теореме
1 q 2 q
E=∮ ⃗ E∙⃗
dS= 4 r π=
S
4 π ε0 r 2
ε0
добија се
2
σ4π R
∮ E ∙ dS=E∮ dS=¿ E 4 π r = ε ¿
⃗ ⃗ 2

S s 0

одакле је
2
⃗ σ R
Е= r .

ε0 r2 0
Јачина електричног поља ⃗Е ван наелектрисане сфере може се изразити и помоћу њеног
укупног наелетрисања
2
Q=4 π R σ .
Једначина тада добија облик
⃗ 1 Q
Е= r .

4 π ε0 r2 0
У тој површини нема никаквог наелектрисања,
па је
E 4 π r 2=0
односно
Е=0.
За скаларни потенцијал φ изван сфере, тј. када је r¿ R , на основу једначине
r
φ=− ∫ ⃗
E ∙⃗
dS
−∞

добија се
∞ ∞
σ 2 1
φ=∫ ⃗
E ∙⃗
dr= R ∫ 2 dr
r ε0 r r

Односно
σ R2
φ=
ε0 r
тј. изражавајући φ преко укупног наелетрисања Q добија се
1 Q
φ= .
4 π ε0 r
Потенцијал у унутрашњости сфере, тј. када је r¿ R , je константан.
σ
φ= R .
ε0
1 1
Очигледно је да потенцијал опада као , а јачина електричног поља као 2 .
r r

2. ЦИЛИНДРИЧНИ КОНДЕНЗАТОР
Цилиндрични кондензатор се састоји од два коаксијална цилиндра дужина l и
полупречника R1 и R2, између којих је диелектрик. Претпоставићемо да је диелектрик
хомоген, ε =const. Као и у случају плочастог кондензатора, структура линија поља које
формирају наелектрисања +Q и –Q цилиндричног кондензатора је компликована у
околини ивица његових облога. „Ефекти крајева” су занемарљиви ако је ако је растојање
R2-R1 далеко мање од l и R1. Под оваквим условима можемо узети да поље постоји само
између облога кондензатора. Јачину поља ⃗ Е тада лако добијамо на основу Гаусове
1 Q1
теореме ⃗
¿ Е= e,

2 πε l r r
где је r радијално растојање од осе кондензатора, а ⃗
е r јединични вектор дуж тог правца. За
напон између облога цилиндричног кондензатора имамо:
R1 R1
Q dr Q R
U =∫ ⃗
E∙⃗
dr = ∫ = ln 2
R 2
2 πεl R r 2 πε l R 1
2

Према томе, формула за капацитивност цилиндричног кондензатора има следећи облик:

Q 1
C= =2 πε
U R2
ln
R1

Наглашавам да је ова формула само приближног карактера. Прецизнија израчунавања


показују да је капацитивност C цилиндрчног кондензатора датог R1, R2 и l већа од
вредности коју добијамо.

3. ДВОЖИЧНИ ВОД
Два веома дуга паралелна проводника, кружних попречних пресека, кроз које теку струје
исте јачине и супротних смерова чине двожични вод. Спољашњу индуктивност
двожичног вода најлакше је одредити помоћу спољашњег флукса и дефиниције
индуктивности. У тачкама површине између најближих изводница цилиндричних омотача
проводника, вектори магнетног поља које стварају струје које теку по осама проводника
су истог правца и смера.

Електрично поље у тачки М је векторски збир поља од једног и другог проводника


Q r⃗1
'
⃗ 1
Е 1= ∙ ∙
2 π ∙ ε0 r1 r1

⃗ 1 Q' ⃗
r2
Е 2= ∙ ∙
2 π ∙ ε0 r2 r2

Дуж линије која спаја проводнике → Мx


' '
1 Q 1 Q
E=E1 + E2= ∙ − ∙
2 π ε 0 x 2 π ∙ ε 0 d−x

Напон:

[∫ ]
d− R d− R d −R
1 dx d Q' d−R Q' d
U= ∫ E ∙ dx= ∙ +∫ = ∙ ln ≈ ∙ ln
R 2 π ∙ ε0 R x R d−x π ∙ ε0 R π∙ε0 R

d≫ R

Подужна капацитивност двожичног вода

Q π ∙ ε0
'
'
C= =
U d
ln
R

You might also like