Professional Documents
Culture Documents
Elektronik 1 Do DR Faruk Zek Kathal Elektronii Ders Notu
Elektronik 1 Do DR Faruk Zek Kathal Elektronii Ders Notu
FARUK ÖZEK
ELEKTRONIK MOHENDISLIĞİ BÖLÜMÜ
A. Ü.F.F.
1998
İ Ç İ NDEKİ LER
KATILAR 5
ENERJI BANDLARI 6
FOTON 7
YARI- İLETKENLER
İ LETKEN, YALITKAN, YARI- İ LETKEN 11
PN EKLEM İ
DENGE DURUMUNDA PN EKLEM İ 17
EKLEM KIRILMASI 22
PN DİYOD UYGULAMALAR!
ZENER 1:4YOD 24
FOTO-D İYOD 27
GÜNE Ş PIL İ 29
TRANSİSTÖR
TR İYOD LAMBALI YÜKSELT İ C İ 32
FOTO-TRANS İ STÖR 38
MOSFET 44
CMOS 46
YARI - İLETKEN ANAHTARLAMA ELEMANLARI
TR1STOR (SCR) 48
LASCR 49
TRİAK 50
D İAK 51
QUADRAC 54
PUT 58
FOTO-REZISTÖR (LDR) 59
TERM İ STÖR 62
CCD 65
KAYNAKLAR 77
BÖLÜM 1
Helyum Z = 2
Neon Z = (2+8)
Argon Z = (2+8+8)
HELYUM
NEON
ARGON
VALANS
ELEKTRONLARI
2
KLOR
SODYUM
İYON İ K BAĞ LANMA: Şekil 1.5: iki atomdan biri di ğerine elektron verir
ve pozitif iyon haline geçer. Elektron alan atom d ış yörüngesini
tamamlar. Bağ , z ıt yüklerin birbirini çekmesinden olu ş ur.
3
Şekil 1.5 İ yonik ba ğ lanma
•
KOVALANT BA Ğ LANMA: Şekil 1.6: Valens elektronlar ı n ı n
payla şı lmas ı ile olu ş ur.
o o o
0
c°" g°° \.. ğ 5
. 0
<c
O OO
0 .;,%.?,/
)cş \.)07 °\°
.°07 °
`-.0---" 0---'
0-----
' --
o o
Şekil 1.7 Silisyum atomlar ı aras ı nda kovalant ba ğ lanma [2]
4
Şekil 1.8 Üç ve be ş valans elektronlu atomlar aras ı nda kovalant
ba ğ lanma [2]
Yakla şı k tüm kat ı lar kristal yap ı dad ı rlar (cam gibi baz ı maddeler
ise "amorti' yap ıdad ı r).
• SODYUM İYONU
o KLOR İYONU
5
Kübik yap ı (lattice), kristal boyunca tekrarlan ı r. Bu tür kristaller
suda çözüldü ğ ünde, iyonlar ı n çözeltide serbest kalmas ı sonucu,
iletken çözelti olu ş ur.
Eg
}
6
Band içindeki düzeyler aras ı nda 10 -14 eV kadar küçük enerji farklar ı
varsa da, bandlar sürekli yap ı da kabul edilirler.
Mutlak s ıfı r noktas ı nda (absolute zero: -273 °C) tüm elektronlar
valans band ı ndad ı r. S ı cakl ı k yükseldi ğ inde, yasak enerji aral ığı ndan
(forbidden energy gap: E g) daha fazla enerji kazanan elektronlar
iletkenlik band ı na yükselerek serbest kal ı rlar ve arkalar ı nda pozitif
yüklü bir "bo ş luk" (hole) b ı rak ı rlar; Şekil 1.11, ve böylece bir elektron-
hole çifti (EHÇ) olu ş ur.
İLETKENLİK ELEKTRON
BANDI
o -->
VALANS HOLE
BAND
1.6 FOTON
7
Elektronlar d ış ar ı dan foton enerjisi alarak da iletkenlik band ı na
yükselebilirler: Şekil 1.12. Bunun için gelen foton enerjisinin, hv, en az
Eg=Ec--.E, kadar olmas ı gerekir.
(c )
> Eg
Ev J-
Valans banda geri dönen elektronun hole ile birle ş mesi sonucunda,
enerjisinde foton yay ı nlan ı r. Yay ı nlanan fotonun X dalga
boyu, E ş itlik 1.1 ile verilir.
= h.c/Ef (1.1)
(p.: mikron = 10 -3 mm = 10 -6 m)
8
(b) Kristale, 2-1.43 = 0.57 eV e ş de ğ eri kadar ı s ı enerjisi b ı rak ı r.
Şekil 1.13 GaAs kristalinde foton ile uyar ı lma ve foton yay ı nlanmas ı
[6]
9
Tablo 1.1 [6]
Kristal Eg (eV)
Ge 0.67
Si 1.11
GaP 2.26
GaAs 1.43
GaSb 0.70
ZnS 3.60
CdS 2.42
CdSe 1.73
10
BÖLÜM 2
YARI - İ LETKENLER
İ LETKENLİ K
Eg
BANDI z
w
VALANS
BAND
İLETKEN YALITKAN
YARI-İLETKEN
• • O • 0 •
11
YALITKAN : İ letkenlik band ı bo ş (empty)
Eg geni ş • Eg>- 3 eV
YARI- İ LETKEN (Y- İ ): Eg yal ıtkana göre daha dar: Eg< 3eV
Bu nedenle, valans elektronlar ı n ı n enerji kazan ı p
iletkenlik band ı na (11_43.) ç ı kma olas ı l ığı
yüksektir.
n
Boltzmann faktörü : exp (-E gİ2kT) = — (2.1)
N,
burada Eg = E,- E v
kT=0.0258 eV = 1/40 eV
12
Eş itlikde 2.1 de 2 say ı s ı n ı n bulunmas ı , elektron ve hole'lerin çift olarak
olu ş mas ı ndan dolay ı d ı r.
13
FAZLADAN
ELEKTRON
It
b. Safs ızl ı k elementi, Si veya Ge'un İ L.B.na çok yak ı n bir enerji düzeyi
oluşturur (ED: donor level, donor: verici); Şekiı 2.3. Mutlak s ıcakl ı k
derecesinde, T=0°K, tüm ekstra elektronlar bu düzeydedirler. Bu
elektronlar ı n İ L.B.na ç ı kmas ı için çok az miktarda termal enerji dahi
yeterlidir. Sonuçta, ekstra elektronlar İ L.B.na "verilir" ve kristalin
iletkenliğ i artm ış olur.
• • • •
Ec
T=0°K T=50°K
14
2.3.b P-T İ Pİ YARI-İLETKEN
a. Bir elektron noksanl ığı (8-7), (missing electron), nedeni ile bir hole
(boşluk) ortaya ç ıkar; Şekil 2.4.
HOLE
b. Safs ızl ı k elementi, Si veya Ge'un VL.B. na çok yak ı n bir enerji
düzeyi olu şturur (EA: acceptor level, akseptör: al ı cı); Şekil 2.5.
Mutlak s ı cakl ı k derecesinde akseptör düzeyi tamamen bo ştur.
Sıcakl ı k derecesinin çok az yükselmesi ile VL.B. Baki elektronlar EA
düzeyine "al ı n ı r" ve geride yani VL.B. da hole b ı rak ı rlar. Katk ıs ız
yarı iletkene göre çok fazla say ıda hole oluş ur, dolay ı s ı ile kristalin
iletkenliği artm ış olur.
Ec
EA
Ev
T=0°K T=50°K
15
Si kristalindeki safs ı zl ı k enerjisi düzeyleri Şekil 2.6 da verilmi ş tir.
Enerji de ğerleri, iL.B. n ı n en alt, VL.B. In en üst de ğerinden olan enerji
farklar ı d ı r. Donor düzeyleri +, akseptör düzeyleri — i ş areti ile
belirtilmi ş tir.
İLETKENLİ K BANDI
• Li + (0.033) • p' (0.044) • As + (0.049) • Slı " (0.039)
O, I
I. 2 • + (0.18)
(1.3
• Ni' (0.35) • S" (0.37)
0,4
16
BÖLÜM 3
PN EKLEMİ
PN eklemi, p ve n-tipi iki yar ı iletkenin birle şmesi ile olu ş ur. Birle şme
öncesi, her iki tip yar ı iletken enerji bandlar ı Şekil 3.1 de gösterilmi ştir:
P N
•• le• • • lo ••
* 4* •• İ L.B.
ELEKTRON
ENERJ İS İ
00 .0i0 0 O
L_ O VL.B.
P-tipi yar ı iletkenin İ L.B. ı nda çok az say ı da elektron, n-tipi yar ı
iletkenin VL.B. ı nda da yine çok az say ı da hole vard ı r.
İ ki tip yar ı iletken birle ştiğ inde, yani PN eklemi olu şduğ unda:
17
2. P taraf ı na geçen elektronlar, buradaki hole'ler ile birle ş irler ve
böylece nötr (yüksüz) atomlar ortaya ç ı kar
depletion
P N
POTANSİYEL
• ELEKTRON
O HOLE
18
PN eklemli diyodun enerji diyagram ı Şekil 3.3 de aç ı klanm ış t ı r:
P tarafı N den daha yüksek enerjide görülmektedir. N taraf ı P ye
iletkenlik elektronu verirken, ayn ı zamanda, P taraf ı na enerji transfer
etmi ş olur [10]. Çünkü, N iletkenlik elektronlar ı daha yüksek enerji
düzeyindedirler; Şekil 3.1.
P N
f, Vo
E Ec
k : Boltzmann sabiti
T : Mutlak s ı cakl ı k
e : Elektron yükü =1.6x1019 Coulomb
nn : N İ L.B.daki elektron konsantrasyonu
n P'• P İ L •B' daki elektron konsantrasyonu
19
Bu durumda
VF VR
z o o
O
o..
VF VR
Ec
Vo+ V R
- T Vo-VF Ev
Şekil 3.5 İ leri (solda) ve ters (sa ğda) kutuplamada enerji band yap ı lar ı
[5]
20
Bir voltaj kayna ğı n ı n pozitif kutbu PN diyodun N taraf ı na, negatif
kutbu P taraf ı na bağ lan ı rsa, diyod ters kutuplanm ış olur; Şekil 3.4.
Bu durumda
21
büyük olur ve ak ı m ileri kutuplama voltaj ı ile eksponansiyel olarak
artar; Şekil 3.6.
çi ğ tunel
Şekil 3.6 PN diyodun I-V karakteristikleri
P N
ELEKTRONLAR
E
Ec
4- YEN İ ELEKTRONLAR
22
Ç ığ (avalanche) Etkisi: Ters kutuplamada, gerilim artt ı kça daha çok
yük diyod uçlar ı na çekilir ve diyod içindeki elektrik alan artmaya
baş lar. Yüksek elektrik alan ı nda, yüksek enerji ile sürüklenen
elektronlar yollar ı üzerindeki kristal yap ı daki atomlardan elektron
sökerler ve böylece zincirleme elektron ço ğ almas ı olu ş ur ve ters ak ı m
artar.
23
BÖLÜM 4
PN DIYOD UYGULAMALARI
Iz = M.10 (4.1)
24
-I ş V
(a) (b)
4., ■ rı od
SEMBOL
Katod
C = K. Ş/4 (4.2)
25
burada K: metal plâkalar aras ı ndaki maddenin dielektrik katsay ı s ı
S: metal plakalann yüzey alan ı
d: iki plaka aras ı ndaki uzakl ı k
PN
EKLEM
MilMS11/1/ ıilINIAM
Şekil 4.2 LED: yap ı s ı (solda) ve foton olu ş umu (sa ğda), [5,2]
26
Görünür iışış k veren LED uygulama örnekleri olarak, TV
cihaz ı nda aç ı k/kapal ı olu ş u belirten ye ş il/k ı rm ız ı LED, müzik seti,
otomobil göstergeleri verilebilir. En çok bilinen IR LED uygulamas ı ise
TV uzaktan kumandas ı nda kullan ı lan LED dir ve kristal olarak
genellikle GaAs kullan ı l ı r; 2■,
Vcc SV
27
FOTON
ANOD
+ + O+O O + +
P
090 - OOO®
N - _ G- G _
C _ C4)- - -G -
KATOD
I -I-
Şekil 4.4 Foto-diyod [2]
ARTAN
IŞ IK
MİKTARI
28
Şekil 4.6 Foto-diyod: örnek temel devre
I F = Coulomb/sn
Foto-diyod akım üretir. E ğer Şekil 4.4 deki diyod bir d ış voltaj
kayna ğı ile kutuplanmazsa, diyoda dü ş en ış ima diyodda voltaj üretir.
Bu yap ı güneş pilidir.
29
PN diyodun anodu (P), bir yük direnci ile katoda (N) ba ğ lan ı rsa
d ış devreden i ş ima ş iddeti ile do ğ ru orant ı l ı bir ak ı m akar.
YAPISI Construction
p tipi kristal
eklem
n tipi kristal
Güne ş pilinin çal ış mas ı Şekil 3.2 yard ı m ı ile aç ı klanabilir. Eklem
bölgesine dü ş en fotonlar, buradaki atomlardan elektron sökerler ve
30
böylece elektron-hole çiftleri olu ş ur. Eklem potansiyeli nedeni ile
elektronlar N taraf ı na, hole'ler P taraf ı na çekilir. Ba ş ka bir anlat ı mla,
eklemin sa ğı nda ve N taraf ı na yak ı n pozitif bölge fotonun olu ş turdu ğ u
hole'leri sola yani P ye, P taraf ı na yak ı n negatif bölge ise elektronlar ı
sa ğ a yani N ye iter. Sonuçta PN diyodun iki ucunda potansiyel fark ı
olu ş ur ( Şekil 4.7 ye göre: e - lar a ş a ğı hole'ler yukar ı itilir).
31
BÖLÜM 5
TRANS İSTÖR
32
Kafes (grid) pozitif ise: Katodun yayd ığı elektronlar hızlanarak kafese
çekilir, kafes içinden geçerek daha yüksek pozitif de ğ erdeki anoda
ula şı rlar ve triyoddan geçen ak ı m artar.
Kafes negatif ise: Katoddan ç ı kan elektronlar, kafes taraf ı ndan katoda
doğ ru geri itilirler. Triyoddan akan ak ı m azal ı r veya kafes voltaj ı
gerekti ğ i kadar yüksek de ğerde negatif ise,tamamen durur.
Böylece, kafes, pozitif veya negatif olu ş una göre, katoddan anoda
olan ak ı m transferini bir yana veya de ğ i ş ken direnç (resistor) gibi
davranarak ço ğ alt ı r veya azalt ı r.
KATOD(SICAK)
TUNGSTEN
FİLAMAN
ELEKTRONLAR
33
5.2 TRİYOD LAMBA ILE TRANS İ STÖRÜN
KARŞ ILA Ş TIRILMASI
lEixuLLamilEhlırınşi
anod C: collector (toplay ı c ı )
kafes (grid) B: base (taban)
katod E: emitter (yay ı c ı )
ANOD
KAFES
KATOD
Şekil 5.3 Triyod Lamba (solda) ile NPN Transistörün (sa ğda)
karşı laş t ı nlmas ı
34
c
ÇIKIŞ
-1-v
B o- - -
35
5.3 TRANSISTÖR F İZi Ğİ
ters k.
ileri k.
VBB
cc
36
Soru: Elektronlar base'den geçerken, neden buradaki hole'ler ile
birle ş mezler?
Kazanç (gain) 13 = 1 E3
37
Transistörde voltaj dü ş mesinin
hemen tamam ı ters-kutuplu B-C 500 Q
eklemindedir. E-B eklemi
ileri - kutuplamal ı d ı r ve bu
eklemdeki voltaj dü ş mesi
so C1 10 V
yakla şı k s ıfı rd ı r. Buna göre
base ak ı m ı yakla şı k 5 V -
1B=5V/50 kQ=0.1 mA. Ic
Buradan I c= f3I B=10 mA
(Şekilde I B , I c : elektron ak ış yönü)
F-TR=foto- diyod+yükseltici
+5V
c
NPN
V.
100 Q
38
FAKIRLEŞ ME
BÖLGESI
39
ELEKTRiKSEL
GiRİS
40
BÖLÜM 6
FET TÜRLERI
I. Yüzey temas!! FET (junction FET: JFET)
(junction-gate FET: JGFET)
Her iki tür FET de, kendi içinde n-kanall ı (n-channel) ve p-kanall ı olmak
üzere iki ayr ı yap ıdad ı rlar.
6.1 JFET
41
BJT FET
Ayr ı ca:
n-kanall ı JFET -* NPN BJT
p-kanall ı JFET --> PNP BJT ye kar şı l ı k gelir.
JFET F İZİ G İ : JFET in çal ışmas ı , n-kanall ı tür örne ğ i için, Şekil 6.2 de
aç ı klanm ıştı r.
N-tipi kristal üzerinde, dar bir bölgede PN eklemi ve ikisi aras ı nda
yaklaşı k yal ı tkan fakirle şme bölgesi (depletion region) vard ı r. Eklem
ters kutuplanm ıştı r. Elektron ak ı m ı kaynaktan olu ğ a doğ ru akar ve p-
bölgesine (kap ı : gate) uygulanan voltaj ile kontrol edilir. Kap ı ya
uygulanan voltaja ba ğ l ı olarak fakirle şme bölgesi geni şler/daral ı r.
Kap ı n ı n yana etkisi ile elektron ak ı m ı azal ı r/artar.
42
Genellikle n-tipi kristalin her iki taraf ı nda da p-tipi kap ı vard ı r. Kanal, iki
fakirle şme bölgesi aras ı nda bulunur.
ID(e)
FAKİRLEŞME
BÖLGESI 11
VDS
./
VGS
S
IDDS
43
N kanall ı JFET için çizilen bu grafikte ayr ı ca görüldü ğ ü gibi VGS negatif
voltaj ı artarken I n ak ı m ı azal ı r ve Vp voltaj ı daha düş ük değ erlerde
ortaya ç ı kmaya başlar. Pratikte, Vps voltaj ı Vp değ erini aşmaz. Çünkü,
bu değ erin aşı lmas ı JFET yap ı s ı nda geriye dönü ş ü olmayan k ı rı lmaya
(breakdown) neden olur.
6.2 MOSFET
ENHANCEMENT
B B
b
DEPLETION
B B
E-MOSFET'in yap ı s ı ve çal ış mas ı , n-kanall ı tür örne ğ i için, Şekil 6.5 de
açı klanm ıştı r. Metal plaka (metal plate) kap ı ile yar ı-iletken NPN
aras ı nda çok ince yal ıtkan bir oksit, Si02, tabakas ı vard ı r. NPN nin iki
ucundan birine, örne ğ in soldakine (kaynak: source) +10 volt
uygulanm ış , di ğ eri (oluk) ise topraklanm ışt ı r.
44
Kap ı voltaj ı n ı n pozitif olmas ı durumu: Pozitif yüklü kap ı n ı n elektrik alan ı
(electric field) P taban ı ndaki (base: B, substrate) hole'leri iter,
elektronları çeker. Böylece, P nin kap ıya yak ı n üst k ısm ı nda geçici bir
iletken N bölgesi, yani kanal, olu ş ur (endüklenir).
Sonuç: Kap ı ya uygulanan voltaj miktar ı na bağ l ı olarak, kanal geni şliğ i,
yani akı m miktarı değişk: yana etkisi.
VG +10 v
SiO2
ENHANCEMENT MOSFET
+10
v01 T
45
D-MOSFET'in yap ı s ı ve çal ışmas ı , n-kanall ı tür örne ğ i için Şekil 6.6 da
açı klanm ışt ı r. Metal kap ı n ı n altı nda bulunan SiO2 tabakas ı içine,
yap ı sal olarak, bir miktar pozitif iyon kat ı lm ıştı r.
Yap ı sal olarak bir iletken n kanal ı n varl ığı , kap ı voltaj ı VG=0
oldu ğ u zaman da S ve D aras ı nda ak ı m akabilmesi demektir. Kap ı
voltaj ı negatif ise kanal daral ı r ve ak ı m azal ı r, pozitif ise kanal geni ş ler
ve ak ı m artar.
Inversion i şleminin olu ş umu Şekil 6.8 de aç ı klanm ışt ı r. Giri ş voltaj ı 0
(low) oldu ğ unda sol tarafta bulunan n kanall ı E-MOSFET çal ışmaz.
Sağ taraftaki p-kanall ı E-MOSFET'in kap ı voltaj ı , +Vss ye göre negatif
oldu ğ undan bu MOFSET çal ışı r ve çı k ışta pozitif gerilim (high) gözlenir.
Giri ş voltaj ı pozitif (high) oldu ğunda ise p-kanall ı E-MOSFET çal ışmaz.
N-kanall ı E-MOSFET'in pozitif kap ı voltaj ı , topraktan elektron çeker ve
çı k ışta "low" gerilim gözlenir.
v,
G
e- h+
1<
N P N P N P
N-KANAL P-KANAL O +V ss
Va
47
BÖLÜM 7
7.1 TRiSTÖR
0.7 Volt gibi dü şük bir gerilim ve 10 mA gibi küçük ak ı m ile 300
Volt, 15 A gibi yüksek gerilim ve ak ı m kontrol edilebilir. Elektrik
motorları ve jeneratörlerin aç/kapa anahtarlamas ı (switching),
ayd ı nlatma miktar ı n ı değ iştiren "dimmer" uygulama örnekleridir.
SEMBOL
G G
48
Yüksek s ıcakl ı k ve voltaja dayan ı kl ı oldu ğ undan genellikle
silisyum kristalidir. İki terminali, yani anod ile katod aras ı ndaki akı m,
üçüncü terminal olan kap ı ya (gate) belli bir dü şük sinyal
uyguland ığı nda akar, bu değerin alt ı nda akmaz. Dolay ı s ı ile
anahtarlama bir d ış sinyal ile gerçekleştirilir.
PNP ve NPN olmak üzere iki transistörden olu şmu ş gibi kabul
edilebilir. Anoda pozitif voltaj uyguland ığı nda, akı m ileri kutuplanm ış
birinci PN ekleminden geçer.
Kap ıya uygulanan voltaj pozitif de ğ il veya pozitif, ancak belli bir
eşik değ erinin (silisyum için 0.7 Volt) alt ı nda ise, akı m ikinci NP
eklemine, dolayı s ı ile de katoda, geçmez.
Kap ıya eşik değeri üzerinde pozitif voltaj uyguland ığı nda: NPN
nin base'ine hole ak ı m ı verilmi ş olur ve NPN den yükseltilmi ş akı m
geçer. Ayr ı ca, NPN nin collector elektron ak ı m ı , PNP nin base'ine
uygulanm ış olur ve PNP den geçen ak ı m da artar. Sonuçta, anod ile
katod aras ı nda yüksek değerde ak ı m olu şur. Görülmektedir ki, kap ı ya
uygulanan küçük bir tetikleme, yani ba şlang ı ç ak ı m ı , yüksek de ğerde
akı m ile sonuçlan ı r.
LASCR, ışı kla aktif duruma geçen bir yar ı-iletken bile şendir. Bu
nedenle foto tristör olarak da adland ı rı l ı r. Şekil 7.2 de LASCR nin
-
49
I şı k fotonlar ı n ı n kap ı bölgesinde olu şturdu ğ u yeterli say ı daki elektron-
hole çiftleri, SCR yi aktif (iletken) duruma getirebilir. Böylece, ışı k ile,
yüksek değerlerdeki ak ı m devreleri kontrol edilebilir. Genellikle kap ı ,
aç ı k yani ba ğ iant ı s ı zd ı r. Eğer kap ı ya gerilim uygulan ı r ve bu gerilim
LASCR yi tetiklemek için gerekli e şik voltaj ı na çok yak ı n ise, çok dü ş ük
düzeyde ışı k ile de LASCR aktif duruma getirilebilir.
GÜÇ
(i)
Şekil 7.3 LASCR ile VE, VEYA kap ı ları
M2
sb
Tam-dalga da (full-wave) çal ış ma için paralel ve ters ba ğ l ı iki
tristör kullan ı l ı r ve bu yap ı triak olarak adland ı nl ı r, Şekil 7.5 in sol
tarafı nda gösterilmi ştir. Görüldü ğ ü gibi tek kap ı bağ lantı s ı vard ı r. Ancak
bu ikili sistemin çal ışmas ı için Mi ucu pozitif oldu ğ unda G de
senkronize (ayn ı anda) olmak üzere pozitif, Mi ucu negatif oldu ğ unda
G de yine ayn ı anda negatif olmal ı d ı r. Çok daha kullan ışl ı yap ı Şekil
7.5 in sağ tarafı nda görülmektedir. Burada kap ı n ı n pozitif veya negatif
olmas ı triak' ı n çal ışmas ı n ı etkilemez. Anod ve katod terimleri de
geçersizdir. Çünkü, triak için iki-yönlü (bi-directional) tristör tan ı mlamas ı
yap ı labilir.
AC
P i N P N
M1
N P P
-ı
M2
M1 M1
51
Yap ı s ı NPN transistöre benzer. Ancak P ye ba ğ lantı yoktur.
Uçları na pozitif veya negatif voltaj uyguland ığı nda, eklemlerden biri ileri
di ğ eri ters kutuplan ı r ve sadece ters (s ı z ı ntı ) ak ı m akar.
Voltaj, k ı rı lma voltaj ı değ erine ç ı ktığı nda, yakla şı k 30V, diak'tan
yüksek miktarda ak ı m geçer, yani diak dü şük direnç gösterir ve böylece
diak üzerindeki voltaj dü şmesi (voltage drop) azal ı r. Buna karşı l ı k, seri
bağ l ı bulunduğ u tristör veya triak üzerindeki voltaj ani olarak artar.
Sonuç plarak, tristör veya triak gate'i tetiklenmi ş olur.
52
Şekil 7.a Diak ve Triak: Örnek devre.
f. C gerilimi, diak k ı rı lma voltaj ı na eşit oldu ğ unda C deki negatif yük
(elektronlar) diak üzerinden triak' ı n kap ı s ı na ula şı r ve triak
tetiklenir.
53
P potansiyometresinin de ğ erini değ iştirerek C nin dolma süresi de
değ i ştirilebilir. Örne ğ in, P nin değ eri artarsa, C daha yava ş dolar ve
devredeki ak ı m ı n ortalama de ğ eri dü şer. Yük, e ğer bir lamba ise devre,
temel bir dimmer devresi olarak dü ş ünülebilir.
Diak ve triak genellikle birlikte kullan ı ld ığı ndan, kullan ı m kolayl ığı
açı s ı ndan tek bir bileşen olarak da üretilmektedir ve bu bile şen Şekil
7.9 da gösterildi ğ i gibi quadrac olarak adland ı r ı l ı r. Quadrac' ı n kap ı s ı ,
diak giriş idir.
54
BÖLÜM 8
B2
B2
B1
B1
Şekil 8.1 deki sembol yine n-tipi UJT içindir. Ok yönü, hole ak ış
yönünü gösterir. Bu sembol, n-kanall ı JFET sembolüne çok benzer,
ancak UJT de E'den başlayan çizgi düz de ğ il aç ı l ı d ı r. P-tipi UJT
sembolünde ok yönü tersinedir.
Vv 11 VB Vp
VE=O ise, yani UJT nin çal ışmad ığı durumda, RB, üzerine dü şen voltaj
56
VE O ise a . VE < «Bi durumunda, E-B1 aras ı ters kutupludur,
dolay ı s ı ile 1 E4)
Grafikteki AB aral ığı nda IE nin art ışı daha fazlad ı r, yani bu aral ı kta UJT
negatif direnç gösterir, çünkü Rgi direnci dü şer (neden?). AB aral ığı ,
UJT nin çal ış ma bölgesidir. Vv, vadi voltaj ı olarak adland ı rı l ı r. B
noktas ı ndan sonra, UJT normal bir diyod karakteristi ğ i gösterir.
Vo
c
T
57
Ossilasyon periyodu T = R İ C.In[1/(1-r1)]
Yap ı sal olarak ise UJT den tamamen farkl ı d ı r. PUT da UJT gibi
üç uçlu bir bile ş endir. Ancak dört tabaka (wafer) yar ı-iletkenden olu şur.
Dolayı s ı ile sembolü SCR sembolüne çok benzer, ancak PUT
sembolünde kap ı (gate), anoda ba ğ l ıd ı r.
A
UJT ile PUT aras ı ndaki temel fark şudur: UJT nin tetikleme, yani
çal ışma voltaj ı Vp yap ı sal olarak sabittir, de ğ iştirilemez. PUT da ise
tetikleme voltaj ı n ı , Rİ , R2 voltaj bölücüsü ile değ i ştirebilme şans ı vard ı r.
Silisyumun kontakt veya eklem potansiyeli 0.7 Volt oldu ğ undan, PUT
tetikleme voltaj ı
Vp = VG+0.7 V
58
Dolayı s ı ile, PUT daki programlanabilir kelimesi, tetikleme voltaj ı n ı n
ayarlanabilme yani kontrol edilebilmesine karşı l ı k gelmektedir.
FOTONLAR
PENCERE
CdS
Şekil 8.5 in sol tarafı nda gösterildi ğ i ve ayr ı ca Şekil 1.12 den de
anlaşı lacağı gibi, yeterli enerjiye sahip ışı k (fotonlar), valans
band ı ndaki elektronlar ı iletkenlik band ı na yükseltir, böylece LDR nin R
direnci dü şerken RL yük direnci üzerindeki potansiyel artar.
RL
Ç ı k ış voltaj ı Vo=Vs
R+RL
-a
R1=R2(L1/L2) (8.1)
59
Burada Ri : L, ışı k miktarı karşı l ığı LDR direnci R
R(OHM)
L(LUX)
LDR üzerine hiç ışı k dü şmediğ inde yani karanl ı kta ölçülen R
değ erine "dark resistance" ad ı verilir. NORP12 tipi LDR için bu de ğ er 1
Mega Ohm olup genellikle tüm LDR'ler için yakla şı k geçerlidir. Direnç-
Lux doğ rusunun eğ imi, a=tan O, a şa ğıdaki eşitlikten hesaplan ı r:
Eğ im değeri, genellikle 0.55 ile 0.90 aras ı nda değ i şir. NORP12 için,
aşağı daki değ erler katalogda verilmi ştir.
L (lux) R(Ohm)
10 9 000
1000 400
60
Eğ im değ eri, katalog verilerinden herhangi biri ve E şitlik 8.1 in
kullan ı lmas ı ile, çe ş itli çevre ışı k düzeyleri için LDR direnç de ğ erleri
hesaplanabilir. Örnek olarak, güne ş li yaz günü ve ö ğ le saatlerinde
çevre ışığı yakla şı k 105 lux'dür. Bu şartlarda NOORP12 tipi LDR nin
yakla şı k 20 Ohm direnç göstermesi beklenir.
RA + V (Vc c)
Tnigh Tiow
Ossilasyon periyodu T = TH TL
1.44
Ossilasyon Frekans ı f = 1/T -
(RA + 2R8) C
61
veya 0 (low: L) gibi iki düzeyde (binary) olmas ı , bu devrenin mikro
i şlemci ile birlikte kullan ı m olanağı n ı sağ lar.
UYGULAMA ÖRNE Ğ I
RÖLE
63
Şekil 8.9 da uygulama örne ğ i olarak, s ı v ı düzeyi ölçme sistemi
gösterilmi ştir. S ı v ı n ı n üstünde bulunduğ u s ı rada s ı cak olan termistörün
direnci dü şüktür ve devreden röleyi çekecek yeterlilikte ak ı m geçer.
S ı v ı düzeyi, termistöre deyecek kadar yükseldi ğ inde, termistör ı s ı s ı n ı
s ı v ıya vererek so ğ ur, direnci artar, devreden geçen ak ı m azal ı r ve röle
aç ı l ı r.
64
BÖLÜM 9
CCD
9.1 CCD
65
Görüntü, her bir dedektör aras ı nda bölüş ülür. Dolayı s ı ile her bir
dedektör bir görüntü elemanid ı r: pixel (picture element, picture cell).
CCD
66
2. Minimum lag ve bloorning
CCD sistemini olu şturan her bir dedektör MOS yap ı s ı ndad ı r;
Şekil 9.3. MOS: metal-oxide-semiconductor.
METAL (+)
Si02
(14 - YÜK
49 P 14
İRLEŞME FAK
Şekil 9.3 MOS yap ı sı {6], <iy: yük
Kap ıya, yani metal elektroda P tipi silisyuma göre daha yüksek pozitif
gerilim uyguland ığında, kapını n altı ndaki ve P taban ı ndaki hole'ler
aşağı doğru itilir (Şekil 6.5 ile karşı laştınn ı z). P deki az ı nl ı k elektronlar ı
ise kap ıya doğru çekilir ve -kap ı alt ı nda ince, ancak yo ğ un bir negatif
yük tabakas ı , dolayısı ile n-kanall ı CCD ortaya ç ı kar. Bu etkilerin
sonucu, kap ı altı nda, P taban ı içinde yük bak ı m ı ndan fakirleşmiş bir
bölge olu şur (Depletion region).
67
Fakirle şmi ş bölge düşük potansiyeldedir ve foton absorblanmas ı
sonucu olu şan elektronlar ın depoland ığı bir potansiyel kuyusudur
(potential well). Oksit tabakas ı , depolanm ış negatif yükün kuyudan
d ışar ı s ızmas ı n ı önler. Bu anlat ı lanlar ışığı nda bak ı ld ığı nda, MOS
yap ı s ı n ın bir kapasitör özelli ğ i gösterdi ği -açı kt ı r.
MOS kapasitör (dedektör) üzerine i şıma, yani foton, dü ştüğ ünde kap ı
alt ı nda elektron ve hole'ler olu şur; Şekil 9A. Hole'ler pozitif kap ı voltaj ı
etkisi ile topraklanm ış P taban ı içine itilirler. Elektronlar ise, yine pozitif
kap ı vOaj ı nedeni ile yukarıya doğru çekilir, ancak yal ıtkan oksit
tabakası nedeni ile kap ı ya ula şamazlar. -Ayr ıca P taban ı n ı n az ı nl ı k
elektronlar ı n ı n kap ı altında olu şturdu ğ u ince negatif yük tabakas ı
tarafı ndan da bir miktar itilirler.
METAL KAPI(SAYDAM)
WWWWWWWWWWWWWWWWWWWW~
Si02
ece e
7
e
dıı
68
9.3. YCLKÜN TRANSFER Reat~ıt
69
+ V
METAL
ELEKTROD
Wıll MM I N IMİ El KO I I 12 — OKS İT
(al P
+ V O + V
(bi
+ V + V
(ci
+ O + V
Ar INIMEIraır ADI
(d)
+V
(e)
70
L,
L,
L,
tl v, +)
(
t2
t, Vl<V2
V2(+)
Şekil 9.7 de, görüntülenen cismin bir noktas ı ndan gelen ışığı n soldan
beşinci pixel'e düştüğ ü -kabul edilmi ştir. Bu durumdaki ç ı kış sinyali
(negatif), ayn ı şeklin sağ tarafında gösterilmi ştir (ç ı k ışa transfer edilen
negatif yük burada voltaja çevrilir.
71
Ş ekil 9.6 ve 9.7 deki gibi yük transfer yöntemi, bir tek diziden olu şan
dedektQr sistemi (linear CCD) için herhangi bir sorun yaratmaz.
Mozaik sistem {area CCD) ise, M sat ır x N sütundan olu şan bir
matrix şjstemdir. Görüntülenen cismin üzerindeki ışı k dağı t ı m ı na bağ l ı
olarak sistem üzerinde olu şan yük dağıl ı m ı n ın, önce birinci sat ı r, sonra
ikincisi, şeklinde bir işlernle d ışarı al ı nmas ı uzun zaman al ı r. Bunun
yerine, çiaha h ı zl ı ç ı kış -almak için, iki farkl ı yöntem uygulan ı r:
Output
O V,
V,
OV,
O V,
V,
■
>\\\
72
yap ı l ı rken, bir sonraki görüntü CCD üzerinde olu şur. Böylece, çok
yükseKh ızlarda, birbiri ard ına görüntü almak mümkün olur.
minumumee
anıammı.
UMM ~R Mal 0193.1
MIS EM EM EM MEI
• Output
Storage section
serea MM MM IYISI MU MM
shielded from sam firall mai
light 11013111 il= MI ;eri MM
111182 2611511 SUNI MU
autfo 1B8@0 rilRal lezaı MUZ
MI MM MU Wall
MM MIII MEG Ma MM
MM MM Ille Will
Imaging section Mi ILIN ILMI 111311
optically sensitive
MIII MM MIII HİMMM
1•111111 MM MM ININ
Mil MM Will =I IYI
IME EM MINI MI ~Il
Channel stop
Output
Imaging
section,
optically
sensitive
section,
shielded from light
I
Transfer gate
MONİTÖR
74
9.5 PERFORMANS PARAMETRELER İ
DUYARLILIK, Sensitivity, S
S=Vd /E (9.1)
Duyarl ı lı-k, ayn ı zamanda, sistemin yükü-voltaja dönü ştürme yetene ğ ine
de ba ğ l ı d ı r.
GÜRÜLTÜ, Noise, N
Sistemdffl çevre s ıcaklığı -etkisi altı nda yükler de olu şabilir (Bölüm
4.4: dark current). Gürültünün artmas ı sistemin S/N oran ı n ı (signal-to-
noise ratio) olumsuz etkiler.
75
BAZİ FİZİKSEL SAB İTLER
1 mikron (*) ı o -3 m m
10 "8 m
(*) 1 mikron, enerjisi 1.24 eV, yakla şı k 1 eV, olan fotonun dalga
boyudur.
76
KAYNAKLAR
[1] Isaacs, A.
"Introducing science"
A Pelican Original, Flarmondsworth, England (1972)
[8] Bhattacharya,
"Semiconductor optoelectronic devices"
Prentice - Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J. (1994)
77
[10] Watson, J.
"Mastering electronics"
Mac Millan, Mester Series, London (1990)
[12] Seymour, J.
"Electronic devices and components"
Longman Scientific and Technical, Essex (1990)
[13] Dutar, C.
"Transistör esaslar ı "
Cilt I, Özden Ofset, İzmir
[14] Tischler, M.
"Optoelectronics: fiber optics and lasers"
Macmillan/McGraw Hill, Glencoe, Illinois (1992)
[16] Watson, J.
"Optoelectronics"
Van Nostrand Reinhold, -UK (1988)
78