KATHIAL ELEKTRONI ĞI I

Doç.Dr. Faruk ÖZEK

A.Ü.F.F. Döner Sermaye i ş letmesi Yay ı nları No: 52

Elektronik Mühendisi* Bölümü

A.Ü.F.F
 B
E

KATIHAL ELEKTRON İĞİ I

Doç.Dr. Faruk ÖZEK

A.Ü.F.F. Döner Sermaye i ş letmesi Yay ı nları No: 52

Elektronik Mühendisli ğ i Bölümü

A.Ü.F.F
 KATIHAL
ELEKTRONI ĞI
 ÖNSÖZ

KATIHAL ELEKTRONİĞİ KITABI HAZIRLANIRKEN, KONULAR İN KOLAYLİKLA

ANLA ŞİLABILIR OLMASİNA ÖNCELIK TANINMIŞ TIR.

AYRİNTİLİ TEORIK BILGILER FAKOLTEMIZ YAY İNLAR! DAHIL OLMAK ÜZERE

BA ŞKA KAYNAKLARDAN DA SA ĞLANABILECEĞINDEN, BURADA, GEREKSIZ
TEKRARDAN ÖZELLIKLE KAÇINILMI Ş TIR. BÖYLECE, MINİMUM KITAP HACMI
IÇINDE MAKSIMUM B11 G1 VERILMESI AMAÇLANMI Ş TIR. KITAP, BU HALIYLE,
TEORIK A ĞİRLİKLİ KITAPLAR! TAMAMLAYIC1 N İTELİKTEDİR.

YARI-ILETKEN ELEKTRONİK BILEŞENLER DAHA ÇOK PRATIK KULLAN İM

AÇİSİNDAN INCELENMIŞ VE KONULAR YERI GELDIKÇE UYGULAMA İLE
ILIŞKILENDIRILMIŞ TIR.

BU KİTABIN ELEKTRON İK MÜHENDİSLİĞİ Ö ĞRENCILERININ YANİSİRA FIZIK VE

FIZIK MOHENDISLI ĞI BÖLÜMLERI- Ö ĞRENCILERI IÇIN DE YARARLİ OLMASİN!
DILERIM.

SON OLARAK, KITABIN BILGISAYAR YAZIMINI GERÇEKLEŞTIREN EŞIM

SAYİN NURHAN ÖZEK'E TE ŞEKKORLERIMI SUNAR/M.

FARUK ÖZEK
ELEKTRONIK MOHENDISLIĞİ BÖLÜMÜ
A. Ü.F.F.
1998
 İ Ç İ NDEKİ LER

ATOMUN ELEKTRONIK YAPISI

ELEKTRON YÖRÜNGELER İ 1

KIMYASAL BAĞ LAR 3

KATILAR 5

ENERJI BANDLARI 6

VALANS BANDI - ILETKENLIK BANDI 7

FOTON 7

YARI- İLETKENLER
İ LETKEN, YALITKAN, YARI- İ LETKEN 11

KATKISIZ YARI- İ LETKEN 12

KATKILI YARI-ILETKENLER : N-TIPI, P-TIPI 13

PN EKLEM İ
DENGE DURUMUNDA PN EKLEM İ 17

ILERI KUTUPLAMA - TERS KUTUPLAMA 19

PN D İYODUN AKIM-VOLTAJ KARAKTERISTIKLER İ 21

EKLEM KIRILMASI 22
PN DİYOD UYGULAMALAR!

ZENER 1:4YOD 24

VAR İ KAP D İYOD 25

I Ş IK YAYAN D İYOD : LED 26

FOTO-D İYOD 27

GÜNE Ş PIL İ 29

TRANSİSTÖR
TR İYOD LAMBALI YÜKSELT İ C İ 32

TR İYOD LAMBA İ LE TRANSISTÖRÜ-N KAR ŞILAŞTIRILMASI 34

TRANS İSTÖR f İZİĞ t 36

BJT İ LE AKIM YÜKSELTME KAZANCI 37

FOTO-TRANS İ STÖR 38

LED I Ş IMASININ TRANSISTOR İLE MODÜLASYONU 39

ALAN ETKILI TRANSİSTÖR

JFET 41

MOSFET 44

CMOS 46
YARI - İLETKEN ANAHTARLAMA ELEMANLARI

TR1STOR (SCR) 48

LASCR 49

TRİAK 50

D İAK 51

QUADRAC 54

BAZI Ö-ZEL YAR1- İLETKENLER

UJT 55

PUT 58

FOTO-REZISTÖR (LDR) 59

LDR İ LE IŞIK KONTROLLÜ OSSILATOR 61

TERM İ STÖR 62

KATIHAL GÖRÜNTÜ ALGILAYICILARI

CCD 65

BAZI FİZİ KSEL SABiTLER 76

KAYNAKLAR 77
 BÖLÜM 1

ATOMUN ELEKTRONIK YAPISI

1.1 ELEKTRON YÖRÜNGELERi

Elektronlar, çekirdek (nucleus) etraf ı nda, herbiri belirli bir enerji

düzeyine karşı l ı k gelen yörüngelerde dönerler.

Herbir elektron yörüngesinde bulunabilecek maksimum elektron

say ı s ı belirlidir:

1 nci yörüngede en fazla 2 elektron,

2 ve 3 üncü yörüngelerde en fazla 8 elektron bulunabilir.

Atom numaras ı (bir atomdaki elektron veya proton say ı s ı ) Z > 20

ise 3, 4, 5 ve 6 nc ı yörüngelerde 8 den fazla elektron bulunabilir.
Ancak, en d ış yörüngede, yine en çok 8 elektron vard ı r.

Z2 için 1 nci yörüngede 2 elektron, Z>2 için en d ış yörüngede 8

elektron varsa, elektron yörüngeleri için "tamamlanm ış " denir.
Yorüngeleri tamamlanm ış atomlar kararl ı (stable) yap ı dad ı rlar ve di ğ er
atomlarla ba ğ yapmaya yatk ı n de ğ ildirler. Kararl ı atom yap ı lar ı na
örnekler Şekil 1.1 de gösterilmi ş tir:

Helyum Z = 2
Neon Z = (2+8)
Argon Z = (2+8+8)

Atomun en d ış yörüngesinde dönen elektronlara valans

elektronlara adi verilir (valance: ba ğ de ğ er).
Örnek: Silisyum atomu: Şekil 1.2. Bu ş ekilde, silisyum atomunun
sadece d ış yörüngesi dikkate al ı nd ığı zamanki basitle ş tirilmi ş
diyagram ı da gösterilmi ş tir.

HELYUM

NEON

ARGON

Şekil 1.1 Kararl ı atom yap ı lar ı na örnekler [1]

VALANS
ELEKTRONLARI

Şekil 1.2 Silisyum atomu ve basitle ş tirilmi ş diyagram ı [2]

Bir atomun en d ış yörüngesinde 8'e yak ı n sayida elektron varsa,

örnek klor: Şekil 1.3, di ğer bir atomdan birkaç elektron alarak elektron
say ı s ı n ı 8'e tamamlar ve kararl ı yap ı ya ula şı r.

2
 KLOR

Şekil 1.3 Klor atomu

Eğ er, en d ış yörüngesinde birkaç elektron varsa, atom bu

elektronlar ı ba ş ka bir atoma vererek yine kararl ı bir yap ı ya ula ş m ış
olur: Şekil 1.4.

SODYUM

Şekil 1.4 Sodyum atomu

1.2 KIMYASAL BAĞ LAR

Atomlar, d ış yörüngedeki elektron say ı s ı n ı "tamamlamak" üzere,

a ş ağı daki iki yoldan biri ile bile ş ik olu ş tururlar:

İYON İ K BAĞ LANMA: Şekil 1.5: iki atomdan biri di ğerine elektron verir
ve pozitif iyon haline geçer. Elektron alan atom d ış yörüngesini
tamamlar. Bağ , z ıt yüklerin birbirini çekmesinden olu ş ur.

3
 Şekil 1.5 İ yonik ba ğ lanma
•
KOVALANT BA Ğ LANMA: Şekil 1.6: Valens elektronlar ı n ı n
payla şı lmas ı ile olu ş ur.

Şekil 1.6 Kovalant ba ğ lanma

Silisyum, germanyum gibi 4 valans elektronlu atomlar kovalant

bağ lanma yaparlar: Şekil 1.7.
Üç valans elektronlu atomlar (Ga Z=31, In Z=49, gibi) ile be ş
valans elektronlu atomlar (As Z = 33, Sb Z = 51, gibi) kovalant
ba ğ lanma yaparlar: GaAs, InSb. Üç ve be ş valans elektronlu atomlar
aras ı ndaki ba ğlanma Şekil 1.8 de aç ı klanm ış t ı r.

o o o

0
c°" g°° \.. ğ 5
. 0

<c
O OO

0-0 0-0 0-0

0 .;,%.?,/
)cş \.)07 °\°
.°07 °
`-.0---" 0---'
0-----
' --
o o
Şekil 1.7 Silisyum atomlar ı aras ı nda kovalant ba ğ lanma [2]

4
 Şekil 1.8 Üç ve be ş valans elektronlu atomlar aras ı nda kovalant
ba ğ lanma [2]

1.3 KATI LAR

Bir s ı v ı n ı n s ıcakl ığı yeteri kadar azalt ı l ı rsa, moleküller birbirine

yakla şı r, "donma noktas ı " denen bir s ı cakl ı k derecesinde moleküler
bağ lar kopar ve atomlar "kristal" ad ı verilen rijid yap ı lar içinde
düzenlenirler.

Yakla şı k tüm kat ı lar kristal yap ı dad ı rlar (cam gibi baz ı maddeler
ise "amorti' yap ıdad ı r).

Üç temel tür kristal yap ı s ı vard ı r:

ELEKTROVALANT kristal: Birbirine elektrovalant (elektrostatik)

kuvvetle ba ğ l ı iyonlardan olu ş ur. Örnek: tuz kristali: Şekil 1.9.

• SODYUM İYONU
o KLOR İYONU

Şekil 1.9 Elektrovalant (iyonik ba ğl ı) kristal

5
 Kübik yap ı (lattice), kristal boyunca tekrarlan ı r. Bu tür kristaller
suda çözüldü ğ ünde, iyonlar ı n çözeltide serbest kalmas ı sonucu,
iletken çözelti olu ş ur.

KOVALANT kristal: Si, Ge örnek olarak verilebilir. Atomlar birbirine

kovalant ba ğ larla ba ğ l ı d ı r. Is ı etkisi ile kristal yap ı n ı n ortak valans
ba ğ lar ı kopabilir ve bunun sonucu kristal içinde serbest elektronlar
ortaya ç ı kabilir.

METAL İ K kristal: Pür metalik kristallerde, atomlar pozitif iyonlar

halinde lattice yap ı s ı içindedirler. D ış yörüngeden kopmu ş bulunan
elektronlar, kristal yap ı içinde serbestçe hareket edebilirler. Bu
nedenledir ki, metaller iyi iletkendirler.

1.4 ENERJI BANDLARI

Her elektron yörüngesi bir enerji DÜZEY İ dir. Atomlar birbirine
yakla ş t ığı nda, yani atomlar aras ı uzakl ı k azald ı kça, enerji düzeyleri
üst üste biner ve düzeyler BAND (ku ş ak) olu ş turacak ş ekilde geniş ler
[3, 4], Şekil 1.10.

ATOM MOLEKÜL KR İSTAL

Eg
}

ÜÇ ATOM SONSUZ ATOM

ATONILAR ARASI UZAKLIK

Şekil 1.10 Band olu ş umu

6
Band içindeki düzeyler aras ı nda 10 -14 eV kadar küçük enerji farklar ı
varsa da, bandlar sürekli yap ı da kabul edilirler.

1.5 VALANS BANDI - İ LETKENLİ K BANDI

Valans elektronlar ı n ı n bulundu ğ u, en d ış taki enerji band ı na

valans band ı (valance band), bir sonraki müsaadeli (allowed) band'a
iletkenlik band ı (conduction band) ad ı verilir.

Valans band ı n en üst de ğeri Ev , iletkenlik band ı n ı n en alt de ğ eri

Ec ile gösterilir.

Mutlak s ıfı r noktas ı nda (absolute zero: -273 °C) tüm elektronlar
valans band ı ndad ı r. S ı cakl ı k yükseldi ğ inde, yasak enerji aral ığı ndan
(forbidden energy gap: E g) daha fazla enerji kazanan elektronlar
iletkenlik band ı na yükselerek serbest kal ı rlar ve arkalar ı nda pozitif
yüklü bir "bo ş luk" (hole) b ı rak ı rlar; Şekil 1.11, ve böylece bir elektron-
hole çifti (EHÇ) olu ş ur.

İLETKENLİK ELEKTRON
BANDI

o -->
VALANS HOLE
BAND

Şekil 1.11 Elektron-hole çifti olu ş umu [5]

Elektrik alan ı uyguland ığı nda, elektron ve hole'ler z ı t yönde

hareket eder ve ak ı m olu ş tururlar.

1.6 FOTON

Elektronun bir üst enerji düzeyine yükselebilmesi için d ış arı dan

( ı s ı gibi) enerji almas ı gerekir. Bu durumda atoma "uyar ı lm ış " (excited)
denir (uyar ı lma ile "iyonla ş ma" aras ı ndaki temel fark, uyar ı lmada
elektronun yine atom yap ı s ı içinde kalmas ı , iyonla ş mada ise atomu
tamamen terk etmesidir).

7
 Elektronlar d ış ar ı dan foton enerjisi alarak da iletkenlik band ı na
yükselebilirler: Şekil 1.12. Bunun için gelen foton enerjisinin, hv, en az
Eg=Ec--.E, kadar olmas ı gerekir.

(c )

> Eg
Ev J-

Şekil 1.12 Foton enerjisi ile uyar ı lma [6]

Şekil 1.12 (a) Uyar ı lma : EHÇ olu ş umu

(b) Kristale ı s ı transferi
(c) Eiektron-hole birle ş mesi (recombination)

Valans banda geri dönen elektronun hole ile birle ş mesi sonucunda,
enerjisinde foton yay ı nlan ı r. Yay ı nlanan fotonun X dalga
boyu, E ş itlik 1.1 ile verilir.

= h.c/Ef (1.1)

burada X : dalga boyu, p.

h : Plank sabiti = 4.14x10 -15 eV.sn
c : I şı k h ı z ı = 3x10 14 p/sn
Ef: eV

(p.: mikron = 10 -3 mm = 10 -6 m)

Örnek: Eg de ğeri 1.43 eV olan GaAs kristaline enerjisi 2 eV olan foton

düş mektedir, Şekil 1.13.

(a) 2 eV enerji kazanan elektron iletkenlik band ı na yükselir.

8
(b) Kristale, 2-1.43 = 0.57 eV e ş de ğ eri kadar ı s ı enerjisi b ı rak ı r.

(c) Ec E, = 1.43 eV enerjisinde, X = 0.87 p. dalga boyunda (infrared

ışı ma bölgesinde) foton yay ı nlan ı r.

Şekil 1.13 GaAs kristalinde foton ile uyar ı lma ve foton yay ı nlanmas ı
[6]

Elektronun VL.B.na geri dönü ş ü s ı ras ı nda foton (görünür ışı k

veya infrared) yay ı nlanmas ı , genel tan ı m ı ile luminescence olarak
adland ı rı l ı r ve:

1. Elektron, foton absorblanmas ı ile uyar ı lm ış ise:

photoluminescence ( Şekil 1.12)

2. Uyar ı lma, kristale ak ı m verilerek olu ş mu ş ise:

electroluminescence

3. EHÇ'leri elektron bombard ı man ı sonucu olu ş mu ş ise:

cathodoluminescence

olarak türlere ayr ı l ı r.

Elektronik eleman olarak kullan ı lan baz ı yar ı -iletken

(semiconductor) kristallerin E g enerji değerleri Tablo 1.1 de verilmi ş tir.

9
 Tablo 1.1 [6]

Kristal Eg (eV)
Ge 0.67
Si 1.11
GaP 2.26
GaAs 1.43
GaSb 0.70
ZnS 3.60
CdS 2.42
CdSe 1.73

10
 BÖLÜM 2

YARI - İ LETKENLER

2.1 İ LETKEN, YALITKAN, YARI- İ LETKEN

İ letken (conductor), yal ı tkan (insulator) ve yar ı -iletken

(semiconductor) band yap ı lar ı Şekil 2.1'de gösterilmi ş tir.

İ LETKENLİ K
Eg
BANDI z
w

VALANS
BAND

İLETKEN YALITKAN

YARI-İLETKEN

• • O • 0 •

Şekil 2.1 İ letken, yal ıtkan, yar ı -iletken [•-•

Şekildeki yar ı -iletken, içinde safs ı zl ı k (impurity) bulunmayan

"katk ı s ı z" (intrinsic) yar ı iletkeni göstermektedir. Katk ı s ı z ve katk ı l ı yar ı -
iletkenler, bu bölümde ayr ı nt ı l ı olarak aç ı klanm ış t ı r.

İ LETKEN : İ letkenlik band ı k ı smen (partially) dolu

Yasak enerji aral ığı (forbidden energy gap): E g : dar

11
YALITKAN : İ letkenlik band ı bo ş (empty)
Eg geni ş • Eg>- 3 eV

YARI- İ LETKEN (Y- İ ): Eg yal ıtkana göre daha dar: Eg< 3eV
Bu nedenle, valans elektronlar ı n ı n enerji kazan ı p
iletkenlik band ı na (11_43.) ç ı kma olas ı l ığı
yüksektir.

2.2 KATKISIZ YARI- İ LETKEN

İ çinde safs ı zl ı k bulunmayan Y- İ 'lerdir. Mutlak s ıfı r derecesinde

(T= -273 °C) hiç bir yük ta ş ıy ı cis ı (carrier) yoktur.

Is ı enerjisi alan valans elektronlar ı İ L.B. na ç ı kabilir. Böylece yük

ta şı y ı c ı lar!, dolay ı s ı ile iletkenlik, olu ş ur. Ta şı y ıc ı lar çiftler halinde
olu ş tu ğ undan, İ L.B. daki elektron konsantrasyonu, n, valans band ı nda
(VL.B.) ortaya ç ı kan hole konsantrasyonuna eş ittir; n=p.

Elektronun İ L.B. na ç ı kma olas ı l ığı , veya bu bandda "bulunma

olas ı l ığı ", E ş itlik 2.1 de verilen Boltzmann faktörü ile tan ı mlan ı r [6,8j:

n
Boltzmann faktörü : exp (-E gİ2kT) = — (2.1)
N,

burada Eg = E,- E v

k : Boltzmann sabiti = 8.6x10-5 eV/° K

=1.38x1023 Joule/°K
n : İ L.B.ndaki elektron konsantrasyonu
N, : iL.B.nda, valans elektronlar ı n ı kabul edebilecek enerji düzeyleri
konsantrasyonu.

E ş itlik 2.1 deki kT de ğeri, elektronun "ortalama termal enerjisi"

dir. Oda s ı cakIl ığı nda: T=27 °C :

kT=0.0258 eV = 1/40 eV

12
Eş itlikde 2.1 de 2 say ı s ı n ı n bulunmas ı , elektron ve hole'lerin çift olarak
olu ş mas ı ndan dolay ı d ı r.

Belirli bir kristal için, yani E g : sabit, Boltzmann faktörü sadece T

s ı cakl ığı na ba ğ l ı d ı r; s ı cakl ı k artt ı kça elektronun iletkenlik band ı nda
bulunma olas ı l ığı da artar.

örnek Hesaplama : Ge kristali

Eg = 0.67 eV (Tablo 1.1)
T = 300° K (oda s ı cakl ığı )

E ş itlik 2.1 den, Boltzmann faktörü = 2x10 -6

Yani Ge kristalinde, oda s ı cakl ığı nda, İ L.B.ndaki elektron

konsantrasyonu (birim hac ı mdaki iletkenlik elektronu say ı s ı )
olabilece ğ inin yüzde 0.0002'si kadard ı r.

S ıcakl ı k, örnek olarak, üç kat ı na ç ı kar ı ld ığı nda, T =81 °C=354° K,

elektronun İ L.B.nda bulunma olas ı l ığı yakla şı k yüzde 0.002 de ğerine
yükselir.

Matematiksel olarak bak ı ld ığı nda, ta şı y ı c ı say ı n ı art ı rmak için

s ı cakl ığı n yükseltilmesi bir yol olarak dü ş ünülebilir. Ancak, bu yol
pratik de ğ ildir.

Y- İ 'deki yük ta şı y ı c ı say ı s ı n ı , dolay ı s ı ile iletkenli ğ i, art ı rmak için

kristale uygun safs ı zl ı k kat ı l ı r (doping). Böylece olu ş an "katk ı l ı " Y-
ilerde çok daha yüksek oranlarda ta şı y ı c ı say ı s ı sa ğ lanm ış olur.

2.3 KATKILI YARI- İ LETKEN LER

2.3.a N-TIPI YARI- İ LETKEN

As, P, S, Sb gibi 5 valans elektronlu safs ı zl ı k elementleri Si veya

Ge kristal yapts ı na eklendi ğ inde:

a. Safs ı zl ı k elementinin 4 valans elektronu, Si veya Ge'un valans

band ı n' 8'e "tamamlar". Geriye kalan 5 nci elektron, ekstra
(excess) negatif yük ta ş ıy ı c ı s ı olarak ortaya ç ı kar; Şekil 2.2.

13
 FAZLADAN
ELEKTRON

It

Şekil 2.2 N-tipi yar ı iletken yap ı s ı [2]

b. Safs ızl ı k elementi, Si veya Ge'un İ L.B.na çok yak ı n bir enerji düzeyi
oluşturur (ED: donor level, donor: verici); Şekiı 2.3. Mutlak s ıcakl ı k
derecesinde, T=0°K, tüm ekstra elektronlar bu düzeydedirler. Bu
elektronlar ı n İ L.B.na ç ı kmas ı için çok az miktarda termal enerji dahi
yeterlidir. Sonuçta, ekstra elektronlar İ L.B.na "verilir" ve kristalin
iletkenliğ i artm ış olur.

• • • •
Ec

T=0°K T=50°K

Şekil 2.3 N-tipi yar ı iletken band yap ı s ı [6]

Elektronu donor düzeyinden İ L-B.na ç ı karmak için gerekli Ec-ED

enerjisi Ge kristali için yakla şı k 0.01 eV, Si için yakla şı k 0.04 eV kadard ı r.

14
2.3.b P-T İ Pİ YARI-İLETKEN

Al, B, In gibi 3 valans -elektronlu safs ı zl ı k elementleri Si veya Ge'a

eklendi ğinde:

a. Bir elektron noksanl ığı (8-7), (missing electron), nedeni ile bir hole
(boşluk) ortaya ç ıkar; Şekil 2.4.

HOLE

Şekil 2.4 P-tipi yar ı iletken yap ı s ı

b. Safs ızl ı k elementi, Si veya Ge'un VL.B. na çok yak ı n bir enerji
düzeyi olu şturur (EA: acceptor level, akseptör: al ı cı); Şekil 2.5.
Mutlak s ı cakl ı k derecesinde akseptör düzeyi tamamen bo ştur.
Sıcakl ı k derecesinin çok az yükselmesi ile VL.B. Baki elektronlar EA
düzeyine "al ı n ı r" ve geride yani VL.B. da hole b ı rak ı rlar. Katk ıs ız
yarı iletkene göre çok fazla say ıda hole oluş ur, dolay ı s ı ile kristalin
iletkenliği artm ış olur.

Ec

EA
Ev

T=0°K T=50°K

Şekil 2.5 P-tipi yar ı iletken band yap ı s ı

Akseptör düzeyi, VL.B. in en üst düzeyinden, Ge kristali için 0.01

eV, Si kristali için ortalama 0.04 eV kadar yukar ı dad ı r.

15
 Si kristalindeki safs ı zl ı k enerjisi düzeyleri Şekil 2.6 da verilmi ş tir.
Enerji de ğerleri, iL.B. n ı n en alt, VL.B. In en üst de ğerinden olan enerji
farklar ı d ı r. Donor düzeyleri +, akseptör düzeyleri — i ş areti ile
belirtilmi ş tir.

İLETKENLİ K BANDI
• Li + (0.033) • p' (0.044) • As + (0.049) • Slı " (0.039)
O, I

I. 2 • + (0.18)

(1.3
• Ni' (0.35) • S" (0.37)
0,4

0.5 Mn' (0.53) Au - (0.54)

• Zn - (0.55)
(1.5 • Cu - (0.49)
U. 4
• Au + (0.35)
0 .3 • Zn - (0.31)
• Cu' (0.24)
0.2 • Ni - (0.22)
• In - (0.16)
0.1
•B (0.045) • Ga - (0.065) • Al - (0.057)
)
VALANS BAND

Şekil 2.6 Si kristalinde safs ı zl ı k enerji düzeyleri [6]

16
 BÖLÜM 3

PN EKLEMİ

3.1 DENGE DURUMUNDA PN EKLEM İ

PN eklemi (p-n junction), ak ı m doğ rultmada kullan ı lan doğ rultucu

diyod, foton dedektörü olan foto-diyod, ışı k yayan diyod: LED, transistör
ve baz ı diğer elektronik elemanlar ı n temelidir.

PN eklemi, p ve n-tipi iki yar ı iletkenin birle şmesi ile olu ş ur. Birle şme
öncesi, her iki tip yar ı iletken enerji bandlar ı Şekil 3.1 de gösterilmi ştir:

P N

•• le• • • lo ••
* 4* •• İ L.B.

ELEKTRON
ENERJ İS İ

00 .0i0 0 O
L_ O VL.B.

Şekil 3.1 Eklem öncesi p ve n-tipi yar ı iletken enerji bandlar ı

P-tipi yar ı iletkenin İ L.B. ı nda çok az say ı da elektron, n-tipi yar ı
iletkenin VL.B. ı nda da yine çok az say ı da hole vard ı r.

P-tipi yar ı iletkende holeler ço ğ unluk (majority), elektronlar az ı nl ı k

taşı yı cı land ı r (minority carriers). N tipinde ise elektronlar ço ğ unluk,
hole'ler az ı nl ı k taşı yı c ı land ı r.

İ ki tip yar ı iletken birle ştiğ inde, yani PN eklemi olu şduğ unda:

1. N taraf ı ndaki İ L.B. e!ektronlar ı , pozitif yüklü P taraf ı na geçerken,

geride pozitif yüklü donor (safs ı zl ı k) atomlar ı b ı rak ı rlar.

17
 2. P taraf ı na geçen elektronlar, buradaki hole'ler ile birle ş irler ve
böylece nötr (yüksüz) atomlar ortaya ç ı kar

3. Elektronlar ı n P taraf ı na diffüzyonu, yine P deki az ı nl ı k

elektronlar ı taraf ı ndan itilme sonucu bir noktada durdurulur ve N
elektronlar ı eklemin sol taraf ı ndan birikir.
N elektronlar ı n ı n P deki hareketi için yukar ı da belirtilenler, P
hole'lerinin N taraf ı na diffüzyonu için de geçerlidir.

depletion
P N
POTANSİYEL

• ELEKTRON
O HOLE

Şekil 3.2 PN eklemi ve eklemdeki potansiyel de ği ş imi [9]

Sonuç, Şekil 3.2:

a. İ ki y-i'nin birle ş tiğ i yüzeyin sa ğ ve solunu kapsamak üzere,

yakla şı k 1 p. kal ı nl ığı nda, eklem bölgesi olu ş ur. Bu bölgedeki
atomlar nötrle ş diğ inden eklem bölgesi yük ta ş ı y ı c ı s ı yönünden
"fakir" dir. Dolay ı s ı ile eklem bölgesine "fakirle ş miş " (depletion)
bölge denir. Ayr ı ca Schottky tabakas ı ad ı da verilmektedir. Çok
az say ı da yük bulundu ğ undan, eklem bölgesi yakla şı k
yal ı tkand ı r, ba ş ka bir deyi ş le rezistivitesi yüksektir.
b. Eklem bölgesinin N tarafı yak ı n ı nda çok dar bir pozitif tabaka, P
taraf ı yak ı n ı nda ise yine çok dar bir negatif yüklü tabaka ortaya
ç ı km ış t ı r.
c. Eklem bölgesinin solunda pozirtif P, sa ğı nda negatif N bölgeleri
vard ı r. Dolay ı s ı ile PN eklemine PN diyod da denir ve bu
nedenledir ki Şekil 3.2 nin en üstünde diyod sembolü
bulunmaktad ı r.

18
 PN eklemli diyodun enerji diyagram ı Şekil 3.3 de aç ı klanm ış t ı r:
P tarafı N den daha yüksek enerjide görülmektedir. N taraf ı P ye
iletkenlik elektronu verirken, ayn ı zamanda, P taraf ı na enerji transfer
etmi ş olur [10]. Çünkü, N iletkenlik elektronlar ı daha yüksek enerji
düzeyindedirler; Şekil 3.1.

P N

f, Vo
E Ec

Şekil 3.3 PN eklemli diyod enerji diyagram ı [6]

Eklem potansiyel fark ı Vc, = (kT/e),In(n nin p) (3.1)

k : Boltzmann sabiti
T : Mutlak s ı cakl ı k
e : Elektron yükü =1.6x1019 Coulomb
nn : N İ L.B.daki elektron konsantrasyonu
n P'• P İ L •B' daki elektron konsantrasyonu

Vo kontakt potansiyelidir ve örnek olarak Ge için 0.46 Volt'dur.

PN ekleminin olu ş umu ve eklemdeki ta şı y ı c ı hareketleri ile ilgili

teorik bilgiler literatürde mevcuttur [4,11].

3.2 ILERI KUTUPLAMA -TERS KUTUPLAMA

Forward Biasing — Reverse Biasing

Bir voltaj kayna ğı n ı n pozitif kutbu PN diyodun P taraf ı na, negatif

kutbu N tarafı na ba ğlan ı rsa, diyod ileri kutuplanm ış , veya polarlanm ış ,
olur, Şekil 3-4.

19
Bu durumda

a. P deki hole'ler ve N deki elektronlar ekleme do ğ ru itilir.

b. Engel bölgesi (depletion layer) daral ı r.
c. Diyoddan ak ı m geçer.
d. Eklem bölgesi, diyodun direnci en yüksek bölgesi oldu ğ undan,
ak ı m ı n yaratt ığı voltaj tamamen bu bölgeye dü ş er.
e. Bunun sonucunda, eklem potansiyeli azal ı r: Vo-V F (Şekil 3.5).
f. Sonuç: Azalan potansiyel engeli nedeni ile ço ğ unluk ta ş ı y ı c ı lar ı
eklemi kolayl ı kla geçerler.

VF VR

z o o
O
o..

Şekil 3.4 İ leri (solda) ve ters (sa ğda) kutuplama [9]

VF VR
Ec
Vo+ V R
- T Vo-VF Ev

Şekil 3.5 İ leri (solda) ve ters (sa ğda) kutuplamada enerji band yap ı lar ı
[5]
20
 Bir voltaj kayna ğı n ı n pozitif kutbu PN diyodun N taraf ı na, negatif
kutbu P taraf ı na bağ lan ı rsa, diyod ters kutuplanm ış olur; Şekil 3.4.

Bu durumda

a. P ve N deki ço ğ unluk ta şı y ı c ı lar' diyodun uçlar ı na do ğ ru çekilir.

b. Eklem bölgesi geni ş ler.
c. Eklem potansiyel engeli artar: V o-ı-V R
d. Diyoddan ak ı m geçmez.
e. Sadece az ı nl ı k ta ş ı y ı c ı lar ı n ı n olu ş turdu ğ u çok dü ş ük bir
sürüklenme (drift) ak ı m ortaya ç ı kar. Ters ak ı m (reverse current)
olarak adland ı rı l ı r. De ğeri yakla şı k 1 mikro Amper'dir. Şekil 3.4
de lo olarak gösterilmi ş tir.

Ters ak ı m ı olu ş turan P az ı nl ı k elektronlar ı , P den N ye do ğ ru

hareket ederler, ki bu ak ı m ı n yönü, ileri kutuplamada N den P ye giden
N ço ğ unluk elektronlar ı n ı n ak ış yönünün tersidir.

Ters ak ı m çok dü ş ük de ğerde olmas ı na ra ğmen, ters kutuplama

voltaj ı belli bir de ğ ere yükseldi ğ inde birden artar ve eklem k ı r ı lmas ı na
(breakdown) yol açar. Eklem k ı rı lmas ı , Bölüm 3.4 de aç ı klanm ış t ı r.

3.3 PN D İ YODUN AKIM-VOLTAJ KARAKTER İ STİ KLERİ

PN diyoda d ış arıdan V voltaj ı uyguland ığı nda, eklemden geçen

toplam ak ı m Eş itlik 3.2 ile verilir (6).

1= 10 [ exp (eV/kT)-1] (3.2)

burada lo : ters ak ı m e: elektron yükü k: Boltzmann sabiti

kT/e = 0.0258 Volt (oda s ı cakl ığı nda)

V pozitif veya negatif olabilir. İ leri kutuplamada V: pozitif, ters

kutuplamada V: negatif. V voltaj ı pozitif ve kT/e de ğerinin birkaç kat ı
olduğ unda, E ş itlik 3.2 deki eksponansiyel terim bir'den çok daha

21
büyük olur ve ak ı m ileri kutuplama voltaj ı ile eksponansiyel olarak
artar; Şekil 3.6.

V negatif ise (ters kutuplama), E ş itlik 3.2 deki eksponansiyel

terim s ıfı r'a yakla ş ı r ve ak ı m 1=-1,, de ğ erini al ı r. Ters ak ı m, belli bir VB
de ğ erine kadar ters kutuplama voltaj ı VR den ba ğı ms ı zd ı r, sabittir yani
"doyma" (saturation) özelli ğ i gösterir.

çi ğ tunel
Şekil 3.6 PN diyodun I-V karakteristikleri

Ters kutuplama voltaj ı VR, k ı rı lma voltaj ı VB de ğerinde ise, ç ığ ve

tunel etkilerinin sonucu, ters ak ı m ani olarak artmaya ba ş lar.

3.4 EKLEM KIRILMASI Junction Breakdown

Ters kutuplama voltaj ı n ı n belli bir de ğ erinde, ters ak ı m ı n ani

olarak artmas ı demek olan eklem k ı rı lmas ı ç ığ ve tunel etkilerinin
sonucudur; Şekil 3.7.

P N

ELEKTRONLAR
E
Ec

ORİJİNAL ELEKTRON Nz■

4- YEN İ ELEKTRONLAR

Şekil 3.7 Ç ığ (solda) ve tunel (sa ğda) etkileri [5,12]

22
Ç ığ (avalanche) Etkisi: Ters kutuplamada, gerilim artt ı kça daha çok
yük diyod uçlar ı na çekilir ve diyod içindeki elektrik alan artmaya
baş lar. Yüksek elektrik alan ı nda, yüksek enerji ile sürüklenen
elektronlar yollar ı üzerindeki kristal yap ı daki atomlardan elektron
sökerler ve böylece zincirleme elektron ço ğ almas ı olu ş ur ve ters ak ı m
artar.

Tunel Etkisi (Zener k ı nlmas ı ): Safs ı zl ı k (impurity) konsantrasyonu çok

yüksek diyodlarda ortaya ç ı kar. Yüksek safs ı zl ı k konsantrasyonu, dar
eklem bölgesine neden olur. Ters kutuplama voltaj ı belli bir de ğere
yükseldi ğinde P taraf ı n ı n VL.B. ile N taraf ı n ı n iL.B. ayn ı düzeye gelir
ve elektronlar, aç ı klamas ı kuantum mekani ğinde yap ı lan [3] "tunel
etkisi" ile N tarafı n ı n iletkenlik band ı na geçerler ve ters ak ı m ı yüksek
ölçüde artt ı rı rlar.

PN diyodun tamamen k ı sa devre olmas ı anlam ı na gelen eklem

k ı rı lmas ı ndan, voltaj regülasyonunda (voltaj ı n sabit bir de ğ erde
tutulmas ı nda) yararlan ı l ı r: Bölüm 4.1: Zener diyod.

23
 BÖLÜM 4

PN DIYOD UYGULAMALARI

4.1 ZENER DIYOD SEMBOL

Çal ış ma voltaj ı , k ı rı lma voltaj ı olan Vz dir. VB yerine, Zener

diyodu belirtmek üzere V z kullan ı lm ış t ı r.
K ı rı lma durumunda ortaya ç ı kan "k ı rı lma ak ı m ı " I z ile ters ak ı m lo
ı nda E ş itlik 4.1 ile verilcn ba ğı nt ı mevcuttur [12]. ars

Iz = M.10 (4.1)

burada M(multiplication factor)=1/[1-(V/Vz )n]

Eş itlik 4.1 deki n, kristal tipine ba ğ l ı bir sabittir ve silisyum için

yakla şı k 6 d ı r. Yine ayn ı e ş itlik incelendi ğ inde görülür ki Vz=VR
ğ unda Iz ak ı m ı sonsuza gider. Bunu önlemek için Zener diyoda, oldu
ak ı m s ı n ı rlamak üzere bir R direnci ba ğ lan ı r.

Zener diyodun voltaj regülasyonunda kullan ı l ış ı Şekil 4.1 de

örnekle aç ı klanm ış t ı r. Vz de ğeri -15 Volt olan Zener diyodun I-V
karakteristi ğ i Şekil 4.1a da gösterilmi ş tir. Voltaj kayna ğı V.=17 Volt
gerilim üretmektedir, ancak bu de ğerin üstünde ve alt ı nda 1 Volt
dalgalanma (ripple) mevcuttur. Zener diyodu ile, voltaj kayna ğı ç ı k ış ı
V. ,V. nin hemen alt ı nda,15 Volt'da sabit olarak tutulmu ş olur.

24
 -I ş V

(a) (b)

Şekil 4.1 Zener diyod (a) ve uygulama örne ğ i (b)

4.2 VAR İ KAP D İYOD

ingilizce "variable capacitance" kelimelerinden türetilmi ş olup,

de ğ iş ken kapasiteli diyod anlam ı na gelir. Varikap diyoda, Zener
diyoda oldu ğ u gibi, ters kutuplama uygulan ı r.

4., ■ rı od

SEMBOL

Katod

PN diyodun, pozitif P ve negatif N bölgeleri ve bu bölgeler

aras ı nda yakla şı k yal ıtkan (dielektrik) bir eklem bölgesinden olu ş tu ğ u
Bölüm 3 de aç ı klanm ış d ı . Bu yap ı s ı nedeni ile PN diyod, kapasitör
özelli ği ta ş ar [13]. Metal pffikal ı bir kapasitörün s ığ as ı C, E ş Itlik 4.2 ile
verilir.

C = K. Ş/4 (4.2)

25
burada K: metal plâkalar aras ı ndaki maddenin dielektrik katsay ı s ı
S: metal plakalann yüzey alan ı
d: iki plaka aras ı ndaki uzakl ı k

E ş itlik 4.2 de d d ışı ndaki bütün de ğerler sabittir. Dolay ı s ı ile

kapasite (s ığ a) C de ğeri sadece d ile de ğ i ş ir. PN diyodda d, P ve N
bölgeleri aras ı ndaki eklem bölgesinin geni ş li ğ ine karşı l ı k gelir. Sonuç
olarak, ters kutuplama voltaj ı artt ı kça eklem bölgesi geni ş ler ve PN
diyod kapasitesi azal ı r, ters kutuplama voltaj ı azald ı kça daral ı r ve C
artar.
Uygulama örnekleri: Yay ı n istasyonuna ayarlama (tuning), frekans
çoğalt ı cı (multiplier) devreleri, genlik ve frekans modülasyonlu
devreler.

4.3 I Ş IK YAYAN D İYOD : LED

I şı k yayan diyod, İ ngilizce "Light Emitting Diode" kelimelerinin

karşı l ığı d ı r ve k ı saca LED olarak belirtilir. LED in yap ı s ı ve foton
olu ş umu Şekil 4.2 de gösterilmi ş tir. LED ileri kutuplan ı r. Kutuplama
güç kayna ğı ndan N taraf ı na elektron enjekte edilir. Bu elektronlar ı n
kristaldeki holetler ile birle ş mesi (recombination) sonucu foton
yay ı nlan ı r. Yay ı nlanan ışı ma görünür ışı k bölgesinde oldu ğ u gibi,
infrared (IR) bölgesinde de olabilir.

PN

EKLEM

MilMS11/1/ ıilINIAM

Şekil 4.2 LED: yap ı s ı (solda) ve foton olu ş umu (sa ğda), [5,2]

26
 Görünür iışış k veren LED uygulama örnekleri olarak, TV
cihaz ı nda aç ı k/kapal ı olu ş u belirten ye ş il/k ı rm ız ı LED, müzik seti,
otomobil göstergeleri verilebilir. En çok bilinen IR LED uygulamas ı ise
TV uzaktan kumandas ı nda kullan ı lan LED dir ve kristal olarak
genellikle GaAs kullan ı l ı r; 2■,

LED çal ış ma ak ı m ı I F=20 mA ile 100 mA aras ı nda de ğ iş ir. Daha

yüksek ak ı mlarda LED kristalinde k ı r ı lma ortaya ç ı kar. Bunun
önlenmesi için, genellikle, LED seri ba ğ l ı bir dirençle birlikte kullan ı l ı r.
Örnek devre Şekil 4.3 de gösterilmi ş tir.

Vcc SV

CQY 17: Çal ış ma gerilimi V=1.7 V

R :: 33
L
Çal ış ma ak ı m ı I F=100 mA
Mi 17 , ‘ h
IR
RL = (5-1.7)/0.1 = 33 Ohm

Şekil 4.3 LED: CQY 17: Örnek devre

4.4 F OTO-D İYOD

Görünür ışığı , IR veya ultraviyole ışı may ı alg ı lay ı p elektriksel

sinyale çeviren bir transducer'dir. Örnek olarak, TV cihaz ı nda, uzaktan
kumandadan gelen IR sinyallerini alg ı layan bir dedektör vard ı r.

Foto-diyodun çal ış mas ı , LED in çal ış mas ı n ı n tam tersidir; $ekil

4.4. I ş ı ma, ters kutuplanm ış diyodun eklem bölgesi (depletion region)
üzerine dü ş tüğünde foton absorblanmas ı sonucu elektron-hole çiftleri
olu ş ur. Eklem üzerindeki elektrik alan ı elektron ve hole'ü birbirinden
ay ı rı r ve z ı t yönlerde hareket ettirir. Böylece, d ış devreden I F ak ı m ı
akar (I F :elektron ak ışı yönü).

27
 FOTON

ANOD
+ + O+O O + +
P

090 - OOO®
N - _ G- G _
C _ C4)- - -G -
KATOD
I -I-
Şekil 4.4 Foto-diyod [2]

Foto-diyodun ak ı m-voltaj karakteristi ğ i Şekil 4.5 de gösterilmi ş tir.

Diyoda hiç ışı k dü ş medi ğ inde, yani karanl ı kta da çok az bir ak ı m
vard ı r (dark characteristic). Diyoda dü ş en ışı k ş iddeti (intensity)
artt ı kça I F akı m ı da artar.

ARTAN
IŞ IK
MİKTARI

Şekil 4.5 Foto-diyod: ak ı m-voltaj karakteristi ğ i [5]

Foto-diyod örnek devresi Şekil 4.6 da verilmi ş tir. BP104 diyodu

IR ışı maya duyarl ı d ı r. Ters kutuplama voltaj ı +5 Volt'dur. Şekil 4.6 daki
ak ı m yönü, hole ak ışı yönüdür.

28
 Şekil 4.6 Foto-diyod: örnek temel devre

Fotonun olu ş turduğ u ak ı m: I F

I F = Coulomb/sn

= (foton say ı s ı/sn)(e- say ı s ı/foton)(Coulomb/a- )

burada (foton say ı s ı/srı ) : i ş ı k ş iddeti : light intensity

(e- say ıs ı/foton) : kuantum verimi : quantum efficiency

Kuantum verimi, rl kristal türüne ba ğ l ı bir parametredir. Aç ı kt ı r

,

ki, yüksek de ğerde foto-ak ı m için kuantum verimi de yüksek olmal ı d ı r.

Foto-ak ı ma, I F , ayrıca karanl ı k ak ı m ı da eklenir. Karanl ı k ak ı m ı ,

diyoda ış Ima dü ş medi ğ inde de var olan ak ı md ı r, ve çevreden ı s ı
enerjisi alan valans elektronlar ı n ı n 1L.B. na ç ı kmas ı sonucu olu ş ur
(Bölüm 1.5 ve 2.2). Ancak de ğeri genellikle çok dü ş üktür. Sonuç
olarak I F ak ı m ı n ı n tamamen foton etkisi ile olu ş duğ u kabul edilebilir.

4.5 GÜNEŞ P İ Lİ Solar Cell, Photovoltaic Cell

Foto-diyod akım üretir. E ğer Şekil 4.4 deki diyod bir d ış voltaj
kayna ğı ile kutuplanmazsa, diyoda dü ş en ış ima diyodda voltaj üretir.
Bu yap ı güneş pilidir.

foto-diyod : akım üretir

güne ş pili : gerilim üretir.

29
 PN diyodun anodu (P), bir yük direnci ile katoda (N) ba ğ lan ı rsa
d ış devreden i ş ima ş iddeti ile do ğ ru orant ı l ı bir ak ı m akar.

YAPISI Construction

Güne ş pilinin yap ı s ı Şekil 4.7 de gösterilmi ş tir. Güne ş pilinin

amac ı elektrik gücü üretmek oldu ğundan, güç kayb ı n ı n en az olmas ı
ve ayni zamanda olabildi ğ ince çok i ş ima enerjisi almas ı istenir. Bu
nedenlerle:

1. Kristalin direnci dü ş ük olmal ı d ı r. Böylece, kristal içindeki elektrik

enerjisi kayb ı da dü ş ük olur. Enerji daha çok di ş devreye verilir.

2. I ş ığa duyarl ı yüzey alan ı geni ş olmal ıd ı r. Böylece, daha çok

i ş ima enerjisi toplanm ış olur.

3. Fakirle ş me yani eklem bölgesi dar olmal ı d ı r. Böylece, fotonlar ı n

olu ş turdu ğ u elektron ve hole'lerin tekrar birle ş mesi
(recombination) azal ı r ve pilin veriminin de azalmas ı önlenmi ş
olur,

4. I ş ı man ı n dü ş dü ğü en üst tabaka minimum kal ı nl ı kta olmal ı d ı r.

Böylece, güne ş den gelen ultraviyole ış ima da az bir
absorblanma ile eklem bölgesine ula ş abilir ve elektron-hole
çiftleri olu ş turur.
GÜNE Ş
I Ş INI Cam
il
metelik halka

p tipi kristal

eklem

n tipi kristal

Şekil 4.7 Güne ş pili

ÇALI Ş MASI Operation

Güne ş pilinin çal ış mas ı Şekil 3.2 yard ı m ı ile aç ı klanabilir. Eklem
bölgesine dü ş en fotonlar, buradaki atomlardan elektron sökerler ve

30
böylece elektron-hole çiftleri olu ş ur. Eklem potansiyeli nedeni ile
elektronlar N taraf ı na, hole'ler P taraf ı na çekilir. Ba ş ka bir anlat ı mla,
eklemin sa ğı nda ve N taraf ı na yak ı n pozitif bölge fotonun olu ş turdu ğ u
hole'leri sola yani P ye, P taraf ı na yak ı n negatif bölge ise elektronlar ı
sa ğ a yani N ye iter. Sonuçta PN diyodun iki ucunda potansiyel fark ı
olu ş ur ( Şekil 4.7 ye göre: e - lar a ş a ğı hole'ler yukar ı itilir).

Şekil 4.8 Güne ş pili yükselticisi [14j

Güne ş pili ortalama 0.5 V gerilim ve 8-10 mA aras ı ak ı m üretir. Güne ş

pilinin bir yükseltici ile birlikte kullan ı ld ığı örnek devre Şekil 4.8 de
verilmi ş tir.

31
 BÖLÜM 5

TRANS İSTÖR

PN diyod kendi içinde ak ı m yükseltmesi yapmaz. Örnek olarak,

foto-diyod içinden ve d ış devreden akan ak ı m sadece diyod üzerine
düş en ışı ma miktar ı artt ı kça artar. Şekil 4.4 deki gibi bir devreden
akan I F ak ı m ı sonucu R direncine dü ş en voltaj ancak bir d ış yükseltici
(amplifier) ile yükseltilebilir.

Yükseltme (amplification) için, iki yar ı -iletken diyodun NPN veya

PNPyap ı s ı içinde yanyana getirilmesi gerekir. Bu yap ı TRANS İ STÖR
olarak adland ı rı l ı r ve bu adland ı rma transistörün çal ış mas ı na ba ğ l ı
olarak transfer resistor kelimelerinden türetilmi ş tir.
-

Transistör kendi içinde yükseltme yapar. Bu nedenle AKTIF bir

devre eleman ı d ı r. Çal ış mas ı "triyod lamba!' yükseltici"nin çal ış ma
prensibine benzer. Bu tür yükseltici günümüz teknolojisinde art ı k
kullan ı lmamaktad ı r, ancak transistörün çal ış mas ı n ı aç ı klamak amac ı
ile bu bölümde incelenmi ş tir.

5.1 TR İYOD LAMBALI YÜKSELT İ C İ

Yap ı s ı Şekil 5.1 de gösterilmi ş olan triyod lamba, Amerikan

literatüründe "triode tube", Ingiliz literatüründe "triode valve°' olarak
adland ı rı l ı r. Valve kelimesi borularda su ak ışı n ı ayarlayan, aç ı p
kapayan VANA anlam ı na gelir. Bu nedenle yana su ak ışı na karşı
de ğ iş ebilen bir direnç (resistor) i ş levi görür. Triyod lamba ile ak ı m
yükseltme Şekil 5.2 de aç ı klanm ış t ı r. Dü ş ük voltajl ı (low-voltage) bir
batarya ile ince bir tel olan filaman (heater) ı s ıtil ı r. Filaman da çok
yak ı ndaki katodu ı s ı t ı r. !sinan katoddan, termal enerji kazanan
elektronlar yay ı nlan ı r.

32
Kafes (grid) pozitif ise: Katodun yayd ığı elektronlar hızlanarak kafese
çekilir, kafes içinden geçerek daha yüksek pozitif de ğ erdeki anoda
ula şı rlar ve triyoddan geçen ak ı m artar.

Kafes negatif ise: Katoddan ç ı kan elektronlar, kafes taraf ı ndan katoda
doğ ru geri itilirler. Triyoddan akan ak ı m azal ı r veya kafes voltaj ı
gerekti ğ i kadar yüksek de ğerde negatif ise,tamamen durur.

Böylece, kafes, pozitif veya negatif olu ş una göre, katoddan anoda
olan ak ı m transferini bir yana veya de ğ i ş ken direnç (resistor) gibi
davranarak ço ğ alt ı r veya azalt ı r.

KATOD(SICAK)

TUNGSTEN
FİLAMAN
ELEKTRONLAR

Şekil 5.1 Triyod lamba [ 2]

Şekil 5.2 Triyod lamba ile ak ı m yükseltme [1]

33
5.2 TRİYOD LAMBA ILE TRANS İ STÖRÜN
KARŞ ILA Ş TIRILMASI

Şekil 5.3 de triyod lamba ile transistörün kar şı la ş t ı r ı lmas ı

yap ı lm ış t ı r.

lEixuLLamilEhlırınşi
anod C: collector (toplay ı c ı )
kafes (grid) B: base (taban)
katod E: emitter (yay ı c ı )

ANOD

KAFES

KATOD

TRİYOD LAMBA SEMBOLÜ

Şekil 5.3 Triyod Lamba (solda) ile NPN Transistörün (sa ğda)
karşı laş t ı nlmas ı

Emitter negatif kutuba ba ğ l ı d ı r. Ernitter'in yayd ığı elektronlar

pozitif yüklü base'e hızıandırılarak çekilir ve base'e göre daha pozitif
olan collector'a ula şı rlar. Base, triyod lambadaki kafesin yana
iş levini görür. Hole (h+) ak ışı yönü elektron (e") ak ışı yönünün
tersidir. NPN ve PNP transistör sembolleri Şekil 5.4 de
gösterilmi ş tir. Base ile emitter aras ı ndaki ok'un yönü, her zaman
hole ak ışı yönünü gösterir. Transistör ile ak ı m yükseltme Şekil 5.5
de aç ı klanm ış tı r ( Şekil 5.2 ile karşı la ş tı r ı n ı z).

Transistörün, daha do ğ rusu base'in de ğ i ş ken direnç olarak

i ş levi, sembolik olarak Şekil 5.6 da gösterilmi ş tir.

34
 c

Şekil 5.4 NPN ve PNP transistör sembolleri

ÇIKIŞ

-1-v

Şekil 5.5 Transistör ile ak ı m yükseltme [ 1 ]

B o- - -

Şekil 5.6 Base: de ğ i ş ken direnç

35
5.3 TRANSISTÖR F İZi Ğİ

Transistörün çal ış abilmesi için, P N eklemlerinden biri ileri

(forward), di ğ eri ters (reverse) kutuplanmal ı d ı r ; Şekil 5.7. İ ki tür
kutuplama (polarlama) nedeni ile transistöre "bipolar junction
transistor" de denir; k ı saca BJT.

ters k.

ileri k.

VBB
cc

Şekil 5.7 Transistörde elektron ve hole ak ı mlar ı

Vcc ve VBB nin negatif kutuplar ı yard ı m ı ile emitter, kendi

içindeki elektronlar ı , yani ço ğ unluk ta ş ly ı c ı lar ı n ı base'e yayar,
enjekte eder. BaseV BB nin pozitif kutbuna ba ğ l ı d ı r ve böylece
emitterden gelen elektronlar ı n collector'a geçi ş ini hızlandırarak
sa ğ lar. Collector bu elektronlar ı n yakla şı k %98 kadar ı n ı toplar ve
Vcc yardmi ile d ış devreden geçirmek sureti ile bir "i ş " yapt ı rm ış
olur.

Base, ayr ı ca, emitter'dan gelen elektronlar ı n P bölgesinde

y ığı lmas ı n ı önlemek için, bu elektronlann bir k ı sm ı n ı , % 2, kendi
üzerine çeker.

36
Soru: Elektronlar base'den geçerken, neden buradaki hole'ler ile
birle ş mezler?

Cevap: a. Base'deki safs ı zl ı k, yani hole yo ğ unlu ğ u dü ş üktür.

b. Base'in kal ı nl ığı azd ı r, dar bir tabakad ı r.
c. Çok az say ı da hole, elektronlarla birle ş se dahi, yerlerine
VBB bataryas ı ndan pozitif yük base'e verilir. Böylece,
base'in pozitifli ğ i devam ettirilmi ş olur.

Sonuç olarak, emitter üzerinden l E=I c+I B kadar ak ı m geçer.

Emitter'deki ço ğ unluk elektronlar ı n ı n yan ı s ı ra, basa bölgesindeki
az ı nl ı k elektronlar ı da collector'a çekilir ve çok dü ş ük bir
s ı z ı nt ı (leakage) ak ı m ı olu ş turur : I co (ters ak ı m). Buradaki o harfi,
base'in opera (aç ı k) oldu ğ u zamanki I c ak ı m ı oldu ğ unu belirtir.
Dolay ı s ı ile collector ak ı m ı :

I c=l c (çoğunluk) -1- Ic o (az ı nl ı k)

I co ak ı m ı mikro-Amper mertebesindedir ve dolay ı s ı ile ihmal

edilebilir.

5.4 BJT iLE AKIM YÜKSELTME KAZANCI

BJT ç ı k ışı olan I c ak ı m ı , base voltaj ı na ba ğ l ı olmak üzere I B

ı m ı ile kontrol edilir. Collector ak ı m ı n ı n base ak ı m ı na oran ı , basek
BJT'nin ak ı m kazanc ı d ı r.

Kazanç (gain) 13 = 1 E3

İ yi bir transistör için I c ak ı m de ğ eri, I B ile karşı la ş t ı rı ld ığı nda, çok

daha yüksek de ğ erde olmal ı d ı r.

Kazanc ı p. ı oo olan bir transistör için örnek hesaplama:

37
Transistörde voltaj dü ş mesinin
hemen tamam ı ters-kutuplu B-C 500 Q
eklemindedir. E-B eklemi
ileri - kutuplamal ı d ı r ve bu
eklemdeki voltaj dü ş mesi
so C1 10 V
yakla şı k s ıfı rd ı r. Buna göre
base ak ı m ı yakla şı k 5 V -
1B=5V/50 kQ=0.1 mA. Ic
Buradan I c= f3I B=10 mA
(Şekilde I B , I c : elektron ak ış yönü)

5.5 FOTO-TRANSİ STÖR

Foto-diyodun kendi içinde ak ı m yükseltmesi yapmad ığı ve

akı rnin ancak bir ek, d ış yükseltici ile art ı r ı labilece ğ i bu bölümün
giri ş k ı sm ı nda belirtilmi ş di.

Foto-transistör, F-TR, hem üzerine dü ş en ışı ma sonucu ak ı m

üretir ve hem de bu ak ı m ı kendi içinde yükseltir (internal
amplification). Dolay ı s ı ile

F-TR=foto- diyod+yükseltici

ş eklinde bir tan ı miama yap ı labilir. F- TR ün çal ış mas ı BPW 14

transistörü örnek devresi ile aç ı klanm ış t ı r; Şekil 5.8.

+5V
c

NPN
V.

100 Q

Şekil 5.8 BPW 14 Foto-transistör

38
 FAKIRLEŞ ME
BÖLGESI

Şekil 5.9 Darlington Foto-transistör [14]

Base ba ğ lant ı l ı de ğ ildir. Fotonlar base'e dü ş er ve özellikle base-

collector, B-C, ekleminde elektron-hole çiftleri olu ş tururlar. B-C
eklemi ters kutuplamal ı d ı r ve foto-diyod ( Şekil 4.4) gibi davran ı t.
Fotonun olu ş turdu ğu elektronlar collector'a çekilir, hole'ler ise
base'den emitter'a akar, ki bu I B ak ı m ı n ı olu ş turur (bak ı n ı z: Şekil
5.7: I B elektron ak ı m ı na e ş it ve z ıt yönlü, Vgg nin sa ğ lad ığı hale
ak ı m ı ).

Sonuç: 1. F-TR'e dü ş en ışı k miktar ı artt ı kça, olu ş an elektron-hole

çifti say ı s ı artar.
2. Artan elektron-hole çifti say ı s ı , artan I B ak ı m ı demektir.
3. Artan I B base ak ı m ı da F-TR ç ı k ış ak ı m ı I c de
yükselmeye yol açar.

Bir transistörün ç ı k ışı ikinci bir transistörün base'ine verilerek,

ak ı m daha da yükseltilebilir. Benzer ş ekilde, iki F-TR tek birim
içinde birle ş ir ve Darlington F-TR'ü ad ı n ı al ı r; Şekil 5.9. İ kinci F-TR,
birincinin ç ı kışı n ı yükseltirken kendisi de ak ı m üretir. Toplam ak ı m
kazanc ı , iki transistörün ak ı m kazançlar ı n ı n çarp ı m ı na e ş ittir (Örnek
Darlington F-TR:BPX 99).

5.6. LED I Ş IMASININ TRANS İ STÖR iLE MODÜLASYONU

NPN transistör ç ı k ışı LED'in katoduna uygulan ı r: Şekil 5.10.

R ak ı m-s ı n ı rlay ı c ı dirençtir. Base devresine modüle edici, örne ğ in
sinüsoidal bir elektriksel giri ş sinyali uyguland ığı nda LED'in ış Ima
ç ı k ışı da giri ş e ba ğl ı olarak, bir ortalama de ğerin üst ve alt ı nda, yine
sinüsoidal bir de ğiş me gösterir.

39
ELEKTRiKSEL
GiRİS

Şekil 5.10 Transistör ile LED ç ı k ışı modülasyonu [8]

40
 BÖLÜM 6

ALAN-ETK İ Lİ TRANS İSTÖR

Bölüm 5 de, transistör (BJT) ç ı kış akı m ı n ı n, giri ş AKIMI ile

kontrol edildi ği görülmü ştü. Alan-etkili transistörde, field-effect transistor
(FET) ise ç ı k ış akı m ı giri ş VOLTAJı ile kontrol edilir:

BJT : akım kontrollü

FET : voltaj kontrollü

FET'de, giri şten (input) çekilen ak ı m son derece küçüktür, yakla şı k 1

piko-Amper kadard ı r. Örnek: Piezoelektrik transducer ç ı kışı n ı n FET'e
giri ş olarak verilmesi.

FET TÜRLERI
I. Yüzey temas!! FET (junction FET: JFET)
(junction-gate FET: JGFET)

2. MOSFET: metal-oxide semiconductor FET (MOS

transistor) (insulated-gate
FET: IGFET)

Her iki tür FET de, kendi içinde n-kanall ı (n-channel) ve p-kanall ı olmak
üzere iki ayr ı yap ıdad ı rlar.

6.1 JFET

JFET yap ı s ı ve sembolleri Şekil 6.1 de gösterilmi ştir. BJT ile

karşı laştı rmal ı olarak:

41
 BJT FET

Emitter : E Source (kaynak) : S

Base :B Gatc (kap ı ) :G
Collector : C Drain (oluk) :D

Ayr ı ca:
n-kanall ı JFET -* NPN BJT
p-kanall ı JFET --> PNP BJT ye kar şı l ı k gelir.

Şekil 6.1 JFET: Yap ı s ı ve sembolleri [9]

(a) yap ıs ı , (b) n-kanall ı , (c) p-kanall ı

JFET ve MOSFET, sembollerinde ok yönü elektron hareket yönünü

gösterir (BJT sembollerinde ise ok yönü hole hareket yönünü
göstermekteydi).

JFET F İZİ G İ : JFET in çal ışmas ı , n-kanall ı tür örne ğ i için, Şekil 6.2 de
aç ı klanm ıştı r.

N-tipi kristal üzerinde, dar bir bölgede PN eklemi ve ikisi aras ı nda
yaklaşı k yal ı tkan fakirle şme bölgesi (depletion region) vard ı r. Eklem
ters kutuplanm ıştı r. Elektron ak ı m ı kaynaktan olu ğ a doğ ru akar ve p-
bölgesine (kap ı : gate) uygulanan voltaj ile kontrol edilir. Kap ı ya
uygulanan voltaja ba ğ l ı olarak fakirle şme bölgesi geni şler/daral ı r.
Kap ı n ı n yana etkisi ile elektron ak ı m ı azal ı r/artar.

42
Genellikle n-tipi kristalin her iki taraf ı nda da p-tipi kap ı vard ı r. Kanal, iki
fakirle şme bölgesi aras ı nda bulunur.

ID(e)

FAKİRLEŞME
BÖLGESI 11

VDS

./
VGS
S

Şekil 6.2 JFET'in çal ışmas ı [9]

AKIM-VOLTAJ KARAKTER İSTİ KLERİ

G ve S aras ı ndaki gerilim VGS=O ise 1 D akı m ı , Vcıs geriliminin artışı

ile IDSS ile gösterilen en yüksek de ğerine ula şı r: Şekil 6.3. Ak ı m, Vp
değerinden sonra hemen hemen sabitle şir (saturation).

IDDS

Şekil 6.3 JFET ak ı m-voltaj karakteristikleri

43
N kanall ı JFET için çizilen bu grafikte ayr ı ca görüldü ğ ü gibi VGS negatif
voltaj ı artarken I n ak ı m ı azal ı r ve Vp voltaj ı daha düş ük değ erlerde
ortaya ç ı kmaya başlar. Pratikte, Vps voltaj ı Vp değ erini aşmaz. Çünkü,
bu değ erin aşı lmas ı JFET yap ı s ı nda geriye dönü ş ü olmayan k ı rı lmaya
(breakdown) neden olur.

6.2 MOSFET

MOSFET'ler yap ı sal farkl ı l ı k açı s ı ndan iki türdür:

E-MOSFET : Endükleme (enhancement) MOSFET

D-MOSFET : Depletion (fakirle ş me bölgeli) MOSFET

Sembolleri Şekil 6.4 de gösterilmi ştir.

G

ENHANCEMENT
B B

b
DEPLETION
B B

Şekil 6.4 MOSFET sembolleri [9]

(a) n-kanall ı
(b) p-kanall ı

E-MOSFET'in yap ı s ı ve çal ış mas ı , n-kanall ı tür örne ğ i için, Şekil 6.5 de
açı klanm ıştı r. Metal plaka (metal plate) kap ı ile yar ı-iletken NPN
aras ı nda çok ince yal ıtkan bir oksit, Si02, tabakas ı vard ı r. NPN nin iki
ucundan birine, örne ğ in soldakine (kaynak: source) +10 volt
uygulanm ış , di ğ eri (oluk) ise topraklanm ışt ı r.

Kap ı voltaj ı n ı n s ıfı r olmas ı durumu: NPN den ak ı m geçmez. Çünkü

ak ı m soldaki ters kutuplanm ış PN eklemi tarafı ndan durdurulur.

44
Kap ı voltaj ı n ı n pozitif olmas ı durumu: Pozitif yüklü kap ı n ı n elektrik alan ı
(electric field) P taban ı ndaki (base: B, substrate) hole'leri iter,
elektronları çeker. Böylece, P nin kap ıya yak ı n üst k ısm ı nda geçici bir
iletken N bölgesi, yani kanal, olu ş ur (endüklenir).

Ancak S ve D aras ı nda ak ı m akması için VG kap ı voltaj ı n ı n pozitif

olmas ı n ı n yan ı s ı ra, belli bir e şik (threshold) de ğ erinin üstünde olmas ı
da gerekir.

Sonuç: Kap ı ya uygulanan voltaj miktar ı na bağ l ı olarak, kanal geni şliğ i,
yani akı m miktarı değişk: yana etkisi.

VG +10 v

SiO2

ENHANCEMENT MOSFET

+10
v01 T

Şekil 6.5 MOSFET üstte: kap ı voltaj ı s ıfı r

altta: pozitif kap ı voltaj ı [2]

45
D-MOSFET'in yap ı s ı ve çal ışmas ı , n-kanall ı tür örne ğ i için Şekil 6.6 da
açı klanm ışt ı r. Metal kap ı n ı n altı nda bulunan SiO2 tabakas ı içine,
yap ı sal olarak, bir miktar pozitif iyon kat ı lm ıştı r.

Şekil 6.6 N kanal!' D-MOSFET yap ı s ı

Bu pozitif iyonlar, P tipi yar ı -iletkendeki (base: taban) elektronlar ı n bir

k ısm ı n ı kendine çekerken ve böylece n kanal olu ştururken, yak ı n ı ndaki
hole'leri a şa ğı ya doğ ru iter. Böylece SiO 2 tabakas ı n ı n alt ı nda iletken n
kanal ve onun da alt ı nda hem elektron hem de hole yönünden
fakirleşmiş bir bölge ortaya ç ı kar. Bu tür MOSFET'e "depletion" türü
denmesinin nedeni budur. Elektronlar ı n kap ı ya (G) do ğ ru hareketi,
Şekil 6.4 de verilen semboldeki ok yönünden de anla şı labilmektedir.

Yap ı sal olarak bir iletken n kanal ı n varl ığı , kap ı voltaj ı VG=0
oldu ğ u zaman da S ve D aras ı nda ak ı m akabilmesi demektir. Kap ı
voltaj ı negatif ise kanal daral ı r ve ak ı m azal ı r, pozitif ise kanal geni ş ler
ve ak ı m artar.

6.3 CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor

CMOS, tümleyici metal oksit yar ı -iletken anlam ı na gelmektedir.

Yap ı sal olarak bir n-kanall ı E-MOSFET ile bir p-kanall ı E-MOSFET'in
birlikte kullan ı lmas ı ndan olu ş ur.

Uygulama örneklerinden biri inversion (tersine çevirme) i şlemidir.

Şekil 6.7. Inversion'da giri ş voltaj ı Vi =1 de ğerindeyken (yüksek: high)
çı kış voltaj ı Vo =O değ erinde (alçak: Iow), Vi =0 de ğ erindeyken ise ç ı k ış
voltaj ı 1 değerindedir.
 1
o

Şekil 6.7 Inversion: giriş voltaj ı n ı n tersine çevrilmesi

Inversion i şleminin olu ş umu Şekil 6.8 de aç ı klanm ışt ı r. Giri ş voltaj ı 0
(low) oldu ğ unda sol tarafta bulunan n kanall ı E-MOSFET çal ışmaz.
Sağ taraftaki p-kanall ı E-MOSFET'in kap ı voltaj ı , +Vss ye göre negatif
oldu ğ undan bu MOFSET çal ışı r ve çı k ışta pozitif gerilim (high) gözlenir.
Giri ş voltaj ı pozitif (high) oldu ğunda ise p-kanall ı E-MOSFET çal ışmaz.
N-kanall ı E-MOSFET'in pozitif kap ı voltaj ı , topraktan elektron çeker ve
çı k ışta "low" gerilim gözlenir.

v,
G
e- h+
1<
N P N P N P

N-KANAL P-KANAL O +V ss
Va

Şekil 6.8 Inversion i ş leminin olu ş umu

Sonuç olarak CMOS, bu i şlevi ile inverter, 1 ve 0 şeklinde de ğ işen

(binary) giri ş voltaj sinyalini tersine çevirmi ş olur.

47
 BÖLÜM 7

YARI - İ LETKEN ANAHTARLAMA ELEMANLARI

TRİSTÖR - TR İYAK - D İAK

7.1 TRiSTÖR

Tristör (thyristör), alternatif olarak "silicon cotrolled rectif ıer": SCR

olarak da isimlendirilir (silisyum kontrollü ak ı m do ğ rultucu).

0.7 Volt gibi dü şük bir gerilim ve 10 mA gibi küçük ak ı m ile 300
Volt, 15 A gibi yüksek gerilim ve ak ı m kontrol edilebilir. Elektrik
motorları ve jeneratörlerin aç/kapa anahtarlamas ı (switching),
ayd ı nlatma miktar ı n ı değ iştiren "dimmer" uygulama örnekleridir.

YAPISI VE ÇALI Ş MASI: Şekil 7.1

SEMBOL

G G

Şekil 7.1 Tristör [2]

48
 Yüksek s ıcakl ı k ve voltaja dayan ı kl ı oldu ğ undan genellikle
silisyum kristalidir. İki terminali, yani anod ile katod aras ı ndaki akı m,
üçüncü terminal olan kap ı ya (gate) belli bir dü şük sinyal
uyguland ığı nda akar, bu değerin alt ı nda akmaz. Dolay ı s ı ile
anahtarlama bir d ış sinyal ile gerçekleştirilir.

PNP ve NPN olmak üzere iki transistörden olu şmu ş gibi kabul
edilebilir. Anoda pozitif voltaj uyguland ığı nda, akı m ileri kutuplanm ış
birinci PN ekleminden geçer.

Kap ıya uygulanan voltaj pozitif de ğ il veya pozitif, ancak belli bir
eşik değ erinin (silisyum için 0.7 Volt) alt ı nda ise, akı m ikinci NP
eklemine, dolayı s ı ile de katoda, geçmez.

Kap ıya eşik değeri üzerinde pozitif voltaj uyguland ığı nda: NPN
nin base'ine hole ak ı m ı verilmi ş olur ve NPN den yükseltilmi ş akı m
geçer. Ayr ı ca, NPN nin collector elektron ak ı m ı , PNP nin base'ine
uygulanm ış olur ve PNP den geçen ak ı m da artar. Sonuçta, anod ile
katod aras ı nda yüksek değerde ak ı m olu şur. Görülmektedir ki, kap ı ya
uygulanan küçük bir tetikleme, yani ba şlang ı ç ak ı m ı , yüksek de ğerde
akı m ile sonuçlan ı r.

Tristör (SCR) do ğ rultucu, rectifıer, olarak da kullan ı labilir. Çünkü,

alternatif ak ı m ı n üst pozitif alternans ı nda tristörden ak ı m geçer, ait yani
negatif alternans ı nda ise ak ı m geçmez. Ancak buradaki do ğ rultma,
ak ı m ı n yarı -dalga doğ rultmas ı d ı r.

LASCR Light — Activated SCR

LASCR, ışı kla aktif duruma geçen bir yar ı-iletken bile şendir. Bu
nedenle foto tristör olarak da adland ı rı l ı r. Şekil 7.2 de LASCR nin
-

görünü şü ve sembolü gösterilmi ştir.

A A

Şekil 7.2 LASCR: Görünü ş ü ve sembolleri

49
I şı k fotonlar ı n ı n kap ı bölgesinde olu şturdu ğ u yeterli say ı daki elektron-
hole çiftleri, SCR yi aktif (iletken) duruma getirebilir. Böylece, ışı k ile,
yüksek değerlerdeki ak ı m devreleri kontrol edilebilir. Genellikle kap ı ,
aç ı k yani ba ğ iant ı s ı zd ı r. Eğer kap ı ya gerilim uygulan ı r ve bu gerilim
LASCR yi tetiklemek için gerekli e şik voltaj ı na çok yak ı n ise, çok dü ş ük
düzeyde ışı k ile de LASCR aktif duruma getirilebilir.

LASCR İ LE VENEYA KAPILARI AND Gate, OR Gate

LASCR uygulamalar ı na örnekler, Şekil 7.3 de açı klanm ış bulunan

VE (AND), VEYA (OR) kap ı devreleridir. Her iki LASCR ye de yeterli
ışı k dü ştüğ ünde VE kap ı , LASCR terden herhangi birine ışı k yeterli ışı k
dü ştü ğ ünde VEYA kap ı devresi çal ışarak yük üzerinden ak ı m geçmesi
sağ lanir.

GÜÇ

(i)
Şekil 7.3 LASCR ile VE, VEYA kap ı ları

Burada yük, elektrik motoru, role, olabilir. LASCR ler yakla şı k 3

Amper ak ı ma kadar dayan ı kl ı d ı r.

7.2 TR İ AK Bidirectional Thyristor

Triak, üç uçlu alternatif ak ı m anahtar ı d ı r (triode a.c. switch).

Tristörün a.c. nin üst alternansinda çal ışt ığı belirtilmi şti.

M2

Şekil 7.4 Triak: Görünü şü ve sembolü

sb
 Tam-dalga da (full-wave) çal ış ma için paralel ve ters ba ğ l ı iki
tristör kullan ı l ı r ve bu yap ı triak olarak adland ı nl ı r, Şekil 7.5 in sol
tarafı nda gösterilmi ştir. Görüldü ğ ü gibi tek kap ı bağ lantı s ı vard ı r. Ancak
bu ikili sistemin çal ışmas ı için Mi ucu pozitif oldu ğ unda G de
senkronize (ayn ı anda) olmak üzere pozitif, Mi ucu negatif oldu ğ unda
G de yine ayn ı anda negatif olmal ı d ı r. Çok daha kullan ışl ı yap ı Şekil
7.5 in sağ tarafı nda görülmektedir. Burada kap ı n ı n pozitif veya negatif
olmas ı triak' ı n çal ışmas ı n ı etkilemez. Anod ve katod terimleri de
geçersizdir. Çünkü, triak için iki-yönlü (bi-directional) tristör tan ı mlamas ı
yap ı labilir.

AC

P i N P N

M1
N P P
-ı

Şekil 7.5 Triak : Tam-dalga ile çal ış ma

7.3 DİAK Diode A.C. Switch

Genellikle tristör ve triak' ı n tetiklenmesinde kullan ı l ı r ve bu

elemanlara seri ba ğ l ı d ı r.
M2 M2

M2

M1 M1

Şekil 7.6 Diak: Yap ı s ı ve sembolleri

51
 Yap ı s ı NPN transistöre benzer. Ancak P ye ba ğ lantı yoktur.
Uçları na pozitif veya negatif voltaj uyguland ığı nda, eklemlerden biri ileri
di ğ eri ters kutuplan ı r ve sadece ters (s ı z ı ntı ) ak ı m akar.

Voltaj, k ı rı lma voltaj ı değ erine ç ı ktığı nda, yakla şı k 30V, diak'tan
yüksek miktarda ak ı m geçer, yani diak dü şük direnç gösterir ve böylece
diak üzerindeki voltaj dü şmesi (voltage drop) azal ı r. Buna karşı l ı k, seri
bağ l ı bulunduğ u tristör veya triak üzerindeki voltaj ani olarak artar.
Sonuç plarak, tristör veya triak gate'i tetiklenmi ş olur.

DIAK İ LE DARBE (PULSE) OLU ŞTURMA

Diak uygulamalar ı ndan biri Şekil 7.7 de gösterilmi ş bulunan

devre ile darbe olu şturmakt ı r. C kondansatörü üzerindeki gerilim,
diak' ı n tetikleme (k ı rı lma) voltaj ı na ulaştığı nda diak iletkenleşir ve RL
üzerinden ak ı m geçmeye ba şlar.

Şekil 7.7. Diak ile darbe (pulse) olu şturma

Ancak bu s ı rada C deki yük bo şalmaktad ı r ve gerilim, diak' ı n k ı rı lma

voltaj ı n ı n altı na dü ştüğ ünde diak yal ı tkanla şı r, RL den geçen ak ı m
durur. C kondansatörü tekrar dolmaya ba şlar. Bu i şlem birbiri ard ı na
tekrarlan ı r ve sonuç olarak RL den darbeler şeklinde ak ı m geçer.
Darbenin süresi P potansiyometresi ile azalt ı l ı p, art ı rı labilir.

D İAK VE TR İAK'IN B İ RLİ KTE KULLANIMI: Uygulama Örnekleri

Diak' ı n genellikle triak' ı n tetiklenmesinde kullan ı ld ığı daha önce

belirtilmi şti. Bu konu ile ilgili örnek devre Şekil 7.8 de gösterilmi ştir.

52
 Şekil 7.a Diak ve Triak: Örnek devre.

Devrenin çal ışmas ı şöyledir:

a. 220 V kaynağı n pozitif alternans ı nda, C kondansatörü de, R ve P

üzerinden pozitif yükle dolmaya ba şlar.

b. C üzerindeki artan gerilim, diak' ı n kı rı lma voltaj de ğ erine eşit

oldu ğ unda, pozitif yük (hole'ler) diak üzerinden triak' ı n kap ı s ı na
ulaşı r ve triak iletkenle şir.

c. Ak ı m, yük ve triak üzerinden akmaya ba şlar.

d. Pozitif alternans s ı fı ra dü şer, triak yal ı tkanla şı r.

e. Negatif alternansda, C kondansatörü de negatif yükle dolmaya

başlar.

f. C gerilimi, diak k ı rı lma voltaj ı na eşit oldu ğ unda C deki negatif yük
(elektronlar) diak üzerinden triak' ı n kap ı s ı na ula şı r ve triak
tetiklenir.

g. Alçı m, tekrar yük ve triak üzerinden akmaya ba şlar. Bu işlemler,

böylece birbiri ard ı na tekrarlan ı r.

53
 P potansiyometresinin de ğ erini değ iştirerek C nin dolma süresi de
değ i ştirilebilir. Örne ğ in, P nin değ eri artarsa, C daha yava ş dolar ve
devredeki ak ı m ı n ortalama de ğ eri dü şer. Yük, e ğer bir lamba ise devre,
temel bir dimmer devresi olarak dü ş ünülebilir.

Ak ı m ı n değeri ışı k kontrollü olarak da de ğ iştirilebilir. P nin bir

LASCR ile yer değ iştirdi ğ i dü ş ünülsün. Gece gibi karanl ı k şartları nda
LASCR iletken de ğ ildir, yani sonsuz direnç gösterir. LASCR ye ışı k
dü şmeye baş lad ığı nda (sabah, öğ le) ve belli bir e ş ik değerini aşt ığı nda
LASCR iletkenleş ir, direnci dü şer, C kondansatörü yüklenir ve
devreden ak ı m geçer. Yük, e ğ er bir elektrik motoru ise, Şekil 7.8 deki
devre, karanl ı kta duran, ayd ı nl ı kta çal ışan ışı k kontrollü motor
devresidir.

Diak ve triak genellikle birlikte kullan ı ld ığı ndan, kullan ı m kolayl ığı
açı s ı ndan tek bir bileşen olarak da üretilmektedir ve bu bile şen Şekil
7.9 da gösterildi ğ i gibi quadrac olarak adland ı r ı l ı r. Quadrac' ı n kap ı s ı ,
diak giriş idir.

Şekil 7.9 Quadrac

54
 BÖLÜM 8

BAZI ÖZEL YAR!- İ LETKENLER

UJT, PUT, LDR, TERM İ STÖR

Bu bölümün konusu olan dört elektronik bile şen yapısal özellikler

gösterdiğ inden ayr ı bir bölümde incelenmi ştir. UJT ve PUT, bir tür
transistör olarak adland ı rı lmaları na karşı n UJT tek eklemli, yani diyod
yap ıs ı nda, PUT ise dört tabakal ı yani SCR ye benzer yap ı dad ı r. LDR
(foto-rezistör) ve termistör'de ise eklem yoktur, yani tek bir yar ı-iletken
kristaldirler. LDR ışı k, termistör ı s ı alg ı lamada kuflan ı l ı rlar.

8.1. UJT Unijunction Transistör

Ossilasyon, tetikleme, zamanlama devreleri, testere di şi

(sawtooth) jeneratörleri, UJT {tek eklemli transistör) için uygulama
ömekleridir. UJT'nin yap ı s ı , sembolü ve görünü şü Şekil 8.1 de
sunulmuştur.

B2

B2
B1
B1

Şekil 8.1 UJT: Yap ı s ı , sembolü, görünü ş ü

55
 Transistör olarak adland ı rı lmas ı na karşı n UJT, PN ekleminden
oluşur, yani diyod yap ıs ı ndad ı r. Üç ba ğ lantı ucu vard ı r. İ ki ucu base
(B), P bölgesine ba ğ l ı ucu emitter (E) dir. Bu nedenle önceleri, çift bul!
(double base) diyod olarak adland ı rı lmaktayd ı . Şekil 8.1 deki yap ı , n-
tipi UJT içindir ve pratikte bu tip UJT genellikle daha çok kullan ı l ı r.

N bölgesindeki safs ı zl ı k (dopant) miktar ı çok azd ı r, dolay ı s ı ile bu

bölgenin direnci yüksektir. Ayr ı ca emitter, B2 ye daha yak ı nd ı r. Yap ı s ı ,
Şekil 6.1 deki JFET yap ı s ı na benzer. Aradaki fark, UJT'de P ve N
aras ı nda fakirleşme bölgesinin bulunmay ışı d ı r (Soru: UJT'de
fakirleşme bölgesinin bulunmay ışı hangi sonuca yol açar?).

Şekil 8.1 deki sembol yine n-tipi UJT içindir. Ok yönü, hole ak ış
yönünü gösterir. Bu sembol, n-kanall ı JFET sembolüne çok benzer,
ancak UJT de E'den başlayan çizgi düz de ğ il aç ı l ı d ı r. P-tipi UJT
sembolünde ok yönü tersinedir.

EŞ DEĞ ER DEVRE VE AKIM-VOLTAJ KARAKTER İSTİ KLERİ

UJT eşdeğer devresi Şekil 8.2 nin solunda gösterilmi ştir. B1 ve

B2 uçları aras ı na VB gerilimi uygulanm ıştı r. Bu iki uç aras ı ndaki direnç
RB ise RB, ve RB2' nin toplam ı na eşittir.

Vv 11 VB Vp

Şekil 8.2 UJT e şdeğer devresi ve I-V karakteristikleri

VE=O ise, yani UJT nin çal ışmad ığı durumda, RB, üzerine dü şen voltaj

VB, . VB (Tl = RBİ RB)

56
VE O ise a . VE < «Bi durumunda, E-B1 aras ı ters kutupludur,
dolay ı s ı ile 1 E4)

b. VE?..11VB İ durumunda IE ak ı m ı akar Ş ekil 8.2 nin sa ğ

taraf ı nda, UJT'nin ak ı m-voltaj karakteristikleri gösterilmi ştir. I E ak ı m ı
VE=VP değerine kadar çok k ı sa bir bölgede ve yava şça artar (P: peak).

VP=11VB1 + VD (VD=0. 7 Vo lt)

Grafikteki AB aral ığı nda IE nin art ışı daha fazlad ı r, yani bu aral ı kta UJT
negatif direnç gösterir, çünkü Rgi direnci dü şer (neden?). AB aral ığı ,
UJT nin çal ış ma bölgesidir. Vv, vadi voltaj ı olarak adland ı rı l ı r. B
noktas ı ndan sonra, UJT normal bir diyod karakteristi ğ i gösterir.

UJT OSS İ LASYON DEVRES İ

UJT uygulamalar ı ndan birinin de ossilasyon devresi oldu ğ u

UJT ossilasyon devresi Şekil 8.3 de verilmi ştir.

Vo

c
T

Şekil 8.3 UJT ossilasyon devresi

C kondansatörü, R i direnci üzerinden dolmaya ba şlar. C üzerindeki

gerilim Vp ye eş it oldu ğunda IE ak ı m ı akmaya ve Vo gözlenmeye
başlar. Bu arada C deki yük azalmaktad ı r ve bir süre sonra UJT
yal ıtkanla şı r ve bu işlem birbiri ard ı na tekrarlan ı r.

57
Ossilasyon periyodu T = R İ C.In[1/(1-r1)]

Ossilasyon frekans ı f = 1/T

8.2. PUT Programmable Unijunction Transistor

PUT, programlanabilir UJT, uygulama ve ak ı m-voltaj

karakteristikleri bak ı m ı ndan UJT ile ayn ı d ı r. Bu nedenlerle, her ikisi
için de, kı saltmada UT harfleri kullan ı l ı r.

Yap ı sal olarak ise UJT den tamamen farkl ı d ı r. PUT da UJT gibi
üç uçlu bir bile ş endir. Ancak dört tabaka (wafer) yar ı-iletkenden olu şur.
Dolayı s ı ile sembolü SCR sembolüne çok benzer, ancak PUT
sembolünde kap ı (gate), anoda ba ğ l ıd ı r.
A

Şekil 8.4 PUT Yap ı , sembol ve devresi

UJT ile PUT aras ı ndaki temel fark şudur: UJT nin tetikleme, yani
çal ışma voltaj ı Vp yap ı sal olarak sabittir, de ğ iştirilemez. PUT da ise
tetikleme voltaj ı n ı , Rİ , R2 voltaj bölücüsü ile değ i ştirebilme şans ı vard ı r.
Silisyumun kontakt veya eklem potansiyeli 0.7 Volt oldu ğ undan, PUT
tetikleme voltaj ı

Vp = VG+0.7 V

VB = 9V R2 = R, ise Vp= 5.2 V

R2 = 2R i ise Vp= 3.7 V
R2 = 5R1 ise Vp = 5.2 V

58
Dolayı s ı ile, PUT daki programlanabilir kelimesi, tetikleme voltaj ı n ı n
ayarlanabilme yani kontrol edilebilmesine karşı l ı k gelmektedir.

8.3 FOTO-REZ İSTÖR LDR Light-Dependent Resistor

Fotoğ raf makinesindaki pozometre, karanlikta yanan ayd ı nl ı kta

sönen vitrin ışı kland ı rma devresi gibi uygulamalar ı bulunan foto-
rezistör, LDR, direnci ışıkla de ğ i şen bir elektronik bile şendir.
Genellikle CdS kristalinden yap ı l ı r.

FOTONLAR
PENCERE
CdS

Şekil 8.5 LDR Ak ı m olu ş umu, yap ı ve temel devresi

Şekil 8.5 in sol tarafı nda gösterildi ğ i ve ayr ı ca Şekil 1.12 den de
anlaşı lacağı gibi, yeterli enerjiye sahip ışı k (fotonlar), valans
band ı ndaki elektronlar ı iletkenlik band ı na yükseltir, böylece LDR nin R
direnci dü şerken RL yük direnci üzerindeki potansiyel artar.

RL
Ç ı k ış voltaj ı Vo=Vs
R+RL

LDR görünür ışığa duyarl ı d ı r. Görünür ışığı n dalga boyu 0.4 p,

(mikron) ile 0.7g aras ı nda değ i şir. Görünür ışı k miktar ı birimi olarak
genellikle lux (L) kullan ı l ı r. I şı k miktarı L ile LDR direnci R aras ı nda
aşağı daki bağ ı ntı mevcuttur:

-a
R1=R2(L1/L2) (8.1)

59
Burada Ri : L, ışı k miktarı karşı l ığı LDR direnci R

R2 : L2 ışı k miktar ı karşı l ığı LDR direnci R

I şı k miktar ı ile R direnci aras ı ndaki bu logaritmik ba ğı ntı , log-log grafik

kağı d ı na çizildi ğ inde Şekil 8.6 daki do ğrusal (linear) de ğ işim gözlenir.

R(OHM)

L(LUX)

Şekil 8.6 Artan ışık miktar ı ile LDR direncinin azalmas ı

LDR üzerine hiç ışı k dü şmediğ inde yani karanl ı kta ölçülen R
değ erine "dark resistance" ad ı verilir. NORP12 tipi LDR için bu de ğ er 1
Mega Ohm olup genellikle tüm LDR'ler için yakla şı k geçerlidir. Direnç-
Lux doğ rusunun eğ imi, a=tan O, a şa ğıdaki eşitlikten hesaplan ı r:

log (R1 / R2)

a = (8.2)
log (L İ / L2)

Eğ im değeri, genellikle 0.55 ile 0.90 aras ı nda değ i şir. NORP12 için,
aşağı daki değ erler katalogda verilmi ştir.

L (lux) R(Ohm)

10 9 000
1000 400

Bu veriler ile, E şitlik 8.2 den, NORP12 için eğ im a=0.67 olarak

bulunur.

60
 Eğ im değ eri, katalog verilerinden herhangi biri ve E şitlik 8.1 in
kullan ı lmas ı ile, çe ş itli çevre ışı k düzeyleri için LDR direnç de ğ erleri
hesaplanabilir. Örnek olarak, güne ş li yaz günü ve ö ğ le saatlerinde
çevre ışığı yakla şı k 105 lux'dür. Bu şartlarda NOORP12 tipi LDR nin
yakla şı k 20 Ohm direnç göstermesi beklenir.

LDR İ LE I Ş IK KONTROLLU OSS İ LATÖR

LDR ile 555 timer'in birlikte kullan ı m ı ile kurulan "astable

multivibrator" devresi Ş ekil 8.7 de sunulmu ştur.

RA + V (Vc c)

Tnigh Tiow

Şekil 8.7 LDR ve 555 timer ile ossilasyon devresi

Ossilasyon periyodu T = TH TL

1.44
Ossilasyon Frekans ı f = 1/T -
(RA + 2R8) C

Üzerine dü ş en ışı k miktarı art ı nca RA, LDR, direnci azal ı r ve

ossilasyon frekans ı da artar veya tersine, azalan ışı k miktarı ile frekans
azal ı r. Başka bir deyi ş le, ossilasyon frekans ı ışı k miktarı ile kontrol
edilebilir. Ç ı k ış voltaj ı , dikdörtgen dalga şeklindedir. Ç ı k ışı n, 1 (high:H)

61
veya 0 (low: L) gibi iki düzeyde (binary) olmas ı , bu devrenin mikro
i şlemci ile birlikte kullan ı m olanağı n ı sağ lar.

8.4 TERM İ STÖR

Termistör, direnci s ıcakl ı kla değ i ş en bir ı s ı alg ı layı c ı s ı d ı r

(resistance temperature detector: RTD). Si, Ge veya seramik
malzemeden yap ı lm ış bir yar ı-iletkendir. Eklemi yoktur. Çevre
s ı cakl ığın ı n veya üzerinden geçen ak ı m nedeni ile kendi s ı cakl ığı n ı n,
artmas ı ile yeterli ı s ı enerjisi kazanan valans elektronlar ı , iletkenlik
band ı na -ç ı kar ve termistörün direnci dü şer. S ı cakl ığı n azalmas ı ile ise
direnci artar. Bu haliyle termistör, negatif s ı cakl ı k katsay ı s ı gösterir
(negative temperature coefficient: NTC). Dolay ı s ı ile Şekil 8.8 in sa ğ
tarafı ndaki voltaj bölücü devrenin V o ç ı k ış voltaj ı , artan çevre s ı cakl ığı
ile artar.

Şekil 8.8 Termistör: Sembolü ve voltaj bölücü devresi

Metaller, s ıcakl ı k değ işimlerine yar ı-iletkenlerin tersine tepki verirler.

Yani, artan çevre s ı cakl ığı metallerin direncini de art ı rı r. Bu nedenle,
metaller pozitif s ı cakl ı k katsay ı s ı (PTC) gösterirler, örnek platin
(PRTD).

SICAKLIK — DIRENÇ BA Ğ INTISI

S ıcakl ı k ve termistör direnci aras ı nda E şitlik 8.3 de verilen ba ğı nt ı

vard ı r:
62
 P P
RT = Ro.exP( — --) (8.3)
TT TO

Burada RT TT s ı cakl ı k derecesindeki (Kelvin) direnç

To : referans s ı cakl ığı (Kelvin)

Ro : referans s ıcakl ığı ndaki direnç

: karakteristik s ıcakl ı k (Kelvin), veya

materyal sabiti

Ürün kataloglar ı nda genellikle p, To ve Ro değ erleri verilir. f3 de ğ eri

2500-5000 Kelvin aras ı nda de ğ i şir. Referans s ıcakl ığı , genellikle,
yakla şı k oda s ı cakl ığı olan 25°C dir. E şitlik 8.3 ile yap ı lan
hesaplamalarda, s ı cakl ı k derecesinin santigrad de ğ il Kelvin oldu ğ una
dikkat edilmelidir (° K = 273+°C).

UYGULAMA ÖRNE Ğ I

Termistörlerin, elektronik termometre, termostat, yang ı n alarm ı ,

elektronik cihazlardaki devreleri a şı rı ı s ı nmadan koruma gibi çe şitli
ölçüm ve kontrol uygulamalar ı vard ı r.

RÖLE

Şekil 8.9 Termistör uygulama örne ğ i

63
Şekil 8.9 da uygulama örne ğ i olarak, s ı v ı düzeyi ölçme sistemi
gösterilmi ştir. S ı v ı n ı n üstünde bulunduğ u s ı rada s ı cak olan termistörün
direnci dü şüktür ve devreden röleyi çekecek yeterlilikte ak ı m geçer.
S ı v ı düzeyi, termistöre deyecek kadar yükseldi ğ inde, termistör ı s ı s ı n ı
s ı v ıya vererek so ğ ur, direnci artar, devreden geçen ak ı m azal ı r ve röle
aç ı l ı r.

64
 BÖLÜM 9

KATIHAL GÖRÜNTÜ ALGILAYICILARI

SOLID -STATE IMAGE SENSORS

CCD

9.1 CCD

CCD, ,charge-coupied devire, CCD-kameran ı n, optiksel

görüntüyü elektronik ç ı kışa çeviren, yani optoelektronik k ı sm ı d ı r; Şekil
9.1.
TV KAMERA

Şekil 9.1 CCD-kamera ile görüntüleme [15]

Türkçe'ye "yük-çiftlenmi ş sistem" olarak çevrilebilecek olan CCD bir

mozaik -dedektör sistemidir (mosaic veya matrix detector array).
Günümçtz teknolojisi ile, toplam 3.07x3.07 cm boyutlar ı nda 2048x2048
dedektörden olu şan CCD yap ı labilmektedir ki mozayi ğ i olu şturan herbir
dedektörün boyutlar ı 151.1x15µ kadar küçük olabilmektedir (11.1=0.001
mm).

65
Görüntü, her bir dedektör aras ı nda bölüş ülür. Dolayı s ı ile her bir
dedektör bir görüntü elemanid ı r: pixel (picture element, picture cell).

512 x 512 1024 x 1024 400 x 1200 2048 x 2048

Şekil 9.2 GGD

CCD

1. Toplam boyutlar küçüktür.

2. Sistemi oluşturan dedektörlerin (pixel) boyutlar ı da küçüktür.

Küçük pixel boyutu sonucu, sistemin görüntüde ay ı rt etme
yetene ğ i (resolution) yüksektir.

3. Çal ışmas ı için gerekli güç tüketimi azd ı r (low power

consumption).

4. Bilgisayarla e şleştirilmesi kolayd ı r.

CCD ilç görüntüleme ad ı ndan da -anla şılabileceğ i gibi, görüntülenen

cisimden gelen ışığı n dedektörlerde elektrik yükleri (charge)
oluşturmas ı ve bu yüklerin sistemden d ışarı transfer edilip (read-out)
işlenmesi ve görüntünün olu şturulması esas ına dayan ı r.

Mozaik görüntüleme sistemi, foto-diyod dedektörlerden de

oluşturulabilir. CCD teknolojisi böyle bir sisteme göre a şağı daki
üstünlüklere sahiptir:

1. Düş ük ışık düzeylerinde de görüntüleme yapabilme yetene ğ i

(sensitivity at low light levels)

66
2. Minimum lag ve bloorning

Lag : Dedektörde olu şan elektriksel sinyalin (yük), read-out

sı ras ı nda tamamen d ışarı transfer edilememesi; bir k ı sm ı n ı n sistemde
kalmas ı dı r.

Blooming :I şı k şiddetinin sistemin baz ı bölgelerinde yüksek

olduğu durumda, dedektörden dedektöre elektriksel sinyal s ı z ı ntıs ı
(leakage) olmas ıd ı r.

9.2 ELEKTR İ KSEL YÜKÜN DEPOLANMASI - MOS YAPISI

CCD sistemini olu şturan her bir dedektör MOS yap ı s ı ndad ı r;
Şekil 9.3. MOS: metal-oxide-semiconductor.

METAL (+)
Si02

(14 - YÜK
49 P 14
İRLEŞME FAK
Şekil 9.3 MOS yap ı sı {6], <iy: yük

MOS YAPISI: P tipi silisyum taban (substrate) kristali üzerinde, kristal

büyütmQ (crystal growth) yöntemi ile ince bir Si0 2 tabakas ı oluşturulur
ve bu tabaka yal ıtkand ır. Daha sonra, bu oksit tabakas ı üzerine
buharlaşmış (evaporated) bir cins polysilicon maddesi yo ğ unlaştı rı l ı r.
Bu madde iletken ve saydamd ı r (transparent) ve MOS yap ı sın ı n
kapısı d ı r: gate..

Kap ıya, yani metal elektroda P tipi silisyuma göre daha yüksek pozitif
gerilim uyguland ığında, kapını n altı ndaki ve P taban ı ndaki hole'ler
aşağı doğru itilir (Şekil 6.5 ile karşı laştınn ı z). P deki az ı nl ı k elektronlar ı
ise kap ıya doğru çekilir ve -kap ı alt ı nda ince, ancak yo ğ un bir negatif
yük tabakas ı , dolayısı ile n-kanall ı CCD ortaya ç ı kar. Bu etkilerin
sonucu, kap ı altı nda, P taban ı içinde yük bak ı m ı ndan fakirleşmiş bir
bölge olu şur (Depletion region).

67
Fakirle şmi ş bölge düşük potansiyeldedir ve foton absorblanmas ı
sonucu olu şan elektronlar ın depoland ığı bir potansiyel kuyusudur
(potential well). Oksit tabakas ı , depolanm ış negatif yükün kuyudan
d ışar ı s ızmas ı n ı önler. Bu anlat ı lanlar ışığı nda bak ı ld ığı nda, MOS
yap ı s ı n ın bir kapasitör özelli ğ i gösterdi ği -açı kt ı r.

MOS kapasitör (dedektör) üzerine i şıma, yani foton, dü ştüğ ünde kap ı
alt ı nda elektron ve hole'ler olu şur; Şekil 9A. Hole'ler pozitif kap ı voltaj ı
etkisi ile topraklanm ış P taban ı içine itilirler. Elektronlar ise, yine pozitif
kap ı vOaj ı nedeni ile yukarıya doğru çekilir, ancak yal ıtkan oksit
tabakası nedeni ile kap ı ya ula şamazlar. -Ayr ıca P taban ı n ı n az ı nl ı k
elektronlar ı n ı n kap ı altında olu şturdu ğ u ince negatif yük tabakas ı
tarafı ndan da bir miktar itilirler.

Sonuç olarak, elektronlar -kap ı (elektrod) alt ı ndaki potansiyel

kuyusunda birikirler ve sinyal yükünü (signal charge) olu ştururlar; Ş ekil
9.3. Biriken yük miktarı , -MOS kapasitöre dü şen ışı ma miktar ı ile doğ ru
orant ı l ı dı r.

METAL KAPI(SAYDAM)

WWWWWWWWWWWWWWWWWWWW~

Si02

ece e
7
e
dıı

Şekil 9.4 MOS kapasitörde fotonun olu şturduğ u elektron ve hole

hareketleri [5]

68
9.3. YCLKÜN TRANSFER Reat~ıt

Potansiyel kuyusundaki yük paketi, birbirine ba ğ lanm ış

elektrodlara s ı ra ile voltaj uygulanarak ve böylece sistem boyunca
hareket ettirilerek, i şlenmek üzere d ışarı transfer edilebilir; Şekil 9.5.

Şekil 9.5 (a) İ çinde yük bulunan potansiyel kuyusu

(b) ikinci elektroda voltaj uygulamaya ba şlan ı r. Kom şu
potansiyel kuyusu olu şur. Yük bu yeni kuyuya
transfer olmaya başlar.
(c) Yük, iki kuyu aras ı nda paylaşı l ır.
(d) Birinci elektrod voltaj ını s ıfıra doğ ru azaltmaya
başlan ı r. Birinci kuyu ortadan kalkmaya ba şlar.
(e) Birinci elektrod voltaj ı s ıfı rdır. Yük, birinci
dedektörden ikinciye transfer-edilmi ştir.

Mevcut , teknoloji ile, toplanan yük birkaç saat sistemde

saklanabilmektedir. Ayrı ca, yük transfer etkinli ğ i (efficiency) %99.9 dan
daha fazlad4,r.

9.4 OPTİKSEL GÖRÜNTÜLEME

Uygulamada, elektrodlara gruplar halinde voltaj uygulan ır. Grup

sayı s ı için "faz" (phase) terimi kullan ı l ı r. Şekil 9:6 da üç fazl ı sistem
açı klanm ıştı r.

Elektrod, voltajlar ı , üç voltaj hatt ı ile sağlan ı r. L, hatt ı voltaj ı pozitif

olduğunda, L2 ve L3 hat voltajlan s ıfı rd ı r. Fotonları n oluşturduğ u yükler,
G, elektrodlar ı alt ı nda birikir. Uygun bir yük biriktirme (integration)
süresi sonunda yük, voltaj hatlar ı na s ı ras ı ile ve tekrarl ı olmak üzere
voltaj uygulanarak MOS kapasiteleri üzerinden soldan sa ğa doğ ru
hareket ettirilir ve ç ı k ışa ulaşma zamanının fonksiyonu olarak d ışarı
al ı n ı r (read-out).

69
 + V
METAL
ELEKTROD
Wıll MM I N IMİ El KO I I 12 — OKS İT

(al P

+ V O + V

(bi

+ V + V

(ci

+ O + V

Ar INIMEIraır ADI
(d)

+V

(e)

Şekil 9.5 Yük paketinin dedektörler aras ı nda hareketi [16]

70
 L,
L,
L,

tl v, +)
(

t2

t, Vl<V2

V2(+)

Şekil 9.6 Üç fazl ı sistem [6]

Voltaj, hatlara zaınaniannuş olarak verilir (clocked voltage).

Örnek olarak, sistemin en solundaki yük paketi, sa ğı ndaki yüklere göre
sistem d ışı na daha geç ula şı r ve böylece, ç ı k ışta, yükün hangi MOS
kapasitörden (dedektör: pixel) geldi ğ i zamana ba ğ l ı olarak belirlenir.

Şekil 9.7 de, görüntülenen cismin bir noktas ı ndan gelen ışığı n soldan
beşinci pixel'e düştüğ ü -kabul edilmi ştir. Bu durumdaki ç ı kış sinyali
(negatif), ayn ı şeklin sağ tarafında gösterilmi ştir (ç ı k ışa transfer edilen
negatif yük burada voltaja çevrilir.

71
Ş ekil 9.6 ve 9.7 deki gibi yük transfer yöntemi, bir tek diziden olu şan
dedektQr sistemi (linear CCD) için herhangi bir sorun yaratmaz.

Mozaik sistem {area CCD) ise, M sat ır x N sütundan olu şan bir
matrix şjstemdir. Görüntülenen cismin üzerindeki ışı k dağı t ı m ı na bağ l ı
olarak sistem üzerinde olu şan yük dağıl ı m ı n ın, önce birinci sat ı r, sonra
ikincisi, şeklinde bir işlernle d ışarı al ı nmas ı uzun zaman al ı r. Bunun
yerine, çiaha h ı zl ı ç ı kış -almak için, iki farkl ı yöntem uygulan ı r:

3-phase clocking waveforms

move charge packet sequentially
Incident light through device
irradiates photosensitive
Electrodes area

Output

O V,
V,
OV,

O V,
V,

■
>\\\

Integrating period Ir Read out period

Output signal generated 2

by incident light

Şekil 9.7 Çı kış sinyali-zaman ili şkisi [161

FRAME TRANSFER : Şekil 9.8

Frame: CCD matrix sisteminin tümünün bir defa taranmas ı .

Görüntü alg ı layan CCD nin yan ında, ışığa karşı korunmu ş ikinci
bir CCD vard ı r. Bu ikinci CCD, yük depolama k ı sm ı (storage system)
veya yük transfer kay ıt edici (register) olarak adland ı rı l ı r. Sistem
sütunlara (channel) ayr ılmıştı r. Her sütunun sonunda üç hat ç ı k ışı
vard ı r. Her sutun soldan sa ğa taran ı r, oluş an yükler transfer register>da
depolan ı r. Yük ç ı kışı "readout register"dan d ışar ı al ı n ı r. Bu işlem

72
yap ı l ı rken, bir sonraki görüntü CCD üzerinde olu şur. Böylece, çok
yükseKh ızlarda, birbiri ard ına görüntü almak mümkün olur.

INTERL,INE TRANSFER: Stitunlar-aras ı transfer : Şekil 9.9

Işığa karşı korunmu ş transfer/depolama k ı sm ı sütunlar aras ı nda

yer al ı r. -Çok-daha h ızl ı yük transferi ve dolay ı s ı ile h ı zl ı frame taramas ı
(scannigg) yap ı l ı r. Ancak bu yapı , görüntünün yar ı s ı n ı n kayb ı na neden
olur.

Günümüzde CCD-kamera TV yayı nlar ı nda henüz

kullan ı lmamakta ise de yak ı n bir gelecekte bu tür uygulama
beklenmektedir.

Ancak CCD-kamera, bilgisayarla birlikte kullan ı lmaktad ı r. Bunun

için CCD çık ışı n ı n sayı sal (digital) duruma getirilmesi gerekir. CCD
üzerindeki görüntünün bir tam taranmas ı sonucu olu şan ç ı k ışı n, yani
frame'in depolanmas ı ve sayı sal hale getirilmesi frame grabber
(grabber: tutucu) taraf ı ndan yapı l ı r; Şekil 9.10. Sonuçta, bilgisayar ile
görüntü i şleme (image processing) de yap ı labilir ve elektriksel
görüntü, monitörde optiksel görüntüye çevrilir.

Read out register

minumumee
anıammı.
UMM ~R Mal 0193.1
MIS EM EM EM MEI
• Output
Storage section
serea MM MM IYISI MU MM
shielded from sam firall mai
light 11013111 il= MI ;eri MM
111182 2611511 SUNI MU
autfo 1B8@0 rilRal lezaı MUZ
MI MM MU Wall
MM MIII MEG Ma MM

MM MM Ille Will
Imaging section Mi ILIN ILMI 111311
optically sensitive
MIII MM MIII HİMMM
1•111111 MM MM ININ
Mil MM Will =I IYI
IME EM MINI MI ~Il

Channel stop

Şekil 9.8 Frame transfer [16]

73
 Readout
register

Output

Imaging
section,
optically
sensitive

section,
shielded from light

I
Transfer gate

Şekil 9.9 Interline transfer [16]

MONİTÖR

Ş ekil 9.10 CCO-kamera ile bilgisayar kombinasyonu

74
9.5 PERFORMANS PARAMETRELER İ

DUYARLILIK, Sensitivity, S

Foton-duyarl ı bir dedektörün duyarl ı l ığı , üzerine dü şen ışı k

miktarı qa karşı üretti ği k-ullamlabilir voltajd ı r:

S=Vd /E (9.1)

burada Vd dedektörün ürettiği voltaj

E ışı k akı sı (light fiux)

Duyarl ı lı-k, ayn ı zamanda, sistemin yükü-voltaja dönü ştürme yetene ğ ine
de ba ğ l ı d ı r.

GÜRÜLTÜ, Noise, N

Sistemdffl çevre s ıcaklığı -etkisi altı nda yükler de olu şabilir (Bölüm
4.4: dark current). Gürültünün artmas ı sistemin S/N oran ı n ı (signal-to-
noise ratio) olumsuz etkiler.

CEVAP-SÜRES İ , Response Time

Cevap süresi, dü şen ışı k şiddetindeki değiş meye karşı l ı k sistemin

ne kadar süre içinde ç ıkış (output) üretcce ğ inin ölçüsüdür ve k ı sa
olmas ı isterıir.

FRAME TIME, CCD_mozayiğinin bir tam taranmas ı için geçen süredir.

Bir saniyede al ı nan frame say ı sı ise frame frekans ıd ı r ve özellikle h ızl ı
hareketli cisimlerin göri:ıntülenmesi durumunda önemlidir.

75
BAZİ FİZİKSEL SAB İTLER

Işı k H ı z ı c 3 x 108 m/sn

Elektron Yükü e 1.6 x 10 -19 Coulomb

Planck Sabiti h 4.14 x 10 -15 eV.sn

6.63 x 10 -34 J.sn

Boltzmann Sabiti k 8.61 x 10 -5 eV/°K

1.38 x 10 -23 J/°K

1 mikron (*) ı o -3 m m
10 "8 m

(*) 1 mikron, enerjisi 1.24 eV, yakla şı k 1 eV, olan fotonun dalga
boyudur.

76
KAYNAKLAR

[1] Isaacs, A.
"Introducing science"
A Pelican Original, Flarmondsworth, England (1972)

[2] Masten, L.B., Masten, B.R.

"Understanding optronics"
Texas Instruments Inc., Dallas (1981)

[3] Pohl, H.A.

"Quantum mechanics for science and engineering"
Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J. (1967)

[4] Büget, U., Prof.Dr.

"PN Eklemi: kristal diyod ve tranzistörler"
Meteksan Yay ı nları No:8, Ankara (1984)

[5] Wilson, J., Hawkes, J.F.B.

"Optoelectronics: an introduction"
Prentice Hali, London (1989)

[6] Streetman, B.G.

"Solid state electronic devices"
Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J. (1990)

[7] Hudson, R.D.

"Infrared system engineering"
Wiley - Interscienoe, London (1969)

[8] Bhattacharya,
"Semiconductor optoelectronic devices"
Prentice - Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J. (1994)

[9] Jones, M.H.

"A practical introduction to electronic circuits"
Cambridge University Press, Cambridge (1990)

77
[10] Watson, J.
"Mastering electronics"
Mac Millan, Mester Series, London (1990)

[11] Durlu, T.N., Prof.Dr. (A.Ü.F.F.Fizik Bölümü)

"Katı hal Fizi ğ ine Giri ş"
Bilim Kitap ve K ı rtasiye Ltd:, Ankara (1992), 2. bask ı .

[12] Seymour, J.
"Electronic devices and components"
Longman Scientific and Technical, Essex (1990)

[13] Dutar, C.
"Transistör esaslar ı "
Cilt I, Özden Ofset, İzmir

[14] Tischler, M.
"Optoelectronics: fiber optics and lasers"
Macmillan/McGraw Hill, Glencoe, Illinois (1992)

[15] "The CCD image sensor"

Thomson Composants-Militaries -et Spatiaux

[16] Watson, J.
"Optoelectronics"
Van Nostrand Reinhold, -UK (1988)

78