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3.1.- INTRODUCCION:
Uno de los amplificadores más importantes en Electrónica es el amplificador
diferencial.
Comúnmente recibe dos señales de entrada y su salida puede ser balanceada
o desbalanceada. Se le denomina amplificador diferencial porque su salida es
proporcional a la diferencia de las señales de entrada. Es parte fundamental del
Amplificador Operacional, que se estudiará en el siguiente capítulo.
A continuación se muestra un esquema básico empleando transistores bipolares:
Fig. 3.1
Io es una fuente de corriente constante que debe ofrecer una alta
impedancia a la señal.
Si la salida se toma en Vs1 ó Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es
desbalanceada.
Si la salida se toma entre Vs1 y Vs2, se dice que la salida es balanceada.
V1 y V2 son las señales de entrada.
La salida debe ser proporcional a la diferencia de las señales de entrada, es
decir:
Vs = Ad (V1 − V2 )
Ad es la ganancia en modo diferencial
La ecuación anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin
embargo, los A.D. reales presentan una salida dada por la ecuación siguiente:
V + V2
Vs = Ad (V1 −V2 ) + Ac 1
2
Ac es la ganancia en modo común y generalmente se busca que sea lo más
pequeña posible. Idealmente debería ser cero.
1
Se define:
Modo diferencial = Vd =V1 −V2
V +V2
Modo común = Vc = 1
2
Debe indicarse que el modo común no está formado solamente por el
promedio de las señales de entrada, sino también por cualquier señal no deseada
(ruido, interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el
amplificador tenderá a eliminarlas de su salida.
Por lo anterior, podemos decir que este tipo de amplificador tiende a
eliminar las señales no deseadas que se presenten en sus entradas.
Para efectuar el análisis del circuito se expresan las señales de entrada
mediante el modo común y el modo diferencial.
V
V1 = Vc + d
2
V
V 2 = Vc − d
2
Cuando se analiza con pequeña señal podemos utilizar los modelos de
cuadripolo lineal del transistor. Cuando se analiza con gran señal, debemos utilizar
la característica no lineal del transistor (por ejemplo, las ecuaciones de Ebers
Moll).
2
De donde:
V1 −V2 =VBE 1 −VBE 2
Si los transistores trabajan en la región activa, podemos representar la
característica de transferencia del transistor mediante una ecuación similar a la del
diodo semiconductor:
V BE
ηVT
iE = I ES e
V BE
ηVT
iC = αI ES e
Si ambos transistores tienen características eléctricas muy similares,
podemos plantear la siguiente ecuación:
V BE 1 V BE 2
ηVT ηVT
I ES e + I ES e = Ik
Además:
V BE 1 −V BE 2
iE1 ηVT
=e
iE 2
V BE 1 − V BE 2 V1 − V2
Si llamamos: z = =
ηVT ηVT
Y utilizamos las propiedades de las proporciones, obtendremos:
Ik
iE1 =
1 + ez
Ik
iE 2 =
1 + e− z
3
Fig. 3.2
Podemos observar que:
1.- Cuando no hay señal (z = 0) cada transistor conduce la mitad de la corriente Io.
Ik
6.- Las gráficas tienen simetría impar respecto al nivel:
2
4
Ik I z
ie1 = iE1 − = k tanh
2 2 2
I I z
ie 2 = iE 2 − k = − k tanh
2 2 2
Las corrientes de señal normalizadas son dadas por las expresiónes:
ie1 1 z
= tanh
Ik 2 2
ie 2 1 z
= − tanh
Ik 2 2
Nuevamente, empleando MATLAB podemos graficar estas ecuaciones:
C
OR
RIE
NT
ESE
NMO
DOD
IF
ERE
NC
IA
L
0
.5
0
.4
0
.3
0
.2
0
.1
-0
.1
-0
.2
-0
.3
-0
.4
-0
.5
-5 -4 -3 -
2 -1 0 1 2 3 4 5
z
Fig. 3.3
Con las ecuaciones anteriores, podemos expresar las corrientes totales
como:
Ik z
iE 1 = 1 + tanh
2 2
I z
iE 2 = k 1 − tanh
2 2
Para pequeña señal (z <<1) podemos expresar las corrientes totales como:
I g
iE1 = k + in (V1 − V2 )
2 2
I k g in
iE 2 = − (V1 −V2 )
2 2
Donde:
gin = conductancia de entrada del transistor en pequeña señal
I
g in = k
2VT
5
La transconductancia del amplificador diferencial para pequeña señal es dada por
la ecuación:
g I
g md = α in = α k
2 4VT
Si el modo diferencial es una señal sinusoidal de la forma:
V1 – V2 = V cos(ωt)
V − V2 V
Entonces: z= 1 = cos ( ωt ) = x cos ( ωt )
VT VT
La corriente de señal será:
I x
ie1 = k tanh cos (ωt )
2 2
Ik x
ie 2 = − tanh cos ( ωt )
2 2
Desarrollando en series de Fourier estas corrientes, obtenemos sólo armónicas
impares:
∞
ie = I k ∑ a( 2 n−1) cos ( ( 2n + 1)ωt )
1
∞
ic = αI k ∑ a( 2 n−1) cos ( ( 2n + 1)ωt )
1
6
Podemos observar que para x = 1 la distorsión de tercer armónico no llega al 2% (
0.0046
= 1.95 % )
0.2356
a1 ( x )
Conociendo: x (de la tabla) y gm, podemos saber el valor de la
transconductancia para gran señal, Gm(x)
Fig. 3.4
SOLUCION:
V 175 − 50
Sabemos que x = V = = 5 .0
T 25
De la tabla obtenemos para x = 5.0:
a1(5) = 0.5877
a3(5) = -0.1214
a3 ( 5 ) 0.1214
D3 = = = 20.66%
a1( 5 ) 0.5877
7
2.3.- ANALISIS DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON PEQUEÑA SEÑAL
En este caso podemos usar los modelos lineales del transistor.
Aplicaremos el método al circuito de la figura 3.5
V CC
Rc Rc
Vs 1 V s2
C C
Q 1. Q2
V1 Rb Io Rb V2
Fig. 3.5
ANALISIS EN DC:
8
R
La tensión DC en los emisores de los transistores es: VE = −VBE − I k b
2β
R
A continuación: VCEQ 1 = VCEQ 2 = VCC − I k C − VE
2
En este caso las tensiones colector-emisor son iguales debido a que también lo
son las resistencias de colector.
TRANSFORMACION DE IMPEDANCIAS:
EN TRANSISTORES BIPOLARES:
Fig. 3.6
9
Fig. 3.7
Observamos que en el modelo final separando las ramas, debemos modificar los
valores de las resistencias y corrientes; en cambio los voltajes permanecen igual,
y podemos llegar a las siguientes reglas de conversión:
Al reflejar hacia hie, multiplicamos las resistencias por: (1 + hfe) y dividimos
las corrientes por (1 + hfe). Las tensiones no varían.
Al reflejar hacia la fuente hfe ib, multiplicamos las resistencias por:
(1 + hfe-1) y dividimos las corrientes por (1 + hfe-1). Las tensiones no varían.
EN TRANSISTORES UNIPOLARES:
Este método es aplicable cuando empleamos los modelos simplificados del FET.
Para ello, aplicamos los conocimientos de circuitos eléctricos y partimos del
siguiente esquema básico, mostrado en la figura 3.8:
Fig. 3.8
10
La tensión Vgs en la entrada del FET es dada por: Vgs =Vg −Vs
Además: Vs = Ri d +V
La fuene dependiernte será ahora: µVgs = µVg − µVs
Podemos hacer un modelo equivalente:
Fig. 3.9
Fig. 3.10
Observamos que en el modelo final separando las ramas, debemos modificar los
valores de las resistencias y tensiones; en cambio la corriente permanece igual, y
podemos llegar a las siguientes reglas de conversión:
Al reflejar hacia id, multiplicamos las resistencias y fuentes de tensión por
por: (1 + μ) y la corriente permanece igual.
Estas reglas las podemos aplicar a cualquier circuito lineal.
11
De ello nos valdremos para analizar al amplificador diferencial y hallar las
ganancias e impedancias con pequeña señal.
ANALISIS EN AC:
Obtendremos las expresiones de las ganancias e impedancias en modo diferencial
y en modo común para pequeña señal. Utilizaremos el modelo de parámetros
híbridos simplificado. El circuito equivalente es el mostrado en la figura 3.11
Debido a que Io es una fuente de corriente contínua, para señal la hacemos cero y
lo que queda es su impedancia para AC. En dicho esquema Z es la impedancia en
AC que ofrece la fuente de corriente.
Vs1 Vs2
Rc Rc
h fe i b1 h fe i b 2
ib1 i b2
h ie h ie
V1 Rb Rb V2
Z
Fig. 3.11
Para simplificar el circuito utilizamos las técnicas de transformación de fuentes del
análisis de la teoría de circuitos, con lo que resulta el esquema de la figura 3.12:
h fe ib 1 h fe ib 2
Vs1 Vs2
Rc Rc
h ie h ie
Ve
ib1 ib2
Z
+ Rb +
V1 h fe ib 1 h fe i b 2 Rb V2
- -
Fig. 3.12
Podemos aplicar ahora reflexión de impedancias:
Hacia el lado izquierdo vemos las corrientes ib1 y (hfe ib1) y podemos reflejar un
circuito con hie y otro con la fuente (hfe ib), como se muestra en la figura 3.13:
12
h fe ib 1 h fe i b 2
Vs1 Vs2
Rc Rc
h ie h i e (1 + h fe )
Ve
ib1
ib2/(1+hfe)
+ +
V1 Z (1 + h fe ) V2
- Rb R b (1 + h fe ) -
h fe ib 2 /(1 + h fe )
h ie (1 + h fe )/h fe
Ve ib2(hfe/(1+hfe))
R b (1 + h fe )/h fe +
V2
h fe i b 1 -
Z (1 + h fe )/h fe h fe ib 2 (h fe /(1 + h fe ))
Fig. 3.13
En la figura 3.13 vemos que el circuito inferior no nos aporta información adicional
y podemos prescindir de él, quedándonos sólo con los esquemas de la parte
superior, como se muestra en la figura 3.14:
Fig. 3.14
13
ib 2 h fe ib 2
Hacia el lado derecho de la figura 3.14 vemos las corrientes 1 + h y y
fe 1 + h fe
podemos reflejar nuevamente un circuito hacia la resistencia hie (1 + h fe ) y otro
h fe ib 2
con la fuente , como se muestra en la figura 3.15:
1 + h fe
Fig. 3.15
14
Fig. 3.16
Adicionalmente, se han representado las señales de entrada (V 1 y V2) mediante el
modo común (Vc) y el modo diferencial (Vd).
Como el modelo es lineal, podemos aplicar superposición y hallaremos la
ganancia en modo diferencial haciendo cero la señal en modo común (V c = 0);
luego hallaremos la ganancia en modo común haciendo cero la señal en modo
diferencial (Vd = 0)
h fe RC
Luego: Ad 12 = −
hie
15
Aquí vemos que la salida es el doble que en los casos anteriores y Ad12 es la
ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida balanceada entre los
colectores de Q1 y Q2.
Vc
ib 2 = −
hie + 2(1 + h fe ) Z
16
Vs1 −Vs 2 =−h fe RC ib1 +h fe RC ib 2 =0
Luego: Ac12 = 0
Esto significa que tomando la salida en forma balanceada podemos disminuir más
la ganancia en modo común (idealmente se hace cero).
Z ic =
[
Rb // hie + 2(1 + h fe ) Z ]
2
Vemos que si deseamos tener una alta impedancia de entrada en modo común R b
debe ser elevado o no debemos colocar esta resistencia.
4K
C C
Q1 Q2
V 2
V 1 Q3
100K C 100K
5K 5K
1K 5
D
C es muy grande
-6 V
Fig. 3.17
17
SOLUCION:
a) El punto de operación de cada transistor
Análisis en DC: Obtendremos el punto de operación de cada transistor.
Empezaremos hallando la corriente de la fuente de corriente formada por Q3:
ICQ3 = Io
Io Io
Q3 Q3
5K 5K RB
1 .5 K 1 .5 K
D7
VBB
6V
6V 6V
Fig. 3.15
Para hallar la corriente Io, hallamos el circuito thevenin equivalente para Q3, como
se muestra en la figura 3.15.
La tensión de thevenin se puede hallar con la ecuación:
− 6 + 0.7
VBB = = 2.65V
2
La resistencia de thevenin se puede hallar aproximadamente con la ecuación:
0.7V
RB = 5 K // 5 K + = 2.79 KΩ
0.53 mA
A continuación planteamos la ecuación en la malla base-emisor:
VBB + I B RB +VBE +1.5 I E − 6 = 0
Expresando en función de IC:
I 1 + β
VBB + CQ 3 RB +VBE +1.5
β I CQ 3 − 6 = 0
β
2.65
De donde obtenemos: I CQ 3 = I o = =1.72 mA
0.0279 +1.01(1.5)
I CQ 3 = I o =1.72 mA
Debido a que las redes de poarización de base de Q1 y Q2 son iguales, entonces
sus corrientes serán también iguales:
I
I CQ1 = o = 0.86 mA
2
I
I CQ 2 = o = 0.86 mA
2
A continuación procedemos a hallar el voltaje de polarización de cada transistor:
Q1 y Q2:
0.86
VCEQ 1 = VCEQ 2 = VC1 −VE = (12 − 4( 0.86 ) ) − − 0.7 −100
100
18
VCEQ 1 =VCEQ 2 =10 .29 V
Q3:
0.86
− 0.7 −100 =VCEQ 3 +1.5(1.01 )(1.72 ) − 6 = 0
100
Despejando:
0.86
− 0.7 −100 =VCEQ 3 +1.5(1.01 )(1.72 ) − 6 = 0
100
VCEQ 3 =1.83 V
b) Las ganancias en modo diferencial y en modo común
Análisis en AC:
Modelo simplificado para señal:
Fig. 3.16
19
c) Las impedancias de entrada en modo diferencial y en modo común:
Z id = 2(100 K // 1K ) =1.98 KΩ
+V D D
RD RD
Q1 Q2
V1 RG Q3 RG V2
-V S S
Fig. 3.17
ANALISIS EN DC:
Obtendremos las expresiones de los puntos de operación de los transistores.
Los transistores Q1 y Q2 son iguales y, debido a que sus redes de polarización son
iguales, las corrientes de drenador (ID) de ambos transistores también serán
iguales. Semás el JFET Q3 trabaja con su corriente IDSS : I o = I DSS 3
I
Además: I DQ 1 = I DQ 2 = o
2
Conociendo la corriente que entrega la fuente de corriente podemos conocer la del
punto de operación de cada transistor.
Como los fets deben trabajar en la zona de saturación, podemos emplear su
2
VGS
ecuación para esa región: I D = I DSS 1 −
VTH
La tensión DC en las fuentes de los transistores es: VS = -VGSQ
I
A continuación: VDSQ 1 = VDSQ 2 = VDD − o RD −Vs
2
20
En este caso las tensiones drenador-fuente son iguales debido a que también lo
son las resistencias de drenador.
ANALISIS EN AC:
Obtendremos las expresiones de las ganancias e impedancias en modo diferencial
y en modo común, para pequeña señal. Utilizaremos el modelo de pequeña señal
y baja frecuencia del fet. El circuito equivalente es el mostrado en la figura 3.18
En dicho esquema, Z es la impedancia en AC que ofrece la fuente de corriente.
Para analizar usamos la teoría de circuitos, de los cuales resulta el esquema de la
figura 3.19. Adicionalmente, se han representado las señales de entrada (V1 y V2)
mediante el modo común (Vc) y el modo diferencial (Vd).
Como el modelo es lineal, podemos aplicar superposición y hallaremos la
ganancia en modo diferencial haciendo cero la señal en modo común (Vc = 0);
luego hallaremos la ganancia en modo común haciendo cero la señal en modo
diferencial (Vd = 0)
RD RD
gm V gs1 gm V gs 2
rd s rd s
+ Vgs1 - - Vgs2 +
V1 RG Z RG V2
Fig. 3.18
RD RD
V s1 Vs2
gm V gs1 gm V gs 2
rd s rd s
+ V g s1 - - Vgs2 +
+ -
V d /2 V d /2
RG Z RG
- +
+ +
Vc Vc
- -
Fig. 3.19
21
GANANCIA EN MODO DIFERENCIAL: (Se hace cero el modo común: Vc = 0)
Empleando simetría podemos concluir que el voltaje en los terminales de fuente es
cero (tierra virtual para el modo diferencial).
Para el modo diferencial: V V
Vgs 1 = d Vgs 2 = − d
2 2
Luego:
g m ( RD // rds )
Ad 1 = −
2
g m ( RD // rds )
Luego:
Ad 2 =
2
Aquí vemos que la salida está en fase con el modo diferencial y Ad2 es la ganancia
en modo diferencial cuando tomamos la salida desbalanceada en el drenador de
Q2.
Luego: Ad 12 = − g m ( RD // rds )
Aquí vemos que la salida es el doble que en los casos anteriores y Ad12 es la
ganancia en modo diferencial cuando tomamos la salida balanceada entre los en
los drenadores de Q1 y Q2.
22
RD RD
Vs1 Vs2
gm V gs1 gm V gs 2
rd s rd s
+ Vgs1 - - Vgs2 +
+ +
Vc RG Vc
RG 2Z 2Z
- -
Fig. 3.20
Para el modo común:
2 Zg m rds
Vgs 1 = Vc − Vgs 1
2 Z + rds + RD
2 Zg m rds
Vgs 2 = Vc − Vgs 2
2 Z + rds + RD
2 Z + rds + RD
De donde: Vgs1 = Vc
2 Z (1 + µ ) + rds + RD
2 Z + rds + RD
Vgs 2 = Vc
2 Z (1 + µ ) + rds + RD
µ = g m rds
µRD
1) A continuación: Vs1 = − Vc
2 Z (1 + µ ) + rds + RD
µRD
Luego: Ac1 = −
2 Z (1 + µ ) + rds + RD
Ac1 es la ganancia en modo común cuando tomamos la salida desbalanceada en
el drenador de Q1. Vemos que depende inversamente de la impedancia en AC de
la fuente de corriente. Si esta impedancia es muy elevada, podemos minimizar la
ganancia en modo común.
µRD
Luego: Ac 2 = −
2Z (1 + µ ) + rds + RD
23
Aquí vemos que la salida es igual en amplitud y signo que en el drenador de Q 1 e,
igualmente, si la impedancia es muy elevada, podemos minimizar la ganancia en
modo común.
MULTIPLICADOR ANALOGICO:
El circuito mostrado es un multiplicador analógico de 4 cuadrantes, conocido como
celda de Gilbert.
24
+VCC
R R
+ VL-
Q1 Q2 Q3 Q4
+
V1
-
Q5 Q6
+
V2
-
Ik 1
I
Sabemos: V1 = VBE 1 − VBE 2 = VT ln C1
IC2
I
V1 = VBE 3 − VBE 4 = VT ln C 3
IC 4
I
V2 = VBE 5 − VBE 6 = VT ln C 5
IC6
Planteamos las demás ecuacviones del circuito:
I k1
iE 5 = V2
1+ e VT
I k1
iE 6 = V2
−
1+ e VT
25
IC5
iE1 = V1
1+ e VT
IC5
iE 2 = V1
−
1+ e VT
IC6
iE 3 = V1
1+ e VT
IC6
iE 4 = V1
−
1+ e VT
VL = VCC − R ( I C 2 + I C 3 ) − [VCC − R ( I C1 + I C 4 ) ]
VL = R( − I C 2 − I C 3 + I C1 + I C 4 )
Reemplazando las corrientes en la ecuación de VL y considerando α ≅ 1 :
1 1 1 1
VL = R I C 5 V1
− −V1
+ I
C6 −V1
− V1
1+ e 1 + e VT 1+ e 1+ e
VT VT VT
−V1 V1 V1 −V1
1 + e VT −1 − e VT 1 + e VT −1 − e VT
VL = R I C 5 + IC 6
V1
−V1
−V1
V1
T T
1 + e 1 + e
V V VT
1 + e 1 + e
VT
−V1 V1 V1 −V1
e VT
− e VT
e VT
− e VT
VL = R I C 5 + IC6
V1
−V1
−V1
V1
+ VT
+ VT + VT
+ VT
1 e 1 e 1 e 1 e
−V1 V1 V1 −V1
e −e
VT VT
e −e
VT VT
VL = RI k 1 +
V2
V1
−V1
−V2
−V1
V1
1 + e VT 1 + e VT 1 + e VT 1 + e VT 1 + e VT 1 + e VT
26
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA P 3.1.- En el amplificador diferencial mostrado, halle:
a) los puntos de operación
b) la ganancia de tensión
27
PROBLEMA P3.3.- Diseñe un amplificador diferencial con mosfet el IRF840 para
obtener una ganancia con salida balanceada de 50.
2K 6 60
3K
3K
Q3
Q1 Q2
60
1K 1K
0K 5
R R
RL
Q1 Q2
P
X
Rb Rb
Re
-V E E
28
PROBLEMA P3.6.- En el siguiente circuito, halle el punto de operación de cada
transistor y la máxima excursión posible.
Para todos los transistores: VBE = 0.7V, hFE = 100
+12V
10K 10K
Q1 Q2
Q3 Q4
100K 50 50 100K
Q5
2K 9
1K 3 1K 3
-V E E
2K
+
Vo (t)
Q1 Q2 -
V i(t)
5 mA
29
+6V
4K
Q1 Q2
V 1. V2
100K 100K
Q3
C
5K 5K
1K 5
D1
-6 V
2K
2K 8 465K 465K
Q1 Q2
Q3
Q3
30
+12V
2K 4K
Q1 Q2
i1 i2
15K 15K
2K
-4 1 V
RC RC
RL
Q1 Q2
V1 V2
Io
31
V CC
I
Q1 Q2
R4
R
RC RC
R5 R7 1K 1K R8
10K 220K 220K
C1 C2
Q1 Q2
2N 2222 2N 2222
100uF 100uF
R1 R3
1K 1K
Q3
2N 2222
Vg R2
100 R4
220 C3 R6 R9
4 .7 K 1K
100uF
32
+ 15 V
Ik
Q1 Q2
V1 + V2
VL
-
Q3 Q4
- 15 V
33