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LES TRANSISTORS BIPOLAIRES

BIPOLAIRES
I/ PRÉAMBULE
Il existe une catégorie de composants (qu'ils soient électriques, mécaniques, etc.) très intéressante :
c'est celle qui permet d'obtenir en sortie du dispositif une grandeur de même nature et proportionnelle aux
stimuli d'entrée. Les exemples foisonnent :

Le levier, qui permet d'avoir en sortie un effort plus important qu'en entrée, ou bien un déplacement
plus important (ou plus faible) que celui appliqué à l'entrée.

L'engrenage, qui est la même chose que le levier pour les mouvements rotatifs : il permet de
multiplier ou diviser la vitesse ou bien le couple d'entrée.

Le transformateur, qui permet de multiplier ou diviser la tension d'entrée.
Dans chacun de ces cas, la variable de sortie est de même nature que les stimuli à l'entrée, et il
existe un coefficient de proportionnalité entre les deux, indépendant des stimuli d'entrée, donc intrinsèque
au dispositif.
Il faut toutefois noter que dans tous les cas cités, il y a conservation de l'énergie : l'énergie à la
sortie du composant est la même que celle à l'entrée.
Il existe d'autres dispositifs présentant les mêmes caractéristiques que ceux précédemment cités, et
qui en plus, permettent de multiplier l'énergie : on trouve en sortie du dispositif une énergie supérieure à
celle fournie à l'entrée. Bien entendu, il n'y a pas de génération spontanée d'énergie, il faudra donc au
dispositif une entrée supplémentaire par laquelle une source sera susceptible de fournir de l'énergie.
Dans ce cas, il n'y a pas seulement transformation de la sortie proportionnellement à l'entrée, mais
transfert d'énergie d'une source extérieure à la sortie du dispositif, ce transfert étant contrôlé par l'entrée.
Des exemples mécaniques bien connus sont respectivement les freins et la direction assistée.
Dans le premier cas, l'effort de freinage est proportionnel à l'effort exercé sur la pédale, mais une
source d'énergie auxiliaire permet d'avoir à la pédale un effort beaucoup plus faible que ce qu'il faudrait
sans l'assistance.
Dans le deuxième cas, on a la même chose : les roues tournent proportionnellement à l'angle de
rotation du volant, mais la plus grosse partie de l'effort est prise en charge par un dispositif hydraulique.
Dans les deux cas, le dispositif permet d'amplifier l'effort exercé tout en le conservant
proportionnel aux stimuli d'entrée, ce qui facilite la commande.
Un tel dispositif est en fait un robinet de régulation d'énergie : il faut disposer d'un réservoir
d'énergie, on pose le robinet dessus, et on peut disposer de l'énergie proportionnellement à une commande
d'entrée.
En électronique, un tel composant est intéressant, car il va permettre d'amplifier un signal, et de
commander des actionneurs requérant de la puissance (haut parleurs moteurs, etc.) avec des signaux de
faible niveau issus de capteurs (microphone, sonde de température, de pression,).
Le transistor à jonction va permettre de remplir (entre autres) cette fonction en électronique. Son
domaine d'action est donc particulièrement vaste
A noter qu'avant le transistor, cette fonction était remplie par des tubes à vide (triodes entre autres).
L'avènement du transistor n'a donc pas apporté la fonction miracle en elle même, mais une
commodité d'utilisation, l'encombrement réduit (les tubes à vide ont besoin d'un système d'alimentation
complexe avec des tensions relativement élevée, et nécessitent une adaptation d'impédance en sortie
(transformateur), et plus tard, la fiabilité, le faible coût
II/ Principe et caractéristiques.
caractéristiques.
II.1. Introduction à l’éffet transistor.
Nous avons déjà vu à propos de la diode que si celle-ci est polarisée en inverse, les porteurs
minoritaires (électrons de la zone P et trous de la zone N, créés par l'agitation thermique) traversent sans
problèmes la jonction et sont accélérés par le champ extérieur.

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On a vu aussi que lorsque les porteurs majoritaires d'une zone franchissent la jonction, ils
deviennent minoritaires dans l'autre zone, et qu'ils mettent un certain temps à se recombiner avec les
porteurs opposés.
Partant des deux remarques précédentes, on peut déduire que si on
injecte dans la zone N d'une jonction NP polarisée en inverse beaucoup de
trous (qui seront dans cette zone des porteurs minoritaires) en faisant en sorte
qu'ils ne se recombinent pas avec les électrons de la zone N, ils vont
traverser la jonction et créer un courant dans le circuit extérieur.
La figure 1 illustre ce propos : il y aura des recombinaisons (charges
( + Fig. 1. Injection de trous
et - encerclées), mais limitées, et la plupart des trous iront dans la zone P et dans une zone N.
formeront le courant I2. A noter que les recombinaisons correspondent au courant I1- I2.
II.2. Le transistor réel.
Ce que nous venons de décrire n'est ni plus ni moins que l'effet transistor : il ne manque que le
moyen d'injecter des trous dans la zone N et de faire en sorte que les recombinaisons soient faibles, pour
que la majorité des trous passent dans la zone P.
Principe de fonctionnement.
Dans le transistor réel, on va apporter les trous en créant une jonction PN, que l'on va polariser en
direct. On rajoute pour ce faire une zone P sur la zone N du montage Fig. 1. Cette zone P qui injecte les
trous est alors l’émetteur, et la zone N, faiblement
faible dopée est la base. Comme dans le schéma de la Fig. 1,
la jonction NP est polarisée en inverse. La deuxième zone P est le collecteur (voir Fig. 2.).
Les trous injectés dans la base par l'émetteur ont une faible
probabilité de se recombiner avec les électrons
ctrons de la base pour deux
raisons :

Laa base est faiblement dopée, donc, les porteurs majoritaires
(électrons) seront peu nombreux.

Laa base est étroite, et donc les trous émis sont happés par le
champ électrique collecteur-base
base avant d'avoir pu se recombiner (la
Fig. 2. Schéma de principe d'un transistor. largeur de la base est petite devant la longueur de diffusion des
porteurs minoritaires injectés par l'émetteur, qui sont ici les trous).
On peut observer le phénomène d'un point de vue différent
différent : quand on injecte un électron dans la
base, l'émetteur devra envoyer plusieurs trous dans la base pour qu'il y en ait un qui se recombine avec
l'électron émis. Les autres trous vont passer directement dans le collecteur.
En première approximation, le nombre
nombre de trous passant dans le collecteur est proportionnel au
nombre d'électrons injectés dans la base.
Ce rapport de proportionnalité est un paramètre intrinsèque au transistor et s'appelle le gain en
courant β.
Il ne dépend que des caractéristiques physiques
physiques du transistor : il ne dépend ni de la tension inverse
collecteur base, ni du courant circulant dans le collecteur. (Ceci
( n'est qu'une approximation, mais dans les
hypothèses de petits signaux, c'est assez bien vérifié.)
On a les relations suivantes :
  .
 ;
  
1.
 ;
 


II.2.1.. Constitution et caractéristiques physiques d'un transistor.
La juxtaposition de deux jonctions P-N P conduit au transistor (1) (de
l’anglais transfert resistor) à jonctions dans lequel interviennent les deux types
de porteurs d'où l’appellation de transistor bipolaire. D’autres types de
transistors (transistor à effet de champ, transistor unijonction) seront étudiés
ultérieurement.
On doit envisager les configurations NPN et PNP. Les trois électrodes
d’unn transistor bipolaire se nomment : émetteur, base et collecteur. Pour un
NPN on a :
 un émetteur (zone N) fortement dopé, Fig. 3.

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(1) Inventé en 1948 par Bardeen, Brattain et Shockley (Prix Nobel en 1956)
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 une base (zone P) très mince et faiblement dopée,
 un collecteur (zone N) peu dopé.
La structure réelle est très différente du schéma de principe et dépend de la méthode de fabrication
du transistor (alliage, diffusion, épitaxie).
Du fait des différences de dopage entre l’émetteur et le collecteur, le transistor ne fonctionne pas
comme deux diodes montées tête-bêche.
tête
Sur le schéma électrique du transistor une flèche marque la jonction base-émetteur.
base émetteur. Cette flèche est
orientée dans le sens où la jonction base-émetteur
base est passante.
II.2.2. Courants à travers les jonctions
On mesure les courants entre deux électrodes reliées à un générateur
quand la troisième est déconnectée.
Jonction Base-Emetteur.
En polarisation directe, IBE est intense. Par contre en polarisation
inverse IEB0 est très faible.
Jonction Base-Collecteur.
En polarisation directe, IBC est intense. En polarisation inverse ICB0
est très faible.
En effet, le dopage du collecteur étant faible celui-ci
celui contient peu de
porteurs libres.
Espace Emetteur-Collecteur.
Si la jonction BE est polarisée en inverse, IEC0 est très faible mais on
a : IEC0>IEB0
Fig. 4. Si la jonction BE est polarisée en direct, on mesure un ICE0 très faible
avec : ICE0 > IEB0 >> ICB0
Le transistor ne fonctionne donc pas de manière symétrique. Le collecteur et l’émetteur ayant des
taux de dopage très différents ne peuvent pas être permutés.
II.2.3. Courants de fuite.
La relation
  .
 n'est qu'imparfaitement vérifiée pour une autre raison : si on reprend le
schéma Fig.. 2. et qu'on coupe la connexion de la base (Ib=0), on s'aperçoit que le courant circulant dans le
collecteur n'est pas nul, dû à des porteurs minoritaires qui passent de la base dans le collecteur. Ce courant
est nommé ICE0. La relation devient donc :
 

.

En pratique, aux températures ordinaires, ce courant de fuite sera négligé. On verra par la suite
qu'on s'arrangera pour polariser les montages de telle manière que le point de polarisation soit quasiment
indépendant du courant de fuite.
II.3. Caractéristiques
aractéristiques électriques .
Pour ce paragraphe, nous allons étudier les caractéristiques des transistors NPN. Celles des
transistors PNP sont les mêmes aux réserves de signes décrites au paragraphe précédent.
Les transistors NPN sont plus répandus car ils ont de meilleures performances que les PNP (la
conductibilité du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en tension).
II.3.1. Montages de base.
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une
une patte commune à l'entrée et à la
sortie du montage, il y a 3 manières fondamentales de procéder :

la patte commune est l'émetteur : on parle de montage émetteur commun.
commun L'entrée est la base
et la sortie le collecteur.

La patte commune est la base : on parle de montage base commune. L'entrée est l'émetteur et
la sortie le collecteur.

La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun.
commun L'entrée est la
base et la sortie l'émetteur.

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Nous reverrons ces trois montages fondamentaux dans un chapitre spécifique.
II.3.2. Schéma de mesure des caractéristiques.
Les caractéristiques qui suivent sont données pour un montage
émetteur commun. Le schéma le plus simple est le suivant :
Dans ce schéma, la base est polarisée en direct par la résistance de
base Rb : le potentiel de la base est alors de 0,7V environ, car l'émetteur
est à la masse et la jonction base émetteur est l'équivalent d'une diode
passante.
Le collecteur
cteur est lui polarisé par la résistance de collecteur Rc de
telle manière que la tension du collecteur soit supérieure à la tension de
Fig. 5. Montage de base émetteur la base : la jonction base collecteur est alors polarisée en inverse.
commun.
On polarise donc convenablement le transistor avec une simple
alimentation et deux résistances. Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie est le collecteur.
L'entrée est caractérisée par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs IC et VCE,
soit 4 variables.
II.3.3. Caractéristique d'entrée.
La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation IB=f(VBE)
avec VCE = cte. En fait, le circuit d'entrée est la jonction base émetteur du
transistor, soit une jonction diode.
Cette caractéristique va dépendre très très peu de la tension
collecteur/émetteur : on la donne en général pour une seule valeur de VCE. La
courbe est la suivante (Fig. 6) :
La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du Fig. 6. Caractéristique
transistor (courant de base inférieur au mA). Cette valeur est donc légèrement d'entrée du transistor.
supérieure à celle d'une jonction de diode.
II.3.4. Caractéristique de transfert.
La caractéristique de transfert est définie
définie par la relation IC=f(IB) avec VCE=cte.
Nous avons déjà dit que le courant d'émetteur est proportionnel au courant de
formule
 

.
 ).
base (formule
La caractéristique de transfert est donc une droite ; le transistor est un
générateur de courant commandé par un courant.
Fig. 7. Caractéristique Si on considère le courant de fuite ICE0, la caractéristique ne passe pas par
de transfert du l'origine, car IC=ICE0 pour IB=0.
transistor
Le β du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor
tran : 5 à 10
pour des transistors de grosse puissance, 30 à 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100 à
500 pour des transistors de signal.
II.3.5. Caractéristique de sortie.
La caractéristique de sortie du transistor est définie par la relation
IC=f(VCE) avec IB=cte. En pratique, on donne un réseau de
caractéristiques pour plusieurs valeurs de IB
Sur ces caractéristiques (Fig. 8.), on distingue deux zones :

Une zone importante où le courant IC dépend très peu
de VCE à IB donné : cette caractéristique est celle d'un générateur
de courant à résistance interne utilisé en récepteur. Dans le cas des
transistors petits signaux, cette résistance est très grande : en
première approche, on considérera
sidérera que la sortie de ce montage à
transistor est un générateur de courant parfait. Fig. 8. Caractéristique de sortie du

La zone des faibles tensions VCE (0 à quelques volts en transistor
fonction du transistor) est différente. C'est la zone de saturation.

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Quand la tension collecteur-émetteur
collecteur diminuee pour devenir très faible, la jonction collecteur-base
collecteur
cesse d'être polarisée en inverse, et l'effet transistor décroît alors très rapidement. A la limite, la
jonction collecteur-base
base devient aussi polarisée en direct : on n'a plus un transistor, mais l'équivalent
l'é
de deux diodes en parallèle. On a une caractéristique ohmique déterminée principalement par la
résistivité du silicium du collecteur. Les tensions de saturation sont toujours définies à un courant
collecteur donné : elles varient de 50mV pour des transistors de signal à des courants d'environ
10mA, à 500mV pour les mêmes transistors utilisés au maximum de leurs possibilités (100 à
300mA), et atteignent 1 à 3V pour des transistors de puissance à des courants de l'ordre de 10A.
Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor,
 Si la jonction BE est bloquée :

Soit parce qu’elle est soumise à une tension inverse ;

Soit parce qu’elle est soumise à une tension directe inférieur au seuil

Soit parce qu’elle n’est
n’ pas lié à une source de polarisation (base en l’aire) ;
Alors aucun courant ne peut traverser le transistor entre son collecteur et son émetteur. Le transistor est dit bloqué
bloqu
 Si la jonction BE est passante,, Alors ICE traverse le transistor entre son collecteur et son émetteur.. Le transistor est dit passant

II.3.6. Limites d'utilisation.

Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un
domaine d'utilisation bien déterminé. Ce domaine sera limité par trois
paramètres :

le courant collecteur maxi ICMax. Le dépassement n'est pas
immédiatement destructif, mais le gain en courant va chuter fortement,
ce qui rend le transistor peu intéressant dans cette zone.

la tension de claquage VCEMax : au delà de cette tension, le
courant de collecteur croît très rapidement s'il n'est pas limité à
l'extérieur du transistor.

la puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va être
représentée par une hyperbole sur le graphique, car on a la relation : Fig. 9. Limites d'utilisation du transistor.
   
 ⟹
   ⁄
Toute la zone hachurée sur la caractéristique de sortie du transistor (Fig. 9.) est donc interdite.
Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor,
transistor, c'est que c'est un amplificateur de courant : c'est un générateur de (fort) courant
(en sortie) piloté par un (faible) courant (en entrée).
Le choix d'un transistor (au premier ordre) se fera en considérant les paramètres suivants :
 Le VCEMax que peut supporter le transistor.
 Le courant de collecteur maxi ICMax.
 La puissance maxi que le transistor aura à dissiper (ne pas oublier le radiateur !).
 Le gain en courant β.
 Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation VCEsatmax sera un critère
de choix essentiel.
II.4. Boitier et brochage d'un transistor :
Il varie selon le type de boitier. On trouve essentiellement les boitiers ci-dessous
ci dessous (page suivante):
À côté de chaque image se situe le nom du boitier ainsi que les résistances thermiques jonction vers
ambiant et jonction vers boitier.
La résistance thermique jonction vers ambiant est particulièrement intéressante dans le cas de
calcul de température et de dissipation de puissance. Si nous avons 1Watt à dissiper par exemple, un
boitier TO202 s’élèvera de 100°C par rapport à la température ambiante.
Remarque : les valeurs figurant dans ce tableau sont des ordres de grandeur. Pour plus de
précision, consulter les spécifications (ou datasheet) constructeur du composant.

Fig. 10.

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Jonction vers Jonction vers
Boitier Nom
ambiant (°C/W) boitier (°C/W)

TO202 100 10

TO92 200 83.3

Petits signaux

TO18 300 80

TO39 190 50

SOT223
SOT23

TO220 50 5
Puissance

TO3 35 4

SOT32 ou
100 10
TO126

Comment reconnaître les trois électrodes d’un transistor

On sait qu’une jonction est passante de P vers N et bloquée de N vers P, par la suite :

L’espace C-EE est bloqué dans les deux sens quelque soit le type de transistor (l’un des deux
jonctions se trouve toujours en inverse)

Dans un transistor NPN le courant peut passer de B vers E ou de B vers C,

Dans un transistor PNP le courant peut passer de E vers B ou de C vers B,
Comment trouver la base
En testant deux à deux les électrodes du transistor, on détermine
détermine la paire qui est bloquée dans les
deux sens, la base est forcement l’électrode restante.
Comment reconnaitre le type de transistor
En connaissant la polarité des sorties de l’ohmmètre, il est possible de connaître le sens d’une
jonction passante.
On testt les deux jonctions BE et BC.

Si elles sont
ont passantes dans le sens B→E
B et B→C ; on a faire à un NPN

Si elles sont passantes dans le sens E→B
E et C→B ; c’est un transistor PNP
Comment distinguer l’émetteur du collecteur
Soit par indication sur le boitier (le collecteur est marqué) ; soit en mesure la tension de claquage
des deux jonctions BE et BC, et celui qui a la plus faible tension de claquage correspond au couple BE.

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III/ Montages de base :
III.1. Préliminaire.
III.1.1. Mise en oeuvre du transistor.
On a vu que le transistor était un amplificateur de courant : on va donc l'utiliser pour amplifier des
signaux issus de sources diverses.
Il va falloir pour cela mettre en œuvre tout un montage autour du transistor pour plusieurs raisons :
III.1.2. Alimentation.
Le transistor, tout en étant classifié dans les composants actifs, ne fournit pas d'énergie : il faudra
donc que cette énergie vienne de quelque part ! C'est le rôle de l'alimentation qui va servir à apporter les
tensions de polarisation et l'énergie que le montage sera susceptible de fournir en sortie.
III.1.3. Polarisation.
Le transistor ne laisse passer le courant que dans un seul sens : il va donc falloir le polariser pour
pouvoir y faire passer du courant alternatif, c'est à dire superposer au courant alternatif un courant continu
suffisamment grand pour que le courant total (continu + alternatif) circule toujours dans le même sens.
Il faudra en plus que la composante alternative du courant soit suffisamment petite devant la
composante continue pour que la linéarisation faite dans le cadre de l'hypothèse des petits signaux soit
justifiée.
III.1.4. Conversion courant/tension.
Le transistor est un générateur de courant. Comme il est plus commode de manipuler des tensions,
il va falloir convertir ces courants en tensions : on va le faire simplement en mettant des résistances dans
des endroits judicieusement choisis du montage.
III.1.5. Liaisons.
Une fois le transistor polarisé, il va falloir prévoir le branchement de la source alternative d'entrée
sur le montage. En règle générale, ceci se fera par l'intermédiaire d'un condensateur de liaison placé entre
la source et le point d'entrée du montage à transistor (base pour montages émetteur et collecteur commun,
émetteur pour montage base commune).
De la même manière, pour éviter que la charge du montage à transistor (le dispositif situé en aval et
qui va utiliser le signal amplifié) ne perturbe sa polarisation, on va aussi l'isoler par un condensateur de
liaison.
Ces condensateurs vont aussi éviter qu'un courant continu ne circule dans la source et dans la
charge, ce qui peut leur être dommageable.
III.1.6. Insensibilité du montage aux paramètres du transistor.
Dans la mesure du possible, la polarisation devra rendre le montage insensible aux dérives
thermiques du transistor et elle devra être indépendante de ses caractéristiques (notamment le gain), ceci
pour que le montage soit universel, et ne fonctionne pas uniquement avec le transistor dont on dispose
pour réaliser la maquette. Cela permet aussi de changer le transistor sur le montage sans se poser de
questions en cas de panne.
III.1.7. Méthodologie de calcul.
Nous avons déjà vu lors d'une approche globale de l'électronique qu'il convenait pour des raisons
de simplification des calculs de séparer l'étude de la polarisation de l'étude en alternatif petits signaux.
La polarisation est calculée dans un premier temps ; on fait alors un schéma équivalent du montage
pour le continu. Le calcul se fait simplement avec la loi d'Ohm et les principaux théorèmes de l'électricité.
Pour la partie petits signaux alternatifs, on a vu qu'on va devoir linéariser les caractéristiques du
transistor au point de fonctionnement défini par la polarisation. Il faut donc définir les paramètres à
linéariser et en déduire un schéma équivalent du transistor.
La solution globale (celle correspondant à ce qui est physiquement constaté et mesuré sur le
montage) est la somme des deux solutions continue et alternative définies ci-dessus.

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III.2. Montage
ontage émetteur commun.
commun
Le décor étant entièrement planté, on va pouvoir
pouvoir passer au montage fondamental à transistor : le
montage émetteur commun. Il réalise la fonction amplification de base de l'électronique.
l'électronique
III.2.1.
1. Polarisation. Point de fonctionnement.
Polarisation par une résistance.
Le montage le plus élémentaire tout en étant fonctionnel est le suivant :
Le fonctionnement est simple : le courant de base IBo est fixé par Rb, ce
qui entraîne un courant de collecteur ICo égal à βIBo. Le courant collecteur
étant fixé, la tension aux bornes de Rc va être égale à Rc ICo. Le montage est
entièrement déterminé. Fig. 11 Polarisation par
résistance de base.
Pour calculer les éléments Rb et Rc, on va procéder à l'envers : on va
partir de ce qu'on désire (le courant ICo et la tension VCEo), et remonter la chaîne :

On se fixe un courant collecteur de repos ICo (c'est le courant de polarisation). Ce courant sera choisi
en fonction de l'application, et variera entre une dizaine de µA A (applications tr
très faible bruit), et une
dizaine de mA (meilleures performances en haute fréquence, soit quelques MHz).

On se fixe une tension de collecteur VCEo, qu'on prend en général égale à E/2,E/2 pour que la tension du
collecteur puisse varier autant vers le haut que vers le bas lorsqu'on appliquera le signal alternatif.

La résistance de collecteur Rc, en plus d'assurer une polarisation correcte de la jonction base- base
collecteur, convertit le courant collecteur (et ses variations) en tension. Elle est déterminée par la

formule :    


le courant IBo est alors imposé par les caractéristiques de gain en courant du transistor (le β). On note

ici qu'il est impératif de le connaître (donc de le mesurer) :
  
!
#

La résistance de base Rb est alors calculée à l'aide de la formule : " 
#

Pour ce faire, on prendra VBEo=0,7V, car un calcul plus précis (il faudrait connaître la caractéristique
IB=f(VBE) pour le faire !) ne servirait à rien.
On peut résumer toute cette étape de polarisation sur un seul graphique (Fig. 12) :
On reconnaîtra ici les trois tro caractéristiques du
transistor (entrée, transfert, sortie) jointes sur le même
graphique. Attention : il faut bien remarquer que les axes
sont différents de part et d'autre du zéro !
Ce montage assure les diverses fonction vues
précédemment : il est correctement
rrectement alimenté, polarisé
(jonction base-émetteur
émetteur en direct, jonction base collecteur
en inverse, courants dans le bon sens),
sens) et il possède des
condensateurs de liaison. Il y a une ombre au tableau : bien
que fonctionnel, ce montage ne garantit pas du tout la
fonction de robustesse vis à vis de la dérive thermique et
des caractéristiques du transistor. En effet, on peut
remarquer que :

si ICEO (le courant de fuite) augmente sous l'effet de
la température, rien ne va venir compenser cette variation :
VCEo va augmenter et le point de polarisation va se déplacer.
Fig. 12 Polarisation du transistor.
Si on veut changer le transistor par un autre dont le
gain soit très différent, vu que IBo est imposé par E et Rb,
ICo=β.IBo n'aura pas la bonne valeur, et VCEo non plus. Et il ne s'en faut pas de quelques %, car
pour une même référence de transistor, le gain peut varier d'un facteur 1,5 à 5 ou plus ! On peut
donc se retrouver avec un montage dont le transistor serait saturé, donc d inutilisable pour
l'amplification de petits signaux.

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Comme il est impensable de mesurer chaque transistor avant de l'utiliser, on ne peut pas en pratique
exploiter le montage décrit Fig. 11. Ce montage n'a qu'un intérêt pédagogique, et pour des montages
montag réels,
on va lui préférer le montage à polarisation par pont de base.
III.2.2. Polarisation par pont de base.
Ce schéma est un peu plus complexe que le
précédent. Nous allons d'abord analyser les différences, et
ensuite, nous suivrons pas à pas la méthode de calcul de la
polarisation.
Par rapport au schéma Fig. 11, on note que la base
est polarisée à l'aide d'un pont de résistances Rb1 et Rb2. Le
rôle de ces résistances sera de fixer le potentiel de base.
Comme la tension VBE est voisine de 0,7V, ceci impose de
mettre une résistance entre l'émetteur et la masse. Cette
résistance
ésistance est découplée par le condensateur CDE, qui va
être l'équivalent d'un court-circuit
circuit en alternatif.
Fig. 13 Polarisation par pont de base.
base A quoi servent ces éléments ? Pour raisonner, on va
faire abstraction du condensateur CDE, qui est un circuit ouvert pour le régime continu.
Les résistances
ésistances du pont de base vont être choisies de telle manière que le courant circulant dans ce
pont soit très supérieur au courant rentrant dans la base (au moins 10 fois plus grand), ceci afin que des
petites variations du courant de base ne modifient pas
pas le potentiel de la base, qui restera donc fixe.
Le potentiel d'émetteur va être égal au potentiel de base moins environ 0,7V et sera lui aussi fixe, à
courant de base donné. Dans ce cas, la tension aux bornes de RE est déterminée.
déterminée Le courant d'émetteur
(donc celui du collecteur, et celui de la base, via le β)) sera alors fixé par la valeur de la résistance RE et la
tension du pont de base.
Le courant collecteur étant défini, on choisit la résistance de collecteur pour avoir VCEo au milieu de
la plage de tension utilisable.
Quel est l'avantage de ce montage ? Supposons que le courant ICEO augmente sous l'effet de la
température. La tension aux bornes de RE va alors augmenter. Comme le potentiel de base est fixé par le
pont Rb1/Rb2, la tension VBE va diminuer.
diminuer. Cette diminution va entraîner une baisse du courant de base,
donc du courant de collecteur.
Cet effet vient donc s'opposer à l'augmentation du courant collecteur dû à l'augmentation du
courant de fuite ICEO. Le montage s'auto-stabilise.
s'auto
L'autre avantage,, c'est que le courant de collecteur est fixé par le pont de base et par la résistance
d'émetteur. Ces éléments sont connus à 5% près en général, donc, d'un montage à un autre, on aura peu de
dispersions, et surtout, le courant collecteur sera indépendant
indépendant du gain du transistor. On a dit à cet effet que
le pont de base est calculé de manière à ce que le potentiel de base soit indépendant du courant de base :
ce potentiel ne dépendra pas du transistor, et le courant de base s'ajustera automatiquement en fonction du
gain du transistor sans perturber le pont de base.
On fera les calculs dans l'ordre suivant :

On fixe le courant collecteur de repos ICo. A noter que le courant d'émetteur sera quasiment
le même car IC=IE-IB#IE.
-

On fixe le potentiel d'émetteur
d'émette VEo (au maximum à E/3, et en pratique, une valeur plus
faible : 1 à 2V est une valeur assurant une assez bonne compensation thermique sans trop
diminuer la dynamique de sortie).


On calcule alors la résistance RE par la formule :    $
$

On se fixe
xe la tension collecteur/émetteur
collecteur VCEo : en général, on la prendra égale à la moitié
de la tension disponible qui est égale non plus à E, mais à E-V
E Eo. On en déduit la résistance
résistanc
$ $
RC :  
 $

Mr CHAKROUN Naoufal & Mr AMMOUS Hatem 05/04/2016 CH 7 Page 101

_________________APPUI TECHNIQUE_________________

On fixe le courant du pont de base (on prendra une valeur moyenne pour le β du transistor,

cette valeur n'étant pas critique ici) :
%  10
  10 '
!
$ +#$

On calcule Rb2 (en règle générale, on prendra VBEo égal à 0,7V) : "*
"  )$


On en déduit Rb1 : "(  "*
)$

III.3. Montage
ontage base commune
L'amplificateur à base commune fournit un gain en tension
élevé avec un gain en courant maximal égal à 1. Puisqu'il possède
une résistance d'entrée faible, l'amplificateur à base commune est le
type le plus approprié pour certaines applications
plications dans lesquelles les
sources possèdent des sorties à résistance très faible.
Un amplificateur à base commune typique est illustré à la
figure 14. La base est la borne commune, qui est également
connectée à la masse au point de vue c.a. par le biais du condensateur
CDB. Le signal d'entrée est couplé par condensateur à l'émetteur. La
Fig. 14 Montage base commune sortie du collecteur est couplée par condensateur vers une résistance
de charge.
La procédure de calculs des éléments de polarisation
polarisation est donc identique, car seuls les éléments liés
au régime alternatif changent.
La raison en est simple : l'amplification est basée sur une augmentation de IC due à une
augmentation de VBE.
Pour augmenter VBE, on a le choix entre deux solutions :

soit on augmente la tension de base à potentiel d'émetteur constant : c'est le montage émetteur
commun.

soit on abaisse la tension d'émetteur à potentiel de base constant : c'est le montage base commune.
III.4. Montage
ontage colecteur commun.
commun
Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie l'émetteur.
C'est le collecteur qui est le point commun entre l'entrée et la
sortie. On notera que c'est faux pour la polarisation, car le
collecteur est relié au +E et l'entrée se fait entre base et masse,
masse et
la sortie entre émetteur et masse. En fait, le collecteur est bien
commun en alternatif, car le générateur de polarisation +E est un
court circuit pour ce régime, et donc, le collecteur va se retrouver
à la masse alternative : ce sera donc bien la patte
pat commune entrée
sortie.
Comme pour le montage émetteur commun, il y a moyen de
Fig. 15 Montage collecteur commun
polariser le transistor avec une seule résistance de base, ce qui
entraîne exactement les mêmes inconvénients. Nous passerons donc directement à la polarisation par pont
de base, qui est la plus utilisée. Le schéma complet est donné sur la figure 15.
1
Par rapport au montage émetteur commun, on remarque que la résistance de collecteur a disparu.
Le condensateur de découplage de RE aussi, i, ce qui est normal, car ici, la sortie est l'émetteur : il n'est donc
pas question de mettre la sortie à la masse en alternatif !
Pour la polarisation, on se reportera au paragraphe équivalent du montage émetteur commun, et on
prendra en compte les différences
érences suivantes :

En général, on fixera le potentiel de repos de l'émetteur à E/2 pour avoir la même dynamique pour les
alternances positives et négatives.

On n'a pas à se préoccuper du potentiel de collecteur ni de sa polarisation car cette broche est à +E.

Mr CHAKROUN Naoufal & Mr AMMOUS Hatem 05/04/2016 CH 7 Page 102

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IV/ Effet de la température sur les transistors
Si le montage est très simple, il est aussi sensible à la dérive thermique. En
effet : IC=βIB+ICE0. Un accroissement du courant IC entraîne une élévation de
température de la jonction BC et un accroissement de ICE0 et par suite de IC.
Ce type de polarisation ne devrait jamais être employé pour un transistor
utilisé en amplificateur. Nous verrons ultérieurement qu’il est tolérable pour un
transistor utilisé en commutation.
Fig. 16
La loi des mailles permet d’écrire :
VBE=E–RB.IB (avec VBE≈0,65V)
≈0,65 ; IB=(E–VBE)/RB≈E/RB
Pour le circuit de sortie, on peut écrire : VCE=E–RC.IC
IV.1. Polarisation par réaction d’émetteur
L’introduction d’une résistance entre l’émetteur et la masse est une façon de
compenser les variations de β. Si le gain augmente, IC et donc IE augmentent. Le
potentiel d’émetteur (VEM=RE.IC) croît ainsi que le potentiel de base (VBE≈0,65 V) ce
qui diminue ainsi le courant base puisque IB=(E–VBM)/RB.
Le mot « réaction » signifie qu’une grandeur de sortie (IC) fait varier une
grandeur d’entrée (IB). L’élément de réaction (commun à l’entrée et à la sortie) est ici
Fig. 17
la résistance d’émetteur.
IV.2. Polarisation par réaction de collecteur
Si le gain augmente, IC augmente donc VCE diminue (en effet VCE=E-RC.IC)
ainsi que la différence de potentiel aux bornes de la résistance de base. Le
courant base diminue et contrebalance l’accroissement du gain.
Cette méthode, bien que meilleure que la précédente, n’est pas très
satisfaisante.
Fig. 18
IV.3. Polarisation par
ar pont de base et résistance d’émetteur
Pour rendre indépendant le courant collecteur des variations du gain, on utilise
un diviseur de tension nommé « pont de base ».
Le pont diviseur maintient constant VBM à condition que les variations du
courant base puissent être négligées devant le courant I1 qui circule dans les
résistances du pont de base. VBM=R2.I1
VBM=VBE+VEM et VBE≈0,65V. ; IE=-VEM/RE=-(R2.I1–0,65)/R
0,65)/RE
Mais comme IB<<IC on a : IC≈-IE
Fig. 19 La valeur de IC est indépendante du gain.
En imposant le potentiel de la base, on impose le potentiel de l’émetteur donc le courant d’émetteur
et donc le courant de collecteur.
V/ Le montage DARLINGTON
V.1. Schéma structurel
Un montage Darlington est constitué de deux transistors
bipolaires. Ces derniers peuvent être intégrés dans un même
boîtier (ex : le TIP110 en boîtier TO-220).
TO
V.2. Analyse structurelle
Pour un fonctionnement en linéaire d’un transistor Fig. 21
bipolaire, on a IC=β.IB. Si on applique cette relation ainsi que
Fig. 20
les lois de Kirchhoff au montage à droite (figure 20),, on obtient : IC=IC1+IC2
IC=β1.IB+β2.IB2 ; Or IB2=IE1=IC1+IB=β1.IB+IB=(β1+1).IB d’où :
IC=β1.IB+β2.(β1+1).IB

Mr CHAKROUN Naoufal & Mr AMMOUS Hatem 05/04/2016 CH 7 Page 103

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 IC=β1.IB+β2.β1.IB+β2.IB  IC=(β1+β2.β1+β2).IB  Si β1 = β2 alors : IC=(β2+2.β).IB or β2>>2.β
Donc : IC≈β2.IB
On remarque également que : IE=IB2+IC2 ; Or IB2=(β1+1).IB et IC2=IC-IC1 et IC1=β1.IB
Donc IE=(β1+1).IB+IC-β1.IB ; IE=IB+IC
On retrouve bien la loi des nœuds : la somme des courants entrants est égale à la somme des
courants sortants.
V.3. Considérations pratiques

Pour l’étude en commutation, on utilise la même méthode qu’avec les transistors bipolaires : on
vérifie la condition de saturation IB>ICsat/βmin.

Les notices techniques des transistors Darlington tiennent déjà compte de ce (β ( 2+2.β). On y
trouve donc des hFE très grand ex : hFE≥30 30 000 pour le BC517 avec un courant de 20mA. Pour un
fonctionnement en commutation, on satisfait donc l’inéquation IB≥IC/30 000 pour obtenir la saturation du
Darlington.

Pour le dimensionnement de la résistance de base, il faut tenir compte des deux jonctions base-
base
émetteur : on a donc un VBE>1,2V (voir notice technique du composant utilisé) qui correspond à la
somme des deux VBE des transistors.

De même pour le calcul du courant ICSAT il faut également tenir compte que :
VCESAT=VCESATT1+VBE T2>0,2V (voir notice technique du composant utilisé).

Le transistor qui conduit la puissance ne se sature réellement jamais (fonctionnement linéaire).
Il y a donc plus de puissance dissipée car le VCE est plus important (Pd transistor=VCE.IC).
VI/ Le transistor en commutation
VI.1. Principe
Dans un transistor utilisé comme commutateur, la section émetteur collecteur est utilisée comme
contact et la section base émetteur représente le circuit de commande. Le circuit de commutation et le
circuit de commande ne sont pas galvaniquement séparés. Le transistor en conduction correspond au
commutateur fermé, le transistor bloqué au commutateur ouvert.

Fig. 22
On distingue trois cas de fonctionnement :
VI.1.1. Fonctionnement linéaire
Le point de fonctionnement C se trouve entre le point A et le point B,, il évolue selon les équations
suivantes :
(1) IC=β.IB , loi qui caractérise le transistor
(2) E=RC.IC+VCE , Loi d'ohm dans la maille de sortie=droite de charge
Si IB ↑, (1)  IC ↑, (2)  VCE ↓, le point de fonctionnement C se déplace sur la droite de charge de A
vers B.
VI.1.2. Blocage
C'est quant le point de fonctionnement C se trouve au point A: IC=0 , IB=0 , VCE=E .
Pour bloquer le transistor, il faut annuler IB, ce qui revient à bloquer la jonction base émetteur,
pour ce, il suffit d'annuler la tension VBE ou la rendre négative pour renforcer le blocage.
VI.1.3. Saturation
Le point de fonctionnement C est au point B. IB=IBSAT ; IC=ICMAX=β.IBSAT

Mr CHAKROUN Naoufal & Mr AMMOUS Hatem 05/04/2016 CH 7 Page 104

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./0
VBE=VBESAT≈0.7V  VCE=VCESAT≈0.2V 
,- 
1
Même si IB augmente au delà de IBSAT, IC reste égal à ICMAX, VBE reste sensiblement égale à VBESAT
et VCE sensiblement égale à VCESAT.
4/5
Pour saturer un transistor il faut lui appliquer un courant IB telle que :
 2
3, 
!

VI.2. Temps de commutation

La figure 23 montre le profil des courants lors de
la saturation et du blocage du transistor.
 td : temps de retard (delay)≈faible
(
 tr : temps de montée (rise)
(
 ton : temps de déblocage=td+tr
 ts : temps de stockage (storage)
 tf : temps de chute (fall)
 toff : temps de blocage.
Le facteur prépondérant dans le temps de
commutation d'un transistor est le temps de stockage tS
(zone jaune).. Quand le transistor est saturé, et surtout
s'il est fortement saturé, un grand nombre de porteurs de
charge est accumulé dans ns la base du transistor. Au
moment où VBE devient nulle ou négative, ces porteurs
stockés vont donner naissance à un courant IB important
dans le sens opposé, et ceci pendant tout le temps
nécessaire pour évacuer toutes les charges se trouvant
dans la base, e, cette durée est dite temps de stockage. Il
I
n'y a pas de changement perceptible du courant Ic
pendant cette période.
Pour réduire tS, il faut choisir un courant de IB
juste nécessaire pour la saturation. Il ne faut pas qu'il Fig. 23 : Temps de commutation d'un transistor
soit beaucoup plus grand que IBSAT afin que le nombre de
porteurs stockés dans la base ne soit pas trop important.
VI.3. Temps Puissances dissipées par le transistor :
P(t)=VCExIC ; ces calculs sont nécessaire pour le choix du transistor
et du dissipateur thermique associé.
La fréquence de hachage est appelée f. On suppose que lors des
commutations les courants croissent linéairement.
Pb dissipée lorsque le transistor est bloqué, s’exprime en fonction
fon de
VCC, ICf (courant de fuite), tb (durée de blocage) et f. Pb=VCC.ICf.tb.f .
Psat dissipée lorsque le transistor est saturé, s’exprime en fonction de
VCEsat, ICsat (courant de saturation), tsat (durée de saturation) et f.
Psat=VCEsat.ICsat.tsat.f
Pf est la puissance dissipée par le transistor à la fermeture (passage
Fig. 24 : bloqué vers saturé) : Pf=(VCC.ICsat.tr.f)/2.
Po est la puissance dissipée à l’ouverture : Po=(VCC.ICsat.tf.f)/2.
Pt est la puissance totale dissipée. Pt=Pb+Psat+Pf+Po≈[VCC.ICsat.(tr+tf).f]/2 .
VI.4. Amélioration des temps de commutation
VI.4.1. À l’aide d’une diode anti-saturation
anti DAS
Pour diminuer ts qui limite la fréquence d’utilisation f et tf qui produit
l’échauffement Po, on limite la saturation du transistor. VCEsat=0.6V grâce à
DAS, D et VBE.

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VI.4.2. À l’aide d’un condensateur C en parallèle
para sur la résistance de base

À la fermeture (passage bloqué - saturé), le condensateur a une impédance 1/Cω
nulle, un courant IB intense le traverse et force le transistor à la conduction.

À l’ouverture (passage saturé - bloqué), le condensateur, chargé sous une tension E1-
VBE, applique à la jonction BE une tension négative importante
E2-E1+VBE (E2<0), permettant un blocage plus rapide du transistor.
VI.4.3. À l’aide d’un circuit d’aide à la commutation ou C.A.L.C.

Aide à la fermeture aide à l’ouverture circuit complet

À la fermeture (passage bloqué/saturé),
bloqué l’effet inductif de Lf fait chuter VCE et ralentit la montée de IC.

À l’ouverture (passage saturé - bloqué), la tension VCE augmente exponentiellement en suivant la
charge de Co par Do. Ro sert à décharger Co à la fermeture suivante.
VII/ Dissipation thermique
VII.1. Présentation
On appelle dissipateur thermique (encore appelé refroidisseur ou
radiateur ou heatsinks) tout dispositif placé sur un boitier de composant
qui a pour rôle de facilité le refroidissement d’un semi-conducteur.
semi
Par effet Joule,, un semi conducteur est amené à dissiper de la
chaleur lorsque ce dernier est parcouru par un courant sous une tension
donné. (P=U.I)
L’échauffement par effet joule peut amener la destruction du
silicium si la température de la puce (die) atteint des valeurs trop
importantes car l’énergie calorifique produite n’est pas correctement
évacuée vers l’air ambiant par
convection naturelle à travers du boitier.
Le but du dissipateur est
d’augmenter la surface de contact du
boitier du composant avec l’air ambiant en améliorant ainsi l’évacuation
l’éva
de la chaleur et donc facilitant les échanges thermiques
Note : Il est bien entendu que le dissipateur doit être donc
mécaniquement et thermiquement en contact avec le boitier du
composant.
VII.2. Critère de choix du dissipateur.
Pour choisir un dissipateur deux critères de choix sont à prendre en compte :

La forme du dissipateur : Il existe des dissipateurs adaptés à chaque forme de
boitier. (Exemple ci-contre
contre d’un dissipateur adapté à un boitier TO220)

Sa résistance thermique : Elle s’exprime en en degrés par Watt et définie les
performances thermiques du dissipateur. Plus elle est petite, meilleur est le

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dissipateur.
A noter : D’autres critères rentrent en compte dans le choix comme par exemple l’encombrement
(un dissipateur c’est « vite gros »), son type de montage (clipsage, vissage, collage) et son prix.
VII.2. Calcul du dissipateur (résistance thermique maximale)
« l’effet frite » :
Pour mieux appréhender la notion de « résistance thermique » permettons-nous
une petite analogie que tout le monde à probablement vécu dans sa vie : La première
fritte sortie du panier à frite.
Vous faites des frites à la friteuse, vous les sortez du bain d’huile à 180°C, vous les
laissez refroidir un instant, les frites sont là dans votre panier, bien tentantes, sous vos yeux baillis (oui
j’en rajoute un peu). Vous en saisissez une, elle est tiède à un peu chaude au contact (comme vous les
aimez, si si), vous la croquez à pleine dent et là….là (Oui vous connaissez la suite…ca sent le vécu...) :
vous vous brûlez car à l’intérieur celle-ci
celle ne s’est pas encore refroidit suffisamment et elle est brulante. La
chaleur à la périphérie de la frite s’est plus rapidement dissipée qu’au cœur de celle ci.
c
Pourquoi ? Parce que la frite, comme tout corps, offre une certaine "résistance
"résistance thermique".
thermique Ce qui
fait que la chaleur ne se propage pas instantanément du cœur vers l'extérieur.
Cet effet est identique pour les semi-conducteurs
semi : le cœur de la puce chauffe,
chauf mais la chaleur ne se
propage pas toujours instantanément du cœur (die) vers l’extérieur du boitier.
En fonctionnement, la température de la puce est toujours beaucoup plus élevée que la température
du boitier.
La résistance thermique :
Une résistance thermique s'exprime en "degrés Celsius par watt" (°C/W).
(°C/W) La puissance dissipée
par effet joule s’exprime en Watts.
La formule de base à utiliser pour le refroidissement des semi-
semi TJONCTION
conducteurs est :
8'90:'9  /4#:/90 8'90:'9  /4#:/90
67,   >?@@  PDiss RTHJA
%;<== 10A8/

Avec :
TAMBIANTE

PDISS est la puissance (en W) à dissiper. Elle dépend de
l'utilisation du composant, et donc du montage.

TJONCTION et TAMBIANTE sont les températures (en °C) entres les points extrêmes du
système de dissipation :
 TJONCTION correspond à la température de la jonction à ne pas dépasser pour éviter
la destruction de la puce (donnée dans la doc constructeur du composant : c’est
une valeur
eur maximale.)
 TAmbiante correspond à la température ambiante de la pièce ou est situé le
composant. Sauf indication contraire, on s’entend à prendre 25°C comme valeur
traditionnelle.

RTHJA est la somme des résistances thermiques qui constitue la chaine de dissipation
thermique entre la jonction et l’air ambiant (données par les docs constructeur des composants et
des dissipateurs).
Note : On peut remarquer par analogie avec la loi d'Ohm : PDiss serait l'intensité, (TJONCTION-TAmbiant)
la tension et Rth la résistance.
Calcul du dissipateur
En général le calcul du dissipateur consiste à déterminer la résistance thermale maximale à ne pas
dépasser pour conserver une température de jonction inferieure
inferieure à la valeur donnée par le constructeur du
composant et qui est de l’ordre de 125 à 150°C pour une puissance de fonctionnement PDISS donnée par
  
les conditions du montage. 61,  8'90:'9% /4#:/90 67 61 Est la résistance thermique
;<==
du radiateur à associer à un composant.

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Voici les informations que l’on peut retrouver dans les documentations constructeurs :
Tj max Température de jonction maximum (en °C)
Température ambiante (en °C). C'est généralement la température à l'intérieur du coffret. On
Ta
utilise souvent une valeur de 50 °C (25°C en air ambiant)
Puissance maximum pouvant être dissipée (en W) [calculé dans le cadre de l’application ou à
P D max défaut la puissance maximale que peut dissiper
dissiper le composant (valeur donnée dans la
documentation constructeur)]
θJC Résistance thermique entre jonction et boîtier (JC = jonction/case,
/case, en °C/W)
θCA Résistance thermique entre boîtier et air ambiant (CA = case/air, en °C/W)
Résistance thermique entre jonction et air ambiant (°C/W). Elle représente la somme des deux
θJA
résistances précédentes, et s'applique lorsqu'il n'y a pas de dissipateur.
Résistance thermique entre boîtier et dissipateur (CS = case/heat sink, en °C/W). dépend du
θCS
type de montage : avec ou sans isolant, avec ou sans pâte thermique, ...
Résistance thermique entre dissipateur et air ambiant (°C/W). C'est la caractéristique
θSA thermique du dissipateur à laquelle il a été fait allusion plus haut. C'est génér
généralement cette
valeur qu'on calcule.

VII.3. Types de dissipateurs :

Radiateur pour boitier TO5 (transistor 2N2219 par exemple), modèle ML61,
Rth=55°C/W

Radiateur pour boitier TO5 (transistor 2N2219 par exemple), modèle CO180,
Rth=28°C/W. Au vu de la résistance thermique de ce radiateur, on voit tout de
suite que le refroidissement sera meilleur qu'avec le ML61, présenté juste avant.

Radiateur pour boitier T0220 (triac type TIC226 ou régulateur de tension type
LM7805 par exemple), modèle ML26, Rth=15°C/W. Modèle assez typique et
très utilisé.

Radiateur pour boitier T0220 (triac type TIC226 ou régulateur de tension type
LM7805 par exemple), modèle ML24, Rth = 17°C/W. Modèle assez typique et
très utilisé.

Radiateur pour boitier TO3 (2N3055 par exemple), modèle ML25 simple,
Rth=2,4°C/W

Radiateur pour deux boitier TO3 (2N3055 par exemple), modèle ML25 double,
Rth=2,4°C/W

Type de boîtier : TO-3 - Résistance thermique:5.5°C/W

Type de boîtier : DIL-8, SSOP-20/24/28, TSSOP-24/28/38

24/28/38

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VII.4. Isolants :
Le mica est parfois utilisé pour isoler la semelle du composant du radiateur, dans le cas par
exemple où plusieurs composants à refroidir se partagent le même radiateur, et que les semelles de ces
composants doivent être isolées entre elles (la semelle métallique d'un transistor ou d'un triac peut être
reliée à l'une des électrodes du composant). Excellent pour l'isolation électrique, le mica se présente
cependant comme un sérieux frein au transfert thermique. Il faut éviter au maximum l'emploi de d rondelle
ou plaquette mica pour limiter les pertes de transfert thermique. Pour cette raison, il est préférable
d'utiliser des composants dont la semelle métallique est entièrement isolée ; ou de mettre en place
plusieurs radiateurs isolés entre eux, si les composants avec semelle isolée ne sont pas disponibles. Si
vraiment l'emploi d'un seul radiateur est impératif et que la semelle des composants utilisés n'est pas
isolée, il faudra prévoir une surface de refroidissement supérieure pour compenser les pertes
pe liées à la
présence du mica. Et pensez à ajouter de la graisse thermique sur les deux faces de l'isolant en mica, pour
améliorer un peu les choses. Ah, un détail : si vous voulez utiliser un isolant en mica, pensez aussi à
utiliser un canon isolant pour
ur les vis de fixation, ou utilisez des vis en nylon...

Pochette contenant : mica, canons, vis Ø 3 mm, etc.

Pochette contenant : mica, canons, vis Ø 3 mm, etc.

Pochette contenant : mica, canons, vis Ø 3 mm, etc.

VII.5. Graisse thermique au silicone :

La graisse thermique, aux silicones ou à l'argent, permet d'améliorer considérablement le transfert
thermique entre le composant et son radiateur. Les surfaces à mettre en regard (composant qui chauffe et
radiateur) ne sont en effet jamais parfaitement
parfaitement planes et parfois même plutôt rugueuses, et il subsiste en
divers endroits, des petites zones d'air lorsqu'on assemble les deux pièces. Or, l'air est un frein à l'échange
thermique. L'usage d'un peu de graisse entre les deux pièces permet d'augmenter
d'augment la surface d'échange
effective, et est très fortement recommandé pour les transistors de puissance ou pour les circuits intégrés
pouvant dissiper beaucoup de chaleur (amplis BF intégrés, microprocesseurs d'ordinateurs récents). Il est
important de noter que d'en mettre trop peut être néfaste à l'échange thermique, il faut mettre la juste dose
(on peut utiliser une épingle mise à plat ou le bord d'une carte téléphonique pour étaler la pate en une
mince couche).
Graisse spéciale en seringue pour améliorer la dissipation thermique
des transistors de puissance
• Enduire le mica d’isolation des 2 côtés avec modération.
Graisse spéciale en tube pour améliorer la dissipation thermique des
transistors de puissance
• Enduire le mica d’isolation des 2 côtés avec modération.

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VII.6. Joints silicones KERATHERM :
Il existe aussi des joints silicone souples, isolants d'un point de vue électrique mais conducteurs
d'un point de vue thermique. Ce type de joint se veut plus pratique et moins "sale" que la graisse silicone,
et moins fragile que le mica.. La photo ci-dessous
ci dessous montre un exemple de tels joints, spécialement adaptés
aux boitiers de type TO3.
Système professionnel qui remplace avantageusement les “micas” et surtout
la graisse thermique si pénible d’emploi
• Isolant souple à base de céramique et de silicone, offrant une conductibilité
thermique et une rigidité diélectrique exceptionnelles, répondant aux normes
VDE 0303/II. • Non toxique ; • Tension de claquage : 4 kV ; • e = 0,4 mm
• Rth : 0,33 °C/W
°C/ ; • Couleur : blanc

VII.7. Montage :

VII.8. Exemple d’application ::

Pour un transistor de puissance BDY 38, le constructeur nous définit une température maximum de
jonction de 150°C, ainsi que les valeurs de résistances thermiques suivantes :

RthJA=40°C/W ; c’est la résistance thermique totale entre la jonction et l’air ambiant sans
radiateur.

RthJB=1,5°C/W ; c’est la résistance thermique entre la jonction et le boîtier

RthBR=de 0,5°C/W à 1,5°C/W ; c’est la résistance thermique de contact entre le boîtier et
le radiateur. Elle est de :
 0,5 °C/W avec de la graisse à la silicone sans isolant.
 0,75 °C/W avec un isolant au mica.
 1 °C/W avec un isolant et de la graisse au silicone.
Calcul du dissipateur
1°). La température ambiante étant de 25 °C, calculer la puissance maximum que peut supporter ce
transistor (BDY 38) sans radiateur.
B7CDCD B,,D 150 25
   3,125J
67, 40
2°). Le transistor devra dissiper 30W, il sera monté sur un dissipateur CO 358P. On interposera
entre
tre ces 2 éléments une rondelle de mica et des canons isolants (électriquement). Quelle doit être la
longueur du radiateur.
B7CDCD B,,D 150 25
61,  67 61  1,5 0,75  1,91°N/J
 30
La longueur devra être au minimum de 80 mm.

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_________________APPUI TECHNIQUE_________________
3°) Le fabricant nous indique que la puissance totale (maximum) dissipée par ce type de transistor
est de 115W. Quelles solutions préconisez-vous
préconisez pour atteindre ces performances ?
B7CDCD B,,D 150 25
61,  67 61  1,5 0,75
0  0,913°N/J
 115
Remarque :
C’est impossible à réaliser si ce transistor dissipe continûment 115 W, il faudrait néanmoins que
l’air puisse circuler librement sur ces ailettes.. Il sera monté de manière à ce qu’elles soient verticales, afin
qu’il n’y ait pas d’accumulation d’air chaud. On s’efforcera de ne pas placer le radiateur dans un boîtier
fermé, où l’air circule mal, voire pas du tout, ce qui diminue considérablement les performances des
dissipateurs.

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_________________APPUI TECHNIQUE_________________
Sommaire
LES TRANSISTORS BIPOLAIRES ......................................................................................................... 93
I/ PRÉAMBULE ........................................................................................................................................ 93
II/ Principe et caractéristiques. ................................................................................................................... 93
II.1. Introduction à l’éffet transistor....................................................................................................... 93
II.2. Le transistor réel............................................................................................................................. 94
II.3. Caractéristiques électriques . ......................................................................................................... 95
II.4. Boitier et brochage d'un transistor :............................................................................................... 97
III/ Montages de base : ............................................................................................................................... 99
III.1. Préliminaire................................................................................................................................... 99
III.2. Montage émetteur commun. ........................................................................................................ 100
III.3. Montage base commune .............................................................................................................. 102
III.4. Montage colecteur commun. ....................................................................................................... 102
IV/ Effet de la température sur les transistors .......................................................................................... 103
IV.1. Polarisation par réaction d’émetteur .......................................................................................... 103
IV.2. Polarisation par réaction de collecteur ....................................................................................... 103
IV.3. Polarisation par pont de base et résistance d’émetteur .............................................................. 103
V/ Le montage DARLINGTON .............................................................................................................. 103
V.1. Schéma structurel.......................................................................................................................... 103
V.2. Analyse structurelle ...................................................................................................................... 103
V.3. Considérations pratiques .............................................................................................................. 104
VI/ Le transistor en commutation ............................................................................................................. 104
VI.1. Principe ....................................................................................................................................... 104
VI.2. Temps de commutation ................................................................................................................ 105
VI.3. Temps Puissances dissipées par le transistor : ........................................................................... 105
VI.4. Amélioration des temps de commutation ..................................................................................... 105
VII/ Dissipation thermique ...................................................................................................................... 106
VII.1. Présentation ............................................................................................................................... 106
VII.2. Critère de choix du dissipateur. ................................................................................................. 106
VII.2. Calcul du dissipateur (résistance thermique maximale) ............................................................ 107
VII.3. Types de dissipateurs : ............................................................................................................... 108
VII.4. Isolants : ..................................................................................................................................... 109
VII.5. Graisse thermique au silicone :.................................................................................................. 109
VII.6. Joints silicones KERATHERM : ................................................................................................. 110
VII.7. Montage : ................................................................................................................................... 110
VII.8. Exemple d’application :: ............................................................................................................ 110

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