SSD固态硬盘分类介绍

目录

1 SSD介绍 4 SSD主控IC

2 SSD 接口种类和规格 5 SSD相关技术介绍

3 NAND FLASH 56 SSD smart值定读取方法
1 SSD介绍
一、SSD的定义

1. 固态硬盘（Solid State Disk、Solid State Drive，
简称SSD，准确的技术称呼应为固态驱动器）是一种基
于永久性存储器，如闪存，或非永久性存储器，同步动
态随机存取存储器（SDRAM）的计算机外部存储设备。
固态硬盘用来在便携式计算机中代替常规硬盘。虽然在
固态硬盘中已经没有可以旋转的盘状结构，但是仍依照
人们的命名习惯，这类存储器仍然被称为“硬盘”。

2. 其实目前大家通指的SSD和 Disk On Module(DOM)
都一种高效能，嵌入式的闪存盘（即电子硬盘），由控
制器单元（Controller）和存储单元（Flash IC）组成。
广泛应用于 军事、车载、工控、视频监控、网络监控、
网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。
1 SSD介绍
二、SSD与HD的区别
SSD与HD比较，拥有以下优点：
1. 启动快，没有电机加速旋转的过程。

2. 不用磁头，快速随机读取，读延迟极小。

3. 相对固定的读取时间。由于寻址时间与数据存储位置无关，因此磁盘碎片  不会影响读取时间。

4. 无噪音，因为没有机械马达和风扇，工作时噪音值为0分贝。

5. SSD工作状态下能耗和发热量较低。

6. 内部不存在任何机械活动部件，不会发生机械故障，也不怕碰撞、冲击、振动。

7. 工作温度范围更大。典型的硬盘驱动器只能在5到55℃范围内工作。而大多数SSD可在-
10~70℃工作，一些工业级的SSD还可在-40~85℃，甚至更大的温度范围下工作。（注：军工
级产品温度为-55~135℃）。

8. SSD体积小、重量轻。
2 SSD 接口种类和规格
SATA III PCIe  G2 PCIe G3
PATA SATA  I SATA II (2014~2015)
(2012~2013) (2016~2017)
(2005~2008) (2008~2009) (2010~2011)

ONFI 2.0
Toggle 1.0

25nm 2xnm 25nm 1xnm2xnm 1xnm 1xnm 1xnm

class classclass classclass class/3D
class class/3D
NAND NAND NAND NANDNAND NAND NAND NAND
FLASH FLASHFLASH FLASH
FLASH FLASHFLASH FLASH
2 SSD 接口种类和规格
ATA   
 ATA是AT Attachment的缩写，意思是AT计算机上的附加设备。ATA可以让用户方便地在
PC机上连接硬盘。 ATA标准从1994年至今共经历了7代标准，现在简述如下：

• ATA-1（1994）：是最早的IDE标准。
• ATA-2（1996）：是EIDE的标准，支持PIO3，4和DMA1，2传输方式，最大数据传输速度
为16MB/s。

• ATA-3（1997）：引入了SMART和安全特性，没有制定新的传输标准。
• ATA-4（1998）：著名的“UDMA33”标准。引入了新的ATA命令和协议，最大数据传输速
度为33MB/s。

• ATA-5（2000）：增加了一些新的ATA命令。最大数据传输速度为66MB/s。
• ATA-6（2000）：UDMA100。 ATA-7（2002）：UDMA133。
2 SSD 接口种类和规格
• PATA就是Parallel ATA，即并行ATA。Ultra ATA/133之前(包括Ultra ATA/133)都是PATA
• SATA 就是Serial ATA ：点对点串行ATA，SATA的全称是Serial Advanced Technology
Attachment，是由Intel、IBM、Dell、APT、Maxtor和Seagate公司共同提出的硬盘接口
规范。它因为有更轻薄、更灵活的的接线，支持热插拔、功耗更低、安装简便性、内部散
热以及驱动器配置方面带来很多的好处、数据传输速率更快等优点，将慢慢代替PATA成为
硬盘接口的主流。
      Serial ATA采用串行连接方式，串行ATA总线使用嵌入式时钟信号，具备了更强的纠错
能力，与以往相比其最大的区别在于能对传输指令（不仅仅是数据）进行检查，如果发现错
误会自动矫正，这在很大程度上提高了数据传输的可靠性。

版本 带宽 速度 数据线最大长度

PATA 1Gb/s 133MB/s 0.5米

SATA 1.0 1.5Gb/s 150MB/s 1米

SATA 2.0 3Gb/s 300MB/s 1.5米

SATA 3.0 6Gb/s 600MB/s 2米

2 SSD 接口种类和规格--业界标准

2.5寸
2.5寸PATA接口 SATA
接口

mSATA
接口
M.2接口
2 SSD 接口种类和规格-SATA
2 SSD 接口种类和规格-SATA
SATA 接口定义
2 SSD 接口种类和规格-SATA
1.8寸SATA 尺寸
2 SSD 接口种类和规格-mSATA
mSATA 接口定义
2 SSD 接口种类和规格-mSATA
mSATA SSD尺寸
2 SSD 接口种类和规格-SATAe
• SATA Express，带宽最高可达8Gbps和16Gbps。 要达到最高的16Gbps带宽（现在最快
的SATA 3.0标准带宽为6Gbps），SATA Express标准将会如其名称所描述的，把SATA软
件架构和PCI-Express高速界面结合在一起。由于PCIe总线离CPU更近，基于PCIe接口的
存储盘具有更高的数据吞吐量和更低的延迟，因此越来越多的SSD固态盘选用了PCIe作为
数据传输接口。SATA Express就是在这个需求的背景下诞生的，其目的是想在SATA接口的
基础上进一步兼容PCIe数据传输模式。SATA Express就是一种SATA和PCIe之间的复用接
口，相同的接口可以同时支持PCIe和SATA两种物理接口。
2 SSD 接口种类和规格-SATAe
2 SSD 接口种类和规格-SATAe
• SATAe接口采用PCIe通路进行数据传输，提高了传输性能。在SATAe标准中可以直接采用
原生态的SATA接口，通过AHCI的方式进行数据访问；亦可以通过PCIe接口，采用
NV**CI的接口进行数据传输。
• SATAe接口只能支持SATA和PCIe，为了解决目前标准2.5"和3.5"外形存储设备带宽而设
计的,为了保证对SATA的向下兼容性，SATAe的接口占地面积过大。相对于M2小巧的接
口，SATAe简直巨大，而且带宽只有M.2 M键规格的一半（这还不算上M2可以用来自
CPU的PCIe 3.0，但SATAe目前只能用PCH提供的PCIe 2.0的差异），在有更大带宽的设
备时，新的瓶颈就会出现。   因此SATAe属于过渡标准，未来会被SFF-8639接口所替代。
目前，Intel已经放弃了对SATA Express接口的支持。
2 SSD 接口种类和规格-M.2接口
• M2是目前常见于无线网卡、3G网卡和部分小型SSD的Mini PCIe/mSATA的替代升级版，具备
小尺寸、低高度、集成度更高的优势
2 SSD 接口种类和规格-M.2接口
M2接口、板卡因尺寸规格（长宽高）和键位（Key）
不同，分为多种规格。
2 SSD 接口种类和规格-M.2接口
2 SSD 接口种类和规格-M.2接口
2 SSD 接口种类和规格-M.2接口

• M.2接口，是Intel推出的一种替代MSATA新的接口规范，也就是我们以前经常提到的NGFF，即
Next Generation Form Factor。

与mSATA相比，M.2主要有两个方面的优势：
• 第一是速度方面的优势。M.2接口有两种类型：
Socket 2和Socket 3，其中Socket2支持SATA、PCI-E X2接口，而如果采用PCI-E ×2接口标准，
最大的读取速度可以达到700MB/s，写入也能达到550MB/s。
   而其中的Socket 3可支持PCI-E ×4接口，理论带宽可达4GB/s。

• 第二个是体积方面的优势。虽然，MSATA的固态硬盘体积已经足够小了，但相比M.2接口的固
态硬盘，MSATA仍然没有任何优势可言。
M.2标准的SSD同mSATA一样可以进行单面NAND闪存颗粒的布置，也可以进行双面布置，
其中单面布置的总厚度仅有2.75mm，而双面布置的厚度也仅为3.85mm。而mSATA在体积上的劣
势就明显的多，51mm×30mm的尺寸让mSATA在面积上不占优势，而4.85mm的单面布置厚度跟
M.2比起来也显得厚了太多。另外，即使在大小相同的情况下，M.2也可以提供更高的存储容量
2 SSD 接口种类和规格-SAS
• SAS(Serial Attached SCSI)即串行连接SCSI，是新一代的SCSI技术，和现在流行的Serial
ATA(SATA)硬盘相同，都是采用串行技术以获得更高的传输速度，并通过缩短连结线改善内部
空间等。SAS是并行SCSI接口之后开发出的全新接口。此接口的设计是为了改善存储系统的效
能、可用性和扩充性，并且提供与SATA硬盘的兼容性。
    和SATA发展思路相同，由于并行SCSI的性能问题，造就了SAS接口技术。和SCSI时代相
同，SATA接口主要服务于消费级市场；SAS接口主要应用于企业级市场。和SATA接口相比，
SAS协议体系要庞大很多。SAS不仅是一个设备互连的总线，更为关键的是SAS技术打造了后端
存储网络。通过SAS网络可以将一定量的存储盘进行互连，形成后端存储网络。

• SAS的接口技术可以向下兼容SATA。具体来说，二者的兼容性主要体现在物理层和协议层的
兼容。在物理层，SAS接口和SATA接口完全兼容，SATA硬盘可以直接使用在SAS的环境中，
从接口标准上而言，SATA是SAS的一个子标准，因此SAS控制器可以直接操控SATA硬盘，但
是SAS却不能直接使用在SATA的环境中，因为SATA控制器并不能对SAS硬盘进行控制；在协
议层，SAS由3种类型协议组成，根据连接的不同设备使用相应的协议进行数据传输。其中串
行SCSI协议(SSP)用于传输SCSI命令；SCSI管理协议(SMP)用于对连接设备的维护和管理；
SATA通道协议(STP)用于SAS和SATA之间数据的传输。因此在这3种协议的配合下，SAS可以
和SATA以及部分SCSI设备无缝结合。
2 SSD 接口种类和规格-SAS

• 从外观上看SAS和SATA接口极为相似，
差别就在于中间是否存在缺口。对于
SATA接口，信号区和电源区之间是分离
的，中间存在缺口。而SAS接口中间没有
缺口，并且在此基础上增加了一组传输
信号。
2 SSD 接口种类和规格-SAS
• 当硬盘背板需要与导出转接卡相连时，可以采用如下图所示的连接线缆
2 SSD 接口种类和规格-SFF-8639
• SFF-8639接口又称之为U.2接口，这种
接口是在SAS接口的基础上发展起来的，
其可以兼容SATA、SAS、PCIe。SFF-
8639的接口定义如左图所示,
• 红色标注区域为PCIe信号；蓝色标注区
域为SAS/SATA信号。这种接口可以支
持多端口SAS，最多4个Lane的PCIe总
线。目前，这种接口被普遍应用在
NVMe SSD中，接口方式和SATA、
SAS盘保持一致：

自从2014年起，很多厂商陆续
推出了基于SFF-8639接口的
NVMe SSD，越来越多的服务
器厂商也将该类接口做成了服
务器的标配。可以说SFF-8639
必将有着辉煌的未来。
2 SSD 接口种类和规格-SFF-8639
3 NAND FLASH

• 现在的SSD使用闪存（Flash Memory）作为存储介质。相较于RAM来说，闪存是一种非易失
性存储器，保存数据是不需要消耗电力的。闪存同时还具有较低的读取延迟和良好的抗震性，
所以被移动设备广泛采用，其历史可以追溯到上世纪80年代。

• 1984年，东芝公司的舛冈富士雄博士（Masuoka Fujio）发明闪存，由于这种存储器的抹除流
程很像相机的闪光灯，最终被命名为闪存。

• 1988年，Intel生产出第一款商业性NOR Flash（闪存的一种）芯片。

• NOR Flash的擦除速度很慢，但提供完整寻址与数据总线，允许随机存取存储器上的任何区域，
NOR Flash多被用于ROM芯片，如主板上的BIOS芯片。

• 东芝在1989年的国际固态电路学会(ISSCC)上发表了另一种形式的闪存——NAND Flash。
NAND闪存擦除速度更快，但是没有随机存取外部寻址总线，它必须以区块形式进行读取。
NAND闪存也就是当前SSD使用的闪存形式。
3 NAND FLASH
• 第一阶段：沙子熔炼单晶硅

• 从沙子到颗粒的蜕变

• 沙子：脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25%的硅元素，以二氧化硅SiO2的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。
• 硅熔炼：硅净化熔炼成大晶体。通过多次净化后达到半导体制造需求的电子级硅，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。
• 单晶硅锭：最后得到纯度99.9999%的单晶硅锭。
3 NAND FLASH
• 第二阶段：硅锭切割成晶圆

• 硅锭切割：将硅锭横向切割成单个硅片，也就是我们常说的晶圆（Wafer）。因为是类圆柱体切割，横截面自然就是圆形了。

• 晶圆：切割出来的晶圆经过抛光后表面像镜面一样完美。现在的晶圆多为300毫米（12英寸）。
3 NAND FLASH
• 第三阶段：光刻
3 NAND FLASH
• 第四阶段：检测与封装
• 晶圆光刻完成之后，需要进行测试后进行封装，封装成为颗粒才能使用在SSD等各种设备上。
• 一片晶圆在出厂之前经由测试分类出好的晶粒（Good Die）和不良品（Ink Die）。
• 关于Ink Die的起源是这样的，以往封装设备还没有自动化的时候，需要人工在不良品上点上墨点作为标记，所以后来不良品就被成为Ink Die。
• 封装设备和技术进步以后，晶圆的测试会以坐标的方式区分Good Die和Ink Die，记录下来的资料就叫Mapping。
3 NAND FLASH
• 封测厂根据Mapping把Good Die取下来封装成颗粒，对于Flash来说有以下几种封装类型：
• TSOP II：类似于DRAM 4Mx16，2001年以前的小容量多是这种封装
• TSOP I：Thin Small Out-line Package，48脚封装
• BGA：Ball Grid Array，常见有100/132/136/152 Ball
• LGA：Land Grid Array，Apple产品应用倡导的封装形式。

• DBG(DICING BEFORE GRINDING)晶圆封装工艺流程示意图：
3 NAND FLASH

• 通过了测试的颗粒使用激光蚀刻打上原厂标：
3 NAND FLASH
 NAND Flash的存储单元发展

约500次~3000次
ADD CONTENTS 擦写寿命
3K-10K次 说明：
擦写寿命
10万次       制程工艺和存储单元的发展，使得同
擦写寿命 样大小的芯片有更高密度和更多的存储单
TLC 元，Flash得以在容量迅速增加的同时，
MLC
还大幅降低了单位存储容量的成本。
SLC        但其弊端也轻易显现，从原来的
1bit/cell发展到后来3bit/cell, 计算更为复
杂，出错率不免更高，读写次数和寿命也
会更短。在这种情况下现有MLC 和 TLC 
Flash 都需要搭配一颗高性能的控制芯片
来提供EDC和ECC、平均擦写等Flash管理。
3 NAND FLASH
单位
计算机存储信息的最小单位，称之为位（bit,以称为比特）。 存储器中所包含存储单元的
数量称为存储容量，其计量单位为Byte,简称B。
1Byte=8bit,1KB=1024B,1MB=1024KB,1GB=1024MB,1TB=1024GB。

•
3 NAND FLASH

读写方式
NAND FLASH 读是以Page来读，写是以Block来写。
3 NAND FLASH

数据存储一般是以page（页）
为最小单位存储的（典型的为
4KB），而128个page组成了一
个block（块），数据可以以
4KB大小的页来读取和写入，但
却只能以512KB(128 page)的块
大小来删除。当读取数据或者写
入到一个没有被使用过的page
上时，固态硬盘的速度是很快的，
但是覆写数据的话，就比较复杂
了，需要许多步骤来完成。步骤
可见左图：
3 NAND FLASH
3 NAND FLASH
3 NAND FLASH
4 SSD主控IC
SSD主控的发展

修补期 ONFI 3.0 普及期

ONFI 2.0 ONFI 2.0 ONFI 4.0 发展期
ONFI 2.0
Toggle 1.0 试水期 Tggle 2.0 Toggle 1.0
Toggle 1.0 Toggle 3.0
2008年至2009年 2012年至至今
2009年至2012年
2007年至2008年 SATA II 总线 SATA III总线，
SATA II 总线，
SATA I总线 PCIE总线，SAS
PCIE总线，SAS总
概念期 6Gbp/s总线
发展目标：高端：增强主控 发展目标：更换总线接口， 线
能力，打开企业市场。 增加外部缓存，提高主控
2006年至2007 能力，降低MLC和SLC的持 发展目标：再次提升持
低端：降低成本，采用MLC 续传输差距。 续速度，随机IOPS，
年 PATA总线 进入个人市场。
发展目标：改良固件算法 降低单位成本(eMLC取
实际成果：企业市场：以 ，配合新一代操作系统， 25nm
代SLC, TLC取代MLC)。
IOPS为卖点进行“低能耗
Trim,GC开始普及。
发展目标：不惜代价， 实际成果：主控低能造成随 说”，更新换代。 class
实际成果：企业：大幅提 实际成果：不断提高市
投身市场。 机写入性能低下，没有好的 个人市场：以用户实际为本，
实际成果：传输率低下， MLC优化算法。SLC产品线还 追求真正的“流畅”运行。 升随机IOPS，PCIE和SAS NAND
场占有率，赶超HDD。
的运用，并以此为卖点。
相比传统机械硬盘只
有寻址快的优势，价
是昂贵，持续性能赶超传统 FLASH
25nm
格超贵（SLC）。 2xnm
机械硬盘。 1xnm
1xnm 2xnm
个人：以低写入放大，高
耐久度，高随机性能为卖
class class class
class/3D 点。 class
NAND NAND NAND
NAND NAND
FLASH FLASH FLASH
FLASH FLASH
5 SSD相关技术介绍
映像表
映像表可以将主机的逻辑地址翻译成NAND物理地址，这个过程是必需的，因为NAND 不允
许覆盖数据，因此SSD必须保留写有文件的轨。
5 SSD相关技术介绍
WL(Wear leveling) 磨损平衡： 确保闪存的每个块被写入的次数相等的
一种机制。为了解决这个问题，需要让每个块的编程次数尽可能保持
一致：这就是需要对每个页的读取/编程操作进行监测，在最乐观的情
况下，这个技术会让全盘的颗粒物理磨损程度接近并同时报废。
5 SSD相关技术介绍
GC(Garbage collection) 垃圾回收：当所有的的SSD空闲空间被写满之后，SSD的主控芯片就会将
所有标记为“无效”的块和页都统一进行擦除操作。将这些离散的数据整合起来重置为“空白”
的块空间。这个操作就叫做垃圾回收。闲置时，自动进行垃圾回收操作。这样可以保证SSD中
具有足够数量的“空白”空间，以应对未来的大宗数据读写任务。
5 SSD相关技术介绍
Trim命令
Trim是一种SATA命令，他能让操作系统在删除某个文件或者格式化后告诉SSD主控这个数据块不再需
要了。

一般情况下，当LBA被操作系统更新后，只有随着之后的每次数据写入（其实等于覆盖），SSD主控制器才
知道这个地址原来早已经失效了。（之前认为每个数据都是有效的）在Win7里，由于Trim的引入解决了这
个问题，当某些文件被删除或者格式化了整个分区，操作系统把Trim指令和在操作中更新的LBA一起发给
SSD主控制器（其中包含了无效数据地址），这样在之后的GC操作中，无效数据就能被清空了，减少了写
入放大同时也提升了性能。 ）

TRIM的支持需要以下三要素：
1. 系统： Win7, 2008R2 , Linux核心2.6.28以上。
2. 固件： SSD的厂商在固件里要放有Trim算法。
3. 驱动： MS的驱动，Intel的AHCI驱动目前支持。

RAID阵列里的盘明确不支持TRIM，不过RAID可以支持GC。
5 SSD相关技术
OP（Over-provisioning）预留空间：预留空间一般是指用户不可操作的容量，为实际物理闪存容量减去用户可用容
量。这块区域一般被用来做优化，包括磨损均衡，GC和坏块映射等等。
第一层为固定的7.37%，这个数字是如何得出的哪？1GB是1,000,000,000字节（10的9 次方），但是闪存的
实际容量是每GB=1,073,741,824，(2的30次方) ，2者相差7.37%。所以说假设1块128GB的SSD，用户得到的
容量是128,000,000,000字节，多出来的那个7.37%就被主控固件用做OP了。
第二层来自制造商的设置，通常为0%，7%和28%等，打个比方，对于128GB容量的SSD,市场上会有120G
和100G两种型号卖，这个取决于厂商的固件设置，这个容量不包括之前的第一层7.37%。
第三层是用户在日常使用中可以分配的预留空间，而用户也可以自己在分区的时候，不分到完全的
DOM/SSD容量来达到同样的目的。
预留空间虽然让SSD的可用容量小了，但是带来了减少写入放大，提高耐久，提高性能的效果。
5 SSD相关技术介绍
压缩
压缩可以通过减少所写入的数量，帮助提升整体性能，并延长设备的使用寿命
5 SSD相关技术介绍
写入放大（WA）
写入放大（WA）是闪存和固态硬盘之间相关联的一个属性，因为闪存必须先删除才能改
写（我们也叫“编程“），在执行这些操作的时候，移动（或重写）用户数据和元数据
(metadata)不止一次。这些多次的操作，不但增加了写入数据量，减少了SSD的使用寿命，
而且还吃光了闪存的带宽（间接地影响了随机写入性能）。
5 SSD相关技术介绍
5 SSD相关技术介绍
4K分区对齐
需要分区对齐的原因：
SLC NAND FLASH的页/块大小是2KB/128KB，MLC NAND FLASH的页/块大小是
2KB/256KB或4KB/512KB；NAND FALSH 是以页来读，块来擦写；也就是意味着每次可以分
别以2KB/2KB/4KB为单位来写入数据，但是每次擦除必须要以128KB/256KB/512KB来擦除数
据。
按照XP之前的起始位置放在LBA63(起始位置之前保留512Bx63=31.5KB)的分区方式，将
会导致NTFS分区每32(或64或128)个簇(以现在硬盘的大小，NTFS分区几乎全是4KB/簇)，就
会有一个簇跨越了两个闪存块，当系统正好对跨块的簇进行操作时，就会导致需要擦除两个块
之后才能写入数据，或是要分别从两个块来读取这些4KB簇的数据，这就降低了读写数据的效
率（还会造成SSD/DOM在连续小档的写入时，系统可能会有一顿一顿的感觉，最坏的是还会
增加无谓的SSD/DOM额外写入动作）。
5 SSD相关技术介绍
注：Win7所谓针对SSD的最佳化支持，其中一环就是将分区的起始点从XP的第63个扇区（31.5KB处），向后移到
第2048个扇区（1MB处），如此不管SSD的读写基本block size是
4KB/8KB/16KB/32KB/64KB/128KB/256KB/512KB/1MB（都是1MB的因数），分割的起始点自然就会对齐
SSD的block size边界。

• 无损4K对齐工具Paragon Alignment Tool 3.0

• 注:该软件主是用于已装系统的SSD分区对齐
4K分区对齐软件
操作方法.docx
5 SSD相关技术介绍
• 虚拟内存对SSD的破坏:
PC的早期时代，因为那时候内存属于较昂贵的硬件，很少有系统能配置足够的内存，而当程序所需
的内存不够时，Windows 就将内存中暂时不活动的内容写入硬盘上的“虚拟内存”以腾出必要的内
存空间。“虚拟内存”这个方式一直随各个版本的Windows沿用至今，虽然管理机制有所改进，但
是它始终难以完美兼顾，即使你的物理内存再大，它也时不时的把内存里较长时间不活动的内容写
入硬盘中，若硬盘是SSD的话（由于SSD所用的MLC NAND FLASH的擦写寿命只有3000次），反
复的硬盘写内容无疑会导致SSD的寿命下降。
所以，如果内存足够大，应该是可以彻底禁用虚拟内存的，这样可以免去一些无谓的硬盘读写，提
高系统响应速度。
但是，某些应用程序因为各种原因可能会必须要用到虚拟内存，这可能是因为它占用内存极大，也
可能仅仅是因为从旧版本继承下来的“恶习”等等。对于这种情况，建议加大内存条的容量，划一
部分容量出来，模拟为硬盘（即做为虚拟盘），做为虚拟内存和系统临时文件缓存之用。
6 SSD SMART值读取方法

• CrystalDiskInfo软件，可以对本机内的目标
SSD 的SMART值进行抓取，也可以以对通过移
动硬盘转接盒（USB转SATA设备）转接的SSD
进行SMART值抓取，但要注意目标盘的选择；

• 各SSD主控SMART 值定义

各SSD主控SMAR
T值定义.xls