Mosfet de tipo enriquecimiento de canal N:

Normalmente apagado, pero con la señal adecuada puede activarse (2N7000)

VDS=50 V

VGS (th )=0.8V a 3 V

Para el circuito de la figura se eligió un VGS de 5V para asegurar la conducción

Al oprimir el interruptor:

 Apoyándonos en la gráfica obtenemos:

ID=0.38 A

Se utiliza el VT de 3V para asegurar que el transistor este conduciendo.

 Región óhmica

VDSsat < ( VGS−VT )

VDSsat < ( 5−3 )

VDSsat <2 V

 Región de saturación

VDS >VGS−VT

VDS >5−3

VDS >2V
A medida que VDS es más pequeño el canal también lo va a ser el canal es decir
menos flujo de corriente.

VDG=VDS−VGS

VDG=2−9

VDG=−7

Cálculo de la ID de manera teórica:

2
ID=K (VGS−VT )

ID(encendido)
K=
(VGS( encendido)−VT )2

1.47 A
K= 2 2
(9−3) V

0. 040 A
K= 2
V

ID=K (VGS−VT )2
2 2 2
IDmin=0. 040 A/V (5−3) V

IDmin=0. 16 A

IDmax=0.03 A /V 2(5−0.8)2 V 2

IDmax=0.7056 A

0. 16+0. 7056
ID=
2

ID=0. 4328 A
Mosfet de tipo enriquecimiento de canal N:

Normalmente apagado, pero con la señal adecuada puede activarse ( IRFZ44N)

VDS=¿ 55V

IDmax=49 A

RDS (on)=22 m Ω

VGS (th )=3 a 4 V

RGS=20 K Ω

VGS=10 V

Para el circuito de la figura VGS = 9V y VDS=9V

ID=49 A

Se utiliza el VT de 4V para asegurar que el transistor este conduciendo.

 Región óhmica

VDSsat < ( 9−4 )

VDSsat < ( 9−4 )

VDSsat <5 V

 Región de saturación

VDS >VGS−VT

VDS >9−4

VDS >5 V

A medida que VDS es más pequeño el canal también lo va a ser el canal es decir
menos flujo de corriente

VDG=VDS−VGS

VDG=(8−9)(V )
VDG=−1V

Cálculo de la ID de manera teórica:

2
ID=K (VGS−VT )

ID(encendido)
K= 2
(VGS( encendido)−VT )

49 A
K=
(9−4)2 V 2

1.96 A
K= 2
V
2
ID=K (VGS−VT )

ID=1.96 A /V 2 (9−4)2 V 2

ID=49 A