Joncţiunea pn; diode semiconductoare

Capitolul 3

JONCŢIUNEA pn; DIODE SEMICONDUCTOARE

Joncţiunea pn este o structură semiconductoare care prezintă două

zone învecinate, cu tipuri diferite de conductibilitate, p respectiv n. Linia de p n
demarcaţie dintre cele două zone se numeşte joncţiune metalurgică.
Diodele semiconductoare conţin o joncţiune semiconductoare. Fig. 3.1. Joncţiunea pn.

3.1. Joncţiunea pn la echilibru termic

Regiunea de trecere – sediu al conducţiei electrice unidirecţionale

Conducţia unidirecţională a joncţiunii pn este asigurată de existenţa unui câmp electric intern,
orientat de la zona n la zona p. Acest câmp este localizat într-o regiune foarte îngustă, situată de o parte şi
de alta a joncţiunii metalurgice, numită zonă de trecere sau regiune de barieră.
Pentru analiza joncţiunii pn se consideră:
- model unidimensional (pe axa x);
- concentraţii constante de impurităţi, NA în zona p şi ND în zona n (profil abrupt);
- joncţiune simetrică, NA = ND.
Notaţiile folosite pentru concentraţiile de impurităţi sunt următoarele:
pp0 – concentraţia de goluri, în zona p, la echilibru termic;
np0 – concentraţia de electroni, în zona p, la echilibru termic;
pn0 – concentraţia de goluri, în zona n, la echilibru termic;
nn0 – concentraţia de electroni, în zona n, la echilibru termic;
Să presupunem că nu există câmp electric intern. Rezultă că:
p p 0 = N A pentru x < 0;

ni2
pn 0 = pentru x > 0;
ND
nn 0 = N D pentru x > 0;
ni2
n p0 = pentru x < 0.
NA
Rezultă că, la x = 0 gradientul concentraţiei de purtători este infinit, atât pentru goluri, cât şi pentru electroni.
Ca urmare, conform celor prezentate în secţiunea 2.2.2, rezultă o distribuţie instabilă a purtătorilor de
sarcină, ceea ce face ca golurile să difuzeze din zona p în zona n (apare un curent de difuzie de goluri), iar
electronii să difuzeze din zona n în zona p (curent de difuzie de electroni). Din cauza transportului de sarcină
electrică mobilă (electroni şi goluri), în jurul joncţiunii metalurgice apare o zonă de sarcină spaţială, negativă
în zona p şi pozitivă în zona n. Existenţa acestei distribuţii de sarcină spaţială determină apariţia unui
câmp electric intern, orientat de la n la p. Acest câmp se opune tendinţei de difuzie din jurul joncţiunii
metalurgice. La echilibru, curenţii de câmp sunt egali cu cei de difuzie. Astfel, curentul prin joncţiune este
nul, fără să se anuleze curenţii de difuzie şi de câmp.

1
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

→
E

p n

ppo lg po lg no nno
ni
a
npo pno
x
-lpo 0 lno
ppo po no nno

x
-lpo 0 lno
ρvo
c q ND
-lpo
x
lno
-q NA

-lpo E lno
0 x
d

u0

e VBi
x
-lpo 0 lno

Fig. 3.2. Modelul electronic al joncţiunii pn;

a) variaţia concentraţiei de electroni şi goluri la scară logaritmică b) variaţia
concentraţiei de electroni şi goluri la scară liniară; c) variaţia densităţii de sarcină;
d) variaţia câmpului electric; e) variaţia potenţialului.

Notaţii folosite în fig. 3.2:

n0, p0 – concentraţiile de electroni, respectiv de goluri la echilibru termic;
ρvo – densitatea de sarcină;
→
E - câmpul electric intern;
u0 – potenţialul.

Joncţiunea fiind la echilibru termic, se poate scrie relaţia:

p0 ( x )  n0 ( x ) = ni2

2
 Joncţiunea pn; diode semiconductoare

Din reprezentarea la scară liniară se observă că, în zona (regiunea) de trecere sau de barieră
( x  ( −l po ,lno ) ), concentraţia de purtători mobil de sarcină este foarte mică.
Densitatea de sarcină este:
 vo = ( p − n + N D − N A )  q
Ţinând cont de difuzia purtătorilor mobili de sarcină din jurul joncţiunii metalurgice, ρ vo se poate
explicita astfel:

0 x  −l po

− q  N A − l po  x  0
 vo =  (3.1)
 q  ND 0  x  ln0
0 x  l no

Presupunerea că în zona de trecere concentraţia purtătorilor mobili de sarcină este mult mai mică
decât concentraţia de impurităţi se numeşte aproximaţie de golire. Aceasta permite o estimare rapidă a
câmpului electric intern şi a potenţialului electric, care se pot explicita astfel:
 q NA
→  −   ( x + l po ) x  ( −l po ,0)
E= (3.2)
 q  N D  ( x − lno ) x  (0, lno )
 
q  NA
 2    ( x + l po ) x  ( −l po ,0)
2

u0 ( x ) =  (3.3)
VBi − q  N D  ( x − lno ) 2 x  (0, lno )
 2 
VBi reprezintă diferenţa internă de potenţial şi este dată de relaţia:
k T N N
VBi =  ln A 2 D (3.4)
q ni
Regiunea de trecere are lăţimea:
2   1 1 
l0 =  + VBi (3.5)
q  N A ND 
Principalele proprietăţi ale joncţiunii pn sunt determinate de fenomenele ce au loc în regiunea de
sarcină spaţială sau regiunea golită. În literatura de specialitate, această zonă este denumită: regiune de
trecere, regiune de barieră, regiune de sarcină spaţială sau regiune golită. Aceste denumiri vor fi definite în
continuare, semnificaţia lor fiind ilustrată în fig. 3.2.
Regiunea de trecere este regiunea în care au loc variaţii ale tuturor mărimilor specifice joncţiunii pn
(n, p, E, u).
Regiunea de barieră este regiunea unde îşi are sediul câmpul electric intern, cel care determină
conducţia electrică unidirecţională.
Regiunea de sarcină spaţială este regiunea în care densitatea de sarcină, ρv ≠ 0.
Regiunea golită este regiunea cu proprietăţi izolatoare (electric), cauzate de concentraţia foarte mică
a purtătorilor mobili de sarcină.

Aplicaţia 3.1
O joncţiune pn, din siliciu, are următoarele date constructive:
NA = 1016 cm-3, ND = 1016 cm-3 şi profil abrupt al concentraţiei de impurităţi.
3
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Se cere: a) diferenţa internă de potenţial, VBi;

b) lăţimea regiunii de trecere, lo;
c) intensitatea maximă a câmpului electric, Emax.
Se dau: T = 300 K, ni = 1,45·1010 cm-3, εr = 11,7 şi ε0 = 8,86·10-14 F/cm.

Rezolvare
a) Diferenţa internă de potenţial se calculează cu relaţia (3.4):
k T N A  ND 1016  1016
VBi =  ln  0,026  ln = 0,699V
q ni2 (1,45  1010 ) 2
b) Din relaţia (3.5) se obţine:

2  1 1  2  11,7  8.86  10−14  1 1 

l0 =  + VBi = −19  16 + 16   0,699 = 0,00004256 cm  0,426 m
q  N A ND  1,6  10  10 10 
c) Valoarea maximă a intensităţii câmpului electric se atinge pentru x = 0, aşa cum se poate vedea şi în fig.
3.2d.

q  NA 1,6  10 −19  1016

E ( 0) =  l po =  0,213  10 −4  3,29  10 4 V / cm
 11,7  8,86  10 −14
Joncţiunea fiind simetrică, lpo = lno = lo/2.
Notă: În relaţiile de calcul din aplicaţia 3.1, lungimea a fost exprimată în centimetri.

3.2. Caracteristica statică a joncţiunii pn

În fig. 3.3 sunt prezentate notaţiile utilizate în regim static pentru o joncţiune pn. Borna conectată la
regiunea p se numeşte anod (A), iar borna conectată la zona n se numeşte catod (C).
Dependenţa IA = IA(VA) reprezintă caracteristica statică a joncţiunii pn.
Pentru VA < 0, joncţiunea pn este polarizată invers, în mod uzual
folosindu-se următoarele notaţii: IA
p n
VA = -VR şi IA = -IR, cu semnificaţia, R – revers (invers). A C
Pentru VA > 0, joncţiunea pn este polarizată direct, iar notaţiile sunt: VA
VA = VF şi IA = IF, cu semnificaţia, F – forward (direct).
Fig. 3.3. Notaţii pentru
joncţiunea pn în regim
Joncţiunea pn polarizată direct static.

→ →
Fie E 0 câmpul electric intern în lipsa polarizării (VA = 0) şi E ext câmpul electric extern, cauzat de
aplicarea tensiunii VA.
Pentru VA > 0 (polarizare directă), câmpul electric extern este de sens contrar celui intern, ca urmare,
→
câmpului electric total, E scade:
→ → →
E = E 0 − E ext
→
Dacă E scade, sunt favorizaţi curenţii de difuzie în detrimentul celor de câmp, iar în regiunea de trecere
cresc concentraţiile de purtători mobili de sarcină. Acest proces se numeşte injecţie de purtători minoritari.
Deoarece există un excedent de purtători mobili de sarcină, preponderent este fenomenul de recombinare.

4
 Joncţiunea pn; diode semiconductoare

p n
IF IFdif,p
IFr p
VF n
IFdif,n
→
n0 p0
E0 x
→ -lp ln
Eext
a) b)
Fig. 3.4. Joncţiunea pn polarizată direct; a) componentele curentului prin
joncţiune; b) concentraţiile purtătorilor mobili de sarcină

Joncţiunea pn polarizată invers

Pentru VA < 0, câmpul electric extern este de acelaşi sens cu cel intern, ca urmare, câmpului electric
→ → → →
total, E creşte: E = E 0 + E ext
→
Dacă E creşte, sunt favorizaţi curenţii de câmp în detrimentul celor de difuzie, iar în regiunea de
trecere scad concentraţiile de purtători mobili de sarcină.
Polarizarea determină modificarea lăţimii regiunii de trecere (l).

p n
IR IRdif,p p0 n0
p
IRg n
-VR IRdif,n
→

→
E0 -lp ln x
Eext
a) b)
Fig. 3.5. Joncţiunea pn polarizată invers; a) componentele curentului prin
joncţiune; b) concentraţiile purtătorilor mobili de sarcină

2  1 1 
l=  + (VBi − V A ) (3.6)
q  A
N N D 

Ecuaţiile curenţilor prin joncţiunea pn

În regim static, curentul IA prin joncţiunea pn este dat de relaţia:

I A = I Adif + I Agr (3.7)
în care IAdif este curentul de difuzie, iar IAgr este curentul de generare recombinare prin joncţiunea pn.
Curentul de difuzie are expresia următoare:
  q  VA  
I A dif = I 0 dif  exp  − 1 (3.8)
  k T  
unde I0dif este curentul de saturaţie de difuziune.
5
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Curentul de generare recombinare are expresia următoare:

  q VA  
I A gr = I 0 gr  exp  − 1 (3.9)
  2  k T  
unde I0gr este curentul de saturaţie de generare recombinare.
În polarizare inversă, pentru VR > 3kT/q, curentul invers prin joncţiune este dat de relaţia:
I R  I 0 dif + I 0 gr = I 0 (3.10)
În polarizare directă, pentru VF > 3kT/q, curentul direct prin diodă are expresia:
 q  VF   q  VF 
I F  I 0 dif  exp  + I 0 gr  exp  (3.11)
 k T   2  k T 
La tensiuni mici pe joncţiune predomină componenta de câmp, iar la tensiuni mai mari predomină
componenta de difuzie.
În calculele uzuale se foloseşte următoarea expresie matematică pentru caracteristica diodei
semiconductoare:

  q  VA  
I A = I 0  exp  − 1 (3.12)
    k T  
în care γ ia valori între 1 şi 2.

Străpungerea joncţiunii pn

În polarizare inversă, peste o anumită tensiune, curentul prin joncţiunea pn creşte foarte rapid. În fig.
3.6 este ilustrată caracteristica joncţiunii pn în zona de străpungere. Dacă circuitul electric extern nu
limitează curentul invers, joncţiunea se distruge prin încălzire excesivă.
Există două efecte ce explică străpungerea joncţiunii pn: multiplicarea în avalanşă şi efectul Zener.
La tensiuni inverse mari, câmpul electric din regiunea de sarcină spaţială atinge valori mari şi
imprimă energie crescută purtătorilor de sarcină. În urma ciocnirilor cu reţeaua, aceştia având energie
suficientă, rup o legătură covalentă. Astfel se generează un electron şi un gol. Aceştia sunt, la rândul lor,
antrenaţi de câmp şi procesul se repetă, purtătorii mobili de sarcină fiind multiplicaţi în avalanşă. Ca urmare,
curentul invers prin joncţiune creşte excesiv. Matematic, acesta se poate exprima astfel:
I R = M  I0 (3.13)

unde M este coeficientul de multiplicare în avalanşă ce se poate exprima astfel:

1
M= n
(3.14)
V 
1 −  R 
 VBR 

Coeficientul n ia valori între 4 şi 7 şi depinde de tipul semiconductorului şi de VR VBR I0 0

impurificarea acestuia. Pentru concentraţii mici de impurităţi, tensiunea de
străpungere poate ajunge până la 1000 V, sau mai mult.
Efectul Zener apare pentru concentraţii de impurităţi de peste 1018
cm-3. Acesta constă în ruperea de legături covalente direct de către câmpul
electric. Acest efect apare la joncţiuni cu tensiuni mici de străpungere. IR
Regiunea de străpungere, unde tensiunea e practic independentă de Fig. 3.6. Străpungerea
curent se mai numeşte şi regiune de stabilizare. joncţiunii pn.
6
 Joncţiunea pn; diode semiconductoare

3.3. Comportarea dinamică a joncţiunii pn 15.10.2021

Modelarea joncţiunii pn la semnal mic, joasă frecvenţă

În această secţiune se va studia funcţionarea joncţiunii pn în cazul aplicării la borne a unei tensiuni
de componentă continuă (VA), peste care se suprapune o componentă variabilă (va(t)), ca în fig. 3.7.

iA

vA(t)
ia
p n
iA(t) IA t

VA va(t) VA
vA
va

t
Fig. 3.7. Răspunsul joncţiunii pn la semnal mic, joasă frecvenţă; a) circuitul
electric; b) determinarea grafică a componentei variabile ia.

v A = V A + va (t ) , unde va (t ) = Va  sin   t (3.14)

În relaţia anterioară, semnificaţia mărimilor este următoarea:

vA – tensiunea la bornele joncţiunii pn, componenta continuă plus cea variabilă;
VA – componenta continuă a tensiunii la bornele joncţiunii pn;
va(t) – componenta variabilă a tensiunii la bornele joncţiunii pn;
Va – amplitudinea componentei variabile la bornele joncţiunii pn.
Cele patru modalităţi de notare de mai sus sunt folosite în circuitele electrice, atât pentru tensiuni cât
şi pentru curenţi. De exemplu, Ia reprezintă amplitudinea componentei variabile a curentului prin joncţiunea
pn.
Condiţia de semnal de joasă frecvenţă presupune că valorile instantanee ale curentului iA(t)
urmăresc tensiunea vA(t) după aceeaşi lege ca şi mărimile statice. Rezultă că:

  q  v A (t )  
i A (t ) = I 0  exp  − 1 (3.15)
    k T  
Astfel, regimul variabil este considerat ca fiind o succesiune de regimuri statice (regim cvasistaţionar).
Condiţia de semnal mic se exprimă prin relaţia:
  k T
Va  (3.16)
q
k T
în care = VT , VT fiind tensiunea termică. La T = 300 K, VT ≈ 26 mV. Considerând γ unitar, condiţia de
q
semnal mic se exprimă de obicei astfel: amplitudinea componentei variabile la bornele joncţiunii pn este
mult mai mică decât tensiunea termică (Va << VT).

7
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Grafic, condiţia de semnal mic permite aproximarea caracteristicii joncţiunii pn în jurul punctului
static de funcţionare (M0 din fig. 3.7) cu tangenta la grafic.

1 i di q  I0  q VA 
= a = A =  exp  (3.17)
Ri va dv A M0
  k T    k T 

Expresia rezistenţei interne se mai poate scrie:

  k T   VT
Ri = = (3.18)
q  IF IF

În concluzie, circuitul echivalent al joncţiunii pn pentru semnal mic şi regim cvasistaţionar

(frecvenţe mici) este constituit din rezistenţa internă Ri.

Circuitul echivalent al joncţiunii pn la semnal mic, în regim nestaţionar (la frecvenţe mari)

Creşterea frecvenţei de lucru face ca influenţa capacităţilor joncţiunii pn să nu mai poată fi neglijată.
Astfel, circuitul echivalent în regim nestaţionar cuprinde rezistenţa internă, Ri definită anterior, capacitatea
de difuzie, Cd şi capacitatea de barieră, Cb. Relaţiile de calcul pentru cele două capacităţi sunt [6]:

0
Cd = (3.19)
2  Ri

Ri Cd
Ri Cb
rs Cd

Cb
VA
0 VBi
a) b)
Fig. 3.8. a) Circuitul echivalent al joncţiunii pn la semnal mic;
b) dependenţa de polarizare a rezistenţei interne şi a capacităţilor Cd şi Cb.

Cb0
Cb = (3.20)
V
1− A
VBi

în care Cb0 este capacitatea de barieră în lipsa polarizării joncţiunii pn (VA = 0).
Circuitul echivalent al diodei la semnal mic, în regim nestaţionar este prezentat în fig. 3.8a, în care rs
este rezistenţa serie a regiunilor neutre. Variaţiile Ri, Cd şi Cb în funcţie de tensiunea de polarizare a
joncţiunii pn sunt ilustrate în fig. 3.8b. Impedanţa diodei este determinată, în polarizare directă, de rezistenţa
internă şi capacitatea de difuzie, iar în polarizare inversă, de capacitatea de barieră. Dacă Cd poate fi
considerată o capacitate parazită, în schimb, capacitatea de barieră este parametrul de bază al diodelor
varicap.

8
 Joncţiunea pn; diode semiconductoare

Parametrii de catalog ai diodelor (facultativ)

Parametrii pentru polarizarea directă

IF – (Forward Current) curentul direct prin diodă.

IFAV – (Average Forward Current) curentul direct mediu. Se calculează pe o perioadă.
IFAVM – (Maximum Average Forward Current) curentul direct mediu maxim.
IFM – (Maximum Forward Current) valoarea instantanee maximă a curentului direct.
IFRMSM – (Maximum RMS Forward Current) curentul direct eficace maxim.
IFRM – (Repetitive Peak Forward Current) curentul direct de vârf repetitiv.
IF(OV) – (Maximum Short Term Overload Forward Current) curentul direct de suprasarcină maxim. Este
valoarea de vârf a curentului direct care poate fi aplicată intermitent, în condiţii specificate.
IFSM – (Surge Forward Current) curentul direct de vârf de suprasarcină accidentală. Este cea mai mare
valoare de vârf a curentului direct, care poate fi poate fi suportată timp de 10 ms.
I0 – (Maximum Average Rectified Forward Current) curentul direct mediu redresat maxim.
I2t – (Current Integral) integrala de curent. Este valoarea maximă a integralei de timp a pătratului curentului
direct folosită pentru alegerea siguranţei.
VF – (Forward Voltage) tensiunea directă.
VFO – (Threshold Voltage) tensiunea directă de prag.
VFM – (Maximum Forward Voltage) tensiunea directă maximă.

Parametrii pentru polarizarea inversă

VRRM – (Repetitive Peak Reverse Voltage) tensiunea inversă de vârf repetitivă.

VRSM – (Non-repetitive Peak Reverse Voltage) tensiunea inversă de vârf nerepetitivă.
IRM – (Maximum Reverse Current) curentul invers maxim.
VRA – (Breakdown Voltage) tensiunea de străpungere (avalanşă).

Parametrii specifici diodelor Zener

VZT – (Nominal Zener Voltage) tensiunea de stabilizare nominală.

IZT, IZK, IZM – (Zener Current) curenţii de stabilizare nominal, minim respectiv maxim.
rz – (Zener Resistance) rezistenţa de stabilizare.
αVZ – (Temperature Coefficient of Zener Voltage) coeficientul de variaţie cu temperatura a tensiunii Zener.

Parametrii specifici diodelor de comutaţie

IRRM – (Peak Reverse Recovery Current) curent maxim de comutaţie inversă.

trr – (Reverse Recovery Time) timpul de comutare inversă.
tfr – (Forward Recovery Time) timpul de comutare directă.
Ctot – (Diode Total Capacitance) capacitatea totală a diodei.

9
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

3.4. Diode semiconductoare realizate pe baza joncţiunii pn

În fig. 3.9 este ilustrată structura unei diode realizate prin difuzie (diodă difuzată). Zona n+ are rolul
de a micşora rezistenţa serie a joncţiunii pn. Stratul de oxid de siliciu (SiO2) este un foarte bun izolator
electric. Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice cu două terminale (A – anod şi C – catod) a
căror funcţionare se bazează pe proprietăţile joncţiunii pn. Terminalele sunt fixate pe contactele ohmice ale
celor două zone p şi n. Prin procese tehnologice adecvate se pot realiza joncţiuni ale căror proprietăţi diferă
foarte mult. În continuare vor fi prezentate câteva din tipurile de diode semiconductoare cel mai des utilizate.

a) Diode redresoare A
SiO2
Aceste diode se bazează pe proprietatea de conducţie unilaterală p
a joncţiunii pn. Ele au ca rol în circuit transformarea puterii de curent
n
alternativ în putere de curent continuu. Utilizarea lor va fi prezentată în
capitolul „Redresoare monofazate”. O diodă redresoare ideală are Si n+
rezistenţă zero în polarizare directă şi rezistenţă infinită în polarizare
inversă. Pentru exemplificare am ales dioda redresoare 1N4001, care are C
următorii parametrii de catalog [3]: Fig. 3.9. Structura unei diode
IFRMSM = 1,15 A; IFAVM = 1 A; VRRM = 50V; IFRM = 10 A; IFSM = 30 A; difuzate.
VF = 1,1 V; IRM =0,05 mA; I2t = 4,5 A2s.
Unele diodele redresoare pot lucra la curenţi medii (IFAVM) de sute de amperi şi tensiuni inverse
maxime(VRRM) de mii de volţi. Un exemplu este dioda D355 N200 B2000 care are [3] IFAVM = 355 A şi VRRM
= 2000V.

b) Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)

Efectul străpungerii unei joncţiuni pn la o anumită tensiune inversă, caracterizat de o creştere majoră
a curentului pentru o variaţie foarte mică a tensiunii, stă la baza realizării diodelor stabilizatoare. Diodele
stabilizatoare de tensiune se mai numesc şi diode Zener. Utilizarea lor va fi prezentată în capitolul rezervat
stabilizatoarelor electronice de tensiune.
Dacă se notează: IZ = -IA şi VZ = -VA, atunci variaţiile tensiunii şi curentului în zona de stabilizare a
caracteristicii diodei Zener sunt date de relaţiile:
IA [mA]
VZ = VZM − VZm şi
-3 -2 -1 1
I Z = I ZM − I Zm . IZm V [V]
A
VZM şi VZm sunt tensiunile de pe caracteristica diodei Zener ΔVZ -100
corespunzătoare curenţilor IZM, respectiv IZm. Se poate ΔIZ
definii acum rezistenţa de stabilizare, rz: -200

VZ IZM
rz =
I Z Pz

În fig. 3.10 este prezentată caracteristica unei diode Fig. 3.10. Caracteristica unei diode Zener.
Zener de tip PL3V3Z, la care tensiunea de străpungere este
VBR = -VZ = - 3,3V. Parametrii de catalog ai acestui tip de diodă stabilizatoare de tensiune sunt [3]:
VZT = 3,3 V; IZT = 100 mA; rzM = 10 Ω; αVZ = -6·10-4/ oC; IZM = 285 mA; PZ = 1 W.

10
 Joncţiunea pn; diode semiconductoare

c) Diode de comutaţie

Aceste diode se folosesc în circuite de comutaţie. În procesul de fabricaţie se urmăreşte ca raportul

între rezistenţa internă în polarizare inversă şi rezistenţa internă în polarizare directă să fie cât mai mare. De
asemenea, timpii de comutaţie trebuie să fie cât mai mici. O diodă de comutaţie uzuală este 1N4148
(considerată ultrarapidă), cu următorii parametrii de catalog [3]: VRRM = 100 V; trr = 4 ns; IFAVM = 150 mA;
IFSM = 2 A.

d) Diode varicap

În fig. 2.16b sa ilustrat dependenţa capacităţii de barieră de tensiunea pe joncţiunea pn. Se observă
din figura respectivă că, în polarizare inversă, în regim dinamic, joncţiunea pn poate fi considerată un
condensator a cărui capacitate este controlată în tensiune. Această facilitate este utilizată pentru realizarea
diodelor varicap, utilizate în circuite acordate, ce lucrează la frecvenţe din domeniul radio. O aplicaţie tipică
o constituie selectoarele de canale din televizoare, acordul pe un post făcându-se prin aplicarea unei tensiuni
anume pe diodele varicap din selector. Parametrii pentru dioda varicap BB139 sunt următorii [3]: VRM = 30
V; capacitatea totală la VR = 25 V este Ctot = 4,3...6 pF; pentru VR = 3 V, Ctot = 26...32 pF; IRM = 0,05 μA
pentru VR = 28 V.

e) Diode tunel

Aceste diode, descoperite în anul 1958 de japonezul Esaki, sunt formate dintr-o joncţiune pn abruptă,
puternic impurificată, realizată într-un monocristal de siliciu, germaniu sau galiu – arsen. Concentraţia de
impurităţi este de 1019 – 1021 cm-3. Caracteristica diodei tunel este în formă de n, având o zonă în polarizarea
directă în care prezintă rezistenţă negativă. Marele avantaj al acestor diode este că la tensiuni directe mici ele
nu prezintă fenomenul de stocare a sarcinilor electrice (fenomen prezent la diodele obişnuite) ceea ce face ca
frecvenţa de lucru să fie foarte mare (gigaherţi). Timpi de comutare al diodelor tunel sunt de ordinul
nanosecundelor. Rezistenţa diferenţială negativă a diodei tunel permite utilizarea sa în oscilatoare,
compensând pierderile în circuitul oscilant.
Alte tipuri de diode: diode Gunn, fotodiode (la care curentul prin structură depinde de iluminare),
LED – uri (Light Emitting Diode – dioda electroluminiscentă).

11
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

diodă semiconductoare, simbol standardizat

diodă semiconductoare, simbol nestandardizat
diodă varicap, simbol standardizat
diodă tunel, simbol standardizat
diodă Zener, simbol standardizat
A C
diodă Zener, simboluri nestandardizate

fotodiodă, simbol standardizat

diodă electroluminiscentă (LED),

simbol standardizat

Fig. 3.11. Simbolurile diodelor

În fig. 3.11 sunt ilustrate simbolurile diodelor uzuale [3].

Aplicaţia 3.2

Pentru dioda D din fig. 2.20 se cunoaşte curentul de saturaţie I0 = 1 pA şi coeficientul γ = 1.

Se cere:
a) Să se determine curentul IA şi tensiunea VA;
b) Să se determine rezistenţa internă a diodei în punctul static de R
funcţionare. IA
E 1 kΩ
VA D
Rezolvare 10 V

a) Pe circuitul din fig. 3.20 se poate scrie următoarea ecuaţie:

Fig. 3.12. Aplicaţia 3.2.
E = R  I A + VA .

Ecuaţia de dispozitiv (3.12) este:

  q VA  
I A = I 0  exp  − 1 .
  k T  
Soluţiile sistemului format din cele două ecuaţii se găsesc prin iteraţii succesive. Se atribuie uneia
din necunoscute (VA) o valoare estimată, apoi se calculează cealaltă necunoscută (IA). Valoarea pentru IA se
înlocuieşte în prima ecuaţie şi se calculează VA. Iteraţiile se continuă până când diferenţa între soluţiile
ultimilor doi paşi este suficient de mică.
Dioda D este polarizată direct (catodul este la cel mai scăzut potenţial din circuit). Ca urmare, putem
estima că VA = 0.
Iteraţia 1
E − V A 10 − 0
IA = = = 10 mA
R 1

12
 Joncţiunea pn; diode semiconductoare

  k T I   10 −2 
VA =  ln  A − 1  0,026  ln  −12 − 1 = 0,598V  0,6V
q  I0   10 
Notă: În relaţia anterioară s-a folosit kT/q = VT = 0,026 V, în care VT este tensiunea termică,
determinată pentru T = 300 K.
Iteraţia 2

E − V A 10 − 0,6
IA = = = 9,4 mA
R 1

  k T I   9,4  10 −3 
VA =  ln  A − 1  0,026  ln  −12
− 1 = 0,597 V  0,6V
q  I0   10 
Eroarea pentru VA între cele două iteraţii fiind foarte mică (sub 0,2 %), se acceptă ca soluţii ultimele
rezultate: VA = 0,6 V şi IA = 9,4 mA. De remarcat că rezolvarea iterativă conduce rapid către soluţiile
sistemului de ecuaţii, dacă se foloseşte o valoare de start pentru VA cât mai apropiată de cea corectă.
b) Rezistenţa internă se calculează cu relaţia (2.50):

  k T 0,026
Ri = =  2,766 
q (I A + I 0 ) 9,4  10 −3 + 10 −12

Aplicaţia 3.3

Pentru circuitele ilustrate în fig. 3.13 se va considera că diodele au:

a) VF = 0,7 V în polarizare directă;
b) IR = 0 în polarizare inversă.
Se cere să se calculeze potenţialele: V1, V2, V3, V4 şi curenţii: I1, I2, I3 şi I4.

VAA = +10,7 V VAA = +10,7 V VAA = +10,7 V VAA = +10,7 V

R1 R2
D3 D4
10 kΩ 10 kΩ
I3 I4
V1 V2 V3 V4
I1 I2
D1 D2 R3 R4
10 kΩ 10 kΩ

VBB = -10 V VBB = -10 V VBB = -10 V VBB = -10 V

a) b) c) d)
Fig. 3.13. Aplicaţia 3.3.

Rezolvare

În circuitul din fig. 3.13a, dioda D1 este polarizată direct deoarece catodul se află la cel mai negativ
potenţial din circuit. Ca urmare, VA = VF = 0,7 V. În fig. 3.14 s-au marcat ochiurile de circuit O1 şi O2 pe
care se pot scrie următoarele ecuaţii:

13
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

− V AA + R1  I1 + VF + VBB = 0

− V1 + VF + VBB = 0
VAA
R1
Rezultă:
O1
V1
V AA − VF − VBB 10,7 − 0,7 − ( −10)
I1 = = = 2 mA I1
R1 10 O2
D1
V1 = VF + VBB = 0,7 − 10 = −9,3V VBB

În circuitul din fig. 3.13b, dioda D2 este polarizată invers deoarece

anodul său se află la cel mai mic potenţial din circuit, astfel că:
Fig. 3.14. Aplicaţia 3.3a.
I2 = IR = 0

Aplicând legea lui Ohm pentru rezistenţa R2, se obţine:

V AA − V2 = R2  I 2  V2 = V AA − R2 I 2 = 10,7 − 10  0 = 10,7V

În circuitul din fig. 3.13c, dioda D3 este polarizată direct deoarece anodul se află la cel mai pozitiv
potenţial din circuit (VA = VF = 0,7 V). Pe ochiul de circuit ce cuprinde ca laturi căderile de tensiune VAA, V3
şi dioda D3 se poate scrie următoarea ecuaţie:
− V AA + VF + V3 = 0  V3 = V AA − VF = 10,7 − 0,7 = 10V

Aplicând legea lui Ohm pentru rezistenţa R2, se obţine:

V3 − VBB 10 − ( −10)
V3 − VBB = R3  I 3  I3 = = = 2 mA
R3 10

În circuitul din fig. 3.13d, dioda D4 este polarizată invers deoarece catodul său se află la cel mai mare
potenţial din circuit, astfel că:
I4 = IR = 0

Aplicând legea lui Ohm pentru rezistenţa R4, se obţine:

V4 − VBB = R4  I 4  V4 = VBB − R4 I 4 = −10 − 10  0 = −10V .

Bibliografie
1. O. Dragomirescu, D. Moraru, Componente şi circuite electronice pasive, Ed. BREN, Bucureşti, 2003.
2. N. Drăgulănescu, C. Miroiu, D. Moraru, ABC Electronica în imagini. Componente pasive, Ed. Tehnică,
Bucureşti, 1990.
3. N. Drăgulănescu, Agenda radioelectronistului, ediţia a II-a, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1989.
4. I. Liţă, M. Răducu, Componente şi circuite pasive, Îndrumar de laborator, Ed. Universităţii din Piteşti,
Piteşti, 1997.
5. S. Paşca, N. Tomescu, I. Sztojanov, Electronică analogică şi digitală, vol. 1, Ed. Albastră, Cluj-Napoca,
2004.
6. D. Dascălu, A. Rusu, M. Profirescu, I. Costea, Dispozitive şi circuite electronice, Ed. Didactică şi
Pedagogică, Bucureşti, 1982.
7. G. Vasilescu, Ş. Lungu, Electronică, Ed. Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1981.
14