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Gil Pinheiro
Circuitos de Comunicação
Circuitos Osciladores
Gil Pinheiro
xr(s) H(s)
Rede de
xr(s) H(s)
Redede
Red de
realimentación
realimentação
Em oscilação:
-1
G(jωosc)
ωosc)· H(jω
G(jω ωosc) = 1 Amplificador
Planta Saída
ωosc)· H(jω
G(jω ωosc) = 180º
H(jωosc)
Red de
Rede de
realimentação
realimentación
ωosc)
xe(jω
G(jωosc)
H(jωosc)
Red de
Rede de
realimentação
realimentación
ωosc)·G(jω
xe(jω ωosc)·H(jω
ωosc)
Prof. Gil Pinheiro
Condição de Oscilação
ωosc)
xe(jω
G(jωosc)
Entrada - Planta Saída
H(jωosc)
ωosc)·G(jω
xe(jω ωosc)·H(jω
ωosc) Redede
Red de
realimentación
realimentação
ωosc)·G(jω
Se |xe(jω ωosc)·H(jω
ωosc)| > |xe(jω
ωosc)| (implica em |G(jω
ωosc)·H(jω
ωosc)| >
1) quando a defasagem é de 180º, então podemos fazer com que a
saída do laço de realimentação tenha as funções da magnitude de
entrada
ωosc)
H(jω
Red de
realimentación
Prof. Gil Pinheiro
Condição de Oscilação
ωosc)·H(jω
De fato, se |G(jω ωosc)| > 1 quando a defasagem é 180º, as
magnitudes começarão a crescer constantemente
G(jωosc)
- Planta Saída
H(jωosc )
Red de
Rede de
realimentação
realimentación
G(jωosc)
- Planta Saída
H(jωosc )
Redede
Red de
realimentación
realimentação
ωosc)·H(jω
|Gpm(jω ωosc)| > 1
Observações:
Gpm(s): função de transferência de pequena magnitude
Ggm(s): função de transferência de grande magnitude
Prof. Gil Pinheiro
Condição de Oscilação
ωosc)
xe(jω
G(jωosc)
Entrada - Planta Saída
H(jωosc)
ωosc)·G(jω
xe(jω ωosc)·H(jω
ωosc) Redede
Red de
realimentación
realimentação
ωosc)·H(jω
Se |G(jω ωosc)| < 1, quando a defasagem é de 180º, então a
oscilação se extinguirá
G(jωosc)
H(jωosc )
Redede
Red de
realimentación
realimentação
Prof. Gil Pinheiro
Condição de Oscilação
Critério de Nyquist -1
G(jωosc)
Amplificador
Planta Saída
H(jωosc)
Redede
Red de
realimentación
realimentação
ω)·H(jω
G(jω ω) [º]
-1
G(jωosc)
Amplificador
Planta Saída 0
-60
40 40
0 0
Não
-40 -40 oscilará
ω)·H(jω
G(jω ω) [º] ω)·H(jω
G(jω ω) [º]
0 0
Oscilador
G(jωosc))
G(j
Amplificador
Planta Saída
H(jωosc) )
H(j
Rede
Red de
de
realimentação
A(jω)
Amplificador Saída
β(jω)
Red pasiva
Rede passiva
+
vgs g·vgs Rs
-
S
FET
ω)
A(jω
Amplificador Salida
β(jω
ω)
Red pasiva
G D
+ + +
ve vgs g·vgs Rs vs
- - -
S
Z1 ver
+
vsr Z3 -
-
Prof. Gil Pinheiro
Osciladores LC com três elementos reativos
G D
+ + + Z1·(Z2+Z3)
ve g·vgs vs Rs·
vgs Rs Z1+Z2+Z3
- - -
vs = -g· ·ve
S Z1·(Z2+Z3)
Rs +
Z1+Z2+Z3
Z2 +
Z3
Z1 ver vsr = ·ver
+
Z3 Z2+Z3
vsr -
-
ver = vs
Z2
Z1
Z3 Hartley
Z2
X2= -1/ωC2
X1=ωL1
1
fosc =
X3=ωL3 2π (L1+L3)C2
Hartley
G D
Colpitts + Rs·C1
vgs g·vgs Rs g· >1
C3
L2 C1
L2 C1
C3
C3
+ Vcc + Vcc
LCH LCH
* CS
CS
C3
C1
Prof. Gil Pinheiro
Realização prática de um Colpitts em “porta comum”
G D G D +
+ + vs osc
S
-
vgs g·vgs Rs
-
vs osc
* -
L2 C1
L2 C1
C3
C3
+ Vcc
+ Vcc
L2
LCH CD
L2 C1 +
L2 vs osc
C1 +
C3 -
vs osc
C3 -
+ Vcc
+ Vcc G D
D
* -
Prof. Gil Pinheiro
Realização prática de um Hartley em “supridouro comum”
G D
+ +
vgs g·vgs Rs vs osc
- -
S
+ Vcc
C2
L1 L1
L3 CD
C2 +
D
G
+ Vcc vs osc
L3 S
C2 +
L1 D vs osc
G CD2 -
L3 S
+ Vcc L1 C
2
L3
LCH
LCH
Prof. Gil Pinheiro
Osciladores LC com mais de três elementos reativos:
O oscilador de Clapp
G D
Condição de oscilação:
+
g·vgs Rs·C1
vgs Rs g· >1
- C3
S 1
fosc =
C2 C1·C2·C3
2π ·L2
C1·C2+C1·C3+C2·C3
L2
C1
• C2 não influi na condição
+ Vcc
G D
RG S CS
L2 C3
+
C1 LCH vs osc
Rs·C1
g· >1
+ Vcc
G D
RG S CS
L2 C3
+
RCF LCH vs osc
C1
C21
C2
Dados de Fabricante de Diodo Varicap (BB131)
• Símbolo:
• Interior do dispositivo:
Cristal
Placa
metálica
Terminais
Prof. Gil Pinheiro
Cristais piezelétricos
• Circuito equivalente de um cristal piezelétrico
R1 R2 R3
L1 L2 L3
C1 C2
CO
C3
R1 R2 R3 Z(f)
L1 L2 L3
C1 C2
CO
C3
Ω]
Im(Z(f)) [kΩ]
50
Comportamento
indutivo
f1 f2
Prof. Gil Pinheiro
Cristais piezelétricos
Modelo simplificado (em torno de uma das freqüências
onde se produz comportamento indutivo)
-1
10,0236 10,024 10,0244
f [MHz]
Prof. Gil Pinheiro
Cristais piezelétricos
Exemplo: cristal de µP de 10 MHz
Em outra escala
R = 20 Ω L = 15 mH C = 0,017 pF CO = 3,5 pF
Ω]
Im(Z) [kΩ
600
Margem de
comportamento indutivo R
≈25 kHz L
CO
0 C
-600
10 10,01 10,02 10,03
f [MHz]
Prof. Gil Pinheiro
Cristais piezelétricos
Calculando a impedância do modelo do cristal
L 1 1
(L·s + )
CO·s C·s 1 (L·C·s2 + 1)
Z(s) = = ·
1 1 CP·s (L·CS·s2 + 1)
C CO + L·s +
CO·s C·s
C·CO
sendo: CS = CP = C+CO
C+CO
Análise CA: s = jω
1 1
sendo: ω1 = ω2 =
L·C L·CS
Prof. Gil Pinheiro
Cristais piezelétricos
L
-j(ω1/ω2)2 (1 – (ω/ω1)2 1 1
Z(jω) = · ω1 = ω2 =
CO CO·ω (1 – (ω/ω2)2 L·C L·CS
C
• Se ω < ω1:
ω) = -j·(quantidade positiva) < 0, cristal possui comportamento
Z(jω
capacitivo
• Se ω1 < ω < ω2:
ω) = -j·(quantidade negativa) > 0, cristal possui comportamento
Z(jω
X(ω) Comp.
indutivo
Ω]
ω) [Ω
C = 0,017 pF CO = 3,5 pF 1000
XXtal(ω)
ω)), XXtal(ω
500
C1 = C3 = 100pF
ω)+XC3(ω
C1 = C3 = 500pF
-(XC1(ω
0
f [MHz]
10 10,002 10,004
Prof. Gil Pinheiro
Osciladores baseados na substituição de um indutor
por um cristal
Analiticamente:
XC1(ωosc)+XC3(ωosc)+XXtal(ωosc) = 0
-(ω1/ω2)2 (1 – (ωosc /ω1)2
XXtal(ωosc) = ·
CO·ωosc (1 – (ωosc /ω2)2
-1 -1
XC1(ωosc) + XC3(ωosc) = +
C1·ωosc C3·ωosc
CO
+ + + +
Xtal L C
vsr R1 ver vsr ver
- - - R1 ZXtal = jXxtal -
S CS
L2 C3
+ RL CL
C1 LCH vs osc
-
R1 Carga
+ Vcc
G D R2
S CS
L2 C3 CE
C1 LCH + RL CL
R3
vs osc
R1
-
ib
B C
O estudo e os resultados
Re β·ib
são praticamente
idênticos aos obtidos com
transistores de efeito de
E
campo
Z2 Z1 = j·X1
Z1 Z2 = j·X2
Z3 Z3 = j·X3
R1
CB R3 Oscilador Colpitts em
coletor comum com
CE1 transistor bipolar +
C1 LCH
+
R4 vs osc
R2 -
Prof. Gil Pinheiro
Circuitos para limitar automaticamente o ganho do
transistor (exemplo com JFET)
+ Vcc
G D
RG D1 C2 C3 S CS
L2 C1 +
LCH vs osc
-
Resistência de
G Thévenin
RG C2 C3 S
Hartley
Alimentação estabilizada
Colpitts
• Faixa de freqüência
• Estabilidade ⇒ Aumenta com o fator de qualidade (fator “Q”) da rede de
realimentação
• Potência (absoluta de saída sobre 50Ω ) e rendimento (Potência de sinal /
potência de alimentação)
• Nível de harmônicos e espúrios ⇒ potências relativas de um ou vários
harmônicos com relação a fundamental.
• “Pulling”, ou estabilidade com variação de carga ⇒ uso de etapas
separadoras (isoladoras)