Sedra ch4MOSFETs 21 11 19

Transístores de Efeito de campo MOS
Metal-Oxide Semiconductor (MOS)

Field-Effect Transistors (MOSFETs)
1
Introdução
- Transistores são dispositívos de três terminais
- A tensão entre dois terminais controla o fluxo de corrente no terceiro terminal.
- Utilizado em Amplificadores e chaves(comutadores on-off).
Comparado com o Transistor Bipolar de Junção (TBJ) (BJT: Bipolar Junction

Transistors ), os MOSTFETs:
- Podem ser mais pequenos (ocupando menor espaço).
- O processo de fabrico pode ser mais simples.
- Podem funcionar com pouca potência/energia.
- Podem ser densamente integrados (>200 miliões num único circuito integrado, Very-
large-scale-integrated circuit, VLSI).
- Funções digitais e analógicas podem ser implementadas quase exclusivamente com

MOSFETs( i.e., com muito poucos ou nenhuma resistência).
- Funções digitais e analógicas podem ser implementadas no mesmo circuito integrado (mixed-signal
Projecte).
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4.1 Estrutura do dispositivo e funcionamento físico
O MOSFET de intensificação (ou enriquecimento) é o FET mais amplamente utilizado
4.1.1 Estrutura do dispositivo – (MOFET de intensificação de canal n = NMOS de intensificação)
Intensificação = enhancement
0.2~100 μm
Source (S): Fonte

Drain(D): Dreno
Gate(G): Porta
Body (B): Corpo
2-~50 nm
0.1~3 μm
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MOS 3
Outro nome para o MOSFET:
FET de porta isolada, Insulated-gate FET, IGFET (almost no current through the gate : ~10-15 A)
4.1.2 Operação sem tensão na porta
Não há fluxo de corrente quando
Entre o dreno e a fonte: Duas junções p-n aplicamos um VDS pois RDS da ordem
de costas uma para a outra dos 1012 Ω
4.1.3 Criando um canal para o fluxo de i υGS > 0 repele as lacunas da região p e
atrai os electrões livres das zonas n+
Um canal n é formado no substrato de tipo p
camada de inversão (passa de p para n!).
- Se aplicarmos um vDS, a corrente flui através deste
canal (NMOS)
- Tensão de limiar (Threshold voltage) Vt : o valor
de υGS para o qual a quantidade de electrões livres
acumulados no canal é suficiente para formar um
canal condutor.(+0.5 ~ 1 V)
A porta e o canal formam um - A carga positiva na porta e os electrões no canal

condensador. originam um campo eléctrico.
Transistor de efeito de campo
Este campo eléctrico controla o fluxo de
corrente no canal. Field-Effect Transistor (FET) !
4.1.4 Aplicando um pequeno VDS (< 50 mV) (υGS – Vt)= Vov : Tensão efectiva, sobretensão
de condução ( overdrive voltage)
O dispositívo funciona como uma resistência cujo valor é determinado por υGS. A conductância do
canal é proporcional a υGS – Vt’ e logo iD é proporcional a (υGS – Vt) e υDS.
4.1.5 Funcionamento com o aumento de VDS.

À medida que υDS é aumentado, υGD =υGS – υDS diminui e
o canal assume uma forma afunilada, e a resistência entre
o dreno e a porta aumenta.
Em υGD =υGS – υDS = Vt or υDS = υGS - Vt , a profundidade
do canal no dreno é quase zero! – Diz-se que o canal está
estrangulado (pinched off).
Aumentando υDS acima desse valor tem, teóricamente, nenhum efeito Quando υDS
na forma e na corrente do canal: Saturação! υ pequeno ou 0 V
=υ -V DSsat
Copyright GS
© 2004 by t
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Tríodo Saturação
A curva dobra porque

a resistência do canal A corrente satura devido ao
aumenta com υDS estrangulamento do canal e ao facto
Quase uma linha de υDS não o afectar mais
recta com o declive
proporcial a υGS -Vt
O aumento de vDS faz com que o

canal fique com a forma
afunilada. Quando vDS = vGS –
Vt o canal fica estrangulado do
lado do dreno. Aumentando vDS
acima de vGS – Vt tem pouco
efeito (teoricamente nenhum)
na forma do canal
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4.1.6 Determinação da relação iD-vDS dq dq dx Capacidade por  ox
i= = Cox = (4.2)
dt dx dt unidade de área tox
Q = CV  = 3.9 = 3.9  8.854  10−12 = 3.45  10−11 F/m
ox 0
dq = −Cox (Wdx ) GS −  ( x ) − Vt  (4.3)

d ( x )
Campo eléctrico E( x) = − ( E = −V )
dx
Velocidade de deslocamento das cargas
dx d ( x )
= − n E ( x ) = n (4.4)
dt dx
d ( x )
i = − nCoxW GS −  ( x ) − Vt  i=iS=-iD
dx
d ( x )
i D = − i = nCoxW GS −  ( x ) − Vt 
dx
i D dx = nCoxW GS − Vt −  ( x ) d ( x ) Parâmetro da
transconductância
kn = nC ox (4.7)
L  DS
0
i D dx = 
0
nCoxW GS − Vt −  ( x ) d ( x )
W  1 2 
i D = kn   (GS − Vt ) DS −  DS  (Triode region) (4.5a)
W  1 2   L  2 
i D = ( nCox )   (GS − Vt ) DS −  DS  (4.5)
 L  2 
1 W 
iD = k  (GS − Vt )
2
2 n  L
No início da região de saturação, υDS= υGS-Vt (saturation region) (4.6a)

1 W  W 
D =  n ox  - Fifth
iMicroelectronic
( C )
Circuits  ( GS − V
Edition t)
2
(4.6)
Sedra/Smith
 L
Razão de aspecto do
Copyright :© 2004
Aspect ratio
by Oxford of the
University MOSFET
Press, Inc. Exemplo. 4.1 p148 7
2  L   MOSFET
4.1.7 O MOSFET de intensificação de canal p Foi originalmente dominante no fabrico dos
dispositivos MOS
É fabricado num substrato do tipo n com regiões
p+ para o dreno e para a fonte Foi virtualmente substituido pelo NMOS que é
Os portadores de carga são as lacunas. menor, mais rápido e necessita de uma tensão
de alimentação menor (poia a mobilidade dos
υGS, υDS, e Vt são negativos. A corrente fluí da electrões é maior do que as lacunas).
fonte para o dreno.
Mas os PMOS ainda são encontrados nos
4.1.8 Complementary MOS, or CMOS circuitos discretos e nos circuitos MOS
complementares (CMOS)!
CMOS é a tecnologia de CI
mais utilizada nos projectos
de circuitos analógicos e
digitais
Figure 4.9 Secção transversal de um circuito integrado CMOS. Note que o transístor PMOS é formado
numa região separada, do tipo n, conhecida como cavidade ou poço n. Outro arranjo tb possível é ter
um corpo tipo n e o dispositivo n é formado numa cavidade p. Não são mostradas as ligações que
devem ser feitas ao corpo tipo p e ao poço n; A serve©como
Copyright 2004 by terminal de Press,
Oxford University corpoInc.para o dispositivo canal p.
4.2 As características Corrente-Tensão Analíse detalhada das eqs 4.5 e 4.6
4.2.1 Símbolo para circuito do NMOSFET de intensificação
Sentido normal do fluxo de corrente
(b) Símbolo modificado com uma seta na fonte para indicar que o dispositívo é de
canal n
(c) Símbolo simplificado qaundo a fonte está ligada ao corpo ou quando o efeito do
corpo pode ser desprezado.
4.2.2 As características iD-vDS Amplificadores – Região de Saturação
Chave (Switch) – Regiões de corte

(Cutoff) e de tríodo
Para operação na região de tríodo:
GS  Vt (Induced channel) (4.8)
E υDS suficientemente pequeno

para que o canal permaneça
contínuo:
GD >Vt (Continuous channel) (4.9)
GD −  DS  Vt ,  DS  GS − Vt (Continuous channel) (4.10)
A υGD =υGS – υDS = Vt ou υDS = υGS - Vt , a profundidade do canal no dreno é quase zero! O
canal está estrangulado ( pinched off).
W  1 2 
Eq.(4.5) i D = kn (
 GS − V ) −  (4.11)
L 
t DS
2 DS 
W
Considerando vDS pequeno, obtemos: iD = kn (GS − Vt ) DS (4.12)
L
−1
 DS  W 
rDS  =  kn (VGS − Vt )  (4.13)
iD  DS small  L 
GS =VGS
VOV = VGS − Vt (4.14) gate-to-source overdrive voltage
O funcionamento do MOSFET como resistência linear é controlada pela sobretensão porta-fonte, Vov
 W  
rDS = 1  kn   OV 
V (4.15)
  L  
Para operação na região de saturação: GS  Vt (Induced channel) Igual
(4.16)à região de tríodo
GD  Vt (Pinched-off channel) (4.17) (υGD =υGS – υDS)  DS  GS − Vt (Pinched-off channel) (4.18)
Na fronteira entre as região de tríodo e saturação:

 1 2 
 DS = GS − Vt (Boundary) (4.19)
Eq.(4.5) i D = kn
W
(
 GS − Vt ) DS −  DS  (4.11)
L  2 
1 W
iD = kn (GS − Vt )2 (4.20) Saturation current
Eq.(4.20) Corrente de saturação: 2 L
(1) Independente de vDS. (2) Proporcional ao quadrado de VGS-Vt
(3) MOSFET em saturação funciona como uma fonte de corrente ideal.
Figure 4.13 Modelo

equivalente para grandes
sinais dum NMOSFET na
região de saturação
Na fronteira entre regiões de tríodo e
saturação:
 DS =  GS − Vt (Boundary) (4.19)
W  (4.11) 1 2 
Eq.(4.5) i D = kn (
 GS − Vt ) DS −  DS  (4.11)
L  2 
1 W
iD = kn (GS − Vt )2 (4.20) Saturation current
2 L
1 W 2
iD = kn  DS (4.21) Saturation current
2 L
Figure 4.14 Níveis relativos das tensões nos

terminais do NMOSFET de intensificação
para funcionamento nas regiões de tríodo e
saturação.
1 W
4.2.3 Resistência finita na região de saturação iD = kn (GS − Vt )2 (4.20) Saturation current
2 L
A Eq.(4.20) mostra que iD é independente de υDS
Mas, na prática, aumentando υDS acima de υDSsat afecta o comprimento do canal.
O fenómeno que reduz o comprimento do

canal de L para L-ΔL é conhecido como
modulação do comprimento do canal.
Figure 4.15 Aumentando vDS acima de vDSsat faz com que o ponto de estrangulamento do
canal afaste ligeiramente do dreno, reduzindo o comprimento efectivo do canal (de ΔL).
Assuming L =   DS , 1 W   
iD = k  1 +  DS  (GS − Vt )2
2 n L  L  (1+x)a=(1+ax) se x<<1

let  = , process-technology parameter (V -1 )
L
1 W
iD = kn (GS − Vt )2 ( 1 +  DS ) (4.22)
2 L
Considerando ainda VA = 1 /  , Early voltage
VA = VA L : V  = 5~50 [V/m], entirely process-techology parameter
1 W
i D = kn (GS − Vt )2 ( 1 +  DS ) (4.22)  : [V -1 ]
2 L
kn W
-1 -1
 i   
ro   D  (4.23) ro =   (VGS − Vt )2  (4.24)
  DS GS constant  2 L 
1 W 1
let I D = kn (VGS − Vt )2 , ro = (4.25) VA = 1 / 
2 L  ID
VA
ro = (4.26)
ID
4.2.4 Caracteristícas do MOSFET de intensificação canal p
GS  Vt (Induced channel) (4.27)  SG  Vt k p =p C ox (4.30)

Tríodo
W  1 2 
i D = k p ( − V ) −  DS  (4.29)
 DS  GS − Vt (Continuous channel) (4.28) L  GS

t DS
2 
Saturação
 DS  GS − Vt (Pinched-off channel) (4.31)

1 W
iD = k p (GS − Vt )2 ( 1 +  DS ) (4.32)
2 L
4.2.5 O papel do substato – O efeito de corpo
-Geralmente, o terminal da fonte está ligado ao substrato

- Nos circuítos integrados, muitos MOSFETs são fabricados num único substrato
- De modo a manter as condições de corte para todas as junções substrato-canal,
o substrato geralmente é ligado à alimentação mais negativa no circuito NMOS
(mais positiva num circuito PMOS).
- A polarização inversa alarga a região de deplecção.
- A profundidade do canal é reduzido.
- Para recuperar a profundidade do canal, υGS tem de ser aumentado.
Vt = Vt +  [ 2 f + VSB − 2 f ] (4.33)
2 f ( physical − parameter ) = 0.6 V
2qN A s
 (body − effect − parameter ) = (4.34)
Cox
O efeito de corpo pode causar degradação
considerável no desempenho do circuito (Cap. 6)
4.2.6 Efeito da temperatura
Vt e k’ diminuem com o aumento da temperatura. O efeito global é a diminuição
da corrente do dreno pois o efeito do k’ é dominante.
- Este resultado muito interessante é utilizado na aplicação do MOSFET em
circuitos de potência (Cap. 11).
4.2.7 Ruptura e proteção da entrada
Avalanche suave : υDS (20~150 V) ruptura entre o dreno e o substrato resultando
num aumento relativa/ rápido da corrente
- Perfuração (punch-through) : υDS (~20 V) ruptura entre dreno e fonte para

dispositivos de canal curto, qdo a região de depleção do dreno atinge a fonte. A
corrente do dreno aumenta rapidamente mas normal/ não danifica o MOSFET
- υGS (>30 V): ruptura do óxido da porta, danificando o Protecção da porta
MOSFET. Sendo V=Q/C e a capacidade Cox muito
pequena, pequenas quantidades de cargas estáticas que
se acumulam na porta podem exceder esse valor. Para
evitar isso são incluídos dispositivos nos terminais de
entrada dos CIs MOS mas que diminuem a sua
impedância de entrada. Copyright © 2004 by Oxford University Press, Inc.
18
19
20
21
4.3 Circuitos com MOSFET em CC (Análise da polarização)
- Desprezar modulação do comprimento do canal • Para operação na região de tríodo,
- Sobretensão de condução VOV=VGS-Vt (VOV, Vt > 0, para NMOS) GS  Vt (Induced channel) (4.8)
- Para PMOS VSG=|VGS|=|Vt |+|VOV|  DS  GS − Vt (Continuous channel) (4.10)
• Para operação na região de saturação,
EXEMPLO 4.2
Vt=0.7 V, μnCox =100 μA/V2, L=1 μm, W =32 μm
 DS  GS − Vt (Pinched-off channel) (4.18)
Projecte o circuito de modo que ID = 0.4 mA e VD = +0.5 V
Sendo VD > VG (ou 0.5V > 0 V), região de saturação!
1 W
Eq. 4.6a, ID = nCox (VGS − Vt )2
2 L
Substituting VGS − Vt = VOV , I D = 400  A, nC ox = 100  A/V 2 , W / L = 32,
1 32 2
400 =  100  VOV
2 1
VOV = 0.5 V
VGS = Vt + VOV = 0.7 + 0.5 = 1.2 V
Logo a tensão da fonte será VG-VGS=0-1.2 V=-1.2 V
VS − VSS VDD − VD
RS = RD =
ID ID
−1.2 − ( −2.5) 2.5 − 0.5
= = 3.25 k = = 5 k
0.4 0.4
EXEMPLO 4.3
Projecte o circuito para obter ID = 0.08 mA.
R=? VD = ?, μnCox =200 μA/V2, L=0.8 μm. • Para operação na região de tríodo,
 DS  GS − Vt (Continuous channel) (4.10)
VDS = VGS, Região de saturação 1 W

ID = nCox (VGS − Vt )2
2 L
1 W 2
= nCox V
2 L OV
Determinação de VGS!
2I D VGS = Vt + VOV = 0.6 + 0.4 = 1 V

VOV =
nC ox (W / L)
2  80 VDD − VD
= = 0.4 V R=
200  (4 / 0.8) VD = VG = +1 V ID
3−1
= = 25 k
0.080
EXEMPLO 4.4 Vt=1 V, k’(W/L) 1 mA/V2
Projecte o circuito de modo que VD = +0.1 V.
Qual a resistência efectiva entre o dreno e a fonte?
• Para operação na região de tríodo,

 DS  GS − Vt (Continuous channel) (4.10)

Sendo VD < VG, e Vt =1 V, região de tríodo!

W  1 2 
I D = kn  (VGS − Vt ) DS −  DS  = 0.395 mA
L  2 
VDD − VD 5 − 0.1
RD = = = 12.4 k
ID 0.395
Na prática escolheremos, 12 kΩ, 5%
VDS 0.1
rDS = = = 253 
ID 0.395
Exemplo 4.5 Vt = 1 V, kn (W / L) = 1 mA/V 2 ,  = 0
RG 2 10
VG = VDD = 10  = +5 V
RG 2 + RG 1 10 + 10
ID = ?
I =?
VD = ?
VG = ?
VS = ?
Supondo que o MOSFET está na região de saturação: VGS = 5 − 6 I D

1 W

1
I D = kn (VGS − V) =  1  (5 − 6 I D − 1)2
2
18 I D2 − 25 I D + 8 = 0
2 L 2
I D = 0.5 mA VS = 0.5  6 = +3 V VGS = 5 − 3 = 2 V
VD = 10 − 6  0.5 = +7 V Região de saturação! Confirmando a suposição inícial.

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Exemplo 4.6 Vt= -1 V, k’(W/L) 1 mA/V2
- Projecte o circuito de modo que o transistor
funcione na região de saturação com ID = 0.5
mA e VD = +3 V.
- Qual o valor máximo que RD pode ter para que
o MOSFET continue em saturação?
1 W I D = 0.5 mA, k 'pW / L = 1 mA/V 2

I D = k p (VGS − Vt )2
2 L
1 W 2
= k p V
VOV = −1 V
2 L OV
VGS = Vt + VOV = −1 − 1 = −2 V
VG=V
VG GSshould be 3 V
+ VS =-2V+5V=3V
Assim, uma possível seleção será RG1=2 MΩ, RG2= 3MΩ
VD 3
RD = = = 6 k
I D 0.5
- Sobretensão de condução VSG=|VGS|=|Vt |+|VOV| para PMOS
4
VDmáx=|Vt| + VG = 1 V + 3V= 4 V RD = = 8 k
0.5 26
Exemplo 4.7 Vt= ±1 V, k’(W/L) 1 mA/V2 para NMOS e PMOS
-Determine iDN, iDP, υO, for υI =0 V, +2.5 V, e -2.5 V.
Para υI =0 V,
- QN and QP estão perfeitamente casados -Funcionam com Equal |VGS| (2.5 V)
-O circuíto é simétrico. Vo deverá ser 0 V - Logo |VDG| = 0 V.
- Logo região de saturação I DP = I DN = 12  1  (2.5 − 1)2

= 1.125 mA
Para υI =+2.5 V - Para QP, VGS = 0 V, corte ! υO negativo devido ao IDN.
υGD maior que Vt. Para QN, tríodo !
I DN  kn (Wn / Ln )(VGS − Vt )VDS

= 1[2.5 − ( −2.5) − 1][O − ( −2.5)]
0 − O
and also, I DN (mA) =
10 (k )
I DN = 0.244 mA,  O = −2.44 V
Para υI = -2.5 V
- Complemento exacto da situação de +2.5 V
- QN estará em corte.
I DN = 0 Qp, tríodo !
I DP = 0.244 mA,  O = 2.44 V
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4.4 O MOSFET como Amplificador e como Comutador (Switch)
O MOSFET como uma fonte de corrente controlada por tensão Amplificador de Transconductância
iD υGS Região de Saturação !!!
1 W
iD = kn (GS − Vt )2 (4.20) Saturation current Não linear !
2 L
Para amplificação linear, necessitamos de tensão de polarização CC VGS e um sinal de entrada υgs pequeno.
4.4.1 Operação para grandes sinais: 4.4.2 Derivação Gráfica das Características de Transferência
Características de transferência
 DS = VDD − RD i D (4.36)
Estrutura básica do amplificador
Fonte –Comum (FC) VDD 1
iD = −  (4.37)
RD RD DS
Equação da recta de
carga (Load-line)
Para uma dada entrada υI(υGS),

podemos determinar a saída υO (υDS).
Microelectronic
O =  DS = V DD −- R
Circuits D iD
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 O =  DS = VDD − RD i D (4.35)
4.4.2 Derivação Gráfica das υO
Características de Transferência
υI = υGS
4.4.3 Funcionamento como comutador ( Switch)

Desligado (Turn off) : υI < Vt, algures em XA Ligado (Turn on) : υI próximo de VDD, próximo de C
Inversor Lógico Digital !
4.4.4 Funcionamento como Amplificador Linear
d O
A  (4.38)
Entre A e B
d I  I = VIQ
4.4.5 Expressão Analítica da característica de Transferância
Região de corte, XA: υI < Vt, υO = VDD
Região de Saturação, AQB: υI ≥ Vt, υO ≥ υI - Vt
 O = VDD − RD i D 1 W 
iD = ( nCox )   ( I − Vt )
2
2  L 
1 W 
O = VDD − RD nCox   ( I − Vt )
2
(4.39)
2  L 
At Q, d O W
A  A = − RD nCox (V − Vt ) (4.40)
d I  I = VIQ
L IQ
VIQ − Vt = VOV
Para o ponto Q, υI = VIQ, υO = VOQ ,
VRD =VDD - VOQ
2(VDD − VOQ ) 2VRD
A = − =− (4.41)
VOV VOV
Ponto final da região de saturação VOB = VIB − Vt (4.42)
Região de Tríodo BC: υI ≥ Vt, υO ≤ υI - Vt

W  1 2  W 
 O = VDD − RD i D i D = nCox   [( I − Vt )O − 2 O O = VDD 1 + RD nCox ( I − Vt )O  (4.43)
 L   L 
 W 1 2  W  rDS
O = VDD − RD nCox (
 I − V ) −  rDS = 1  nCox ( I − Vt ) , O = VDD
2 O 
(4.44)
rDS + RD
t O
 L  L 
W pequeno
O  VDD − RD nCox ( I − Vt )O Geralmente rDS << RD, rDS
L O = VDD (4.45)
RD
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Vejam Press,oInc.
em casa Exemplo 4.8, p.277 31
4.5 Polarização (Biasing) de Amplificadores MOD
4.5.1 Polarização fixando VGS Grande ΔID !, Pouco prático!
A variação nos valores dos parâmetros Vt, k e W/L é grande em
MOSFETs supostamente iguais.
4.5.2 Polarização com VG fixo e com resistência na fonte

- Bom para MOSFETs discretos 1 W
ID = nCox (VGS − Vt )2
2 L
4.5.3 Polarização usando uma resistência de realimentação
do Dreno para a Porta - Bom para MOSFETs discretos
Figure 4.29 A utilização de polarização fixando VGS pode
resultar numa larga variedade de valores de ID. Os dispositivos
4.5.4 Polarização com fonte de corrente constante 1 e 2 representam extremos em dispositivos supostamente iguais.
- Bom para CI
4.5.2 Polarização com VG fixo e com resistência na fonte - Para dados VG e RS,
Técnica de polarização excelente para MOSFETs discretos
VG = VGS + RS I D (4.46)
ID =
1
2
W
( nCox ) 
 L
 }
 (VGS − Vt ) (a)

2
ID, VGS podem ser
determinados
- Para dois FETs semelhantes, Pequeno ΔID
- Para um FET,
VG fixo e ID aumenta. –> (4.46) VGS diminui.
–> (a) ID diminui.–> ID estabiliza.
Rs providencia realimentação negativa resultando num
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D estabilizado. Rs : Resistência
University Press, Inc. de Degeneração 32
(a) Circuíto básico
(c) Implementação prática (d) Acoplamento de uma fonte de sinal à
com apenas uma fonte. porta usando um condensador CC1
Para as Fig.s c e d
- RG : ~ MΩ para termos uma impedância de entrada elevada para a fonte de sinal (Fig. d)
- CC1 : Capacidade elevada, de acoplamento, para bloquear a componente DC do sinal de

entrada, para não perturbar a polarização. Aceitável apenas em circuitos discretos (Sect.
4.7).
- RD : Suficientemente elevada para obter ganho elevado, suficientemente pequena para

permitir variação e funcionamento em saturação. (Ex4.6)
Para a Fig. e
- RG : Para ter a porta ligada à massa em CC
Para uma impedância de entrada elevada para a fonte de sinal.
(e) Implementação prática usando duas fontes

Microelectronic
de alimentação Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith Copyright © 2004 by Oxford University Press, Inc. 33
Exemplo 4.9
Projecte! Vt=1 V, k’(W/L) 1 mA/V2
Resolução: Como regra prática para o projecto,
Um terço da tensão de alimentação através de RD, MOSFET e RS.
VDD − VD 15 − 10
RD = = = 10 k
ID 0.5
VS 5
RS = = = 10 k
RS 0.5
I D = 12 kn (W / L)VOV
2
0.5 = 12  1  VOV
2
VGS = Vt + VOV = 1 + 1 = 2 V
VG = VS + VGS = 5 + 2 = 7 V
Figure 4.31 Circuit for Exemplo 4.9.
4.5.3 Polarização usando uma resistência de realimentação do Dreno para a Porta
- Bom para MOSFETs discretos
- RG : Resistência de realimentação ~ MΩ
VGS = VDS = VDD − RD I D VDD = VGS + RD I D (4.49)

1 W 
ID = ( nCox )   (VGS − Vt ) (a)
2
2  L 
- Feedback mechanism – negative feedback or degeneration
ID increases. – (4.49) VGS decreases. – (a) ID decreases.
ID is stabilizes !
- Bias for Common source amplifier Porque não curto circuitar a
- Drawback of a limited output voltage swing. porta e o dreno em vez de RG?
4.5.4 Polarização com fonte de corrente constante

- Good for IC - RG : ~ MΩ for large input impedance to the
signal source, for a dc ground at the gate.
- RD : for dc voltage at the drain, for output
signal swing, for operation in saturation.
- Constant-current source : Q1 is the heart of the circuit
Drain is shorted to the gate – saturation !
1 W 
I D1 = kn   (VGS − Vt )2 (4.50)
2  L 1
I D1 = I REF
V + VSS − VGS
= DD
R
}
(4.51)
ID1, VGS can be
determined.
1 W 
I = I D2 = kn   (VGS − Vt )2 (4.52) ID2 can be determined.
2  L 2
(W / L)2 What about Projecte ? Implementation of the constant-current
I = I REF (4.53) source using a current mirror.
(W / L)1 D4.22, p286
4.6 Funcionamento e modelos para pequenos sinais
1 W
For dc bias current, I D = kn (VGS − Vt ) 2 (4.54)
2 L
VDS = VD = VDD − RD I D (4.55) For saturation, we must have VD  VGS − Vt
4.6.2 The signal current in the drain terminal

GS = VGS +  gs (4.56)
1 W
iD = kn (VGS +  gs − Vt )2
2 L
1 W W 1 W 2
= kn (VGS − Vt )2 + kn (V − Vt ) gs + k   (4.47)
2 L L GS 2 n L gs
dc bias current Current proportional to input Nonlinear distortion
To reduce the nonlinear distortion,

Figure 4.34 Conceptual circuit utilized to study  gs << 2(VGS − Vt ) (4.58)
the operation of the MOSFET as a small-signal 1 W 2 << W
kn  gs kn (V − Vt ) gs
or  gs
amplifier.
2 L L GS << 2VOV (4.59)
If this small-signal condition is satisfied,
W
i D I D + id (4.60) where id = kn (V − Vt ) gs
L GS
id W
gm  = kn (V − Vt ) (4.61) transconductance
 gs L GS
W
gm = kn (V ) (4.62)
L OV
i
gm  D (4.63)
 GS  = V
GS GS
4.6.3 O ganho de tensão d
A  = − gm RD (4.65)
 gs
For small-signal
condition
 D = VDD − RD i D For out of cutoff

Under the small-signal condition,
 D = VDD − RD ( I D + id )
 D = VD − RD id
signal component: For saturation

 d = − id RD = − gm gs RD (4.64)
Figure 4.36 Total instantaneous voltages vGS and vD for the

circuit in Fig. 4.34.
4.6.4 Separating the DC Analysis and the Signal Analysis
For the signal analysis,
Ideal constant voltage sources are replaced by short circuits.
Ideal constant current sources are replaced by open circuits.
4.6.5 Modelo equivalente para pequenos sinais: o modelo π-híbrido
FET behaves as a voltage-controlled current source.
The input impedance is very, very high.
The output impedance is also high. Modelo π-híbrido
Small-signal models for the MOSFET
(a) neglecting the dependence of iD (b) including the effect of channel-

on vDS in saturation (the channel-
length modulation, modeled by output
length modulation effect resistance ro = |VA| /ID.
To include the channel-length modulation,
V
ro = A (4.66) (Eq. 4.26 in Sect. 4.2.3), VA = 1/ 
ID
1 W 2
I D = kn V (4.67)
2 L OV For PMOS,
 use VGS , Vt , VOV , VA , k 'p
A  d = − gm ( RD //ro ) (4.68)
 gs
4.6.6 The Transconductance gm
gm = kn (W / L)(VGS − Vt ) = kn (W / L)VOV (4.69)=(4.61)
- For large gm, we need large (W/L) and (VGS - Vt).
- However, large VG has disadvantage of reducing the
allowable voltage signal swing at the drain.
1 W
Eq. 4.6a, I D = nCox (VGS − Vt )2
2 L
Vov=
gm = 2kn W / L I D (4.70)
cf.) Transconductance of BJT is proportional to the bias current
and independent of physical size and geometry of the device.
Practical Exemplo
k  = 120  A/V 2 , I D = 0.5 mA
- gm = 0.35 mA/V for W/L =1
- gm = 3.5 mA/V for W/L =100
- gm = 20 mA/V for BJT with IC = 0.5 mA.
1 W
Eq. 4.6a, I D = nCox (VGS − Vt )2
2 L
kn (W / L) = 2 I D /(VGS − Vt )2 Three Projecte Parameters
2I D 2I
gm = = D (4.71) W/L, VOV, ID
VGS − Vt VOV
Two the above can be chosen independently.
Exemplo 4.10 Sol) gm = kn (W / L)(VGS − Vt ) VGS = VD = ?
Vt=1.5 V, kn’ (W/L) =0.25 mA/V2, VA = 50 V. 1 W
ID = kn (VGS − Vt )2
Small-signal gain=?, input resistance=?,
maximum input signal =?
Eq. 4.6a,
2 L
VD = 15 − RD I D = 15 − 10 I D (4.74)
}
VA i
ro = (4.66) Rin  =?
ID ii
o
o = − gm  gs ( RD // RL //ro ) A = = − gm ( RD // RL //ro )
i
= −0.725(10 // 10 // 47) = −3.3 V/V
i 
o 
ii = ( i −  o ) / RG = 1− 
RG  i 
 4.3 i i RG
= i [1 − ( −3.3)] = Rin  = = 2.33 M
RG RG ii 4.3
To stay in saturation region,
 DS min = GS max − Vt
 DS  GS − Vt
   
VDS − A  i = VGS +  i − Vt 4.4 − 3.3 i = 4.4 +  i − 1.5

 i = 0.34 V
4.6.6 O modelo T
Modelo π-híbrido
Modelo T
small-signal Equivalent Circut Model when VSB = 0 (i.e., No Body Effect)
small-signal Equivalent Circut Model when VSB  0 (i.e., Including Body Effect)
Table 4.2
4.7 Caracterizando
amplificadores
4.7 Amplificadores MOS de estágio simples
IC MOS amplifiers : Chap. 6 4.7 is useful to understand IC amplifier.
4.7.2 Characterizing Amplifiers
The material of Sect. 1.5 was limited to unilateral amplifiers.
Now, let’s include non-unilateral amplifiers.
1. Source : υsig + Rsig. Real signal source or previous amplifier.

Load : RL. Real load or previous amplifier.
2. Ri, Ro, Aυo, Ais, Gm do not depend on the value of Rsig and RL.
Rin, Rout, Aυ, Ai, Gυo, Gυ may depend on the value of Rsig and RL.
Ri = Rin RL = , Ro = Rout Rsig =

3. For non-unilateral amplifiers, Rin may depends on RL, Rout may
depends on Rsig.
For unilateral amplifiers, Rin = Ri, Rout = Ro.
4. The loading of the amplifier on the signal is determined by the
input resistance Rin.
5. When evaluating the gain Aυ from the open-circuit gain Aυo, Ro is
the output to use.
When evaluating the overall voltage gain Gυ from its open-circuit
value Gυo, Rout is the output to use.
Exemplo 4.11, p304 RL  Rsig   Rout  
υsig = 10 mV, Rsig= 100 kΩ. RL. = 10 kΩ G = G o Rin = R  1 +   − 1
RL + Rout RL = 0 sig
 Ri   Ro  
10 = 81.8 k
υi (mV) υo (mV) 7=9
10 + Rout Rout = 2.86 k
w/o RL 9 90
i Rin 8 Rin iosc = A o ii Rin / Ro
with RL 8 70 = = RL = 0
 sig Rin + Rsig 10 Rin + 100
Find all the amplifier parameters. Rin = 400 k iosc
W/O RL , ( RL =  ) A io  = 10  81.8 / 1.43
short-circuit transconductance ii
90 = 572 A/A
A o = = 10 V/V Gm =
A o
=
10
= 7 mA/V
9 Ro 1.43
90  /R  R
G o = = 9 V/V A o = o L = o in
10  i / Rin  i RL
Ri
G o = A Rin
Ri + Rsig  o = A = 8.75 
400
= 350 A/A
RL 10
Ri
9=  10 let's find short-circuit current gain
Ri + 100
Ais = iosc / i i , iosc = A o i / Ro
Ri = 900 k
70 To determine υi, we need to know the
with RL connected, A = = 8.75 V/V value of Rin obtained with RL=0.
8
70 iosc = G o sig / Rout
G = = 7 V/V
10 Ri
RL G o = A
A = A o Ri + Rsig  o
RL + Ro
Rin RL = 0
10  i =  sig
8.75 = 10 Ro = 1.43 k Rin + Rsig
10 + Ro RL = 0
4.7 Amplificadores MOS de estágio simples discretos
Amlificadores MOS integrados : Cap. 6 O subcapítulo 4.7 é útil para perceber os amplificadores MOS integrados!
4.7.2 Estrutura básica
Fig. 4.42 Estrutura básica do circuito utilizado para implementar os amplificadores MOS de estágio simples discretos.
Cap. 4 : apenas amplificadores unilaterais

Cap. 6 : amplificadores não unilaterais também
4.7.3 Amplificadores Fonte Comum (FC) - O amplificador com MOSFETs mais utilizado!
gm = kn (W / L)(VGS − Vt ) = kn (W / L)VOV (4.69)=(4.61)
Condensador de gm = 2kn W / L I D (4.70)
acoplamento (~μF) 2I D 2I
gm = = D (4.71)
VGS − Vt VOV
Condensador de acopla-
mento (~μF), para fazer
com que o sinal variável
fique aterrado.
(b) Circuito equivalente do amplificador para analíse de pequenos sinais

ig = 0 Rin = Ri = RG (4.78)
RG (~M ) >> Rsig  i   sig
Rin RG
 i = sig = sig (4.79)
Rin + Rsig RG + Rsig  gs =  i A = − gm ( ro RD RL ) (4.80)
}
 o = − gm gs ( ro RD RL ) A o = − gm ( ro RD ) (4.81)
Rin
G = A
Rin + Rsig 
Rout = ro RD (4.83)
RG
= g ( r RD RL ) (4.82)
RG + Rsig m o
4.7.3 Amplificadores Fonte Comum (FC)
(c) Analíse para pequenos sinais realizada directamente no circuito equivalente AC

utilizando o modelo para pequenos sinais implicitamente (sem sbstituí-lo na figura)
4.7.4 Amplificador Fonte Comum (FC) com uma resistência na fonte
RSac
gm ( RD RL )
 o = − id ( RD RL ) = − i
RSdc 1 + gm RS
(b) Circuito equivalente para pequenos sinais(com o modelo

T e ro desprezado)
O efeito de ro deve ser levado O efeito de ro não é importante em amplificadores discretos
em com em amp. integrados o g ( R RL ) gm RD
A = =− m D (4.88) A o = − (4.89)
i 1 + gm RS 1 + gm RS
Rin = Ri = RG (4.84)
o RG gm ( RD RL )
RG G = = (4.90)
 i = sig (4.85)  sig RG + Rsig 1 + gm RS
RG + Rsig
1 1 / gm i - Rs aumenta a estabilidade da polarização DC Compromisso
 gs = i = i =
}
(4.86) - Rs diminui υgs reduzindo a distorção não linear.
gm 1/ gm + RS 1 + gm RS entre ganho de
(4.86), (4.58)
i gm i tensão e as
- Rs aumenta a largura de banda (Sect. 4.12).
id = i = = (4.87) outras
1/ gm + RS 1 + gm RS - Rs diminui o ganho de tensão. (4.90)
vantagens! 51
4.7.5 O amplificador Porta Comum (PC) (b) Circuito equivalente
para pequenos sinais
(c) Substituindo a fonte de sinal

de tensão por uma fonte de
corrente
1 gm ( RD RL )
Rin = (4.91) Rin = Ri = RG (4.84 CS) G = (4.96b)
gm 1 + gm Rsig
Rin
 i = sig (4.92) RG gm ( RD RL )
Rin + Rsig G = (4.90 CS)
RG + Rsig 1 + gm RS
1
gm 1
 i =  sig =  sig (4.93) Rout = Ro = RD (4.97) same as in CS
1 1 + gm Rsig
+ Rsig
gm
Rin Rsig
1 Using Fig. 4.45(c), ii = isig = isig (4.98)
Rsig >> Rin + Rsig 1
gm Rsig +
gm
i i Normally, Rsig >> 1 / gm , ii  isig (4.98a)

ii = = = gm i
Rin 1 / gm Amplificador com ganho de corrente unitário, seguidor ou buffer de corrente !
id = i = − ii = − gm i
1. FC é inversor, PC não é inversor.
 o =  d = − id ( RD RL ) = gm ( RD RL ) i
2. FC tem impedância de entrada muito elevada, PC tem impedância de
entrada baixa.
A = gm ( RD RL ) (4.94)
3. O Gv, ganho total de tensão, do PC é menor que o Gv do FC pelo
A o = gm RD (4.95) factor 1+ gmRsig.
1
Rin gm A
G = A = A = (4.96a)
Rin + Rsig 1 1 + gm Rsig
+ Rsig
gm
4.7.5 O amplificador Dreno Comum (DC) ou seguidor de fonte
ac ground
(b) Small-signal equivalent-circuit model.
(c) Small-signal analysis performed directly on (d) Circuit for determining the output resistance Rout of the
the circuit. source follower.
Circuito equivalente Normally, ro >> 1 / gm , A o  1 Significa que a tensão na fonte segue
para pequenos sinais a tensão da porta: Seguidor de Fonte!
In many discrete-circuit application, ro >> RL ,

RL
A o  (4.102a)
1
RL +
gm
RG RL ro For RG Rsig , ro 1 / gm , ro RL ,
G = (4.104)
RG + Rsig 1
( RL ro ) + G  1
Rin = RG (4.99) gm
Circuito para determinação de Rout

1
Rout = ro (4.105)
Rin RG gm
 i = sig =sig (4.100)
Rin + Rsig RG + Rsig
Normally, ro >> 1 / gm ,
Usually, RG >> Rsig ,  i   sig
1
RL ro Rout  (4.106)
 =  i (4.101) gm
1
( RL ro ) +
gm
RL ro O seguidor de fonte tem a impedância de entrada muito elevada,

A = (4.102) a impedãncia de saída relativamente baixa,
1
( RL ro ) + um ganho de tensão ligeiramente menor do que 1.
gm
ro → Estágio de saída de amplificadores multi-estágio !
A o = (4.103)
1
ro +
gm Amplificador Buffer de Tensão de ganho unitário ! (Sect. 1.5)
O amplificador Fonte Comum (FC)
O amplificador Fonte Comum

(FC) com Resistência na fonte
O amplificador Porta
Comum (PC)
O amplificador Dreno Comum (DC) ou seguidor de fonte
Taylor expansion, (1+x)-1 =1- x+ x2/2-….
4.8 As capacidades internas do MOSFET e o modelo para altas frequências
Se a fonte estiver ligada ao substrato (VSB=0): Se ainda desprezarmos Cdb
4.8.4 A frequência de ganho unitário fT
fT varia de 100 MHz (para tecnologias mais

antigas com L=5μm até muitos GHz para
tecnologias mais recentes (L inferior a 0.13 μm)
4.9 Resposta em frequência do amplificador FC
Faixa de passagem ou Largura de Banda (Band Width), LB= fH-fL
Produto GLB=|AM|LB=Constante
4.9.2 Resposta em altas frequências

4.9.2 Resposta em baixas frequências
Selecionando valores para os condensadores de acoplamento e de derivação

Sedra ch4MOSFETs 21 11 19

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Transístores de Efeito de campo MOS

Metal-Oxide Semiconductor (MOS)

- Transistores são dispositívos de três terminais

- A tensão entre dois terminais controla o fluxo de corrente no terceiro terminal.

- Utilizado em Amplificadores e chaves(comutadores on-off).

Comparado com o Transistor Bipolar de Junção (TBJ) (BJT: Bipolar Junction

- O processo de fabrico pode ser mais simples.

- Podem funcionar com pouca potência/energia.

- Funções digitais e analógicas podem ser implementadas quase exclusivamente com

4.1.1 Estrutura do dispositivo – (MOFET de intensificação de canal n = NMOS de intensificação)

Source (S): Fonte

A porta e o canal formam um - A carga positiva na porta e os electrões no canal

4.1.5 Funcionamento com o aumento de VDS.

A curva dobra porque

O aumento de vDS faz com que o

Copyright © 2004 by Oxford University Press, Inc.

dq = −Cox (Wdx ) GS −  ( x ) − Vt  (4.3)

4.2.1 Símbolo para circuito do NMOSFET de intensificação

Sentido normal do fluxo de corrente

Chave (Switch) – Regiões de corte

E υDS suficientemente pequeno

GD −  DS  Vt ,  DS  GS − Vt (Continuous channel) (4.10)

VOV = VGS − Vt (4.14) gate-to-source overdrive voltage

Na fronteira entre as região de tríodo e saturação:

(1) Independente de vDS. (2) Proporcional ao quadrado de VGS-Vt

(3) MOSFET em saturação funciona como uma fonte de corrente ideal.

Figure 4.13 Modelo

Figure 4.14 Níveis relativos das tensões nos

O fenómeno que reduz o comprimento do

GS  Vt (Induced channel) (4.27)  SG  Vt k p =p C ox (4.30)

 DS  GS − Vt (Pinched-off channel) (4.31)

-Geralmente, o terminal da fonte está ligado ao substrato

- Perfuração (punch-through) : υDS (~20 V) ruptura entre dreno e fonte para

VDS = VGS, Região de saturação 1 W

2I D VGS = Vt + VOV = 0.6 + 0.4 = 1 V

• Para operação na região de tríodo,

• Para operação na região de saturação,

GS  Vt (Induced channel) (4.16)

Sendo VD < VG, e Vt =1 V, região de tríodo!

Na prática escolheremos, 12 kΩ, 5%

Supondo que o MOSFET está na região de saturação: VGS = 5 − 6 I D

VD = 10 − 6  0.5 = +7 V Região de saturação! Confirmando a suposição inícial.

1 W I D = 0.5 mA, k 'pW / L = 1 mA/V 2

- Sobretensão de condução VSG=|VGS|=|Vt |+|VOV| para PMOS

- QN and QP estão perfeitamente casados -Funcionam com Equal |VGS| (2.5 V)

-O circuíto é simétrico. Vo deverá ser 0 V - Logo |VDG| = 0 V.

- Logo região de saturação I DP = I DN = 12  1  (2.5 − 1)2

υGD maior que Vt. Para QN, tríodo !

I DN  kn (Wn / Ln )(VGS − Vt )VDS

I DP = 0.244 mA,  O = 2.44 V

Copyright © 2004 by Oxford University Press, Inc. 28

Para uma dada entrada υI(υGS),

4.4.3 Funcionamento como comutador ( Switch)

Região de Saturação, AQB: υI ≥ Vt, υO ≥ υI - Vt

Região de Tríodo BC: υI ≥ Vt, υO ≤ υI - Vt

4.5.2 Polarização com VG fixo e com resistência na fonte

- Para dois FETs semelhantes, Pequeno ΔID

- CC1 : Capacidade elevada, de acoplamento, para bloquear a componente DC do sinal de

- RD : Suficientemente elevada para obter ganho elevado, suficientemente pequena para

(e) Implementação prática usando duas fontes

Resolução: Como regra prática para o projecto,

Um terço da tensão de alimentação através de RD, MOSFET e RS.

Figure 4.31 Circuit for Exemplo 4.9.