Lab2-Analog IC design, bộ môn Điện Tử; khoa Đ-ĐT; trường ĐH Bách Khoa-ĐHQG TP.

HCM
 

Lab 2: Model Files

Vấn đề đặt ra là khi đã có file thư viện từ nhà sản xuất, làm sao hiểu, trích xuất các thông
số mô hình để tính toán,thiết kế và mô phỏng 1 IC tín hiệu analog?
Phần sau đây sẽ giúp chúng ta các việc đó.
KÍ HIệU: 
Symbol Name Description Default Typical Units
VTO Zero Bias 1 0.8 Volts
Threshold voltage
GAMMA Body-effect 0 0.4 ⁄

Parameter
2| | PHI Surface to bulk 0.65 0.58 V
potential
NSUB Substrate Doping 1E15
⁄ NSS/TPG Surface state
density
CGBO CGBO F/m
CGDO CGDO F/m

Lecturer: TS.Hoàng Trang, TA: Phạm Xuân Hoàng

hoangtrang@hcmut.edu.vn; mr.hoangtrang@gmail.com Page 1
 
 Lab2-Analog IC design, bộ môn Điện Tử; khoa Đ-ĐT; trường ĐH Bách Khoa-ĐHQG TP.HCM
 
CÁC THÔNG Số CƠ BảN:

1.Điện áp ngưỡng VTH :

Nếu File model đã chứa thông số PHI, Ta có thể tính theo công thức :

Nếu Model không chứa thông số PHI, Ta có thể đo trực tiếp giá trị này

Vẽ hàm d(Is(M1))

Tuyến tính hóa cạnh lên ta được VTH

2.Hệ Số Hỗ dẫn và Điện trở CMOS :

Ta đo trực tiếp giá trị GM và ROUT theo dòng điện và điện áp phân cực

2.1.NMOS :

Lecturer: TS.Hoàng Trang, TA: Phạm Xuân Hoàng

hoangtrang@hcmut.edu.vn; mr.hoangtrang@gmail.com Page 2
 
 Lab2-Analog IC design, bộ môn Điện Tử; khoa Đ-ĐT; trường ĐH Bách Khoa-ĐHQG TP.HCM
 

Điện trở đặc tính:

Cho VDS thay đổi từ 0 tới VDD, Đo giá trị 1/d(Id(M1)) tại cực D

Ta thấy điện trở đặc tính của CMOS thay đổi theo điện áp sử dụng. Nhưng trong vùng
bão hòa thì điện trở thay đổi không đáng kể. ( Có thể coi như là hằng số)

Hệ số hỗ dẫn:

Cho Vgs thay đổi và vẽ giá trị d(Id(M1)) tại cực D

Lecturer: TS.Hoàng Trang, TA: Phạm Xuân Hoàng

hoangtrang@hcmut.edu.vn; mr.hoangtrang@gmail.com Page 3
 
 Lab2-Analog IC design, bộ môn Điện Tử; khoa Đ-ĐT; trường ĐH Bách Khoa-ĐHQG TP.HCM
 

Với VDS là điện áp ngưỡng mong muốn khi phân cực

Vgs thay đổi từ 0 tới VDD. Ta thấy độ hỗ dẫn thay đổi mạnh theo Vgs.

2.2. PMOS

Cách tính hoàn toàn tương tự so với NMOS

Hệ số Hỗ dẫn Gm :

Lecturer: TS.Hoàng Trang, TA: Phạm Xuân Hoàng

hoangtrang@hcmut.edu.vn; mr.hoangtrang@gmail.com Page 4
 
 Lab2-Analog IC design, bộ môn Điện Tử; khoa Đ-ĐT; trường ĐH Bách Khoa-ĐHQG TP.HCM
 

Điện trở đặc tính Ron :

3.Các thông số Tụ kí sinh :

Lecturer: TS.Hoàng Trang, TA: Phạm Xuân Hoàng

hoangtrang@hcmut.edu.vn; mr.hoangtrang@gmail.com Page 5
 
 Lab2-Analog IC design, bộ môn Điện Tử; khoa Đ-ĐT; trường ĐH Bách Khoa-ĐHQG TP.HCM
 

EpsilonOxide = 3.453133e-11

4.Thông số Kp Trong kênh dài :

Ta có công thức dòng điện cực D của CMOS:

Với giá trị , đã được tính ở các phần trước

Lecturer: TS.Hoàng Trang, TA: Phạm Xuân Hoàng

hoangtrang@hcmut.edu.vn; mr.hoangtrang@gmail.com Page 6
 
 Lab2-Analog IC design, bộ môn Điện Tử; khoa Đ-ĐT; trường ĐH Bách Khoa-ĐHQG TP.HCM
 
Bây giờ ta chọn Kích thước và 1 giá trị Vgs bất kì Cho NMOS/PMOS và giá trị
bằng Vdd sao cho CMOS nằm trong miền bão hòa. Ta sẽ đo được giá trị bằng Ltspice

Dựa theo công thức trên, ta sẽ tính ngược lại được giá trị . Do ảnh hưởng của lên
dòng điện gần bằng 1 và giá trị cũng khá lớn, Nên sai số của phép đo trên là không
đáng kể.

Lecturer: TS.Hoàng Trang, TA: Phạm Xuân Hoàng

hoangtrang@hcmut.edu.vn; mr.hoangtrang@gmail.com Page 7