ELAN Bourges

INSA
INSTITUT NATIONAL
DES SCIENCES
APPLIQUÉES
CENTRE VAL DE LOIRE
2 ÈME ANNÉE S CIENCES ET T ECHNOLOGIES P OUR L’I NGÉNIEUR
Support de Cours
É LECTRONIQUE A NALOGIQUE
(campus de Bourges)
David FOLIO
ii
2A STPI, ELAN
Table des matières
I Les diodes 3
I.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
I.2 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
I.3 Diode dans un circuit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
I.4 Quelques diodes spéciales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
I.5 Application des diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
II Le transistor bipolaire 19
II.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
II.2 Étude de la Polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
II.3 Étude en régime Dynamique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
II.4 Amplificateurs à transistors bipolaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
III L’Amplificateur Opérationnel 35

III.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
III.2 Les applications de l’AOP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
III.3 AOP réel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
A Les bases de l’électronique (rappels) 43

A.1 Définitions et Lois générales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
A.2 Les théorèmes simplificateurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
A.3 Le régime harmonique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
B Références Bibliographiques 53
iii
iv TABLE DES MATIÈRES
2A STPI, ELAN
Avant Propos
L’objet des supports n’est pas de fournir le cours complet.

Il s’agit plutôt d’un guide et aide-mémoire rappelant les principales définitions, principes et
Comment-Check notions “utiles” pour le suivi des séances d’électronique analogique.
Il vous appartient de le compléter et de l’enrichir des différents éléments abordés en séances et

de vos investissements personnels.
Organisation de l’enseignement
L’enseignement d’électronique analogique suit une évolution de la pédagogie qui fasse une plus
grande place d’une part au travail en autonomie des étudiants et d’autre part à des formes
différentes d’échanges entre enseignants et apprenants.
Les supports sont disponibles sur Teams1 (dans la partie ”Fichier/Supports de Cours”), et
également sur célène :
2 Campus de Bourges : https://celene.insa-cvl.fr/course/view.php?id=511

2 Campus de Blois : https://celene.insa-cvl.fr/course/view.php?id=557
En plus des supports des MOOCS sont à votre disposition (cf. célène Campus de Blois). En
particulier, nous vous demandons de prendre connaissance du cours sur les diodes qui est
disponible en ligne à partir du lien :
http://res-nlp.univ-lemans.fr/NLP_C_M15_G01/co/Module_NLP_C_M15_G01.html.
La partie sur les transistors bipolaires s’appuie sur le MOOC ”Electronique II” de l’EPFL2 ,
également disponible sur célène Campus de Blois.
Les conventions et les notations Suisses ne sont pas les mêmes du support de cours ni ceux
Comment-Check employées en TD ! Flèches de tensions inversées mais MEMES DEFINITIONS ET EXPRESSIONS
que nous.
L’évaluation se fera en contrôles continus de diverses natures : QCM, compte-rendu de TD,
DM et un examen qui se déroulera simultanément sur les deux campus avec le même sujet.
1
Lien vers l’équipe : https://teams.microsoft.com/l/team/19%3a88504b91c5ce4b81a3eee7896faf9038%
40thread.tacv2/conversations?groupId=9e19e23b-9b32-40b5-a286-7b40a7ac486d&tenantId=
f7421450-df16-4714-ada1-395390cb91d3
2
Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL), Suisse.
https://courseware.epfl.ch/courses/course-v1:EPFL+Electr2+2019/about
1
2 TABLE DES MATIÈRES
2A STPI, ELAN
Chapitre I
L ES DIODES
I.1 Introduction
I.1.1 Notions sur les semi-conducteurs
On sait qu’un courant électrique est la grandeur algébrique correspondant à la circulation de
porteurs de charges mobiles (p.c.m.) électriques dans un conducteur. En particulier, un milieu
est dit conducteur s’il existe des p.c.m. (électrons, ions, etc.) susceptibles de se déplacer dans
tout le milieu. Dans le cas contraire, le milieu est dit isolant.
Un semi-conducteur est un matériau qui a les

caractéristiques électriques d’un isolant, mais pour
lequel la probabilité que les p.c.m. puisse contribuer
au courant électrique est suffisamment importante.
↪ La conductivité électrique d’un semi-conducteur

est intermédiaire entre celle des métaux et celle
des isolants.
Les semi-conducteurs sont des matériaux important en électronique. En effet 99% des composants
électroniques sont faits à partir de matériaux semi-conducteur. Dans les semi-conducteurs on
distingue classiquement deux types de p.c.m. : les électrons libres (charge 𝑞 = −𝑒) et les trous
(charge 𝑞 = +𝑒).
Comment-Check Rappel : charge élémentaire 𝑒 = 1.602 17⋅10

−19
C
Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu’il est pur : il ne comporte aucune impureté et
son comportement électrique ne dépend que de la structure du matériau. Ce comportement
correspond à un semi-conducteur parfait. Dans un semi-conducteur intrinsèque, les p.c.m. ne
sont créés que par des défauts cristallins et par excitation thermique.
La technique du dopage augmente la densité des p.c.m. à l’intérieur du matériau semi-conducteur.
Si elle augmente la densité d’électrons, il s’agit d’un dopage de type N. Si elle augmente celle des
trous, il s’agit d’un dopage de type P. Les matériaux ainsi dopés sont appelés semi-conducteurs
extrinsèques.
Différents procédés de micro-électronique permettent la réalisation des différents type de
semi-conducteur. Cela permet ainsi de concevoir la grande majorité des composants de
l’électronique : les diodes, transistors, AOP, micro-processeurs, etc. En particuliers, selon
les matériaux semi-conducteurs peuvent utiliser différents principe. Les propriétés électroniques
des semi-conducteurs sont alors déterminées par :
• la distribution spatiale des deux types de p.c.m. ;

• leur participation à la conduction électrique ;
• la distribution des charges fixes (dopants).
3
4 Chap. I Les diodes
Les défauts majeures des matériaux semi-conducteur réside dans la variabilité de leur propriétés
Comment-Check(dispersion de fabrication), et de leur grande sensibilité à la température.
I.1.2 Définitions
Définition I.1. [La diode] La diode est un dipôle passif non linéaire et polarisé : il ne
laisse circuler le courant électrique que dans un sens.
Les diodes sont le plus “simple” des composants semi-conducteurs
↪ Simplement constituées d’une “jonction PN ” (eg., silicium, germanium…)
La diode suivant son sens par rapport à un courant électrique se présente principalement sous
deux aspects :
1. Direct (ou passant) : sens qui laisse passer le courant ;

2. Inverse : sens qui bloque le passage du courant.
↪ La diode “idéale” est un dipôle unidirectionnel (ie., ∼ interrupteur).
La diode trouve ainsi ses applications pour le redressement de tension, écrêtage ( clipping), etc.
I.2 La jonction PN
((b))
((a))
Fig. 1 : Diode ≡ jonction PN
Une diode est constituée de deux zones respectivement dopées P (atomes accepteurs ou trou) et N
(atomes donneurs ou électron). Au moment de la création de la jonction, un processus de diffusion
se déclenche : les trous de la région P diffusent vers la région N laissant des charges négatives
fixes (atomes ionisés), et les électrons de la région N diffusent vers la région P laissant des
charges positives.
2A STPI, ELAN
I.2 La jonction PN 5
Il apparaît alors au niveau de la jonction une zone, appelée zone de charge d’espace ou zone de
transition, dépeuplée de porteurs mobiles et contenant uniquement des charges fixes positives
du côté N et négatives du côté P.
Eint qui s’oppose à la diffusion des p.c.m. de manière à
Ces charges créent un champ électrique ⃗⃗⃗⃗⃗
établir un équilibre électrique entre les deux zones P et N. Dans ce contexte, il y a création
d’une barrière de potentiel. Une différence de potentiel, dont dérive le champ électrique,
apparaît aux bornes de la zone de charge d’espace. Elle est appelée tension seuil ou tension de
diffusion de la jonction, notée ici 𝑉0 (cf. Fig. 1(b)) — aussi notée 𝑉𝑠 .
I.2.1 Polarisation
Le comportement d’une diode différe selon la d.d.p. 𝑉𝑑 que l’on lui applique à ces bornes.
Polarisation inverse
Les tensions 𝑉𝑑 et 𝑉0 s’ajoutent, ce qui accroît la largeur de la zone de charge d’espace et

Eint . Le champ interdit alors la diffusion d’électrons de N vers
l’intensité du champ électrique ⃗⃗⃗⃗⃗
P et de trous de P vers N. La diode bloque la circulation des porteurs de charges majoritaires,
et donc du courant.
Cependant, il existe un courant de fuite 𝐼𝑟 ≪ 0 très faible, liée à la circulation des porteurs
de charges minoritaires de N vers P.
Polarisation directe
Les tensions 𝑉𝑑 et 𝑉0 se retranchent, la barrière de potentiel passe de 𝑉0 à (𝑉0 − 𝑉𝑑 ). La largeur

Eint . Le champ
de la zone de charge d’espace diminue ainsi que l’intensité du champ électrique ⃗⃗⃗⃗⃗
est alors incapable de s’opposer à la diffusion d’électrons de N vers P et de trous de P vers N.
Un courant 𝐼𝑑 circule positivement de P vers N.
Comment-Check La tension 𝑉 𝑑 ne doit pas (trop) dépasser 𝑉0 sous peine de destruction du composant.
©
, D.Folio
((a)) 𝑉𝑑 < 0 : la barrière est ((b)) 𝑉0 > 𝑉𝑑 > 0 : la barrière se ((c)) 𝑉𝑑 > 𝑉0 : la barrière
renforcée rétrécie disparaît
Fig. 2
I.2.2 Caractéristiques électriques
La caractéristique courant/tension d’une jonction PN obéit selon la loi exponentielle suivante :
𝑉𝑑
𝐼𝑑 = 𝐼𝑟 (exp ( ) − 1) (I.1)
𝑉𝑇
avec :
2 𝐼𝑟 < 1 µA le courant de fuite

(𝐼𝑟 augmente avec la température) ;
𝑘𝑇
2 𝑉𝑇 = la tension thermodynamique (ou ther-
𝑞
mique), où :
• 𝑞 = 1.6⋅10−19 C est la charge de l’électron ;
• 𝑘 = 1.38⋅10−23 J/K la constante de Boltzmann ;
• et 𝑇 la température en Kelvin (K).
On distingue sur la caractéristique de la diode trois zones :
1. Conduction : 𝑉𝑑 > 𝑉0 , la diode se comporte comme un conducteur

↪ Comportement quasi-linéaire (∼ source de tension) ⇒ diode passante
2. Blocage : 𝑉𝑑 < 0, la diode se comporte comme un isolant

↪ Comportement quasi-linéaire (∼ interrupteur ouvert) ⇒ diode bloquée
3. “Zone du coude” : 0 < 𝑉𝑑 ≤ 𝑉0 → 𝐼𝑑 ≃ 𝐼𝑟 (exp ( 𝜂𝑉

𝑉𝑑
)),
𝑇
2A STPI, ELAN
I.2 La jonction PN 7
Limites et imperfections
2 Zone de claquage inverse
(par effet Zener ou Avalanche)
EXCLAMATION-TRIANGLE
Risque de destruction pour une diode non
conçue pour fonctionner dans cette zone
2 Limitation de puissance :
𝑉𝑑 𝐼𝑑 = 𝑃𝑑 ≤ 𝑃𝑑 max
(𝑃𝑑 : puissance de dissipation)
2 Influence de la température 𝑇
• diode bloquée : 𝐼𝑑 = 𝐼𝑟 double tous
les 7 à 10°C
• diode passante : 𝑉𝑑 (à 𝐼𝑑 constant)
diminue de ≈ 2mV/°C
Comment-Check Le comportement d’une diode est fortement sensible aux variations de température.
©
, D.Folio
I.3 Diode dans un circuit

Comment déterminer 𝑉𝑑 la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le courant
𝐼𝑑 qui la traverse ?
Id
Grâce à l’analyse du réseau électrique il vient : 𝑈𝑔 = 𝑅𝐼𝑑 + 𝑉𝑑 .
Vd R Mais que valent 𝐼𝑑 et 𝑉𝑑 ?
Ug
EXCLAMATION-TRIANGLEPb : diode=dipôle non linéaire ⇒ difficile de résoudre simplement.

Toutefois…
2 𝐼𝑑 et 𝑉𝑑 respectent les lois de Kirchhoff ;

2 𝐼𝑑 et 𝑉𝑑 sont sur la caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) du composant ;
↪ Au point de fonctionnement (𝐼𝑑 , 𝑉𝑑 )|𝑄 remplissent ces deux conditions.
Droite de Charge
𝑈𝑔 − 𝑉 𝑑
Loi de Kirchhoff : 𝐼𝑑 =
𝑅
↪ C’est la droite de charge de la diode insérée dans le circuit.
Il s’agit ainsi de rechercher le point de fonctionnement

(𝐼𝑑 , 𝑉𝑑 )|𝑄 .
I.3.1 Points de fonctionnement

Il existe différentes méthodes pour retrouver le point de fonctionnement (𝐼𝑑 , 𝑉𝑑 )|𝑄 :
2 Méthode “calculatoire” : calcul du point d’intersection des deux courbes.

↪ parfois inutilement long…
2 Méthode “graphique” : connaissant la caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) on peut déterminer graphi-

quement le point de fonctionnement en établissant la droite de charge de la diode dans le
circuit
↪ Nécessite de connaître la caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) de la diode…
2 Utilisation des schémas équivalents : on peut “déterminer le point de fonctionnement” en

décrivant un modèle simplifier
• seul le modèle approprié (diode passante ou bloquée) donnera des résultats cohérents ;
• on peut arbitrairement choisir l’une des deux possibilités et vérifier la cohérence des
résultats.
I.3.2 Modélisation
Définition I.2. [Modèle] Un modèle est une représentation simplifiée d’une chose complexe.
Les modèles sont utilisés pour faciliter l’analyse des phénomènes, des processus, des systèmes
et des éléments.
2A STPI, ELAN
I.3 Diode dans un circuit 9
La modélisation d’un composant consiste à remplacer la caractéristique électrique réelle 𝑉 =

𝑓(𝐼) par une approximation (eg., linéaire).
On distingue deux types de modélisations :
1. Modèle statique : calcul des valeurs moyennes (ou composantes continues)

↪ Courant et tension constants (ie., régime continue) ou à variation lente (pas d’effet transitoire)
↪ Modèles grands signaux (basses fréquences).
2. Modèle dynamique : on ne s’intéresse qu’aux composantes variables
↪ Courant et tension en régime variable (eg., régime harmonique)
↪ Modèles petits signaux (basses et hautes fréquences).
EXCLAMATION-TRIANGLEChaque simplification se fait au détriment de la précision.

↪ Selon la complexité du circuit et la précision des analyses souhaitées, des modèles plus au
moins complexes sont employés.
Modélisation statique
La diode idéale
On considère dans ce modèle : la tension seuil 𝑉0 nulle,

et le courant inverse 𝐼𝑟 nulle.
2 En direct 𝑉𝑑 = 0 pour ∀𝐼𝑑 ≥ 0 : la diode est considérée comme un court-circuit.

2 En inverse 𝐼𝑑 = 0 pour ∀𝑉𝑑 ≤ 0 : la diode est considérée comme un circuit ouvert.
La seconde approximation : diode avec seuil
On considère dans ce modèle : la tension seuil 𝑉0 non

nulle,
et le courant inverse 𝐼𝑟 nulle.
2 En direct 𝑉𝑑 = 𝑉0 pour ∀𝐼𝑑 ≥ 0 : la diode est considérée comme une source de.
tension idéale
2 En inverse 𝐼𝑑 = 0 pour ∀𝑉𝑑 ≤ 0 : la diode est considérée comme un circuit ouvert.
La troisième approximation
On considère dans ce modèle : la tension seuil 𝑉0 non

nulle,
et le courant inverse 𝐼𝑟 faible.
2 En direct 𝑉𝑑 = 𝑉0 + 𝑟𝐷 𝐼𝑑 pour ∀𝐼𝑑 ≥ 0, avec 𝑟𝐷 la résistance directe ou statique de la

diode.
2 En inverse 𝐼𝑑 = 𝑉𝑑 /𝑅𝑟 pour ∀𝑉𝑑 ≤ 0, avec 𝑟𝑅 la résistance inverse de la diode.
©
, D.Folio
Remarque I.1. La 2nde approximation est souvent suffisante pour décrire le fonctionnement
statique d’un circuit comprenant des diodes.
Remarque I.2. Pour des diodes en Si : 𝑉0 = [0.6; 0.8]V, 𝑟𝐷 ≈qq. 10Ω et 𝑅𝑟 ≥ 1MΩ.
Remarque I.3. Il faut distinguer la résistance statique 𝑟𝐷 du modèle linéaire de la “résistance

en continu” de la diode :
𝑉𝑑 𝑑𝑉𝑑
𝑅diode = ∣ alors que 𝑟𝐷 = ∣
𝐼𝑑 𝑑𝐼𝑑
𝑄 𝐼𝑑 =qq. mA
Exemple I.3.1 (Comportement dynamique). Soit le schéma

ci-contre, où 𝑈𝑔 est une source continue, et 𝑢𝑔 (𝑡) est une
source variable (eg., alternative sinusoïdale). Que vaut
𝑉𝑠 (𝑡) ? Ug
R1
2 𝑉𝑠 = composante continue ⇒ analyse statique
C
• Analyse du schéma statique Rg
(ug,ω) Vs
R2
2 𝑣𝑠 (𝑡) = composante variable ⇒ analyse dynamique
• Analyse du schéma dynamique
Rappels :
2 Analyse statique
• Capacité 𝐶 ⇔ circuit ouvert

Comment-Check • Inductance 𝐿 ⇔ court-circuit
2 Analyse dynamique
• Source de tension continue ⇔ court-circuit

• Source de courant continue ⇔ circuit ouvert
Modélisation dynamique
Modèle dynamique faible signaux de la diode.
↪ Variation suffisamment lente pour que 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) soit toujours en accord avec la caractéristique
“statique” de la diode ⇒ 𝐼𝑑 et 𝑉𝑑 varient en phase.
Si on a des variations de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique, la

caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) peut être approximée par la tangente :
𝑑𝐼𝑑
𝑖𝑑 = ∣ 𝑣𝑑 (I.2)
𝑑𝑉𝑑
𝑄
↪ La diode en dynamique agit donc comme une résistance dyna-

mique.
2A STPI, ELAN
I.4 Quelques diodes spéciales 11
I.3.3 Association de diodes

Diodes en série
Si la diode est passante :
↪ La tension seuil est doublée.
En polarisation inverse
les diodes sont bloquées. EXCLAMATION-TRIANGLE
Risque de claquage si |𝑉𝐷1 ou 2 | >P.I.V.
Diodes en parallèle
Si la diode est passante :
EXCLAMATION-TRIANGLEDispersion de fabrication : 𝐼
𝐷1 ≠ 𝐼𝐷2 .
En polarisation inverse les diodes sont blo-
quées.
I.4 Quelques diodes spéciales

I.4.1 La Diode Zener
Définition I.3. [Diode Zener] Diode conçue pour présenter une
“tension Zener”, 𝑉𝑍 , et qui peut fonctionner dans la section
verticale inverse de la caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) sans détruire le
composant (ie., 𝐼max < 𝐼 < 𝐼𝐹 𝑆𝑚 toléré). Cathode
Anode
↪ 𝑉𝑍 : tension à laquelle apparaît l’effet Zener (ou phénomène

d’avalanche).
Fig. 3 : Courbe caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) d’une diode Zener.
La diode de Zener correspond à une diode classique à laquelle on ajoute le fonctionnement en

zone “Zener”.
©
, D.Folio
↪ Dans la zone directe et bloquée : même comportement qu’une diode classique.
Il s’agit simplement d’ajouter un troisième état au modèle de la diode : l’état “passant inverse”.
I.4.2 Diode à effet Tunnel

Définition I.4. [Diode à effet Tunnel]Diode qui exploite “l’effet Cathode
tunnel” de la jonction (eg., nécessite un dopage élevé). Anode
Fig. 4 : Courbe caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) d’une diode a effet tunnel.
↪ La diode a effet tunnel fait apparaître sur sa courbe caractéristique un domaine où apparait
une résistance dynamique 𝑟𝑑 négative. Cette résistance négative est très utile pour les
circuits résonnants.
I.4.3 Diverses Diodes

2 Diode Électroluminescente (ou LED : Light-Emitting Diode)
Principe : La circulation du courant provoque la luminescence du composant.
• Fonctionnement sous polarisation directe (𝑉𝑑 > 𝑉0 )
• L’intensité lumineuse ∝ courant électrique 𝐼𝑑
Ne fonctionne pas avec le Si ! 𝑉0 ≠ 0.7𝑉 !, eg. AsGa (rouge) : 𝑉0 ≈ 1.7V ; GaN (bleu) :
𝑉0 ≈ 3V
2 Autres diodes :
• Diode Schottky : diode qui a un seuil de tension 𝑉0 très bas et un temps de réponse très
court.
• Diode Varicap : diode à capacité variable. Elle est exploitée pour sa capacité de transition
en polarisation inverse 𝐶𝑡 , qui varie avec 𝑉𝑑 .
• Photodiode : sous polarisation inverse, la photodiode délivre un courant ∝ à l’intensité
de la lumière incidente.
I.5 Application des diodes

Les diodes trouvent leurs utilités dans de nombreux domaine d’applications, comme par exemple :
2 protection contre les erreurs de branchement et les inversions accidentelles de polarité ;
2A STPI, ELAN
I.5 Application des diodes 13
2 protection contre les surtensions ;

2 redressement ;
2 doubleur, tripleur, multiplicateur de tension ;
2 circuits logiques simples ;
2 obtention d’une faible chute de tension ;
2 thermométrie par diodes ;
2 etc…
I.5.1 Limiteur de crête

Les diodes sont souvent employées pour protéger les circuits sensibles contre une tension d’entrée
trop élevée ou d’une polarité donnée. On parle de circuit limiteur de tension ou d’écrêteur (
clipping).
Clipping parallèle
Droite de charge :
Fonctionnement (régime continue) :
2 Quand 𝑈𝑖 > 𝑉0
2 Quand 𝑈𝑖 < 𝑉0
↪ Protection contre les tensions supérieures à ∼ 1V
Réponse à un signal sinusoïdal : 𝑢𝑔 (𝑡) = 𝑈

̂𝑔 sin(𝜔𝑡)
Clipping série
Droite de charge :
Fonctionnement (régime continue) :
2 Quand 𝑈𝑖 > 𝑉0
2 Quand 𝑈𝑖 < 𝑉0
↪ 𝐼𝑒 ne peut être négatif
©
, D.Folio
Réponse à un signal sinusoïdal : 𝑢𝑔 (𝑡) = 𝑈

̂𝑔 sin(𝜔𝑡)
I.5.2 Restitution de composante continue

Les diodes permettent de décaler le signal vers les tensions positives ou négatives. Dans ce
cadre, on parle de circuit de restitution de composante continue ( clamping).
Rg
C Charge Charge Vc
Ug
t
Vc
+
Ug Bloquée
Vd Vd
Fig. 5 : Clamping
Soit le circuit ci-dessus, où la source 𝑢𝑔 (𝑡) génère un signal carré périodique. En considérant le
condensateur 𝐶 initialement déchargé, le fonctionnement est le suivant :
2 Quand 𝑈𝑔 > 𝑉0
2 Quand 𝑈𝑔 − 𝑉𝐶 < 𝑉0 : la diode se bloque
2A STPI, ELAN
I.5 Application des diodes 15
I.5.3 Redressement
L’objectif est de transformer un signal alternatif en une tension continue stable.
Fig. 6 : Redressement simple alternance : Clipping série
↪ Le condensateur se charge à travers 𝑟𝐷 et se décharge à travers 𝑅𝐿 :
Fig. 7 : Redressement + Filtrage
EXCLAMATION-TRIANGLEMauvais rendement : la moitié du signal d’entrée n’est pas exploitée
Redressement double alternance : pont de Graetz
Ug
D1 D2
vs1 t
+
ug(t) RL
D3 D4
((a)) ((b))
Fig. 8 : Le pont de Graetz
Fonctionnement
2 Quand 𝑈𝑖 > 2𝑉0 :
2 Quand 𝑈𝑖 < −2𝑉0 :
©
, D.Folio
R Ug
D1 D2
vs2 t
+ C
ug(t) RL
D3 D4
((a)) ((b))
Fig. 9 : Le pont de Graetz+Filtrae
Stabilisation
L’objectif est de stabiliser la tension de sortie de manière à obtenir un signal continue (sans
ondulation). Pour cela, une solution consiste à utiliser des diodes Zener.
R Ug
D1 D2
vs2 t
+ C
ug(t) RL
D3 D4
((a)) ((b))
Fig. 10 : Stabilisation de la tension de sortie.
Fig. 11 : Schéma dynamique.
2 Quand |𝐼𝑍 | < 𝐼min

2 Quand |𝐼𝑍 | > 𝐼min
2A STPI, ELAN
Les transistor
Le transistor est un élément clé de l’électronique. Le terme transistor provient de l’anglais

transfer resistor (résistance de transfert).
En particulier, le transistor est un composant électronique actif non-linéaire utilisé :
2 comme interrupteur dans les circuits logiques (essentiel pour l’électronique numérique) ;
2 comme l’élément clé pour l’amplification ;
2 pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que de nombreuses autres utilisations.
Les transistors sont des semi-conducteurs avec trois bornes. Il existe sous différentes formes :
2 comme composant discret ;

2 sous forme de circuit intégré (CI),
2 faisant partie d’un circuit plus complexe, allant de quelques unités (eg., AOP) à quelques
millions de transistors par circuit (eg., microprocesseurs).
Ils servent à l‘amplification ou à la commutation de signaux.
On distingue deux grandes familles de transistor
1. les transistors bipolaire à jonction (BJT) ;

2. les transistors à effet de champ (FET),
ces derniers répartis eux-mêmes dans plusieurs types (JFET, MOSFET, etc.).
Ils agissent (en 1ère approx.) comme une source de courant commandé
2 transistor bipolaire : commandé par un courant

2 transistor à effet de champ : commandé par une tension
17
18 Les transistor
2A STPI, ELAN
Chapitre II
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
II.1 Introduction
II.1.1 Principe de fonctionnement
Si on met deux jonctions PN en tête-bêche qui se partage la région centrale, on obtient le
“transistor bipolaire à junction” (ou BJT : Bipolar Junction Transistor), ou encore transistor
bijonction. Il s’agit d’un composant à matériaux semi-conducteurs présentant trois zones N, P
et N, ou P, N et P. Il existe ainsi deux types de transistor bipolaire : le PNP ou le NPN. Le
transistor est un composant “actif non-linéaire” à trois bornes.
Fig. 1 : Structure simplifiée du BJT.
La zone du milieu, mince, constitue la Base. Les deux extrémités, aux géométries et aux
dopages différents, constituent l’Émetteur et le Collecteur. Les trois zones ainsi dopées
forment deux jonctions : la jonction base-émetteur (BE) dite jonction de commande, et la
jonction base-collecteur (BC).
Le caractère actif du BJT découle de l’effet transistor, qui se manifeste dans le régime de
mode actif normal pour lequel la jonction BE est polarisée en direct et la jonction BC est
polarisée en inverse. Le courant inverse de la jonction BC (courant de collecteur) est alors
contrôlé par l’état électrique de la jonction BE.
Dans la suite du cours on privilégiera les transistors NPN, qui sont les plus utilisés que les
transistors PNP. Ceci est essentiellement dû au fait que le courant principal est un courant
d’électrons. Ils seront donc “plus rapide”, c’est-à-dire qu’ils possèderont des fréquences de travail
plus élevées. Toutefois, on pourra transposer par symétrie les résultats obtenus pour un NPN
aux PNP.
Remarque II.1 (Bipolaire ?). Le terme bipolaire signifie que les courants du composant sont
véhiculées par les deux types de p.c.m. : les électrons et les trous.
19
20 Chap. II Le transistor bipolaire
Il faut bien garder à l’esprit qu’un transistor bipolaire est bien plus que deux diodes montées
Comment-Check tête-bêche : il y a la présence d’un courant allant directement de l’émetteur vers le collecteur :
c’est le courant principal lié a l’effet transistor !
L’effet transistor
L’effet transistor se manifeste dans le régime de mode actif normal du transistor obtenu en
polarisant la jonction base-émetteur (BE) en direct et la base-collecteur (BC) en inverse.
Fig. 2 : Principe de l’effet transistor pour un NPN.
Les processus prédominants sont :
1. la jonction BE, polarisée en direct, injecte des électrons de l’émetteur vers la base. D’après les
𝑉
résultats du chap.I, la densité des p.c.m. injectés varie comme 𝐼𝐸 ∝ exp 𝐵𝐸 , avec 𝑉𝑇 = 𝑘𝑇 𝑞
𝑉𝑇
la tension thermodynamique.
2. les électrons injectés diffusent dans la base, où ils sont minoritaires. Quelques-uns de ces
électrons subissent des recombinaisons avec les trous, majoritaires dans la base.
3. les électrons qui ont traversé la base sans avoir subi de recombinaison parviennent à la
jonction BC, polarisée en inverse. Le champ électrique qui y règne les entraîne vers le
collecteur.
En définitive, un transistor bipolaire se présente comme deux jonctions fortement couplées,

l’une “émettrice” de porteurs et l’autre “collectrice”.
La jonction BE est équivalente à une source de tension, la chute de potentiel étant due à
la tension de seuil de la diode BE polarisée en direct (de l’ordre de grandeur de 0.6 V). En
première approximation, on peut donc remplacer la caractéristique de cette jonction par un
modèle de diode avec seuil. La jonction BC est équivalente à une source de courant commandée
par le courant de base et donc indirectement par la tension 𝑉𝐵𝐸 .
Remarque II.2. Le fonctionnement du transistor PNP en mode actif normal est similaire à
celui d’un NPN, si ce n’est que les rôles des régions P et N, ainsi que les rôles des électrons et
des trous, sont intervertis. Cela implique en particulier que les courants et les différences de
potentiel aux bornes des jonctions changent de signe.
Comment-Check La principale différence significative entre les PNP et NPN résident dans l’inversion des courants.
2A STPI, ELAN
II.1 Introduction 21
Les lois de Kirchhoff sont respectés, soit :
Comment-Check 2 𝐼 𝐸 = 𝐼 𝐵 + 𝐼𝐶
2 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐶 + 𝑉𝐵𝐸
Fig. 3 : Symboles & Convention
Les modes de fonctionnement

Un transistor bipolaire fait donc apparaître deux jonctions : une jonction base-émetteur (BE)
et une jonction base-collecteur (BC). Si on assimile ces jonctions à deux diodes, chaque jonction
ayant deux états possibles selon le signe de la d.d.p. de la jonction, on en déduit qu’il peut y
avoir quatre grands comportements :
Jonction Jonction
Régime Transistor
BE BC
Bloqué
Bloquée Bloquée
Les trois bornes sont équivalentes à des circuits ouverts.
Inverse
Bloquée Passante Ce régime inutilisé, peut pour certain BJT entraîner la destruction du
composant.
Normal (ou actif)
Passante Bloquée C’est le régime le plus utilisé : il permet une amplification des signaux
via l’exploitation de la source de courant équivalente au transistor.
Saturé
Passante Passante On peut assimiler le transistor saturé comme étant équivalent à un
court circuit entre les trois bornes.
Tab. II.1 : Différents modes de fonctionnement des transistors NPN.

Comment-Check
Il ne faut pas confondre l’état saturé d’un transistor bipolaire et la zone de saturation des
transistors à effet de champs
II.1.2 Caractéristiques Statique

La caractéristique électrique des transistors dépend de la configuration du transistor, c’est-à-dire
de la manière dont on perçoit l’entrée et la sortie du transistor.
D’après les conventions du transistor (cf. figure 3), un BJT dispose d’un ensemble de 6 grandeurs
électriques (𝐼𝐸 , 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐵𝐶 ), qui sont liées entre elles. Il existe ainsi différentes
manières de représenter les caractéristiques électriques d’un transistor :
2 Configuration “Émetteur Commun” (EC)

Caractéristiques : 𝐼𝐵 (𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐶𝐸 ) et 𝐼𝐶 (𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐵 )
Cette représentation est la plus employée.
©
, D.Folio
2 Configuration “Base Commune” (BC)

Caractéristiques : 𝐼𝐸 (𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐵𝐶 ) et 𝐼𝐶 (𝑉𝐵𝐶 , 𝐼𝐸 )
2 Configuration “Collecteur Commun” (CC)

La représentation des caractéristiques en “Collecteur Com-
mun” est rarement employée.
La configuration Émetteur Commun

En mode actif normal, la jonction BE est polarisée en direct et est alimentée par un courant
𝐼𝐵 faible.
La densité de courant alors injecté va modu-
ler le courant 𝐼𝐶 circulant entre l’émetteur et
le collecteur, qui se modélise par une source
de courant commandé par le courant 𝐼𝐵 ,
soit :
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (II.1)
avec 𝛽 (ou ℎ𝐹 𝐸 ) le gain en courant continue.
En outre, la jonction BE se comporte comme
une diode réelle. On retrouve la caractéris-
tique électrique de la diode, soit :
𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝐼𝑟/𝐵𝐸 (exp − 1) (II.2)
𝑉𝑇
Comment-Check L’effet transistor (ie, commande de 𝐼

jonction BC bloquée.
𝐶 par 𝐼𝐵 ) n’apparaît que si la jonction BE est passante et la
Si 𝑉𝐵𝐸 < 𝑉0 , alors 𝐼𝐵 = 0, la jonction BE se bloque et aucun courant ne circule dans le

transistor (𝐼𝐶 = 0).
↪ Le transistor est alors en mode bloquée.
Quand 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐸 sat , la jonction BC de-

vient passante et l’effet transistor disparaît :
le gain en courant 𝛽 diminue. Les deux
jonctions (BE et BC) sont passantes, et le
transistor est alors court-circuité.
↪ Le transistor est en mode saturée.
2A STPI, ELAN
Fig. 4 : Réseaux des caractéristiques électriques en configuration EC d’un NPN.
Imperfection des transistors bipolaire

2 Valeurs limites des transistor
• Il y a un risque de claquage si les tensions inverses
des jonctions BE et BC sont trop importantes ;
• Puissance maximale dissipée :
𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 = 𝑃𝑑 < 𝑃𝑑 max
2 Influence de la température
𝜕𝑉𝐵𝐸
• À 𝐼𝐵 = Cste, la tension 𝑉𝐵𝐸 diminue avec la température : ∣ ≈ −2 mV/K ;
𝜕𝑇 𝐼𝐵 =Cste
• Respectivement, si 𝑉𝐵𝐸 = Cste, 𝐼𝐸 augmente avec la température ;
• De même, le gain en courant 𝛽 varie fortement avec la température.
Il existe un risque d’emballement thermique : T℃↗⇒ 𝛽 ↗⇒𝐼𝐶 ↗ ⇒ 𝑃𝑑 ↗ ⇒ T℃↗ …
2 L’emploi de matériaux semi-conducteurs implique une dispersion de fabrication sur les

caractéristiques des transistors.
↪ Grande incertitude sur les paramètres intrinsèques des transistors (eg. le gain 𝛽 est mal
connu).
2 L’effet Early
Le réseau de caractéristiques 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐵 ) fait apparaitre des sources de courant idéales.
Il existe en réalité une légère pente, et donc une grande résistance associée. Ce comportement
source de courant réelle est lié à “l’effet Early”.
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, D.Folio
L’effet Early traduit en fait les modulations de la zone neutre de la base, modulations dues
à la polarisation des deux jonctions. Ces polarisations modulent en effet la largeur de la
zone de charge, et donc la largeur de la base. Le courant 𝐼𝐶 augmente alors avec 𝑉𝐶𝐸 , soit :
𝑉𝐶𝐸 𝑉
𝐼𝐶 = 𝐼𝑟/𝐵𝐸 (1 + ) exp ( 𝐵𝐸 ) (II.3)
𝑉𝐴 𝑉𝑇
où 𝑉𝐴 définit la tension de Early.
II.1.3 Point de fonctionnement

Les caractéristiques d’un transistor sont plus complexes que celles de la diode : il possède deux
degrés de liberté, puisqu’il s’agit d’un composant actif non-linéaire à 3 bornes.
Tout comme pour les diodes, pour étudier convenablement un circuit électronique comprenant
des BJT, il est nécessaire de déterminer dans quel mode de fonctionnement ils se trouvent. Il
s’agit ainsi de déterminer les grandeurs électriques du transistor, soit l’ensemble des 6 grandeurs :
(𝐼𝐸 , 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝑉𝐵𝐶 )𝑄 au point de fonctionnement 𝑄. Pour cela, on sait que le point de
fonctionnement 𝑄 est déterminé par les caractéristiques électriques du transistor et par les lois
de Kirchhoff appliquées au transistor intégré dans le circuit (ie. imposée par le circuit externe
au transistor).
Ainsi les lois de Kirchhoff permettent d’établir en configuration EC :
2 le point de fonctionnement sur la caractéristique d’entrée, et ainsi l’équation 𝐼𝐵 = 𝑓𝑎 (𝑉𝐵𝐸 )

correspondant à la droite d’attaque.
2 le point de fonctionnement sur la caractéristique de sortie, et ainsi l’équation 𝐼𝐶 = 𝑓𝑐 (𝑉𝐶𝐸 )
correspondant à la droite de charge.
Comment-Check Le
𝐸 𝐵 𝐶
point de fonctionnement d’un transistor bipolaire est constitué de 6 grandeurs électrique :
(𝐼 , 𝐼 , 𝐼 , 𝑉 , 𝑉 , 𝑉 )
𝐵𝐸 𝐶𝐸 𝐵𝐶 𝑄
La recherche du point de fonctionnement peut se faire selon différentes méthodes :
1. Méthode analytique : Elle s’effectue en déterminant les droites d’attaque et de charge du

transistor intégré dans le circuit (ie. imposée par le circuit externe au transistor). Puis, selon
les connaissances de l’état du transistor ou d’hypothèse, on peut caractériser les valeurs
typiques de 𝑉𝐵𝐸 et de 𝐼𝐶 . Par exemple :
2A STPI, ELAN
2 𝐼𝐵 = 𝑓𝑎 (𝑉𝐵𝐸 ) (droite d’attaque) 2 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵

2 𝑉𝐵𝐸 ≈ 0.6 V 2 𝐼𝐶 = 𝑓𝑐 (𝑉𝐶𝐸 ) (droite de charge)
↪ Il faut identifier le régime du BJT : normal, bloqué ou saturé pour déterminer les
hypothèses adéquates. Sinon prendre des hypothèses, et vérifier la cohérence des résultats.
2. Méthode graphique : Il s’agit déterminer le point de fonctionnement du transistor à partir

de son réseau de caractéristique (qui décrit son comportement intrinsèque) et connaissant les
droites d’attaque et de charge du transistor intégré dans le circuit. Le point de fonctionnement
est alors situé aux intersections de ces différentes courbes.
↪ Connaissant le point de fonctionnement on peut alors conclure sur le régime de fonction-
nement du transistor.
Fig. 5 : Recherche du point de fonctionnement par la méthode graphique.
L’inconvénient de la méthode graphique, c’est qu’il faut disposer du réseau de caractéristique

du transistor. Or les paramètres de ces caractéristiques varient sensiblement d’un transistor
à un autre du fait de la dispersion de fabrications des transistors et de la température.
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, D.Folio
II.2 Étude de la Polarisation

La polarisation d’un transistor consiste à choisir ou d’analyser les éléments du circuit encadre-
ment (eg. les résistances, les sources de tension ou de courant, etc.) de telle façon que le transistor
fonctionne à tout instant dans le mode de fonctionnement voulu : normal, bloqué/saturé.
Comment-Check Lors de l’étude de la polarisation on s’intéresse donc au point de fonctionnement du BJT.

Un transistor possède deux degrés de liberté. Afin de fixer un point de repos, il faudra donc
que le montage impose deux caractéristiques courant-tension : une à l’entrée (caractéristique
d’attaque) et une à la sortie (caractéristique de charge).
↪ Pour satisfaire ces critères, il existe de très nombreux circuits de polarisation des BJTs.
La stabilité du point de repos d’un transistor vis-à-vis des variations des paramètres externes
et internes est un paramètre important. En effet, la température influence la tension 𝑉𝐵𝐸 et le
gain 𝛽. Ce dernier est également influencé par la valeur de 𝐼𝐶 et peut varier substantiellement
entre des transistors satisfaisant la même fiche technique (ie. dispersion de fabrication). Ce
n’est donc pas une bonne idée de concevoir un circuit dont le fonctionnement repose sur une
connaissance précises des valeurs de 𝑉𝐵𝐸 ou de 𝛽, car son fonctionnement serait très sensible
aux conditions de température et du choix du composant. Le circuit pourrait également changer
radicalement de comportement si, à la suite du remplacement d’un transistor défectueux,
le nouveau composant pourrait fonctionner en dehors du mode fonctionnement désiré. Les
principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont donc liées à :
2 à la sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor ;
2 stabilité thermique, ie. limitée le risque d’emballement thermique.
Les choix et réglages de la polarisation se font généralement selon :

2 La tension (ou puissance) de l’alimentation ;
2 Amplitude maximale à la sortie ; 2 Étage à faible bruit (oui/non ?) ;
2 Impédance d’entrée et de sortie ; (ie., impé- 2 Facteur de distorsion (eg., distorsions non
dance d’entrée et de sortie) ; linéaires) ;
2 Amplification de tension (ou puissance) 2 Gamme de fréquence, etc.
maximale ;
L’étude la polarisation se fait toujours en analyse statique !

Comment-Check
↪ Il faut donc appliquer les hypothèses correspondantes.
En effet, rappelons qu’il existe deux types d’analyses d’un circuit :

2 Analyse statique :
• On ne s’intéresse aux valeur moyenne (ou composantes continues) 𝜔→0
• Courant et tension constante (ie., régime continue) ou à variation lente (pas d’effet
transitoire)
2 Analyse dynamique :
• On ne s’intéresse aux composantes variable
• Courant et tension en régime variable (eg., régime harmonique) 𝜔≠0
2A STPI, ELAN
II.2 Étude de la Polarisation 27
II.2.1 Circuits de polarisation

Montage simple : polarisation par résistance de base
2 Droite d’attaque :
2 Droite de charge :
2 Quand BJT en mode normal : 𝑉𝐵𝐸 ≈ 0.6V et

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
EXCLAMATION-TRIANGLEProblème de dispersion de fabrication : 𝛽 mal défini.

2 Conséquence : Δ𝛽 ⇒ Δ𝐼𝐶 ⇒ Δ𝑉𝐶𝐸
2 Le point de repos 𝑄 dépend fortement de 𝛽
2 Circuit de polarisation peu utilisé
Polarisation par contre-réaction à l’émetteur

Propriété du montage :
2 𝐼𝐶 peu sensible à 𝑉𝐵𝐸 si 𝑉𝑏𝑏 ≫ 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑏𝑏
⇒ 𝐼𝐶 ≈
2 𝐼𝐶 peu sensible à ℎ𝐹 𝐸 si 𝑅𝐸 ≫ 𝑅𝐵 /ℎ𝐹 𝐸 𝑅𝐸
Polarisation par diviseur de tension

Propriété du montage :
2 𝐼𝐶 peu sensible à 𝑉𝐵𝐸 si 𝑉Th ≫ 𝑉𝐵𝐸 𝑉Th
⇒ 𝐼𝐶 ≈
2 𝐼𝐶 peu sensible à ℎ𝐹 𝐸 si 𝑅𝐸 ≫ 𝑅Th /ℎ𝐹 𝐸 𝑅𝐸
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, D.Folio
Le circuit de polarisation par diviseur de tension, aussi appelé circuit universel de polarisation,
est le montage le plus utilisé (eg., simple à paramétrer).
Le principe de la contre-réaction
La stabilité de la polarisation provient d’un mécanisme de contre-réaction (ou réaction
négative).
Le principe de la contre-réaction est de réinjecter à l’entrée du transistor une partie du signal
de sortie inversé (réaction négative), qui en s’additionnant au signal d’entrée (ou de consigne),
diminue l’amplitude du signal réel sur l’entrée du transistor.
Ainsi, lors d’une contre-réaction à l’émetteur, la séquence suivante d’événements se déroule : si
𝐼𝐶 ↗⇒ 𝐼𝐸 ↗⇒ 𝐼𝐵 ↘⇒ 𝐼𝐶 ↘…
↪ Il y a autorégulation entre l’entrée et la sortie du BJT.
Les avantages de la contre-réaction :
2 Plus grande stabilité du point de fonctionnement 𝑄 ;
2 Risque d’emballement thermique limité (eg., bonne stabilité thermique) ;
2 Réduction de la sensibilité vis-à-vis des paramètres internes du transistor.
Remarque II.3 (Causes de l’augmentation de 𝐼𝐶 ). Le courant 𝐼𝐶 peut augmenter du fait de la
température, ou de la dispersion des paramètres du BJT.
II.3 Étude en régime Dynamique

On rappel que grâce au principe de superposition, nous savons qu’il est possible de décomposer
l’étude d’un circuit en une analyse statique (régime stationnaire) et une analyse dynamique
(régime variable), soit :
𝑣𝐴 (𝑡) = 𝑉𝐴 + 𝑣𝑎 (𝑡) ou 𝑖𝐴 (𝑡) = 𝐼𝐴 + 𝑖𝑎 (𝑡)
Les transistors sont des composants actifs non-linéaire !

Comment-CheckToutefois, on peut faire l’approximation que chaque mode de fonctionnement pris séparément est
linéaire.
II.3.1 Modèles petits signaux

Lorsque le signal d’entrée est de faible amplitude, le comportement électrique du montage
peut-être décrit par un schéma électrique linéaire équivalent, appelé schéma équivalent
petit-signal. Ainsi un faible signal se caractérise par : |𝑣𝑎 | ≪ 𝑉𝐴 et |𝑖𝑎 | ≪ 𝐼𝐴 .
((b)) En tenant compte de

((a)) 1ère approximation
l’effet d’Early
Fig. 6 : Modèles dynamiques petits signaux
2A STPI, ELAN
II.4 Amplificateurs à transistors bipolaire 29
Le modèle dynamique ne dépend pas du type (NPN ou

Comment-Check PNP) du transistor !
La seule différence réside dans le sens de circulation
des courants !
Paramètres dynamiques du BJT

2 ℎ𝑖𝑒 ou ℎ11 : impédance d’entrée du transistor en EC :
𝜕𝑣𝑏𝑒 𝑉𝑇
ℎ11 = ∣ ≈ 𝑄 (II.4)
𝜕𝑖𝑏 𝐼𝐵
𝑄
2 ℎ𝑜𝑒 ou ℎ22 : admittance de sortie du transistor en EC
𝜕𝑖𝑐 𝐼𝑄
ℎ22 = ∣ ≈ 𝐶 (II.5)
𝜕𝑣𝑐𝑒 𝑉𝐴
𝑄
2 ℎ𝑓𝑒 ou ℎ21 : gain en courant dynamique
𝜕𝑖𝑐 𝐼𝑄
ℎ𝑓𝑒 = ∣ = 𝐶𝑄 (II.6)
𝜕𝑖𝑏 𝐼𝐵
𝑄
2 ℎ𝑟𝑒 ou ℎ12 : coefficient de réaction de la sortie sur l’entrée
𝜕𝑣𝑏𝑒
ℎ𝑟𝑒 = ∣ (II.7)
𝜕𝑣𝑐𝑒
𝑄
𝑄
ℎ𝑓𝑒
↪ Transconductance : 𝑔𝑚 ≈
𝐼𝐶
𝑉𝑇 = ℎ𝑖𝑒
Comment-Check 𝑟sujet, ℎà une

𝑏𝑒 , 𝑟 forment l’ensemble des paramètres dynamiques internes du transistor. Ils sont donc
𝑓𝑒 𝑐𝑒
grande disparité.
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, D.Folio
((a))
((b))
Fig. 7 : Principe de l’amplification et schéma équivalent d’un amplificateur.
II.4 Amplificateurs à transistors bipolaire

II.4.1 Notions d’Amplification
Un amplificateur a pour fonction d’“amplifier” la puissance du signal, soit : 𝑃𝑎 > 𝑃in + 𝑃𝑢 .
Tout amplificateur est alimenté par une source d’énergie (eg., 𝑉𝑐𝑐 )
Comment-Check
↪ L’amplificateur ne créé pas de puissance ou d’énergie…
Le signal 𝑋 peut être une tension 𝑣(𝑡) ou un courant 𝑖(𝑡). On distingue alors :
2 amplification en tension : 𝑣out (𝑡) = 𝐺𝑣in (𝑡)
2 amplification en courant : 𝑖out (𝑡) = 𝐾𝑖in (𝑡)
↪ L’amplification concerne essentiellement les signaux alternatifs.
L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée : c’est l’impédance
qui mise aux bornes du générateur (𝑣𝑔 , 𝑍𝑔 ) donne la même intensité 𝑖in et la même tension 𝑣in :
𝑣
𝑍in = in .
𝑖in
La sortie agit comme une source de tension 𝑣out (ou de courant 𝑖out ) caractérisée par son
impédance de sortie : 𝑍out
↪ 𝑍out = impédance équivalente du modèle de Thévenin du dipôle vu de la charge 𝑍𝐿
L’amplification est caractérisée par son gain. On s’intéresse généralement au gain en tension, et
on distingue principalement :
𝑣out
2 le gain en tension en circuit ouvert : 𝐺 = 𝐴𝑣0 = ∣
𝑣in
𝑍𝐿 =∞
𝑣
2 le gain en tension sur charge : 𝐴𝑣𝐿 = out ∣
𝑣in
𝑍𝐿
𝑣out
2 le gain en tension composite : 𝐴𝑣𝐶 =
𝑣𝑔
𝑖out 𝑣 𝑖
On peut aussi s’intéresser au gain en courant : 𝐴𝑖 = , ou au gain en puissance : 𝐴𝑝 = out out .
𝑖in 𝑣in 𝑖in
On rappel que les gains sont généralement exprimé en décibel (dB), définit par :
Comment-Check
𝑣 = 20 log10 |𝐴𝑣 | , et 𝐴𝑖 = 20 log10 |𝐴𝑖 | , tandis que 𝐴𝑝 = 10 log10 ∣𝐴𝑝 ∣
𝐴dB dB dB
2A STPI, ELAN
Caractéristique
de transfert
IC (mA) Caractéristique
de sortie
ic t Q
IC
IB IQ
B VCE
(μA)
Q
VCE Vcc (V)
Q
Caractéristique
d'entrée
VBE vbe t
vce
t
(V)
VBE
ib
t
Fig. 8 : Amplification d’un signal à travers un transistor.
II.4.2 Transistor et effet amplificateur

La figure 8 illustre avec les caractéristiques du transistor l’“effet amplificateur”.
Soit une tension 𝑣𝑒 appliquée à l’entrée 𝑣𝑏𝑒 d’un BJT. En propageant ce signal à travers le
réseau de caractéristique du BJT, le signal à la sortie 𝑣𝑠 = 𝑣𝑐𝑒 est amplifié.
Cependant l’amplitude de la tension d’entrée 𝑣𝑒 doit être faible sous peine de voir apparaître une
distorsion de la tension de sortie 𝑣𝑠 . En effet, si on augmente l’amplitude de 𝑣𝑏𝑒 , la non-linéarité
de la caractéristique d’entrée va produire une tension de sortie non sinusoïdale.
En résumé, pour être en régime linéaire, on doit se contenter d’appliquer des petites variations
sinusoïdales à l’entrée du montage. Dans tous les cas, la tension de sortie 𝑣𝑠 ne peut pas dépasser
les deux limites qui correspondent au blocage et à la saturation du transistor.
Comment-Check Le transistor ne peut amplifier que s’il se trouve dans son mode actif.
Il existe principalement trois types de montage amplificateur à BJT :
1. Amplificateur à émetteur commun (EC)

2 Le signal d’entrée est appliqué à la base du transistor
2 La sortie est “prise” sur le collecteur
2. Amplificateur à collecteur commun (CC)

2 Le signal d’entrée est appliqué à la base du transistor
2 La sortie est “prise” sur l’émetteur
3. Amplificateur à base commune (BC)

2 Le signal d’entrée est appliqué à l’émetteur
2 La sortie est “prise” sur le collecteur
Les différences entre les montages résident dans :
2 le circuit de polarisation ;
2 les modes de couplages avec la source du signal et la charge ;
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2 la présence éventuelle de condensateurs de capacités de découplage ;

2 les caractéristiques de l’amplification : gain (eg. en tension), impédance d’entrée 𝑍in ,
impédance de sortie 𝑍out , etc.
II.4.3 Amplificateur à émetteur commun (EC)
Fig. 9 : Amplificateur à émetteur commun (EC)
Le circuit de polarisation considéré est celui ayant une contre-réaction à l’émetteur et exploitant
un pont diviseur de tension.
Les capacités ont pour rôle de “découpler” la source et la charge :
2 𝐶𝐿1 est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique ne soit pas modifié par la
présence de la source.
2 𝐶𝐿2 est nécessaire pour que la charge 𝑍𝐿 n’influe pas sur le point de repos, et évite que
celle-ci “voit” la composante continu de l’étage d’amplification.
2 À la fréquence de travail (ie. dans la bande passante) les impédances des capacités de
liaisons sont négligeable
Analyse statique
Fig. 10 : Amplificateur à émetteur commun (EC) en statique.
On rappel qu’en statique les condensateurs agissent comme des circuits ouverts. On retrouve
alors le circuit de polarisation à pont diviseur (cf. paragraphe II.2.1).
2A STPI, ELAN
Analyse dynamique
Fig. 11 : Amplificateur à émetteur commun (EC) en dynamique.
L’analyse dynamique s’effectue en établissant le schéma équivalent dynamique du montage.

Puis il s’agit de déterminer les caractéristiques de l’étage amplificateur EC :
𝑣out
2 Gain en tension : 𝐴𝑣0 = ∣ ou 𝐴𝑣𝐿 = 𝑣out
𝑣in ∣
𝑣in 𝑍𝐿
𝑍𝐿 =∞
2 Impédance d’entrée : 𝑍in

2 Impédance de sortie : 𝑍out
EXCLAMATION-TRIANGLELes impédances 𝑍
in et 𝑍out dépendent de l’endroit où l’on “regarde”.
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2A STPI, ELAN
Chapitre III
L’A MPLIFICATEUR O PÉRATIONNEL
III.1 Introduction
III.1.1 Présentation
Définition III.1.1 (Amplificateurs Opérationnels). Un am-
plificateur opérationnel (aussi ampli op, AO, AOP…) est un
amplificateur différentiel : c’est un amplificateur électronique +Vcc
qui amplifie une différence de potentiel électrique présente à
−
ses entrées. La sortie correspond globalement à : v− Vd
+ Vout
𝑉out = 𝐴𝑑 (𝑉+ − 𝑉− ) (III.1) v+
−Vcc
avec 𝑉− et 𝑉+ respectivement les entrées inverseuse et non-

inverseuse ; et 𝐴𝑑 le gain en tension de l’AOP.
Amplificateur Opérationnel Parfait

Un amplificateur opérationnel idéal est caractérisé par :
• Gain différentiel (en tension) 𝐴𝑑 → ∞,
• Une impédance d’entrée 𝑍in → ∞, Vout
• Une impédance de sortie 𝑍out = 0 +Vsat
• Symétrie parfaite entre les entrées « + » et « − »
• Des courants d’entrées 𝐼+ et 𝐼− nulle
• Variation instantanée de 𝑉out Vd
↪ Caractéristiques souhaitées quelque soit la fréquence -Vsat
utilisée.
35
36 Chap. III L’Amplificateur Opérationnel
III.1.2 AOP et contre-réaction

Fonctionnement sans réaction
Dans le cas idéal le gain infinie 𝐴𝑑 implique que la moindre tension à l’entrée de l’AOP entraîne
la saturation. Le fonctionnement n’est donc jamais linéaire, on obtient généralement un
comparateur.
Exemple III.1.2. Si la tension d’entrée 𝑉in est appliquée sur l’entrée

non inverseuse, il faut appliquer une tension dite de référence 𝑉ref
sur l’entrée inverseuse.
• si 𝑉in > 𝑉ref alors 𝑉𝑑 > 0 ⇒

• si 𝑉in < 𝑉ref alors 𝑉𝑑 < 0 ⇒
↪ Pour fonctionner en régime linéaire, il est nécessaire qu’il y ait une réaction de la sortie sur
une des entrées.
Principe de la réaction
𝐴
• 𝑉out = 𝑉 = 𝐴′ 𝑉in
1 ± 𝛽𝐴 in
• Si 𝛽𝐴 > 0 → réaction (positive)
• Si 𝛽𝐴 < 0 → contre-réaction
Les caractéristiques de la réaction :
• Réduit le gain de l’amplificateur, et stabili- • Diminution de la distorsion

sation du gain global : 𝐴′ ≈ 1/𝛽 • Augmentation de la bande passante
• 𝑍in = 𝑍in (1 + 𝛽𝐴), 𝑍out = 1+𝛽𝐴
𝑟 𝑟 𝑍out
• Ne modifie pas le rapport signal/bruit, etc.
III.2 Les applications de l’AOP

III.2.1 Les applications linéaires
Exercice III.1. Retrouver les fonctions de transferts 𝐻 = 𝑉out
𝑉in des montages du tableau III.1,
lorsque l’AOP est considéré idéal.
Comment-Check L’emplois d’un AOP en régime linéaire nécessite une contre-réaction.

Si et seulement si l’AOP idéal est en régime linéaire on a : 𝑉 = 0 ⇔ 𝑉
𝑑 + = 𝑉−
2A STPI, ELAN
III.2 Les applications de l’AOP 37
Suiveur Convertisseur
Amplificateur Inverseur Amplificateur non-inverseur
Amplificateur différentielle Amplificateur sommateur
Tab. III.1 : Exemples de circuit linéaire à base d’AOP.
III.2.2 Les applications non-linéaires

Si on introduit une réaction positive, l’AOP fonctionne alors en régime non-linéaire. La réaction
sur l’entrée non-inverseuse permet d’effectuer une réaction positive : toute augmentation de la
tension de sortie va augmenter la tension différentielle d’entrée de l’AOP. La sortie ne peut
prendre que deux valeurs : 𝑉sat+ ou 𝑉sat− , qui sont les tensions de saturation positive et négative
de l’amplificateur. Dans ce cas, on dit également que l’AOP fonctionne en “mode comparateur”.
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, D.Folio
Trigger de Schmitt non-inverseur inverseur
Tab. III.2 : Exemple de circuit non-linéaire à base d’AOP.
III.3 L’Amplificateur Opérationnel Réel

Bien que le modèle parfait de l’AOP permette de comprendre la plupart des montages à base
d’AOP, il s’agit d’un approximation du fonctionnement des AOP. Les AOP réels possèdent
un certain nombre de limitations par rapport à ce modèle.
((a)) Vu simplifiée d’un AOP
((b)) Schéma interne du LM741
Fig. 1 : L’AOP tel qu’il est en réalité.
Pour étudier un circuit contenant des AOP on le considère dans un premier temps comme
parfait. Puis on introduit successivement les “différentes imperfections”.
L’AOP réel présente les imperfections suivantes :
• sur les caractéristiques d’entrée :

↪ présence d’un offset en entrée, biais sur les courants, impédance non infinie en entrée etc.
• sur les caractéristiques de sortie
2A STPI, ELAN
III.3 AOP réel 39
↪ influence du mode commun sur la tension de sortie, etc.

• les caractéristiques de transfert
↪ variation du gain en fonction de la fréquence, etc…
Exemple III.3.1 (Imperfection du gain 𝐴𝑑 ). Soit le montage amplifi-

cateur non-inverseur ci-contre.
• Si AOP idéal : 𝑉out = 𝑘1 𝑉in

• Si gain 𝐴𝑑 fini :
• Erreur relative : 𝜀 = 1
𝐴𝑑 𝑘 (exprimé en %)
©
, D.Folio
III.3.1 Les imperfections statique de l’AOP

Imperfections sur les courants et tensions d’entrée
Les courants d’entrées 𝐼𝑏+ et 𝐼𝑏− de l’AOP réel ne sont pas nuls et de plus ils ne sont pas
idententiques (𝐼𝑏+ ≠ 𝐼𝑏− ). On distingue classiquement deux types d’imperfections sur les
courants d’entrées 𝐼𝑏+ et 𝐼𝑏− :
• Courant de polarisation : 𝐼𝑝𝑜𝑙 = ∣ 𝑏+ 2 𝑏− ∣
𝐼 +𝐼
𝑉out =0
0
+ ↪ Remède : les entrées « + » et « − » doivent avoir les
V+ AOP
Idéal même impédances
0
− Vout
V− IB+
IB− • Courant de décalage : 𝐼os = ∣𝐼𝑏+ − 𝐼𝑏− ∣
𝑉out =0
AOP
réel ↪ Remède : compensation (int. ou ext.) ; éviter les gains
et impédances trop grandes
Du fait des imperfections des AOP, la tension de sortie 𝑉out n’est généralement pas nulle lorsque
les deux tensions entrées sont au même potentielles (ie. quand 𝑉+ = 𝑉− ). Il existe alors une ten-
Cette tension 𝑉𝑂𝑆 représente la différence de tension qu’il
sion continue dite de décalage 𝑉𝑂𝑆 . faudrait appliquer entre les deux entrées de l’AOP quand on
a 𝑉+ = 𝑉− , afin d’avoir une tension de sortie nulle.
+
AOP
Vd=0 Vos Idéal
− Vout=0
↪ Remède : compensation (int. ou ext.) ; éviter les gains trop importants
Imperfections sur les impédances d’entrée et de sortie

Les imperfections sur les impédances d’un AOP se décom-
posent en 3 types :
• Impédance d’entrée différentielle 𝑍Ed

• Impédance de mode commun 𝑍MC
↪ Remède : en tenir compte…
• Impédance de sortie 𝑍𝑆
↪ Remède : éviter les courants de sorties trop importants…
• Il existe aussi en parallèle des impédances des capacités.
Imperfections sur le gain fini

Le gain différentiel 𝐴𝑑 d’un AOP réel est fini et varie en fonction de la fréquence. En statique
on s’intéresse au gain continue 𝐴𝑑0 .
D’autre part, il faut tenir compte du taux de rejection de mode commun (TRMC)= 𝐴𝑑 /𝐴𝑐 .
La sortie de l’AOP s’exprime alors : 𝑉out = 𝐴𝑑 𝑉𝑑 + 12 𝐴𝑐 𝑉𝑐
2A STPI, ELAN
III.3 AOP réel 41
III.3.2 Les imperfections dynamique

En pratique un AOP ne peut délivrer en sortie qu’une puissance limitée qui dépendra de la
quantité de courant consommée par la charge.
De plus la bande passante de l’AOP n’est pas infinie. En particulier, pour un AOP réel la
variation en fréquence du gain différentiel 𝐴𝑑 (𝚥𝜔) peut être assimilée à celle d’un filtre passe-bas
du premier ordre. Ainsi, en première approximation, le gain différentiel s’écrit :
𝑉out 𝐴𝑑0
𝐴𝑑 (𝚥𝜔) = = (III.2)
𝑉𝑑 1 + 𝜔𝚥𝜔
𝑐
où 𝐴𝑑0 est le gain différentiel statique, et 𝑓𝑐 est la fréquence de coupure (eg. à −3dB).
Le modèle de l’amplificateur idéal est satisfaisant tant que la valeur du gain 𝐴𝑑 en boucle
ouverte reste très supérieur à celui de la boucle de rétroaction. Quand cette condition n’est
plus réalisée, il faut reprendre l’étude du circuit en utilisant la valeur du gain donnée par la
relation ci-dessus.
Produit gain-bande passante

On définit le produit produit gain-bande pas-
sante : G (dB)
Bande passante au gain maximal
𝐺BW = 𝐴 × B (III.3)
où B (en Hz) est la largueur de bande passante
(aussi appelée bande passante). En particulier, on Bande passante à gain plus faible
considère que pour un AOP le produit gain-bande

passante de la variation en fréquence du gain diffé- Fréquence (Hz)
rentiel 𝐴𝑑 (𝚥𝜔) est constant si 𝑓 ≫ 𝑓𝑐 :

Fig. 2 : Produit gain-bande passante.
𝐺BW = |𝐴𝑑 (𝚥𝜔)| ⋅ 𝜔 ≃ 𝐴𝑑0 ⋅ 𝜔𝑐 = Cste. (III.4)
↪ Cette particularité permet de définir rapidement la bande passante (où la fréquence de coupure)
d’un montage linéaire dont on connaît l’amplification ou réciproquement.
Vitesse de balayage
Une grandeur à prendre également en compte est la vitesse
de balayage (ou temps de montée, Slew Rate), notée SR, qui
caractérise la rapidité de la réponse en sortie à une variation
brutale de la tension d’entrée. Lorsque la vitesse de variation
du signal de sortie d’un amplificateur est supérieure à sa vitesse
de balayage, sa tension de sortie est une droite de pente SR :
𝑑𝑉out
SR = max ( ) (III.5)
𝑑𝑡
↪ Limitation de la bande passante : 𝜔𝑉 𝑚 <SR Fig. 3 : Vitesse de balayage.
©
, D.Folio
2A STPI, ELAN
Annexe A
L ES BASES DE L’ ÉLECTRONIQUE ( RAPPELS )
A.1 Définitions et Lois générales

A.1.1 Introduction et rappels
L’électronique est un domaine des sciences de l’ingénieur qui étudie et utilise les variations
des (petits) signaux électriques pour capter, mettre en forme, transmettre et analyser des
informations contenu dans ces signaux. Elle se décompose en deux grande famille :
• Électronique analogique : variation continue dans le temps des signaux électriques

↪ Information : valeurs instantanées des grandeurs électriques
• Électronique numérique : variation binaire des signaux électriques
↪ Codage de l’information
Un circuit ou réseau électrique est constitué par un ensemble

de composants reliés entre eux, et qui agissent sur les
courants et tensions électriques.
Définition A.1. [Circuit électrique linéaire] Un circuit
électrique est dit linéaire s’il est constitué uniquement
de composants linéaires.
Les signaux électriques analogiques considérés sont :
• L’intensité des courants électriques qui est une grandeur algébrique correspondant à la
circulation de porteurs de charges mobiles (p.c.m.) électriques dans un conducteur.
• Les tensions électriques (aussi confondue avec la différence de potentiel), qui est la valeur
algébrique correspondant à la circulation du champ électrique le long d’un circuit électrique.
Fig. 1 : Circuit ou réseau électrique.
43
44 Chap. A Les bases de l’électronique (rappels)
A.1.2 Les lois de Kirchhoff

La loi des nœuds
Cette loi découle directement de la conservation de la charge électrique. En particulier, les
charges électriques ne peuvent pas s’accumuler à un endroit quelconque du circuit. Les charges
qui arrivent à un nœud compensent celles qui en repartent :
Loi des nœuds (A.1)

∑ 𝑖𝑒 (𝑡) = ∑ 𝑖𝑠 (𝑡)
entrant sortant
La loi des branches

Toutes les tensions 𝑉𝑘 (𝑡) situées sur une même branche peuvent se simplifier par leurs sommes
algébriques 𝑉 (𝑡) :
Loi des branches (A.2)

𝑉 (𝑡) = ∑𝑉𝑘 (𝑡)
𝑘∈branche
La loi des mailles

Dans une maille quelconque d’un réseau électrique la somme algébrique des différences de
potentiel le long de la maille est constamment nulle :
Loi des mailles (A.3)

∑𝑉𝑘 (𝑡) =0
𝑘∈branche
Dans l’approximation des régimes quasi-stationnaires, les lois de Kirchhoff sont toujours
vérifiés, que le circuit électrique soit linéaire ou non, contenant des composants passifs ou actifs,
Comment-Check en régime continu ou variable, etc.
Toutefois, pour certains circuit complexes (eg. contenant de très nombreuses mailles) les lois de
Kirchhoff peuvent devenir fastidieuses à utiliser.
2A STPI, ELAN
A.1 Définitions et Lois générales 45
A.1.3 Dipôles électriques

Définition A.2. [Le dipôle électrique] Un dipôle est un conducteur
électrique possédant deux bornes (A et B). Le comportement d’un
dipôle est caractérisé par :
• la tension ou différence de potentielle (ddp) entre ces bornes :

𝑈𝐴𝐵 = (𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 )
• le courant 𝐼 qui le traverse.
Caractéristique des dipôles

La fonction liant 𝑈𝐴𝐵 à 𝐼 (et réciproquement) imposée par le dipôle
est appelée caractéristique du dipôle. Par extension ce terme
désigne aussi la représentation graphique de cette fonction. On a ainsi 𝑈
la caractéristique tension-courant : 𝑈𝐴𝐵 = 𝑓(𝐼), et la caractéristique
courant-tension : 𝐼 = 𝑔(𝑈𝐴𝐵 ).
On distingue :
• la caractéristique statique en régime stationnaire ou perma- 𝐼

nent ;
• la caractéristique dynamique en régime variable.
Les grandeurs électriques courant et tension sont des grandeurs algébriques : leurs signes
Comment-Check dépendent de la convention utilisée.
↪ La caractéristique d’un dipôle dépendra de la convention choisie.
Points de fonctionnement
Soit deux dipôles A et B possédant chacune leur caractéristique

tension-courant propre :
𝑈 = 𝑓𝐴 (𝐼) et 𝑈 = 𝑓𝐵 (𝐼) 𝑈
L’intersection de c’est deux caractéristiques définit le point de

fonctionnement 𝑄 = (𝑈 𝑄 ; 𝐼 𝑄 ) de l’ensemble du montage.
Différents type de dipôles

• Un dipôle est dit passif s’il ne peut fournir de l’énergie électrique de façon permanente. Sa
caractéristique passe par l’origine (ie. 𝐼 = 0 si 𝑈𝐴𝐵 = 0)
• Un dipôle est dit actif s’il est capable de fournir de l’énergie électrique de façon permanente
• Un dipôle est dit symétrique si sa caractéristique est symétrique par rapport à l’origine.
©
, D.Folio
• Un dipôle est dit linéaire si sa caractéristique est définit par une fonction linéaire (eg.
l’équation d’une droite) :
𝐼 = 𝑝𝑈𝐴𝐵 + 𝑞 ou 𝑈𝐴𝐵 = 𝑎𝐼 + 𝑏 (A.4)
ou une équation différentielle linéaire à coefficient constant :

𝑁
d𝑘 𝑢(𝑡) 𝑀
d𝑝 𝑖(𝑡)
∑ 𝑎𝑘 = ∑ 𝑏 (A.5)
𝑘=0 d𝑡𝑘 𝑝=0
𝑝
d𝑡𝑝
Dipôles passifs linéaires

Remarque. Dans le cas général les dipôles linéaires passifs peuvent être considérés comme des
impédances 𝑍.
Résistor ou conducteur ohmique

Vérifie la loi d’Ohm : 𝑢(𝑡) = 𝑅 ⋅ 𝑖(𝑡) , avec 𝑅 la résistance du résistor en Ohm (Ω) dans le SI.
Condensateur
Emmagasine l’énergie électrique 𝑖(𝑡) = 𝐶 d 𝑢(𝑡)
d𝑡 , avec 𝐶 capacité du condensateur en Farad
(F) dans le SI.
Bobine
Emmagasine l’énergie magnétique 𝑢(𝑡) = 𝐿 d d𝑡
𝑖(𝑡)
, où 𝐿 est l’inductance propre de la
bobine en Henry (H) dans le SI.
Dipôles linéaires actifs

Un dipôle est dit actif s’il est capable de fournir de l’énergie électrique
de façon permanente.
EXCLAMATION-TRIANGLEOn adopte dans cette partie la convention générateur.

Sources de tension idéales
Une source de tension est idéale si quelle que soit l’intensité du courant qui la traverse, la
tension 𝑢 à ses bornes reste constante :
∀𝑖, 𝑣(𝑡) = 𝑉0 (A.6)
où 𝑉0 désigne la force électromotrice (f.é.m.) de la source de tension.
Sources de courant idéales

Une source de courant est idéale si quelle que soit la tension à ses bornes, l’intensité du courant
qui la traverse reste constante :
∀𝑣(𝑡), 𝑖(𝑡) = 𝜂 (A.7)
où 𝜂 désigne le courant électromoteur (c.é.m.) de la source.
2A STPI, ELAN
A.1 Définitions et Lois générales 47
((c)) ((d)) (régime

((b))
((a)) Caractéris- (américain) continue)
tiques
Fig. 2 : Sources de tensions.
I
I cc
((c)) ((d)) (améri-
((b))
((a)) Caractéris- cain)
tiques
Fig. 3 : Sources de courants.
Définition A.3. [Sources liées] Lorsque la tension (ou le courant) délivrée par une source
dépend de la tension aux bornes d’un des composants du circuit (ou du courant le
parcourant), la source est dite “liée”.
Sources réelles
Dans la réalité, les modèles idéaux précédent ne sont utilisable que pour une plage de tension
ou de courant très limitée. Dans un domaine plus large d’utilisation, la caractéristique statique
de ces éléments peut être représentée par une droite.
2 Source de courant réelle : 𝐼 = 𝐼cc − 𝐺𝑖 𝑈,

avec 𝐺𝑖 = 𝐼𝑈cc = 𝑅1
0 𝑖
• 𝐺𝑖 = 1
𝑅𝑖 correspond à la conductance
interne de la source,
exprimée en siemens (S).
• 𝐼 ≅ cst = 𝐼𝑐𝑐 , tant que 𝐼cc ≫ ( 𝑅𝑉 )
𝑖
2 Source de tension réelle : 𝑉 = 𝑈0 − 𝑅𝑖 𝐼,

avec 𝑅𝑖 = 𝐼𝑈0 .
cc
• 𝑉 ≅ cst = 𝑉0 , tant que 𝑉 ≫ 𝐼𝑅𝑖
©
, D.Folio
Les associations de dipôles linéaires

Dipôles en séries
La tension 𝑣(𝑡) totale aux bornes d’une association de
dipôles sur une même branche :
𝑛
𝑣(𝑡) = ∑ 𝑣𝑘 (𝑡) (A.8)
𝑘
• Si chaque dipôles 𝐷𝑘 correspond à une résistance 𝑅𝑘 , on obtient :
𝑛 𝑛
𝑣(𝑡) = ∑ 𝑅𝑘 𝑖(𝑡) = 𝑅eq 𝑖(𝑡), avec 𝑅eq = ∑ 𝑅𝑘 (A.9)
𝑘 𝑘
• Si chaque dipôles 𝐷𝑘 correspond à une capacité 𝐶𝑘 (initialement déchargé : 𝑣(𝑡0 ) = 0), on
obtient :
𝑛 𝑛
1 1
𝑣(𝑡) = ∑ ∫ 𝑖(𝜏 )𝑑𝜏 = ∫ 𝑖(𝜏 )𝑑𝜏 , avec 𝐶eq −1
= ∑ 𝐶𝑘−1 (A.10)
𝑘
𝐶𝑘 𝐶eq 𝑘
• Si chaque dipôles 𝐷𝑘 correspond à une inductance 𝐿𝑘 , on obtient :
𝑛
d𝑖 d𝑖 𝑛
𝑣(𝑡) = ∑ 𝐿𝑘 = 𝐿eq avec 𝐿eq = ∑ 𝐿𝑘 (A.11)
𝑘
d𝑡 d𝑡 𝑘
Dipôles en parallèle
L’intensité 𝑖(𝑡) totale du courant traversant une association de
dipôles ayant la même d.d.p. 𝑣(𝑡).
𝑛 𝑛
1
𝑖(𝑡) = ∑ 𝑖𝑘 (𝑡) = ∑ 𝑣(𝑡) (A.12)
𝑘 𝑘
𝐷𝑘
• Si chaque dipôles 𝐷𝑘 correspond à une résistance 𝑅𝑘 , on obtient :
𝑛 𝑛 𝑛
𝑖(𝑡) = ∑ 𝐺𝑘 𝑣(𝑡) = 𝐺eq 𝑣(𝑡), avec −1
𝐺eq = ∑ 𝐺𝑘 = 𝑅eq = ∑ 𝑅𝑘 −1 (A.13)
𝑘 𝑘 𝑘
• Si chaque dipôles 𝐷𝑘 correspond à une capacité 𝐶𝑘 (initialement déchargé : 𝑣(𝑡0 ) = 0), on
obtient : 𝑛
d𝑣 d𝑣 𝑛
𝑖(𝑡) = ∑ 𝐶𝑘 = 𝐶eq , avec 𝐶eq = ∑ 𝐶𝑘 (A.14)
𝑘
d𝑡 d𝑡 𝑘
• Si chaque dipôles 𝐷𝑘 correspond à une inductance 𝐿𝑘 , on obtient :
𝑛 𝑛
1 1
𝑖(𝑡) = ∑ ∫ 𝑣(𝜏 )𝑑𝜏 = ∫ 𝑣(𝜏 )𝑑𝜏 avec 𝐿−1
eq = ∑ 𝐿−1
𝑘 (A.15)
𝑘
𝐿𝑘 𝐿eq 𝑘
R1 R2
Exemple A.1.1 (Pont diviseur de tension). Exprimer 𝑉out en fonction de
𝑉in , 𝑅1 et 𝑅2 , et retrouver la relation du “pont diviseur de tension”. Vout
Vin
R1
Exemple A.1.2 (Pont diviseur de courant). Exprimer 𝐼out en fonction de
𝐼in , 𝑅1 et 𝑅2 , retrouver la relation du “pont diviseur de courant”. Iin R2
Iout ?
2A STPI, ELAN
A.2 Les théorèmes simplificateurs 49
A.2 Les théorèmes simplificateurs

A.2.1 Le principe de superposition
Définition A.4. [Principe de superposition] Lorsqu’un circuit linéaire possède plusieurs
sources indépendantes, la réponse (courant et tension) dans chaque branche est la somme
algébrique des réponses que ferait circuler dans cette branche chaque source prise séparément
(toutes les autres ayant été remplacées par leur résistance interne).
↪ Le principe de superposition découle de la linéarité des circuits.
• Pour chacune des sources indépendantes, on étudie la réponse du circuit les autres sources
indépendantes étant “éteintes”. Mais les sources commandées restent actives
• Les sources de tension sont remplacées par des courts circuit
• Les sources de courant sont remplacées par des circuits ouvert
Exemple A.2.1. 𝑉4 = 𝑉4𝑎 + 𝑉4𝑏 + 𝑉4𝑐 , 𝐼4 = 𝐼4𝑎 + 𝐼4𝑏 + 𝐼4𝑐 , …
= + +
A.2.2 Le théorème de Thévenin

Théorème A.2.2 (Thévenin). Tout circuit électrique linéaire à deux bornes, est équivalent
à une source de tension idéale 𝑉Th en série avec une résistance unique 𝑅Th .
• Détermination de 𝑉Th : la tension vue entre les deux bornes du dipôle lorsqu’il est à vide ;
• Détermination de 𝑅Th : la résistance vue entre les deux bornes du dipôle lorsque toutes ses
sources indépendantes sont remplacées par leur résistance interne
A.2.3 Le théorème de Norton

Théorème A.2.3 (Norton). Tout circuit électrique linéaire à deux bornes , est équivalent
à une source de courant idéale 𝐼N en parallèle avec une résistance unique 𝑅N .
• Détermination de 𝐼N : le courant de court-circuit vue entre les deux bornes du dipôle

• 𝑅N = 𝐺1 : la résistance vue entre les deux bornes du dipôle lorsque toutes ses sources
N
indépendantes sont remplacées par leur résistance interne
©
, D.Folio
Équivalence entre les modèles de Thévenin et de Norton

Les modèles de Thévenin et de Norton sont reliés par les relations :
𝑅𝑡ℎ𝑒𝑜𝑟𝑒𝑚 = 𝑅N = 𝑅eq , et 𝐼N = 𝑉𝑅Th ou 𝑉Th = 𝐼N 𝑅eq
eq
Comment-Check On n’éteint jamais une source liée ! ! !

Exercice A.1 (Générateur de Thévenin–Norton). Don-
ner les modèles de Thévenin et de Norton du dipôle
AB du circuit électrique ci-contre.
A.N. : 𝑈 = 15V, 𝑅1 = 2kΩ et 𝑅2 = 𝑅3 = 1kΩ
A.2.4 Le théorème de Millmannn

Théorème A.2.4 (Millmannn). Dans un réseau élec-
trique comprenant 𝑁 branches en parallèle, comprenant
chacune un générateur de tension parfait en série
avec un dipôle linéaire, la tension 𝑉𝑀 aux bornes des
branches est donné par :
𝑁
∑𝑘=1 𝐸𝑘 𝑌𝑘
𝑉𝑀 = 𝑁
(A.16)
∑𝑘=1 𝑌𝑘
où 𝑌𝑘 = 1
𝑍𝑘 est l’admittance.
A.3 Le régime harmonique

Dans le cadre des régimes variables, on s’intéresse aux signaux électriques périodiques, et plus
particulièrement aux grandeurs sinusoïdales. Un signal sinusoïdal se définit par :
̂ sin(𝜔𝑡 + 𝜑)
𝑥(𝑡) = 𝑋0 + 𝑋 (A.17)
et il est caractérisé par :
• Pulsation 𝜔, liée à la fréquence : 𝑓 = 𝜔
2𝜋 et à la période : 𝑇 = 2𝜋
𝜔
• Phase à l’origine : 𝜑
• Amplitude : 𝑋 𝑚 = 𝑋max = 𝑋 ̂
𝑇
• Valeur moyenne : 𝑋moy = ⟨𝑥⟩ = 1
𝑇 ∫ 𝑥(𝑡) ⋅ 𝑑𝑡
0
𝑇
• Valeur efficace (Eng. : Root Mean Square – RMS) : 𝑋eff = 2 1
𝑇 ∫ 𝑥2 (𝑡) ⋅ 𝑑𝑡 = ⟨𝑥2 ⟩
0
2A STPI, ELAN
A.3 Le régime harmonique 51
A.3.1 Représentation d’une grandeur sinusoïdale

La forme temporelle des grandeurs alternatives sinusoïdales Eq. (A.17) est souvent peu pratique
à manipuler. Il existe d’autres représentation plus “simple” pour les manipuler.
La représentation de Fresnel
La représentation de Fresnel permet, à l’aide d’une construction géométrique simple, de
soustraire, de dériver et d’intégrer plusieurs fonctions sinusoïdales de même pulsation 𝜔.
À toute grandeur sinusoïdale fonction du temps :

√
𝑦(𝑡) = 𝑌 2 sin(𝜔𝑡 + 𝜑) (A.18)
on associe le vecteur de Fresnel : y⃗ = {𝑌 ; 𝜑}

dans le plan de Fresnel tournant à la pulsation 𝜔.
La représentation complexe
À tous signaux alternatifs sinusoïdales on peut associés l’amplitude complexe :
𝑌 = 𝑌 e𝚥𝜑 = 𝑌 (cos 𝜑 + 𝚥 sin 𝜑) = 𝑎 + 𝚥𝑏
Cette notation contient uniquement les renseignements sur la phase et le module de 𝑦(𝑡).
√ 𝚥(𝜔𝑡+𝜑)
En effet : 𝑦(𝑡) = 𝑌 2 e . On peut alors travailler également dans le plan complexe
correspondant.
A.3.2 Généralisation aux circuits en régime harmonique

Un dipôle ne comportant que des dipôles linéaires passifs, soumis à
une tension sinusoïdale 𝑣(𝑡) de fréquence 𝑓, est traversé, en régime
permanent, par un courant sinusoïdal 𝑖(𝑡) de même fréquence.
On a alors les signaux électriques alternatifs sinusoïdales suivant :
√
• Tension 𝑣(𝑡) = 𝑉 2 sin(𝜔𝑡 + 𝜃𝑣 )
• Vecteur de Fresnel v⃗ = {𝑉 ; 𝜃𝑣 }
• Tension d’amplitude complexe 𝑉 = 𝑉 e𝚥𝜃𝑣
√
• Courant 𝑖(𝑡) = 𝐼 2 sin(𝜔𝑡 + 𝜃𝑖 )
• Vecteur de Fresnel i⃗ = {𝐼; 𝜃𝑖 }
• Courant d’amplitude complexe 𝐼 = 𝐼 e𝚥𝜃𝑖
On définit alors le déphasage courant/tension : 𝜙 = 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 On a ainsi l’impédance
𝑉 |𝑉|
complexe : = 𝑍 e𝚥𝜙 , où 𝜙 = arg 𝑧 = 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 et 𝑍 = | 𝑧 | =
𝑧= impédance
𝐼 |𝐼|
apparente du dipôle qui s’exprime en en Ohm (Ω) dans le SI. On a également l’admittance
𝐼
complexe : 𝑦 = = 𝑧−1 , qui s’exprime en Siemens (S) dans le SI.)
𝑉
Toutes les lois et théorèmes du régime continu s’appliquent au régime harmonique, mais avec les
Comment-Check amplitudes complexes associées. On obtient ainsi la loi d’Ohm généralisée :
𝑣 = 𝑧⋅𝐼 (A.19)
©
, D.Folio
Représen-
𝑈 ↔𝐼 Impédance
Dipôle 𝑢(𝑡) ↔ 𝑖(𝑡) tation de
(valeur efficace) Complexes
Fresnel
Résistance
𝑢(𝑡) = 𝑅𝑖(𝑡) 𝑈 = 𝑅𝐼 𝜙 = 0, 𝑧𝑅 = 𝑅
Inductance
𝑑𝑖(𝑡) 𝑈 = 𝐿𝜔𝐼 𝜙 = 𝜋2 , 𝑧𝐿 = 𝐿𝚥𝜔
𝑢(𝑡) = 𝐿
𝑑𝑡
Condensateur
𝑑𝑢(𝑡) 𝑈= 1
𝜙 = − 𝜋2 , 𝑧𝐶 = 1
𝑖(𝑡) = 𝐶 𝐶𝜔 𝐼 𝐶𝚥𝜔
𝑑𝑡
Tab. A.1 : Représentation des dipôles passifs linéaires
2A STPI, ELAN
Annexe B
R ÉFÉRENCES B IBLIOGRAPHIQUES
[1] Jimmie J. Cathey Electronic Devices and Circuits. McGraw-Hill Education, 2nd edition,
2002.
[2] Paul Horowitz, Winfield Hill The Art of Electronics. Cambridge University Press, 2nd
edition, 2006.
[3] Auvray, J. Électronique des signaux analogiques. Dunod, 1993.
[4] Floyd, T. L. Électronique : composants et systèmes d’application. Dunod, 2000.
[5] Horowitz, P. Traité de l’électronique analogique et numérique. Publitronic : Publit

Elektor, 1996.
[6] Malvino, A. P. Principes d’électronique. Dunod, 2002 (6ème éd.).
[7] Millman, J. Microélectronique. Ediscience International, 1994.
[8] R. Noel, J.M. Brébec, P. Denève, T. Desmarais, M. Ménétrier, B. Noël, and C. Orsini.
Électronique/Électrocinétique 1ère année MPSI-PCSI-PTSI. Hachette, 2003.
[9] J.J. Rousseau. Introduction à l’électronique : cours et exercices corrigés. Universités

électronique. Ellipses, 1999.
[10] J.P. Brodier, P. Horowitz, J.P. Charlier, W. Hill, and J.C. Sabatier. Traité de
l’électronique analogique et numérique : Techniques analogiques. No 1, La Bibliothèque
d’électronique d’Elektor. 2009.
[11] M. GIRARD. Amplificateurs operationnels. Number 1 in Electronique analogique.

Ediscience international, 1995.
[12] M. Marty, D. Dixneuf, D. G. Gilaber Principes d’électrotechnique Dunod, 2005.
[13] Sybille, G. Électrotechnique. De Boeck Université, 2003 (3ème éd.).

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INSA

2 ÈME ANNÉE S CIENCES ET T ECHNOLOGIES P OUR L’I NGÉNIEUR

III L’Amplificateur Opérationnel 35

A Les bases de l’électronique (rappels) 43

L’objet des supports n’est pas de fournir le cours complet.

Il vous appartient de le compléter et de l’enrichir des différents éléments abordés en séances et

2 Campus de Bourges : https://celene.insa-cvl.fr/course/view.php?id=511

Un semi-conducteur est un matériau qui a les

↪ La conductivité électrique d’un semi-conducteur

Comment-Check Rappel : charge élémentaire 𝑒 = 1.602 17⋅10

• la distribution spatiale des deux types de p.c.m. ;

↪ Simplement constituées d’une “jonction PN ” (eg., silicium, germanium…)

1. Direct (ou passant) : sens qui laisse passer le courant ;

Fig. 1 : Diode ≡ jonction PN

Les tensions 𝑉𝑑 et 𝑉0 s’ajoutent, ce qui accroît la largeur de la zone de charge d’espace et

Les tensions 𝑉𝑑 et 𝑉0 se retranchent, la barrière de potentiel passe de 𝑉0 à (𝑉0 − 𝑉𝑑 ). La largeur

I.2.2 Caractéristiques électriques

La caractéristique courant/tension d’une jonction PN obéit selon la loi exponentielle suivante :

2 𝐼𝑟 < 1 µA le courant de fuite

On distingue sur la caractéristique de la diode trois zones :

1. Conduction : 𝑉𝑑 > 𝑉0 , la diode se comporte comme un conducteur

2. Blocage : 𝑉𝑑 < 0, la diode se comporte comme un isolant

3. “Zone du coude” : 0 < 𝑉𝑑 ≤ 𝑉0 → 𝐼𝑑 ≃ 𝐼𝑟 (exp ( 𝜂𝑉

I.3 Diode dans un circuit

EXCLAMATION-TRIANGLEPb : diode=dipôle non linéaire ⇒ difficile de résoudre simplement.

2 𝐼𝑑 et 𝑉𝑑 respectent les lois de Kirchhoff ;

Il s’agit ainsi de rechercher le point de fonctionnement

I.3.1 Points de fonctionnement

2 Méthode “calculatoire” : calcul du point d’intersection des deux courbes.

2 Méthode “graphique” : connaissant la caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) on peut déterminer graphi-

2 Utilisation des schémas équivalents : on peut “déterminer le point de fonctionnement” en

La modélisation d’un composant consiste à remplacer la caractéristique électrique réelle 𝑉 =

1. Modèle statique : calcul des valeurs moyennes (ou composantes continues)

EXCLAMATION-TRIANGLEChaque simplification se fait au détriment de la précision.

On considère dans ce modèle : la tension seuil 𝑉0 nulle,

2 En direct 𝑉𝑑 = 0 pour ∀𝐼𝑑 ≥ 0 : la diode est considérée comme un court-circuit.

La seconde approximation : diode avec seuil

On considère dans ce modèle : la tension seuil 𝑉0 non

On considère dans ce modèle : la tension seuil 𝑉0 non

2 En direct 𝑉𝑑 = 𝑉0 + 𝑟𝐷 𝐼𝑑 pour ∀𝐼𝑑 ≥ 0, avec 𝑟𝐷 la résistance directe ou statique de la

Remarque I.3. Il faut distinguer la résistance statique 𝑟𝐷 du modèle linéaire de la “résistance

Exemple I.3.1 (Comportement dynamique). Soit le schéma

• Capacité 𝐶 ⇔ circuit ouvert

• Source de tension continue ⇔ court-circuit

Si on a des variations de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique, la

↪ La diode en dynamique agit donc comme une résistance dyna-

I.3.3 Association de diodes

↪ La tension seuil est doublée.

I.4 Quelques diodes spéciales

↪ 𝑉𝑍 : tension à laquelle apparaît l’effet Zener (ou phénomène

Fig. 3 : Courbe caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) d’une diode Zener.

La diode de Zener correspond à une diode classique à laquelle on ajoute le fonctionnement en

↪ Dans la zone directe et bloquée : même comportement qu’une diode classique.

I.4.2 Diode à effet Tunnel

Fig. 4 : Courbe caractéristique 𝐼𝑑 (𝑉𝑑 ) d’une diode a effet tunnel.

I.4.3 Diverses Diodes

I.5 Application des diodes

2 protection contre les erreurs de branchement et les inversions accidentelles de polarité ;

2 protection contre les surtensions ;

I.5.1 Limiteur de crête

Fonctionnement (régime continue) :

Réponse à un signal sinusoïdal : 𝑢𝑔 (𝑡) = 𝑈

Fonctionnement (régime continue) :

Réponse à un signal sinusoïdal : 𝑢𝑔 (𝑡) = 𝑈