= INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA COMUNICACIONES Y ELECTRONICA PRACTICA “05” “TRANSISTOR BIPOLAR” DISPOSITIVOS NUEVA CURRICULAESIME IPN 10H En el segundo grafico las corrientes de base (Ib) con ejemplos para poder entender que a mas ccrriente la curva es mas alta Material’ ¥ Osciloscopio de doble trazo ¥ Generador de sefales ¥ Multimetro analégico ylo digital ¥ Una pinza de punta ¥ Una pinza de corte ¥ 6 cables caiman — caiman de 50cm. ¥ 6cables caimén — banana de 50em ¥ 6 cables banana — banana de 50cm ¥ 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacién bne y en el otro caimanes Tablilla de conexiones (protoboard) Fuente de voltaie C.D. (variable) Fuente de corriente C.D. (variable) 1 transistor de germanio NPN AC127 4 transistores de silicio NPN BC547 4 resistores de 1kQ a % watt. I resistor de 100kQ a % watt. 1 Encendedor KANN 8888 Experimentos’ 1. Es requisito que pare antes de realizar la prdctica el alumno presente por escrito y en forma concisa y breve los siguientes puntos sobre e transistor bipolar: a) Simbolo b) Construccién interna ©) Diagrama tipico de uniones d) Modelo mateméatico ) Comportamiento grafico de entrada y salida f) Parémetros principales y su definicion g) Circuitos equivalentes h) Parémetro “h” i) Polarizacién tipica El profesor deberd revisar que el alumao cumpla con este punto antes de entrar a laboratorio, asi como que se presente con los cireuitos correspondientes debidamente armados, de NO satisfacer estas indicaciones el elumno NO tendré darecho a quedarse en el laboratorio y se le considerara como falta al mismo. 2. Identificar las terminales del transistor bipolar. Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si éste es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican como estan ubicadas las terminales de emisor, colector y base En el laboratorio es coaveniente comprobar que esta ubicacién es correcta y que el dispositivo esté en buen estado. reaESIME LPN 10k En el caso que no se cuente con‘ la informacién suficiente, mediante algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identifiear las terminales de los transistores hipolares y el tipo de transistor NPN o PNP do que se trate 2.1 Usar el multimetro en su funeién de éhmetra y aplicar la pruebs conocida como “prueba del amplificador” ¢ identificar las terminales del transistor a)Use un multimetro analégico en su funcién de 6hmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor — base y colector ~ base (para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna del 6hmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras dos terminales deberé medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida debera de ser alta (use la misma escala del multimetro para la realizacién de éstas pruebas). Entre las terminales de colector - emisor se observard alta resistencia sin importar como se coloque la polaridad de las terminales del éhmetro. Con estas mediciones se comprueba la existencia de las uniones rectificantes en el transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP. Para distinguir la terminal del colector de la terminal de emisor,’ sera necesario aplicar la “prueba del amplificador”. b)Habiendo identificado la terminal de base de las otras dos terminales y el tipo de transistor NPN o PNP, la prueba del amplificador consiste en Lo siguiente Para el caso del NPN, conectar el positive del éhmetro a la terminal que supuestamente es el colector y el negativo al emisor, la lectura que debe de aparecer en el Ghmetro es de alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre el colector y la base ( esto es equivalente a colocar entre estas termingles una resistencia del orden de M ohms) y observar la disminucién de la resistencia medida entre colector ~ emiscr, cuando la terminal que se elige como colector es la correcta esta disminucida en el valor de la resistencia es considerable, si la terminal elegida como colector no es tal, eino la de emisor, al efectuar dicha prueba la disminucién de la resistencia no sera tan importante Para estar seguro de cual es cual, deberdn realizarse ambos casos y comparar las resistencias medidas 2.2. Otra forma que permite identificar, las terminales de este dispositive es mediante el uso de un multimetro digital que nos permita medir la “beta” del transistor. Esto es que elegimos en el multimetro digital la funcién de medicién de la beta, colocamos las terminales del transistor como creamos que estan correctas y midamos la beta, cuando el dispositive esta correctamente colocado la beta medida, generalmente es grande (en la mayoria de los casos mayor a 50), cuando no esta bien colocado la beta que se mide es pequefia (en la mayoria de los casos menor a 20 y en algunos sos indica circuito abierto.) 2.8 Después de identificar las terminales de sus transistores bipolares dibijelos en isométrico en la figura 1, indicando donde esta el colector, el emisor y la base JRASIME IPN toms Figura 1 Dibujo isométrico del Transistor Bipolar indicando la base, el emisor y el colector en.un NPN y en un PNP = a + Figura 2 Simbolor del transistor Medir la corriente de fuga ic y su variacién con la temperatura Al igual que en los diodos (uniones rectificantes) se tuvo la presencia de eorrientes de fuga (generadas por los portadores minoritarios), en los transistores bipolares también se presentan, de tal forma si polarizamos inversamente en cualquier par de terminales del transistor se podran medir estas corrientes, Segiin el par de terminales que elija, la corriente tendré valores diferentes aunque del mismo orden de magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy pequefias comparadas con las corrieates de operacién del dispositive que ademas para el caso del silicio son mucho menores que para el germanio. En la expresién matemAtica que se usa para la corriente de saturacién inversa colector ~ base con el emisor abierto, en la figura 5 se propone un circuito para medir esta corriente y observar como varia con la temperatura. Para ésta medicion usaremos el transistor de germanio ACI27 Re tk NM + PO (py am Ve = ——l acta Figura 3 Circuito propuesto pare medir la corriente Trou y su variacion con te temperatura usando el transistor de germanio, GRAESIME IPN 108 Tero = a temperatura ambiente Ieao. = 1 a temperatura mayor que la ambiente Para aumentar la temperatura acerque un cerillo encendido por cinco segundos 4. Observar y medir el voltaje de ruptura de la union base ~ emisor y de la unién colector ~ base de un transistor bipolar con tecnologia planar Actualmente le gran mayoria de los transistores bipolares estén construidos con tecnologia planar, en ellos las regiones del emisor, base y colector presentan diferentes concentraciones de impurezas y tamaios. debido a las caracteristicas de construccién que se tienen en las uniones emisor — base y colector — base, el voltaje de ruptura que se presenta en la unién emisor - base es menor que el que se presenta en la unin coeletor ~ base, Iegandose en la practica a generalizar diciendo: que la uaién emisor - base de un transistor bipolar de silicio se comporta como un diodo Zener Arme el circuito de la figura 4 y obtenga la curva del diode emisor ~ base. posteriormente desconecte en emisor, conecte el colector y obtenga la curva del diode colector - base, use una seiial senoidal con voltaje pico entre 10 y 12 Va una frecuencia entre 60 Hz y 1 KHz, TBCSAT 40 thee, ‘Rk wn a) = Lipvertido Figura 4.a... Circuito propuesto para obtenvr la curva del diodo emisor base y colestor base do vn transistor bipo Figura 4b. Curva del dioda emisor ~ baseESLME IPN Reporte el Voltaje al cual rompe la unién emigor — base Vin= Figura 4c... Curva éel dindo calestor - base Figura 4 5. Obtener las curvas cerdcteristicas de entrada del transistor bipolar en configuracién emisor comin, Observar su variacién con el voltaje de colector — emisor, Armar el circuito de la figura 5 (observar que este circuito es semejante al de la figura 4, solo haga los cambios necesarios), e] cual permite obtener el comportamiento de la unién emisor ~ base del transistor bipolar y observar su variacién con el voltaje de colector ~ emisor, co dionto de ciorta 12Vp 120He earal7 verticn Figura 5.a.. Cireuito prepuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor ~ base cn un transistor bipolar y e4 rariacion con el voltaje colector ~ emisor JRASIME IPN ICE L oy Figura 5, Figura bi. Curvas caracteristicas de entrada del teaneistor bipolnr Reporte en la tabla 1 loc valores medidos de corriente en la base para los diferentes voltajes de base ~ emisor du cobre | Vow (Vi medida sobre | Van (¥) medida sobre | Vu (V) medido sobre 1. WA) me In curva del diodo la eurva del diada Te curva del diode la curva del diodo emisor - base emisor—base cuando | emisor —base cuando | emisor ~ base cuando _ _ foun. 0V i ZONA eid en Lowa. a4 ad ISDH _ Tabla 1 6. Obtener las curas caracteristicas de salida del transistor bipolar en configuracién de emisor comin. Observar y reportar su variacién con la temperatura. Armar el circuito de la figura 6 y obtener una a una las curvas caracteristicas de salida del transistor bipolar emisor - comin, para diferentes corrientes en la base. wv pico 120K Irvertioo | igura G.a.. Circuito propuesto para obtener Ins curvas earacteristicas de salida dol transistor bipolar JRAIck, ESIME IPN y= 150 ua rein acive 00 ua cag Figura 6.b.. Bjemplo de ourva caracterfotions de aslidn del transistor bipolar ubicando las regiones de corte, saturacign y activa directs bun Yee corte Figura 6.c...Curvas caractoristions del transistor bipolar Figura 6 Reporte los valores medidos de eorriente de colector para los valores de voltaje colector — emisor solicictados en la tabla 2. elija los valores adecuados para la corriente de base, tal que la Ip, haga que el transistor bipolar trabaje en Ia regién de corte, los valores de Is2 y Inx lo hagan trabajar en la regién activa directa (de amplificacién) y la corriente Ins lo lleve a la regién de saturacién DE COLECTOR IC (mA) PAR! CORRIENTE | MEDIR LOS VALORES DE CORRIENT EN LA | CADA UNO DE LOS YALORES BASB (uA) p=10V | Vew=12' Tne ACTIVA Ins ACTIV Ins SATUR: Tabla 1 JRAESIME IPN LCE Fije la corrients de base en el valor de IRS (regién activa), acerque un cerillo encendido al transistor bipolar por 5 seg. Y observe que Ie pasa a la corriente de colector. Diga si aumenta o disminuye la corriente Reporte en la grafica de abajo la curva caracteristica de salida del transistor bipolar para la IB3 a temperatura ambiente y a mayor temperatura. Ilustre sobre la misma grafica el cambio con diferentes colores de tinta Figura 7 Curva caracteristiea de salida en configurarién de emisor comin para el transistor bipolar a dos diferentes temperaturas y considerando la corriente en la base constanee. Cuestionarie 1. Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual le unién emisor ~ base esté polarizada directamente y la unién colector ~ base presente polarizacion cero. | UNION EMISOR- BASE BRAESIME IPN UNION COLECTOR - BASE 2. Determine el valor de la alfa (a) para las lecturas que se realizaron en el circuito de la figura 2 Escriba la expresiéa matemAtica que se usa para determinar el aumento de la corriente de fuga en una unibn rectificante cuando aumenta le temperatura, hagalo tante para el caso del silicio como para el germanio ( ‘4 | | | Silicio Gormanio 4. Defina que otras corrientes de fuga pueden obtonerse entre las terminales de ua transiator bipolar © indique con que literales se JRA ‘iBSIMB IPN 2 Ice 5. Proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga de la unién emisor ~ base con el colector corto ~ circuitado 6. {De qué orden es el voltaje de ruptura colector — emisor en el transistor de silico. BOS47? Tae A partir de la tabla 2 obtenga las curvas caractoristicas de salida del transistor bipolar en emisor comin. 7 JRA 1SIME IPN lew, 9. Proponga el circuito equivalente de pardmetros *h” para el transistor bipolar en emisor ~ comin y defina cada uno de los pardmetros “h” 10.A partir de Is curvas caracteristicas de la pregunta 7, obtenga los pardmetros hie, hoe, para la grafica que obtuvo con la corriente de Ips y un Vor=4V respectivamente. 11, Cuando la corriente en la base es cero, {Cuanto debe de valer la corriente de colector? JRA 1BESIME IPN lee, 12.Usando los datos-de la tabla 1, obtenga las curvas caracteristicas de entrada del transistor bipolar en emisor comin 19.Determine los pardmetros hibridos his, hw usando las graficas de la pregunta anterior para una corriente de base de 40 pA 14.Anote sus conclusiones 15. Anote su bibliografia consultada JRA