Dispositivos de memria

INTRODUO Um sistema digital capaz de armazenar facilmente uma grande quantidade de informao por perodos de tempo curtos ou longos, sendo esta a sua principal vantagem sobre os sistemas analgicos, pois tal caracterstica torna os sistemas digitais bastante versteis e adaptveis a um sem nmero de situaes. Este captulo dedicado ao estudo dos tipos mais comuns de dispositivos e sistemas de memriaempregados no armazenamento de informaes em computadores digitais. J estamos familiarizados com o flip-flop. Sabemos tambm que grupos de flip-flops denominados registradores so capazes de armazenar informao estruturada (dados ou instrues), e que tais informaes podem ser recebidas/transferidas de/para outros dispositivos de armazenamento. Os registradores so elementos de memria de alta velocidade, empregados no armazenamento de informao durante o processo de execuo de instrues pela unidade de controle da mquina, havendo uma constante movimentao de informaes entre os registradores e os demais dispositivos componentes do sistema. Em geral, um sistema de computador usa memria principal (interna) de alta velocidade e dispositivos de memria secundria (externa ou de massa) lentos, mas com alta capacidade de armazenamento.

TERMINOLOGIA CLULA DE MEMRIA - ( Flip-flop, armazenam um nico bit) PALAVRA DE MEMRIA - (Um grupo de clulas, normalmente 4 a 64 bits ) CAPACIDADE - 1K = 1024 , 1M = 1.048.576 - ( 2K x 8 = 2048 x 8 = 16384 bits ) ENDEREO - Identifica a posio de uma palavra na memria. OPERAO DE LEITURA - Tambm chamada de busca na memria. OPERAO DE ESCRITA - Tambm chamada de armazenamento. TEMPO DE ACESSO - Quantidade de tempo necessria busca ou armazenamento. MEMRIA VOLTIL - Necessitam de energia eltrica para reter a informao armazenada. MEMRIA DE ACESSO RANDMICO (RAM) - O tempo de acesso constante para qualquer endereo da memria. MEMRIA DE ACESSO SEQUENCIAL (SAM) - O tempo de acesso no constante, mas depende do endereo. Ex: fitas magnticas. MEMRIA DE LEITURA/ESCRITA (RWM) - Qualquer memria que possa ser lida ou escrita com igual facilidade. MEMRIA DE LEITURA (ROM) - Uma classe de memrias a semicondutor projetadas para aplicaes onde a taxa de operaes de leitura infinitamente mais alta do que as de escrita. So no-volteis. DISPOSITIVOS DE MEMRIA ESTTICA - Enquanto houver energia eltrica aplicada, no h necessidade de rescrever a informao. DISPOSITIVOS DE MEMRIA DINMICA - Necessitam de recarga ( refresh ) MEMRIA PRINCIPAL (INTERNA) - a mais rpida do sistema. ( Instrues e dados ). MEMRIA DE MASSA - mais lenta que a principal. Grande capacidade de armazenamento

OPERAO DA MEMRIA Apesar das diferenas existentes na implementao de cada um dos tipos de memria, um certo conjunto deprincpios bsicos de operao permanece o mesmo para todos os sistemas de memria. Cada sistema requer um conjunto de tipos diferentes de entrada e sada para realizar as seguintes funes: 1. 2. 3. 4. Selecionar o endereo que est sendo acessado para uma operao de leitura ou escrita. Selecionar a operao a ser realizada, leitura ou escrita. Fornecer os dados de entrada para a operao de escrita. Manter estveis as informaes de sada da memria resultantes de uma operao de leitura, durante um tempo determinado. 5. Habilitar ( ou desabilitar ) a memria, de forma a faz-la ( ou no ) responder ao endereo na entrada e ao comando de leitura/escrita.

MEMRIAS DE LEITURA - ROM As ROMs so usadas para guardar instrues e dados que no vo mudar durante o processo de operao do sistema. Uma vez que as ROMs so no-volteis, os dados nela armazenados no se perdem quando o equipamento desligado. Uma das principais aplicaes da ROM no armazenamento de alguns programas do sistema operacional dos microcomputadores, e tambm para armazenar informaes em equipamentos controlados por microprocessadores, como caixas registradoras eletrnicas, sistemas de segurana industrial e diversos aparelhos eletrodomsticos. Para alguns tipos de ROM, os dados que esto armazenados foram gravados durante o processo de fabricao da memria. Para outros tipos, os dados so gravados eletricamente. O processo de gravao de dados chamado de programao, ou queima, da ROM. Algumas podemapagar e regravarseus dados quantas vezes forem necessrias.

TIPOS DE MEMRIAS DE LEITURA - ROM ROM PROGRAMADA POR MSCARA - MROM Este tipo tem suas posies de memria escritas ( programadas ) pelo fabricante de acordo com as especificaes do cliente. Um negativo fotogrfico, denominado mscara, usado para especificar as conexes eltricas do chip. Uma mscara diferente requerida para cada conjunto de informaes a ser armazenado na ROM. Em razo de tais mscaras serem caras, este tipo de ROM s ser vivel sob ponto de vista econmico, se for produzido um nmero muito grande de ROMs com a mesma mscara. A maior desvantagem destas ROMs o fato de elas no poderem ser apagadas e reprogramadas, quando uma mudana qualquer no projeto do dispositivo exigir modificaes nos dados armazenados. Neste caso, a ROM com os dados antigos no pode ser reaproveitada, devendo ser substituda por uma outra com os novos dados gravados.

ROMs PROGRAMVEIS - PROMs Para aplicaes mais modestas em termos de quantidades de chips a ser produzidos, a indstria desenvolveu as PROMs a fusvel, programveis pelo usurio, isto , elas no so programadas durante o processo de fabricao, e sim pelo usurio, de acordo com suas necessidades. Porm, uma vez programada, a PROM torna-se uma MROM, ou seja, no pode ser apagada e novamente programada. O processo de programao de uma PROM com a conseqente verificao dos dados gravados pode ser muito tedioso e demorado, se realizado manualmente. Existe no mercado um sem-nmero de

dispositivos programadores de PROMs que permitem a entrada da programao por teclado, para ento realizar a queima dos fusveis e verificao dos dados gravados, sem a interveno do usurio.

ROM PROGRAMVEL APAGVEL - EPROM Uma EPROM pode ser programada pelo usurio, podendo, alm disso, ser apagada e reprogramada quantas vezes forem necessrias. Uma vez programada, a EPROM comporta-se como memria no-voltil que reter os dados nela armazenados indefinidamente. Uma vez que uma clula da EPROM tenha sido programada, possvel apag expondo -la radiao ultravioleta, aplicada atravs da janela do chip. Tal processo de apagamento requer uma exposio de 15 a 30 minutos aos raios ultravioletas. Infelizmente no h como apagar clulas selecionadas. A luz ultravioleta apaga todas as clulas ao mesmo tempo, de forma que, aps a exposio, a EPROM estar novamente armazenando apenas 1s. Uma vez apagada, a EPROM pode ser reprogramada. As EPROMs esto disponveis numa faixa bem ampla de capacidade e tempos de acesso. Dispositivos com capacidade de 128K x 8 com tempo de 45 ns so muito comuns.

ROM PROGRAMVEL APAGVEL ELETRICAMENTE - EEPROM A EEPROM foi desenvolvida no incio dos anos 80, e apresentada ao mercado como um aperfeioamento da idia da PROM. A maior vantagem da EEPROM sobre a EPROM a possibilidade de apagamento e reprogramao de palavras individuais, em vez da mem toda. Alm disso, uma EEPROM pode ser ria totalmente apagada em 10 ms, no prprio circuito, contra mais ou menos 30 minutos para uma EPROM que deve ser retirada do circuito para submeter-se ao da luz ultravioleta. Uma EEPROM tambm pode ser programada bem mais rapidamente do que uma EPROM, requerendo um pulso de programao de 10 ms para cada palavra, em contraste com o de 50 ms necessrio a se programar uma palavra da EPROM.

ISPOSITIVOS DE MEMRIA Uma das maiores vantagens que os sistemas digitais tm sobre os sistemas analgicos a habilidade de armazenarem, facilmente, grandes quantidades de informao digital e de dados, por perodos de tempo curtos ou longos. Esta capacidade de memria que torna os sistemas digitais to versteis e adaptveis a muitas situaes. Por exemplo. em um computador digital, a memria principal interna armazena instrues que dizem ao computador o que fazer sob todas as circunstancias possveis, de forma que o computador executara seu trabalho com uma quantidade mnima de interveno humana. J nos familiarizamos bastante com o flipflop, que um dispositivo eletrnico de memria. Tambm vimos como grupos de FFs, chamados de registradores, podem ser usados para armazenar informaes e como esta informao pode ser transferida para outras localidades. Registradores com FFs so elementos de memria de alta velocidade que so utilizados extensivamente nas operaes internas de um computador digital, onde a informao digital est sendo continuamente movimentada de uma localidade para outra. Avanos recentes na tecnologia de integrao em larga escala (LSI) tm tornado possvel obter grandes nmeros de FFs em um nico circuito integrado (ou pastilha), arranjados em vrios formatos de matrizes de memria. Estas memrias bipolares e de metal-xido-semicondutor (MOS) so os dispositivos de memria mais velozes disponveis e seu custo tem cado continuamente medida que a tecnologia LSI se aperfeioa. Devido sua alta velocidade, as memrias semicondutoras podem ser usadas como me mria interna de um computador, onde a operao rpida importante. A memria interna de um computador est em constante comunicao com o restante dele medida que ele executa as instrues de um programa. De fato, as instrues e os dados so armazenados, normalmente, nesta memria interna. Um compromisso razoavelmente bom entre velocidade e custo provido pelas memrias de ncleo magntico. Este tipo de memria tem sido largamente utilizado como a memria interna de trabalho dos computadores digitais desde o fim dos anos 50. Sua popularidade devida principalmente, sua alta velocidade e custo relativamente baixo. Recentemente, as memrias MOS tm comeado a substituir os ncleos magnticos em muitos computadores. As memrias MOS so menores, mais rpidas, e necessitam menos potncia do que os ncleos magnticos, e seu custo est aproximando do dos ncleos -se

magnticos. O IBM 370, um computador muito grande, usa memria MOS para armazenamento interno. Muitos minicomputadores e quase todos os microcomputadores usam memrias MOS (ou bipolares) para armazenamento interno. Apesar de as memrias semicondutoras e de ncleo magntico serem bem apropriadas para a memria interna de alta velocidade, seu custo por bit de armazenamento probe o seu uso como disp ositivos de memria de massa. A memria de massa refere-se memria externa ao computador principal, que capaz de armazenar grandes quantidades de informao (milhes de bits). A memria de massa externa, que , normalmente, muito mais lenta do que a memria interna, usada para transferir dados e informaes para uma memria interna do computador; da mesma forma, dados da memria interna so, freqentemente, transferidos para a memria de massa, para armazenagem por longo tempo. Fitas magnticas, discos magnticos e tambores magnticos so dispositivos de memria de massa, muito populares, e que so mais baratos por bit do que dispositivos de memria interna. Duas novidades no campo das memrias de massa so os dispositivos de cargas acopladas ("charge-coupleddevices", CCD) e as memrias de bolhas magnticas(MBM). Estes so dispositivos semicondutores que ainda no estiveram em voga por tempo suficiente para se predizer seu impacto na rea de armazenamento de massa.

2. MEMRIAS SEMICONDUTORAS 2.1. ORGANIZAO Os circuitos integrados de memria armazenam a informao binria em grupos chamados palavras. Uma palavra a unidade bsica de informao ou de dados usada em um computador. O nmero de bits que constitui uma palavra varia de computador para computador, estando na faixa de 4 bits at 36 bits, tipicamente. Uma dada "pastilha" de memria armazenar um dado nmero de palavras de tantos bits por palavra. Por exemplo, uma pastilha de memria muito popular tem uma capacidade de armazenamento de 1024 palavras de 4 bits cada (isto , uma pastilha de 1024 x 4). Ajuda muito pensar em uma pastilha de memria como sendo constituda por um grupo de registradores, cada registrador armazenando uma palavra (Fig. 1). A "largura" de cada registrador o nmero de bits por palavra. O nmero de registradores o nmero de palavras armazenadas na memria. Este diagrama geral representa uma memria que armazena N palavras de M bits cada (isto , uma memria N x M). Valores comuns para o nmero de palavras por pastilha so 64, 256, 512, 1024, 2048 e 4096. Todos eles so potncias inteiras de 2. Valores comuns para o tamanho da palavra so 1, 4 e 8. Como veremos, possvel obter outros tamanhos de palavras, combinando-se diversas pastilhas de memria. O contedo de cada registrador est sujeito a duas operaes possveis: leitura e escrita . A leitura o processo de obter a palavra armazenada no registrador e envi-la para algum outro lugar, onde ela poder ser usada. O contedo do registrador no modificado pela operao de leitura. Escrita o processo de colocar uma nova palavra em um registrador particular. claro que esta operao de escrita destri a palavra que estava previamente armazenada no registrador. Como veremos, no so todas as pastilhas de memria que tm a capacidade de ter os seus contedos escritos.

Fig. 1 Endereamento Cada registrador ou palavra recebe um nmero, comeando de 0 e continuando at onde for necessrio. Este nmero especifica, de forma nica, a localizao do registrador e da palavra que ele est armazenando, e chamado de seu endereo. Por exemplo, o endereo 2 refere se ao registrador 2 ou palavra 2. Sempre que quisermos nos referir a uma palavra em particular da memria, usaremos o seu endereo. O endereo de cada palavra um nmero importante porque ele o meio pelo qual um dispositivo externo pastilha de memria pode selecionar qual a palavra desta que ele deseja acessar para uma operao de leitura ou de escrita. Para entendermos como o endereamento utilizado, precisamos dar uma olhada mais detalhada na organizao interna de uma pastilha de memria tpica (Fig. 2). Este circuito integrado, em particular, armazena 64 palavras de 4 bits cada (isto , uma memria 64 x 4). Estas palavras tm endereos variando de 0 a 6310. Para selecionar uma das 64 locaes para ler ou escrever, um cdigo binrio de endereo aplicado ao circuito decodificador. Como 26 = 64, o decodificador requer um cdigo de entrada de 6 bits. Cada cdigo de endereo ativa uma particular sada do decodificador que, por sua vez, habilita o registrador correspondente. Por exemplo, suponha um cdigo de endereo de A5 A4 A3 A2 A1, A0 = 011010. Como 0110102 = 2610, a sada 26 do decodificador ficar ALTA, habilitando o registrador 26. Operao de leitura O cdigo de endereo escolhe um registrador da pastilha de memria para leitura ou escrita. Para ler os contedos do registrador selecionado, a entrada LEITURA/ESCRITA (R/W) dever estar em nvel 1. Alm disso, a entrada SELEO DE PASTILHA (CS) dever estar ativada (em 1, neste caso) . A combinao de R/W = 1 e CS = 1 habilita os amplificadores ("buffers") de sada de forma que os contedos do registrador selecionado aparecero nas quatro sadas de dados. R/W = 1 tambm desabilita os amplificadores de entrada de modo que as entradas de dados no afetam a memria durante a operao de leitura. Operao de escrita A escrita de uma nova palavra de 4 bits no registrador selecionado requer R/W = 0 e CS = 1. Esta combinao habilita os amplificadores de entrada, de modo que a palavra de 4 bits aplicada s entradas de dados ser carregada no registrador selecionado. R/W = 0 tambm desabilita os amplificadores de sada, de forma que as sadas de dados esto em seu estado de circuito aberto.

Seleo da pastilha A maioria das pastilhas de memria tem uma ou mais entradas SELEO DE PASTILHA ("CHIP-SELECT"-CS) que so usadas para habilitar a pastilha inteira ou desabilit-la completamente. No modo desabilitado todas as entradas de dados e as sadas de dados estaro desabilitadas, de modo que nenhuma operao de leitura, nem de escrita, poder ocorrer. Neste modo, os contedos da memria no so afetados. A razo para ter entradas CS ficar clara quando clara quando combinarmos pastilhas de memria para a obteno de memrias maiores. Deve ser notado que muitos fabricantes chamam estas entradas de HABILITAAO DA PASTILHA ("CHIP -ENABLE"-CE) em vez de CS. Pinos de entrada/sada comuns Para economizar pisos em um encapsulamento de CI, os fabricantes, freqentemente, combinam as funes de entrada de dados e de sada de dados usando pinos de entrada/sada comuns. A entrada RJW controla as funes destes pinos de E/S. Durante uma operao de leitura, os pinos de E/S agem como sadas de dados que reproduzem o contedo da locao selecionada pelo endereo. Durante uma operao de escrita, os pinos de E/S agem como entradas de dados. Podemos ver por que isto feito, considerando a pastilha da Fig. 2. Com pinos separados de entrada e de sada, requer-se um total de 18 pinos (incluindo terra e tome de alimentao). Com quatro pinos comuns de E/S, so necessrios apenas 14 pinos. A economia de pinos torna-se ainda mais significativa em pastilhas com tamanho de palavra anterior.

Fig. 2 - Organizao interna de uma pastilha de memria 64 x 4.

Fig. 3 - Diagrama de funes dos pinos para um CI de memria de 256 x 8.