Professional Documents
Culture Documents
العناصر الإلكترونية 3
العناصر الإلكترونية 3
ã¹]<gè…‚jÖ]æ<ËÖ]<Üé×Ãj×Ö<íÚ^ÃÖ]<퉉ö¹]
אאאא
אא
١٤٦
א إ١٤٦ א
אא
W،،אא،א
אאאאאאאאאא
א א ،א א א א א א
אאאאאא
،אאאאאא
K אאא
אאאאאאא
א ،א אא
א א א א א א א ،
א،אאאא
אאאאאאאאאאאאא
א א ،א
Kאא،אא
? ? א א ? א א
Kאאאאאא א?
אאאאאאא
،א،אאאא
Kאאאאא
،אאאא
Kא
אאאא
إ١٤٦ א
אא
،KKK،אאאא
א،אאאאאא
Kאאאא
אאאאאא
אאאאאא،אאאא
אאאK אאאאא
،אאא
אא
אאא،אאא
K אאאאאאאא
אאאאאאאאא
Kא
אא
אא،אאאא
Kאא،א ،אא
،אאאא،
א،אאא א
Kאא
KKKKKK،א
א
אאא
ã¹]<gè…‚jÖ]æ<ËÖ]<Üé×Ãj×Ö<íÚ^ÃÖ]<퉉ö¹]
אאאא
אא
١
אא ١٤٦ א
אא
אאא
Wאא
Kא •
Kאאאאא •
Kאאא •
Kאאא •
Kאא •
Kאאא •
-١-
אא ١٤٦ א
אא
Introduction ١J ١
،אאאאאא
،אאאא
K(doping)אאא
אאאאאאאא
K(p-type)pJ אאא (n-type) nJ אא
אאpJ אnJ אא
pnאאאאא
Kp-nאאאKא
FאאאE٢J ١F
(Electrons)א(Holes)אp-
אאאEא
n-
אאאא،אא
Kאא אא
p-n ﻭﺼﻠﺔ
p- ﻨﻭﻉ n- ﻨﻭﻉ
ﻓﺠﻮة ﺇﻟﻜﺘﺭﻭﻥ
Kp-nאא
E٢J ١F
א אא
KאאאאE٣J ١F
-٣-
אא ١٤٦ א
אא
אאאאא
אא אא،א
nאpאאא pא
א(space-charge)אאK
(Depletion Region)אאאאאאא
.(Space-charge Region)אאא(Transition Region) א
אאKp-nאאאE٤J ١F
Kאאא
p-n ﻭﺼﻠﺔ
p- ﻨﻭﻉ n- ﻨﻭﻉ
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
+ +
א + א
אא
p-אאאE٤J ١F
n–אאאאאאאא
"אאאא،p–אא
אאא
،VB،"א
אא،pJ אnJ אאאאא
אאא .nJ אאאpJ אאא
אאאאאא
Kא
-٤-
אא ١٤٦ א
אא
p-n ﻭﺼﻠﺔ
p- ﻨﻭﻉ n- ﻨﻭﻉ
A K
+
+
If +
+
אא א
ﻣﻨﻄﻘﺔ
+ -
اﻻﺳﺘﻨﺰاف
+ -
KאאE٥J ١F
אאא،אאא
Kאאאאא
-٥-
אא ١٤٦ א
אא
א אא
KnJ אpJ אאא،pJ אnJ א
אא
אאאא
אא אאאאאא
אאאאאאאK
אאאא
אK If(Forward current)אאא
Kאא
אאאאא
א ،E٦J ١Fאאא
K אא
אאאא
אאאאאא
אאאאא.٠{٧Vאאא
.٠{٣Vא
אאא
nJ אאאאא
K(Rp)pJ א(Rn)
،RpRnאא،אאאא
אאאאאא
Kאא
-٦-
אא ١٤٦ א
אא
אא
p + n
VB
Rp Rn
אא
+ -
אאE٦J ١F
Reverse Biasאא٢J ٤J ١
אpJ
אp-nא
،E٧J ١FאnJ א
אnJ
אא
אK
אא
אאpJ
אאאאא
אאnJ
אאאאK א
אאא ،אאpJ אאא
Kאאא
pJ
אא אאאא
אאKpJ
אnJ
אאאnJ
א
אnJ
אאא pJ
אא
א
אא .Ir EאאFאא
אאאאא
אאאאKIo(Reverse saturation current)
K
-٧-
אא ١٤٦ א
אא
א אאאאא
אאאא،אאאאא
Kאאאא
،RpRnאא،אאא
Kאאא
p-n ﻭﺼﻠﺔ
p- ﻨﻭﻉ n- ﻨﻭﻉ
A K
+ +
+ +
Ir + +
+ +
- + ﻣﻨﻄﻘﺔ
اﻻﺳﺘﻨﺰاف
- +
אאE٧J ١F
Characteristics of the Semiconductor Diodeאאא٥J ١
אאאאאאאאא
אאE٨J ١FK
אאאא
אא.(Ge)א(Si)א
אFאאאאאאא
.(Breakdown voltage) VBRאאאE
אאאאE٨J ١Fאאאא
אאאא،אאאא
אאא ٠{٧Vאאאאא
אאאאא K אאא٠{٣V
Kאא
-٨-
אא ١٤٦ א
אא
אא
IF, mA
Ge Si
ﺟﻬﺪ اﻻﻧﻬﻴﺎر
אא אא
VBR(Ge) VBR(Ge)
VR, V VF, V
٠٫٣V ٠٫٧V
IR, µA
אא
KאאאE٨J ١F
אא
אאאאאא
אא،אאאאא
٥٠Vאאאא
אאא
Kא
אאאאאE٨J ١F
،אאאאאאאאא
אאא אא
Kאא
-٩-
אא ١٤٦ א
אא
Vi = VD + ID RLE١J ١F
VD,IDא
J ١FאאאVD,ID
KE١٠
،E١٠J ١FאאאE١J ١Fאא
אאIDאאאאאא
WVi = ٠א
ID= Vi / RLE٢J ١F
אאVDאאאאא
WID = ٠א
- ١٠ -
אא ١٤٦ א
אא
VD= Vi E٣J ١F
ID, mA
Vi /RL
אא
IDQ Q Eא)
א
٠ VDQ Vi VD, V
- ١١ -
אא ١٤٦ א
אא
אא،E٣J ١FאVi
W
VD= Vi = ١{٥ V
אQאאאא
אאאIDQאא
אאא١٥ mA
אאVLאאאאK٠{٧٥VVDQא
WE٤J ١F
VL = Vi - V D = ١{٥ V - ٠{٧٥ V = ٠{٧٥ V
ID, mA
٣٠
אא
٢٥
٢٠
IDQ =١٥ Q Eא)
١٠ א
٥
٠ ٠٫٥ ١٫٠ ١٫٥
VD, V
VDQ VL
Vi
E١١J ١F
Diode Resistanceא٦J ١
Static ResistanceRsאא١J ٦J ١
VDאאאאאRsאא
אאאIDאאא
WאאאאKאא
- ١٢ -
אא ١٤٦ א
אא
VD
RS = E٥J ١F
ID
אאאאאא
Kאא
Dynamic Resistancerdאא٢J ٦J ١
אאאאא
WאQאא
∆V D
rd = |Q point E٦J ١F
∆I D
א،אאא
Kאאאאא
The Diode Equivalent Circuit אאא٧J ١
אא،אאא
אאאא
אא
אאKE١٢J ١F
אאVBאאאאא
אא،אאאא،
אאא،Rf(forward resistance)אא
KE١٢J ١Fאא
- ١٣ -
אא ١٤٦ א
אא
ID, mA
A A
VB
Rr
Rf
K K ٠ VB
VD, V
EF E F E F
אאאאאאאE١٢J ١F
אאאא
אאRrא
J ١Fאאאא،(Reverse resistance)
KE١٢
The Ideal Diodeאא •
J אאE١٣J ١FKא
IDאאK
אאא
IDאK VDאאאאא
،VDאאאאא
Rf = ٠אא(short-circuit)אאא
א(open-circuit)אא،EE١٣J ١FFVB = ٠
KEE١٣J ١FFRr = ∞א
- ١٤ -
אא ١٤٦ א
אא
ID, mA
A A
K K ٠ VB VD, V
EF EF EF
KאאאאאJ אאE١٣J ١F
Geא Siא٨J ١
Comparison between Silicon and Germanium Diodes
KאאאE١J ١F
א א א
٠{٣ V ٠{٧ V אא
٢٠ V ٥٠ V אא
١٠oC ٢٠oC א
אאאאא אאאאא א
- ١٥ -
אא ١٤٦ א
אא
אא
؟אאאא١J ١
Wאאא٢J ١
Kאא K١
Kא K٢
Kא K٣
Kאאאאאאא٣J ١
Wאאא٤J ١
אאאא K١
K אEF
K אEF
Kא אEF
אאא K٢
אא EF
אא EF
אאאא EF
אאא K٣
Kא EF
Kא EF
K EF
؟אאא٤J ١
Kאאאאאאאא٥J ١
؟אא٦J ١
KאאJ א٧J ١
Kאאאא٨J ١
- ١٦ -
אאא
ã¹]<gè…‚jÖ]æ<ËÖ]<Üé×Ãj×Ö<íÚ^ÃÖ]<퉉ö¹]
אאאא
אא
אאאא
אאאא
٢
אא ١٤٦ א
אאאא אא
אאא
Wאא
Kאאאא •
Kאאאא •
Kאאא •
Kאא •
- ١٧ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
Introduction ١J ٢
،אאאאאאא
אאאאאאאאא א
Kאאא
،אאאאא
،אאאאאא
K
K
א אא
א
א،אאאE٢J ٢F
- ١٨ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
Vi RL
אE٢J ٢F
+
I
Vi + Vo
٠ t١ RL ٠
t٠ t٢ t٠ t١ t
٢
KאאאאE٢J ٢F
+
I=٠A
Vi Vo
RL
t٢t٢
٠ t٠ t١ t٢ ٠
t٠ t١
+
KאאאאE٢J ٢F
- ١٩ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
Vo
٠
t٠ t١ t٢
KאאאE٢J ٢F
K אא E٢J ٢)
אאאאא
אאא،
KאאאE٢J ٢FKE٢J ٢F
אאאא١J ٣J ٢
Average Value of the Half-Wave Output Voltage
א
אאאאאאא
אאא ،(dc voltmeter)א
(peak value)אאKE٣J ٢F،٢π
א א(average value)אאVPo א
WאVave
VPo
Vave =
π E١J ٢F
Vpo
Vave
Area
٠
٢π
KאאאאE٣J ٢F
- ٢٠ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
W١J ٢
KE٤J ٢Fאא(Vave)אא
٥٠V
٠V
E٤J ٢F
Wא
VPo 50
Vave = = = 15.9V
π 3.14
אאא٢J ٣J ٢
Effect of the Barrier Potential on the Half-Wave Rectifier Output
،אאאאא
،אא אאאאא
אאא אאא
אאאVPoאאא א
אאא،E٥J ٢F ،אאאVPi
-:א E٠{٧V =אאFאאאאא
- ٢١ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
٠٫ ٧ V
Vpi + VPo = Vpi – ٠٫٧V
+ +
t٢
RL Vo
٠ t٠ t١ t٢ ٠ t٠
_ t١
אאE٥J ٢F
א
W٢J ٢
.E٦J ٢Fאאאא
٢٠V
RL
=١kΩ
Vo
Vi ٠
-٢٠V
()
٥V
RL
Vo
Vi ٠ =١kΩ
-٥V
E F
E٦J ٢F
- ٢٢ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
Wא
WEFאאאא
WEFאאאא
E٧J ٢Fא
١٩٫٣V ٤٫٣V
٠
E٧J ٢F
- ٢٣ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
-VPi
- ٢٤ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
N١ N٢
Vi V١ V٢ RL
KאE٩J ٢F
،אאאאאא
אאאא אאא
Wאאאאאאאא
⎛N ⎞
V2 = ⎜⎜ 2 ⎟⎟ V1
⎝ N1 ⎠ E٤J ٢F
-:
אאא= N١
אא= N٢
אאאא=V١
אאא=V٢
אאאE٤J ٢Fא
אא אאאEN٢ > N١Fאא
N٢ <N١ Fאאאאאאא،EV٢ > V١Fאא
KEV٢< V١FאאאאאאאאE
Z V١FאאE N٢ ZN١ Fאאאא
KE V٢
- ٢٥ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
אאאאאא
אאVP٢ אאאא VPoא
W،VB
:٣J ٢
KE١٠J ٢Fאאאאא
٣ :١
١٥٠V
Vi ٠ V١ V٢ RL
Vo
٢٢٠Ω
E١٠J ٢F
Wא
WVP١אאאאא
WVP٢ אאאא
⎛N ⎞ ⎛1⎞
VP 2 = ⎜⎜ 2 ⎟⎟ VP1 = ⎜ ⎟ × 150 = 50V
⎝ N1 ⎠ ⎝ 3⎠
W VPoאאא
- ٢٦ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
Full-Wave Rectifiersאאא٤J ٢
אאאאאא
אאאא،אא אאא
א אאאאא
،אאאאא
،א אא
א
KE١١J ٢Fאא
אאאאא
،אאאאאא
אאאא(Vave)אאא
Wאא
2VPo
Vave = E٦J ٢F
π
W٤J ٢
KE١٢J ٢Fאא(Vave)אא
١٥V
٠V
E١٢J ٢F
- ٢٧ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
Wא
2VP 2(15V )
Vave = = = 9.55V
π 3.14
١J ٤J ٢
The Full-Wave Center-Tapped Rectifier
N١ N٢ D١
V٢
٢
Vin
V٢ RL
٢
D٢
K א E١٣J ٢)
אאאאאאא
אאאאE١٤J ٢F
D٢
אאD١א،א
KאD١אאאא
אאאא אאא
אאאא
אאD١אE١٤J ٢Fא
KD٢אאאאD٢
- ٢٨ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
D١
N١ N٢ + -
+
I
Vi Vo
٠ + ٠
+
RL
- +
D٢
Kאאאא E١٤J ٢F
D١
N١ N٢ - +
Vi Vo
٠ + ٠
to t١ t٢ to t١ t٢
+
I RL
+
+ -
D٢
KאאאאE١٤J ٢F
אא E١٤J ٢)
אאא אאאאא
KE١٥J ٢Fאאא
VPo =(VP٢/٢)-٠٫٧V
Vo
٠ t٠ t١ t٢
KאאאאאE١٥J ٢F
- ٢٩ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
V2
Vo = - VB
2 E٧J ٢F
E١٦J ٢FאאאW
אאא
، אD٢
אאD١א
אאאאאD٢ (PIV) אאא
Kאא
+(VP٢/٢) +(VP٢/٢)-
VB
+ + -
V١
+ V٢
+
D٢ RL
- + -
(VP٢/٢) +(VP٢/٢)-VB -
VP٢ -VB
KאאאE١٦J ٢F
אא(VP٢/٢)J VBD٢אא א
א(PIV)אאא،-VP٢/٢א
Wא
⎡V ⎤ ⎡ V ⎤
PIV = ⎢ P 2 − V B ⎥ - ⎢ − P 2 ⎥
⎣ 2 ⎦ ⎣ 2 ⎦
= VP2 -VB
Vp2
QVPo = - VB
2
∴VP 2 = 2 VPo + 2 VB
- ٣٠ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
Wאאאא
V٢
٢٠٠V
٢
Vin ٠V V٢ V٢
-٢٠٠V V٢
RL=1kΩ
٢
D٢
E١٧J ٢F
Wא
W(VP٢)אאא אK١
⎛ N2 ⎞ ⎛1⎞
VP 2 = ⎜⎜ ⎟⎟ VP1 = ⎜ ⎟ × 200 = 50V
⎝ N1 ⎠ ⎝4⎠
W(VP٢/٢)אאא אK٢
(VP٢/٢) = ٢٥V
= (VP٢/٢)-٠٫٧V= ٢٥-٠٫٧=٢٤٫٣V
VPo
Vo
٠
Wאאא K٣
PIV = 2 VPo + VB = (2 × 24.3) + 0.7 = 49.3V
- ٣١ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
٠ ٠
t٠ t١ t٠ t١ t٢
D٢ +
D٤
RL Vo
-
Kאאאא E١٨J ٢)
N١ N٢
I D١
V D٣ Vo
٠ ٠
t٠ t١ t٠ t١ t٢
D٢ +
RL Vo
D٤
-
+ +
KאאאאE١٨J ٢F
Kאא E١٨J ٢ F
- ٣٢ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
Vo = V2 − 2VB E٩J ٢F
W
Kאא VB = ٠אאVB = ٠{٧V
אאWאאא
K
אD٤,D٣
א אD١ , D٢
אאD٤אD٣
(PIV)
אאא
،E١٩J ٢F אאאאא
אאא(PIV)אאא
Wא
- ٣٣ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
:(٦ ٢)
אאE٢٠J ٢Fאאאאא
Kאאא
D٣ D١
١١٠ V ١٢V rms
+
D٤ RL Vo
D٢ -
E٢٠J ٢F
Wא
W(VP٢)אאאא
VP 2 = 2 Vrms = 1.414 × 12V ≅ 17 V
W(VPo)אאא
VPo = VP 2 − 2VB = 17V − (2 × 0.7 V) = 15.6V
W(PIV)אאא
Vi Vo
٠V ٠V ٠
KאאאE٢١J ٢F
Capacitor Filterאאאא ١J ٥ J ٢
K
אאE٢٢J ٢F
אאאאאאאא
אאאאאא،א
אאאאאאא
KE٢٢J ٢FEאא٠{٧VFא
אאאאא
،אא،אאא
אאE٢٢J ٢F
،RLאC
א
א(The time constant)
אאאאא
אאאאא،אא
א،אאאא
אאאאא
KE٢٢J ٢F
- ٣٥ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
+
Vi I VPi –
+ + ٧V +
٠ VC RL
t٠
t١ t٢
٠ t١ t٢
t٠
Kאאאא א אE٢٢J ٢F
+
Vi
I +
٠ t
+
٠ t١ t٢ VC RL
+ ٠
t٠ t١
Kאא E٢٢J ٢F
Vi > VC +
I +
+ +
٠
t٠ t١ t٢ VC RL
٠
t٠ t١ t٢
KאאאאE٢٢J ٢F
KאאE٢٢J ٢F
(ripple voltage)א אא אא
אאאאא
KE٢٣J ٢Fאא
- ٣٦ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
KאאאאאE٢٣J ٢F
אאאאE٢٣J ٢F
Kא
א(ffw)אאאא
אא،E٢٤J ٢F،א (fhw)א
אאאאא
א،אאא
אאאאאא
Kאאאא
אאאאE٢٥J ٢F
Kאאאאא
- ٣٧ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
א
EאF
٠
KאאאEF
٠
KאאאאEF
אאאאE٢٥J ٢)
Kאא
- ٣٨ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
Vr ( PP )
r= E١١J ٢F
VDC
-:
א=r
אאא=Vr(PP)
EאאאFאא=VDC
אא
אE١١J ٢Fא
Kאאא
VDCאאאVr(PP) אאא
Wאא
⎛ 1 ⎞
Vr ( PP ) = ⎜⎜ ⎟⎟VP ( rect )
fR
⎝ L ⎠C
E١٢J ٢F
⎛ 1 ⎞
VDC = ⎜⎜1 − ⎟⎟VP ( rect ) E١٣J ٢F
⎝ 2 fRL C ⎠
-:
(Hz)אא = f
(Ω)א=RL
(F)אZC
(V)אאאא= VP(rect)
- ٣٩ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
W٧J ٢
KE٢٧J ٢Fאאא
Wא
WVP١אאאאא
VP1 = 2Vrms = (1.414)(15)V = 163V
١٠ : ١
D٣ D١
١١٥ V
rms VP١ VP٢
٦٠ Hz
C RL
D٤ ٥٠µF ٢٫٢K Ω
E٢٧J ٢F
WVP٢אאאא
⎛N ⎞
VP 2 = ⎜⎜ 2 ⎟⎟VP1 = ⎛⎜ ⎞⎟163V = 16.3V
1
⎝ N1 ⎠ ⎝ 10 ⎠
WאVP(rect)אאאא
VP ( rect ) = VP 2 − 1.4V = 16.3V - 1.4V = 14.9V
א،א אאא
WאVr(PP)אאאא
⎛ 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞
Vr ( PP ) = ⎜⎜ ⎟⎟VP ( rect ) = ⎜⎜ ⎟⎟14.9V = 1.13V
⎝ fRL C ⎠ ⎝ (120Hz)(2.2KΩ)(50µF) ⎠
WאVDCאאאא
- ٤٠ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
⎛ 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞
VDC = ⎜⎜1 − ⎟⎟VP ( rect ) = ⎜⎜1 − ⎟⎟14.9V = 14.3V
⎝ 2 fRL C ⎠ ⎝ 2(120Hz)(2.2KΩ)(50µF) ⎠
Wא
Vr ( PP ) 1.13V
r = = = 0.079
VDC 14.3V
٧{٩٪Kא
- ٤١ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
אא
Kאאאאאאא١J ٢
Kאאאא٢J ٢
.אE٢٨J ٢Fאאאאא٣J ٢
١٠V
RL Vo
Vi ٠ ٤٧Ω
-١٠V
()
٥V
RL Vo
Vi ٠ ٤٧Ω
-٥V
E F
E٢٨J ٢F
E٢٨J ٢Fאאאאאאא٤J ٢
E٢٩J ٢Fאאאאאאא٥J ٢
٢:١
١١٥ V rms RL
١٠٠Ω
E٢٩J ٢F
- ٤٢ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
WE٣٠J ٢Fאא٦J ٢
אאE١F
KאאאאE٢F
KאאאאE٣F
.RLאאE٤F
KאאאE٥F
K(PIV)אאאE٦F
D١
٤:١
١١٠V rms
RL=1kΩ
D٢
E٣٠J ٢F
אא
אא אא٧J ٢
K١٢٠Vאאאאאאא
Kאאא٨J ٢
Kאאאא٩J ٢
אאא(PIV)אאא١٠J ٢
K٥٠Vאאא
א،٢٠V אא(rms)אאא١١J ٢
Kא(PIV)אא
KE٣١J ٢Fאאא١٢J ٢
- ٤٣ -
אא ١٤٦ א
אאאא אא
٥:١ D١
١١٥ V
rms
٦٠ Hz C
٥٠µF RL
٢٫٢K Ω
D٢
J ٢F
W،٣٠VE٣٢J ٢Fאאאאאא١٣J ٢
אאאE١F
KאE٢F
٤:١
D٣
D١
Vin
C RL
D٢ D٤ ٥٠µF ٦٠٠ Ω
E٣٢J ٢F
- ٤٤ -
אאא
ã¹]<gè…‚jÖ]æ<ËÖ]<Üé×Ãj×Ö<íÚ^ÃÖ]<퉉ö¹]
אאאא
אא
- ١٨ -
אא ١٤٦ א
אא
אאא
Wאא
Kאאא •
K •
Kאאא •
Kאאא •
- ٤٥ -
אא ١٤٦ א
אא
Introduction١J ٣
אאאא א
א א א א ،א א
א F א א א
א א ، א א א Eא
،א א אאJ א א אא
א א א א א א
א א א א א (Breakdown Voltage )
Kאאאא
Zener Diode٢J ٣
אאא p-n
אK
אא
pJ nJ אאאאאא
.١٠٠W٢٠٠V ١{٨VאKא
אאאא
א(Avalanche Breakdown)אאE٥VF
אאאאא
אאאאאאאKאא
אאאJ א
KאאאאאKא
(Zener Breakdown)אא
א
אאאאE٥VF
א،אאאאאאא
KאאאאאאJ א
- ٤٥ -
אא ١٤٦ א
אא
K
ﺣﻬﺪ اﻻﻧﻬﻴﺎر
VR Vz VF
IZK
A
אא EF IR
EFאא EFWE١J ٣F
אאאאא
E FIZKאאא
אאIZKאKKEאFIZM
אאא
א
אאאאא
K
- ٤٦ -
אא ١٤٦ א
אא
אאIZM
אאא
אאא
Kאאאאאאא
∆V Z
rZ =
∆I Z E١J ٣F
∆VZ
K K VR ٠
IF
IZ IZK
rz
+
VZ ∆I Z
-
A A
IZM
אאאEF
אאEF IR
אאאEFKאאאEFWE٢J ٣F
- ٤٧ -
אא ١٤٦ א
אא
W١J ٣
K٣J ٣אאאאrZא
∆VZ = ٥٠mV
VR ٠
IF
IZK
١٠mA
∆I Z = 2mA
١٢mA
IZM
IR
٣J ٣
Wא
∆VZ 50mV
rZ = = = 25Ω
∆I Z 2mA
W٢J ٣
VZDאVZ=٦{٨V،rZ = ٥Ωא
.٢٠mAא
Wא
VZD = VZ + IZ rZ
= ٦{٨ V + ٢٠ mA ×10−3 (A/mA) ×5 Ω = 6.9 V
(ideal zener diode)
אאאEF٤J ٣
אאא (∆VZ = ٠)אאא
W
∆V Z 0
rZ = = =0
∆I Z ∆I Z E٢J ٣F
- ٤٨ -
אא ١٤٦ א
אא
אEF٤J ٣אאא
KVZא
∆VZ = ٠
K K ٠
VR IF
IZK
+
VZ
∆I Z
A A
IZM
אאאEF
IR
אא EF
KאאאאEFWE٤J ٣F
אאאאEF
Temperature coefficientאא٥J ٣
אאאאVZאאאאא
VZ٠{١٪ / oCאאאVZ = ١٢ VאK
VZאא.١oCאאא٠{٠١٢ Vא
Wאא
אא = אTC
.אאאא= ∆T
- ٤٩ -
אא ١٤٦ א
אא
( وpositive temperature coefficient)TCאאא
، אאאאאVZ
אא VZ
(negativetemperature coefficient)
Kאאא
אאאא אא
אא(mV / Co)אאאא
WאאVZא(% / Co)אאאא
∆VZ = TC ×∆T
W٣J ٣
K٠{٠٤٨٪ / Co
א٨{٢V
.٦٠ oC
:اﻟﺤﻞ
W٦٠ oC٢٥ oCאאא
W٦٠ oCא
VZ +∆VZ = ٨{٢ V + ١٤٤ mV = ٨{٣٤ V
WאPZאא
P Z = V Z IZ
PZאאאאVZא א
PZ(max)אאאKIZאאא
Wא (maximum power dissipation of a zener diode)
PZ(max) = VZ IZME٤J ٣F
W٤J ٣
٢ mAא٢٠V
אאאא
K٢٠ mA
Wא
PZ(max) = VZ IZM
= (٢٠V)(٢٠mA) = ٤٠٠mW
אאאא،א
KאIZMIZKIZא
R
It IZ IL
+
Vin DZ RL VL = VZ
-
אאאE٥J ٣F
- ٥١ -
אא ١٤٦ א
אא
W٥J ٣
،RL = ٢٠٠ Ω،R = ٢٠ Ω،VZ = ٢٠V
א،E٦J ٣Fאא
K٣٠ V٢٤Vא rZ = ٠
.(IZ(max)IZ(min)) EF
(PZ(max) PR(max)) RאEF
R
It IZ IL
+
Vin = ٢٤ ٣٠ V DZ RL VL = VZ
-
E٦J ٣F
Wא
W RL אאאEF
VZ 20V
IL = = = 0.1A
RL 200Ω
WאRאאאא
Vin − VZ
It =
R
VinאIt
אאRVZא
It(max)אVin = ٢٤VIt(min)
א
KVin = ٣٠V
24V − 20V
I t (min) = = 0.2A
20Ω
30V − 20V
I t (max) = = 0.5A
20Ω
W
It = IZ + IL
- ٥٢ -
אא ١٤٦ א
אא
(IZ = IZ(min))אאILאא
KIt(max) (IZ = IZ(max))It(min)
I Z (min) = I t (min) − I L = 0.2A − 0.1A = 0.1A
I Z (max) = I t (max) − I L = 0.5A − 0.1A = 0.4A
WR אEF
PR(max) = It(max)٢ R
= (٠{٥A)٢ (٢٠Ω) = ٥W
W
PZ(max) = VZ IZ(max)
= (٢٠V)(٠{٤A) = ٨W
אאE٧J ٣F
- ٥٣ -
אא ١٤٦ א
אא
It IZ IL
+
Vin = ٢٤V DZ RL VL = VZ
-
E٨J ٣F
Wא
Q I t = I ZK + I L (max)
WRL(min)
VZ
RL (min) = = 490Ω
I L (max)
- ٥٤ -
אא ١٤٦ א
אא
- ٥٥ -
אא ١٤٦ א
אא
W٨J ٣
א١٢V א،א ،אא
؟א ١١{٩٥Vא
Wא
⎛ V − VFL ⎞
Load regulation = ⎜⎜ NL ⎟⎟100%
⎝ V ⎠
FL
⎛ 12V − 11.95V ⎞
=⎜ ⎟100% = 0.418%
⎝ 11.95V ⎠
- ٥٦ -
אא ١٤٦ א
אא
אא
؟אאא١J ٣
Kאאאא٢J ٣
٢٠m אא٥{٦٥V٥{٦Vא٣J ٣
؟،٣٠mA
٦{٨ ٢٥oC אא٧٠oC א٤J ٣
.+ ٠{٠٤٪ / oCאאא،V
E٩J ٣Fאאאאאא٥J ٣
KאאVZ = ١٤ VIZK = ١{٥ mAא
R
+
Vin DZ
E٩J ٣F
،RL = ٢٥٠ Ω،R = ٢٠ Ω،VZ = ٢٠٠V
א،E١٠J ٣Fאא٦J ٣
K٢٤٠ V٢٢٠VKא rZ = ٠
KEF
K אEF
R
+
Vin DZ RL
-
E١٠J ٣F
- ٥٧ -
אא ١٤٦ א
אא
E١١J ٣F
٥Vא٠{٢Vאאאא٨J ٣
؟א١٠V
- ٥٨ -
אאא
ã¹]<gè…‚jÖ]æ<ËÖ]<Üé×Ãj×Ö<íÚ^ÃÖ]<퉉ö¹]
אאאא
אא
אא
אא
٤
אאא ١٤٦ א
אא אא
אאא
Wאא
Kאאאאא •
Kאאאאאאא •
Kאאאאאאא •
Kאאא •
Kאאאא •
- ٥٩ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
١-٤ Introduction
K
אאאאאאא
،אאאאאאאאא
אא،،א
Kאא
א
אאאאא
K(Field Effect Transistor)אא(Bipolar Junction Transistor)
אא،אאאאאאא
Wאא
אאא J ١
אאאא J ٢
אאא אJ ٣
אאא אJ ٤
א
א،אאאאא
KEEpitaxial planar structureF אאא
אא
אאא
EBaseFאEEmitterF KE١J ٤F אp-nא
א
J ٤Fאpnpnpnאאא،ECollectorFא
KאאאאאאE١
אJ אאאאpnא
J א
אאאאEBase-Emitter JunctionF
אא،E١J ٤FEBase-Collector JunctionFא
KB א،C،E
- ٦٠ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
אC (Collector)
C
Metalized contacts أ J א
Oxide א
א n
Base-Collector p
Emitter א
אBase p
B B n
اﻟﻤﺠﻤﻊCollector (Base)
nאJ א p
ﻃﺒﻘﺔ أﺳﺎسSubstrate
Base-Emitter
junction
אE (Emitter) E
EF EF
Kאאא אE١J ٤F
אאאאאאאE٢J ٤F
Kpnpאnpn
C C
B B
npn pnp E
E
- ٦١ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
- + + -
א א א א
- + + -
+ - - +
אJ א אJ א J א אJ א
+ - - +
npn pnp
- ٦٢ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
אאאאאאאא J ٦
Kאאאאאא
אאאאאא J ٧
KE٤J ٤Fא
אא אא
J א J א
(p)א א
(n)א
(n)א
BE junction BC junction
Depletion region Depletion region
J א
J א
א
א
א
א
א
א א
KאאאE٤J ٤F
Wאאא
א،pnpnpnאאאאאE٥J ٤F
אאאאאאאאא
Kא
WICאIBאIEאא
I E = IC + I B E١J ٤F
- ٦٣ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
אאאאא
Kאא
_ _
+ +
IE IC IE IC
IB IB
+ _ _ +
npn pnp
- ٦٤ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
Wאאא
I E = IC + I B
WIC אא
IE I
=1+ B J ٤F
IC IC
E٤
WαdcβdcE٤J ٤FE٣J ٤FE٢J ٤Fא
α dc
β dc = E٥J ٤F
1 - α dc
אאאאא αdcאאאא
Kβdc
IC IC
RC RC
RB VCC RB VCC
IB VBB IB
VBB
IE IE
npn E٦J ٤F אpnp E٦J ٤F
אאא E٦J ٤F
- ٦٥ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
:١J ٤
KIC = ٣{٦٥mAIB = ٥٠µAאαdcIEβdc
Wא
I C 3.65 mA
βdc = = = 7.3
IB 50 µA
I E = I C + I B = 3.65mA + 50 µA = 3.70mA
IC 3.65 mA
α dc = = = 0.986
IE 3.70 mA
Current and Voltage Analysis אא٣J ٤J ٤
א،אאאאאאא
E٧J ٤F אאאא
Wא
KאאWIB •
KאאWIE •
KאאWIC •
KאאאאWVBE •
KאאאאWVCB •
KאאאאWVCE •
- ٦٦ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
IC
RC
RB VCB VCC
VCE
IB
VBB VBE
IE
.אאאE٧J ٤F
אאVBBאא–אאא
אא–א،VCCאאJ א
אאאא א
WEBarrier PotentialFא
VBE = 0.7 V E٦J ٤F
א
KRBאאאאאא
VR = VBB - VBE = I B RB
B
WIBאא
VBB - VBE
IB = (٧ J ٤F
RB
WRCאאאא
VR = IC RC
C
Wאאאאא
VCE = VCC - IC RC J ٤F
E٨
Wא
IC = βdc I B
- ٦٧ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
Wא–אאאא
VCB = VCE - V BE E٩J ٤F
W٢J ٤
E٨J ٤FאאאVCBVCEVBEIEICIB
.١٥٠אβdcא
RC = ١٠٠Ω
RB = ١٠KΩ VCC = ١٠V
VBB = ٥ V
J ٤F Wא
WIEICIBאא
WאאVCBVCE
VCE = VCC - I C RC = 10V - (64.5mA)(100Ω) = 10V - 6.45V = 3.55 V
- ٦٨ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
- ٦٩ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
IC
C
B
A
VCE(max)
VCE
٠
٠٫٧V
א אאא
א
KIBאVCEICEF
אאאאאE٩J ٤F
אאאJ א א،٠{٧VאVCEאא •
IC אאאאא،
.VCEאאאאIBאא
אא
אאICאאא •
Kאא
אא
אא •
CאBאאICאβdcא
KIC = βdc IBאβdc
J אאא،VCEאא •
אאאא،אא
אאא،CאE٩J ٤F
EBreakdown regionF
E١٠J ٤F אאאא •
Kא
- ٧٠ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
אאאאא •
E١٠J ٤Fאאאא ECutoff regionFא
IC
IB٥
IB٤
IB٣
IB٢
I B١
IB = ٠٫٠
VCE
٠
(Cutoff region) א
KאאאE١٠J ٤F
W٣J ٤
E١١J ٤F אאאא
١٠٠βdcא٥µA٢٥µA٥µAIBא
KאVCEא
IC
RC
RB VCC
IB βdc = ١٠٠
VBB
IE
E١١J ٤F
- ٧١ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
Wא
Wאאאאא
I C = β dc I B
א אאIBא
WE١J ٤F
IB IC
٥µА ٠{٥mA
١٠µА ١{٠mA
١٥µА ١{٥mA
٢٠µА ٢{٠mA
٢٥µА ٢{٥mA
E١J ٤F
WE١٢J ٤FאאE١J ٤Fא
- ٧٢ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
IC(mA)
٢٫٥ IB = ٢٥ µA
٢٫٠ IB = ٢٠ µA
١٫٥ IB = ١٥ µA
١٫٠ IB = ١٠ µA
٠٫٥ IB = ٥ µA
VCE(V)
٠٫٠ ٠٫٧
Transistor Operation Regionsאא٥J ٤J ٤
אאאאא،אא
אאא
Cutoff regionא١J ٥J ٤J ٤
אאאאIBא
،E١٢J ٤F אא
א–אאJ א אKVCE = VCC
Kא
- ٧٣ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
RC
+ VCC
RB
VCE = VCC
IB = ٠
-
IC
RC
RB VCC
VCE
IB VCE = VCC – IC RC
VBB
IE
אאE١٣J ٤F
- ٧٤ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
DC Load Lineאא٣J ٥J ٤J ٤
אאאאאא
אאאאE١٤J ٤F אKא
אאאאאאא
אאאא،EIC = ٠ and VCE = VCCFא
אאא،EIC =IC(sat) and VCE =VCE(sat)Fאאאא
Kאאאאאא
IC Saturation
IC (sat)
IB = ٠٫٠
VCE(sat) VCE
VCE = VCC
RC = ١KΩ
VCC = ١٠V
RB =١٠KΩ
βdc = ٥٠
VBB = ٣V
E١٥J ٤F
WIBא
VBB - VBE 3V - 0.7V 2.3V
IB = = = = 0.23mA
RB 10KΩ 10KΩ
WIBאאICא
I C = β dc I B = (50)(0.23mA) = 11.5mA
א βdcאאאאאא
Kא١١{٥mAא
אאאβdcא٦J ٣J ٤
Relationship between βdc, Collector current and Temperature
אאאאאβdcאא
KE١٦J ٤Fאאא
،אאא βdc אE١٦J ٤F
אאאאאא
אאאא،
Kאא
- ٧٦ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
٧٠
Tj = ١٢٥oC
Tj = ٧٥oC
٥٠
Tj = -١٥oC
٣٠
βdc
٢٠
Tj = -٥٥oC
١٠
٧
١ ٢ ١٠ ٢٠ ١٠٠ ٢٠٠
אאβdcE١٦J ٤F
- ٧٧ -
אאא ١٤٦ א
אא אא
אאא
Kאאא J ١
Kאאאאאא J ٢
Kאאאא J ٣
א–אאאJ אא J ٤
؟
؟אאאא J ٥
؟אא J ٦
؟אאא J ٧
؟א١٠µAא١mAאא J ٨
א٥٠µAאאβdc=٢٠٠א J ٩
؟αdcא
Kαdcβdc J ١٢
Kαdcβdc١٠٠אאאא J ١٣
؟אאאאא J ١٤
؟אאאβdcא J ١٥
- ٧٨ -
אאא
ã¹]<gè…‚jÖ]æ<ËÖ]<Üé×Ãj×Ö<íÚ^ÃÖ]<퉉ö¹]
אאאא
אא
אא
אא
٥
אא ١٤٦ א
אא אא
אאא
Wאא
Kאאאא •
Kאאאאאא •
Kאאאא •
- ٧٩ -
אא ١٤٦ א
אא אא
Introduction ١J ٥
אאאאאאא
אאאK
אאא
،אאאאא
K אאא–אאאאאJ אא
אאאאאא
W
Kאאאאא• א
אא،אא• א
Kאא
- ٨٠ -
אא ١٤٦ א
אא אא
RC
RB
VCC
Vin
VBB
אאא אE١J ٥F
אאאאאא
١٨٠ºאאא RCא א
KE٢J ٥Fאאא
Vin
VBB
Vc
VCC
אאE٢J ٥F
- ٨١ -
אא ١٤٦ א
אא אא
AC Equivalent Circuitאאאא• א
،אאאאאא
אאE٣J ٥F אאאאא
KאVBB, VCC
אאאאאאא–א
Wאאr'eאא
Vb
Ie = E١J ٥F
re'
WRCאאאאאVcאא
Vc = I c RC E٢J ٥F
WאאIcאIe א
Vc ≅ I e RC E٣J ٥F
RC
RB
r'e Vc VCC
Vin Vb
- ٨٢ -
אא ١٤٦ א
אא אא
Vc I e RC
Av = ≅ E٥J ٥F
Vb I e re′
W
RC
Av = E٦J ٥F
re′
E١J ٥F אאאא E٦J ٥Fא
RCא،r'eאאאRCא
Kאאא،r'eא
W١J ٥
אאאאE٤J ٥F אא א
Kr'e = ٥٠Ω
Wא
Wאא
RC 1KΩ
Av ≅ = = 20
re′ 50Ω
Wאא
Vout = AvVb = (20)(100mV) = 2V rms
RC
RB
r'e Vc VCC
Vin Vb
E٤J ٥F
- ٨٣ -
אא ١٤٦ א
אא אא
RC IC(sat) RC IC(sat) RC IC = ٠ RC
RB C RB C
+VBB + ٠V
IB E IB = ٠ E
J אEF–אEF
Kא אE٥J ٥F
- ٨٤ -
אא ١٤٦ א
אא אא
Conditions in Cutoffא •
–אאאאא
VCEאאאאא،אא
KVCCא
VCE ( cutoff ) = VCC E٢J ٥F
Conditions in Saturationא •
J אאאאאאא
،אאאא
Wאא
VCC - VCE(sat)
I C ( sat ) = E٣J ٥F
RC
KאVCCאאVCE(sat)א
Wאאאאאא
I C(sat)
I B (min) = E٣J ٥F
βdc
KIB(min)IBאא
W٢J ٥
؟VIN = ٠ VCE ،E٦J ٥FאאאאEF
βdc = ٢٠٠ אאאIBאאEF
؟VCE(sat)
KVIN = ٥VRBאEF
- ٨٥ -
אא ١٤٦ א
אא אא
VCC = ١٠V
RC = ١kΩ
RB
VIN
E٦J ٥F
Wא
אא אVIN = ٠V EF
W
VCE = VCC = 10V
אVCE(sat) E
F
VCC 10V
I C ( sat ) = = = 10mA
RC 1KΩ
I C ( sat ) 10mA
I B (min) = = = 50µA
β dc 200
W٥٠µARBEF
VR = VIN − VBE = 5V − 0.7 V = 4.3V
B
VR 4.3V
RB (max) = B
= = 86kΩ
I B (min) 50µA
- ٨٦ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אא
؟א١J ٥
؟א٢J ٥
Kא٣J ٥
٢٥٠mV
٥V rmsאא٤J ٥
؟rms
RC = ١٢٠٠ΩאKr'e = ٢٠ΩאE٤J ٥Fאאא٥J ٥
Kא
؟א،אא٦J ٥
؟א٧J ٥
KVCE = VCC٨J ٥
؟אא٩J ٥
؟ VCE ١٠J ٥
Wאא١١J ٥
אEF–EFJ EFJ EF
א
Wא١٠٠mVא٥V (rmsFאאא١٢J ٥
١٠٠EF٥٠EF٥٠٠EF٥EF
Wאאאא١٣J ٥
EF EFEFEF
WVCEאא١٤J ٥
EF EF VCCEF ٠VEF
EFEFאEFEFEFאEF
WVCEאא١٥J ٥
EF EF VCCEF ٠{٧VEF
Wאאא١٦J ٥
- ٨٧ -
אא ١٤٦ א
אא אא
RC = ١٠kΩ RC = ١٠٢kΩ
RB =١MΩ RB
VIN VIN
א
אא
אא
٦
אא ١٤٦ א
אא אא
אאא
Wאא
Kאאא •
Kאא •
Kאאאא •
Kאאאאאא •
Kאאאאאא •
אא،אאאא •
Kאא
- ٨٩ -
אא ١٤٦ א
אא אא
Introduction ١J ٦
אאאאאא
K אאאאאאאא
אאאאאאא
KKאאאאאKא
DC Operating Pointאאא٢J ٦
،אאא
א،VCEאICאאאאא
אאK אאאאאאא
.Qא
DC Load Line אא •
אאאE١J ٦Fאאאא
KE١J ٦F
IC, mA
IB٦ IC
IB٥ RC
IB٤
RB VCC
IB٣
VCE
IB٢ IB
VBB
IB١
IE
VCE, V
EFEאF
KאאאאE١J ٦F
WאאאJ אא
VCC = IC RC + VCE E١J ٦F
- ٩٠ -
אא ١٤٦ א
אא אא
WIC = ٠אVCEא
VCE = VCC E٣J ٦F
אא،אאא
VBBאKVBBאא IBא
KE٢J ٦Fא،IB٣אIBא
IC, mA
אא
IB٦
VCC /RC
IB٥
IB٤
ICQ
Q EאF IB٣
IB٢
IB١
VCEQ VCC VCE, V
אאE٢J ٦F
IBאVBBאאאאא
،אאא
א،אאאאאאא
אKא
Kאאאאאא
- ٩١ -
אא ١٤٦ א
אא אא
WE١J ٦F
Kβdc = ٢٠٠E٣J ٦Fאא
Wא
WאאKVCE،ICא
RC
٣٣٠Ω
VCC
RB ٢٠V
٤٧kΩ
VBB
١٠V
J ٦F
VBB − VBE 10V − 0.7 V
QIB = = = 198µA
RB 47 kΩ
∴ I C = β dc I B = (200)(198µA ) = 39.6mA
- ٩٢ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אא،אא
W
אאKE٤J ٦F،(line termination circle)
WאVCC – VBERBאאא
VCC − VBE
IB = E٢J ٦F
RB
Wא،E٤J ٦Fאא
VCC − I C RC − VCE = 0
WVCEא
VCE = VCC − I C RC E٣J ٦F
W IC = βdc IBIBאE٢J ٦Fאא
⎛ V − VBE ⎞
I C = β dc ⎜⎜ CC ⎟⎟ E٤J ٦F
⎝ RB ⎠
+VCC
IC RC IC RC
+
IB IB VCC
+
RB RB
VBE
EF EF
Kא אE٤J ٦F
Effect of βdc on the Q-point (Q)אβdc •
βdc،βdcאICאE٤J ٦Fא
Kאא،VCE،IC
- ٩٣ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אβdc،אאא βdcא
אאאאא،Kאא
βdcאאא،א
. βdcאאאא
WE٢J ٦F
٢٥ºCאא،E٥J ٦F
אאאא
א،٧٥ºCא١٥٠،٢٥ºCאβdc = ١٠٠אK٧٥ºC
،VBEאK אאא(IC , VCE)אא
Kא
VCC =١٢ V
RC
٥٦٠Ω
RB
١٠٠KΩ
E٥J ٦F
Wא
W IC , VCE ،٢٥ºCא
⎛ V − VBE ⎞ ⎛ 12V − 0.7V ⎞
I C = β dc ⎜⎜ CC ⎟⎟ = 100⎜ ⎟ = 11.3mA
⎝ RB ⎠ ⎝ 100 KΩ ⎠
VCE = VCC − I C RC = 12V − (11.3mA )(560Ω ) = 5.67V
WICאאא
I C ( 75 ) − I C ( 25
Ο Ο
)
% ∆I C = × 100%
I C ( 25 Ο
)
17mA − 11.3mA
= × 100% ≅ 50% EF
11.3mA
W VCEאאאKβdcאICא
VCE ( 75 ) − VCE ( 25
Ο Ο
)
%∆VCE = × 100%
VCE ( 25 Ο
)
2.48 V − 5.67 V
= × 100% ≅ −56.3% EאF
5.67V
Emitter Biasאא٤J ٦
אאאא
אJ אVEEא،אאKE٦J ٦F
K אא
- ٩٥ -
אא ١٤٦ א
אא אא
+VCC +VCC
IC RC RC
RB RB
+
+
IB VBE VC
+ VB
IE RE RE VE
VEE -VEE
+
EF
EF
Kא אE٦J ٦F
אאאאJ אא
W،אE٦J ٦FאאE٦J ٦F
VEE + I B RB + VBE + I E RE = 0
WVEEאא
I B RB + I E RE + VBE = −VEE
W
I C ≅ I E
W
I C = β dc I B
IE
∴IB ≅
β dc
WIB
- ٩٦ -
אא ١٤٦ א
אא אא
⎛ IE ⎞
⎜⎜ ⎟⎟ RB + I E RE + VBE = −VEE
β
⎝ dc ⎠
⎛R ⎞
∴ I E ⎜⎜ B + RE ⎟⎟ + VBE = −VEE
⎝ β dc ⎠
− VEE − VBE
∴IE = E٥J ٦F
RE + (RB / β dc )
W
IC ≅ I E
− VEE − VBE
∴ IC ≅ E٦J ٦F
RE + (RB / β dc )
Wא
VE = VEE + I E RE E٧J ٦F
Wא
VB = VE + VBE E٨J ٦F
Wא
VC = VCC − I C RC E٩J ٦F
W IE ≅ IC אאVCVE
VCE = VCC − I C RC − (VEE + I E RE )
≅ VCC − VEE − I C (RC + RE )
- ٩٧ -
אא ١٤٦ א
אא אא
WE٣J ٦F
אE٧J ٦FאאVCEאIE،ICא
KVBE = ٠{٧Vאβdc = ١٠٠
+VCC = +١٠V
RC
١KΩ
RB
٤٧KΩ
RE
٤٫٧KΩ
-VEE =-١٠ V
E٧J ٦F
Wא
WIEא
− VEE − VBE − (− 10V ) − 0.7 V 9.3V
∴IE = = = = 1.8mA
RE + (RB / β dc ) 4.7 KΩ + (47 KΩ / 100 ) 5.17 KΩ
W
∴ I C ≅ I E = 1.8mA
WVCEא
∴VCE ≅ VCC − VEE − I C (RC + RE )
≅ 10V − (− 10V ) − 1.8mA(5.7 KΩ ) = 9.74V
- ٩٨ -
אא ١٤٦ א
אא אא
- ٩٩ -
אא ١٤٦ א
אא אא
+VCC +VCC
R١ R١
אא
Aِ Aِ
R٢ RIN(base) R٢
EF EF
Kאא E٩J ٦F
Input Resistance at the Base אא •
אאא،אאא
אאאאIINא،אאVINאKE١٠J ٦F
K
+VCC
RC
٥٦٠Ω
VCC
RE
١KΩ
Kאאא אE١٠J ٦F
- ١٠٠ -
אא ١٤٦ א
אא אא
Wא
VIN
RIN(base) =
I IN
WאJ אא
VIN = VBE + IE RE
Wאא،VBE << IE RE
VIN ≅ I E RE
W
VIN β dc I B RE
RIN(base) = ≅
I IN IB
WIBא
RIN(base) ≅ β dc RE E١٠J ٦F
WE٤J ٦F
Kβdc = ١٢٥אE١٠J ٦Fאאאאא
Wא
RIN(base) ≅ β dc RE = (125)(1KΩ ) = 125KΩ
Analysis of a Voltage-Divider Bias Circuitאאא •
אאKE١١J ٦Fnpnאאאא
Wאאאאאא
RIN(base) ≅ β dc RE
- ١٠١ -
אא ١٤٦ א
אא אא
+VCC +VCC
R١ R١ RC
VBِ βdcِ
R٢ βdc RE R٢ RE
EF E
F
Knpnאאאא E١١J ٦F
Wאאאא
R2 // β dc RE
R٢אאא(βdc RE)אאאR١אא
KE١١J ٦F
Wא
⎛ R2 // β dc RE ⎞
VB = ⎜⎜ ⎟⎟VCC
R
⎝ 1 + ( R2 // β R )
dc E ⎠
Wאא،βdc RE >>R٢א
⎛ R2 ⎞
VB ≅ ⎜⎜ ⎟⎟VCC E١١J ٦F
R
⎝ 1 + R2 ⎠
Wאאא،VBא
VE = VB - VBE E١٢J ٦F
WאIEא
IE = VE / RE E١٣J ٦F
- ١٠٢ -
אא ١٤٦ א
אא אא
W
IC ≅ I E E١٤J ٦F
W
VC = VCC − I C RC E١٥J ٦F
WVCEאVEאVC
VCE = VC − VE
WאICאVCEאא
VCC − I C RC − I E RE − VCE = 0
W IE ≅ IC
VCE ≅ VCC − I C RC − I C RE
∴VCE ≅ VCC − I C (RC + RE ) E١٦J ٦F
WE٥J ٦F
E١٢J ٦FאאאICאVCEא
Kβdc = ١٠٠
Wא
Wא
RIN(base) ≅ β dc RE = (100 )(560Ω ) = 56KΩ
VCC =١٠V
R١ RC
١٠KΩ ١KΩ
R٢ RE
٥٦٠Ω
٥٫٦KΩ
J ٦F
- ١٠٣ -
אא ١٤٦ א
אא אא
KRIN(base)אR٢אRIN(base)א
WVBא
⎛ R2 ⎞ ⎛ 5.6KΩ ⎞
VB ≅ ⎜⎜ ⎟⎟VCC = ⎜ ⎟10V = 3.59V
⎝ R1 + R2 ⎠ ⎝ 15.6KΩ ⎠
W
VE = VB - VBE = 3.59V - 0.7V = 2.89V
W
IE = VE / RE = ٢{٨٩V / ٥٦٠Ω =٥{١٦mA
Wא
I C ≅ 5.16mA
W
VCE ≅ VCC − I C (RC + RE ) = 10V − 5.16mA(1.56KΩ ) = 1.95V
Transistor ConfigurationsאאEF٦J ٦
אא אאאא
Wאאאאא
(Common-Emitter Configuration)אא •
(Common-Collector Configuration)אא •
(Common-Base Configuration)אא •
Common-Emitter Amplifiersאאא١J ٦J ٦
אאאאאא،E١٣J ٦F
אאאאKאאC٢א،אאC١, C٣
،אאאאא
Kאאאא
- ١٠٤ -
אא ١٤٦ א
אא אא
VCC = +١٢ V
R١ RC
٢٢kΩ ١kΩ C٣ Vout
C١
Vin βdc=١٥٠
βac=١٥٠
RL
R٢ RE
٦٫٨k ٥٦٠Ω
C٢
Ω
אE١٣J ٦F
DC Analysisאאא •
،אK אאא، E١٣J ٦Fא
אאא
אאאאא
KE١٤J ٦F(open)
- ١٠٥ -
אא ١٤٦ א
אא אא
VCC = +١٢ V
R١ RC
٢٢kΩ ١kΩ
βdc=١٥٠
R٢ RE
٦٫٨k ٥٦٠Ω
Ω
KאאאאאE١٤J ٦F
Wאאא
RIN(base) ≅ β dc RE = (150 )(560Ω ) = 84KΩ
RIN(base)א،R٢אRIN(base)א
Wאא
⎛ R2 ⎞ ⎛ 6.8KΩ ⎞
VB ≅ ⎜⎜ ⎟⎟VCC = ⎜ ⎟12V = 2.83V
R
⎝ 1 + R2 ⎠ ⎝ 2 8.8KΩ ⎠
W
VE = VB - VBE = 3.59V - 0.7V = 2.89V
W
IE = VE / RE = ٢{١٣V / ٥٦٠Ω =٣{٨mA
Wא
I C ≅ 3.8mA
W
VC ≅ VCC − I C RC = 12V − (3.8mA )(1KΩ ) = 8.2V
Wא
- ١٠٦ -
אא ١٤٦ א
אא אא
AC Analysisאאא •
אאאאא،אאאא
אאKVCCאאC١, C٢, C٣א
،אאא
אKE١٥J ٦Fא
KE١٥J ٦Fאאא
RS
RC RC
VS ١kΩ ١kΩ
R١ R٢ R١ R٢
٢٢kΩ ٦٫٨kΩ ٢٢kΩ ٦٫٨kΩ
EF EF
Kאאאא אE١٥J ٦F
J ٦FE١٦J ٦FאאVbא
WE١٦
⎛ Rin (tot ) ⎞
Vb = ⎜ ⎟Vs
⎜R +R ⎟
⎝ s in ( tot ) ⎠
- ١٠٧ -
אא ١٤٦ א
אא אא
Vin Vb
Rin (base ) = =
I in I b
RS B RS B
VS VS
Vin
Rin(tot)=R١// R٢ // Rin(base) R١ R٢ Rin(base)
EF E
F
Kאאאאא E١٦J ٦F
W
Vb = I e re′
W
Ie ≅ Ic
Ie
∴ Ib ≅
β ac
WIbאVbא
Vb I r′
Rin (base ) = = ee
Ib ⎛ Ie ⎞
⎜⎜ ⎟⎟
β
⎝ ac ⎠
WאIeא
Rin (base ) = β ac re′ E١٧J ٦F
Wאא
Rin (tot ) = R1 // R2 // Rin (base ) E١٨J ٦F
Output Resistance א •
WKאאאאא
Rout ≅ RC E١٩J ٦F
- ١٠٨ -
אא ١٤٦ א
אא אא
- ١٠٩ -
אא ١٤٦ א
אא אא
(Common-Collector Amplifiers)אאא٢J ٦J ٦
א،(emitter follower) א
אאא
אאK
אא،א
،אאK(١)אא אא
K
א،E١٧J ٦Fאאא
KC٢אא،C١א
+VCC
R١
C١
Vin
C٢
Iin Vout
R٢ RE RL
KאאאE١٧J ٦F
Voltage Gain א •
אKAv = Vo/Vinא،אאא
W،(capacitance reactance)א
Vout = I e Re
- ١١٠ -
אא ١٤٦ א
אא אא
Vin = I e (re′ + Re )
Wא
I e Re
Av =
I e (re′ + Re )
WאIe
Re
Av = J ٦F
(re′ + Re )
E٢٢
KRe = RE،RE, RLא
אאReא
W،Re >> r'eאK(١)אא
Av ≅ 1
Input Resistanceא •
(Buffer)א،א אא
Kאא
אאאאאאא
WKא
Vin Vb I e (re′ + Re )
Rin (base ) = = =
I in I b Ib
W
I e ≅ I c = β ac I b
W
β ac I b (re′ + Re )
Rin (base ) =
Ib
WאIbא
Rin (base ) ≅ β ac (re′ + Re ) E٢٣J ٦F
Wא،Re >> r'eא
Rin (base ) ≅ β ac Re
Wאא
Rin (tot ) = R1 // R2 // Rin (base ) E٢٤J ٦F
- ١١١ -
אא ١٤٦ א
אא אא
Output Resistanceא •
Wאאא،
⎛R ⎞
Rout ≅ ⎜⎜ s ⎟⎟ // RE E٢٥J ٦F
⎝ β ac ⎠
Current Gain א •
IinאK(Ie/Iin)אאאא
Wא
Vin
I in =
Rin (tot )
Rin(base)אR١, R٢אאאאאא
א
K אא
WאKIc/Ibאβacאא
R1 // R2 >> β ac Re
W
Ai ≅ β ac
W
Ie
Ai = E٢٦J ٦F
I in
- ١١٢ -
אא ١٤٦ א
אא אא
(Common-Base Amplifiers)אאא٣J ٦J ٦
،אאאאאאE١٨J ٦F
C٣אאא،C١אא
Kא
+VCC
R١ RC
C٣ Vout
C٢
C١ RL
Vin
R٢ RE
אאE١٨J ٦F
Voltage Gain א •
Wאאאא
Vout Vc I c RC I e RC RC
Av = = = ≅ =
Vin Ve I e (re′ // RE ) I e (re′ // RE ) (re′ // RE )
Output Resistanceא •
،RCאאאr'cאא
אא
Wאא
Rout ≅ RC E٢٩J ٦F
Current Gain א •
Ieא،אIcאKאאא
W.(١)א،Ic ≈ IeKאא
Ai ≅ 1 E٣٠J ٦F
- ١١٤ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אא
Wאא J ١
KEFKאEF
KEFKβEF
Wאאאא J ٢
.REβdcEF.REEF.RBEFKβdcEF
VB = א،אאא npnאאאJ ٣
W אא٢٩٥V
٠{٧VEF ٣{٦٥V EF ٢{٩٥VEF٢٫٢٥VEF
אא אאאאאJ ٤
KE١٩J ٦Fאא
RC
١٠kΩ
VCC
RB ٢٠V
١MΩ
VBB
١٠V
E١٩J ٦F
אאאא VCEאICא IBאאJ ٥
Wאאא
βdc = ٩٠, VCC =١٢V, RB = ٢٢kΩ, and RC =١٠٠Ω
،אאאא א βdcאא J ٦
؟א
٧٠ºC٠ºCאאE٢٠J ٦FאאאאאJ ٧
٧٥٪א
،٠ºCאא٥٠٪אβdc،
- ١١٥ -
אא ١٤٦ א
אא אא
א IC אאא.٢٥ºCאא١١٠אא٧٠ºCאא
K٧٠ºC٠ºCאאאVCE
VCC =+٩ V
RC
١٠٠Ω
RB
١٥KΩ
E٢٠J ٦F
KE٢١J ٦Fאאאאאא J ٨
KVBEאאא
VCC = +٩ V
R١ RC
٤٧kΩ ٢٫٢kΩ
βDC=١١٠
R٢ RE
١٥kΩ ١kΩ
J ٦F
- ١١٦ -
אא ١٤٦ א
אא אא
، ٣mAאאאאאא J ٩
Wr'eאא
٠{٣٣kΩEF ٨٣٣ΩEF٣ΩEF٣kΩEF
.βdc =١٥٠א،r'e = ١٠ΩאRE = ١٠٠Ωא،אאאJ ١٠
Wאאא
١٦{٥kΩEF ١١٠ΩEF١٥kΩEF١٥٠٠ΩEF
WאאאאאJ ١١
אאאEFאEFאEF
KאאאEF
Rin(base) = ٦٨kΩאא،אאאאאJ ١٢
WאאKR٢ = ١٥kΩאR١ = ٣٣kΩא
١٢{٣kΩEF ٢٢{٢kΩEF٨{٩٥kΩEF٦٨kΩEF
RC = אא.١٠kΩא אאאJ ١٣
Wא،r'e = ١٠Ωא،٢{٢kΩ
١٨٠EF ١٠EF١٠٠٠EF٢٢٠EF
E٢٢J ٦FאאאאאאJ ١٤
AvEFRin(tot)EFRin(base)EF
- ١١٧ -
אא ١٤٦ א
אא אא
VCC = +١٥ V
R١ RC
٢٫٢kΩ C٢ = ١µF
٢٢kΩ
Vout
C١= ١µF
Vin βdc=٩٠
βac=٧٠
R٢ RE
E٢٢J ٦F
٤٫٧k ١kΩ
Ω
א؟E٢٣J ٦FאאאאJ ١٥
؟א
VCC =٥٫٥V
R١
١٠kΩ
C١ βdc=٩٠
Vin βac=١٠٠
١٠µF
Vout
R٢ RE
٤٫٧k ١kΩ
E٢٣J ٦F
אאאא אא
אאאאאJ ١٦
Kאאאא
- ١١٨ -
אאא
ã¹]<gè…‚jÖ]æ<ËÖ]<Üé×Ãj×Ö<íÚ^ÃÖ]<퉉ö¹]
אאאא
אא
אא
אא
٧
אא ١٤٦ א
אא אא
אאא
Wאא
Kאאאאאא •
Kאאא •
K(MOSFET) אאאאאא •
Kאא(MOSFET)אא •
Kאאא(MOSFET)אא •
- ١١٩ -
אא ١٤٦ א
אא אא
Introduction١J ٧
אאא١٩٥٢
א١٩٥٢(Shockley)
א،אא
א١٩٦٢אאאאKאאא
אאאKאאאא
Kאאאאאאאא
Field Effect Transistor (FET) אא٢J ٧
אאאא
אאאאE١J ٧FK
אאאאא
Kא
אאא
Field Effect Transistor
(FET)
אאאאאאאא
Metal OxideSemiconductor Field Effect TransistorJunction Field Effect Transistor
(MOSFET)(JFET)
א(Unipolar transistor)אאאא
אא،(Bipolar transistor)אאא
אא(n-channel)nJ אא(majority carriers)אא
אאאא،(p-channel)pJ א
- ١٢٠ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אאאאK(minority carriers)אאאא
Wא
אאאא (thermal stability)אאאאJ ١
Kאא
KאאאאJ ٢
KJ ٣
KאאאאJ ٤
א،אאאאאJ ٥
Kאאאאא
Kאאא(efficiency)J ٦
Kאא א (active load)אJ ٧
אאאאאא
Kאא(gain bandwidth product)
- ١٢١ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אאאאWDrain(D)• א
(D)אKIDא(Drain current)א
Kאאא(C)אאאא
אאאא :Gate(G)א• א
אאא(G)אאא א
Kאאא(B)אא
א א
(Drain) (Drain)
D D
G G
(n-channel)
(p-channel)
(Gate) اﻟﺒﻮاﺑﺔ P P (Gate) اﻟﺒﻮاﺑﺔ n n
p
S S
E F א EF א
(Source) (Source)
(JFET)אאאאאE٢J ٧F
pJ א JFETאEFnJ א JFET א EF
אpJ א JFETאאאE٣J ٧F
pJ אאאאאא،nJ א
JFET
KnJ אאא
- ١٢٢ -
אא ١٤٦ א
אא אא
D D
G G
EF S EF S
(JFET)אאאאאE٣J ٧F
nJ א JFETאEFpJ א JFETאEF
Operation of the JFET אאא١J ٣J ٧
- ١٢٣ -
אא ١٤٦ א
אא אא
- ١٢٤ -
אא ١٤٦ א
אא אא
IDאVPoאVDSא VDS
א VDSאIDאאאKIDSSא
אאE٥J ٧FאאאEJ Fא
K(ohmic region)
אאא VPoאVDSא
VPoאאאIDא
K(saturation region)אאאEJ Fא
ID
RD
VGS = ٠
ب
IDSS
ID
D
G
VDS VDD
VGS = ٠ S א
א
א
א
VPo (VGS = ٠ א) V DS
E F EF
VGS = ٠nJ אJFETאאא
E٥J ٧F
VGS = ٠JFETא E F אא EF
(Vp)אאאVGSא
Kאאאאא، VDSא
אאVDSאאIDא
KE٦J ٧FVGS
- ١٢٥ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אVPאאWPinch-off voltage VPא •
.IDאאVDS
אVGSאVGs(off)א :Cutoff voltage VGs(off)א •
K ID א
ID
RD
IDSS VGS = ٠
ID VGS = -١V
D
VGS = -٢V
G
VDD
VGS = -٣V
VDS
VGS = -٤V
VGG
VGS VGS = VGS(off)
S VDS
VP (VGS = ٠ )ﻋﻨﺪ
EF EF
nJ אJFETאאא
E٦J ٧F
.VGS
VGSJFETאEFאאEF
- ١٢٦ -
אא ١٤٦ א
אא אא
ID
IDSS
-VGS
VGS(off) ٠
JFETאאאE٧J ٧F
JFET Parameters אאא٣J ٢J ٣J ٧
VDSא :Drain resistance rdא •
.١MΩ١٠٠kΩאאKVGSאIDא
IDא:Transconductance gm • א
KL٢٠ ٠{١אא،VDSאVGSא
VDSא :The amplification factorµא •
.IDאVGS א
Wאאא
µ= gm rd
- ١٢٧ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אאאאא٤J ٧
Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
(MOSFET)אאאאא
(Insulated Gate Field Effect Transistor)אאאאא
אאא אאאKIGFET
K(Integrated Circuits)אאאאא
אאאא(١٠١٠Ω - ١٠١٥Ω)
א(Enhancement type)אאאאאאKא
K(Depletion type)אאאא
The EnhancementMOSFETאאMOSFETאא١J ٤J ٧
אא (Substrate)אאאא
א (nJ אFp J א (PJ א F nJ אא
א(Source)אאאא
אK(SiO٢)אא (Drain)
.(Gate) אא א
KE٨J ٧Fאא
אא אא
(Gate) (Gate)
G G
אS D
א אS D
א
(Source) (Drain) (Source) (Drain)
(metal)
n+ n+ p+ p+
א
PJ אא (Silicon dioxide) nJ אא
Ep-substrate) SiO٢ En-substrate)
EF EF
MOSFETאאאE٨J ٧F
nJ א EFpJ א EF
- ١٢٨ -
אא ١٤٦ א
אא אא
MOSFET אאא١J ١J ٤J ٧
The Enhancement MOSFET Operation
אאnJ א
אאאE٩J ٧F
K(VDS = ٠)אאא
א אאא،אא
א p- א
אא אאא
(Threshold voltage)אאאאKאא
nJ אpJ אאאאאאאא،VT
Kאא(induced channel)א
אאVTאאVGSאא
Kאא
،E٩J ٧F،VDSאא
K אאVDSאאאא IDא
א
אא אIDאVDSא
Kאאאא
B S G (+) D (+) S G (+) D
SiO٢
n+ n+ n+ n+
PJ אא PJ אא
Ep-substrate) Ep-substrate)
E F EF
nJ אMOSFETאאאאE٩J ٧F
VDS > ٠EFVDS = ٠EF
- ١٢٩ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אא،pJ אאאאאא
אאאאאאא
Kא
MOSFETאאאא٢J ١J ٤J ٧
Enhancement MOSFET Characteristics
pJ א
אE١٠J ٧Fאאא
Kאאא
The DepletionMOSFETאאאMOSFETאא٢J ٤J ٧
אאnJ אאאאאא
אאpJ אאnJ א
א
אאאאא،pJ א
אE١١J ٧F
אאא
KnJ א
B S G (-) D (+) B S G D (+)
SiO٢
n+ n+ n+ n+
(n-channel)nJ (n-channel) nJ
PJ אא PJ אא
Ep-substrate) Ep-substrate)
EF E F
MOSFETאאאאE١١J ٧F
nJ א
MOSFET אאאא١J ٢J ٤J ٧
The Depletion MOSFET Operation
אא،E١١J ٧FאnJ אא
אK אא א،אא
אא
אאא،אא
אאאאאאאK
אא
(Threshold אאאאאא
KאIDאאאvoltage) VT
- ١٣١ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אאאאאאאאאא
Kאאאאאאאא
אאאאא،אאא
KIDאאאאאא
אאאאאא،pJ א
אא
Kאא
MOSFETאאאאא٢J ٢J ٤J ٧
Depletion MOSFET Characteristics
אאאאאאE١٢J ٧F
אאאאאאאאKnJ א
MOSFET
אאK
אEFאא
אאא אא
KאEFא
ID, mA
ID, mA
אא VGS = +٢٫٠V
٣٠٠ +١٫٥
٣٠٠
٢٥٠
٢٥٠ +١٫٠
٢٠٠
٢٠٠ (Enhancement)
VDS = ٥ V +٠٫٥
١٥٠
١٥٠
١٠٠ ٠
١٠٠
IDSS -٠٫٥ אא
٥٠
٥٠
VT
VGS = -١٫٠ (Depletion)
٠
٠
-٣ -٢ -١ ٠ +١ +٢ +٣ VGS, V ٠٠ ١ ٢ ٣ ٤ ٥ VDS, V
٦
EF EF
nJ אMOSFETאאאאאE١٢J ٧F
(Drain or Output characteristics)אאאEF
(Transfer characteristic)אאEF
- ١٣٢ -
אא ١٤٦ א
אא אא
pJ א
אE١٢J ٧Fאאא
Kאאא
MOSFET Circuit SymbolsMOSFETאאא٣J ٤J ٧
MOSFETאאאE١٣J ٧F
אאnJ א
KאאאpJ אאא
א
(Drain)
D D
אא א
G B G
(Gate) (Substrate)
S S
א
(Source)
EF EF
D D
G B G
S S
EFEF
.nJ אMOSFETאאאE١١J ٧F
،אאאאאאEFEFא
KאEFאאאEFא
- ١٣٣ -
אא ١٤٦ א
אא אא
אא
Kאאאאאא١J ٧
K(JFET) אאאאאאא א٢J ٧
Kאאא٣J ٧
KJFETאVGS(off)אVPא٤J ٧
nJ אJFETאאאא٥J ٧
א،µאEFgmאEFrdאEFW ٦J ٧
Kאא
" JFETאאMOSFETאא"٧J ٧
KאאMOSFETאאא٨J ٧
.PJ אMOSFETאאאאאא٩J ٧
.nJ אMOSFETאאאאא١٠J ٧
.nJ אMOSFETאאאאא١١J ٧
.nJ אMOSFETאאאאא١٢J ٧
.pJ אMOSFETאאאא١٣J ٧
MOSFETאאאאאאא١٤J ٧
KMOSFETאאאא١٥J ٧
- ١٣٤ -
אאא
ã¹]<gè…‚jÖ]æ<ËÖ]<Üé×Ãj×Ö<íÚ^ÃÖ]<퉉ö¹]
אאאא
אא
א
א
٨
אא ١٤٦ א
א אא
אאא
Wאא
Kא •
Kא •
Kא •
Kא •
Kאאא •
- ١٣٥ -
אא ١٤٦ א
א אא
Introduction ١J ٨
(Thyristor)א،א א
אאאא،(Diac)א(Triac)א
אאאא (power control)אא
K
(Thyristor)א٢J ٨
،אא
אאאאאא،١٩٥٧
אKSCR(Silicon Controlled Rectifier)אא
Anode אאW
אp-n-p-nא
אאאGate (G)אא Cathode (K)אא،(A)
KאאאE١J ٨FKא
(Anode) א
A
A p
J١
n
J٢
G p
(Gate)אא J٣
G n
K
K
(Cathode) א
EFEF
אאEFאEFאE١J ٨F
-١٣٦-
אא ١٤٦ א
א אא
D
٠ VH VFBo
VAK
א
א
א
א
IG = ٠ אא
E
אאE٢J ٨F
-١٣٧-
אא ١٤٦ א
א אא
אאא
،J٢א،VFB(Forward breakdown voltage)אא
K
אא אאאא
KEE٢J ٨Fא BCאF(On state)אא
אאJ٢אאאא
אאJ٢אאא
א
،אאאאאאאא
،E٢J ٨Fאאאאא
אאאא
Kאא (on state)א(off state)
،אאאאאא
אאא
K
אאאאאא
،(Holding voltage) VHאאא،
K(Holding current)IHא
אאאא
אאJ٣J١אא J٢א
אאאאאאאJ٣J١
٠DאFאא(Reverse leakage current)
KEE٢J ٨Fא
VRBאאאא
א(Reverse breakdown voltage)
KEE٢J ٨FאDEאF
-١٣٨-
אא ١٤٦ א
א אא
-١٣٩-
אא ١٤٦ א
א אא
Toffאאאא،K אא
.(On time)Tonאאא(Off time)
Triac א٣J ٥
אאאא א
אאאאא،
אאKE٤J ٨F
אאא
Kאאא
Wאאא
אT٢T١אT٢אT١א •
KT٢אGאא
אT١T٢אT١אT٢א •
KT١אGאא
G
G١ G T١
A١ K١
T٢
n n
T١
G٢
p
K٢ A٢ n
EF
p
G
n
T١ T٢
T٢
EF
EF
אאEFאאאEFאEFאE٤J ٨F
-١٤٠-
אא ١٤٦ א
א אא
Kאא
אאאאאא
Kאאאא
אאאאא
אאאאאאא
KE٥J ٨F
I
C
IG٢ > IG١ > IGo
IG٢ IG١ IGo= ٠
EאF IH
- VB
٠ VH VB V
ﺟﻬﺪ
اﻹﻣﺴﺎك א
KאאE٥J ٨F
Diacא٤J ٨
Wאאאאא
T٢אT١אT٢אT١א •
Kאא
-١٤١-
אא ١٤٦ א
א אא
T١אT٢אT١אT٢א •
Kאא
KאאאאאE٦J ٨F
n
T١ T٢ T١ p n p T٢
n
EFEF
אאEF אEF אE٦J ٨F
אאE٧J ٨Fאאא
אאאאK אIGאא
Kאאא
I
- VB
٠ VB V
א
אאE٧J ٨F
-١٤٢-
אא ١٤٦ א
א אא
אא
؟א١J ٨
؟אאא٢J ٨
Kאאאא٣J ٨
؟א٤J ٨
؟אא٥J ٨
אאאא٦J ٨
؟T٢אT١אאא٧J ٨
Kאאאא٨J ٨
Kאאא٩J ٨
؟אאא١٠J ٨
؟T١אT٢אאא١١J ٨
Kאאאא١٢J ٨
Kא١٣J ٨
-١٤٣-
א ١٤٦ א
אא
א
א
Wאא
אאא
٢ ١J ١
٢ p-nא٢J ١
٣ אאp-nא٣J ١
٥ אp-nא٤J ١
٥ אא١J ٤J ١
٧ אא٢J ٤J ١
٨ אאא٥J ١
١٠ אאא٦J ١
١٢ א٦J ١
١٢ אא١J ٦J ١
١٣ אא٢J ٦J ١
١٣ אאא٧J ١
١٥ Geא Siא٨J ١
١٦ אא
אאאאWאא
אאא
١٨ ١J ٢
١٨ אאאא٢J ٢
١٨ א٣J ٢
٢٠ אאאא١J ٣J ٢
א ١٤٦ א
٢١ אאא ٢J ٣J ٢
٢٤ אאא٣J ٣J ٢
٢٤ א٤J ٣J ٢
٢٧ אאא٤J ٢
٢٨ ١J ٤J ٢
٣٢ אא٢J ٤J ٢
٣٤ א٥J ٢
٣٥ אאאא ١J ٥J ٢
٤٢ אא
Wאא
אאא
٤٥ ١J ٣
٤٥ ٢J ٣
٤٦ אא٣J ٣
٤٧ אאא٤J ٣
٤٩ אא٥J ٣
٥٠ אא٦J ٢
٥١ EF٧J ٣
٥١ א١J ٧J ٣
٥٣ א٢J ٧J ٣
٥٥ אא٣J ٧J ٣
٥٧ אא
אאWאאא
אאא
٦٠ ١-٤
٦٠ אאא٢J ٤
א ١٤٦ א
٦١ אאא٣J ٤
٦٤ אאא٤J ٤
٦٤ אאא ١J ٤J ٤
٦٤ αdcβdcא٢J ٤J ٤
٦٦ אא٣J ٤J ٤
٦٩ אא٤J ٤J ٤
٧٣ אא٥J ٤J ٤
٧٣ א١J ٥J ٤J ٤
٧٤ א٢J ٥J ٤J ٤
٧٥ אא٣J ٥J ٤J ٤
٧٦ אאאβdcא٦J ٣J ٤
٧٨ אאא
אאWאא
אאא
٨٠ ١J ٥
٨٠ אאא٢J ٥
٨٤ אאא٣J ٥
٨٧ אא
אאWאא
אאא
٩٠ ١J ٦
٩٠ אאא٢J ٦
٩٢ אא٣J ٦
٩٥ אא٤J ٦
٩٩ אא٥J ٦
١٠٤ אאEF٦J ٦
א ١٤٦ א
١٠٤ אאא١J ٦J ٦
١١٠ אאא٢J ٦J ٦
١١٣ אאא٣J ٦J ٦
١١٥ אא
אאWאא
אאא
١٢٠ ١J ٧
١٢٠ אא٢J ٧
١٢١ אאא٣J ٧
١٢٣ אאא ١J ٣J ٧
١٢٤ אאא٢J ٣J ٧
١٢٤ אא١J ٢J ٣J ٧
١٢٦ אא٢J ٢J ٣J ٧
١٢٧ אאא٣J ٢J ٣J ٧
١٢٨ אאאאא٤J ٧
١٢٨ אאMOSFETאא١J ٤J ٧
١٢٩ MOSFET אאא١J ١J ٤J ٧
אאא٢J ١J ٤J ٧
א
١٣٠
MOSFET
١٣١ אאאMOSFETאא٢J ٤J ٧
١٣١ אאאא١J ٢J ٤J ٧
١٣٢ אאאאא٢J ٢J ٤J ٧
١٣٣ אאא٣J ٤J ٧
١٣٤ אא
אWאא
אאא
א ١٤٦ א
١٣٦ ١J ٨
١٣٦ א٢J ٨
١٣٧ א١J ٢J ٨
١٣٧ אא٢J ٢J ٨
١٣٩ אאא٣J ٢J ٨
١٤٠ א٣J ٨
١٤١ א٤J ٨
١٤٣ אא
אאאאאא
אEאFאא