Moteva Electicidad y E leckronica Industeal Ro f. e50¥ * Jee Avmmondo Villaseca Cocom avea * Examen Untded x Alumna: Marisel Emilia Agpileve Pimentel 6 vupo ° 2 FExamen Os: Elechanica Industrial 1.6 Qué ex a mofetal condoctor, ur aislarte yu semiconductor ° *Conductor. Son les qe ofrecen poca resistencia al paso de la ele ctvicided. + Aislante, Los qe sor capaces de wnhibir el calor, energita elackrica, roidos y homeded. + Sericonductov. Bajo determinadas cireunstancias permite el paso de Corriente elechrica, y por otro lado puede impediv esa Lransmisica de coriente elactyica y actuary como wm aislonte Z Expl que la eskuctura atdmica deca material semicondoctov. + Se componen de dtomos individuales vidos entye st en wna estar tora vegvlor y cada dtome etd vodeado por 6 electrones . Cada homo ede silicio (50 2. Exptiqe la esbuckna atSenica deen material codecloy * Les formes poseen paces elertrones en sv capa de valencia. Se caracterizon por tener evlve 4 y 3 deckrones de valencia on sycltima orbita. 4, Expieque la estructura ofgmica dew material cistante. + Tienen enbre 5 y 7 Aeckrores do valencia en sy cltima drbita.5.0 Que son materiales inkithsecos y extyinsecos ? + Indvinseces. Es el que esta frmodo porn Sélo tipo de atomes, los que Mas Se osan srel germonio (Ge) y silicic ($1), Frmorde una Rerfe ved arbre dtomos y electrones, siende aislontes, + Extvinsecos. Es el pe tiene innpurezas donadoras, Come los alec- frones superon las huecas en in semiconductor tipo n, son portedbores moyorttarios, mientras que lex huccos Son los portadoves minorito- Hos 6.0 Cusles son los cavacterrsticas de los muteriales tipo p y ne Tipo n. Aomenton la conductiviced den semicodoctor mediante el aumento de elertrones. Theo ps Aumertan la conductividad al cumentor a nGmero de on ficios presentes, 7. Que sen portadores moyortarios y minoritarios ? . Mayorstaries. Sen les electrones, los parltculas ercargades del transporte de corrtente elactrica ° Minorstarios. Sen los“ huecos” Beeler «La cniém de cos piezas de cristal semiconductor compuesta por Gtomes de Silicio, de forma que sea cna tipo P con corga pesitiva y otra N con corga negativa.4.cCémo se comporta el diodg en golarizacidn diecla © inersa? *Directa. Permite el Flujo de coriente + Inverse. Actsa coro cn aislante y no pemite qe floya Ne corrtette 4o.d Cyales son las condiciones principeler que deb complirse pore que el diedo entre on corduccida ? “Db encentrarse polarizado diveckamente, el dncde debe ser més positive Que el cétodo, condo esto se comple el diode se comporta como wn circoite cetrado ew la vegibn de conduecion , permnitiendo el pase de \a comiente y presertando ura caida de volloje entre sos ferminales iqpal @ 0: A.C Qué es la vegidn zener de n diado 2 “£5 wando el dicdo se polariza an inversa, porto tonto, el dicdo se vkilizaré cone polarizade. 42. OCual de las modelos de proxi Macicn es mas exacto Y coal 0 l més prictico? Sustede 5 ves peta ii. fecera proxi macibn es la més PreciSG | porque incluye w voltaje de dtodo de 04 Vi, también voltcje a través do la vesiskencig de volumnen interna de un diode y la resistencia lovers. 13,4 Que aH rechficader ? Esa dispositive electrénico que converte wa comente elactrica en cordente alterna.44. d Qué aplicaciés tienen los vert Fcadores a nivel doméstico © indostvial ? bee: obclreat sein afireugncra, pare hacer Lncicray y alimentor les Circvitos de equipos elertrodoméstices. La torea de los verti fea. doves corsiste en cawertiy ea corriente alterna 2 cantina para ge bos equipas Encioren de forna cowecta, Sin exta verti fecacién, la corviente alterna godefa provotar doior Graves en las disposi Huss. 45.cEn qué Se dilerencia un tertificadoy de media onda de wo de onda complela ? El de media ada es eliminay code los dos semiperiodos de oa Sefal alterna Senoidal que proviene del Secundario del drans Gr mader, E\ de onda completa se emplea gara convertiy ung seAal de corriente alkerna de erbrada a comente continua de solide pulsante 16. Cae. Nos signertes peantas £Q06 nombres Se apkican a les das tipos de fronsistores BYTY Dibsje la conshuccitn basica de cada une idenkifiqe los diversos fortadores mayoritarios y minovitarios de cada eno, Dibyje el stmtolo grafico jute a cada uno. "NPN 2 PNPe NPN wladores mayor'tori ¢ WP ances ae) , B-7 = 4- \ / \ Z portadores minorvbaries + Cruecos) E * Pre portodores minoritorios rf (eleckrones Inbvex) FEES #({) Gnas royal tahos i (veces) c 1. Describe y Comente, brevernente la -estoctura fisien *¢ica dew Jransistor pnp erlatizarde las diferencias enbe sos teminales de colectoy y emisoy y los consecvencias que tiene esto en las 2onas de raion activa € inverSa de\ transistor, obos feleos a0e N'se walneren "a War cargas mayoritorias dentro de los de ferenkes FeGjones del transistor, Estos consister en nna cop de material semicardector dopada, N abve dos capos de roterial dopado P, Sex cominmentic operados con ol cdeckor a moSay el emisor Corerbado al faminal gositivo dela fuente de alimentacién a tovls de ura care clechrica externa. La flecha en el Aronsistor PUP esta ela terminal de\ emnisoy y aprta ela direccién ala que la comierte cowmecnal circle cusndo e\ dispositive esta en facicramiato active,Coando «2 transistor no esta ote so regién de sofwactdn ni en le regién de corte entances eta en na regtin intermedia, la region activa. En esta region la coviente del coleckoy (le) deperde de la comiente de base (Ib), de B ( gonandia de carrinte) y de los resistencias que se e- werkran corectadas @ el colectoy y amisor. A\ invertic los condiciones de polaridad del frcionamimto de modo active , el transistor bipolar erlya en Lacicrtmiento © medo inverse. 18. Describe en forera vesumida los 2cnas de pperacion del BIT y ws principales coracteristicas.G Came se debon polarizer las dor eniones del Aransistor para cna operacioy de ampli ficacién corerta® + Activa, La conente dol cdector depende principalmente de la converte de lo bose ,de B y de las resistencias qe sx encentvan conertadas corel Caeckor y ernisor. *laversa, Al invertiv lax regiones de golaridad del Encionamierte en modo active, Lransistoy bipolar entra en Racionarniento en modo: inwerso, + Regibn de corte. E' voltaje entre el colertor y el emisov del tran. sistor esel volfaye de alimentacio? del circvito . *Resté de suturactén. La magehd de la cowiente deperde de) voltaje de alimentacida del civevito y de las vesistencias corectadas en el Colector o el emisor 9 en ambas. a Lea uniéy emisor debe estar polarizada divectamente y la enidn Caechor debe estar poretada inversomente.41. GCual do las corriates de tronsistor es la mayor 2d Cual la menov 2y CCuales Son cercanas en macpitod ? *La corcienfe do base es my peqeia, no Hele Megar al 4% de la comin fe th alector, La cortente dal emisor es la mds grande, puesto que Se cormporfa como Qerte de dertrones. tla corriente @ lo base y la cowierke m al cderbor Son aproximadamente Igpales. 20,6 qe % debe la caida del vollgje de base emisoy det fansistor gal a OAV? Ala catda de veltaje presente ene los terminales de base y emisor del Aransi stor . 24. & Poe qu se debe polarear el tronsi ste? “Haya establecer w nivel fijo de cortertey vellaje, lo quese denoming prto de oporacién el cdl define la vegién de Lrabgjo del dispositive. 2e 6 Para el transistor BST que se golariza a sy regién lineal o ackva con qué debe compliv “La mién Ye base a emisoy debe estar polovizada diveclamente conn voltaje vesultante de polarizacion directa ertre la base y el emisor de aproximadamente 06 a 0.4 Vv miniero, La wien base q colector debe estar polarizada inversamente, estardo el vol tose de golarizaciSn inversa om cualquier valor denbro de los \tmites maximos del disposi tive.23. ACarmo se obtienn las vegiones de carte, de satuacién y tinal det transistor BST? «Se denen de oqerde wn lo siguerte: Operecity a la vegidn lineal Unig base-emisor con polartzacion divecta, Unida base- colerlor can polovizacidh inversa, Operacion er la vegitn de corte: Unidn base-emisoy con po levizacié inversa. Operacidr alo vegita de sufuracidn: Union de base-emisoy y ani&y base -calertov car polarizacién diverta. 24d CSeo se prede logror la etob\idad de polorizacity mejovada dew tronsistor © * Comune smesrtteasion aid eonisoy pera mejorar el nivel de estabili- dad de la carfiguracién Kya, esto @, lar cariates y voltajes de polarizacien de CO se manfinen mas cerca de los partes dorde Rem fades por el ewaito adn condo carbien los Condiciones externas Camo el voltaje de atimentacidn , la temperatura ¢ inclso la beta del ‘van sistey, 25, Coal © la diferencia principal enbye n dispositive enipolar y une bigolor ? Es el modo de acluaciia sobte et terminal de control En el Lronsistor bigolor hay qe inyectar una comiente de base gare velar la caries de colerlor « mientras que el unipolar el control se hace mediante la aglicacién de wma fensidn etre porta y Lente.2G. EQuE procedimiento general se vealiza gara hallar la comiate de saduracién den vansistor ? + EL Aransistor se encuentra en Sadvrocifn condo 6 valtaje colectov emisoy Seade cero VCE=Q. Cumdo VCE GD, podernos determinay el Valor de la corriente de safuracitn de cderlor ICsat> VOC/&C. EF.AG Siro Serie Fcon-los Ferninales deur transistor con un % mol+tme tro! * Se caloca el rultimetro ela opcidn para medir diodes. Todas las tecninaler se +ocaran con ambos portas El terminal que tenga fn- tinuidad con las obas dos, pero no a la inversa , serd la bose del Lransistor. A sv ver, el color de terminal que este conertade a la base, indicord qué tipo de transistor a ejemplo, ss \a pata voja esta en la Base, seré uv transictor NPN, gevo si es la negrei , Serdi on Pure. 28 Neatice cvedro comparative ante BIT Wen y PUP, teniedo en cwenta su estructura, aglicacicn , simbolo, etc,cio cae bepa. Base para !a | Transistor New Transistor PUP Comgaracibn “Transistor evel que das capor [Dos bloqier de Semicoductoves DeGnicidn {de Hpo n estén seporadas gor [2° ‘ee p estan, Sepcvades por vn Licqe ddopdo de semicaructores ewe ddgplo de |Dimbolo _| ‘ ~~ 1 ee Pts Chorde lax clerhrones enlron en | Guonde Vos"huecas”@dron en \a base la bose ieee de lColextonista a emisor Emisoral ecteccionista = roy [Cesarrellada debido ala pesi- | Se originon debido a, ta o- Conte interior |eier Viie Seioe acts, | sibs erste dc tos Meee" ‘ Lo corriente Se desarvalla de- [La covriente Se desarralla debtdo Corriente extoror |pSus el (jo de heens Jal Sip de elertroness Portador de args Electron “Wuecos” mayoritoria Tie de alike cata Maz régido Més lento Voltafe positive | Terminal coector Terminal emisora Polavizacitn inverse Colectar de base de unién Colector de base de enién Requetio conviele Flgjos dee el emisor ala base Base al emisor (Serial de Hera Bojo Alto