Principal entre los procesos de aleacin y de difusién es el hecho de que la licuefsecién no se realiza en este dltimo. En el proceso de difusidn se aplica calor s6lo para aumentar Ja actividad de los elementos involucrados. EI proceso de la difusién s6lida se inicia con el “depésito” de impurezas aceptoras sobre un sustrato de tipo y el calentamiento de ambos hasta que las impurezas se difunden dentro del sustrato para formar la capa de tipo p (figura 13.54). En el proceso de difusién gaseosa, un material de tipo n se sumerge en una atmésfera ‘gaseosa de impurezas aceptoras y después se calienta (figura 13.5b). Las impurezas se difunden dentro de! sustrato para formar la capa de tipo p del diodo semiconductor. Los apeles de los materiales tipo p y n también pueden intercambiarse en cada caso. El proceso de difusién es el que se emplea con mayor frecuencia en la actualidad en la ‘manufactura de diodos semiconductores Sena kedinh scones aloe ea a sme] = peed ‘ pati ‘ ‘ — -— ae oe 1 a medians el proces de difsin: (a) U Aitwscn sid: () difosign gseon, " 7 @ ‘ Crecimiento epitaxial : El término “epitaxial” se deriva de los términos griegos epi, que significa «sobre», y taxis, cuyo significado es “arreglo”. A una oblea base de material n” se le deposita una ‘capa metélica como se mustra en la figura 13.6. La n* indica un nivel de dopado muy alto para una caracteristica de resistencia reducida. Su proposito es actuar como una extensidn E semiconductora del conductor (capa metélica) y no como el material tipo n de la unin p: " nn. La capa tipo n se depositaré sobre esta capa como se muestra en la figura 13.6 5 empleando un proceso de difusién, Esta técnica en torno a Ia utilizacién de la base n* g proporciona a los fabricantes ventajas de disefio definitivas. El silicio tipo p se aplica después usando una técnica de difusién y la capa metilica del dnodo se agrega como se indica en la figura 13.6. comm ‘Sitio n+ : mcina Gaeb sence ‘S74 Capitulo 13 Técnicas de fabricacién de circuitos discretos ¢ integrados