DAFTAR ISI

DAFTAR ISI..................................................................................................................................... i
PETA KONSEP.............................................................................................................................. iii
KOMPETENSI DASAR (KD) DAN INDIKATOR PENCAPAIAN KOMPETENSI (IPK) ........ v
URAIAN MATERI.......................................................................................................................... 6
A. Tema Modul ......................................................................................................................... 6
B. Tujuan Pembelajaran .......................................................................................................... 6
C. Uraian Materi ...................................................................................................................... 6
D. Langkah Pembelajaran PBL ............................................................................................. 21
E. Forum Diskusi .................................................................................................................... 22
PENUTUP...................................................................................................................................... 23
A. Rangkuman ........................................................................................................................ 23
B. Tes Formatif ....................................................................................................................... 23
DAFTAR PUSTAKA .................................................................................................................... 24

i
 IDENTITAS MODUL

Mata Pelajaran : Aircraft Electronic

Kelas/Semester : XI/Ganjil
Alokasi Waktu : 1 Kali Pertemuan
Sekolah : SMK PENERBANGAN TECHNO TERAPAN MAKASSAR
Materi : Transistor

ii
 PETA KONSEP

Transistor

Pengertian Klasifikasi Pengukuran

Transistor Transistor Transistor

Transistor BJT Transistor PNP

Transistor FET Transistor NPN

iii
 PETUNJUK PENGGUNAAN MODUL

Petunjuk Bagi Siswa

Untuk memperoleh hasil belajar secara maksimal, dalam menggunakan modul ini maka
langkah-langkah yang perlu dilaksanakan antara lain :
1. Membaca dan memahami uraian-uraian materi yang ada pada modul ini. Apabila ada
materi yang kurang jelas, siswa dapat bertanya pada guru pengampu kegiatan belajar.
2. Kerjakan tugas diskusi dan praktikum yang diberikan dengan merujuk pada materi modul.
3. Kerjakan setiap tugas formatif untuk mengetahui seberapa besar pemahaman yang telah
dimiliki terhadap materi-materi yang dibahasa pada modul ini.
4. Untuk kegiatan belajar yang terdiri dari teori dan praktik, perhatikanlah hal-hal berikut :
a. Perhatikan petunjuk-petunjuk keselamatan kerja yang berlaku.
b. Pahami setiap langkah kerja (prosedur praktikum) dengan baik.
c. Sebelum melaksanakan praktikum, identifikasi (tentukan) peralatan dan bahan yang
diperlukan dengan cermat.
d. Gunakan alat sesuai prosedur pemakaian yang benar.
e. Untuk melakukan kegiatan praktikum yang belum jelas, harus meminta ijin guru
terlebih dahulu.
f. Setelah selesai, kembalikan alat dan bahan ke tempat semula
g. Jika belum menguasai level materi yang diharapkan, ulangi lagi pada kegiatan
belajar sebelumnya atau bertanyalah kepada guru yang mengampu kegiatan
pembelajaran yang bersangkutan.

Petunjuk Bagi Guru

Dalam setiap kegiatan belajar guru berperan untuk:
1. Membantu siswa dalam proses belajar
2. Membimbing siswa dalam memahami konsep, analisa, dan menjawab pertanyaan siswa
mengenai proses belajar.
3. Mengorganisasikan kegiatan belajar kelompok.

iv
 KOMPETENSI DASAR (KD) DAN INDIKATOR PENCAPAIAN
KOMPETENSI (IPK)

INDIKATOR PENCAPAIAN
NO. KOMPETENSI DASAR (KD)
KOMPETENSI (IPK)
PENGETAHUAN:
1. 3.5 Menguji macam-macam 3.5.1 Menganalisis karakteristik
transistor transistor BJT
3.5.2 Membandingkan transistor tipe
NPN dan PNP
KETERAMPILAN:
2. 4.5 Menyajikan hasil pengujian 4.5.1 Mengukur transistor BJT
macam-macam transistor
4.5.2 Menyajikan hasil pengukuran
transistor BJT

v
 URAIAN MATERI

A. Tema Modul

Dioda Semikonduktor

B. Tujuan Pembelajaran
1. Melalui kegiatan diskusi, siswa dapat menganalisis karakteristik transistor BJT
2. Melalui kegiatan diskusi, siswa dapat membandingkan transistor tipe NPN dan PNP
3. Melalui kegiatan mengamati video pengukuran transistor, siswa dapat mengukur
transistor dengan tepat.
4. Setelah kegiatan pengukuran transistor, siswa dapat menyajikan hasil pengukuran
transistor.

C. Uraian Materi
1. Pengertian Transistor

Istilah transistor berasal dari kata TRANSfer dan resISTOR. Istilah ini diambil
karena menjelaskan dengan baik operasi, cara kerja dari transistor. Transfer
(pengalihan) dari arus sinyal masukan dari rangkaian dengan resistansi rendah ke
rangkaian resistansi tinggi. Pada dasarnya, transistor adalah perangkat zat padat yang
menguatkan dengan mengendalikan aliran pembawa arus melalui material
semikonduktornya. Ada dua macam cara pengendalian, sebagai konsekuensi dari
konstruksi transistor, yang membagi transistor dalam dua golongan besar. Keluarga
transistor hubungan bipolar (Bipolar Junction Transistor, BJT) dengan konstruksi dasar
tiga lapisan bahan P dan N yang terhubung langsung, mengendalikan besarnya arus
yang melewati dengan menggunakan arus. Keluarga transistor aruh medan (Field Effect
Transistor, FET ) mengendalikan besarnya arus yang mengalir menggunakan pengaruh
medan listrik atau tegangan, pada materialnya.
Sebagaimana dioda, material penyusun transistor juga sama. Bahan semikonduktor
dasar adalah bahan metaloid golongan IVA : Germanium, atau Silikon, yang diberi
ketidakmurnian dengan penambahan (doping) dengan bahan golongan IIIA : Galium,
Indium untuk mendapat tipe P, dan bahan golongan VA : Arsen, Fosfor untuk
mendapatkan bahan tipe N. Untuk transistor berkecepatan tinggi, campuran bahan-
bahan tersebut, misalnya transistor Ga-As, dengan bahan induk berupa campuran
Galium dan Arsen. Riset bidang nanoteknologi memberi harapan kemungkinan

6
 pembuatan transistor dari bahan carbon nanotube, untuk ukuran transistor lebih kecil
dan untuk daya lebih kecil dan kecepatan tinggi. Pada mulanya transistor dapat dibuat
dalam bentuk diskrit, dengan satu transistor dikemas sebagai satu komponen tunggal.
Transistor juga dapat dibuat dalam rangkaian terpadu (integrated circuit, IC), dengan
dua atau lebih, jutaan sampai miliaran transistor dicetak, dibuat, dan dirangkai bersama
komponen lain sekaligus dalam satu serpih (chip ) tunggal, dengan kepadatan berlipat
ganda setiap beberapa tahun.

2. Klasifikasi Transistor
Klasifikasi transistor berdasarkan prinsip kerja, yaitu transistor hubungan bipolar
(BJT) dan transistor aruh medan (FET). Berdasar kombinasi polaritasnya, BJT dibagi
menjadi transistor tipe PNP dan NPN, sedangkan FET dibagi menjadi kanal P dan kanal
N. Selanjutnya, berdasar konstruksi gate-nya, FET juga terbagi menjadi JFET dan
MOSFET. Transistor dapat diklasifikasikan berdasar daya disipasi kolektornya,
berdasar frekuensi kerjanya, dan berdasar penggunaannya. Transistor yang diproduksi
dan didaftarkan di Amerika Serikat menggunakan kode standar JEDEC (joint electronic
device engineering council) yaitu kode 2Nxxxx, kode 2 menunjukkan transistor, N
menunjukkan semikonduktor normal, dan sampai 4 digit angka di belakangnya
menunjukkan nomor urut registrasinya. Kode transistor Amerika tidak memberikan
keterangan yang lengkap tentang klasifikasinya. Transistor yang diproduksi dan
didaftarkan di Jepang, menggunakan kode standar industri Jepang, ( Japan Industrial
Standard, JIS ) untuk membedakan jenis dan penggunaanya. Kode transistor Jepang
menggunakan kode 2 untuk transistor, S kode untuk semikonduktor, huruf kedua untuk
menunjukkan tipe dan penggunaan, dan 2, 3 atau 4 digit angka untuk menunjukkan
nomor urut registrasinya. Sebagai contoh misalnya 2SA564, menunjukkan transistor
bipolar tipe PNP untuk frekuensi tinggi. Lebih lengkapnya ditunjukkan pada tabel 1.

7
 Tabel 1. Kode Transistor Jepang (JIS)
Kode Arti
2SA Transistor bopilar PNP frekuensi tinggi
2SB Transistor bopilar PNP frekuensi rendah
2SC Transistor bopilar NPN frekuensi tinggi
2SD Transistor bopilar NPN frekuensi rendah
2SJ FET/MOSFET kanal P
2SK FET/MOSFET kanal N
Sumber – Rugianto, 2016

Transistor yang diproduksi dan didaftarkan di Eropa, memiliki set kode yang lebih
kompleks, terdiri dari dua atau tiga huruf diikuti dengan angka. Kode Semikonduktor
Eropa, atau Pro Elektron lebih lengkap ditunjukkan pada tabel 2.

Tabel 2. Kode Transistor Eropa (Pro Elektron)

Sumber – Rugianto, 2016

8
 Contoh, misalnya transistor BU2508 adalah transistor silikon switching daya tinggi,
yang digunakan untuk rangkaian horizontal dan pembangkit tegangan tinggi untuk
display tabung gambar CRT. Transistor BD139/BD140 adalah transistor silikon daya
tinggi frekuensi audio, biasanya digunakan pada rangkaian amplifier.
Video tentang identifikasi jenis transistor dapat dilihat pada link berikut
https://www.youtube.com/watch?v=cCXgX28cUgM atau dengan memindai qr code
dibawah ini.

3. Analisis Kinerja Transistor

a. Transistor Hubungan Bipolar (BJT)
Dengan membuat sambungan P-N tiga lapis, didapatkan dua buah sambungan
P-N yang saling bertolak belakang. Struktur transistor bipolar, disederhanakan
menjadi dua buah dioda yang saling bertolak belakang. Sifat ini digunakan untuk
menguji hidup-matinya sebuah transistor. Dengan kombinasi dua probe multimeter
dan tiga elektroda transistor, maka untuk sebuah transistor normal, dari kombinasi
enam pengukuran akan ada dua pengukuran yang memberikan hasil yang identik
dengan pengukuran dioda arah maju, dengan tegangan jatuh sesuai dengan bahan
semikonduktor yang digunakan.

Gambar 1. Struktur, Padanan, dan simbol transistor PNP.

9
 Suatu transistor akan bekerja apabila sambungan P-N Basis Emitor dicatu arah
maju (forward bias) dan sambungan P-N basis-kolektor dicatu arah mundur (reverse
bias). Sambungan yang dicatu arah maju merupakan rangkaian dengan hambatan
rendah, karena mampu melewatkan arus yang besar. Sebaliknya sambungan yang
dicatu dengan arah mundur merupakan rangkaian dengan hambatan tinggi. Dari
persamaan daya Hukum Ohm, P=I2R, dan mengasumsikan kuat arus yang konstan,
daya yang dihasilkan pada rangkaian dengan hambatan yang tinggi, akan lebih
besar dari rangkaian dengan hambatan rendah. Pada kristal yang berisi dua
sambungan PN, sinyal berdaya rendah dapat dimasukkan pada sambungan dengan
catu maju dan akan menghasilkan sinyal berdaya tinggi pada sambungan bercatu
mundur. Dengan cara inilah suatu penguatan daya dapat didapatkan pada kristal
tersebut.

Gambar 2. Memberi tegangan catu daya pada transistor

Catu maju pada sambungan P-N Basis-Emitor akan mengalirkan arus basis IB
yang mengalir dari positif baterai menuju basis, menyeberangi sambungan PN basis
emitor menuju emitor dan kembali ke kutub begatif baterai. Syarat mengalirnya
arus basis adalah apabila tegangan pada basisemitor lebih besar dari tegangan jatuh
sambungan P-N basis emitor, yang besarnya tegangan jatuh ini bergantung pada
bahan semikonduktor yang dipakai. Interaksi pembawa minoritas elektron-hole
pada sambungan P-N basis-emitor menyuplai pembawa minoritas pada sambungan
P-N basiskolektor yang dicatu mundur, sehingga menurunkan resistansi sambungan
P-N basis-kolektor dan timbullan aliran arus dari kutub positif baterai kolektor
menuju kolektor, menyeberangi sambungan N-P kolektor basis dan P-N basis
emitor menuju emitor dan kembali ke kutub negatif baterai kolektor, selanjutnya

10
disebut kolektor IC. Arus pada sirkuit kolektor-emitor akan mengalir apabila ada
arus mengalir pada rangkaian basis-emitor. Inilah prinsip dasar kerja dari transistor.

Gambar 3. Jalannya arus pada transistor NPN.

Untuk PNP arah arus dan polaritas baterai adalah kebalikannya.

Umumnya, arus yang mengalir pada rangkaian kolektor-emitor akan lebih besar
dari pada arus yang mengalir pada rangkaian basis-emitor. Perbandingan antara
besarnya arus kolektor Ic dengan besatnya arus basis IB dinamakan faktor penguatan
𝐼
arus, dinaakan hFE atau juga disebut dengan hfe = β = 𝐼 𝑐
𝐵

Analogi dari sebuah transistor adalah sebuah bendungan dengan sebuah pintu
air, dimana aliran air yang mengalir melalui pintu air diatur oleh aliran air yang
mengalir melalui sebuah parit dan mengendalikan bukaan pintu air. Anggap pintu
air berpegas, sehingga pintu air menutup bila tidak ada aliran air. Anggap pintu air
berpegas, sehingga pintu air menutup bila tidak ada aliran kecil di saluran
pengendali.

Gambar 4. Analogi kinerja transistor

11
 Untuk lebih memperbaiki efisiensi transistor, maka secara fisik kolektor dibuat
lebih besar daripada basis. Hal ini dibuat untuk meningkatkan peluang
mengumpulkan pembawa arus (elektron dan hole) yang menembus basis, dan
memungkinkan kolektor menangani suhu lebih tinggi, atau daya lebih besar, tanpa
mengalami kerusakan.
Dari kalang aliran arus basis dan kolektor, keduanya mengumpul di emitor,
sehingga arus emitor adalah total arus yang melewati transistor, atau arus emitor
adalah jumlah arus basis dan arus kolektor : I E = IB + IC.
Adalah tidak praktis dalam rangkaian transistor yang sebenarnya untuk
menggunakan dua catu daya yang berbeda: VCC dan VBB untuk memberi tegangan
panjar bagi kolektor dan basis. Sepanjang hal terpenting dengan memberi aliran
arus pada basis untuk memancing arus kolektor yang lebih besar dipenuhi, ada
beberapa cara untuk memberi tegangan panjar/bias pada transistor, yaitu catu maju
(forward bias), catu umpan balik (feedback bias) dan catu pembagi tegangan
(divider bias). Catu maju dilakukan dengan menghubungkan basis dengan V CC
melalui sebuah resistor. Catu umpan balik dilakukan dengan menempatkan sebuah
resistor diantara basis dan kolektor, sedangkan catu pembagi tegangan dilakukan
dengan menghubungkan sepasang resistor pembagi tegangan ke kaki basis, dengan
satu resistor ke VCC dan resistor lainnya ke VEE atau ground.

Gambar 5. Memberi tegangan catu pada transistor (biasing); (a) catu maju
(forward bias), (b) catu umpan balik (feedback bias) dan (c) catu pembagi
tegangan (divider bias).

Memberi tegangan (atau arus) panjar pada transistor dilakukan untuk

memastikan transistor bekerja pada daerah kerja yang diperuntukkan baginya.
Transistor memiliki tiga daerah kerja : daerah cut off atau sumbat, tidak ada arus
kolektor yang mengalir. Yaitu bila tegangan basis-emitor kurang dari tegangan

12
jatuhnya. Daerah aktif, bila arus mengalir pada kolektor sebanding dengan arus
basisnya. Daerah jenuh (saturation) bila arus kolektor tidak bertambah lagi,
meskipun arus basis ditambah. Daerah kerja ini yang harus diperhatikan bagi
perancang apabila ingin memfungsikan transistor, baik sebagai saklar maupun
sebagai penguat.

Gambar 6. Grafik Ic = Vcc dan pebagian daerah kerja transistor

Apabila transistor difungsikan sebagai saklar, maka transistor dipekerjakan

pada daerah jenuh saat ia mengalirkan arus maksimal ke beban, dan harus
menyumbat bila tak ada arus mengalir ke beban. Umumnya, untuk pemakaian
transistor sebagai saklar, masukan arus kendali diumpankan ke basis, sedangkan
beban di letakkan diantara Vcc dan kolektor, dan kaki emitor dibumikan.

Gambar 7. Transistor sebagai saklar

Bila transistor difungsikan sebagai penguat, maka titik kerja transistor
diletakkan pada daerah aktif, untuk seluruh atau sebagian siklus gelombang yang
dikuatkan, sesuai dengan kelas penguatnya. Dengan satu kaki untuk masukan dan
satu kaki untuk keluaran, dan satu kaki dipakai bersama atau dibumikan, ada tiga
macam konfigurasi transistor sebagai penguat, yaitu emitor bersama (common
emitter), kolektor bersama (common collector) dan basis bersama (common base).

13
Konfigurasi transistor sebagai penguat dinamai sesuai dengan kaki/elektroda yang
dibumikan atau dipakai bersama.

Gambar 8. Konfigurasi transistor sebagai penguat: (a) emitor bersama, (b)

kolektor bersama dan (c) basis bersama.

Konfigurasi emitor bersama (common emitter) tersusun bila masukan

dihubungkan ke basis, keluaran diambil di kolektor dan emitor dibumikan. Resistor
di kolektor (RC) digunakan untuk mengonversi arus emitor menjadi tegangan
keluaran. Sifat dari konfigurasi emitor bersama adalah impedansi masukan tinggi,
impedansi keluaran tinggi, dan bersifat menguatkan tegangan. Dengan tegangan
(dan arus) basis makin besar, maka arus kolektor juga makin besar, tegangan pada
resistor emitor naik, dan tegangan kolektor emitor turun, tegangan kolektor turun,
sehingga fasa keluaran adalah kebalikan dari masukan, atau bergeser fasa 180o.
Konfigurasi CE digunakan umumnya sebagai penguat tegangan.
Konfigurasi kolektor bersama, disusun dengan masukan diumpankan ke basis,
keluaran diambil dari emitor dan kolektor dibumikan – lewat tegangan catu VCC.
Resistor di emitor digunakan untuk mengonversi arus emitor menjadi tegangan
keluaran, atau yang lebih umum adalah resistor emitor langsung digantikan dengan
beban. Sifat dari konfigurasi ini adalah impedansi masukan tinggi, impedansi
keluaran rendah. Karena sambungan P-N basis emitor adalah sambungan impedansi
rendah, tegangan emitor selalu mengikuti tegangan basis, dan tidak ada penguatan
tegangan, sehingga konfigurasi ini juga disebut emitor pengikut (emitter follower).
Penggunaan common collector, atau emiter follower adalah sebagai penguat arus.
Meskipun jarang digunakan, konfigurasi basis bersama digunakan bila diinginkan
impedansi masukan rendah dengan impedansi keluaran tinggi. Masukan
diumpankan ke emitor dan keluaran diambil dari kolektor, sedangkan basis

14
 dibumikan melalui sebuah kapasitor. Pada konfigurasi ini, rangkaian bersifat
sebagai penguat tegangan.
Tabel 3. Konfigurasi Transistor

Untuk penjelasan tentang transistor BJT dapat dilihat pada video penjelasan
dengan cara memindai qr code dibawah ini atau meng klik link berikut
https://www.youtube.com/watch?v=KJ1AY6xogiE

b. Transistor Aruh Medan (FET)

Transistor aruh medan adalah perangkat semikonduktor yang operasinya
bergantung pada pengendalian arus oleh medan listrik. Ada dua tipe transistor aruh
medan, yaitu transistor arus medan persambungan (junction field effect transistor,
JFET) dan transistor aruh medan gerbang terisolasi (insulated gate FET , IGFET)
atau transistor aruh medan semikonduktor oksida-metal (metal oxyde
semiconductor FET, MOSFET). FET berbeda dari BJT, transistor bipolar, dalam
karakteristik penting sebagai berikut :
1) Operasi FET bergantung pada aliran pembawa mayoritas (majority carrier)
saja. Karena itu FET disebut juga perangkat kutub tunggal, atau unipolar.
2) Lebih mudah dibuat dan mengambil ruang lebih kecil dalam bentuk
rangkaian terpadu.
3) Memiliki hambatan masukan tinggi, umumnya dalam orde megaohm.
4) Mempunyai derau/noise lebih rendah dibandingkan dengan transistor
bipolar.

15
 5) Tidak memiliki tegangan selisih/offset pada saat arus yang melewati kanal
(arus drain, ID) nol.
6) Besarnya penguatan lebih kecil dibandingkan dengan BJT. Umumnya,
JFET digunakan untuk rangkaian penguat depan dengan impedansi tinggi
dan desah rendah, misalnya pada rangkaian radio, atau penguat depan audio,
sedangkan MOSFET lebih banyak digunakan sebagai rangkaian saklar
(switching) kecepatan tinggi, atau pada rangkaian digital.

Gambar 9. Pencatuan tegangan pada JFET

Gambar 9 menunjukkan sebuah JFET kanal P. Kontak ohmik dibuat pada kedua
ujung saluran. Arus mengalir di sepanjang saluran karena catu tegangan yang
dipasang di kedua ujungnya. Arus hanya terdiri atas pembawa mayoritas, yaitu
elektron. Elektroda Sumber (source), adalah tempat elektron masuk saluran,
penguras (drain) adalah tempat elektron keluar perangkat. Arus yang masuk ke
drain, dinamakan arus drain (ID). Tegangan pada drain dinamai VDD, atau VDS,
bila source dibumikan. Gerbang (gate) adalah daerah dengan
ketidakmurnian/doping lawan dari saluran. Untuk kanal P, maka gate diberi doping
N.
Apabila pada gate diberi tegangan terhadap source, VGS, maka akan timbul
medan listrik pada gate yang mempengaruhi luas penampang kanal yang dapat
dilewati oleh elektron. Perubahan tegangan gate mengubah luas penampang kanal
yang dapat dilewati elektron, artinya perubahan tegangan gate mengubah kuat arus
yang melewati kanal atau arus drain. Nilai perbandingan antara perubahan kuat arus
yang mengalir pada kanal dengan perubahan tegangan gate dinamakan
transkonduktansi, gm, dengan gm = ID/ VGS, dengan satuan Ampere per Volt, atau
miliampere per volt untuk perangkat FET berukuran kecil.
Untuk meningkatkan kapasitas arus yang dapat melewati saluran, menaikkan
tegangan kerja dan meningkatkan transkonduktansi, mengurangi kebocoran gate,

16
 maka gate diisolasi dari saluran dengan membuat lapisan silikon oksida tipis, dalam
orde nanometer, diantara gate dan saluran. Tidak menjadi masalah bahan apa yang
menjadi gate, sehingga konduktor logam atau polisilikon dapat digunakan sebagai
gate. Perangkat FET ini dinamakan insulated gate FET, atau Metal oxyde
semikonductor FET, IGFET atau MOSFET.
MOSFET yang dioptimalkan untuk switching, dibuat dengan menurunkan
hambatan kanal saat ON (rDS-ON) menjadi serendah mungkin, sehingga daya yang
terlepas sebagai panas pada kanal dapat diminimalkan. Ukuran MOSFET dapat
dibuat kecil. Ukuran MOSFET pada prosesor mutakhir, seperti intel core generasi
ke-8, berukuran 14 nanometer, sehingga dapat menurunkan tegangan kerja,
meningkatkan kecepatan, menghemat daya dan meningkatkan kepadatan
komponen pada chip.
Untuk penjelasan lebih lanjut, simak video penjelasan pada link berikut
https://www.youtube.com/watch?v=BR2r7AAHF-8 atau memindai qr code
dibawah ini

4. Pengukuran Transistor BJT

Pada modul ini disajikan materi pengukuran transistor terkhusus pengukuran
transistor BJT dengan tipe NPN dan PNP. Cara mengukur transistor PNP dan NPN
dapat dilihat pada video dengan link sebagai berikut
https://www.youtube.com/watch?v=dgarK7G_U4E atau dengan memindai qr code
dibawah ini.

17
Gambar 10. Contoh langkah pengukuran transistor menggunakan multimeter analog

18
Gambar 11. Contoh langkah pengukuran transistor menggunakan multimeter digital

19
Tugas
Cermatilah masalah berikut ini :
Gambar disamping
merupakan berita
tentang limbah
elektronik. Banyak
bahaya dan ancaman
bagi lingkungan yang
dapat ditimbulkan oleh
limbah elektronik
tersebut. Dari
banyaknya limbah
elektronik tersebut,
tidak semua limbah
elektronik yang kita
temukan dalam kondisi
rusak. Suatu peralatan
elektronik tentunya
memiliki rangkaian
elektronik yang
didalamnya terdapat
berbagai macam
komponen. Kaitannya
dengan materi pada modul ini yaitu salah satu komponen yang terdapat pada rangkaian
elektronik adalah transistor. Sebagai pelajar yang cinta lingkungan dan kreatif, mari kita
manfaatkan limbah elektronik yang ada di sekitar kita sebagai bahan belajar.
Pada kegiatan kali ini, berdiskusilah dengan teman kelompok kalian untuk
mengidentifikasi komponen transistor yang terdapat pada rangkaian elektronik yang telah
rusak. Cara mengidentifikasi transistor tersebut dapat melalui pengamatan pada bentuk fisik,
kode pada transistor, jenis transistor, dan diagnosis kerusakan pada transistor berupa hasil
pengukuran. Agar tidak menjadi sampah elektronik, komponen yang masih dapat dimanfaatkan
tentunya dpat kita simpan dan sewaktu-waktu dapat kita gunakan kembali.

20
D. Langkah Pembelajaran PBL
NO LANGKAH KERJA
1. Orientasi peserta didik pada
masalah
2. Mengorganisasikan peserta
didik
3. Membimbing penyelidikan
individu maupun kelompok
4. Mengembangkan dan
menyajikan hasil karya
5. Menganalisis dan
mengevaluasi proses
pemecahan masalah
AKTIFITAS PESERTA DIDIK
Kelompok mengamati dan memahami masalah yang
disampaikan guru atau yang diperoleh dari modul
bahan ajar
Peserta didik berdiskusi dan membagi tugas untuk
mencari informasi yang diperlukan untuk
menyelesaiakan masalah. Dengan pendekatan
TPACK, guru membimbing siswa dalam mencari
sumber informasi.
Peserta didik melakukan penyelidikan /
mengumpulkan data dengan memanfaatkan
teknologi yang ada.
Hasil diskusi kelompok dalam memecahkan masalah
yang ada disajikan dalam bentuk presentasi
menggunakan media teknologi.
Setiap kelompok melakukan presentasi menyajikan
hasil karya dan kelompok yang lain memberikan
tanggapan dan apresiasi. Kegiatan dilanjutkan
membuat rangkuman hasil presentasi dan diskusi
dengan kelompok yang lain.
21
E. Forum Diskusi

Diskusikan bersama teman kelompok bagaimana mengidentifikasi komponen transistor

pada rangkaian elektronik yang telah rusak. Hasil diskusi berupa paparan tiap-tiap kelompok
dalam bentuk powerpoint/slides. Dalam paparan hasil diskusi kelompok, buatlah rencana
pemanfaatan limbah elektronik dalam rangka mengurangi limbah elektronik di lingkungan
sekitar kita.

22
 PENUTUP
A. Rangkuman
1. Istilah transistor berasal dari kata TRANSfer dan resISTOR. Istilah ini diambil karena
menjelaskan operasi dan cara kerja dari transistor.
2. Transistor adalah perangkat zat padat yang menguatkan dengan mengendalikan aliran
pembawa arus melalui material semikonduktornya.
3. Transistor hubungan bipolar, BJT, dapat dianggap sebagai pengembangan dari dioda,
dengan menambah satu lapisan bahan semikonduktor. Dengan dua macam bahan dan
tiga lapisan, didapatkan dua kombinasi susunan : NPN dan PNP Ketiga lapis bahan
tersebut masing-masing diberi pin/elektroda yang dinamai Emitor, Basis dan Kolektor.
4. Transistor aruh medan (FET), terdiri atas suatu saluran memanjang, dengan kedua
ujungnya untuk jalan masuk dan keluar, dan sekelilingnya diberi bahan semikonduktor
lawan. Jalan masuk dan keluar dinamai sumber (Source) dan cerat (Drain), sedangkan
bahan yang mengelilinginya dinamakan gerbang (Gate).
5. Berdasar kombinasi polaritasnya, BJT dibagi menjadi transistor tipe PNP dan NPN,
sedangkan FET dibagi menjadi kanal P dan kanal N. Berdasar konstruksi gate-nya, FET
juga terbagi menjadi JFET dan MOSFET.
6. Ada beberapa cara untuk memberi tegangan panjar/bias pada transistor, yaitu catu maju
(forward bias), catu umpan balik (feedback bias) dan catu pembagi tegangan (divider
bias).
7. Transistor memiliki tiga daerah kerja : daerah cut off atau sumbat, tidak ada arus
kolektor yang mengalir. Yaitu bila tegangan basis-emitor kurang dari tegangan
jatuhnya. Daerah aktif, bila arus mengalir pada kolektor sebanding dengan arus
basisnya. Daerah jenuh (saturation) bila arus kolektor tidak bertambah lagi, meskipun
arus basis ditambah.
8. Ada tiga macam konfigurasi transistor sebagai penguat, yaitu emitor bersama (common
emitter), kolektor bersama (common collector) dan basis bersama (common base).

B. Tes Formatif
1. Jelaskan pengertian transistor!
2. Jelaskan perbedaan transistor BJT dan FET!
3. Jelaskan keunggulan transistor FET dibanndingkan dengan transistor BJT pada
penggunannya di rangkaian charger batterai!
4. Jelaskan ciri-ciri kerusakan pada transistor BJT jika dilakukan pengukuran
menggunakan multimeter analog!

23
 DAFTAR PUSTAKA

Dwi Surjono, Herman. Elektronika : Teori dan Penerapannya. Cerdas Ulet Kreatif
Publisher,2011
Nugroho, Ahmad Fajar. Aircraft Electronic. Direktorat Pembinaan SMK KEMDIKBUD RI,
2019
https://beetrona.com/cara-kerja-transistor-dan-cara-mengukurnya/ , diakses pada 6 Oktober
2021
https://www.gatra.com/detail/news/411445/technology/limbah-elektronik-jadi-masalah-di-
tahun-2025 , diakses pada 6 Oktober 2021
https://teknikelektronika.com/pengertian-transistor-jenis-jenis-transistor/ , diakses pada 6
Oktober 2021
https://www.dosenpendidikan.co.id/transistor-adalah/ , diakses pada 6 Oktober 2021
https://www.youtube.com/watch?v=cCXgX28cUgM , diakses pada 6 Oktober 2021
https://www.youtube.com/watch?v=KJ1AY6xogiE , diakses pada 6 Oktober 2021
https://www.youtube.com/watch?v=BR2r7AAHF-8 , diakses pada 6 Oktober 2021
https://www.youtube.com/watch?v=dgarK7G_U4E , diakses pada 6 Oktober 2021

24