TUGAS K3

DIODA

Nama: Fahmi Muhamad Yusup

NIM: 1513621075

Dosen: Dr. Moch. Sukardjo, M.Pd

UNIVERSITAS NEGERI JAKARTA

PENDIDIKAN VOKASIONAL TEKNIK ELEKTRONIKA

2022
SOAL

1. Jelaskan sejelas-jelasnya cara kerja dioda yang di reverse bias.

2. Berapa tegangan di depletion layer pada saat reverse bias

3. Kapan berhentinya besarnya tegangan di depletion layer pada saat reverse bias

4. Jelaskan cara kerja dioda dengan forward bias

5. Berapa tegangan di depletion layer pada saat forward bias

6. Samakah tegangan depletion layer pada dioda yang di forward bias dan reverse bias
depletion. Jelaskan

JAWABAN

1. Ketika kita menghubungkan sumber tegangan/batere ke dioda dengan Anoda (+) terhubung
ke sisi negatif (-) sumber tegangan/batere dan Katoda (-) terhubung ke sisi positif (+)
sumber tegangan/batere, maka Holes yang bermuatan positif (+) pada Anoda akan tertarik
dengan electron yang datang dari sisi negatif (-) sumber tegangan/batere, begitu juga dengan
elektron yang bermuatan negatif (-) pada Katoda akan tertarik oleh muatan positif (+) yang
berasal dari sisi positif (+) sumber tegangan/batere, ketika hal ini terjadi, barrier/penghalang
yang ada di depletion region/depletion layer yang terletak di PN Junction akan semakin
melebar dan membuat elektron tidak dapat berpindah/mengalir, menyebabkan dioda
bertindak sebagai isolator pada sebuah rangkaian.

2. Ketika Reverse Bias terjadi, maka tegangan pada depletion region/depletion layer akan
menjadi Nol (0) dan dioda bersifat isolator.

3. Tegangan pada Reverse Bias akan berubah dari Nol (0) dan kembali mengalirkan electron
ketika tegangan yang diberikan melebihi kapasitas dioda (breakdown voltage), besaran
kapasitas dioda tidak tetap, tergantung dari jenis diode yang digunakan.
4. Ketika kita menghubungkan sumber tegangan/batere ke dioda dengan Anoda (+) terhubung
ke sisi positif (+) sumber tegangan/batere dan Katoda (-) terhubung ke sisi positif (-)
sumber tegangan/batere, maka tegangan yang masuk harus melebihi 0,7 V (Knee Voltage
untuk dioda berbahan silicon) agar elektron bisa melewati barrier/penghalang yang terdapat
pada depletion region/depletion layer, ketika Forward Bias terjadi, arus hanya bisa mengalir
satu arah (DC) dan mencegah terjadinya arus bolak-balik (AC).

5. Ketika Forward Bias terjadi, maka tegangan pada depletion region/depletion layer akan
berada diatas atau sama dengan 0,7 V untuk dioda berbahan silicon dan 0,3 V untuk silicon
berbahan germanium.

6. Tegangan di depletion region/depletion layer akan berbeda antara Forward Bias dan
Reverse Bias, seperti yang sudah dijelaskan diatas, Reverse Bias membuat dioda bertindak
sebagai isolator, yang berarti tegangan pada depletion region/depletion layer akan bernilai
Nol (0) selama tegangan yang diberikan tidak melebihi kapasitas dioda (Breakdown
Voltage). Pada Forward Bias tegangan yang masuk memiliki besaran minimum yang
disebut Knee Voltage, besarnya tergangan yang masuk harus melebihi Knee Voltage agar
elektron dapat mengalir, untuk dioda berbahan silicon besarnya adalah 0,7V dan untuk dioda
berbahan germanium besarnya adalah 0,3V.