SA be
"Cc
Bey sobs -te oa) 5 *
Bo me cel Cor Mer ks uae i Sl i
Pol a Transistorizados 53
oe te a a
Fonte’ pora Expeneneics
% mits r
’ Reparagao
deTV
Curso SENAI
12 Parte ADMINISTRAGAO
E PUBLICIDADE:
Av. Dr. Carlos de
Campos, n° 275/9
03028 ~ S, Paulo - SP
CORRESPONDENCIA;|
ar Content
REVISTA SABER
Caixa Postal $0450
03028 ~ S. Paulo - SP
sumatio
Amplificador de Poténcia Darlington (parte 1 2
As caracterfsticas do SOM ws. 16
Reparaco de TV — Curso Senai 19
Trés radios transistorizados para. principiante
montar 22
Um pouco sobre antenas;2%."..cxs% girs 35
ORIENTAGAO ef. Q moNTADON . 40
Nee Oo) sth
Fivobiénper ‘aybmunigaetio eletténica com os ve-
7* ccs ye 4
so 43
ane
RS
Fonte gai experidlcies de ffsieSPauimica...
Indicador de seta para $ automével
Amplificadores Operacion: 59
61
em Audio
Cara ou Coroa — Pisca Pisca com Cl..
Fonte Regulada 5-24 V, 2A...............
CURSO DE ELETRONICA (Li¢ao 4)..
CAPA: Aula pritica do Curso de Reparacto de TV da Escola Ro-
CS Lo Osu een ONC geo wd
eee ne Rew ects een eyo eve
Pew eC Oran Rute st cos
Perrier
Oe artigos assinados sfo de exclusiva responsabilidade de seus autores.
E totalmente vededa 2 reproducso total ou parcial dos textos ¢ ilustregses desta Revista, sob pe-
nna dos sances logais, salvo mediante autorizaglo por escrito da Editors.
NUMEROS ATRASADOS: 20 proro da iiltima edi¢io em banca, por intermédio do sou jornaliro,
de stia cidade ou pedidos pela Ceixa Postal 50 450 — 03028 — Séo Paulo.
SOMENTE A PARTIR DO NUMERO 45 (MARCO/76).
fistribuider Abril amplificador
de Poténcia
DARLINGTON
Como exempla de aplicagao de transistores Darlington de alta poténcia, forne-
cemos neste artigo informagées sobra 0 projato e montagem de um amplificador
de 60 Watts. Para a obtencdo de componentes, ou para a elaboracdo de projetos
similares, os revendedores |BRAPE devem ser consultados. Os circuitos apresenta-
dos nesta parte néo se destinam a aplicagdes préticas imediatas; sa
des explicagdes teéricas.
1. INTRODUGAO
Os transistores de poténcia Darlington
complementares de base epitaxial,
niveis atualmente, simplificam 0 projeto e
a montagem de amplificadores de potén-
cia de dudio.
Este artigo fornece uma descricéo geral
das etapas de projeto de um amplificador
com safda complementar, com alguns
esclarecimentos sobre os aspectos onde é
possfvel certa flexibilidade como, por
exemple, em relacdo ao tipo de fonte de
alimentacéo e dos efeitos consequentes
no projeto e protecéo contra curto-circui-
tos. Desde os pontos de vista dos valores
limites SOAR dos transistores, 6 dada
especial atencao a trés condicées: sobre-
-excitacdo, transistérios de comutagao e
curto-circuito da saida.
Sao dados pormenores da construcdo
rendimento de um circuito pratico cuja sal-
da é de 60 Watts. Sob a impedancia de
carga de 4 Ohms. O rendimento do ampli-
ficador supera em elevada margem os
requisitos das normas DIN 45 500. O cir-
cuito est projetado para funcionar tanto
com fonte simples como com fonte simé-
trica.
PARTE |
sstrativos
2. ESPECIFICAGOES DO AMPLIFICADOR
Antes de analisar 0 projeto do circuito
amplificador exporemos as caracteristicas
de rendimento desejadas. Devido ao fato
de ser usual de pensar num amplificador
em termos de certa saida obtida através
da impedancia de carga especificada, o
projeto se inicia da saida e se desioca em
direcdo 4 entrada.
A especificacdo do amplificador se da
em termos dos seguintes parametros (os
valores assinalados para estes parametros
determinam em grande parte o custo do
amplificador e sua complexidade):
2.1. - PARAMETROS
Poténcia de saida
Impedancia de carga
Distorcdo
Sensibilidade de entrada e impedéncia
de entrada i
Resposta de frequéncia
Largura da faixa de frequéncias
Fator de amortecimento
Relacao sinal/ruido
Condigées térmicas
Revista Saber Eletrénica Devido ao fato de alguns desses paré-
metros admitirem mais de uma interpreta-
¢o, no item 2.2 eles sdo definidos. Tam-
bém sao indicados os valores estabeleci-
dos em funcdo das normas DIN 45 500.
Chamamos a atencdo dos amantes de 4u-
dio para esses conceitos; assim poderao
aproveitar e corrigir as “barbaridades” que
se ouvem a esse respeitol..
2.2 - DEFINIGAG DE TERMOS
POTENCIA DE SAIDA
Das diferentes formas de se definir esse
parémetro, a mais comumente usadas sao:
a)- poténcia de safda senoidal - que 6 o
valor eficaz, continuo, medido da
poténcia entregue a carga especificada
durante um tempo maior que 10 minu-
tos com um nivel de distorc3o menor
ou igual a 1%;
b)- poténcia musical - que 6 a poténcia de
saida do nivel de distor¢éo especifica-
do com uma entrada senoidal, mas
durante um intervalo de tempo tao
pequeno que a tensao de alimentacdo
néo varia significativamente em tomo
de seu valor sem sinal
Para um determinado amplificador,
a saida de poténcia definida em (b)
pode ser muito maior que a definida
em (a). Sem divida, € evidente que a
definicao a se adotar deve ser decidida
antes de se iniciar o projeto. Neste
artigo, todas as referéncias posteriores
A poténcia séo feitas em relacdo a
definicao (a).
Impedincia de carga
O amplificador descrito na parte pratica
deste artigo pode ser usado com uma
imped4ncia de carga de 4 Ohms.
Distorgéo
A distorcéo é 0 termo geral que inclui
todas as causas devido as quais um amp!
ficador deixa de produzir, em seus termi
nais de saida, uma forma de onda que seja
uma exata réplica da forma de onde do
sinal de entrada.
So definidos cinco tipos de distoreao:
a) ~ distorgao harménica - é a relacdo entre o
valor eficaz do harménico e o valor eficaz
Julho/7 8
da frequiéncia fundamental; o valor indica-
do normalmente nas especificagées de
amplificadores 6 a distorcéo harmdnica
total (d_,) que, em tormos de distorcao de
harménicos individuais d,. d,, d,, etc, pode
ser dada por:
dot = db +3 + 3 +... d2 —- (1)
b) - distoredo por intermodulagao - E a distor-
80 nao linear caracterizada por compo-
nentes na saida que tém frequéncias iguais
&s somas e diferencas de miiltiplos inteiros
das frequéncias componentes do sinal de
entrada; a distorc4o de intermodulacao
esté dada por:
2
1
aay aioe -f+ +
in Vea 10 lf = 1) + Vo fa + fy)}
2%
$ seen #4 Vo 12 fa) + Vo (F224) FY onan
As normas DIN 45 500 estabelecem
para fl = 250 Hz, #2 = 8 KHz, e a relacdo
entre as tensdes do sinal de entrada
Vi (f1): Vi (£2) como 4:1.
Esta distorcéo normalmente est espe-
cificada para poténcia de safda total endo
deve ser maior que 2% para amplificadores
de poténcia.
) - tistorgao de intermodulago por transitérios -
se apresenta quando um elo de realimen-
tagdo se estende a varias etapas e a fre-
quéncia de corte sem realimentacdo des-
tas etapas 6 menor que das etapas pré-
-amplificadoras precedentes.
Se um sinal de entrada tem suficiente
amplitude e uma frequéncia maior que 2
de corte sem realimentacao do amplifica-
dor de poténcia, s4o produzidos sobre-
pulsos na tens&o de excitacao do elo inter-
no da realimentacdo do amplificador &
estes impulsos podem ser algumas cente-
nas de vezes maiores que o valor nominal
desta tensdo. Se nag se dispée de suficien-
te margem de sobre-carga nas etapas
excitadoras do amplificador, os sobre-im-
pulsos se recortariam e se produziriam
entdo “salvas’ de intermodulagéo de
100%. Este efeito audivel 6 similar a0 da
distorao cruzada de alta-frequéncia, para
© qual 0 ouvido é extremamente sensivel. d) - distorgéo cruzada - se apresenta em
amplificadores em contra-fase em classe B
se a variagéo da corrente de um transistor
a outro ndo uma transicéo suave; isto
ocorre invariavelmente devido a incorreta
polarizacdo da etapa de safda, 0 que pro-
duz uma descontinuidade no ponto de cru-
zamento da caracteristica de transferéncia
combinada.
e) - distoredo cruzada secundéria - 6 devida &
carga armazenada nas bases dos transisto-
res de saida (especialmente); 0 efeito é a
introducdo de um retardo na passagem de
uma metade da etapa de safda em relacéo
@ outra, de modo que se produzem curtos
impulsos de distor¢ao no ponto de cruza-
mento.
Normalmente, nao se especificam as
distorgées (c), (d) e (e) devido ao fato de
nao haver método normalizado para sua
ia. Sem duvida, séo mencionadas
brevemente, j4 que seus efeitos
aqui
devem ser considerados no projeto de
qualquer amplificador.
Sensibilidade de entrada e impeddncia de entrada
A sensibilidade de entrada é 0 nivel de
sinal requerido na impedancia de entrada
para produzir a poténcia de saida normal.
As normas DIN 45 500 estabelecem que a
imped&ncia de saida de um pré-amplifica-
dor ndo deve ser menor que 47 KQe que a
tensZo de salda obtida nesta impedancia
no deve ser menor que 1 V. Portanto,
este fato deve ser tomado como base para
9 projeto do circuito de entrada do amplifi-
cador. No amplificador que descrevemos
na parte pratica deste artigo, a sensibilida-
de de entrada é de uns 500 mV através de
uma impedéncia nao menor que 75KQ.
Resposta de frequéncia
E a tenséo de safda ou poténcia desen-
volvida pelo amplificador através da impe-
déncia de carga especificada em funcéo da
frequéncia, para uma tensdo de entrada
especificada constante. As normas DIN
45 500 estabelacem que, entre 40Hz ¢ 16
KHz a resposta deve estar dentro dos limi-
tes de mais ou menos 1,5 dB de um nivel
médio. A entrada se ajusta de modo que
este nivel médio esteja 6 dB abaixo da
poténcia de saida maxima nominal (as dlti-
mas edigées das normas DIN 45 500 indi-
cam 10 dB abaixo da poténcia de saida
méxima nominal). NOTA - a maioria dos
fabricantes de amplificadores dao esta
caracteristica apenas do pré-amplificador
@ 0 amplificador de poténcia?
Largura de Faixa de Poténcie
A largura da faixa de poténcia é a res-
posta de frequéncia para um nivel de dis-
torcdo constante de sinal de saida (usual-
mente se toma d,, = 1%). Os limites desta
resposta de frequéncia sao os valores de
frequéncia para os quais a poténcia de saf-
da esté 3 dB abaixo do nivel que corres-
ponde a1 KHz. Devem ser menor que
40Hz e maior que 12,5 KHz
Fator de Amortecimento
E a relacdo entre a impedancia de carga
externa e a impedancia de safda do ampli-
ficador. As normas DIN 45 500 dao 3
como 0 minimo valor para este fator, mas
os amplificadores modernos alcancam,
Rovista Saber Eletinica facilmente, um fator de amortecimento
muito superior.
Relago Sinal/Ruldo
E a relacdo sinal/ruldo S/N entre a ten-
sao do sinal de saida para uma frequéncia
especificada e o nivel de saida para a ten-
so de ruldo equivalente na saida. J4 que o
espectro de frequéncias do rufdo térmico 6
indefinido e os componentes de ruido em
distintas partes do espectro néo tém o
mesmo nfvel sonoro, a relagdo S/N se
mede, as vezes, por meio de uma rede
especial (uma rede que tem ume resposta
de frequéncia de acordo com a curva audi-
vel, descrita das normas DIN 45 405) que
compensa essa desigualdade. Tal medida
se conhece como relacdo S/N ponderada.
Se, se mede sem esta rede, o resultado
obtido é a relacéo S/N nao ponderada.
Condigies térmicas
© amplificador deve ser projetado de
modo que, abaixo das piores condigées
para uma temperatura m&xima especifica-
da, a temperatura maxima de jun¢ao (Tj
max) néo deve ser excedida.em nenhum
transistor.
3. Selecdo dos transistors de saida
A eleicao dos transistores de saida
corretos para a etapa final de sada se
baseia nas consideragdes de tenséo de
ruptura (VCEQ max}, da corrente de cole~
tor (ICM max)_e do ganho de corrente
(hge) além do SOAR. (figura 1 e tabela I).
TABELA |
Caracteristicas dos transistores Darlington
do amplificador
Estes parametros esto “incorporados””
a cada dispositivo e, portanto, nao podem
ser modificades pelo projetista do circuito.
Deste modo, é possivel realizar uma tabela
que facilite a répida escolha dos transisto-
res corretos para uma determinada saida
de poténcia. (figura 2).
4, ESTABILIDADE TERMICA
4.1, ESTABILIZAGAO DA CORRENTE DE REPOUSO
A estabilizacdo das condicées de funcio-
namento da etapa de saida 6 necessdria
devido @ dispersdo das caracteristicas do
transistor, das toler&ncias dos componen-
tes e das variacées da tenséo de alimenta-
do, além da dependéncia da temperatura
de algumas caracteristicas.
Uma dessas caracteristicas 6 a corrente
de repouso I¢q dos transistores de saida
que aumenta com a elevacdo da tempera-
tura da jungdo. Dependendo das condicées
do circuito, isto pode ocasionar uma eleva-
Julho/76
da dissipacao do coletor, a qual aumenta
ainda mais a temperatura da juncao e por-
tanto a corrente de coletor. Se produz,
assim, a condigéo denominada “aqueci-
mento cumulativo” e se diz que o sistema
6 termicamente instavel. O resultado final
& a destruicéo dos transistores de saida.
Para evitar que se produza esta condicao.
I¢q é regulada com uma fonte estabiliza-
dora que utiliza um transistor, um diodo e
um dispositivo de coeficiente negativo de
temperatura (NTC).
Na figura 3 (ndo so fornecidos os valo-
res dos componentes por se tratar de ilus-
tracdo e nao para aplicacao pratica) ,a fon-
te estabilizadora é 0 transistor Q3 que fun-
ciona como um diodo regulador de tenséo
juntamente com R9 e R10. O resistor R10
deve ser ajustado de modo que se obtenha
Vcr (03) aproximadamente igual 4 soma
de Vpg (Q4)e Vee (G5) para a corrente
Ic¢q de corrente continua requerida nos
transistores de saida. O coeficiente de temperatura é compen-
sado aproximadamente frente a variacéo
de temperatura ambiente de acordo com a
relacéo de tenséo Vcg/Vge (Q3) que é
resultante do ajuste de R10. A variagao
dVce/Vge (Q3) dos transistores indivi
duais determina a efetividade da compen-
sacdo.
O valor minimo de I¢q (tipicamente 30
mA) se escolhe para minima distor¢ao cru-
zada; 0 valor maximo de icq se escolhe
pela capacidade de dissipago do transis-
tor. Pode se calcular a maxima dissipagéo
de poténcia (pior caso) para cada transis-
tor de safda e determinar o radiador reque-
rido. Para a estabilidade térmica, a dissipa-
40 em repouso deve ser menor que a mé-
xima dissipagdo din&mica e, portanto,
pode-se calcular 1cQ max. Uma vez deter-
minada a margem permissivel de icq,
pode-se calcular o minimo valor do resistor
de emissor RE que asseguraré a estabilida-
de térmica.
A velocidade segundo a qual diminui a
corrente de repouso apés a poténcia de CA
total no depende somente do valor de Re,
como também do acoplamento térmico
Figura 3
Revista Saber ElatrOnica entre o transistor estabilizador e o radiador
do transistor de safda.
A figura 4 mostra os resultados da
variagSo. do acoplamento térmico. No
caso, (c) 0 acoplamento térmico 6 eleva-
do, 0 qual pode produzir uma oscilagao
lenta de I¢g com efeito resultante adverso
na distorco cruzada.
Figura 4
4.2. - PROJETO DO RADIADOR
A temperatura da jun¢do de um transis-
tor é fungdo da poténcia dissipada e da
temperatura ambiente. A temperatura da
jungo Tj é dada por:
Tj = Tamb + Rthj-a Ptot -
CUI)
onde: (Tamb) é a temperatura ambiente:
(Rth j-a) € a resisténcia térmica entre a
juncéo e o ar circundante e (Prot) é a
poténcia total dissipada.
‘A méxima temperatura da jun¢ao nor-
malmente é fornecida pelo fabricante do
transistor; a maxima temperatura para a
qual se projeta o equipamento é conhecida
do projetista e a dissipacdo de poténcia
pode ser calculada para as piores condi-
Ses de funcionamento.
A dissipacdo do pior caso, para transis-
tores de safda numa configuracdo de alta—
fidelidade em classe B é dada por:
(11 Va?
r (08 RL + Re)
Prot = Iv)
onde: Va é a tenso de CC total através
do transistor para uma excursio de 2/7
Juihol76
(em circuito de saida complementares esta
se toma como a tenséo no ponto médio);
RL éa impedéncia da carga externa e Re é
a resisténcia de emissor.Os valoresR|_ e RE
da equagéo (IV) devem ser os valores
nominais; os fatores 1,1 @ 0,8 dao a dissi
paco de poténcia quando a tensdo de ali
mentacao 6 superior a nominal e a impe-
dancia de carga é uns 20% inferior a nomi-
nal.
Voltando 2 equagao (II!) pode-se calcu-
lar um valor para Rth j-a de modo que nao
seja excedida a maxima temperatura da
jungdo:
_ Tj = Tamb
Prot
~(V)
A resisténcia térmica entre a jungéio eo
ar ambiente pode ser representada por um
circuito série (figura 5) que compreende.
Rth jmb-Rth mb-he Rth h-g- A transferén-
cia de calor ocorre primeiro entre a jungdo
e a base de montagem e depois, através
do radiador, para o ar ambiente. Devido a
possibilidade de contacto térmico imper-
feito entre a base da montagem e o radia-
dor, se utiliza uma substancia apropriada
(graxa de silicone ou um material de pro-
priedades semelhantes).
Figure 5
Os transistores de poténcia elevada as
vezes tem o coletor conectado a capsula e,
assim em uma configuragéo complemen-
tar que tem ambos os transistores monta-
dos em um mesmo radiador, pelo menos
um transistor deve estar isolado da massa.
Isso se realiza normalmente inserindo um
isolante de mica entre a base de monta-
gem do transistor @ o radiador. Os termi-
nais de montagem e os parafusos se
isolam mediante arruelas e tubos de pas-
sagem em material isolante. Se necessé-
rio, pode-se melhorar o contacto térmico
entre a base de montagem., o isolante de
mica e o radiador:utilizando-se um com-
posto quimico. Séo disponiveis diversos
tipos de acess6rios dissipadores apropria~
dos para os diversos tipos de transisotres. Jé que os valores de Rth j-mb e Rth
mb-h so conhecidos a partir de dados for-
necidos, s6 resta calcular o valor de
Rthh-a mediante a seguinte expressdo:
Fina ~ Rthj-a> (tj -mb+ Reh mb =n) (VI)
A resisténcia térmica Rth h-a depende
da dissipacdo de poténcia, das condigdes
da superficie, da posicéo de montagem e,
no caso de radiadores planos, da espessu-
ra do radiador, e finalmente, do tipo de
cApsula utilizada para o transistor. O tipo
de radiador e suas dimensées sao determi-
nados a partir do valor Reh h-a calculado
mediante os grdficos que sio dados nas
figuras 6 e 7. O grAfico da figura 7 com-
preende 4 seccées que se utilizam confor-
me explicado na figura 6. A sec¢&o 1 mos-
tra a dependéncia entre a resisténcia tér-
mica, a orientagéo e acabamento da
longitude extrusio
Figura 6
Figura 7
Revista Sabor Eletrdnice superficie do radiador. A seccéio 2 mostra
a influéncia da dissipag&o de poténcia em
condigées de livre convecofo na resistén-
cia térmica. A secgdo 3 mostra a variagdo
da resist6ncia térmica em fungo da érea e
da espessura do radiador, para radiadores
planos, ou do comprimento (no caso de
radiadores de estrusdo). A seccéo 4 mos-
tra a influéncia da cépsula resisténcia tér-
mica.
Observe-se que a seccéo 1 das curvas,
do radiador se referem a um acabamento
pintado do radiador. Com efeito, a cor da
pintura é relativamente pouco importante:
a resistividade térmica do radiador de pla-
ca plana pintado de branco brilhante é
somente uns 3% maior que a do mesmo
radiador pintado de preto. Com radiadores
com aletas (estrudados) a pintura é menos
efetiva, mas também digna de se levar em
conta. O anodizado e 0 ataque quimico
diminuem a resistividade térmica. As pin-
turas metdlicas, tais como a pintura de alu-
minio, tm uma emissividade mais baixa,
mas séo umas 10 vezes melhores que um
acabamento metélico de aluminio brilhan-
te.
‘As curvas completas do radiador, que
somente se aplicam a radiadores de alumi-
nio, so dadas na figura 7.
5. TRANSITORIOS E SOAR
Neste artigo supomos um conhecimen-
to das curvas da rea de seguranca de fun-
cionamento (SOAR).
No projeto de amplificadores de dudio
devem ser examinadas trés condigdes dos
transistores de excitagdo e salda para se
ter seguranga, nao se ultrapassando os
valores limites SOAR.
Estas condicées sdo:
condigdes se sobre-excitagéo do
icador de poténcia;
b) transitérios devidos a efeitos de cone-
xdo da fonte de alimentacdo;
¢} condigdes de curto-circuito.
O caso (a) se apresenta quando a entra-
da do amplificador de poténcia se sobre-
-excita até ao ponto de méxima excursdo
na caracteristica I¢/V¢g. 0 rendimento do
amplificador, neste caso, deve ser compro-
vado para as condigdes do pior caso de
carga e de tensdo de alimentacdo. Para
esta prova, a impedancia de carga (repre-
sentada por Re Li em série), a tensdo de
alimenta¢ao Vs, a frequéncia Fj e a tensao
de entrada Vi do amplificador, assim como
a impedancia do gerador Ri, devem ser
iguais aos valores indicados na Tabela II
para cargas nominais de 4 ou 8 Ohms.
TABELA Il
Codicdes de prova de sobrecarga
carga nominal
(a)
Vs
4
8
‘Vso 6 a tensdo de alimentacdo nominal sem carga
“Vi nom 6 a tenaio de entrade para poténcie de sekde total.
0 caso (b) se apresenta especialmente
em amplificadores que utilizam fontes de
alimentagao assimétricas onde a corrente
de carga de comutagao em C_ (figura 8)
provoca um transitério através de Qy que
poderia ser superior a0 valor nominal do
SOAR. Se o tempo R¢ de Vg é menor que
© tempo Rc da tensao no ponto médio Va,
© que ocorre, quase sempre, 6 que Oy
comecard a conduzir enquanto que Va é
ainda zero. Assim, 6 possivel que circule
uma grande corrente através de Qy
enquanto sua Vce é elevada.
Julha/78
Vso* + 10%
Vso + 10% Figura 8
As figuras 9a e Sb mostram, respectiva-
mente, as excursGes de Vcg e Ic para
estes transitérios de conexéo em um
amplificader experimental de 25 We 4
Ohms. Neste caso, Cy é de 2 200 uF e RL
& de 4 Ohms. A figura 9c mostra o corres:
pondente pico de poténcia retangular deri-
vado de igual amplitude e contetdo de
energia. Isto mostra uma poténcia de pico
de 35 W para uma duragéo de 25 ms. A
figura 10 mostra a excursdo do transitério
de conexdo tracado na curva SOAR de CC
para o transistor BD267. A temperatura da
base de montagem, durante a conexéo,
10
Figura 10
sera baixa, de modo que Tmb pode ser
tomada igual a 25°C. Sem duvida, este
ponto nao é muito importante, visto que 0
comportamento na segunda ruptura dos
dispositivos Darlington de base epitaxial é
independente da temperatura. Em teoria
deveria ser calculado se a curva SOAR
para 25 ms fosse considerada, mas seu
desvio com relagdo a curva de CC seria tao
pequeno que, na prdtica, pode ser usada
esta ultima.
Se so utilizadas redes de protecdo con-
tra curto-cireuitos, 6 necessdrio compro-
var-se o rendimento SOAR do amplificador
sob condicées reais de curto-circuito (caso
c). As condicées de prova séo as seguin-
te:
- curto-circuito nos terminais de saida
- gerador de onda senoidal com
Ri = 600 Ohms
- excursdo de excitagéo para saida de
poténcia nominal em todas as frequén-
cias entre 20 Hz e 20 KHz.
Em nenhum momento, durante esta
prova, devem ser excedidos os valores
SOAR.
Revista Saber EletrOnica 6. PROTEGAO CONTRA CURTO-CIRCUITO
Em amplificadores em simetria comple-
mentar classe B, como o que descrevemos
na parte pratica deste artigo, uma saida
curto-circuitada fara com que os transisto-
tes drenem uma corrente superior ao seu
valor nominal. A no ser que os transisto-
res sejam extremamente robustos, estaréo
sujeitos 4 destruicéo. Para poténcias de
saida baixas (inferiores 2 25 Watts), um
fusivel na linha de alimentacao se é utiliza-
da uma fonte simétrica).
Para poténciasde saida elevadas(superio-
res a 25 W), é aconselhavel um circuito de
protecdo eletrénico. A seguir descrevemos
dois métodos de protecdo
6.1. Circuitos de disjungéo de corrente
A figura 11 mostra um simples circuito
(dentro das linhas tracejadas); funciona da
seguinte maneira: a corrente através do
transistor de saida Q3 6 controlada pela
tensdo entre os pontos E e C, ou seja, pela
soma das
You might also like
- Dce 17Document79 pagesDce 17Marcelo FerreiraNo ratings yet
- Cinco Primeiros Passos para Seu Negócio de Impressão 3DDocument2 pagesCinco Primeiros Passos para Seu Negócio de Impressão 3DMarcelo FerreiraNo ratings yet
- Formação Inicial de Professores de Física - Possibilidades e Desafios em Abordagens Didático-Metodológicas No EnsinoDocument240 pagesFormação Inicial de Professores de Física - Possibilidades e Desafios em Abordagens Didático-Metodológicas No EnsinoMarcelo FerreiraNo ratings yet
- UMA PEDAGOGIA MULTIDISCIPLINAR, INTERDISCIPLINAR para Ensino Da FisicaDocument10 pagesUMA PEDAGOGIA MULTIDISCIPLINAR, INTERDISCIPLINAR para Ensino Da FisicaMarcelo FerreiraNo ratings yet
- Wpensar Book InadimplenciaDocument20 pagesWpensar Book InadimplenciaMarcelo FerreiraNo ratings yet
- Ebook 15 Elementos de Copywriting para Turbinar Suas VendasDocument11 pagesEbook 15 Elementos de Copywriting para Turbinar Suas VendasMarcelo FerreiraNo ratings yet
