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PSIM?

用户指南

9版

版本 3

2010 五月

版权 ? 2001-2010 Powersim 公司

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内容

1 一般资料

1.1 引言 1

1.2 电路结构 2

1.3 软件 / 硬件需求 3

1.4 安装程序 3

1.5 模拟电路 3
1.6 组件参数规范和格式 3

2 电源电路组件

2.1 电阻电感电容器分支 7

2.1.1 电阻器、电感器和电容器, 7

2.1.2 变阻器 8

2.1.3 饱和电感 8

2.1.4 非线性元件 9

2.2 开关 10

2.2.1 二极管、 LED、 Zener Diode 、和移民局 10

2.2.2 晶闸管和双向可控硅 12

2.2.3 GTO 和晶体管 13

2.2.4 双向开关 15

2.2.5 线性开关 16

2.2.6 开关门 17 座

2.2.7 单相开关模块 19

2.2.8 三相开关模块 19

2.3 耦合电感 22

2.4 变压器 23

2.4.1 理想变压器 23

2.4.2 单相变压器 23

2.4.3 三相变压器 25

2.5 磁元件 26

2.5.1 绕组 26

2.5.2 漏磁通路径 27
2.5.3 空气间隙 27

2.5.4 线性核心 29

2.5.5 Saturable Core 29

2.6 其他元素 30

2.6.1 运算放大器 30

2.6.1.1 理想运算放大器 30

4 章:

2.6.1.2 非理想运算放大器 31

2.6.2 并联稳压器 TL431 32

2.6.3 Optocoupler 33

2.6.4 dv / dt 的 34 块

2.7 热模块 35

2.7.1 设备数据库编辑器 35

42 在数据库 2.7.2 二极管器件

2.7.3 二极管损耗计算 43

在数据库 45 2.7.4 IGBT 器件

2.7.5 IGBT 损耗计算 47

在数据库 50 2.7.6 MOSFET 器件

2.7.6 MOSFET 的损耗计算 51

2.8 电机驱动模块 54

机械系统 54 2.8.1 参考方向

2.8.2 直流机 56

2.8.3 感应机 58
2.8.4 感应电机饱和 61

2.8.5 无刷直流电机 62

2.8.6 同步机与外部激励 66

2.8.7 永磁同步电机 68

2.8.8 永磁同步电机饱和 70

2.8.9 开关磁阻电机 73

2.9 MagCoupler Module 76

2.9.1 magcoupler DL 76 块

2.9.2 MagCoupler Block 77

2.10 magcoupler RT 模块 81

2.11 机械元件和传感器 85

2.11.1 机械元件和传感器 85

2.11.1.1 恒转矩负载 85

2.11.1.2 恒功率负荷 85

2.11.1.3 恒速负荷 86

2.11.1.4 Type Load 将军 86

2.11.1.5 外部控制负荷 87

2.11.2 齿轮箱 87

2.11.3 机械耦合块 88

2.11.4 机电接口 88 块

2.11.5 速度 / 转矩传感器 89

2.11.6 位置传感器 91

2.11.6.1 绝对编码器 91

2.11.6.2 增量式编码器 92
2.11.6.3 解析器 92

2.11.6.4 霍尔效应传感器 93

2.12 可再生能源模型 94

II

章节: - 3

2.12.1 太阳能模块 94

2.12.2 风机 97

3 控制电路元件

3.1 传递函数块 99

3.1.1 比例控制器 100

3.1.2 积分 100

3.1.3 微分器 102

3.1.4 比例积分控制器 102

3.1.5 单极控制器 103

3.1.6 修改 PI 控制器 103

3.1.7 3 型控制器 104

在过滤块 105 内置 3.1.8

3.2 计算功能块 106

3.2.1 106 夏季

3.2.2 乘数和 Divider 106

3.2.3 平方根 107 块

3.2.4 指数 / 电力 /对数功能块 107

3.2.5 均方根 107 块

3.2.6 绝对和符号功能块 108


3.2.7 三角函数 108

3.2.8 快速傅里叶变换块 108

3.2.9 最大 / 最小功能块 109

3.3 其他功能块 110

3.3.1 比较器 110

3.3.2 限制器 110

3.3.3 梯度( dv/dt )限制器 110

3.3.4 梯形、方形块 111

3.3.5 采样 / 保持 111 块

3.3.6 舍入块 112

3.3.7 时间延迟块 112

3.3.8 器 113

3.3.9 THD 114 块

3.4 逻辑组件 115

3.4.1 逻辑 Gates 115

3.4.2 设置复位触发器 115

3.4.3 JK 触发器 116

3.4.4 D 触发器 117

3.4.5 单稳态多谐振荡器 117

3.4.6 脉冲宽度计数器 118

3.4.7 向上 / 向下计数器 118

3.4.8 A/D 和 D/A 转换器 119

3.5 数字控制模块 120


2 章:

3.5.1 零阶保持 120

3.5.2 Z 传递函数方框 121

122 3.5.2.1 积分器

3.5.2.2 微分器 123

3.5.2.3 数字滤波器 123

3.5.3 单位延迟 125

3.5.4 量化块 126

3.5.5 循环缓冲区 128

3.5.6 卷积块 129

3.5.7 内存读取块 129

3.5.8 数据阵列 130

3.5.9 栈 130

3.5.10 多采样率系统 131

3.6 simcoupler 模块 132

3.6.1 设立在 PSIM 和 Simulink 132

在 Simulink 133 3.6.2 求解器的类型和时间步长的选取

4 其他组件

4.1 参数文件 137

4.2 来源 138

4.2.1 时间 138

4.2.2 常数 138

4.2.3 直流电源 138

4.2.4 正弦源 139


4.2.5 方波电源 139

4.2.6 三角 / 锯齿来源 140

4.2.7 步源 141

4.2.8 分段线性源 142

4.2.9 随机源 143

4.2.10 数学函数源 143

4.2.11 电压 / 电流控制的来源 144

4.2.12 非线性电压控制源 145

4.3 电压 / 电流传感器 146

4.4 探头和 146 米

4.5 电压 / 电流范围 148

4.6 初始值 150

4.7 开关控制器 151

4.7.1 开关控制器 151

4.7.2 α控制器 15

4.7.3 PWM 控制器 152 查找表

4.8 功能块 154

4.8.1 控制电源接口 15 块

章节: - 1

4.8.2 变换块 154

4.8.2.1 ABC dq0 变换 155

ABCα/ β不能转化 1

4.8.2.3 α/β- dq 变换 1
4.8.2.4 笛卡尔坐标变换 157

4.8.3 数学功能块 157

4.8.4 查找表 158

4.8.5 C 座 160

4.8.6 简化 C 座 161

4.8.7 外部 DLL 模块 162

4.8.8 嵌入式软件 164 块

5 分析规格

5.1 仿真控制 165

5.2 交流分析 166

5.3 参数扫描 168

6 电路原理图设计

6.1 创建一个电路 171

6.2 文件菜单 173

6.3 编辑菜单 173

6.4 视图菜单 174

6.5 支路菜单 175

6.5.1 创建在主电路 176 支路 -

6.5.2 创建子电路内的支路 177

6.5.3 连接支路 -在主电路 178

电路的 178 6.5.4 其他功能

6.5.4.1 传递变量从主电路支路 178

6.5.4.2 定制电路图 179

6.5.4.3 包括在 PSIM 180 子元素列表


6.6 模拟菜单 180

6.7 选项菜单 183

6.8 实用工具菜单 187

6.9 管理 PSIM 图书馆 187

6.9.1 创造一次图像 188

6.9.2 添加新的子电路元件为图书馆 189

6.9.3 添加一个新的 DLL 元到图书馆 191

0 章:

7 波形处理

7.1 文件菜单 193

7.2 编辑菜单 194

7.3 轴菜单 194

7.4 屏幕菜单 195

7.5 测量菜单 196

7.6 分析菜单 197

7.7 视图菜单 198

7.8 选项菜单 198

7.9 标签菜单 199

7.10 出口数据 199

8 错误 / 警告消息和其他模拟问题

8.1 模拟问题 201

8.1.1 时间步长的选取 201

8.1.2 传播延迟的逻辑电路 201


8.1.3 界面之间的电源和控制电路 201

8.1.4 FFT 分析 202

8.2 错误 / 警告消息 202

8.3 调试 203

指数 205

一般信息

1.1 引言

PSIM 仿真软件 1 是专为电力电子与电机驱动器。快

仿真和友好的用户界面,提供了一个强大的 PSIM 电力电子仿真环境,

模拟和数字控制、磁、电机驱动系统的研究。

PSIM 包括最基本的软件包,以及下面的附加选项:

电机驱动模块

数字控制模块

simcoupler 模块

热模块

magcoupler 模块

magcoupler RT 模块

simcoder 2 模块

可再生能源计划

电机驱动模块有内置的电机模型和电机驱动系统的机械负荷模型

研究。

数字控制模块提供的分立元件如零阶保持器、 Z 传递函数
块,量化块,数字滤波器,用于数字控制系统分析。

simcoupler 模块提供的接口之间的 PSIM 和 MATLAB/ Simulink 联合仿真 3。

热模块提供了计算半导体器件损耗的能力。

的 magcoupler 模块提供 PSIM 和电磁场分析软件之间的接口

JMAG 4 协同仿真。

的 magcoupler RT 模块链接 PSIM 与 jmag-rt 4 数据文件。

simcoder 模块提供的 DSP 硬件自动代码生成能力。

可再生能源包括基本 PSIM 软件包,电机驱动模块,和可再生

能源模型,如太阳能模块和风力涡轮机在可再生能源应用的模拟。

此外, PSIM 支持通过自定义 DLL 模块的第三方软件链接。整体 PSIM

环境如下所示。

1。PSIM 和 simview 是注册商标,和版权, Powersim 公司 2001-2010 年

2。SimCoder 是一个商标,是由模型公司,模型公司版权, 2008-2010 年

三.Simulink 和 MATLAB 是 MathWorks 公司的注册商标, Inc.

4。和 jmag-rt JMAG 的作业调度选项表公司版权, 1997-2010

1 章:一般信息

PSIM 仿真环境包括电路原理图程序 PSIM 模拟器引擎,和

波形处理程序 simview 1 。仿真过程如下所示。


本手册涵盖了 PSIM 和所有附加模块除了 SimCoder Module 。使用的 SimCoder

模块是在单独的文件中 simcoder 用户手册。

本手册的第 1 章介绍了电路结构,软件 /硬件的要求和参数

规范格式。第 2 章通过 4 描述电源和控制电路组件。 5章

介绍了瞬态分析和交流分析的技术指标。在 PSIM 示意程序的使用

和 simview 在 6 章讨论 7。最后,错误 / 警告消息在第 8 章进行了讨论。

1.2 电路结构

电路为代表的是在 PSIM 四块:电源电路、控制电路、传感器和开关控制器。

下面的图表显示了这些块之间的关系。

电源电路由开关器件, RLC 分支,变压器和耦合电感。这个

控制电路以方框图表示。在 s 域元件和 Z 域,逻辑元件(如逻辑门和触发器),和非


线性元件(如乘法器和除法器)中使用

控制电路。传感器被用来测量电源电路数量,并将它们传递给控制电路。门控

信号,然后产生的控制电路,并通过开关控制器发送回电源电路

控制开关。
1.3 软件 / 硬件需求

PSIM 软件运行在微软 Windows XP / Vista 的个人电脑。最小内存需求

是 128 字节。

1.4 安装程序

快速安装指南提供飞行员“ PSIM - 快速指南”的光盘。

在 PSIM 目录下的一些文件是如下表所示。

在 PSIM 使用的文件扩展名:

注意, PSIM 示意文件扩展名是。学校在 PSIM 8 或以上,但在 PSIM 9 分机

改变。 psimsch 为了区分 PSIM 文件从其他软件的文件。

1.5 模拟电路

模拟样品的一个象限斩波电路”印章。学校”:

启动 PSIM。从“文件”菜单中选择打开加载文件”印章, SCH”。

从模拟的菜单,选择“运行 PSIM 仿真开始。仿真结果将被保存


文件”印章。 txt ”。

如果选择自动运行 simview 不在选项菜单中选择,从模拟菜单,

选择“运行 simview 开始 simview 。如果该选项被选中, simview 将推出

自动。在 SIMVIEW ,选择曲线显示。

1.6 组件参数规范和格式

在 PSIM 的每个组件的参数对话框有三个标签:参数,其他信息,和颜色,

如下图所示。

在仿真中使用的参数选项卡中的参数。在“其他信息”选项卡上的信息

另一方面,在仿真中不使用。它只用于报告的目的,并将出现在零件清单中

视图 -> 元在 PSIM 上市。信息,如设备评级,制造商和零件号可以存储

在“其他信息”选项卡下。

组件颜色可设置在“颜色”选项卡中。

参数下的参数选项卡可以是一个数值或数学表达式。一个阻力,为

例如,可以在下列方式中指定:

十二点五

12.5k

12.5ohm

12.5kohm

25 / 2.ohm

R1 + R2

R1×0.5 + (旁白 + 0.7 ) / IO


其中 R1, R2,VO 和艾奥符号定义在一个参数文件(见 4.1 节),或在主电路如

这个电阻在电路(见第 6.3.4.1 )。

十后缀字母的力量是允许在 PSIM。支持下面的后缀字母:

G 10 9

M 10 6

K 或 K 3 10

M 10 - 3

U 6 - 10

n 9 - 10

P 12 - 10

数学表达式可以包含括号,并且不区分大小写。以下的数学

功能是允许的:

+ 添加

-减法

* 乘法

/分

* 的权力 [ 例如: 2×3 = 2 * 2 * 2 ]

平方根函数

罪恶的正弦函数

因为余弦函数

在正弦反函数

ACOS 余弦反函数

谭正切函数

阿坦反正切函数

但反正切函数 [π<= atan2 ( y, x)< =


双曲正弦双曲正弦函数

双曲余弦双曲余弦函数

进出口指数(基 E)[例如: exp (x )= E ×]

对数对数函数(基) [ 例:日志( x) =

log10 对数函数( 10)

ABS 绝对值函数

符号函数 [ 例子:符号( 1.2 ) = 1 ;符号( - 1.2 )= - 1 )

电源电路元件

2.1 电阻电感电容支路

2.1.1 电阻器、电感器和电容器,

单个电阻,电感,电容,和集总 RLC 支路提供在 PSIM 。初始条件

电感电流和电容电压可以被定义。

为了方便三相电路的设置,提供对称三相 RLC 支路。初始

三相支路的电感电流和电容电压都为零。

图像 :

对于三相分支,相位与一个点是第一阶段。

属性 :

一个分支的电阻、电感或电容都不能全部为零。至少有一个参数
是一个非零的值。

参数描述

电阻,欧姆

电感电感,在 H

在 F 中的电容

初始电流初始电感电流

最初的 Cap。电压初始电容电压,在 V

支路电流输出的当前标志标志。

如果标志为零,则没有当前的输出。如果国旗是 1,电流将是

可用于运行时图中的显示(在模拟运行时

图)。它也将显示在 simview 保存到输出文件。

当它流到分支的虚线终端时,电流是正的。

目前 flag_a ;

目前 flag_b ;

目前 flag_c

三相支路的 A、 B 和 C 的电流标志。

2.1.2 变阻器

变阻器是一个抽头电阻。

图像:

属性 :

参数描述

总电阻变阻器的电阻 R(总节点 k 和 m 之间),欧姆


抽头位置( 0 至 1)的抽头位置抽头。节点 K 和 T 之间的电阻是: R * 抽头。

当前流到节点 K 的当前标志标志。

2.1.3 Saturable Inductor

一个饱和电感考虑磁芯的饱和效应。

图像:

属性 :

参数描述

电流与电感特性的电流与电感( I 1 ,L 1 ),( I 2 ,L 2 )等

当前显示的当前标志标志

非线性 B-H 曲线的分段线性近似表示。由于磁通密度 B

正比于磁通 λ和磁化力 H 是目前我成正比, B-H 曲

被λ代表我曲线相反,如下图所示

电感的定义为: L = λ/ 我,比我在每一个点 λvs. 。的饱和特性的定

由一系列的数据点为:( I 1 , L 1 ),( I 2 , L 2 ),( I 3 ,L 3 ),等

注意定义的饱和特性必须使磁链 λ是单调递增的

也就是说, L 1 * 我 2 * 2 * 我 3 * 1 * 我 3,等等。

此外,类似于在现实世界中的饱和特性,每一个线性段的斜率必须

随着电流的增加而单调减小。

在某些情况下,含有饱和电感的电路可能无法收敛。连接一个非常小的
横跨饱和电感的电容器可以帮助收敛。

第 2 章:电源电路元件

2.1.4 非线性元件

提供了具有非线性电压电流关系的下列元素:

电阻型 [ V = F ( I) ]

具有附加输入 x 的电阻型 [ V = F (I ,x) ]

电导型 [ I = F ( V) ]

-电导型与附加的输入 x [ I = F ( V,x) ]

附加的输入 x 必须是一个电压信号。

图像 :

属性 :

用于电阻型元件:

参数描述

表达式 F(I)或 F( I, X)的 V 的表达在 I 和 X [ V = F ( I )或 V = F (I ,X) ]

表达 DF / 诊断衍生的电压与电流 I,即 DF(我) /诊断

初始值 I O 为当前 I 的初始值

我的下限我目前的下限

我的上限我目前的上限

电导型元素:

参数描述

表达式 F(V)或 F( V, X)的表达,我在 V 和 X [ I = F ( V)或 I = F ( V, X) ]

表达 DF / DV 的电流与电压的导数,即 DF( v) / DV
初始值为电压 V 的初始值

V 的下限的电压的下限

V 的上限的电压 V

非线性有限元( Noni )在上述模型的非线性二极管电路。二极管电流被表示为一个功


能的电压为: I = 14 - 10 * ( E 40 * 1 )。在 PSIM ,非线性元件的规格将:

2.2 开关

有在 PSIM 的两个基本类型的开关。一个是开关型。它工作在截止

区域(关闭状态)或饱和区(状态)。另一种是线性型。它可以工作在任一截止,

线性或饱和区。

开关在开关模式包括以下:

二极管和开关

闸流管和双向可控硅

自换相开关,具体:

-门关断开关

NPN 双极结型晶体管( BJT)

PNP 双极结型晶体管
-绝缘栅双极晶体管( IGBT )

- N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管( MOSFET)和 P 沟道

MOSFET

双向开关

开关模型是理想的。也就是说,无论是开启和关断瞬变被忽视。

开关上有 10 μΩ阻力。当没有 RLC 支路并联连接的开关,一

10 Ω电阻将连接在交换机内部。这种电阻可以被看作是关闭状

电阻。在某些情况下,这种电阻可能需要修改。要改变关闭状态的阻力,为

例如, 100 米Ω,连接一个百米 Ω并联开关。自从 PSIM 看到已经有一个电

并联开关, 10m Ω电阻不会添加

缓冲电路不需要开关。

线性开关包括以下:

NPN 和 PNP 双极晶体管

- N 和 P 沟道 MOSFET

2.2.1 二极管、 LED、 Zener Diode 、和双向触发二极管

二极管和 LED:

当它进行的时候,一个发光二极管( LED)发光。二极管或 LED 的导通是由

电路工作条件。当正偏置电压大于阈值时,二极管被打开

电压,当电流下降到零时,关断。

图像 :

属性 :
参数描述

二极管的阈值

电压

二极管的阈值电压 V d_th ,在五二极管开始进行当正

偏置电压大于 V d_th 。

二极管电阻二极管的电阻 R D,在欧姆,之后开始进行。

初始二极管位置的初始位置标志。如果标志是 0,二极管关闭。如果它是 1,

二极管在。

二极管的电流标志电流标志。

二极管的 I-V 特性和 LED 显示如下:

Zener :

齐纳二极管的电路模型如下图所示。

图像 :

属性 :

参数描述

齐纳二极管的击穿电压,击穿电压 V B, V
正向阈值

电压

正向传导的阈值电压(从阳极到阴极),在 V

正向导通电阻的正向电阻

齐纳电流输出电流国旗(从阳极到阴极)

当齐纳二极管正向偏置,它的行为作为一个普通的二极管。当它是反向偏见,它会

阻挡导通,只要阴极阳极电压 V 万卡的击穿电压小于。什么时候

V 卡超过 V B,电压 V 卡将被钳位到 V B。

注意当齐纳箝位,由于二极管是一个在 10μΩ电阻为蓝本,阴极

阳极电压将等于: V Ka = V B + 10 μΩ* 我 KA。因此,取决于我的价值, V

将略高于 V B。如果我 KA 是非常大的, V 家可以大大高于 V B。

DIAC( 双向触发二极管 ):

是双向触发二极管。双向触发二极管不进行到导通电压达到。之后 , 双向触发二极管进
入雪崩导通,和导通压降是静电压。

图像:

属性 :

参数描述

导通,导通时,移民局开始进行电压电压 V

静电压导通电压降, V

当前标志当前标志

2.2.2 晶闸管、双向可控硅

晶闸管在开启时被控制。关闭是由电路条件。
可控硅是一种可以在两个方向上传导电流的装置。它的行为以同样的方式作为两个相
反的

并联的晶闸管。

图像 :

属性 :

参数描述

电压降晶闸管导通电压降,在 V

保持该设备停止传导和返回的最小导通电流

到关闭状态(只适用于晶闸管)

闩锁电流最小的状态所需的电流保持装置在后的状态

触发脉冲被删除(仅晶闸管)

初始开关位置的初始位置标志(仅用于晶闸管)

用于开关电流输出的电流标志标志

注意,双向可控硅装置,保持电流和保持电流设置为零。

有两种方法来控制晶闸管或可控硅。一种是使用一个选通块,另一个是使用一个开关

控制器 .一个晶闸管或可控硅栅极节点必须连接到一个浇注块或开关

控制器 .

下面的例子说明了晶闸管开关的控制。

实例:晶闸管开关的控制
左边的这个电路使用一个开关选通块。开关选通模式和频率是预先—

定义,并保持不变,在整个模拟。右边的电路使用一个阿尔法开关

控制器 .在度的延迟角 α,通过电路中的直流源的指定

2.2.3 GTO 和晶体管

自整流的开关的开关,除了 PNP 双极结型晶体管( BJT)和 P 沟道

MOSFET 的开启门控信号是当高(当 1V 或更高的电压施加到栅极

节点)和开关正偏置(集电极发射极或漏极源极电压为正)。它被关闭了

每当选通信号是低或电流下降到零。

PNP 晶体管和 P 沟道 MOSFET 开关打开时,门控信号低,开关

负偏置(集电极 -发射极或漏极 - 源极电压为负)。

GTO 开关是一个对称的装置与正向和反向阻断能力。 IGBT

或 MOSFET 开关包括一个反并联二极管的有源开关。

注意,在 PSIM BJT 开关模型的局限性,与现实生活中的设备的行为,是

在 PSIM BJT 开关块反向电压(在这个意义上,它就像一个 GTO)。此外,它是由

在栅极节点处的电压信号,而不是电流。

图像 :
属性为 GTO:

参数描述

可关断晶闸管的导通压降的电压降, V

初始位置初始开关位置标志( 0:关闭; 1:)

当前标志开关电流标志( 0:无显示; 1:显示)

对 NPN 和 PNP BJT 属性:

饱和电压为 NPN 型三极管的饱和电压 vce_sat ,或 vec_sat PNP ,在 V

初始位置初始开关位置标志( 0:关闭; 1:)

当前标志开关电流标志( 0:无显示; 1:显示)

N 沟道和 P 沟道 MOSFET 的属性:

参数描述

电阻的 MOSFET 的导通电阻 rds_on ,欧姆

二极管的阈值

电压

反并联二极管的阈值电压,在 V

二极管的电阻抗并联二极管,在欧姆

用于晶体管的初始位置初始开关位置标志( 0:关闭; 1:)

整个模块的电流标志开关电流标志(晶体管加二极管)( 0: NO

显示; 1:显示)

属性用于 IGBT :
参数描述

饱和电压饱和电压 vce_sat 的 IGBT ,在 V

晶体管电阻晶体管的电阻,欧姆

二极管的阈值

电压

反并联二极管的阈值电压,在 V

二极管的电阻抗并联二极管,在欧姆

用于晶体管的初始位置初始开关位置标志( 0:关闭; 1:)

整个模块的电流标志开关电流标志(晶体管加二极管)( 0: NO

显示; 1:显示)

一个开关可以由一个门控块或一个开关控制器控制。他们必须连接到大门

(基站)交换机的节点。下面的例子说明一个 MOSFET开关的控制。

例子:一个 MOSFET 开关控制

左边的电路使用一个选通块,右边的一个使用一个通断开关控制器。浇注

信号由比较器输出。

例如:一个 NPN 双极晶体管控制

左边的电路使用一个选通块,右边的一个使用一个通断开关控制器。
下面显示的另一个例子是控制晶体管的开关。左边的电路显示了一个 BJT

开关控制在现实生活中。在这种情况下,选通电压 V B 被施加到晶体管基极驱动

通过一个变压器的电路,基极电流决定晶体管的导通状态。

这个电路可以建模和实现在 PSIM 如右所示。二极管, D,与传导

0.7V 电压降,用于模型的基极和发射极之间的 PN 结。当基极电流

超过 0(或一定的阈值,在这种情况下,基极电流将被比作一个直流电源),

比较器的输出将是 1,通过通断开关控制器应用导通脉冲到晶体管。

2.2.4 双向开关

双向开关在两个方向上进行电流。

提供了三种类型的双向开关:单相开关、三相开关和按钮开关

开关。

图像:

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