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用户指南
9版
版本 3
2010 五月
版权 ? 2001-2010 Powersim 公司
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内容
1 一般资料
1.1 引言 1
1.2 电路结构 2
1.3 软件 / 硬件需求 3
1.4 安装程序 3
1.5 模拟电路 3
1.6 组件参数规范和格式 3
2 电源电路组件
2.1 电阻电感电容器分支 7
2.1.1 电阻器、电感器和电容器, 7
2.1.2 变阻器 8
2.1.3 饱和电感 8
2.1.4 非线性元件 9
2.2 开关 10
2.2.2 晶闸管和双向可控硅 12
2.2.4 双向开关 15
2.2.5 线性开关 16
2.2.6 开关门 17 座
2.2.7 单相开关模块 19
2.2.8 三相开关模块 19
2.3 耦合电感 22
2.4 变压器 23
2.4.1 理想变压器 23
2.4.2 单相变压器 23
2.4.3 三相变压器 25
2.5 磁元件 26
2.5.1 绕组 26
2.5.2 漏磁通路径 27
2.5.3 空气间隙 27
2.5.4 线性核心 29
2.6 其他元素 30
2.6.1 运算放大器 30
2.6.1.1 理想运算放大器 30
4 章:
2.6.1.2 非理想运算放大器 31
2.6.3 Optocoupler 33
2.6.4 dv / dt 的 34 块
2.7 热模块 35
2.7.1 设备数据库编辑器 35
2.7.3 二极管损耗计算 43
2.8 电机驱动模块 54
2.8.2 直流机 56
2.8.3 感应机 58
2.8.4 感应电机饱和 61
2.8.5 无刷直流电机 62
2.8.6 同步机与外部激励 66
2.8.7 永磁同步电机 68
2.8.8 永磁同步电机饱和 70
2.8.9 开关磁阻电机 73
2.9.1 magcoupler DL 76 块
2.10 magcoupler RT 模块 81
2.11 机械元件和传感器 85
2.11.1 机械元件和传感器 85
2.11.1.1 恒转矩负载 85
2.11.1.2 恒功率负荷 85
2.11.1.3 恒速负荷 86
2.11.1.5 外部控制负荷 87
2.11.2 齿轮箱 87
2.11.3 机械耦合块 88
2.11.4 机电接口 88 块
2.11.5 速度 / 转矩传感器 89
2.11.6 位置传感器 91
2.11.6.1 绝对编码器 91
2.11.6.2 增量式编码器 92
2.11.6.3 解析器 92
2.11.6.4 霍尔效应传感器 93
2.12 可再生能源模型 94
II
章节: - 3
2.12.1 太阳能模块 94
2.12.2 风机 97
3 控制电路元件
3.1 传递函数块 99
3.1.2 积分 100
3.2.1 106 夏季
3.3.5 采样 / 保持 111 块
3.3.8 器 113
三
2 章:
3.5.9 栈 130
4 其他组件
4.2 来源 138
4.2.1 时间 138
4.2.2 常数 138
4.2.7 步源 141
4.7.2 α控制器 15
4.8.1 控制电源接口 15 块
章节: - 1
ABCα/ β不能转化 1
4.8.2.3 α/β- dq 变换 1
4.8.2.4 笛卡尔坐标变换 157
4.8.5 C 座 160
4.8.6 简化 C 座 161
5 分析规格
6 电路原理图设计
0 章:
7 波形处理
8 错误 / 警告消息和其他模拟问题
8.3 调试 203
指数 205
一般信息
1.1 引言
模拟和数字控制、磁、电机驱动系统的研究。
PSIM 包括最基本的软件包,以及下面的附加选项:
电机驱动模块
数字控制模块
simcoupler 模块
热模块
magcoupler 模块
magcoupler RT 模块
simcoder 2 模块
可再生能源计划
电机驱动模块有内置的电机模型和电机驱动系统的机械负荷模型
研究。
数字控制模块提供的分立元件如零阶保持器、 Z 传递函数
块,量化块,数字滤波器,用于数字控制系统分析。
热模块提供了计算半导体器件损耗的能力。
JMAG 4 协同仿真。
能源模型,如太阳能模块和风力涡轮机在可再生能源应用的模拟。
环境如下所示。
1 章:一般信息
1.2 电路结构
下面的图表显示了这些块之间的关系。
控制电路。传感器被用来测量电源电路数量,并将它们传递给控制电路。门控
信号,然后产生的控制电路,并通过开关控制器发送回电源电路
控制开关。
1.3 软件 / 硬件需求
是 128 字节。
1.4 安装程序
在 PSIM 目录下的一些文件是如下表所示。
在 PSIM 使用的文件扩展名:
1.5 模拟电路
模拟样品的一个象限斩波电路”印章。学校”:
启动 PSIM。从“文件”菜单中选择打开加载文件”印章, SCH”。
1.6 组件参数规范和格式
在 PSIM 的每个组件的参数对话框有三个标签:参数,其他信息,和颜色,
如下图所示。
在仿真中使用的参数选项卡中的参数。在“其他信息”选项卡上的信息
另一方面,在仿真中不使用。它只用于报告的目的,并将出现在零件清单中
在“其他信息”选项卡下。
组件颜色可设置在“颜色”选项卡中。
参数下的参数选项卡可以是一个数值或数学表达式。一个阻力,为
例如,可以在下列方式中指定:
十二点五
12.5k
12.5ohm
12.5kohm
25 / 2.ohm
R1 + R2
这个电阻在电路(见第 6.3.4.1 )。
十后缀字母的力量是允许在 PSIM。支持下面的后缀字母:
G 10 9
M 10 6
K 或 K 3 10
M 10 - 3
U 6 - 10
n 9 - 10
P 12 - 10
数学表达式可以包含括号,并且不区分大小写。以下的数学
功能是允许的:
+ 添加
-减法
* 乘法
/分
平方根函数
罪恶的正弦函数
因为余弦函数
在正弦反函数
ACOS 余弦反函数
谭正切函数
阿坦反正切函数
双曲余弦双曲余弦函数
对数对数函数(基) [ 例:日志( x) =
ABS 绝对值函数
电源电路元件
2.1 电阻电感电容支路
2.1.1 电阻器、电感器和电容器,
电感电流和电容电压可以被定义。
三相支路的电感电流和电容电压都为零。
图像 :
对于三相分支,相位与一个点是第一阶段。
属性 :
一个分支的电阻、电感或电容都不能全部为零。至少有一个参数
是一个非零的值。
参数描述
电阻,欧姆
电感电感,在 H
在 F 中的电容
初始电流初始电感电流
最初的 Cap。电压初始电容电压,在 V
支路电流输出的当前标志标志。
如果标志为零,则没有当前的输出。如果国旗是 1,电流将是
可用于运行时图中的显示(在模拟运行时
当它流到分支的虚线终端时,电流是正的。
目前 flag_a ;
目前 flag_b ;
目前 flag_c
三相支路的 A、 B 和 C 的电流标志。
2.1.2 变阻器
变阻器是一个抽头电阻。
图像:
属性 :
参数描述
当前流到节点 K 的当前标志标志。
一个饱和电感考虑磁芯的饱和效应。
图像:
属性 :
参数描述
电流与电感特性的电流与电感( I 1 ,L 1 ),( I 2 ,L 2 )等
当前显示的当前标志标志
被λ代表我曲线相反,如下图所示
注意定义的饱和特性必须使磁链 λ是单调递增的
也就是说, L 1 * 我 2 * 2 * 我 3 * 1 * 我 3,等等。
此外,类似于在现实世界中的饱和特性,每一个线性段的斜率必须
随着电流的增加而单调减小。
在某些情况下,含有饱和电感的电路可能无法收敛。连接一个非常小的
横跨饱和电感的电容器可以帮助收敛。
第 2 章:电源电路元件
2.1.4 非线性元件
提供了具有非线性电压电流关系的下列元素:
电阻型 [ V = F ( I) ]
电导型 [ I = F ( V) ]
-电导型与附加的输入 x [ I = F ( V,x) ]
附加的输入 x 必须是一个电压信号。
图像 :
属性 :
用于电阻型元件:
参数描述
我的下限我目前的下限
我的上限我目前的上限
电导型元素:
参数描述
表达 DF / DV 的电流与电压的导数,即 DF( v) / DV
初始值为电压 V 的初始值
V 的下限的电压的下限
V 的上限的电压 V
2.2 开关
有在 PSIM 的两个基本类型的开关。一个是开关型。它工作在截止
区域(关闭状态)或饱和区(状态)。另一种是线性型。它可以工作在任一截止,
线性或饱和区。
开关在开关模式包括以下:
二极管和开关
闸流管和双向可控硅
自换相开关,具体:
-门关断开关
PNP 双极结型晶体管
-绝缘栅双极晶体管( IGBT )
- N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管( MOSFET)和 P 沟道
MOSFET
双向开关
开关模型是理想的。也就是说,无论是开启和关断瞬变被忽视。
10 Ω电阻将连接在交换机内部。这种电阻可以被看作是关闭状
电阻。在某些情况下,这种电阻可能需要修改。要改变关闭状态的阻力,为
缓冲电路不需要开关。
线性开关包括以下:
- N 和 P 沟道 MOSFET
二极管和 LED:
电路工作条件。当正偏置电压大于阈值时,二极管被打开
电压,当电流下降到零时,关断。
图像 :
属性 :
参数描述
二极管的阈值
电压
偏置电压大于 V d_th 。
二极管电阻二极管的电阻 R D,在欧姆,之后开始进行。
初始二极管位置的初始位置标志。如果标志是 0,二极管关闭。如果它是 1,
二极管在。
二极管的电流标志电流标志。
Zener :
齐纳二极管的电路模型如下图所示。
图像 :
属性 :
参数描述
齐纳二极管的击穿电压,击穿电压 V B, V
正向阈值
电压
正向传导的阈值电压(从阳极到阴极),在 V
正向导通电阻的正向电阻
齐纳电流输出电流国旗(从阳极到阴极)
当齐纳二极管正向偏置,它的行为作为一个普通的二极管。当它是反向偏见,它会
阻挡导通,只要阴极阳极电压 V 万卡的击穿电压小于。什么时候
注意当齐纳箝位,由于二极管是一个在 10μΩ电阻为蓝本,阴极
DIAC( 双向触发二极管 ):
是双向触发二极管。双向触发二极管不进行到导通电压达到。之后 , 双向触发二极管进
入雪崩导通,和导通压降是静电压。
图像:
属性 :
参数描述
导通,导通时,移民局开始进行电压电压 V
静电压导通电压降, V
当前标志当前标志
2.2.2 晶闸管、双向可控硅
晶闸管在开启时被控制。关闭是由电路条件。
可控硅是一种可以在两个方向上传导电流的装置。它的行为以同样的方式作为两个相
反的
并联的晶闸管。
图像 :
属性 :
参数描述
电压降晶闸管导通电压降,在 V
保持该设备停止传导和返回的最小导通电流
到关闭状态(只适用于晶闸管)
闩锁电流最小的状态所需的电流保持装置在后的状态
触发脉冲被删除(仅晶闸管)
初始开关位置的初始位置标志(仅用于晶闸管)
用于开关电流输出的电流标志标志
注意,双向可控硅装置,保持电流和保持电流设置为零。
有两种方法来控制晶闸管或可控硅。一种是使用一个选通块,另一个是使用一个开关
控制器 .一个晶闸管或可控硅栅极节点必须连接到一个浇注块或开关
控制器 .
下面的例子说明了晶闸管开关的控制。
实例:晶闸管开关的控制
左边的这个电路使用一个开关选通块。开关选通模式和频率是预先—
定义,并保持不变,在整个模拟。右边的电路使用一个阿尔法开关
节点)和开关正偏置(集电极发射极或漏极源极电压为正)。它被关闭了
每当选通信号是低或电流下降到零。
或 MOSFET 开关包括一个反并联二极管的有源开关。
在栅极节点处的电压信号,而不是电流。
图像 :
属性为 GTO:
参数描述
可关断晶闸管的导通压降的电压降, V
参数描述
二极管的阈值
电压
反并联二极管的阈值电压,在 V
二极管的电阻抗并联二极管,在欧姆
整个模块的电流标志开关电流标志(晶体管加二极管)( 0: NO
显示; 1:显示)
属性用于 IGBT :
参数描述
晶体管电阻晶体管的电阻,欧姆
二极管的阈值
电压
反并联二极管的阈值电压,在 V
二极管的电阻抗并联二极管,在欧姆
整个模块的电流标志开关电流标志(晶体管加二极管)( 0: NO
显示; 1:显示)
一个开关可以由一个门控块或一个开关控制器控制。他们必须连接到大门
(基站)交换机的节点。下面的例子说明一个 MOSFET开关的控制。
左边的电路使用一个选通块,右边的一个使用一个通断开关控制器。浇注
信号由比较器输出。
左边的电路使用一个选通块,右边的一个使用一个通断开关控制器。
下面显示的另一个例子是控制晶体管的开关。左边的电路显示了一个 BJT
开关控制在现实生活中。在这种情况下,选通电压 V B 被施加到晶体管基极驱动
通过一个变压器的电路,基极电流决定晶体管的导通状态。
超过 0(或一定的阈值,在这种情况下,基极电流将被比作一个直流电源),
比较器的输出将是 1,通过通断开关控制器应用导通脉冲到晶体管。
2.2.4 双向开关
双向开关在两个方向上进行电流。
提供了三种类型的双向开关:单相开关、三相开关和按钮开关
开关。
图像: