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1. 試就自己瞭解或課堂講解,說明為何半導體電阻的量測在
精準度要求較高的情況下必須用4端的Bridge結構.
兩點探針量測，因為電流的提供與電壓的 若改用四根探針，如下圖，用其中兩根提
量測共用同一根探針，如下圖，迴路中的 供電流通路而用另兩根來量測電壓，就可
電阻包含導線電阻和待測電阻，因此在要 以有較高的精度。由於支路電流與流經待
求精度狀況下電阻係數很難從兩點探針量 測電阻的電流相比，因電壓表電阻極大而
得的電阻推知。 小到近似可以忽略，支路導線的壓降也可
以被忽略，此時測得的電壓與電流表所測
電流之比可近似為被測電阻阻值。
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2.試就自己瞭解或課堂講解列出有哪些半導體的測試鍵(例如電阻,…)
以及如何利用其特性分析製程中參數變異(例如厚度變化, …).
Sheet Resistance (4-Point Probe Structure, Van der Pauw Structure):
可以了解薄膜沉積出的薄膜電阻是否在規格內，或是觀察晶圓整體的薄膜電阻均勻性和不同片
晶圓的均勻性。
Contact Chain:
測試接觸的完整性，如果有接觸錯誤的狀況，可能是有沉積缺陷或是蝕刻過深的問題。
Contact Resistance (Kelvin Structure):
測試接觸電阻，可以了解薄膜沉積和金屬沉積的接觸阻抗是否符合預期(Ohmic or Schottky)。
Continuity and Isolation:
Continuity可以檢測接線是否因沉積過少或是蝕刻過深而有斷裂，Isolation則可以檢測斷線是
否因沉積過多或是蝕刻過淺而有連接。
Capacitor:
從量測結果來了解電容結構是否有厚度、面積、粗糙度，甚至是沉積出錯誤的材料而有不同的
介電系數。
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2.試就自己瞭解或課堂講解列出有哪些半導體的測試鍵(例如電阻,…)
以及如何利用其特性分析製程中參數變異(例如厚度變化, …).
Leakage:
觀察是否有堆疊對準偏移或是沉積過薄的介電層造成漏電流。
FTA site:
能全面的分析元件可能的錯誤。
SEM:
1. External morphology,
2. Chemical composition
3. Orientation of materials.
SRP:
1. Carrier Concentration
2. Depth resistivity distribution
3. Junction Depth
4. Ion implantation monitor [1]

[1] Surface Analysis (SA), https://www.matek.com/services/index/SRP.