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3. Considere agora o amplificador da figura. As caraterísticas do NMOS são as seguintes: K=100µA/V2 e Vt=0,8V.
Recorde que iD=K(vGS-Vt)2 e que gm pode ser calculado como em que ou como
a) Calcule RS por forma a que corrente de dreno seja ID=0,1mA e determine a tensão na fonte e no dreno
do transístor e demonstre que o transístor, sem sinal, está na +6V
região de saturação.
RD=39k
Mesmo que tenha calculado RS, admita que RS é muito maior que a
Rsig=10k
resistência vista para a fonte (source) do transístor, e que ro=50 kW.
vo
C=∞ Ri Ro
b) Desenhe o circuito para sinal, substituindo o transístor pelo seu vsig
RS
equivalente para sinal e calcule o ganho em tensão AV=vo/vsig.
c) Qual a amplitude máxima que o sinal na saída pode assumir sem
-12V
retirar o transístor de operar na região de saturação? Essa
amplitude respeita o critério de pequeno sinal?
d) Explique porque é que o substrato deve estar ligado à tensão de -12V.
e) Calcule o ganho e resistência de saída considerando o efeito de corpo (𝛸 = 0,3)