En este tema veremos qué es un semiconductor, cuales son sus características, cual

es su estructura cristalina y cómo esta influye en sus características eléctricas. Para

acabar viendo como el dopaje puede cambiar sus características eléctricas.
En esta transparencia se hace distinción entre materiales a partir de su resistividad y
conductividad. En los extremos tenemos a los conductores y a los aislantes.

− Los conductores tienen una conductividad muy alta y por ende, una resistividad
muy baja y por ello, independientemente de las condiciones externas a las que
se vean sometidos la “electricidad” los atraviesa.
− Los aislantes tienen una conductividad muy baja y por ende, una resistividad
muy alta y por ello, independientemente de las condiciones externas a las que
se vean sometidos la “electricidad” NO los atraviesa.

En medio de ambos tenemos a los semiconductores que según sean las condiciones
externas se comportan como un conductor o como un aislante. Como ejemplo a
temperaturas muy elevadas un semiconductor se comporta como un conductor (ya
que se generan muchos portadores de carga libres) mientras que a temperaturas
muy bajas hay pocos portadores de carga libres y se comporta más como un
aislante.

En este tema nos centraremos en el estudio del silicio ya que, actualmente, es el

semiconductor más usado en la fabricación de dispositivos electrónicos. El GaAs es
empleado en la fabricación de dispositivos fotónicos. El Ge se emplea menos pues
sus características tienen mayor dependencia con la temperatura.
Para entender las características eléctricas de un semiconductor y su
comportamiento al formar un dispositivo (diodo, transistor, etc.) se ha de estudiar su
estructura cristalina. La estructura cristalina es una estructura tridimensional que se
forma repitiendo una estructura básica que se llama celda unidad.

En los semiconductores más habituales en la actualidad la celda unidad es el cubo,

que nos permite clasificar la celda unidad de la estructura cristalina en tres tipos:
cúbica simple (tiene un átomo en cada vértice), cúbica centrada en el cuerpo (tiene
un átomo en cada vértice más uno centrado en el cubo) y cúbica centrada en las
caras (un átomo en cada vértice más un átomo en el centro de cada cara).

La celda unidad del silicio y el germanio (que son los semiconductores más usados
en la fabricación de dispositivos eléctricos) es la estructura tipo diamante que se
forma por dos estructuras cúbicas centradas en las caras de modo que imaginemos
dos estructuras cúbicas centradas en las caras superpuestas. Una de ellas
permanece fija y la otra la movemos a través de la diagonal de la primera ¾ de
distancia. La celda unidad tipo diamante está formada por los átomos de la celda
cúbica centrada en las caras que ha permanecido fija más los átomos de la segunda
que permanecen dentro de la primera.

La celda unidad del Arseniuro de Galio (que es el semiconductor más usado en la

fabricación de dispositivos fotónicos de alto rendimiento) es la estructura cincblenda
ó plecblenda que se forma por dos estructuras cúbicas centradas en las caras de
modo que imaginemos dos estructuras cúbicas centradas en las caras superpuestas.
Una de ellas permanece fija la formada por átomos de Arsénico y la otra formada
por átomos de Galio la movemos a través de la diagonal de la primera ¾ de
distancia. La celda unidad plecblenda o cincblenda está formada por los átomos de
la celda cúbica centrada en las caras de As que ha permanecido fija más los átomos
de Ga de la segunda que permanecen dentro de la primera.

Ver el applet facillitado: “unitcell with a list of material property”.

Es importante saber cual es la celda unidad porque según el plano cristalográfico en

el que fabriquemos el dispositivo los portadores de carga libres tienen más o menos
movilidad. Cuantos menos átomos haya en el plano cristalográfico en el que
fabriquemos el dispositivo más movilidad tendrán los portadores de carga libres de
ese dispositivo al verse menos atraídos por los núcleos (fuerza gravitatoria). Por
ejemplo en la celda unidad cúbica centrada en el cuerpo en el plano cirstalográfico
sombreado AFCE hay más átomos que en el plano ABCD, por lo que la movilidad
de los portadores de carga es menor en el plano sombreado que en el plano ABCD.
¿Cómo sabemos en que plano cristalográfico estamos? Hay muchas formas de
llamarlos y clasificarlos, nosotros emplearemos la más extendida que es la de los
índices de Miller.
Es el estándar más empleado. Veamos cómo calcular los índices de Miller.

Una vez sabemos definir de qué índice cristalográfico estamos hablando debemos
conocer los modelos que nos permiten entender el funcionamiento de los
semiconductores.

Ejemplo1: a infinito infinito ⟶1 infinito infinito ⟶ 1 0 0

Ejemplo 2: a a infinito

Ejemplo 3: a a a
Nos vamos a centrar en dos modelos que nos permiten clasificar a los
semiconductores y entender su comportamiento: el modelo de enlaces covalentes y
el modelo de bandas de valencia.

El modelo de enlaces covalentes solo es válido para semiconductores y explica su

comportamiento en función de los enlaces covalentes que hay enteros o
incompletos. El silicio tiene valencia 4, por lo que cada átomo se une a otros cuatro a
través de enlaces covalentes. Si el semiconductor está formado sólo por átomos de
silicio se llama semiconductor intrínseco y en condiciones “normales” todos sus
enlaces covalentes están enteros por lo que no hay portadores de carga libre (esta
es la definición inicial, pero si está dopado y el número de portadores de carga
libres debido a la temperatura supera a los que aportan los dopantes también se
considera intrínseco). Pero si las condiciones externas cambian, por ejemplo sube la
temperatura estos enlaces covalentes empiezan a vibrar y se rompen dando lugar a
portadores de carga libres electrones y huecos (ausencia de electrón en un enlace)
por igual. Los electrones se mueven por los intersticios de la estructura cristalina
alejados de los átomos, los huecos se mueven cerca de los átomos por lo que su
movilidad es menor que la de los electrones debido a la atracción gravitatoria de los
núcleos.

El modelo de bandas de valencia se aplica a todos los materiales, y nos indica los
niveles energéticos que pueden estar ocupados por electrones libres (en la Banda
de conducción) y huecos (en la banda de valencia), entre estos niveles hay un gap
de energía prohibido que en teoría no pueden ocupar electrones ni huecos. De
modo que en un conductor todos los estados energéticos que pueden ocupar los
portadores de carga libre están ocupados y no pueden pasar a ocupar un estado
energético de la banda de valencia, por eso no existe el gap de energía prohibida y
con muy poca excitación externa dejan pasar la corriente a su través. En un aislante
ocurre lo contrario. Todos los estados energéticos de la banda de valencia están
ocupados y ningún electrón puede pasar a ocupar un estado energético de la
banda de conducción. Por eso su gap de energía es muy grande y por muy grande
que sea la excitación externa nunca dejan pasar la corriente. Sin embargo en un
semiconductor los electrones que ocupan los estados energéticos de la banda de
valencia pueden pasar a ocupar estados energéticos de la banda de conducción si
la excitación externa es la adecuada y dejan pasar la corriente a su través. Cuando
esta excitación externa desaparece los electrones que ocupaban estados
energéticos de la banda de CONDUCCIÓN pasan a ocupar estados energéticos de
la banda de valencia (dejan de ser portadores de carga libres para formar parte de
un enlace covalente estable) y el semiconductor deja de permitir el paso de
corriente. El gap de energía prohibido es menor que en los dos casos anteriores y
puede “saltarse” con la excitación externa adecuada. El modelo de bandas de
valencia nos habla de estados energéticos ocupados o no, no de “zonas” por las que
se mueven los electrones como hace el modelo de enlaces covalentes.

Los estados energéticos permitidos en un semiconductor se sitúan en dos bandas

separadas por una banda prohibida. La banda de valencia corresponde a estados
energéticos con “energías más bajas” y están ocupados por los electrones ligados
en los enlaces covalentes. Si se proporciona la excitación suficiente para superar el
gap de energía el electrón puede pasar a ocupar un estado energético “de mayor
energía” en la banda de conducción (electrón libre).
A 0K el silicio es aislante mientras que a temperatura ambiente ya existen portadores
libres.
A temperatura ambiente se están continuamente rompiendo y rehaciendo los
enlaces rotos.
Podemos hacer que en un semiconductor haya portadores de carga libres que sean
mayoritariamente electrones o huecos dopándolo adecuadamente. Dopar es
introducir sustancias con una valencia diferente que genere enlaces covalentes
incompletos.

Si introducimos sustancias de valencia 5 se formarán cuatro enlaces covalentes

estables y un electrón quedará sin pareja. Este electrón abandonará el átomo con
mucha facilidad pasando a ser un portador de carga libre y diremos que el
semiconductor es de tipo N.

Si introducimos sustancias de valencia 3 se formarán tres enlaces covalentes

estables y un electrón quedará sin pareja generando un hueco. De modo que
diremos que nuestro semiconductor es de tipo P. Este hueco puede rellenarse por
un electrón de otro enlace covalente y lo que veremos es que el hueco se ha
movido.

Esto lo vemos en la transparencia tanto en el modelo de enlaces covalentes como

en el modelo de bandas de valencia.

En la figura del modelo de bandas de energía para un semiconductor de tipo N, la

energía ED nos indica la energía necesaria para la ionización del átomo dador, es
decir, para llevar el quinto electrón de la sustancia pentavalente a la banda de
conducción de manera que se convierta en un electrón libre dando lugar a un
átomo dador ionizado. Dado que esta energía está muy próxima a la mínima de la
banda de conducción (EC) a temperatura ambiente la energía conseguida por
efecto térmico es suficiente para la completa ionización de los átomos.
De igual forma para un semiconductor tipo P la energía EA es la necesaria para la
ionización del átomo aceptor y, al estar muy próxima a la máxima de la banda de
valencia (EV), a temperatura ambiente la energía térmica es ya suficiente para la
completa ionización de los átomos.

La probabilidad de encontrar un electrón “ligado” en la banda de valencia es alta y

tanto mayor cuanto menor es su energía, mientras que la probabilidad de encontrar
un electrón en la banda de conducción es baja y tanto menor cuanto mayor es la
energía. En consecuencia la probabilidad de encontrar un electrón con una energía
determinada pasa del 100% para una energía por debajo de EV al 0% a una energía
por encima de EC. Teniendo en cuenta esto y, aunque parezca contradictorio, la
energía EF a la que existe una probabilidad del 50% de que haya un electrón está,
para el caso de un semiconductor intrínseco (EF=Ei) justo en el centro de la banda
prohibida. Aunque lógicamente al tratarse de la banda de energía prohibida no hay
electrones en dicha banda de energía. En la siguiente transparencia veremos como
influye el dopado en el nivel de Fermi.
En esta transparencia se muestra como el nivel de fermi varía con la temperatura
tanto para el Si como para el GaAs.

Al aumentar la temperatura se rompen enlaces covalentes generando muchos

portadores de carga libres debidos a la temperatura. De modo que llega un
momento en que tenemos más portadores de carga generados térmicamente que
los introducidos por sustancias dopantes. En consecuencia nuestro semiconductor
vuelve a ser intrínseco (ver definición de transparencias anteriores). Cuanto mayor es
la concentración de dopantes mayor temperatura se requiere para volver a ser
intrínseco.

Ver el applet Carrier Concentration vs. Fermi Level

Dos técnicas:

– Difusión por concentración total constante de sustancias dopantes. Para entender

este proceso de difusión pongamos el símil del colacao introducido en un vaso de
leche. Se fija la cantidad de colacao que se desea. Se coloca encima del vaso y se
deja que se difunda. Cuanto más tiempo más abajo llega y cuanta más temperatura
más abajo y más deprisa se difunde. Depende pues del tiempo y temperatura. En
nuestro caso el colacao serían las sustancias dopantes y la leche la oblea sobre la
que queremos generar zonas N o P.

– Difusión por concentración constante en la superficie. En este caso se ha de

reponer conforme se va difundiendo hacia el interior.

La difusión no desordena la estructura cristalina cúbica (estructura monocristalina).

Como desventaja cabe indicar que ambos procesos son estadísticos con lo que no
tenemos una certeza al 100% de cuántas sustancias dopantes se han introducido y
donde. En la difusión se difunde también lateralmente por debajo de la máscara.

Si queremos saber cuántas sustancias y por donde el proceso a utilizar es la

implantación iónica. En este caso para entender el proceso se puede emplear el
símil de lanzar canicas de distinto tamaño y misma energía sobre un bloque de
plastilina. La canica de mayor tamaño penetra menos y produce una mayor
deformación.

Se trata de bombardear iones de una cierta masa y una cierta energía sobre la
estructura cristalina. La ventaja es que se puede conocer con precisión cuántas
sustancias dopantes se introducen y dónde. Los inconvenientes son que el proceso
de difusión es caro y genera un desorden en la estructura cristalina que es
perjudicial para el adecuado funcionamiento del dispositivo que queremos fabricar.
Es posible corregir el desorden generado mediante procesos térmicos posteriores
(recocido).
Con esta imagen de fabricación (ver las dos zonas n+ en el transistor Mosfet que se
harían por difusión) se quiere hacer ver que los dopajes siempre son en el interior
de la oblea que nos sirve de base para el proceso de fabricación. El resto de capas
son “sobre” la oblea. Excepto la oxidación térmica que es tanto sobre como hacia
dentro.