Instituto Especializado de Estudios Superiores Loyola

San Cristóbal, República Dominicana

Asignatura:
Electrónica II

Profesor:
Haward Natanael Thomas Rodríguez

Asignación:
Laboratorio #03
Características de Entrada Opamp

Estudiante:
Asia Lisbeth Del Jesús Casilla

Matricula
19-03-0022
16 de noviembre de 2022

Asia Del Jesús

 Laboratorio # 03
Antes de realizar los ejercicios decidí colocar una breve descripción en cuanto a definición y las
características del dispositivo a trabajar.
¿Qué es un Opamp?
Un amplificador operacional, a menudo conocido op-amp por sus siglas en inglés (operational
amplifier), es un dispositivo amplificador electrónico de alta ganancia acoplado en corriente
continua que tiene dos entradas y una salida. En esta configuración, la salida del dispositivo es,
generalmente, de cientos de miles de veces mayor que la diferencia de potencial entre sus
entradas.
Características de un Opamp
1. Infinita ganancia en lazo abierto.
2. Infinita resistencia de entrada,
3. Corriente de entrada cero.
4. Tensión de desequilibrio de entrada cero.
5. Infinito rango de tensión disponible en la salida.
6. Infinito ancho de banda con desplazamiento de fase cero.

En la página 640 del libro Principios de electrónica de Malvino con el circuito 17-18 realizar lo
siguiente:
1. Realizar los cálculos con los valores actuales.
2. Realizar los cálculos con el 5% en el Beta del transistor 2.
3. Realizar los cálculos con el 5% de RC del transistor.
4. Realizar los cálculos con el 5% de Rb2

Asia Del Jesús

 Realizar los cálculos con los valores actuales.
Beta = 275
Vee
IT =
ℜ
15 V
IT =
1M Ω
IT = 1.5 x 10-5 A
¿
IE = 2

2.205 x 10−4 A
IE =
2

IE = 7.5 A
26 mV
RE =
7.5 A
RE = 3.466kΩ
Rc
A=
ℜ
1MΩ
A=
3.466 k Ω
A = 288
Vout = A (V1- V2)
Vout = 288 (10mV- 0)
Vout = 2.8 V
Zin = 2RE
Zin = 2 (275) (3.466kΩ )
Zin = 1.906663 M Ω
Realizar los cálculos con el 5% en el Beta del transistor 2.
//Según instrucciones del profesor se sacará el 5% del Beta y se le sumará o se le restará (como
sea preferido) a dicha cantidad original.//
5% del Beta = 275 ::= 288.75

Asia Del Jesús

 Vee
IT =
ℜ
15 V
IT =
1M Ω
IT = 1.5 x 10-5 A
¿
IE = 2

2.205 x 10−4 A
IE =
2

IE = 7.5 A
26 mV
RE =
7.5 A
RE = 3.466kΩ
Rc
A=
ℜ
1MΩ
A=
3.466 k Ω
A = 288
Vout = A (V1- V2)
Vout = 288 (10mV- 0)
Vout = 2.8 V
Zin = 2RE
Zin = 2 (288.75) (3.466kΩ )
Zin = 2.001996 M Ω
Realizar los cálculos con el 5% de RC del transistor.
5% de RC = 1 MΩ = 1.05 MΩ
Beta = 275
Vee
IT =
ℜ
15 V
IT =
1M Ω

Asia Del Jesús

IT = 1.5 x 10-5 A
¿
IE = 2

2.205 x 10−4 A
IE =
2
IE = 7.5 A
26 mV
RE =
7.5 A
RE = 3.466kΩ
Rc
A=
ℜ
1.05 M Ω
A=
3.466 k Ω
A = 302
Vout = A (V1- V2)
Vout = 302 (10mV- 0)
Vout = 3.02 V
Zin = 2RE
Zin = 2 (275) (3.466kΩ )
Zin = 1.906663 M Ω
Realizar los cálculos con el 5% de Rb2
Beta = 275
Vee
IT =
ℜ
15 V
IT =
1M Ω
IT = 1.5 x 10-5 A
¿
IE = 2

2.205 x 10−4 A
IE =
2
IE = 7.5 A

Asia Del Jesús

 IE
IB =
β+1
7.5 A
IB =
275+1
IB = 2.71 x 10-8 A
Vcc−Vbe
RB =
Ib
15V −0.7 V
RB =
2.71 x 10−8 A
RB = 5.26 MΩ
5% RB2 = 555.5 MΩ
26 mV
RE =
7.5 A
RE = 3.466kΩ
Rc
A=
ℜ
1MΩ
A=
3.466 k Ω
A = 288
Vout = A (V1- V2)
Vout = 288 (10mV- 0)
Vout = 2.8 V
Zin = 2RE
Zin = 2 (275) (3.466kΩ )
Zin = 1.906663 M Ω

Simulación

Asia Del Jesús

 Conclusión
Los cambios en los cálculos según sus modificaciones:
1. Valores actuales.
2. 5% en el Beta del transistor 2.
3. 5% de RC del transistor.
4. 5% de Rb2
Aparentan ser los mismos datos y resultados, sin embargo, en ciertos valores existe una
diferencia notoria. Por ejemplo, en los dos primeros casos donde el valor de beta cambia, de
igual modo cambia la impedancia de entrada, aunque todo lo demás sigue un rumbo similar.
En las dos últimas modificaciones, al realizar un cambio en R C nuestra ganancia de igual forma
toma otro valor. Es por ende que he concluido que aun poseyendo mismos valores en corriente y
resistencia de emisor, si se hace un ligero cambio en la resistencia de colector la ganancia se verá
afectada.
En la siguiente tabla mostraré las diferencias de una manera más organizada para una mejor
comprensión.
Valores Val. Act. 5% de Beta 5% de RC 5% de Rb2
 275 288.75 275 275
IT 1.5 x 10-5 A 1.5 x 10-5 A 1.5 x 10-5 A 1.5 x 10-5 A
IE 7.5 A 7.5 A 7.5 A 7.5 A
RE 3.466kΩ 3.466kΩ 3.466kΩ 3.466kΩ
A 288 288 302 288

Asia Del Jesús

 VOUT 2.8 V 2.8 V 3.02 V 2.8 V
ZIN 1.906663 M Ω 2.001996 M Ω 1.906663 M Ω 1.906663 M Ω

En conclusión la columna con más cambios es aquella donde se modificó el 5% de RC.

Asia Del Jesús