00) Materiais e Dispositivos Eletrénicos ultravioleta do espectro, sendo aproximadamente constante no infravermelho, O fato de o(w) ser complexo faz com que as expressdes para as partes real e imaginéria de N(w) sejam relativamente grandes e dificeis de analisar. Por esta raz&o, vamos analisar o(w) aproximadamente em dois limites, baixas ¢ altas freqiiéncias. Na aproximagao de baixas freqiiéncias fazemos wr < 1. Como nos :netais alcalinos (Li, Na, K, Rb e Cs) e nos metais nobres (Cu, Ag e Au), T ~ 107" s, esta aproximacao corresponde aw < 10" s~}. Ela vale entao para a regiaio do infravermelho distante. Nesta regiéo, desprezando iw7 na presenga de 1 em (8.26), vemos que o(w) = n e?r/m = 0 € a propria condutividade de, dada por (4.30). Entao, podemos escrever (8.27) na forma, Nw) ~ectize . (8.28) weo Usando os valores oo ~ 10 Q-! m=! (veja Fig.4.17), eg! = 36x x 109 Nm?/C? ew ~ 10! s“, vemos que a parte imaginéria de N?(w) em (8.28) é muito maior que a parte real, €, ~ 1. Assim sendo, no infravermelho distante os metais tém indice de refracdo complexo, 12 12 a ai/2 af B@ Nw) ~ | — ND =(1+) | -— ) (2) ea alae) (5) Portanto, as partes real e imaginéria so iguais e muito maiores que 1, 12 Ke ( 0 eee ae (8.29) weg A substituigéo de (8.29) em (8.21) mostra que R & 1. Este resultado ex- plica porque os metais sao refletores quase perfeitos de ondas eletromagnéticas com freqiiéncias abaixo do infravermelho. Eles nfo s&o refletores perfeitos porque uma pequena fragao da energia da onda penetra numa camada fina n@ superficie, sendo absorvida pelos elétrons livres e transformada em calor nos processos de coliséo. Este ¢ 0 efeito pelicular, caracterizado por um com primento de penetragao 6 (skin depth) da onda, dado pelo dobro do inverso do coeficiente absorgao. Substituindo (8.29) em (8.15) e usando c = (coo) obtemos o, (x) F (6.30)Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 301 Para o cobre & temperatura ambiente, com op = 0,6 108 27! m™, a Eq.(8.30) dé 6 = 0,066 mm em v = 1 MHze d = 6,6 ym em v = 100 MHz. Na aproximagio de altas freqiiéncias, wr >> 1, vélida para as regides do infravermelho proximo, visivel e ultravioleta, podemos desprezar a unidade no denominador de (8.27) e escrever, we? Nw) =, ( - e ) 3 (8.31) onde 2 pe (8.32) Pp meee w, 6 chamada a freqiiéncia de plasma do metal. Seu valor é da ordem de 10'° Hz (correspondente a uma energia hw, ~ 4 eV) nos metais comuns, e por- tanto est situada no final da faixa visivel e inicio do ultravioleta. A Eq.(8.31) mostra que para w < wy 0 indice de refragéo N(w) é um imaginério puro, ou seja, n = 0 e k= é¢(w2/w? — 1)'/?. Nesta situagio a refletividade, dada por (8.21), é exatamente R = 1. Por esta razio, a semelhanga do que ocorre no infravermelho, também na regiao visivel os metais so dtimos refletores de ondas eletromagnéticas. Por outro lado, para w > wp, N(w) é real, o que faz com que a absorgao devida aos elétrons livres seja nula. A Fig. 8.3 mostra a variagio da refletividade da prata, em (a) com a 100 100 50 => = 80 = = go. _Ifravermelho dio 3 3 5 3 40 re 3 20 1 ols aie 0 4 8 12 16 20 24 10 1 0,1 Energia ho (eV) Comprimento de onda (jum) (a) (b) Be ira 8.3: Refletividade da prata: (a) Em fungdo da energia do féton da onda eletro- : ‘agnética incidente (H. Ehrenreich et al., Phys. Rev. 128, 1622 (1962)}; (b) Em fungao do ‘Smprimento de onda, em escala ampliada.2 Materiais e Dispositivos Bletrénicos energia do féton incidente e em (b) com o comprimento de onda numa escala ampliada para realgar detalhes na regido visivel. Note que a prata tem re. fletividade quase 100% em toda a regido de energia desde zero até o final da regio visivel. Por esta razio a prata reflete todo o espectro de luz branca igualmente. A refletividade cai bruscamente para préximo de zero nas proxi- midades da freqiiéncia de plasma. Para energias mais altas apresenta outras variagdes causadas por transigdes de elétrons ligados, que serdo estudadas a seguir. E interessante notar que no caso do cobre, estas transigdes produzem wma variagdo na refletividade dentro da regiao visivel. Neste caso, a refletivi- dade é alta em toda a faixa visivel porém é maior no vermelho do que no azul, Por esta raziio, a reflexao do cobre tem uma cor alaranjada, que contrasta com © “prateado” da prata. Exemplo 8.2: A concentracéo de elétrons livres na prata é 5,86 x 10”? cm~* e o tempo de colisio €3,8 x 10"™ s. Calcule: a) O comprimento de penetragio na prata de uma onda eletromagnética com freqiiéncia de microondas, v = 1 GHz; b) O comprimento de penetracéio de um feixe de laser de argénio com comprimento de onda 4 = 514,5 nm; c) A atenuagéo softida pelo feixe de laser ao atravessar um filme de prata de espessura 50 A. a) Inicialmente é preciso calcular o produto wr, wr = 2n x 10° x 3,8 x 1074 = 2,38 x 1078. Como wr < 1, 0 comprimento de penetragéo pode ser calculado por (8.30). Usando o valor da condutividade da prata calculada no Exemplo 4.3, oo = 6,26 x 107(Qm)-?, vem, i ( 2 yr = ( 2 2 wpooo) TeX IP Rie IT RE TETIT 5 =2,01 x 10-° m= 2,01 um. b) A freqiiéncia do laser de argénio é 2m x3 x 108 w = Inv = nS = 2TX3x 10° Vania heal Tass tO i} entao mplexo & di a freqiiéncia de plasma da prata dada por (8.32) 6 ‘ado por (8.31). Considerando e« = 86 x 107? x 108 x 1,6? x 19-2 * x 36m x 10° 9,1 x 10-31 wp = 1,86 x 10” 9Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 303 Logo wy = 1,36 x 10° s~? & maior do que w, o que faz com que N? seja negativo e portanto N é imagindtio. De (8.31) vem 7, 60 a1 Oaaaam)) 3,66? x 10°° ‘A Equacao (8.5) mostra que a parte imagindria de NV é 0 proprio coeficiente de extingao m- O comprimento de penetragao é entao calculado com (8.15), N=i12,9 fee 8x 10° on = 5,66 x 10 x 12,9 6 = 6,35 x 107° m = 63,5A ¢) A atenuagio do feixe numa distancia d=50 A é 2/5 = g0/03.5 — gh.57 — 4,89 Isto significa que ao atravessar o filme de prata, a intensidade do feixe de laser diminui por ‘um fator 4,83. A atenuagao também pode ser expressa em decibéis, A= 1Wlogyoe4/* = 10 logy 4,83 A=6,84dB. 8.2.2 Contribuicao de Elétrons Ligados Como mencionado anteriormente, as propriedades épticas dos materiais em energias da ordem ou maiores que 1 eV so devidas principalmente as transigdes dos elétrons ligados nos dtomos, ou elétrons de valéncia. O tratamento cor- reto dessas transigées, que seré apresentado na proxima segao, deve ser feito com a mecénica quantica. Entretanto, é possivel entender certos aspectos do fenémeno com um modelo simples devido a Lorentz. Neste modelo, baseado na visio cldssica do dtomo, supde-se que @ aplicagio de um campo elétrico externo resulta no deslocamento das camadas eletrénicas negativas em relagéo a0 niicleo positivo, como ilustrado na Figura 8.4(a). Isto produz um momento de dipolo elétrico que contribui para a permissividade do material. Porém, 0 deslocamento relative das cargas também cria uma forca eletrostatica restau- tadora que influencia o movimento. Na aproximagao linear esta forga é pro- Porcional ao deslocamento, como num oscilador harménico. O modelo sim- Plificado mostrado na Figura 8.4(b), consiste de um conjunto massa-mola, nooe Materiais e Dispositivos Eletrénicos oy (@) (b) Figura 8.4: (a) Visdo classica do efeito de campo elétrico externo & sobre as cargas num tomo; (b) Modelo simplificado de étomo sob aco de campo elétrico. qual uma particula de massa m e carga —e iguais as do elétron, est sob a agao da forca do campo elétrico da radiagéo. Para um campo elétrico variével com freqiiéncia w, como em (8.22), a equagao de movimento do elétron é, en de _ m (Serr G+ude) ~~ eb e™ (8.33) onde x 6 0 deslocamento do elétron em relagdo a sua posigéio de equilibrio, wo é a freqiiéncia de ressonancia do oscilador e I é a taxa de amortecimento do movimento. O primeiro termo de (8.33) é a aceleracdo do elétron, que multi- plicada pela massa é igual a soma das forgas. O segundo termo é responsével pelo amortecimento do movimento, e corresponde a uma forga contraria e proporcional & velocidade do elétron. Ele é semelhante ao segundo termo da Eq.(8.23), porém I nao é 0 inverso do tempo de colisio pois no caso pre- sente o elétron esté ligado ao dtomo. Finalmente, o terceiro termo é a forca restauradora da mola que simula a ligag&o do elétron com 0 dtomo. Sendo k a constante da mola, esta forga é ka, onde k = w2 m. A soluc&o de (8.33) no regime estaciondrio é ~ei x(t) TC SDT : (8.34) O deslocamento do elétron, dado por (8.34), produz no étomo um momento de dipolo elétrico p = —ex. Havendo no material N dtomos por unidade de volume, a polarizacéo (momento de dipolo elétrico por unidade de volume) resultante é P = —Nex. Lembrando a relagdo entre o vetor deslocamento, # polarizagéo e 0 campo elétrico, que define a permissividade, D=HE+PzEME , (8.35)Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 305 obtemos para a constante dielétrica na freqiiéncia w, 2 wi a) et wb-w-wT ” sendo w2 = Ne?/meo. Note que o valor de ¢ nesta equacéo tende para 1 quando w — co, Na verdade isto ndo ocorre, pois esta é apenas a contribuigio de um elétron ligado. A contribuigdo de outros elétrons com freqiiéncias de ‘osciladores maiores faz com que a parte real de € em altas freqiiéncias seja maior que 1. Representando esta contribuigéo por Eso, podemos escrever a constante dielétrica em freqiiéncias préximas de wo como, 2 = pees pee 8.36) a ae cae 9) A partir de (8.36) obtemos as partes real e imaginéria da constante dielétrica, oF (up 4”) '(w) = Eco + ooo (8.37) ww P "@) = (qa aol (8.38) As veriagoes de e/ e e” com a freqiiéncia estio mostradas na Fig.8.5 para wy = 0,7 wo, TF = 0,05 wo € Eco = 2,0. Veja que a parte real de e(w) & desprezivel em toda a faixa de freqiiéncia, exceto nas vizinhancas da freqiténcia de ressonancia wo. Como a parte imaginéria e”(w) esté relacionada com a absorgéo dptica no material (Eqs.(8.7) e (8.14)), este resultado significa que s6 existe absorgaio em w * wo. Esta mesma conclusao é obtida com o tratamento quantico da interacao da radiag&o com a matéria, sendo hwo a separagao de energia entre dois niveis quanticos do elétron. A representagao grAfica da fungio que descreve ¢”(w) é chamada forma de linha de absorgao. Como para T < uv, e"(w) sé é significativa em © ® wo, podemos fazer wo + w % 2wo = 2w em (8.38) e reescrever €”(w) na forma, w2 T/4w0 ® we ps e"(w) = WonuP + CPP Sins fiw) 5 (8.39) onde : T/2n file) = Gyre)? + PPsl Materiais e Dispositivos Eletrénicos 10 : k 15 é 8 Fa 5 3 10 £"(w) 3. 3 3 3 Bo 55 & fe & 5 A ri 0 05 10 15 2,0 0 0,5, 1,0 15 20 Freqiiéncia normalizada @/t» Freqiiéncia normalizada w/a, Figura 8.5: Partes real e imagindria de e(w) = e/(w) + ie”(w) no modelo classico de um elétron ligado com freqiiéncia de ressonancia wo, para wp = 0,7 wo, T= 0,05 wo € &x = 2,0. é a fungao Lorentziana. A constante 27 usada na definigdo faz com que a area sob a curva seja normalizada, f f,(w)dw = 1. O valor maximo desta funcéo ocorre em w = wo, fr(wo) = 2/21’, sendo portanto inversamente proporcionsl & taxa de amortecimento P. Por outro lado, a largura de linha, definida como a diferenga entre as duas freqiiéncias para as quais fr(w) = fz(wo)/2, 6 precisamente I (Problema 8.7). Desta forma, quanto menor a. taxa de amor- tecimento menor seré a largura de linha e maior ser o pico da absorcao. Este mesmo resultado seré obtido na préxima segéo através do tratamento quantico da interagdo radiag&o-elétron ligado. E importante notar que e(w) tem a forma da derivada de <"(w) em relagio a freaiiéncia. Isto nfo é apenas uma coincidéncia, & conseqtiencia eeu resultado geral pelo qual e”(w) é dado pela integral de uma fumgdo relacionade com e'(w), ¢ vice-versa, Essas equagGes integrais constituem as relagoes d¢ Kramers-Kronig que valem para as partes real e imagingtia de c(w), qvelie! que seja.o mecanismo da interagia radiagdo- imatéria, , Finalmente, para encerrar esta seco, vamos achar as constantes dpticas de um material descrito pelo modelo cléssico do elétron ligado. Fazendo 0 = 0 e substituindo (8.7) em (8.6) obtemos equagées biquadraticas para o indice de refragdo n e para 0 coeficiente de amortecimento x, como mostrado no exempl0 8.1, (e+ verre) (gl) nimCap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 307 e+ verre) (8.42) A Figura 8.6(a) mostra, graficamente, as fungdes n(w) e K(w) obtidas de (8.37)-(8.42) com os mesmos parametros usados na Fig.8.5. Observe que 0 indice de refraciio é préximo de 1 em toda a faixa de freqiiéncias, exceto nas vi- zinhangas da freqiiéncia de ressonancia, onde ele apresenta uma grande anoma- lia. Por outro lado © coeficiente de extingéo, responsdvel pela atenuagao da onda, é desprezivel em toda a faixa mas apresenta um pico em w = wb. Final- mente, é importante notar que o indice de refracéo aumenta com a freqiiéncia na regido w < wo, como evidenciado na curva n(X) para o quartzo, mostrada na Fig.8.1(b). & isto que produz o fenémeno da disperséo em materiais transpa- rentes. Isto ocorre porque a freqiiéncia de transic&o eletrénica desses materiais esté acima da faixa visivel. A partir de n e « pode-se calcular a reffetividade R do material usando a Eq.(8.21). O gréfico de R(w) obtido com n(w) e mw) da Fig.8.6(a) esta mostrado na Figura 8.6(b). A refletividade apresenta um pico em freqiiéncia. um pouco ecima de wo e com uma linha mais larga que as de e”(w) e K(w), porque nela também ha uma contribuicio importante da dispersio de n(w), Note que num material real hé varias transigdes eletronicas com diferentes (pata ee Tce Ta 06-——— r , 8 33 2 3 ele 3 8 5 02 gl e F a 5 a 0 1 1 DO See Ole 1575 2.0 Gee 3. eG ap wl, wl, (a) (b) pene 6: (a) Variagio do indice de refracao n e do coeficiente de extingao (ou amorteci- ito) * com a freqiiéncia com os mesmos parametros usados na Fig.8.5. (b) Refletividade ulada com a Eq.8.21.Se Materiais e Dispositivos Eletrénicos freqiiéncias, e portanto R(w) apresenta varios picos. B um desses picos oco:. tendo com energia préxima de 2 eV, que dé ao cobre a coloracao alaranjada, Exemplo 8.3: Um material dielétrico tem uma linha de absorgdo devido a um fénon no infraver. melho, com freqiiéneia angular wo = 2x 10's", largura de linha P= 10° s7* ¢ com wy = 0,7 uo, Sabendo que es = 2,0, calcule o coeficiente de absorcao e a refletividade do material para um feixe de infravermelho com freqiiéncia igual a do pico de absorgao. Inicialmente € preciso calcular as componentes real e imagindria da constante dielétrica, Usando (8.37), com w = wo, vem e = €s0 = 2,0, Usando (8.38), com w = wo, vem, 7? x 2 x 10" ae 9,8. O indice de refragao n e 0 coeficiente de extingao x sao calculados com (8.41) e (8.42) n Jp EFI? = 245 yet VF)" =2,0 f 5 coeficiente de absorgéo é dado por (8.14), 2x2x 10! x 3x 10° = 2,67 x 10° m7? A refletividade dada por (8.21), (2,45—1)?+2,0? _ 6,10 (2.4541)? +2,08 ~ 15,90 = , 38 . Note que os valores obtidos para ¢, n, e R coincidem com os valores das Figuras 8.5 ¢ 86 em w = uo. Observe na Figura 86 que o pico em R néo ocorre exatamente em wo 8.3 Teoria Quantica da Interagio Radiagao-Matéria Na segio anterior fizemos a suposigao de que os elétrons se comportam com? particulas classicas, ligadas ao étomo por uma forga do tipo de um osciladot harménico. Este modelo levou ao resultado de que a absorcao éptica 0cot® quando a freqiiéncia do campo de radiacdo & aproximadamente igual ® ©Cap. 8 Materiais ¢ Dispositivos Opto-Eletrénicos 309 oscilador harménico. Sabemos, entretanto, que na mecanica quantica o elétron é descrito por uma func&io de onda, cujo médulo ao quadrado representa a probabilidade de encontré-lo numa certa posigéio. preciso agora entender como a natureza quantica do elétron influencia a absorgao da luz pela matéria. Como veremos a seguir, 0 resultado quantico da interacéo da luz com um sistema de dois niveis é consistente com o do modelo cléssico. Entretanto, hé varios aspectos desta interago que nao esto contidos no modelo cléssico € que so essenciais para compreender certas propriedades dpticas de materiais, como por exemplo as transigées interbanda e a emissGo estimulada de luz. 8.3.1 Transig6es entre Niveis Discretos Vamos considerar inicialmente um sistema no qual um elétron pode ocupar es- tados com niveis discretos de energia. O sistema pode ser um elétron num pogo de potencial infinito, ou num dtomo por exemplo. Como vimos no Capitulo 3, se o potencial do elétron nao varia no tempo, ele pode ocupar estados esta- cionérios caracterizados por um ntimero quantico n, descritos por fungoes de onda, Ft) =Ua(F eRe (8.43) Neste caso o valor esperado de qualquer operador nao varia no tempo, em virtude da definigdo (3.14). O elétron permanece nesse estado indefinidamente e sua energia é exatamente E,, constante. Vejamos 0 que acontece se o elétron estiver num estado dado pela combinagio linear de dois estados estaciondrios, como por exemplo, (Ft) = pr RF + oy em RE (8.44) Esta equagdo pode ser reescrita na forma UF t) = BE (dy oem), (8.45) onde wir = (Ey — Ey)/h. Com a definigao (3.14) pode-se escrever o valor esperado de um operador qualquer F no estado (8.45) como =142+ if vpn etay + [ward av, onde < F >, e < F >» si os valores esperados de F nos estados estacionarios 1 2, que sdo constantes. Se F é um operador hermiteano fJ3Fy,dV =310 Materiais e Dispositivos Eletrénicos (S viPisaV)* = Fale. Neste e280 < FW) >= < Fits Foot 2Fal ost). (a4) Vemos entio que se o elétron esté num estado que é uma Combinacig de estados com energias EB, ¢ Ez, o valor esperado de um operador varia hay monicamente no tempo com freqiiéncia. angular wi2 = (Ez — Fi)/h. Podese mostrar, sem dificuldade, que a probabilidade de encontrar o elétron no estady 1, ou no estado 2, também varia harmonicamente no tempo com freqiiéncia w2. Dizemos que o elétron sofre transiges de 1 para 2 ou vice-versa. Parg que um elétron que esteja inicialmente no estado 1, ou em 2, passe a softer transigdes entre 1 e 2, é preciso ter uma acéo externa que varia no tempo com freqiiéncia w ~ wi2. Usando a mecanica quantica, mostraremos a seguir como calcular a probabilidade de ocorréncia dessas transicdes. Consideremos um elétron num dtomo, ou num pogo de potencial qual- quer, submetido a uma perturbagéio externa dependente do tempo. Esta per- turbac&o pode ser a forga do campo elétrico de uma onda eletromagnética, por exemplo. A equagio de Schroedinger (3.24) para o elétron é entao, Po+ Ht oly= ine, (eat onde Ho é o Hamiltoniano constante correspondente ao pogo de potencial ¢ 7¢'(t) representa a interacdo varidvel no tempo devido A perturbagao externa Normalmente Ho > 1’, pois a interagdo que mantém o elétron no pogo é muito maior que a perturbagio externa. Como jé sabemos que 0 efeito da perturbacio é provocar transigées entre os estados eletrénicos, procuramos solugGes para (8.47) na forma de uma expansio em auto-fungdes Y, do Hamiltoniano nio Perturbado Ho, que consideramos conhecidas, na forme, V(t) = So an(t) oy emtEnt/n (848) Para obter os coeficientes x(t) que determin: i mos (8.48) em (8.47) e usamos » quack Psy, ak ee de onda, substitui En + H'(t)}dn emtnt/n _ da, By DiealEn + HW e ind (Se ~ om) bn orl Com o cancelamento dos ti ermos em Ey, a a m @ equaciio fica, da, ce HE nln Yan H(t) ebmCap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 3iL Multiplicando os dois lados & esquerda por ¥3, et!2-'/4, integrando no volume e usando (3.13) que exprime a condigéio de normalizagio e ortogonalidade des autofungées obtemos para os coeficientes a expansio, dam, 1 “Em Hm eB f ys HE) iad. (80) Como nenhuma aproximagao foi feita até o momento, esta equacio é inteire- mente equivalente 4 equag&o de Schroedinger dependente no tempo. Ela éa base da formulagao matricial da mecanica quantica. Agora vamos considerar que a perturbagao é produzida por um campo harménico com freqiiéncia w, de modo que, H@)= Het 7 (8.50) A Eq.(3.49) toma a forma coe Fae ee ae (8.51) onde Winn = (Em — En)/Ti€ inn, 60 elemento de matriz do operador 1’ entre os estados m en, definido por Han = f Yin Had (8.52) ‘A Eq.(8.51) pode ser utilizada para calcular a evolugéo no tempo do estado do sistema devido a perturbagdo H’e~". Vamos supor que um elétron esta inicialmente num estado discreto n de um Hamiltoniano Ho, quando uma pequena perturbacao externa do tipo (8.50) é aplicada. A partir de (8.51) pode-se calcular o coeficiente correspondente a um estado m num instante t e portanto a probabilidade do elétron ser encontrado neste estado, que é dada por |an|2. Pode-se mostrar entéo (Apéndice A) que a probabilidade por unidade de tempo do elétron softer uma transigo para um conjunto de estados m muito préximos uns dos outros é dada por Won = 2 [Hig ® D(Em = En + Fie)» (8.53) onde Dé a densidade de estados com energia Em = En + fw. A Eq.(8.53) 6 chamada a regra de ouro da teotia de perturbagio. No caso da transicao entre dois niveis de energia alargados pelo efeito de amortecimento, a densidade de estados é dada por uma forma de linha Lorentziana. No caso de transicao entre bandas, a densidade de estados tem a forma daquela estudada no Capitulo 4.$12 Materiais e Dispositivos Hletrénicos 8.3.2 Absorcfio de Luz e Luminescéncia Vamos utilizar a teoria de perturbagiio para calcular os efeitos da interacs, de uma onda eletromagnética com um sistema de étomos. Inicialmente cons. deramos um conjunto de N étomos (por unidade de volume) independentes, com niveis de energia E,, Ea, Es, etc. Esta é a situagaio que ocorre em gases ou em transigées entre niveis discretos em sdlidos. Quando © sistema esta em, equilfbrio térmico numa. certa temperatura T, os elétrons sofrem transicoes de um nivel para outro devido as interagdes com fonons térmicos, no caso de sélidos, ou as colisées atémicas, no caso de gases. No entanto, enquanto os elétrons em um certo mimero saem de um determinado njvel, outros elétrons em igual nimero chegam naquele nivel (em outros dtomos), de modo a manter © equilibrio térmico do sistema. E possivel mostrar que, no equilfbrio térmico, as populagées N; e N; dos niveis E; e EB; (Ni é 0 mimero de atomos por unidade de volume com elétrons no nivel E;) obedecem & relagdo, Ne e-FilkeT N; en Ei/keT a er EHENkoT (854) Esta é a distribuigéo de Boltzmann, que se aplica a um sistema de particulas distinguiveis, que no caso presente so os diferentes 4tomos do sistema. De acordo com a Eq.(8.54), a populagao de um certo nivel i diminui exponencial- mente com o aumento da energia E; ou com a diminuig&o da temperatura Este é um resultado esperado, porque é exatamente a excitagdo térmica que leva os elétrons do estado fundamental para niveis de maior energia. A presenga de um campo eletromagnético no sistema tende a produit transig6es entre niveis de energia cuja separagéo esteja préxima da encréi® dos fotons fw. A Eq.(8.53) mostra que a probabilidade de transigao induzida pelo campo do nivel m para o nivel n é igual a de n para m. Desta form a tendéncia do campo é de igualar as Populagées N,, e N,,. Entretanto, igualdade s6 ocorreria se a intensidade do campo fosse suficientemente alt® para vencer o papel da excitacé i Calculat as constantes épticas de um sistema de tomos © ©: Para simplificar, que eles tém apenas dois nfveis, E, e Ea (E27 = com populagées Ny e No. Quando um campo elétrico 5 ceeCap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 313 ® mvAvA inna ) (a) (b) Figura 8.7: Transig6es eletrénicas em sistema de dois niveis, por absorgao (a) e por emissdo (b) de fétons. é aplicado ao sistema, os elétrons ficam sujeitos a uma interagéo com energia ~e¢(y) = eE,y, que resulta num termo de perturbagao do Hamiltoniano dado por H(t) =eEye=-Ep, ce , onde p, = —ey é e componente y do operador momento de dipolo elétrico. De acordo com a regra de ouro (8.53) as probabilidades de transic¢éo, por unidade de tempo, para o sistema passar do nivel 1 para o nivel 2, ou vice-versa, so, 2: Wr = Wa = = £2 pi, D(a —- Ei, = hw) , (8.55) onde pj 6 0 elemento de matriz do operador p, entre os estados 1 e 2 (omitimos 0 indice y para simplificar a notagao) Quando hé N, elétrons no nivel inferior (por unidade de volume), a poténcia absorvida do campo eletromagnético pelo sistema 6 N,Wy2hw, pois NyWi2 € 0 ntimero de fétons absorvidos por unidade de tempo e volume. Por outro lado, N2W2,hw € a poténcia emitida pelos elétrons que passam do nivel 2 para o nivel 1 pela emissao de fétons. Os Processos de absorgdo e emissao de fétons por transigdes eletrénicas num sistema de dois niveis estdo ilustrados na Fig.8.7. A poténcia liquida por unidade de volume absorvida pele sistema é entao P= = (Ny — Na) €? py D( fw) hes Note que a poténcia absorvida por unidade de volume pode ser identificada como ~dI/dz, uma vez que a intensidade da onda J a poténcia transmitidast Materiais e Dispositivos Eletrénicos por unidade de érea, Assim sendo, usando (8.11) ¢ (8.14) na relagdo dI/dq — —P e observando que D(fiw) = D(w)/h, obtemos 0 coeficiente de extingag = © (M— Na) Pin DW) - (856) neoh uma forma de linha Lorentziana fz(w) dada por Considerando para D(w) () d quagéo em (8.7) fornece a parte imaginaria da (8.40), a substituicdo desta e constante dielétrica eee EN (837 (w) = 5, (MM) Pea Gop + PP’ 57) onde w = (E,—E;)/h. Esta equagdo tem a mesma forma de (8.39) com w»; no lugar wo e 2(N, — Np)p2p/Heo lugar de w2/4w (veja Problema. 8.8). Isto mostra que o resultado classico é consistente com 0 quantico, como foi antecipado. Entretanto, hé detalhes importantes do resultado quéntico que nao aparecem no tratamento cléssico. Da Eq.(8.57) concluimos que para haver absorgio de energia em transicées eletrénicas entre dois niveis #1 e Bz é preciso que: 1) A freqiiéncia da radiagao seja w ~ (Ez — E1)/h; 2) A populagao do nivel inferior seja maior que a do nivel superior, ou seja, Nj — Nz > 0; 3) O elemento de matriz pi. do operador momento de dipolo elétrico entre os estados dos dois niveis seja diferente de zero. Esta tiltima condigéo da origem 4s regras de selecdo para transico de dipolo elétrico que determinam quais transi¢ées sio possiveis por absorg&o ou emisséo de fétons. Como foi mencionado na secéio 3.4, as regras de selecéio para transigdes no dtomo de hidrogénio com campo linearmente polarizado sio Aé = +1 e Am, = 0 (Problema 8.10). O processo de absorgao de luz que acabamos de tratar, ocorre quando a radiagdo eletromagnética interage com um conjunto de dtomos produzindo transigdes de nfveis quanticos de menor energia para outros niveis de maio" energia. Outro processo dptico muito importante 6 a emissdo espontanea de radiagao, que ocorre quando os dtomos passam de um estado excitado pa outro estado de menor energia, mesmo sem a presenga de radiagaéo externé. A probabilidade por unidade de tempo para haver emissao espontanes ©! transigao de nivel 2 para o nivel 1, como na Figura 8.7(b) também é dsd® pela Equacéo (8.55). Porém, neste caso o campo £ que aparece em (8:55) © aquele associado as flutuagdes quanticas do estado pee eee de zero fotons Havendo um momento de dipolo elétrico entre os estados 1 2, a transici? de 2 para 1 ocorre com a emissio de um féton, sendo chamada de transis®? radiativa. O tempo caracteristico desta transicao é dade por tz = W2" sigdo 6 dado por Tr = WitCap. 8 Materiais ¢ Dispositivos Opto-Eletrénicos 315 momento de dipolo entre os dois estados for nulo, a transigao de 2 para 1 também pode ocorrer, mas neste caso, em vez de haver emissio do fton, n4 emissdo de fonon ou de alguma outra excitacio elementar. Este tipo de transigao 6 chamada nfo-radiativa. O processo pelo qual os Atomos siio colocados em estacos excitados, e subseqiientemente decaem por meio de transigécs radiativas, é chamado de In- minescéncia. Dentre os varios mecanismos que produzem luminescéncia em. materiais, os mais importantes sdo a fotoluminescéncia e a eletroluminescéncia. ‘A fotoluminescéncia é aquela na qual os 4tomos séo levados para estados ex- citados por meio da absorgao de fotons de maior energia. Este proceso é importante em lasers de sélidos com impurezas, que seréo apresentados na Seco 8.6.2. A eletroluminescéncia é aquela na qual a emisséia de luz é cau- sada por um estimulo elétrico, como a passagem de uma corrente elétrica, como ocorre nos diodos emissores de luz e nos lasers de diodo, ou pela incidéncia de um feixe de elétrons, ou com a aplicagéio de um campo elétricc intenso. 8.3.3 Absorgao e Emissao de Luz em Isolantes e Semicondutores No caso de cristais, 0 tratamento quantico da interagdo radiagdo-matéria deve levar em conta o fato de que os elétrons séo descritos por fengdes de onda com vetor de onda &. Além disso eles tém energia E(k) na forma. de bandas e ndo em niveis discretos. A aplicagdo da regra de ouro (8.53) para cristais com bandas no esquema reduzido & primeira zona de Brillouin mostra que as transigdes eletrénicas entre bandas devem conservar energia e momentum. No caso de transigdes produzidas apenas por fétons tem-se Ey-Ej= thw , (8.58) (8.59) onde By e B, sio as energias do elétron nos estados final e inicial, respectiva- mente, ky e f; sio os vetores de onda correspondentes, w ¢ & sio a freqiiéncia © o vetor de onda do féton absorvido (Ey > F;) ou emitido (Ey < E;) na transicao. Para fétons da regiao visivel k ~ 10° cm™, sendo portanto des- Prezivel em relagao ao valor da fronteira da zona de Brillouin, de modo que a transig&o entre bandas ocorre com ky = ki. A Fig.8.8 mostra duas transicdes de absorgao entre as bandas de valéncia e de condugdo num isolante ou semi- condutor de gap direto. A transigéo com energia minima é aquela que ocorrete Materiais e Dispositivos Eletrénicos k Figura 8.8: Absorgio de fétons em semicondutor de gap direto. O féton de minima energia que é absorvido tem freqiiéncia wy = Ey/h. ho centro da zona, ky = k; = 0, e com fotons de energia igual ao gap do semicondutor, fw, = E,. Fétons com energia menor que E, atravessam o semicondutor sem absorgao por transigdo entre as bandas, Por outro lado, f6tons com w > wh sio facilmente absorvidos porque ha um grande mimero de estados eletronicos com ky = ki > 0. Usando a Eq.(8.53) para caloulat a probabilidade de transigéo entre as bandas de valéncia e de condugao, com densidades de estados dadas por (5.12) e (5.13), pode-se mostrar que o coef ciente de absorcao no semicondutor de gap direto varia com a freqiiéncia ne forma, alu) ~ (hw — Fy)? fy (8.60) para fu > E, e (Ws) = 0 para hw < E,, Este resultado, ilustrado na Fig.8.9, mostra que 0 coeficiente de absorcdo aumenta rapidamente com w eima do valor critico w, = Ep/h. A situagao em semicondutores de ilustrado pela seta na Fig.8.10, a tran: de valéncia para o mfnimo da banda Sap indireto é mais complicada. Como sicdo de um elétron do topo da banda de condugéo num semicondutor como vetor de onda. Isto nao pode ser feitoCap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 317 Figura 8.9: Variaco do coeficiente de absorco com a fre de gap direto. momentum fif, ou da emissio de um fénon com energia AQ e momentum —hk. Neste caso, as equacdes de conservacio de energia e momentum séo Ey — B= tw £12 (8.61) k-k=k , (8.62) onde os sinais + e — em (8.61) correspondem, respectivamente, aos processos com absorcaio e emiss&o de fonon. Note que no caso do processo com absorgéio de fonon, a energia minima do féton necessdria, para produzir a transicao é E,—fO, enquanto no caso do processo com emisséo de fonon a energia minima 6 E, +hQ. Entretanto, os semicondutores de gap indireto também podem ter uma transicao direta (k ~ 0) para um minimo relativo da banda de condugao, com energia E, +E’, como ilustrado na Fig.8.10. Como a transic&o indireta envolve trés excitagdes elementares, ela tem probabilidade de ocorréncia menor que a direta, na qual os fénons nao participam. Por esta raz&o, a combinagéo dos processos indireto e direto resulta num coeficiente de absorgéo que varia com a freqiiéncia como ilustrado na Fig.8.11. Sendo a energia de fonons (fi ~ 0,05-0,1 eV) muito menor que os va- lores tipicos da energia do gap (EZ, ~ 1 eV), em primeira aproximagdo a energia critica abaixo da qual o semicondutor intrinseco (ou isolante) nao absorve fotons por transi¢do interbanda é 8. Por outro lado, fétons de ener- gia maior que E, sao fortemente absorvidos resultando na geracao de pares elétron-buraco. Este processo possibilita o uso de semicondutores em detetores de radiagao eletromagnética. O proceso inverso pelo qual {tons so emitidosa Materiais e Dispositivos Eletrénicos E(t) 0 ky k Figura 8.10: ‘Transigées eletrénicas do topo da banda de valéncia para dois minimos da banda de condugao em semicondutor de gap indireto como Si. A transig&o indireta envolve fonons e tem energia Ey. A transigéo direta tem energia By 4 E’. na recombinac&o de pares elétron-buraco, é chamado luminescéncia. Eleéa base da operagao dos diodos emissores de luz e dos lasers semicondutores. A Tabela 8.1 apresenta as energias do gap e os comprimentos de onda correspon- dentes para varios semicondutores importantes, indicando também a naturera do gap, direto (d) ou indireto (i). Vé-se na tabela que existem semicondutores para fabricar diodos emissores de luz em diversos comprimentos de onda. Além disso, através da combinagio de compostos diversos na forma de ligas, como Ga,Af,_2As, é possivel obter materiais com aps variando continuamente em Figura 8.11: Variacio do coeficiente de al indireto,Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 319 Semicondutor Gap E, (eV) Ag(um) Si i nade 111 Ge i 0,67 1,88 AEN i 5,90 0,21 AlAs i 2,16 0,57 GaN d 3,40 0,36 GaP i 2,26 0,55 GaAs d 1,43 0,86 InP a 1,35 0,92 InAs a 0,35 3,54 InSb a 0,18 6,87 Cas d 2,53 0,49 CdTe d 1,50 0,83 Tabela 8.1: Energias do gap e comprimentos de onda correspondentes de semicondutores importantes & temperatura ambiente [Wilson ¢ Hawkes}. extensas faixas das regides visivel ¢ infravermelho. Os processos de absorgio e emissao de luz interbanda em isolantes sio iguais aos dos semicondutores. Entretanto, como a energia do gap nos isolantes é da ordem de 10 eV, os fétons da regiao visivel, nao tem energia suficiente para produzir transigGes interbanda. Esta é a razao pela qual cristais isolantes, como diamante, safira, e cloreto de sédio, por exemplo, sao quase inteiramente transparentes a luz visivel. Para ilustrar as propriedades dpticas mais importantes dos isolantes, mostramos na Figura 8.12 espectros de transmissao da safira, a forma cristalina do A@,O3. A Fig. 8.12(a) mostra a transmissao em fungéio do comprimento de onda, representado numa escala logaritmica para ressaltar toda a faixa de transparéncia. Ele mostra uma transmisso acima de 80% na faixa de comprimento de onda entre 200 nm (energia de 6,2 eV) e 2500 nm (0,5 eV), estendendo-se do infravermelho ao ultravioleta préximo e abrangendo toda a Tegio visivel (400 a 700 nm). A depressio na transmissio na forma de um pico negativo em torno de 4 = 3000 nm e a forte diminuicao em > 6000 nm, Tesultam da absorcdo da radiagéo infravermelha pelos fonons dpticos da safira. Por outro lado, a queda na transmissio na regiéo ultravioleta, em \ < 200 nm,ey Materiais e Dispositivos Eletrénicos 1,0 08 f 3 3 2 os 2 Banda 3 2 amarela/verde 5 O4P z 6 a a Banda azul Fal 1000 10.000 200 400 600 800 1000 Comprimento de onda (nm) Comprimento de onda (nm) (@) (b) Figura 8.12: Espectros de transmisséo medidos em amostras de AézOz. (a) Cristal puro, chamado safira, em escala logarftmica de comprimento de onda, para mostrar toda a faixa de transparéncia; (b) comparagio dos espectros de safira (AljO3 puro) e de rubi (Af,03 com 0,05% de Cr+), 6 devida & absorc&o pelas transigées interbanda produzidas pelos fStons com energia hw > 6 eV. Na faixa de transparéncia nio hé transigdes para absorver os fotons € Portanto o coeficiente de absorgao é desprezivel. Nesta situagao a componente dada por (8.21) é R = 0,077, T = (1~— R) = 0,923. Ocorre superlcies. Por esta razdo, a transmissdo ¢ dain : ‘ Por (1 — R)? = 0,85, que é o valor observado na Figura 8. uma pequena quantidade de impurezas de Cr** na safira produz duas bends : i de fort A das na Figura 8 12(b). A banda de maior energiaesté se sore er om a= 400Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 321 Exemplo 8.4: Uma amostra de CdTe tem a forma de uma placa de faces paralelas, de espessura, 0,3 wm com camadas anti-refletoras nas duas faces. Calcule a transmissio de um feixe de luz de laser de He-Ne, comprimento de onda 632,8 nm que incide normalmente sobre a placa. No Exemplo 8.1 calculamos 0 coeficiente de absorgio do CdTe no comprimento de onda Ax = 500 nm, tendo obtido a(u1) = 9,55x10° m~’. Como CdTe é um semicondutor de gap direto, a variagéo do coeficiente de absorgéo com a energia nas proximidades da energie. do gap ¢ dade pela Equagao (8.60). Entao, o coeficiente de absorcao no comprimento de onda A2 = 632,8 nm pode ser calculado com, x(a) _ (Fara = By)? wy _ (Piya — Ep)? do (wr) ~ (Pes = B)*7¥ wa ~ (hers = By)? ‘A energia do gap de CdTe dado na Tabela 8.1 6 Hy = 1,5 eV. As energias dos fotons correspondentes aos dois comprimentos de onda séo, nape Be SARS sus oo (1.96 = 1,5)"/? 632, oe (2,48 = 1,577 500 ~ 878 X10 m Como nao hé reflexao nas superficies, a transmissio é dada por x03 a= 0,084. Portanto a transmissio é 8,4 %. 8.3.4 Absorgao e Emissao de Luz em Materiais com Impurezas Em cristais semicondutores ou isolantes contendo impurezas, a presenga de niveis discretos de energia entre as bandas de valéncia e de condugio da origem a importantes processos de absorgao e emissio de fétons. A Figura 8.13 ilustra Processog de emiss’o em semicondutores tipo ne tipo p. Em (a) um elétron da banda de condugio passa para um nivel vazio de impureza aceitadora emitindo322 Materiais e Dispositivos Eletrénicos E, Figura 8.13: Tlustragio de dois tipos de recombinagéo elétron-buraco envolvendo niveis de impureza com emissio de fStons: (a) Impureza aceitadora em semicondutor tipo p; (b) Impureza doadora em semicondutor tipo n. um féton de energia E,— E,. Em (b) um elétron no nivel de impureza doadora recombina com um buraco da banda de valéncia emitindo fiton de energia Ey Ey. Apesar do mimero de impurezas num s6lido ser muitc pequeno com- parado com o dos fons de cristal, os processos de emissfio ¢ absorgao de fétons envolvendo niveis de impurezas so muito importantes, especialmente nos semi- condutores de gap indireto. Isto é devido ao fato de que a furcéio de onda de um elétron ligado a uma impureza tem uma localizagdo espacial Ar da or- dem da distancia interatémica a, Esta incerteza na posigao do elétron resulta numa incerteza, no seu momentum Ap, dada por (2.46), Ae Ap > h/2. Sendo Az ~ a, a incerteza no vetor de onda do elétron é Ak ~ 1/2a, que cobre uma larga faixa da zona de Brillouin. Em conseqiiéncia, as transicées envolvendo impurezas podem ocorrer por emisséo ou absorgio de fétons, sem a necessidade da participagdo dos fonons para ajudar na conservagéo de momentum, Isto torna. estas transigdes muito mais eficientes do que as transigdes interbanda nos semicondutores de gap indireto. Devido a facilidade dos elétrons ¢ buré- cos se recombinarem por este processo de emissio de fotons a chamadas de centros de recombinagao, , as impurezas saoCap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 323 4 4, 3 a 7 2, g m2 Sat & 232 4 at 2, & 4 F, @7E ail & $ Cer On 3 = 0 ® SAG Figura 8.14: Niveis de energia e transigdes importantes em Cr+:Aé,Os, 0 rubi. impurezas introduz no gap dois conjuntos numerosos de nfveis que formam as bandas 4F, e 4F, além dos niveis discretos 2E e ?F2, mostrados na Figura 8.14. Quando o cristal é iluminado com luz branca, ocorrem transig6es do es- tado fundamental “Ay para as bandas *F; e ‘F, por absorgao de fotons. Essas transigdes séio responsdveis pelas bandas de absorgéo da Figura 8.12(b). Sub- seqiientemente os elétrons da banda “F, decaem rapidamente para o nivel 7, por transicées nao-radiativas, e daf voltam para o estado 4A, por transigdes radiativas com a emissao de fotons de comprimento de onda 694,3 nm. Desta forma o cristal absorve luz branca e emite luz vermelha, dando ao rubi sua cor vermelho vivo, Este é 0 processo de fotoluminescéncia, no qual se bascia o laser de rubi, que foi pioneiro dos lasers, descoberto em 1960. 8.4 Fotodetetores Fotodetetores so dispositivos que convertem luz num sinal ¢létrico. Existem varios fendmenos que possibilitam a fabricagao de um fotodetetor. O primeiro a ter importancia tecnolégica foi o efeito fotoelétrico, descoberto no final do século XIX e estudado no Capitulo 2. Ele é a base da operagio das tradicionais células fotoelétricas, feitas de um bulbo a vacuo contendo um fotocatodo ¢ um anodo, aos quais é aplicada uma tensao externa (positivo no anodo). Quando 08 fétons incidem no fotocatodo, os elétrons emitidos pelo efeito fotoelétrico sio acelerados para o anodo produzindo uma corrente elétrica. Isto constitui uma Célula fotoelétrica simples. Com a colocacéo de eletrodos entre o fotocatodo ©0 anodo é possivel multiplicar o ntimero de elétrons e amplificar a corrente. te & 0 principio de funcionamento das vilvulas fotomultiplicadoras, que sioGs Materiais e Dispositivos Eletrénicos dispositivos extremamente sens{veis. Atualmente existem valvulas fotomyl,; plicadoras para aplicacées cientificas que detetam a radiag&o contando féton, individualmente, em niveis de algumes contagens por segundo. Assim como ocorreu na eletrénica, o desenvolvimento dos fotodetetores © dos fotoemissores de semicondutor possibilitou @ substituigéo das valvulas e das lampadas a vacuo e deu um enorme impulso & opto-eletrénica, (, fotodetetores mais utilizados atualmente nas regides visivel e infravermelh, Préximo so os fotodiodos e os foto-resistores de semicondutor. Estes dispos.. tivos nao operam no infravermelho médio ou distante, pois os fétons nao tém energia suficiente para produzir pares clétron-buraco. Nessas regides utiliza-se fotodetetores térmicos, nos quais a absorgéo da luz produz um aquecimento no elemento sensor e varia sua resisténcia elétrice. Nesta segdo estudaremos apenas os foto-resistores, os fotodiodos e os sensores de imagem CCD, que so os fotodetetores mais importantes para a opto-eletrénica. Nestes disposi- tivos, 0 mecanismo fundamental de conversdo de luz em corrente elétrica é a geragao de pares elétron-buraco por absorgao de fétons. Este processo provoca uma diminuigao na intensidade da luz 4 medida que esta penetra no material Sendo a 0 coeficiente de absorgao do material na freqiiéncia da luz, a variagio da intensidade ao longo da diregao « de penetragdo é dada pela Eq.(8.13), I(x) = Ig onde Jo é a intensidade da radiagao na superficie. Como a intensidade cai ex: ponencialmente com a distancia, para assegurar que todos os fétons incidentes sejam absorvidos, € preciso que a espessura d do material seja muito maior que a7". A Figura 8.15 mostra a variacdo do coeficiente de absorgio com © comprimento de onda para vérios semicondutores importantes. Em ger! procura-se trabalhar com materiais com @ ~ 10° m=! na faixa de operagio do dispositivo. Isto assegura que a quase totalidade dos fétons é absorvida num? distancia da superficie de apenas alguns jum. Com esta condicio vé-s? al¢ os melhores materiais para fotodete i SAO na regio vistvel séio Sie GaAs. Nos comprimentos de onda empregados em comunicagées dpticas, \ = 1,3 wm ° 1,5 sm, utiliza-se Gag slno7As96Po4 e Gap,sln9gAs respectivamente. Considerando que 0 semicondutor te dings . z cou mM espessura tal que toda a radias® é absorvida, a taxa de criagéo de pares elétron-buraco é determinad Pe” intensidade inicial fa da luz, Logo, o mimero de f6tons absorvides por uni" = Io/hw. Na realidade, sempre &*"Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 325 10" Gay Ing sAs 10° 10° Gay sling -ASosPo4 Coeficiente de absorgao (m™) 04 06 O8 10 12 14 16 18 Comprimento de onda (4m) Figura 8.15: Variagio do coeficiente de absorgao a com o comprimento de onda para varios semicondutores [Wilson e Hawkes]. de pares produzidos e 0 mimero de fétons absorvidos. Assim, o ntimero de pares criados por unidade de tempo e de drea é 7Jo/hw. Portanto, a taxa de geragio de portadores, definida como o mimero de pares criados por unidade de volume e por unidade de tempo é = Wo rie) (8.63) sendo d a espessura do semicondutor. Como os elétrons e buracos sao criados aos pares, a variagao dn na concentragao de elétrons devido a radiagao é igual & variagdo na concentracao de buracos, dp = 6n. As taxas de variagéo no tempo dessas concentragdes sao entao O5p _ On _ er we (8.64) Esta equacéo mostra que se a intensidade da luz incidente no semicondutor for constante e se nao houver qualquer outro mecanismo além da geracao de pares elétron-buraco, o niimero de portadores cresceré indefinidamente, linearmente Ro tempo. Na realidade, sempre que as concentragées saem da situagao de equilibrio, ocorrem mecanismos de recombinagaéo que tendem a restaurar o equilforio, A taxa com a qual os pares sao destrufdos é determinada pelo tempo de recombinacdo dos portadores minoritérios, t» ou 7», dependendo2 Materiais e Dispositivos Bletrdnicos do tipo do semicondutor. Usando 7, para representar este tempo, a taxa de recombinagao é dada pela razio entre o excesso de portadores minoritarios, jp ou én, € 0 tempo 7,. Sendo dp = dn, a taxa de recombinagao é a = i Em regime estaciondrio r = g, de modo que as concentragoes de elétrons e de buracos gerados pela luz, por unidade de tempo, sio dadas por Tote in=bp=94= 4% : (8.66) Esta expressio determina o ntimero de portadores criados nos fotodetetores de semicondutor, que serao apresentados a seguir. 8.4.1 Foto-resistores Fotocondutividade € o fendmeno pelo qual a condutividade de um material varia quando a intensidade da luz que incide sobre ele é alterada. A fotocon- dutividade é a base de funcionamento do fotodetetor mais simples que existe, 0 foto-resistor. Ele é também chamado de célula ou dispositivo de fotoconducio, ou simplesmente LDR (das iniciais de Light Dependent Resistor). A estru- tura mais simples de um LDR é constituida de uma pequena placa de wm semicondutor intrinseco, ou com uma dopagem muito pequena, tendo nas ex- tremidades dois eletrodos metélicos para a aplicagdo de uma tensio externa, como ilustrado na Figura 8.16. Na auséncia de luz a resisténcia do LDR ¢ grande porque o mimero de portadores 6 pequeno. Quando ele é iluminado 0 niimero de portadores aumenta por causa da criagéo de pares elétron-buraco Isto pode fazer a resisténcia diminuir muito em relacio ao seu valor inicial, © que resulta num grande aumento da corrente entre os eletrodos. Para calcular o efeito da luz sobre a corrente util a condutividade zamos a Eq.(5.52) pare T= NE lin tPe ly A incidéncia da radiagéo produz uma varia dores dada por (8.66), por: F clo nas concentragdes dos port que resulta num aumento da condutividade da¢? Bo = 97,6 (tint pp) (8.67)Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 327 Radiag&o Contato metélico Figura 8.16: Estrutura simples de um foto-resistor, ou LDR. Se a tens&io nos eletrodos da placa for V, a variacao na densidade de corrente ser AJ = AoV/E. Portanto, a variagao na intensidade de corrente sera Ara tore (int mY (868) E comum definir o ganho da fotocondutividade como a razo entre a variagdo de corrente devida a variacao da condutividade, produzida pela tensio externa dada por (8.68), e a corrente correspondente aos pares elétron-buraco gerados pela luz. Como esta iltima é a carga total dos elétrons gerada pela radiago por unidade de tempo, o ganho é, __AL ~egbde Usando (8.68) nesta expressiio, obtemos para o ganho Hn + Hp)V G ee @ (8.69) Este resultado mostra que o ganho aumenta com 0 valor da tensao aplicada e com a diminuigao da distancia £ entre os eletrodos. Evidentemente, os valores de fn, tip € 7 dependem do material utilizado. A Figura 8.17 mostra a vista de cima do elemento fotocondutivo empre- Bado nos foto-resistores comerciais e a visdo do dispositivo encapsulado. O elemento fotocondutivo é formado por uma pastilha de material isolante, naee Materiais e Dispositivos Eletrénicos forma de um disco com diémetro que varia de alguns mm a varios cm, g. bre a pastilha é depositada uma camada policristalina do semicondutor foto. sensivel (CdS, CdSe, PbS, InSb, Hg-Cd;_,Te, entre outros), e sobre ela um filme metélico (Ag, Ag, ou Au) para formar os eletrodos. O filme metélico g evaporado através de uma méscara que deixa a érea exposta do material foto. condutivo na forma de zig-zag. Isto resulta numa grande area de iluminagao do semicondutor, combinada com um pequeno valor da distancia entre os eletro- dos, de modo a produzir um alto ganho G. Os materiais mais utilizados para fabricar foto-resistores que operam na tegiao visivel séo CdS e CdSe. No infravermelho préximo usa-se PbS e no in. fravermelho médio InSb ou Hg.Cd;_,Te. Esses materiais tém valores clevados Para 0 coeficiente de absorgao na faixa do espectro de sua operacao, e também Para as mobilidades jun € j4) ¢ 0 tempo de recombinagao 7;. Além disso, esses materiais sao favoréveis & formagéo de armadilhas causadas por defeitos na rede ou por impurezas. Estas armadilhas tém o papel de aprisionar, tempo- rariamente, portadores de carga elétrica com determinado sinal. Por exemplo, impurezas de Mn?* funcionam como armadilhas de elétrons. Assim, enquanto os portadores com certa carga estdo presos nas armadilhas, os portadores com a carga oposta podem transitar de um eletrodo para o outro com menor proba- bilidade de recombinagao. Isto resulta num aumento efetivo de 7, e portanto num maior ganho do dispositivo. Uma consideracéo importante em qualquer dispositivo fotodetetor diz respeito ao ruido que ele gera na auséncia de radiagdo. A amplitude deste Filme metélico QZ ay, ee — Semicondutor WEL)Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 329 ruido determina 0 nivel minimo da radiagdo que pode ser detetada. No caso dos foto-resistores e dos fotodiodos, a principal fonte de ruido é a geragao térmica de pares elétron-buraco. Como a probabilidade de geragao térmica 6 proporcional a exp(—E,/2kpT) [Eq.(5.23)], 0 rufdo depende do material utilizado e da temperatura de operagéo. Entéo, como os materiais usados em fotodetetores de infravermelho tém energia do gap E, menores que 0s do yisivel, seu ruido é maior. Para diminuir o rufdo dos fotodetetores é comum resfriar o elemento fotocondutivo. Isto pode ser feito eletricamente através de compactos dispositivos termoelétricos, que facilmente produzem temperaturas da ordem de —30°C (~ 240 K). Embora esta temperatura represente uma redugéo em relagéo & ambiente de apenas 20%, o efeito no ruido 6 sensivel devido & sua variacéo exponencial com 1/T. Em geral os foto-resistores sio dispositivos lentos porque sao feitos com semicondutores cujos tempos de recombinagao séo muito grandes. Por esta razio seu uso é restrito a aplicagées que necessitem de altos valores de ganho (10°—10*) e que nao requeiram resposta répida. Por exemplo, os foto-resistores de CdS e CdSe, cujo tempo de resposta é da ordem de 50 ms, sao utilizados nos medidores de intensidade de luz de cémaras fotograficas. Para completar esta seo, apresentamos na Fig.8.18 um circuito simples de polarizacdo de um foto-resistor. © foto-resistor, ou LDR, representado no circuito através de seu simbolo mais comum, é colocado em série com 0 resistor de carga Rz. Quando a intensidade da luz incidente varia, a corrente no circuito acompanha a variagéo da luz. Isto produz uma tensio através de Ri, cuja variagéo fornece uma medida da intensidade da luz. Quando apenas a componente ac da tensao 6 de interesse, utiliza-se um capacitor na safda para bloquear a parte de. O valor utilizado para Ry depende do valor da resisténcia Rp do LDR e também de sua variacdo relativa com a maxima intensidade (a) Figura 8.18: (a) Simbolo de circuito do foto-resistor, ou LDR; (b) Circuito simples utilizado Para polarizar um LDR.ooo Materiais e Dispositivos Hletrénicos de luz incidente. No caso da.variagéo relativa de Rp Sear ets 10% maior variagéo de Vj, é obtida com Rr = Rp. Se chien variagéo de Rp é muito grande, a linearidade entre en ae ae ensidade da luz e de V;, ocorre aproximadamente com Fp > Rr. F ‘aza0, Para que a tensio de saida seja alta, deve-se fabricar epiporeset ores COM 0 malo valor possivel de Rp. Este é outro motivo para que a geometria es ‘OtO-resistor tenha a forma de uma longa fita em zig-zag, como mostrado na Fig.8.17(.) 8.4.2 Fotodiodos Fotodiodos sio detetores de radiagio nos quais o sinal elétrico € produzido pela Beracao de pares elétron-buraco causada por absorgao de fotons nas imediacses da regiao de deplegio de uma jungéo p-n. Os elétrons e os buracos dos pares Griados Dela radiagdo sto acelerados em sentidos opostos pelo campo elétrico da jungao. Como o campo tem sentido do lado n para o lado P, 08 buracos sio acelerados no sentido n — p, enquanto os elétrons movemn-se tig sentide pon, como ilustrado na Figura 8.19. Isto resulta numa corrente gerada pela radiacao no senticlo n —» p, que é 0 sentido reverso da corrente na Jungdo. Uma grande diferenca dos fotodiodos para os foto-resistores é que neles a fotocorrente é sidade da aplicagéio de uma tensio externe, A detecio da radiagio nos fotodiodos pode ser feita em dois modbs dis- o— > nm ww aa) Oo 3 fee aS € do processo de criaca, le uma juncao bees de pares elétron-buraco por absorgio de ftom em sentidos opostos, © um fotodiodo, Seguida da aceleracao das carsCap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Bletrénicos 331 tintos de operagdo: no modo fotovoltaico o fotodiodo opera com circuito aberto, e quando a juncao é iluminada aparece uma tensao entre os lados p e nque pode ser medida externamente; no modo fotocondutivo o dispositive écurto-circuitado, ou opera sob uma tensdo externa no sentido reverso. Nesta situacdo uma corrente flui no sentido reverso quando a jungao é iluminada. A escolha do modo de operagao do fotodiodo depende de sua aplicacio. Qualquer um dos modos pode ser empregado na detegéo de luz. O modo fotovoltaico é utilizado para converter energia luminosa em energia elétrica, como no caso das células solares. Em qualquer modo de operagao, 0 fotodiodo sob radiagéo comporta- se como uma jungao p — n cuja corrente tem duas componentes: a primeira é aquela que existe sem a gerago de pares por absorcao de fétons. Ela é chamada de corrente de escuro e é dada por (6.29), Te=1, (eT 1), (8.70) onde I, é a corrente de saturacio reversa, dada por (6.30), e V é a tensao na juncao; a outra componente é aquela produzida pelos pares elétron-buraco gerados pelos fotons absorvidos nas proximidades da jungio. Sendo Ip a intensidade da radiagio absorvida e 7 a eficiéncia quantica da conversio, o niimero de pares criados por unidade de volume e de tempo é dado por (8.63), 9 = nlo/hwd. Para calcular o niimero total de pares deve-se considerar que os portadores minoritdrios gerados fora da regido de deplegio (espessura, £), porém dentro de uma distancia da ordem do comprimento de difusio (L, e I,), séo capazes de difundir para a regiéo de deplecdo e serem acelerados pelo campo pera o outro lado. Como em geral Ln, Lp > ¢, a contribuicao desses pares para a corrente é importante, fazendo com que o volume efetivo de geracdo de pares seja d A ~ (0+ Ln + Ly)A, onde A é a Area de iluminacéo da juncdo. A corrente na jungéo produzida pela luz é enti, elbA I=gdA=2e2" Sendo P, = 1)A a poténcia incidente na drea efetiva da jungéo, usando a Telaciio fiw = he/\ podemos escrever esta contribuigéo na forma, _ 76 Pid ala (8.71) A sficiéncia quantica de conversdo depende do material utilizado e também eS comprimento de onda \ da radiagéo. Como esta corrente tem o sentido ®verso, a corrente total no fotodiodo é dada pora Materiais e Dispositivos Eletrénicos T=1,(eeT -1)-I, (8.72) A Figura, 8.20, mostra as caracteristicas I —V de um fotodiodo no veenro_¢ Sob iluminagao, para dois valores de poténcia de luz. O efeito ga radiac&o contribni com uma parcela negativa para a corrente, independente de V, que aumenta proporcionalmente & intensidade de luz. A Eq.(8.72) e sua Tepresentacao gréfica sdo usadas para analisar os dois modos de operago do fotodiodo. No modo fotocondutivo o fotodiodo opera em curto-circuito. Neste caso V = 0 e Ice = —I;. O ponto de operag&o correspondente esté mostrado va curva I — V da Fig.8.20 correspondente & poténcia de luz P:. No modo fotovoltaico 0 fotodiodo opera em circnito aberto, portanto I — 0, Nesta situacao a absorc&o de luz dé origem a uma tensio nos terminais do diodo, Cujo valor é obtido diretamente de (8.72) Vaal (# #5 1) ‘ (8.73) e I, O ponto de operagdo I = 0, V = Vea € a intersecio do eixo de tens&o com a . Na realidade, em nenhuma, aplicagéo 0 dos de operagdo acima. Como veremos imo do modo fotovoltaico, enquanto os fotocondutivo. curva I —V, mostrada na Fig.8.20. a seguir, as células solares atuam proxi fotodetetores atuam préximo do modo Figura 8.20: Caracterfstica J — valores de poténcia de luz.Cap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 333 Para fazer o fotodiodo atuar como fotodetetor, aplica-se uma tensao ex- terna reversa que faz a jungio operar no terceiro quadrante do diagrama J—V, de modo que J ~ I, ~ Iy. Se a taxa de geracéio térmica de pares for muito menor que a de absorcaio de fotons, a corrente de saturagao reversa sera despre- zivel comparada com I;,. Neste caso a corrente no fotodiodo sera proporcional a poténcia da radiacao incidente na jungéio. Além da linearidade de sua resposta, 0 fotodiodo tem outras vantagens em relagdo ao foto-resistor como detetor de radiago. As mais importantes so a rapidez de resposta, melhor estabilidade e maior faixa dindmica de operagdo, Em aplicagdes que nao necessitem de res- posta muito rpida, ele ainda tem a vantagem de poder ser usado num circuito muito simples, formado apenas por uma pequena resisténcia de carga (de um microamperimetro, ou ligada a um voltimetro eletrénico). Para pequenas poténcias de luz a corrente seré baixa, de modo que se Ry € pequena, V = R;I < Vig. Neste caso o ponto de operacio estd préximo de Ice, V = 0, de modo que a corrente é proporcional & poténcia incidente. As vantagens no uso de uma bateria adicional para polarizar o diodo reversamente, so 0 aumento na rapidez de resposta e também na faixa dinamica de operacao. O material mais utilizado para fabricar fotodiodos para a regiao visivel éosilicio. A Figura 8.22 mostra a responsividade de um fotodiodo comer- cial de Si em fung&o do comprimento de onda. Esta grandeza, muito usada para caracterizar a resposta de fotodetetores, é a razio entre a fotocorrente @ a poténcia de luz incidente. A linha tracejada mostrada na figura, é a res- posta de um fotodetetor ideal, dada pela Eq.(8.71), com 7 = 1 para qualquer comprimento de onda (Problema 8.11). Vemos na figura que a responsividade do silicio se aproxima. da ideal em toda a regiao visivel. A Figura 8.23 mostra a estrutura tipica de um fotodiodo de Si. Ela é formada de regides p* e n* X XY R, (a) (b) Figura 8,21; (a) Simbolo de cireuito do fotodiodo; (b) Circuito simples para uso do fotodiodo ‘omo detetor de radiacao.see Materiais e Dispositivos Eletronicos nas extremidades para facilitar o contato éhmico com os filmes metélicos, 4 principal diferenca para a estrutura do diodo comum, mostrada na Fig.6,1, ¢ a abertura existente no contato metélico. E comum também depositar sobre a superficie de entrada uma camada dielétrica anti-refletora para aumentar a eficiéncia de conversao. Como os pares sio criados na regiao de deplecao ou em suas proximidades, deve-se fazer a espessura do lado p* a menor possivel para que a luz nao seja absorvida antes de chegar nela. De acordo com a Eq.(6.9), numa jungao p*—n a espessura da regio de deplegio no lado n é muito maior que no lado p*. Assim sendo, deve-se fazer a espessura da regiao n suficien- temente grande para assegurar que toda radiagdo incidente no fotodiodo seja absorvida. Uma outra estrutura comumente utilizada em fotodiodos é a do diodo PIN, na qual uma camada de semicondutor intrinseco é interposta entre as regides p* e n* da juncdo p-n, como ilustrado na Figura 8.24. A sigla PIN indica o semicondutor intrinseco entre os lados p e n. Na realidade a camada nao é intrinseca, porém tem uma concentragdo de impurezas doadoras muito pequena (Ng < 10! cm7$), de modo que sua resistividade é muito alta. Isto resulta numa regidio de depleciio que se estende até 0 lado n*, fazendo com que a espessura util do fotodiodo seja muito maior que na estrutura p—n. Isto 08 Fotodetetor , ideal ie 02 Responsividade (A/W) 2 £ 02 04 06 0,8 1,0 1,2 Comprimento de onda (um) Figura 8.22: Responsividade de um fotodiodo de Si (linha ch linha da indica a resposta de um forodiodo ideal, obtido de (8.71) ae nieCap. 8 Materiais e Dispositivos Opto-Eletrénicos 335 SiO, Regiao de . Contatos deplegao n | a Figura 8.23: Estrutura da jungio pt-n-n* de um fotodiodo. melhora a resposta na regido de maior comprimento de onda, pois assegura que toda a radiagao 6 absorvida mesmo nesta regio de menor coeficiente de absorcio. Outros fotodetetores muito utilizados sio 0 fotodiodo de avalanche eo fototransistor. O fotodiodo de avalanche opera sob tensao reversa com um valor suficiente para produzir multiplicagao por avalanche, que resulta em ganho de corrente. Isto permite que o dispositivo atue com uma resisténcia de carga pequena, aumentando assim sua rapidez de resposta. Por outro lado o ganho possibilita gerar na resisténcia uma tensio aprecidvel. O fototransistor 6 um dispositive no qual a jungao emissor-base pode ser iluminada de modo a gerar pares elétron-buraco. Isto resulta numa corrente de emissor que varia com a intensidade da luz, permitindo a detegao da luz com ganho de corrente. (a) (b) Figura 8.24; (a) Modelo da estrutura do fotodiode PIN; (b) Variagéo do campo elétrico ao longo do fotodiodo.