You are on page 1of 6

Cálculos Justificativos

Distancia horizontal mínima entre conductores de un mismo circuito a mitad de vano

D=0.0076 (U )( CF )+ 0.65 √ f

Donde:

U =Tension nominal entre fases , KV


F c =Factor de correcion por altitud

F=Flecha del concductor ala temperatura maxima prevista ,m


h=Altitud 4315 m
Distancia horizontal mínima entre conductores de diferentes circuitos

D=0.00746(U )( FC )
Donde:

U =Tension nominal entre fases del circuito de mayor tension , en KV


F c =Factor de correcion por altitud

Distancia vertical mínima entre conductores de diferentes circuitos

D=1.20+ 0.0102( FC )(kV 1+kV 2−50)

Donde:

kV 1=Maxima tension entre fases del circuito de mayor tension , en kV


kV 2=Maxima tension entre fases del circuito de menor tension . en kV
F c =Factor de correcion por altitud

Resistencia Eléctrica de los conductores

R L=R 20 C C [ 1+α (t−20 C) ]



0

Donde:
0 2
R20 C : Resistencia del conductor a 20 (0.0838 Ω/km para conductor de 35 mm )
0

∝:Coeficiente de variacion termica del condcutor en ° C (0.00360 ° C )


−1 −1

t : Tempreratura maximade operacion en❑∘ C( t=400 C)


Reactancia Inductiva

DMG
X L =377(0.5+ 4.6 log ( ))×10−4
r
Donde:

X L : Reactanciainductiva en ohm /km

DMG : Distancia media geometrica para sistema trifasico :1.2 m


r : Radio del conductor en m .(0.00385)
Parámetros de secuencia positiva, negativa y cero

R0 =R 1+ 0.1776 5

Donde:

R0 :resistenciaunitaria de secuencia cero en Ω/k m.

R1 :resistenciaunitaria de secuencia positivadel conductor , ala temperatura de operacion

en Ω/k m.
La reactancia inductiva de secuencia cero X 0, a su vez, ha sido calculada mediante la ecuación
siguiente:

X 0= ( u2 Πω )(3 ln ( ( RM D ×δDMG ) )+ 4μn )


0
1
2 2
L

Donde:

X 0 : Reactancia inductivade secuencia cero , en ohm/km

δ : Indice de penetracion en m
1.85
δ= =849.96
( )
1
u0 ω 2
ρ
Donde:

ρ : Resistividad electrica del terreno (100 ohm−m)


u L : Permeabilidad relativa del conductor . Usualmente igual a 1

n : Numero de conductores parciales . En caso n=1


RMG: Radio medio geometrico del conductor
RMG=0.726∗r
r :radio del conductor(0.00385)
DMG : Distancia media geometrica(1,2 m)

Cálculo de tensión

Para sistemas trifásicos a la tensión entre fases:

PL( r 1+ X 1 tanθ )
∆ V ( % )=
10 V 2L

∆ V ( % )=K 1 PL

(r 1 + X 1 tanθ)
k 1= 2
10 V L

Donde:

∆ V : Porcentaje de caida de tension


P : Potenciatotal
L : Longitud del tramo
K L :Tension nominal(22.9 KV )

r 1 : Resistenciadel conductor de operacion 1.26 ( Ohm


km )
k 1 : Factor de caida de tension

θ : Angulo de facto de potencia(θ=25.84)


X 1 : Reactanciainductiva para sistemas trifasicos a la tension entre fases

( X 1=0.451 Ω| km)

Perdidas de potencia en circuito trifásico a la tensión entre fases:


2
P (r 1 ) L
PJ = 2 2
, en KW
1000 V L cos θ

Pérdidas anuales de energía activa


2
F P=0.15 ( F C ) +0.85 ( Fc )
EJ =8760 ( PJ ) ( F P ) , en kWh

Donde:

P : Demanda de potencia , en kW
r 1 : Resistenciadel conductor ala temperatura de operacion , en Ω1 ∕ k m

L : Longitud del circuito o tramo del circuito , en km


V L :Tension entre fase , en kV

θ : Angulo de factor de potencia


F p : Factor de perdidas

F C : Factor de carga

Cálculo de las corrientes de nodo Ired a partir de las potencias dadas de los nodos Sred y
de los voltajes de nodo Vred de acuerdo a:
¿ −1
I red =Sred . V red

Cálculo de voltajes de nodo de acuerdo a:


−1
V red =Y red .(I red −Y si . V si )

Donde:
V red :Vector de los voltajesde nodo complejos sin nodos slack

I red :Vector de corrientes de nodo complejossin nodos slack

Y red : Matriz de acmitancia sin la fila y la columna del nodo

Y si :Columnadel nodo slack en la matriz Y

V si :Voltaje complejo del nodo slack

Los dos pasos de la iteración se inician con un valor V=1.0 pu o con un valor predefinido, y se
realiza el proceso iterativo hasta que el criterio de convergencia se cumpla.

| |
n
Vi μ+1−Vi μ
ε =∑
i=1 Viμ

Donde:

Vi μ+1 y Vi μ : Son los voltajes en el nodo i en las iteraciones (μ+1) o (μ) y el n representa el número
de nodos en la red.
Factor de Corrección

1.25( h−1000)
Fc=1+
1000
FC :factor de corrección por altitud
h :altitud en metros sobre el nivel delmar (4345msnm )
⇒ Fc=1.4 2
SISTEMA DE PUESTA A TIERRA

2 ∙Vmax ∙ f t ∙ f pat

Vnmax
2∙ 1
∙ 1.42∙ f pat
2
(3)
Donde:

f pat : es el factor de puesta a tierra o de aterramiento

f pat =1.13

TOV SIST =32.75

TENSIÓN MÁXIMA DE OPERACIÓN CONTINUA DEL PARARRAYOS

MCOV 1 PR((Vn1 max )/ √ 3 ×1.05)


MCOV PR ≥15015 kV

Características de los Pararrayos auto valvulares de óxido de Zinc:

[(
MP 1= 1.15 ×
BILequipo
V FOC
−1 ×100 %
) ]
MP 2= [ ( BILequipo /(V D +V L ) ) −1 ] × 100 %

Corriente Nominal

Sn
I n=
√3 ∙ V n
Corriente de Sobrecarga

I x =1.5 ∙ I n

Corriente de corto circuito sobre corriente


I cc =20 ∙ I n

Corriente de inserción

I ins=20 ∙ I n

Corriente nominal en el secundario InBT

I nAT ∗V nAT
I nBT =
V nBT

Corriente de Sobrecarga

I xBT =1.5∗I nBT

You might also like