TPC8121

東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS形 (U-MOSⅤ)

TPC8121
○ ノートブック PC 用
単位: mm
○ リチウムイオン 2 次電池用
○ 携帯電子機器用

• 小型、薄型で実装面積が小さい。
• オン抵抗が低い。 : RDS (ON) = 8.0 mΩ (標準)
• 順方向伝達アドミタンスが高い。
: |Yfs| = 23 S (標準)
• 漏れ電流が低い。 : IDSS = −10 μA (最大) (VDS = −30 V)
• 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ。
: Vth = −0.8 ~ −2.0 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)

絶対最大定格 (Ta = 25°C)

項 目 記 号 定 格 単位

ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 電 圧 VDSS −30 V
ゲ ー ト ･ド レ イ ン 間 電 圧
VDGR −30 V
(RGS = 20 kΩ)
ゲ ー ト ･ ソ ー ス 間 電 圧 VGSS ±20 V
JEDEC ⎯
D C (注 1) ID −11
ド レ イ ン 電 流 A
パルス (注 1) IDP −44 JEITA ⎯

許 容 損 失 (t = 10 s) (注 2a) PD 1.9 W 東 芝 2-6J1B

許 容 損 失 (t = 10 s) (注 2b) PD 1.0 W 質量: 0.080 g (標準)
アバランシェエネルギー (単発) (注 3) EAS 82 mJ
ア バ ラ ン シ ェ 電 流 IAR −11 A
アバランシェエネルギー (連続)
EAR 0.030 mJ 回路構成
(注 2a) (注 4)
チ ャ ネ ル 温 度 Tch 150 °C 8 7 6 5

保 存 温 度 Tstg −55~150 °C

注:(注 1), (注 2), (注 3), (注 4)は次ページを参照してください。

本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での

1 2 3 4
使用においても, 高負荷 (高温および大電流/高電圧印加, 多大な温
度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下する
おそれがあります。弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考
え方と方法) および個別信頼性情報 (信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお
願いします。

この製品は MOS 構造です。取り扱いの際には, 静電気にご注意ください。

1 2008-07-25
 TPC8121
熱抵抗特性

項 目 記 号 最大 単位

チ ャ ネ ル ･外 気 間 熱 抵 抗 (t = 10 s) (注 2a) Rth (ch-a) 65.8 °C/W

チ ャ ネ ル ･外 気 間 熱 抵 抗 (t = 10 s) (注 2b) Rth (ch-a) 125 °C/W

現品表示 (注 5)

TPC8121 製品名 (または略号)

ロット No.
(週別)
端子のみ鉛フリー
識別マーク

注 1: チャネル温度が 150°C を超えることのない放熱条件にてご使用ください。

注 2:

(a)ガラスエポキシ基板 (a) (b) ガラスエポキシ基板 (b)

FR-4 FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8 25.4 × 25.4 × 0.8
(単位: mm) (単位: mm)

(a) (b)

注 3: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件

VDD = −24 V, Tch = 25°C (初期), L = 0.5mH, RG = 25 Ω, IAR = −11 A

注 4: 連続印加の際, パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。

注 5: 正面から見てマーク左下のドット (●) が 1 番端子を示します。

※ 週別ロット表示

3 桁算用数字で構成し, 西暦年号の末尾 1 桁, および残りの 2 桁は製造週とする。

製造週コード (その年の第一週を 01 とし, 以降 52 または 53 まで)

製造年コード (西暦の下 1 桁)

2 2008-07-25
 TPC8121
電気的特性 (Ta = 25°C)

項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位

ゲ ー ト 漏 れ 電 流 IGSS VGS = ±20 V, VDS = 0 V ⎯ ⎯ ±100 nA

ド レ イ ン し ゃ 断 電 流 IDSS VDS = −30 V, VGS = 0 V ⎯ ⎯ −10 μA
V (BR) DSS ID = −10 mA, VGS = 0 V −30 ⎯ ⎯
ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 降 伏 電 圧 V
V (BR) DSX ID = −10 mA, VGS = 20 V −13 ⎯ ⎯
ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Vth VDS = −10 V, ID = −1 mA −0.8 ⎯ −2.0 V
VGS = −4 V, ID = −5.5 A ⎯ 16 24
ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 オ ン 抵 抗 RDS (ON) mΩ
VGS = −10 V, ID = −5.5 A ⎯ 8 12
順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス |Yfs| VDS = −10 V, ID = −5.5 A 11 23 ⎯ S
入 力 容 量 Ciss ⎯ 1770 ⎯
帰 還 容 量 Crss VDS = −10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 400 ⎯ pF

出 力 容 量 Coss ⎯ 540 ⎯

上 昇 時 間 tr 0V ID = −5.5 A ⎯ 9 ⎯
VGS
−10 V 出力

RL = 2.7 Ω
ターンオン時間 ton ⎯ 15 ⎯
スイッチング時間 4.7 Ω ns
下 降 時 間 tf ⎯ 65 ⎯
VDD ≒ −15 V
ターンオフ時間 toff ⎯ 160 ⎯
Duty ≦ 1%, tw = 10 μs

ゲ ー ト 入 力 電 荷 量 Qg ⎯ 42 ⎯
VDD ≒ −24 V, VGS = −10 V,
ゲ ー ト ･ ソ ー ス 間 電 荷 量 1 Qgs1 ⎯ 5 ⎯ nC
ID = −11 A
ゲ ー ト ･ ド レ イ ン 間 電 荷 量 Qgd ⎯ 13 ⎯

ソース･ドレイン間の定格と電気的特性 (Ta = 25°C)

項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位

ドレイン逆電流 パ ル ス (注 1) IDRP ⎯ ⎯ ⎯ −44 A

順 方 向 電 圧 ( ダ イ オ ー ド ) VDSF IDR = −11 A, VGS = 0 V ⎯ ⎯ 1.2 V

3 2008-07-25
 TPC8121

ID – VDS ID – VDS
−10 −40
−5 −5 −4 −3.7
−6 −4 −3.5 −3.3 −3.5
−8 −6
−8 −32
−10 −8 −3.3
(A)

(A)
−3
−10
ID

ID
−6 −24 ソース接地
ソース接地
Ta = 25°C
Ta = 25°C
ドレイン電流

ドレイン電流
パルス測定
パルス測定

−4 −16 −3
−2.7

−2 −8
VGS = −2.5V VGS = −2.7V

0 0
0 −0.06 −0.12 −0.18 −0.24 −0.3 0 −0.4 −0.8 −1.2 −1.6 −2

ドレイン･ソース間電圧 VDS (V) ドレイン･ソース間電圧 VDS (V)

ID – VGS VDS – VGS

−40 −0.4
ソース接地 ソース接地
(V)

VDS = −10 V Ta = 25°C

パルス測定 パルス測定
−32
VDS
(A)

−0.3
ID

ドレイン･ソース間電圧

−24
ドレイン電流

−0.2

−16

Ta = 100°C −0.1 ID = −11A

−8
25°C −5.5
−55°C
−2.8
0 0
0 −1 −2 −3 −4 −5 0 −4 −8 −12 −16 −20

ゲート･ソース間電圧 VGS (V) ゲート･ソース間電圧 VGS (V)

|Yfs| – ID RDS (ON) – ID

100 100
ソース接地
Ta = 25°C
パルス測定
ドレイン･ソース間オン抵抗
順方向伝達アドミタンス

100
Ta = −55°C
25
RDS (ON) (mΩ)

10 VGS = −4V
|Yfs| (S)

10

−10
1

ソース接地
VDS = −10 V
パルス測定
0.1 1
−0.1 −1 −10 −100 −0.1 −1 −10 −100

ドレイン電流 ID (A) ドレイン電流 ID (A)

4 2008-07-25
 TPC8121

RDS (ON) – Ta IDR – VDS

30 −100
ソース接地
−5
パルス測定 −10
ドレイン･ソース間オン抵抗

(A)
24 −11 A
−5.5 A
−4
RDS (ON) (mΩ)

IDR
−10 −3
18 ID = −2.8 A

ドレイン逆電流
VGS = −4 V
−1 VGS = 0 V
12
−1

6
VGS = −10 V ソース接地
Ta = 25°C
パルス測定
0 −0.1
−80 −40 0 40 80 120 160 0 0.3 0.6 0.9 1.2

周囲温度 Ta (°C) ドレイン･ソース間電圧 VDS (V)

静電容量 – VDS Vth – Ta

10000 −2
(V)

−1.6
Vth
(pF)

Ciss −1.2
ゲートしきい値電圧
C

1000
静電容量

−0.8

Coss
ソース接地
ソース接地 Crss −0.4 V
DS = −10 V
VGS = 0 V ID = −1 mA
f = 1 MHz パルス測定
Ta = 25°C
100 0
−0.1 −1 −10 −100 −80 −40 0 40 80 120 160

ドレイン･ソース間電圧 VDS (V) 周囲温度 Ta (°C)

PD – Ta ダイナミック入出力特性
2 −30 −30
(1)ガラスエポキシ基板 (a) 実装 (注 2a) ソース接地
ID = −11 A
(V)

(1) (2)ガラスエポキシ基板 (b) 実装 (注 2b)

(V)

t = 10 s Ta = 25°C
−25 VDD = −24 V −25
1.6 パルス測定
VDS

VGS
(W)

−20 −20
ドレイン･ソース間電圧

1.2
ゲート･ソース間電圧
PD

VDS
−15 −15
(2)
許容損失

−12
0.8 −6
−10 −10
VDD = −24 V
−6 −12
0.4
−5 VGS −5

0 0 0
0 40 80 120 160 200 0 10 20 30 40 50 60

周囲温度 Ta (°C) ゲート入力電荷量 Qg (nC)

5 2008-07-25
 TPC8121

rth − tw
1000
(1) ガラスエポキシ基板 (a) 実装 (注 2a)
(2) ガラスエポキシ基板 (b) 実装 (注 2b) (2)

(1)
rth (°C/W)
100

10
過渡熱抵抗

単発パルス
0.1
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000

パルス幅 tw (s)

安全動作領域
−100

ID max (パルス) *
(A)

1 ms *
−10 t = 10 ms *
ID
ドレイン電流

−1

* 単発パルス Ta = 25°C
安全動作領域は温度によっ
てディレーティングして考
える必要があります。 VDSS max
−0.1
−0.1 −1 −10 −100

ドレイン･ソース間電圧 VDS (V)

6 2008-07-25
 TPC8121

当社半導体製品取り扱い上のお願い 20070701-JA GENERAL

• 当社は品質，信頼性の向上に努めておりますが，一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
社半導体製品をご使用いただく場合は，半導体製品の誤作動や故障により，生命・身体・財産が侵害されること
のないように，購入者側の責任において，機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお，設計に際しては，最新の製品仕様をご確認の上，製品保証範囲内でご使用いただくと共に，考慮されるべ
き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」，「半導体信頼性ハンドブック」な
どでご確認ください。

• 本資料に掲載されている製品は，一般的電子機器（コンピュータ，パーソナル機器，事務機器，計測機器，産業
用ロボット，家電機器など）に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され，その故
障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器（原子力制御機器，航空宇宙機器，輸送
機器，交通信号機器，燃焼制御，医療機器，各種安全装置など）にこれらの製品を使用すること（以下“特定用
途”という）は意図もされていませんし，また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用
途に使用することは，お客様の責任でなされることとなります。
• 本資料に掲載されている製品を，国内外の法令，規則及び命令により製造，使用，販売を禁止されている応用製
品に使用することはできません。

• 本資料に掲載されている製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合

せください。本資料に掲載されている製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令な
どの法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様が適用される法令を遵守しないこ
とにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。

• 本資料の掲載内容は，技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。

7 2008-07-25