IV.

Khuyết tật của cấu trúc tinh thể

• Trong cấu trúc vật liệu luôn tồn tại các khuyết tật (sai hỏng) do thiết kế
(chủ động) hay vô tình sinh ra trong quá trình chế tạo.
• Theo kích thước, các khuyết tật của cấu trúc tinh thể được chia ra làm 4
loại:
- Khuyết tật điểm (nguyên tử hoặc điện tử);
- Khuyết tật đường (1-D);
- Khuyết tật mặt phân giới (2-D);
- Khuyết tật thể tích (3-D).

Khuyết tật Khuyết tật điểm

điểm điện tử nguyên tử Khuyết tật mặt phân giới

Khuyết tật đường Khuyết tật thể tích

Thang đo kích thước khuyết tật (m)

4.1. Độ bền cắt lý thuyết của vật liệu
- Hai hàng nguyên tử // kề
b cận chịu tác động của ứng
t suất cắt t .
a - Để dịch chuyển, các
nguyên tử phải vượt qua
t các vị trí cân bằng A, B, C,
… tại đó t = 0. Ở vị trí cân
Ư/S cắt

bằng không ổn định (hai

hàng nguyên tử chồng
Chuyển vị, x chính xác lên nhau ứng
suất cắt cũng = 0) . (**)
- Khi ứng suất cắt đủ để các nguyên tử vượt qua rào cản ➔ biến dạng
dẻo xảy ra và các nguyên tử chuyển động cho đến khi vật liệu bị phá
huỷ.
Giả thiết giữa hai vị trí cân bằng không ổn định, ứng suất cắt biến đổi
theo qui luật hình sin với chu kỳ b :
2p x
t = k sin x – là chuyển vị; b – véc tơ Burgers, k là hằng số
b cần xác định.
 Cho chuyển vị nhỏ (sin a » a ) :
2p x Chuyển vị nhỏ x
t =k (vật liệu chỉ biến dạng đàn hồi)
t =G
b a
x/a – là biến dạng cắt, G – mô đun cắt đàn hồi.
Từ hai biểu thức trên, suy ra :
Gb Gb 2p x
k= ® t= sin
2p a 2p a b
Ứng suất cắt đạt giá trị cực đại khi x = b/4, ta có:
Gb
t max =
2p a
- Đối với vật liệu có cấu trúc FCC, có thể tính được quan hệ giữa ao
(thông số mạng) và các hệ số a, b:
ao ao
b= , a = dhkl =
2 h2 + k 2 + l2
Ví dụ: cho các mặt (111): d111 = ao / 3 = a →  max  G / 5.1
4.2. Độ bền kéo lý thuyết của vật liệu
• Vật liệu bị chẻ tách (cleaved) là do phá huỷ dưới tác dụng của ứng
suất pháp. Mặt tách (phá huỷ) vuông góc với hướng của ứng suất tác
dụng.
• Mô hình Orowan: dưới tác dụng của ngoại lực, tất cả các nguyên tử
trong một mặt nguyên tử đồng thời tách khỏi mặt nguyên tử kề cận khi
khoảng cách giữa hai mặt nguyên tử đạt giá trị tới hạn.

s - ao : thông số mạng,
Ư/S tách lớp biến đổi
theo khoảng cách a
là khoảng cách ban
s max đầu giữa hai mặt
ao nguyên tử.
Ứng suất

- Tại a = ao và a = ¥ :
s =0
- Giả thiết σ = f(a) có
s ao d dạng sin với chu kỳ
Khoảng cách, a 2d (diện tích dưới
đường cong là công cần thiết để tách hai lớp nguyên tử).
é 2p (a - ao ) ù
s = k sin ê ú k – là hằng số cần xác định
ë 2d û
 - Giả thiết tương tác giữa hai lớp nguyên tử trong quá trình biến dạng
tách tuân theo qui luật đàn hồi, vật liệu đẳng hướng:
da ds ds
de = ® E= = ao
ao de da
p é p (a - ao ) ù ds p é p (a - ao ) ù
ds = k cos ê ú da ® E = ao = ao k cos ê ú
d ë d û da d ë d û
Với a = ao: ® k =
E d
p ao
- Xác định d:
Năng lượng cần thiết để tạo ra 2 bề mặt phân tách (diện tích nằm
dưới đường cong Ư/S – Chuyển vị)
ao + d
 s − là năng lượng bề mặt trên 1 đv diện

ao
 da = 2 s tích (năng lượng bề mặt riêng).

ao + d
  (a − ao )   
 = k sin 
 d 

→ 
ao
k sin  ( a − ao )  da = 2 s
d 
ao + d

ò sin ( cy ) = c cos ( cy )
 1

ao
k sin  (a − ao )  da = 2 s
d  Đổi biến:
p
 
d
c= , y = (a - ao ) ® dy = da
k  sin  y  dy = 2 s d
0 d 
d  s
→k = s → d =
 k
Giá trị cực đại của ứng suất (s max ) chính là ứng suất tách lý thuyết.
d p
é p (a - ao ) ù (a-ao )= ® sin =1 E d
s = k sin ê ú ¾¾¾¾¾¾¾ 2 2 ® s max = k =
ë d û p ao

E d d= E s E s
k =  max = ⎯⎯⎯→ k =  max =
k 2 2
  max =
 ao ao ao
 Theo mô hình Orowan:
E d 2
kd k=
 aoE d 
s = ⎯⎯⎯→  s =  
 ao   
2
Ed 
s =  
E s ao    E
 max = ⎯⎯⎯⎯⎯
→  max 
ao 
Trong thực tế, do trong trong cấu trúc vât liệu luôn tồn tại các khuyết tật,
nên độ bền cắt và độ bền kéo (tách) thường nhỏ hơn hàng trăm lần so với
các giá trị lý thuyết.

4.3. Khuyết tật điểm nguyên tử và điện tử

• Là các khuyết tật ở thang đo nguyên tử, có đường kính ~10-10m.

• Mặc dù nhỏ, nhưng có thể gây ra một trường ứng suất trong mạng
tinh thể, ảnh hưởng đến cơ tính của vật liệu.
• Tồn tại các loại khuyết tật điểm: nút trống, nguyên tử xen kẽ, nguyên
tử thay thế, đối vị (anti-site), khuyết tật Frenkel, khuyết tật Schottky.
- Nút trống (vacancy): vị trí Nút trống
khuyết một nguyên tử trong Ng. tử
mạng tinh thể. thay thế
Nút trống có vai trò quan
trọng, kiểm soát quá trình Ng. tử Ng. tử tự
khuếch tán. xen kẽ xen kẽ
Xác suất tạo thành một nút
trống ở nhiệt độ thấp là 10-6,
ở điểm nóng chảy là 10-3. Nồng độ nút trống có thể xác định bởi biểu thức:
æ Qv ö
N v = N exp ç - ÷ , N = r N A / ma
è kBT ø
N- nồng độ vị trí nguyên tử, Qv- năng lượng kích hoạt tạo thành nút trống,
kB – hằng số Boltzmann (1,38 X 10-23 J.K-1), NA – Hằng số Avogadro (6,022
x 1023 mol-1), ma- khối lượng nguyên tử, ρ - mật độ.
- Thay thế: một nguyên tử ngoại lai chiếm vị trí nút mạng.
- Xen kẽ: một nguyên tử ngoại lai hoặc một nguyên tử cùng loại chiếm vị
trí xen kẽ, là các hốc (khoang trống) (“holes”) trong mạng tính thể.
 Các vị trí xen kẽ trong mạng tinh thể
Hốc bát diện

BCC

Hốc tứ diện

Hốc bát diện

FCC

Hốc tứ diện
 Hốc bát diện

HCP

Hốc tứ diện

- Khuyết tật đối vị:

Hai nguyên tử khác loại
trao đổi vị trí cho nhau (xảy
ra trong hợp kim trật tự.
- Khuyết tật Frenkel và Schottky:
Trong các hợp chất (ceramic, liên kim), các khuyết tật điểm không thể
xuất hiện một cách tự do như trong kim loại, bởi vì bị giàng buộc bởi
điều kiện trung hoà điện tích →khuyết tật Frenkel và khuyết tật
Schottky

Khuyết tật Schottky:

Tạo thành từ một cặp nút

trống cation (+) và anion
(-) kề cận nhau (đảm bảo
điều kiện cân bằng điện
tích)

Khuyết tật Frenkel:

Một ion (thường là cation vì
có thể tích nguyên tử nhỏ
hơn) rời vị trí nút mạng
sang vị trí xen kẽ kề cận.
4.3.1. Nồng độ cân bằng của các khuyết tật điểm
• Một đặc trưng rất quan trọng của nút trống và các nguyên tử tự xen kẽ
(so với các khuyết tật đường hoặc mặt) là chúng có thể tồn tại trong trạng
thái cân bằng nhiệt động ở nhiệt độ trên 0oK.
• Đối với một hệ có khối lượng, áp suất, nhiệt độ không đổi và không thực
hiện một công nào khác ngoài công chống lại tác động của áp suất, trạng
thái cân bằng nhiệt động sẽ đạt được khi năng lượng tự do Gibbs (Gibbs
free energy) (G) có trị số cực tiểu.
• Để tạo một khuyết tât điểm trong cấu trúc tinh thể kim loại, cần một lượng
nhiệt d. q . Lượng nhiệt này sẽ làm gia tăng entanpi H một lượng
dH = d q.Khi hình thái cấu trúc thay đổi (sinh ra khuyết tật điểm), entropi
S của hệ cũng gia tăng ➔ biểu thức xác định năng lượng tư do Gibbs:

G = H - TS T là nhiệt độ, oK
Entanpi H:
H = U + PV
Năng lượng tự do Helmholtz
Ở 0oK, thành phần entropi = 0 ➔ nồng
Y = U - TS
độ cân bằng nhiệt động =0. Ở nhiệt độ Năng lượng tự do Gibbs:
> 0oK, G có thể đạt giá trị cực tiểu với
G = H - TS
số lượng khuyết tật điểm (n) nhất định
>0.
 Biểu thức xác định nồng độ cân bằng nhiệt động của khuyết tật điểm:
G – là năng lượng tự do Gibbs (năng lượng
æ G ö kích hoạt) cho tạo thành 1 khuyết tật điểm;
Nv = N exp ç - ÷
è B ø N
k T v, N – tương ứng số lượng khuyết tật điểm
và số lượng vị trí.
Tỷ phần giữa nồng độ cân bằng nút trống (Nv) và nồng độ cân bằng
khuyết tật tự xen kẽ (Ni)có thể xác định theo biểu thức:

Nv æ Gi - Gv ö Gv, Gi – tương ứng là năng lượng tự do

» exp ç Gibbs tạo thành 1 nút trống và 1 khuyết tật
Ni è kBT ÷ø điểm xen kẽ;
4.3.2. Phương pháp gia tăng nồng độ các khuyết tật điểm
 Tôi hoặc làm nguội siêu tốc độ (ultra-high-speed cooling):
• Nồng độ nút trống trong các cấu trúc BCC, FCC, HCP cao hơn rất
nhiều so với nồng độ khuyết tật tự xen kẽ. Nồng độ nút trống ở cận
điểm nóng chảy cỡ 10-3, trong khi ở nhiệt độ thường chỉ là 10-6.
• Nếu kim loại được làm nguội với tốc độ đủ lớn, nồng độ nút trống ở
nhiệt độ cao có thể giữ được khi đưa về nhiệt độ thường (do bị làm
nguội quá nhanh, các nút trống không kịp khuếch tán về phía các
“giếng” là biên giới hạt, lệch, bề mặt (nơi hấp thụ các nút trống).
 Biến dạng dẻo:
• Chuyển động của Hàng nút
lệch (khuyết tật trống
đường) có thể tạo
thành các khuyết tật
điểm theo hai cơ Hàng
chế: (i) Triệt tiêu giữa nguyên tử
các lệch // trái dấu và xen kẽ
(ii) Chuyển động
không bảo toàn (leo)
của đoạn (cung) lệch
vuông góc với mặt
trượt .
• Biến dạng dẻo có thể tạo ra nồng độ nút trống và
khuyết tật tự xen kẽ cao. Đồng thời cũng tạo ra
một sự biến đổi cấu trúc mạnh (sinh ra các lệch)
Đường và phức tạp.
lệch
 Chiếu xạ:
• Chiếu xạ kim loại bằng chùm tia hạt năng lượng
Mặt cao (neutron) có thể tạo ra mật độ khuyết tật
trượt
điểm cao (xen kẽ, nút trống).
4.3.3. Hư hại do chiếu xạ:
• Chiếu xạ kim loại bằng chùm hạt năng lượng cao có thể gây ra các
khuyết tật sau:
- Đánh bật điện tử khỏi quỹ đạo (ion hoá nguyên tử);
- Biến đổi vị trí của các nguyên tử bằng tác động va chạm đàn hồi (tạo
ra nút trống và nguyên tử xen kẽ);
- Phân hạch hạt nhân và điểm (tâm) nhiệt (thermal spikes).
• Ion hoá chỉ có vai trò quan trọng đối với phi kim loại (bán dẫn, chất
điện môi,…). Trong kim loại, do có tính dẫn điện cao, quá trình ion hoá
xảy ra đồng thời với quá trình trung hoà điện tích. Hiệu ứng kích thích
các điện tử cũng hầu như được loại bỏ tức thời ➔ ion hoá không có
tác động đến sự biến đổi tính chất của kim loại.
• Trong kim loại, chỉ tác động va chạm giữa các hạt tới (năng lượng
cao) và các hạt nhân nguyên tử có vai trò quan trọng.
• Cơ chế cơ bản của mọi quá trình hư hại do chiếu xạ là sự truyền năng
lượng và chuyển động từ chùm tia hạt tới đến các nguyên tử của vật
liệu.
• Chùm tia hạt tới có thể là:
 - Các hạt điện tích dương (vd: chùm tia proton);
- Các hạt điện tích âm (chùm tia điện tử).
- Các hạt trung tính (chùm tia γ, neutron, …).
• Chiếu xạ bằng chùm tia neutron có thể truyền năng lượng cao nhất cho
các nguyên tử chịu tác động. Đối với kim loại, chiếu xạ neutron có thể gây
ra các biến đổi sau:
- Chuyển vị của một nguyên tử khỏi vị trí nút mạng tinh thể đến một vị trí
giữa các nút mạng (vị trí xen kẽ): tạo ra một nút trống và một nguyên tử
tự xen kẽ (khi năng lượng nguyên tử nhận được lớn hơn năng lượng
chuyển vị hữu hiệu Eeff) Gần cuối của thác va
- Tạo ra các khuyết tật, di cư chạm, một nguyên tử Va chạm của một hạt
năng lượng cao đẩy năng lượng cao gây ra
của chúng và tương tác giữa các nguyên tử kề cận tương tác giữa một tập
chúng: khi năng lượng xung quanh tao thành hợp các nguyên tử. Hình
nguyên tử nhận được gia tâm dịch chuyển ( thành miền mật độ thấp
khuyết tật phức hợp) ở tâm điểm bắn phá (mật
tăng cao, xảy ra va chạm
độ nút trống cao) và miền
(tương tác) với các nguyên xung quanh có mật độ
tử kề cận nó, dẫn đến sự nguyên tử cao (miền các
khuyết tật xen kẽ đậm
hình thành “thác” va chạm đặc). Nhiệt độ trong miền
(collision cascade) ➔ các tác động của hạt năng
khuyết tật lan truyền trong lượng cao gia tăng mạnh
➔ điểm (tâm) nhiệt.
mạng tinh thể (**).
• Ảnh hưởng trực tiếp của chiếu xạ neutron đến cơ tính của kim loại:
Đa phần hư hại do chiếu xạ neutron trong kim loại là các khuyết tật nút
trống và nguyên tử tự xen kẽ sinh ra trong thác va chạm. Các khuyết tật
này cản trở chuyển động của lệch ➔ gây nên hoá bền của vật liệu.
• Ảnh hưởng gián tiếp của của chiếu xạ neutron đến cơ tính của kim loại
thông qua sự thay đổi cơ chế và mức độ tương tác giữa các nguyên tử:
- Phá huỷ trật tự của mạng tinh thể;
- Phân nhỏ các hạt pha kết tủa: khuyết tật phức hợp (tâm chuyển vị) có
thể phá vỡ các hạt kết tủa có kích thước nhỏ hơn tâm chuyển vị, hoà
tan trở lại vào dung dịch.
- Thúc đẩy quá trình tạo mầm: các vùng hư Chiếu xạ neutron
hại do các tâm chuyển vị có thể trở thành 3´1020 n.cm-2s-1

Ứng suất, MN/m2

các vị trí mầm kết tủa đối với các hợp kim
có pha kết tủa.
- Thúc đẩy quá trình khuếch tán: sự dư
Không chiếu xạ
thừa nút trống gia tăng tốc độ khuếch tán

Biến đổi cơ tính của hợp kim Zirconi sau

khi chiếu xạ neutron
Biến dạng, %
 2.5 ´1023 n.cm-2s-1 Thép không
• Chiếu xạ neutron có thể gỉ

Độ giãn nở, %
làm gia tăng thể tích (Fe-Cr-Ni)
(giãn nở) của vật liệu
(do gia tăng thể tích tự
do). Mức độ giãn nở phụ
thuộc vào cường độ
chiếu xạ và nhiệt độ. 1.2 ´1023 n.cm-2s-1

Nhiệt độ, oC
Thép không é n.cm-2s-1 ù - Đơn vị do dòng (flux)
gỉ ë û
neutron (số lượng neutron đi qua 1
Độ giãn nở, %

(Fe-Cr-Ni)
cm2 trong 1 s)

• Độ giản nở do chiếu xạ neutron

không thể khắc phục hoàn toàn,
chỉ có thể giảm bớt bằng cán
nguội, nhiệt luyện hoặc điều
chỉnh thành phần hoá học của
% (wt) Ni hợp kim.
4.3.4. Cấy ion :
• Cấy ion là phương pháp công nghệ được rất được quan tâm : các ion
được gia tốc trong điện trường (máy gia tốc tuyến tính) đến mức năng
lượng rất cao (~200 keV) được bắn vào bề mặt của vật liệu (bia) trong
môi trường chân không các ion được cấy vào bề mặt bia.
• Các ứng dụng của cấy ion: Thay đổi thành phần hoá học của lớp bề
mặt nhằm tăng khả năng chống ăn mòn, chống mài mòn, tăng cường
các tính chất cơ – lý khác, ….
• Ưu điểm so với các kỹ thuật thông dụng khác:
- Tiến hành ở nhiệt độ thường nên không làm hỏng bề mặt và biến đổi
kích thước chi tiết (có thể áp dụng cho bề mặt sau khi gia công tinh).
- Có thể cấy các ion kim loại, phi kim hoặc kết hợp cả hai.
- Có thể cấy ion chỉ trên các phần bề mặt cần thiết;
- Có thể đưa các ion (nguyên tố) vào bề mặt các vật liệu mà không một
phương pháp thông dụng nào có thể thực hiện được.

Mở ra một hướng mới trong công nghệ xử lý bề mặt có kiểm soát.

4.4. Khuyết tật đường
• Kết quả tính toán trên cơ sở chuyển động đồng thời của các nguyên tử
theo mặt trượt cho thấy độ bền lý thuyết của tinh thể cao hơn hàng trăm
lần so với độ bền xác định bằng thực nghiệm ➔ khái niệm (đã được
kiểm chứng) về sự tồn tại của khuyết tật đường được gọi là lệch
(dislocation)

Dịch chuyển tấm thảm hay chuyển động của con sâu sẽ cần lực
(công) ít hơn nếu theo sơ đồ trên (thay vì kéo lê trên mặt
sàn/đường). Chuyển động của các “sóng” (tương tự các đường
lệch trong cấu trúc tính thể) sẽ tạo nên dịch chuyển của tấm thảm
hay con sâu.
 Lệch biên (edge dislocation):
Véc tơ Burgers

Đường lệch

✓ Véc tơ Burgers vuông góc với đường lệch và song song với hướng ứng suất cắt
✓ Hướng chuyển động của lệch song song với hướng tác động của ứng suất cắt.

t
Đường lệch

Hướng chuyển động

của đường lệch

t
 Lệch xoắn (screw dislocation):

Đường lệch

Mặt dưới
Mặt trên

✓ Véc tơ Burgers song song với đường lệch và ứng suất cắt
✓ Hướng chuyển động của lệch vuông góc với hướng tác động của ứng suất cắt.
t
Hướng chuyển động
của đường lệch

Véc tơ Burgers

t đường lệch.
  Lệch hỗn hợp (mixed dislocation):
t
đường lệch
hỗn hợp

đường
lệch
đường lệch

t
xoắn

vòng lệch
biên
t véc tơ
Burgers

Lệch hỗn hợp: Véc tơ

Burgers không song
song cũng không vuông
góc với đường lệch,
mang tính chất của cả
lệch biên và lệch xoắn
lệch hỗn hợp lệch hỗn hợp (**).
 Lệch xoắn ốc (helical dislocation):
• Lệch có dạng xoắn ốc, có đặc trưng của lệch hỗn hợp, đôi khi được
tìm thấy trong tinh thể sau khi xử lý nhiệt.
a) b)
• Trong quá trình xử lý nhiệt, ngoài
chuyển động trượt, lệch còn chuyển
động nhờ cơ chế leo (lệch dịch chuyển
theo hướng vuông góc với mặt trượt)
➔ hình thành lệch xoắn ốc (nhờ kết Tinh thể chưa bị cắt
hợp giữa cơ chế trượt và leo).

Chuyển động của lệch biên (a) và

lệch xoắn (b) gây nên biến dạng dẻo
(cắt) của mẫu tinh thể
Tinh thể bị cắt một phần
a) Véc tơ Burgers vuông góc với
đường lệch và // hướng dịch
chuyển của đường lệch.
b) Véc tơ Burgers // với đường lệch
và vuông góc hướng dịch chuyển
của đường lệch.
Tinh thể bị cắt hoàn toàn
 Lệch độc lập (giao điểm
4.4.1. Quan sát thực nghiệm lệch giữa đường lệch và bề mặt)
 Các kỹ thuật quan sát lệch:
• Tẩm thực hoá học (ăn mòn hoá học) (etch pitting)
Bề mặt mẫu Bề mặt mẫu trước ăn mòn

Bề mặt mẫu
sau ăn mòn

Lệch liên kết

với ranh giới
Lệch hạt
• Nhiễu xạ X-ray.
• Hiển vi điện tử Ti tan Si
truyền qua (TEM-
Transmision
Electron
Microscopy): là
phương pháp
quan trọng và
phổ biến nhất.
 Al2O3 TiC

Lệch xoắn ốc
 a b Bằng TEM phân giải cao
(High-resolution TEM), có
thể quan sát các nguyên tử
và thấy được biến dạng của
mạng tinh thể xung quanh
một lệch.

a) Song tinh;
b) Song tinh có mặt phẳng nguyên
c tử xen kẽ (thừa)
c) Khuếch đại từ (b) cho thấy toàn
bộ mặt phẳng ng. tử xen kẽ

Ảnh hiển vi điện tử phân giải cao

(HRTEM) của một lệch trong tinh
thể Mo (BCC) với đường bao
Burgers xung quanh.
4.4.2. Hành vi của lệch
 Vòng lệch:
• Vòng lệch thông thường: Đường lệch có thể tồn tại dưới dạng vòng lệch
Mặt cắt AAAA

Vòng lệch
chữ nhật
CDEF t

Mặt cắt BBBB

Lêch biên CF (+) Lêch xoắn CD (+)
Lệch biên DE (-) Lệch xoắn FE (-)
Trong thực tế, vòng lệch thường có dạng ellip:

- Các đoạn lệch hỗn hợp trung gian

giữa lệch biên và lệch xoắn .
- Biến dạng được tạo ra khi vòng
lệch quét hết tiết diện của mẫu
Các vec tơ Burgers của vòng
lệch đều nằm trong mặt trượt,
• Vòng lệch lăng trụ (prismatic loop): Khác với vòng lệch thông thường,
được tạo thành do lỗi xếp chồng
Lỗi xếp chồng ngoại lai
(bổ sung một phần mặt tinh thể)

(a)
Các lệch (thành phần)
(b) Frank

Å
(a) (b)
Lỗi xếp chồng nội tại (khuyết
một phần mặt tinh thể).

Vòng lệch lăng trụ chỉ là lệch biên, véc tơ

Burgers vuông góc với mặt vòng lệch. Khi vòng
lệch dịch chuyển thoát ra khỏi bề mặt , sẽ tạo
ra một bậc lăng trụ (+) hoặc (-).

Các vòng lệch

(ảnh TEM)
 Chuyển động của lệch:
• Chuyển động của lệch gây nên biến dạng
dẻo của kim loại (cơ chế vật lý của biến
dạng dẻo).
• Biến dạng cơ bản trong thể tích tinh thể,
Lệch biên (+) và (-) được đặc trưng bởi Véc tơ Burgers, xác
định biên độ biến dạng cơ bản của lệch.
Lệch xoắn (+) và (-)
• Lệch (+) và (-) đều gây ra biến dạng cắt
như nhau, nhưng theo chiều ngược nhau.
• Mặt, trong đó các lệch chuyển động gọi là
mặt trượt (slip plane).

• Vòng lệch thông

thường (nằm trên t
mặt trượt) có thể
mở rộng và thoát
khỏi bề mặt tinh thể,
tao ra biến dạng cắt
cơ bản bằng véc tơ
Burgers t
• Các vòng lệch lăng trụ (chỉ gồm các lệch biên) không thể mở rộng như
các vòng lệch thông thường. Do mặt vòng lệch không trùng với mặt
trượt ➔ chuyển động của các lệch biên (theo hướng véc tơ Burgers)
kéo vòng lệch dịch chuyển vuông góc mặt phẳng của nó ➔ tạo một
bậc bằng véc tơ Burgers khi thoát ra khỏi bề mặt tinh thể.
▪ Các dạng chuyển động của lệch:
Trượt: lệch trượt trên mặt trượt của tinh thể. Trượt là chuyển động
bảo toàn, không cần có sự tham gia của khuếch tán nút trống (*) (**)

Leo: các nguyên tử nằm trên τ

đường trượt đổi chỗ cho các
nút trống, là chuyển động
không bảo toàn, xảy ra nhờ mặt trượt
có sự khuêch tán của nút
trống về phía tâm lệch. Leo là
quá trình hoạt nhiệt, xảy ra ở
nhiệt độ cao. (***). τ
Trượt của lệch biên
Trượt rẽ (cross slip): chỉ tồn tại đối với các lệch xoắn.
Phần lệch xoắn của vòng lệch có thể trượt rẽ sang mặt trượt khác . Véc
tơ Burgers // với giao tuyến giữa mặt trượt ban đầu và mặt trượt rẽ.
lệch xoắn

mặt
trượt rẽ
mặt
trượt ban
đầu
mặt trượt rẽ
mặt trượt ban dầu

tiếp theo, lệch có thể rẽ

tiếp sang một mặt trượt
khác // với mặt trượt ban
đầu (***).
 Các đặc trưng và tính chất của lệch:
✓ Một lệch có thể được xem như một “lượng tử” của biến dạng trong
thể tích tinh thể, được đặc trưng bởi Véc tơ Burgerss, xác định biên
độ biến dạng cơ bản của lệch.
✓ Lệch có vai trò quan trọng hàng đầu đối với các tính chất vật lý của
vật liệu tinh thể:
• Chuyển động của lệch tạo ra biến dạng dẻo và chi phối tính dẻo
của vật liệu;
• Biến dạng của mạng tinh thể do lệch làm cho các nguyên tử
khuếch tán dễ dàng hơn.
✓ Trường ứng suất đàn hồi xung quanh lệch: là trường ứng suất tương
tác ở khoảng cách xa, có thể:
• Tương tác với trường ứng suất gây nên bởi ngoại lực;
• Tương tác với trường ứng suất của lệch khác: đẩy giữa các lệch
cùng dấu và hút giữa các lệch trái dấu (triệt tiêu nhau giữa các
lệch trái dấu);
• Tương tác với mạng tinh thể: lệch phải vượt qua được “rào cản”
năng lượng để trượt, tương tự hiện tượng ma sát tĩnh ➔ lực
Peierls-Nabaro ➔ vật liệu nóng lên khi biến dạng dẻo.
4.4.3. Trường ứng suất xung quanh lệch
• Để đơn giản bài toán xác định trường ứng suất xung quanh lêch, giả
thiết: môi trường đẳng hướng và liên tục ➔ một lệch được mô tả hoàn
toàn chỉ bởi đường lệch và véc tơ Burgers.
• Xét mô hình lệch biên và lệch xoắn: đường lệch thẳng dài “vô cùng” là
tâm của hình trụ rỗng (bán kính ngoài R bán kinh trong ro).

Lệch xoắn Lệch biên

Trường ứng suất quanh lệch xoắn:

Trường chuyển vị: u = u = 0 , u ¹0
1 2 3
 Chuyển vị theo hướng x3 phụ thuộc vào góc xoắn θ:
b
u3 = f (q ) = q (khi q = 2p ® u3 = b)
2p
x2 b x2
tanq = Þ u3 = arctan (1)
x1 2p x1
Quan hệ giữa biến dạng và chuyển vị trong môi trường liên tục:
e11 = e22 = e12 = 0
1 æ ¶ui ¶u j ö
eij = ç + ÷ i, j = 1, 2, 3 ® 1 ¶u3 1 ¶u3 ¶u3
2 è ¶x j ¶xi ø e23 = ; e13 = ; e33 = =0
2 ¶x2 2 ¶x1 ¶x3
Thay (1) vào các biểu thức trên, nhận được:
-bx2 bx1
e13 = ; e23 =
4p (x1 + x2 )
2 2
4p (x12 + x22 )
Theo định luật Hooke tổng quát (đàn hồi), nhận được:
Gbx2 Gbx1
s13 = s 31 = 2Ge13 = - ; s 23 = s 32 = 2Ge23 =
2p (x1 + x2 )
2 2
2p (x12 + x22 )
G – mô đun cắt đàn hồi
 Trường ứng suất xung quanh lệch biên:
Bằng phương pháp tiếp cận tương tự (Môi trường LT + Đàn hồi Hooke),
nhận được:

Gbx2 (3x12 + x22 ) Gbx2 (x12 - x22 )

s11 = - ; s 22 = -
2p (1- n )(x1 + x2 )
2 2 2
2p (1- n )(x12 + x22 )2
Gbx1 (x12 - x22 ) Gbn x2
s12 = - ; s 33 = n (s 11 + s 22 ) = -
2p (1- n )(x1 + x2 )
2 2 2
p (1- n )(x12 + x22 )2

s 11 s 12
s 22 s 33
Các đường đồng mức biểu thị trạng thái ứng suất
xung quanh một lệch biên
4.4.4. Năng lượng của lệch
• Năng lượng biến dạng đàn hồi của 1 lệch có thể xác định bằng cách
tích phân năng lượng biến dạng đàn hồi trong toàn bộ phần thể tích
của tinh thể bị biến dạng do lệch.
1
Năng lượng biến dạng đàn hồi: U = s e
ij ij
Cho lệch xoắn: 2
Từ trường ứng suất và biến dạng xung quanh lệch xoắn (đã xác định
được), thay (x2 + x2 ) = r 2, ta có :
1 2
1 Gb2 x22 Gb2 x12  Gb2
Ux =  2 2 2 2 + 2 2 2 2  = 2 2
2  4 ( x1 + x2 ) 4 ( x1 + x2 )  8 r
Lấy tích phân biểu thức trên từ ro đến R, có:
R
Gb2 Gb2 R
=  2 2 2 rdr = ln
8 r 4
x
ro
ro
Cho lệch biên:
Gb2 R
Bằng phương pháp tương tự, ta nhận được: = ln
4 (1 − ) ro
b
1 3 3
» Þ Ub » U x
(1- n ) 2 2
• Các lệch trong tinh thể kim loại không hoàn toàn cô lập với nhau mà tạo
thành các dãy không đều với mật độ trung bình r (tổng độ dài lệch trong
một đơn vị thể tích, cm/cm3) ➔ trường ứng suất của các lệch tương tác
với nhau.
Mô hình phân bố lý tưởng
- Quãng đường tự do trung bình của mạng đường lệch
của các lệch (theo mô hình lý
tưởng ) » r -1/2 2D
- Có thể xác định bán kính ảnh
hưởng (R) của mỗi lệch từ r :
R = L / 2 ,L-khoảng cách trung
bình giữa các lệch 3D
Theo mô hình 2D:
Mỗi diện tích gạch chéo (L2) được
bao bởi 4 lệch ➔ mỗi lệch được
chia sẻ bởi 4 diện tích:
Diện tích L2 ➔ 1 lệch, hay 1 −1/2
→ =L −2
R = 
1 đơn vị diện tích ➔ ρ lệch 2
Theo mô hình 3D:
Mỗi thể tích gạch chéo (V = L3) được bao bởi 12 đường lệch (là các
cạnh của khối lập phương), 4 thể tích kề cận (chia sẻ) chung một
đường lệch. Như vậy ta có:
−1/2
12 L / 4 1  
= = 3 L−2 R = L /2
⎯⎯⎯ →  = 3(2 R ) −2
 R =   = 0.86  −1/2
L3 2 3 
Bán kính trung bình của lệch thường được nhận : R   −1/2
Năng lượng tổng của lệch bằng tổng năng lượng của tâm lệch (UT) và
năng lượng xung quanh (vùng ngoại vi) lệch (Ung):
US = UT +Ung Gb2
( UT = Cho kim loại)
10
Gb2 Gb2  −1/2 a =p /2: Lệch biên
U = +
10 4 (1 − )
(1 − cos  ) ln
2

5b a =0 : Lệch xoắn

Năng lượng của lệch thường được tính gần đúng bởi:

U = Gb2 / 2
 • Năng lượng của tâm lệch bằng khoảng 10% năng lượng tổng.
• Năng lượng của một lệch trên một mặt nguyên tử khoảng 3 eV (4.8 x
10-19 J) (bằng khoảng 3 lần năng lượng của nút trống).
4.4.5. Lực cần thiết để uốn cong lệch
• Khi không có tác động của trường ứng suất gây nên bởi ngoại lực
(trường ứng suất ngoại), đường lệch có xu hướng trở thành đường
thẳng (giảm độ dài nhằm tối thiểu hoá năng lượng).
• Khi đường lệch bị uốn cong bởi một lực đẩy, đường lệch bị kéo căng
và sinh ra một phản lực tác động chống lại lực đẩy.
Xác định lực uốn cong lệch F2:
Xét cung lệch AB (dài ds): ds
T – lực căng; F2 – ngoại lực
uốn cong lệch/ 1đv dài; F1 – A B dq / 2
phản lực của cung lệch. T F2 T
d d F1 / 2 dq F1 / 2
d sin 
F1 = 2T sin ⎯⎯⎯⎯ 2 2
→ F1  Td R
2

F2 ds = F1 = Tdq
 T
ds = R dq Þ F2 R dq = Tdq ® F2 =
R
Chấp nhận giả thiết gần đúng: lực căng (trên 1 đv độ dài lệch) bằng năng
lượng của lệch thẳng (US = Gb2 / 2) , nhận được:
F2 = Gb2 / 2R
Phương trình Peach – Koehler :
Biểu diễn quan hệ giữa lực tác dụng lên 1 đv độ dài lệch (F2) và ứng suất
cắt tác dụng theo hướng trượt (t ) trong mặt trượt.
dx2
- Xét hình hộp có độ dài các cạnh dx1, dx2, dx3. dx1
- Giả thiết 1 lệch có độ dài dx1, chuyển động
xuyên qua hình hộp dưới tác động của lực đơn g
vị (dài) F:
Công thực hiện bởi lệch: W = (Fdx1 )dx2 dx3
Nếu g là biến dạng cắt thực hiện bởi lệch:
g = b / dx3
Biến đổi năng lượng biến dạng của khối hộp:
U = (t g )dx1dx2 dx3 = (t b / dx3 ) dx1dx2 dx3
 W = U Þ (Fdx1 )dx2 = (t b / dx3 ) dx1dx2 dx3 Þ F = t b Peach -Koehler

F = Gb2 / 2R Ứng suất cần thiết để uốn

t = Gb / 2R cong lệch với bán kính R
F = tb
4.4.6. Lệch trong các cấu trúc tinh thể
 Lệch trong cấu trúc tinh thể FCC (lập phương tâm mặt)

• Phần lớn kim loại (55/80 hoặc hơn) có cấu trúc FCC (cấu trúc chặt chẽ
nhất, tương tự HCP).
• Khi một lệch quét qua, tinh thể có thể:
- Tái cấu trúc trở lại cấu trúc ban đầu: lệch hoàn hảo (perfect). Xảy ra
trong cấu trúc lập phương đơn giản, và có độ dài a (thông
số mạng).
- Không tái cấu trúc trở lại cấu trúc ban đầu: lệch không hoàn hảo (hay
lệch thành phần (partial)). Thường xảy ra trong cấu trúc FCC.
• Trong cấu trúc FCC mặt nguyên tử chặt chẽ nhất là (111). Các mặt này
được gọi là A, B, C tuỳ thuộc vào trình tự xếp chồng.
 x3
Các mặt mật độ nguyên tử
lớn nhất (111): A, B, C xếp
B
chồng lên nhau

[0 11]
E
b2
[10 1] b1 B B B B
x2
b3 C b1
D
[1 10]
A b2 b3
r
x1

- Chuyển động trượt của các nguyên tử mặt A có thể tái cấu trúc mạng tinh
thể được thể hiện bởi véc tơ burgers có hướng [10 1] và độ dài:

Trong hệ toạ độ Ox1x2x3:

 Cách biểu diễn đơn giản véc tơ Burgers:
Xác định độ lớn

Chỉ hướng
- Có khả năng phân tách thành :
từ từ

Dễ dàng chứng minh bằng hình học:

là các véc tơ xác định các lệch thành phần

Như vậy, có thể có khả năng phân tách một lệch hoàn hảo thành hai
lệch thành phần:
• So sánh giữa năng lượng của lệch hoàn hảo và của các lệch thành phần:
Gb12 Gb22 Gb32
 + hay b12  b22 + b32
2 2 2
a2 a2 a2 Năng lượng của lệch hoàn hảo > tổng năng lượng các
> + Þ lệch thành phần ➔ Năng lượng toàn phần của lệch giảm
2 6 6 khi lệch phân tách.
• Khi lệch hoàn hảo tách ra thành hai lệch thành phần, hình thành miền lỗi
xếp chồng (LXC - stacking fault) với độ rộng d o , xác định khoảng cách
giữa 2 lệch thành phần.
Lệch hoàn hảo
b2 , b3 − Các lệch thành phần Shockley
do Tách lệch

Lệch thành phần

(lệch Shockley)

do
Năng lượng tạo thành LXC: g sf. Lỗi xếp chồng
• Sự phân tách lệch sinh ra miền có sắp xếp các mặt nguyên tử bị xáo trộn
ABC AC ABC (thay vì ABC ABC ABC …) ➔ trong miền LXC có 4 mặt
nguyên tử sắp xếp theo trình tự CACA , hoàn toàn tương tự sắp xếp các
mặt nguyên tử trong cấu trúc HCP.
• Cấu trúc của miền LXC không ổn định về mặt nhiệt động học do có năng
lượng tự do Gibbs cao hơn của cấu trúc FCC cân bằng. Năng lượng này
( g sf) xác định khoảng cách giữa hai lệch thành phần: lực đẩy giữa hai
lệch thành phần cân bằng với lực hút nhằm làm giảm chiều rộng của
miền LXC.
• Khoảng cách cân bằng giữa hai lệch thành phần (d) có thể tính từ công
thức:
Gb2 b3 æ sinq2 sinq3 ö
g sf = ç cos q cos q + ÷ , é mJ / m2
ù (= 10-3
J / m2
)
2p d è 2 3
2 -n ø ë û
q2 , q3 - tương ứng là góc giữa và đường lệch.
Hoặc theo công thức đơn giản hoá sau:

Gb2 g sf - hiệu giữa năng lượng tự do của cấu trúc HCP và

năng lượng LXC trên một đơn vị diện tích (bằng
g sf =
2p d của cấu trúc FCC ở trạng thái ổn định nhiệt động)
 Thép AISI 304 Thép AISI 304
Song tinh

Lỗi xếp chồng

Lỗi xếp chồng

• Năng lượng LXC rất nhạy cảm với thành phần hóa hoc: thông thường
việc hợp kim hoá có tác động làm giảm năng lượng LXC.
• LXC ảnh hưởng đến siêu cấu trúc của lệch ➔ ảnh hưởng đến cơ tính
của vật liệu.
Lệch thành phần Frank (hay lệch bất động – sessile dislocation):
• Tồn tại trong cấu trúc FCC khi một phần mặt (đĩa) nguyên tử (111) bị
khuyết hoặc được thêm vào, tương ứng trình tự sắp xếp ABCABCA và
ABCBABC.
 Lỗi xếp chồng ngoại lai
(bổ sung một phần mặt tinh thể)

• Véc tơ Burgers của lệch Frank được xác

định bởi:
vuông góc với mặt (111)
Lệch Frank
Do véc tơ Burgers không nằm trong mặt
trượt (111) nên các lệch Frank bất động
trong mặt (111). Tuy nhiên, có thể dịch
chuyển vuông góc với mặt trượt.
Lỗi xếp chồng nội tại (khuyết
một phần mặt tinh thể). (111)

Lệch Lomer-Cottrell (hay khoá Lomer-Cotrell):

• Có thể xuất hiện trong cấu trúc FCC. 0
- Xét hai mặt (111) và (111) :
3 lệch hoàn hảo trên (111) xác định bởi các véc tơ (11 1)
Burgers :
 3 lệch hoàn hảo trên mặt (11 1) xác định bởi các véc tơ Burgers :

- Các lệch trùng hướng (giao tuyến giữa hai mặt) nhưng trái dấu,
sẽ triệt tiêu khi gặp nhau.

- Các lệch có thể kết hợp với nhau thành (?):

a2
a2
Năng lượng của các lệch : + = a2 ➔ sự kết hợp không xảy ra
do năng lượng không giảm. 2 2
- Các lệch có thể kết hợp với nhau thành:

Năng lượng của các lệch:

a2 a2 a2
+ > ➔ sự kết hợp có thể xảy ra do năng lượng giảm.
2 2 2
 Tuy nhiên, do véc tơ Burgers a/2[110] không nằm trong mặt (111) và (111),
nên lệch kết hợp từ bất động trong cả (111) và (111) ➔ tạo thành
khoá Lomer-Cotrell, cản trở chuyển động của các lệch bất kỳ trên hai mặt
trượt này.
a (11 1)
[101]
2

“Khoá” Lomer-Cotrell
a
[110]
2 (111) Lệch bậc thang (stair-rod)

a Hai lệch thành phần tương tác và làm bất động

[01 1] cặp lệch. Miền LXC có dạng bậc thang, bất động.
2
 Lệch trong cấu trúc tinh thể HCP Mặt lăng
• Mặt đáy là mặt tinh thể mật độ nguyên trụ

tử lớn nhất. Trình tự sắp xếp của các Mặt tháp c

mặt đáy là ABABAB.
• Với c/a > 1.633, trượt xảy ra chủ yếu
trên mặt đáy; với c/a <1.633, trượt có a
Mặt đáy
Cấu trúc lý tưởng
thể xảy ra trên mặt tháp và mặt lăng trụ. c/a = 1.633
 • Lệch hoàn hảo trượt trên mặt đáy cũng có thể phân tách thành 2 lệch
thành phần (tương tự FCC), giữa chúng là miền LXC (lệch thành phần
Shockley). Trong HCP chỉ có LXC nội tại (intrinsic).
• Các mặt đáy trong HCP (0001) tương
tự mặt (111) trong FCC. Lệch hoàn
hảo trong mặt đáy có véc tơ Burgers:

6 hướng
tương đương
Mặt đáy
HCP

 Lệch trong cấu trúc tinh thể lập phương tâm khối (BCC)
• Trong cấu trúc BCC, các hướng trượt (hướng có mật độ nguyên tử lớn
nhất) là thuộc họ <111>. Bất kỳ mặt nào chứa hướng trượt đều có thể
là mặt trượt trong BCC.
• Một lệch hoàn hảo trong BCC có thể tách thành các lệch thành phần
sau: a a a a
[1 11] = [110] + [112] + [1 10]
2 8 4 8
 Các lệch thành phần tương đương các lệch Shockley. Miền LXC có
năng lượng rất cao, khó quan sát thấy trên TEM.
• Các vết (dấu) trượt trong cấu trúc BCC thường có dạng sóng và khó
xác định.
4.4.7. Nguồn (sinh) lệch
Mật độ lệch gia tăng cùng biến dạng dẻo. Quan hệ giữa ứng suất cắt
(gây nên biến dạng cắt) và mật độ lệch: t µ r1/2
 Lệch sinh ra do phá vỡ liên kết nguyên tử:

t t t t t t

• Dưới tác dụng của ứng suất cắt, liên kết nguyên tử bị phá vỡ hình
thành hai lệch trái dấu chuyển động ngược chiều nhau.
• Cần ứng suất rất lớn (bằng độ bền lý thuyết) ➔ xác suất xảy ra rất
thấp, chỉ ở các vị trí tại đó đang tồn tại ứng suất nội rất lớn.
 • Trong biến dạng dẻo thông thường, mật độ lệch gia tăng với ứng suất
thấp hơn độ bền lý thuyết rất nhiều ➔ tồn tại các nguồn và cơ chế sinh
lệch khác.
 Lệch sinh ra từ ranh giới hạt:
• Ranh giới hạt có thể là nguồn
sinh lệch. Các vị trí bất thường,
không đều đặn (bậc, gờ) trên
ranh giới hạt có thể là nơi khởi
phát (nguồn) lệch vào trong thể
tích hạt.

Lệch phát ra từ các gờ trên ranh

giới hạt dưới tác động của chùm
điện tử (Ứng suất sinh ra do quá
trình nung nóng bởi trùm điện tử
tạo ra lực tác động lên nguồn lệch)

• Nguồn phát lệch từ ranh giới hạt có vai trò quan trọng trong giai đoạn
đầu của quá trình biến dạng dẻo của đa tinh thể.
 Lệch sinh ra từ bề mặt tự do:
• Trong đơn tinh thể, các bề mặt tự do có vai trò như các nguồn sinh
lệch. Các bậc nhỏ trên các bề mặt là nơi tập trung ứng suất (lớn hơn
vài lần so với ứng suất trung bình). Từ các vùng ứng suất tập trung,
các lệch có thể được sinh ra và phát tán vào thể tích đơn tinh thể.
• Trong đơn tinh thể chịu kéo, phần lớn lệch sinh ra từ bề mặt (mật độ
lệch trong lớp bề mặt (dày ~200μm) cao hơn 5-6 lần trong thể tích).
Tuy nhiên, đối với đa tinh thể, nguồn sinh lệch từ bề mặt không có hiệu
ứng đáng kể (do phần lớn hạt (đơn tinh thể) không nằm trên bề mặt).
 Lệch sinh ra từ bề mặt phân giới (interface) nền-cốt trong composit:
• Các mặt phân giới không kết hợp (incoherent) giữa pha nền và pha gia
cường trong composite nền kim loại (MMC), giữa pha nền và các hat
pha kết tủa, giữa bề mặt kim loại và lớp oxit, … đều có thể là nguồn
sinh lệch
(+) Oxit
Các ng. tử O khuếch tán vào bề mặt KL ➔ mạng
(− ) Kim loại
tinh thể bị giãn, tác động lên lớp oxit ư/s kéo (+).
Xu thế co lại của lớp oxit tác động lên lớp bề mặt Kim loại đã biến dạng trước,
KL ư/suất nén (-) ➔ ư/s dư tập trung tại các bậc trên bề mặt tồn tại các bậc.
đủ lớn sẽ kích hoạt nguồn lệch.
Mặt phân giới oxit-kim loại
 Lệch sinh ra trong quá trình phát triển epitaxy của tinh thể:
• Trong công nghệ lắng
đọng hơi hoá học (CVD),
tinh thể của màng mỏng
(được nuôi từ pha hơi)
phát triển trên bề mặt lớp
aB
nền (substrate) .
• Do sự khác biệt thông số
mạng giữa nền và tinh aA
thể màng mỏng
➔ hình thành Tinh thể
các lệch. epitaxy
Khoảng cách
giữa các lệch có
thể xác định bởi:
Nền
a2A
d=
aA - aB d
 Lệch sinh ra do tương thích với thiên tích của các hạt tạp chất :
• Trong quá trình kết tinh của tinh thể, có thể xảy ra sự thiên tích theo chu
kỳ của các hạt tạp chất. Sự biến đổi thành phần theo chu kỳ dẫn đến sự
biến đổi thông số mạng tinh thể ➔ hình thành các lệch nhằm tương thích
với sự biến đổi khoảng cách giữa các nguyên tử (thông số mạng).
 Nguồn và cơ chế sinh lệch Frank - Read :
• Xét đường lệch ABCD có véc tơ Burgers . Trong mặt trượt a chỉ có
đoạn lệch BC là
di động dưới tác
dụng của ứng
suất áp đặt t ,
còn các đoạn t t
AB, CD bất động
(do nằm ngoài
mặt trượt). Do bị
“kẹp” ở hai đầu,
BC bị uốn cong
dưới tác dụng
của lực uốn F.
 T T – lực căng / 1đv dài đoạn lệch
F= R – bán kính cong của đoạn lệch
R
• Bán kính cong của đoạn lệch giảm dần cho đến giá trị cực tiểu = BC/2
(đoạn lệch tạo thành ½ đường tròn đường kính BC), ứng với F (hay t )
cực đại ➔ đoạn lệch ở trạng thái không ổn định.
• Tại trạng thái tới hạn, P và P’ là hai đoạn lệch trái dấu, hút nhau và triệt
tiêu ➔1 vòng lệch khép kín được tạo thành (tiếp tục lan truyền) và một
đoạn lệch BC mới được tạo thành (lặp lại quá trình, sinh một vòng lệch
mới) (**)(***).
• Ứng suất cần thiết để kích hoạt nguồn Frank-Read chính là ứng suất
cần thiết để uốn cong đoạn lệch BC đến bán kính cong R = BC/2 (sau
thời điểm BC tạo thành nửa đường tròn, ứng suất sẽ giảm):
Gb Gb
t= =
2R BC
• Do vòng lệch vừa được tạo thành có tương tác đẩy trở lại lên đoạn lệch
BC nên ứng suất cần thiết để tạo thành vòng lệch tiếp theo gia tăng. Sự
tương tác trở lại sẽ mất đi khi vòng lệch thoát khỏi vật liệu.
• Nguồn Frank – Read có thể hình thành khi lệch xoắn thực hiện trượt rẽ
(cross – slip):
Lệch xoắn

Mặt trượt rẽ
Nguồn
Frank -
Read

Mặt trượt ban

đầu

Mặt trượt kế tiếp

Các lệch biên không thể trượt rẽ vì véc tơ Burgers của chúng không nằm
trong mặt trượt rẽ. Véc tơ Burgers của lệch xoắn // với đường lệch, do đó
nằm trong mặt trượt ngang (rẽ) nếu giao tuyến giữa hai mặt trượt // với nó.
• Đoạn lệch bị kẹp bất động hai đầu và trượt ngang là hai cơ chế sinh lệch
quan trong trong quá trình biến dạng dẻo.
4.4.8. Chồng lệch (dislocation pileups)
• Nếu không có các điều kiện thuận lợi để trượt rẽ, các lệch sinh ra từ
nguồn Frank-Read đều nằm trên một mặt trượt. Nếu trong quá trình lan
truyền, lệch đầu tiên bị cản trở bởi chướng ngại (ranh giới hạt, hạt kết tủa,
…), các lệch tiếp theo sẽ dồn lại thành chồng sau lệch đầu tiên, trước
chướng ngại. Chồng lệch có thể bao gồm các lệch biên hoặc các lệch
xoắn. t
• Vật liệu có năng lượng LXC nhỏ, các .....
băng LXC hình thành dễ dàng, cản n 6 5 4 3 2 1 0
trở trượt rẽ ➔ chồng lệch hình
t
thành. Vật liệu có năng lượng LXC xi
lớn, các băng LXC khó hình thành,
trượt rẽ của lệch biên không bị cản Cu
trở ➔ chồng lệch biên sẽ bị phá huỷ.

Các chồng lệch trước các ranh

giới hạt (các lệch có thể sinh ra
từ nguồn Frank-Read hoặc phát
ra từ nguồn ranh giới hạt)
(Ảnh SEM mẫu tẩm thực HH)
• Mỗi lệch trong chồng lệch ở trong trạng thái cân bằng dưới tác động
của ứng suất tác dụng (ngoại lực) và ứng suất nội (tương tác giữa lệch
trong chồng). Giả thiết chồng lệch chỉ bao gồm các lệch biên // với nhau
(các lệch xoắn đã trượt rẽ sang các mặt trượt khác), ta có phương trình
cân bằng:
n
Gb2 n – số lượng lệch trong chồng;
tb-å = 0 t - ứng suất tác dụng ;
( )(
j=0 2p 1- n
i¹ j
)
xi - x j (xi - x j )- khoảng cách giữa 2 lệch i , j.
(x1 - x0 ) = X1
(x2 - x1 ) = X2 Giải hệ phương trình đại số n ẩn (Xi , i =1, n),
........ xác định được khoảng cách giữa các lệch.
(xn - xn-1 ) = X n
• Ứng suất tác dụng lên lệch đầu chồng (đối diện với chướng ngại), t* ,
được xác định theo công thức:

t = nt
* (Gấp n lần ứng suất tác dụng)

• Giả thiết chồng lệch chỉ gồm các lệch xoắn, có thể áp dụng cách tính
tương tự như trên với phương trình cân bằng:
n
Gb2
tb- å =0
j=0
i¹ j
(
2p xi - x j )
 • Độ dài chồng lệch L dưới tác dụng của ứng suất cắt t được xác định
bởi:
 nGb a =1 Chồng lệch xoắn.
L= ,
 a = (1- n ) Chồng lệch biên.
(Chồng lệch đôi khi được xem như một siêu lệch với véc tơ Burgers bằng
)

4.4.9. Giao nhau giữa lệch

• Khi chuyển động trên một mặt trượt, một lệch có thể gặp các lệch trượt
trên các mặt trượt khác (giống như các cây trong “rừng” lệch).
• Khi một lệch cắt một lệch khác , sẽ tạo ra một “bậc” (kích thước b) nếu
một phần của nó chuyển sang mặt trượt khác, hoặc sẽ tạo ra một
“bước” nếu nó vẫn nằm trên mặt
Bán mặt tinh thể
trượt ban đầu. Bậc và bước
đều có thể có tính chất của Đường lệch
lệch biên hoặc lệch xoắn. Bước
• Khả năng trượt của các bậc và Bậc
bước cùng với lệch có vai trò
quan trọng đối với hoá bền của
vật liệu. Mặt Trượt
 A Bậc
A
C C E Bước
X E X
Bước P P¢
K¢ Q¢
K Q
Bậc
(a) H
H¢ N
B N¢
Y D B
F D F Y
Hướng chuyển Một lệch biên cắt các lệch biên và lệch xoắn
động của lệch
A A
C C
E Bước
X
X Bậc
E
(b)
B
Y D B Y
F D F
Một lệch xoắn cắt các lệch biên và lệch xoắn
• Cắt giữa hai lệch biên có véc tơ Burgers vuông góc với nhau XY và AB
(hình (a)):
- XY không thay đổi;
- AB: tạo thành bậc PP’ độ lớn bXY, là lệch biên nhỏ với véc tơ Burgers .
• Cắt giữa hai lệch biên có véc tơ Burgers // nhau XY và CD (hình (a)):
- XY: tạo thành bước QQ’ độ dài bAB;
- CD: tạo thành bước KK’ độ dài bXY.
• Cắt giữa 1 lệch biên và 1 lệch xoắn vuông góc nhau XY và EF (hình (a)):
- XY: tạo thành bậc NN’;
- EF: tạo thành bậc hoăc bước HH’. HH’ là bước nếu nằm trong mặt trượt
của EF (hướng trượt của EF và XY trùng nhau). HH’ là bậc nếu nằm trong
mặt trượt khác với EF (hướng trượt của EF và XY khác nhau).
• Cắt giữa hai lệch xoắn vuông góc với nhau XY và EF (hình (b):
- XY: tạo thành bậc hoặc bước.
- EF: tạo thành bậc hoặc bước.
 Chuyển động của lệch chứa các bậc và bước:
• Lệch biên chứa bậc: bậc PP’ (hình (a)) có tính chất của lệch biên, không
cản trở trượt của lệch biên AB.
• Lệch biên chứa bước: bước KK’ (hình (a)), có tính chất của lệch xoắn,
cản trở trượt của lệch biên (CD).
• Lệch xoắn chứa bước: bước HH’ (Hình (a)) mang tính chất của lệch
biên, cản trở chuyển động của lệch xoắn EF.
• Lệch xoắn chứa bậc: bậc HH’ (Hình
(a)) trượt trong mặt khác với mặt (a ) E
trượt của lệch xoắn EF. Khi EF trượt, (b )
bậc HH’ chỉ có thể dịch chuyển bằng
(q ) H¢
leo (nhiệt hoạt, khuếch tán nút trống).
HH’ (lệch biên nhỏ) trượt trong mặt (β), H
lệch xoắn EF trượt trong mặt (α) ➔ bậc Hướng trượt
HH’ bất động (trượt), chỉ có thể dịch của lệch xoắn
chuyển theo cơ chế leo trong (θ) F

 Chuyển động của lệch xoắn chứa các bậc:

• Bậc cản trở chuyển động của lệch xoắn. Chuyển động leo của bậc chỉ có thể xảy
ra ở nhiệt độ cao ➔chuyển động của lệch xoắn phụ thuộc nhiệt độ.
• Hai bậc bất động “kẹp” một đoạn lệch có thể tạo thành nguồn sinh lệch Frank –
Read. Lệch xoắn bị uốn cong giữa hai bậc với bán kính R = a Gb / t .
 Hướng trượt của lệch xoắn
• Các bậc trượt trong mặt
trượt của chúng dưới tác
Mặt trượt
dụng của lực, sinh ra do của lệch
chênh lệch sức căng xoắn
trong hai đoạn lệch xoắn
ở hai phía của bậc.
• Hai bậc gần nhau, trong
quá trình trượt có thể Hướng trượt của các bậc
gặp nhau và kết hợp
thành siêu bậc (kích
thước bằng 2 hoăc nhiều T T
lần b).
• Các bậc còn lại có khoảng R R R
cách tương đối đồng đều.
Lực tác dụng gây nên trượt của bậc
 Chuyển động của lệch xoắn chứa siêu bậc:
• Các bậc với độ cao khác nhau có tác động khác nhau lên chuyển động của lệch
xoắn:
- Bậc nhỏ bị kéo theo lệch và để lại sau các khuyết tật điểm (a);
- Bậc rất lớn (b), các lệch NY và XM chuyển động độc lập nhau;
 Các khuyết
tật điểm N
Hướng trượt
của lệch xoắn
P

M Lưỡng cực

- Bậc vừa (c), các lệch NP và MO tương tác

với nhau tạo thành lưỡng cực.

• Nếu nhiệt độ không đủ lớn để

N kích hoạt leo, bậc NM bất động
➔ khi lệch xoắn chuyển động,
sẽ tạo thành lưỡng cực. Tại
M một điểm nào đó, lưỡng cực
triệt tiêu, tạo thành vòng lệch.
4.4.10. Biến dạng do chuyển động của lệch (phương trình Orowan)
• Khi di chuyển, mỗi lệch tạo ra một biến dạng nhất định (“lượng tử” biến
dạng) trong vật liệu. Biến dạng này không đồng nhất.
• Nếu tổng hợp chuyển động của một số lượng lệch trên các hệ mặt
trượt khác nhau (tạo ra một số lượng lớn “bậc” lệch thoát ra bề mặt vật
liệu), ta sẽ có biến dạng “vi mô” đồng nhất.

dg 13

dx3
dx2 x3
x2 dx1
x1 O
O

• Phương trình Orowan biểu thị quan hệ giữa biến dạng dẻo, số lượng
lệch chuyển động và quãng đường mà các lệch vượt qua.
Xét khối hộp kích thước dx1, dx2, dx3 , được cắt bởi N lệch biên trượt
trong mặt phẳng Ox1x2. Biến dạng cắt có thể biểu diễn bởi phương
trình: Nb
dg = b – độ dài của véc tơ Burgers
13
dx3
Tổng chiều dài lệch trong thể tích dx1.dx2.dx3 là: N.dx2➔ mật độ lệch ρ
được xác định bởi:
Ndx2
r= ® N = r dx1dx3
dx1dx2 dx3

dg 13 = r bdx1
Trong thực tế, không phải tất cả lệch sinh ra trên 1 mặt đều vượt quãng
đường dx1 và thoát khỏi mặt đối diện, mà một số bị giữ lại trong vật liệu
➔ biến dạng gây ra bởi mỗi lệch chỉ liên kết với quãng đường mà nó
vượt qua. Giả thiết quãng đường trung bình mà các lệch vượt qua là l ,
ta có:
g 13 = r bl
Trong trường hợp biến dạng thông thường, 5 hệ trượt độc lập được kích
hoạt, hướng biến dạng không hoàn toàn trùng với hướng chuyển động
của lệch ➔ cần đưa vào hệ số hiệu chỉnh k. Khi đó ta có:
 g p = k r bl Phương trình Orowan

Giả thiết mật độ lệch di động không chịu ảnh hưởng của tốc độ biến dạng
(không phụ thuộc thời gian) , đạo hàm hai vế của PT Orowan theo thời
gian ta có: d dl d
= k b + klb
p

dt dt dt

Tốc độ chuyển động trung bình của lệch.

Ví dụ: sắt (b ≈ 0,25 nm=0.25 x 10-7 cm) biến dạng với tốc độ 10-3 s-1, mật
độ lệch là 1010cm-2 ➔ tốc độ trung bình của lệch sẽ bằng khoảng 4 x 10-6
cm/s.

Lưu ý: mật độ lệch di động trong vật liệu chỉ là một phần của mật độ lệch
tổng. Trong quá trình biến dạng, mật độ của lệch tăng dần, tuy nhiên, số
lượng lệch bị giam giữ trong vật liệu cũng gia tăng. Các chướng ngại cản
trở chuyển động của lệch rất đa dạng: ranh giới hạt và siêu hạt, các bậc
lệch bất động, các hạt pha kết tủa phân tán, ….
4.4.11. Ứng suất Peierls - Nabarro
• Ứng suất Peierls – Nabarro là trở kháng của mạng tinh thể đối với
chuyển động của lệch.
Rào năng lượng
Véc tơ trượt E Peierls-Nabbaro

EPN
Eo x
b
Ứ. suất rào cản Peierls-Nabbaro

τ = (l/b)dE/dx
t PN
x

• Để dịch chuyển một khoảng cách b (độ dài véc tơ Burgers), lệch phải
thắng được năng lượng rào cản Peierls-Nabarro, xác định bởi chênh
lệch năng lượng giữa vị trí cân bằng (ổn định – điểm yên ngựa) và vị trí
mất ổn định nhất (đỉnh). Ứng suất tác động cần thiết để lệch vượt qua
được hàng rào năng lượng gọi là ứng suất Peierls – Nabarro.
• Lệch không dịch chuyển đồng thời trên toàn bộ chiều dài mà theo cơ
chế Seeger: một cặp bước (kink pair) được hình thành trước và lan
truyền theo chiều dài lệch.
b
vD = vK
L
vK, vD – tương ứng là tốc độ của bước L
(kinks) và của lệch (dislocation). b
• Với năng lượng của lệch khi vượt qua rào
cản được xác định bởi U(x), lực cần thiết
để đưa lệch lên đỉnh của rào năng lượng Cơ chế cặp bước Seeger
sẽ được xác định bởi: dU
F =-
dx
Với phương trình Peach-Koehler (F = t b), ta có:
1 dU
t =-
b dx
Giả thiết U(x) có dạng đường sin, biểu thức trên dẫn đến:
c – khoảng cách giữa các nguyên tử theo
Gb - p a/c 2p x hướng x; a là thông số mạng; a là thông số
t PN =a e sin phụ thuộc vào bản chất rào cản ( a = 1 cho
2c c
rào cản dạng đường sin)
4.4.12. Chuyển động của lệch: hiệu ứng nhiệt độ và tốc độ biến dạng
• Trở kháng biến dạng dẻo của các tinh thể được xác định bởi ứng suất
cắt cần thiết để làm cho các lệch chuyển động trên các mặt trượt của
chúng.
• Trong các kim loại thực (không lý tưởng), bản chất và sự phân bố các
chướng ngại đối với chuyển động của lệch xác định hành vi cơ học
của vật liệu.
• Nhiệt năng có vai trò quan trọng, trợ giúp cho lệch vượt qua chướng
ngại.
Ứng suất cần thiết cho biến dạng dẻo, t , có thể chia ra hai thành phần:
thành phần phụ thuộc trực tiếp vào nhiệt độ và tốc độ biến dạng, t * , và
thành phần trong đó sự phụ thuộc vào nhiệt độ được thể hiện gián tiếp
thông qua mô đun đàn hồi cắt, t .
G

- Các đặc trưng đàn hồi (E, G, hệ số Poisson) phụ thuộc ít vào nhiệt độ:
T gia tăng ➔gia tăng biên độ dao động của nguyên tử (tần số dao
động không đổi ~1013 s-1) ➔ giãn nở nhiệt ➔ biến đổi khoảng cách
giữa các nguyên tử và lực tương tác giữa chúng.
 - Ứng suất chảy của kim loại nhạy cảm hơn với nhiệt độ và tốc độ biến
dạng.

Al2O3
MgO Mô đun Young (E) phụ
thuộc vào nhiệt độ đối với
E, GPa

ThO2
một số vât liệu khác nhau
Siêu HK 718 Tf = 1520oC
(E phụ thuộc ít vào nhiệt
Thép khg gỉ Tf = 1410oC
độ)
Ti Tf = 1668oC

Al Tf = 1668oC

Nhiệt độ, oC

t t* / G
Phụ thuộc của ứng suất chảy
G
(cắt) vào nhiệt độ và tốc độ
biến dạng đối với vật liệu lý tG / G
tưởng ( t G không phu thuộc
vào nhiệt độ) to to to
Nhiệt độ, oK
 Kim loại Cu - 2%Sn

Ư. suất ngưỡng, MN/m2

Kim loai BBC
BBC có
Ư. suất ngưỡng, MN/m2

độ nhạy
cảm với s*
nhiệt độ
và tốc độ sG Kim loai FCC
biến dạng
cao hơn Nhiệt độ, oK

kim loại
FCC. Kim loại FCC có độ nhạy cảm
Nhiệt độ, oK
với nhiệt độ và tốc độ biến
dạng thấp hơn kim loại BCC.
Sự khác nhau về độ nhạy cảm với nhiệt độ và tốc độ biến dạng giữa kim
loại BCC và FCC là do cơ chế kiểm soát chuyển động của lệch khác nhau:
- BCC: ứng suất Peierls-Nabarro là trở ngại (tầm ngắn) chính ở nhiệt độ
thấp. Nhiệt năng có thể trợ giúp lệch vượt qua trở ngại này một cách
hiệu quả.
- FCC: Trở ngại chính là “rừng” lệch ( lệch giao nhau với lệch). Nhiệt năng
trợ giúp lệch vượt qua các chướng ngại này kém hiệu quả hơn.
 ( )
• Quan hệ giữa tốc độ chuyển động của lệch (v), ứng suất tác dụng  ,
và nhiệt độ (T) được biểu diễn bởi phương trình Johnston – Gilman:

A – Hệ số phụ thuộc vào vật liệu và bản

æ Q ö chất của lệch (biên hay xoắn); m là hệ số
v = At m exp ç - nhạy cảm của tốc độ lệch với ứng suất;
è RT ÷ø Q – năng lượng kích hoạt; R – Hằng số
khí lý tưởng; T – nhiệt độ oK.
(Biểu thức trên chỉ áp dụng cho tốc độ chuyển động của lệch < tốc độ
truyền sóng cắt đàn hồi (cho Fe: ~3000 m/s)).

4.4.13. Lệch trong vật liệu điện tử

• Công nghệ chế tạo vật liệu điện tử bao gồm hai khâu quan trọng: chế
tạo nền (substrate) không có lệch và phủ màng mỏng epitaxy trên mặt
nền (bằng phương pháp lắng đọng hơi hoá học – CVD).
• Sự tồn tại lệch trong màng mỏng sẽ gây ra rào cản đối với điện trường
và qua đó ảnh hưởng đến các tính chất điện tử của mảng mỏng. Để
trong màng epitaxy không có lệch, thông số mạng của nền và màng
phải như nhau.
 màng af , as – tương ứng thông số mạng
của màng và của nền (substrate).
a f ¹ as
nền h, hc – tương ứng độ dày và độ dày
tới hạn của màng mỏng (ứng với giá
trị tới hạn của năng lượng biến dạng:
lệch hình thành).
Màng liên kết liền mạng
Liên kết liền mạng, màng mỏng
biến dạng đàn hồi (kéo giãn) để
hai mạng tinh thể tương thích
(biến dạng đàn hồi thích nghi của
màng)

Liên kết bán liền mạng

Liên kết bán liền mang, biến

dạng đàn hồi thích nghi của
màng + lệch
Do độ dày của nền >>> độ dày của màng mỏng ➔ biến dạng đàn hồi
tương thích (thích nghi) xảy ra hoàn toàn trong màng mỏng:
a as − a f
= 
a as
Trường hợp liên kết liền mạng hoàn toàn:
- Năng lượng biến dạng của màng có độ dày h (độ dài =1đv):
E 2 E Mô đun đàn hồi hai chiều (cho trạng thái ứng
Uh =  h , − suất phẳng, từ định luật Hooke tổng quát)
1 − 1 −
Trường hợp liên kết liền mạng không hoàn toàn:
- Khi năng lượng biến dạng đạt giá trị tới hạn, các lệch được tạo thành
trong màng với khoảng cách S biến dạng đàn hồi của màng giảm từ ε
xuống (ε - b/S). 2
E  b
Uh = h − 
1 −  S
- Năng lượng của lệch (trong màng):

Gb2 2  h 
UD = ln  
4 (1 − ) S  b 
 Tổng năng lượng trong màng mỏng:
2
E  b Gb2 2  h 
U = U h + U D = h −  + ln  
1 −  S  4 (1 − ) S  b 
Xác định độ dày tới hạn của màng mỏng (hc):
Năng lượng tổng sẽ đạt giá trị cực tiểu khi khoảng cách giữa các lệch (S)
là “vô cùng” hay 1/S = 0
Đạo hàm UΣ theo biến 1/S, có:
¶US E æ bö Gb2 æ hö
= -2 hç e - ÷ + ln ç ÷ = 0
¶(1/ S) 1- n è S ø 2p (1- n ) è b ø
Cho 1/S = 0, có:
Phương trình hc Gb b æ E ö
Matthews- = =
ln(hc / b) 4p Ee 8p (1+ n )e çè G = 2(1+ n ) ÷ø
Blakeslee

4.5. Khuyết tật mặt (2D)

Khuyết tật mặt (hay mặt phân giới – 2D) bao gồm: mặt tự do của vật liệu,
ranh giới hạt, mặt song tinh, mặt đối pha, mặt ranh giới miền (domain).
4.5.1. Ranh giới hạt
• Ranh giới hạt là dạng khuyết tật
mặt có vai trò quan trọng nhất đối
với cơ tính của vật liệu (hầu hết các
kim loại và ceramic dùng trong công
nghiệp là đa tinh thể).

Sơ đồ các hạt (đơn tinh thể) trong

kim loại hoặc ceramic đa tinh thể. Mỗi
hạt có đinh hướng tinh thể riêng.

Đa tinh thể
TiC

Đa tinh thể
Tantalum
(Ta)
• Ranh giới hạt là miền chuyển tiếp giữa các hạt kề cận nhau, có thể
chứa các loại lệch.
• Khi độ lệch hướng tinh thể giữa hai hạt nhỏ, ranh giới hạt có thể được
mô tả bởi hình thái cấu trúc đơn giản của các lệch (vd: tường gồm các
lệch biên): ranh giới góc nhỏ (low-angle boundary). Khi độ lệch hướng
lớn – cấu trúc phức tạp hơn: ranh giới góc lớn (high-angle boundary).
• Thông thường, ranh giới hạt có 5 bậc tự do: 3 bậc tự do đặc trưng cho
định hướng của 1 hạt so với 1 hạt khác, 2 bậc tự do đặc trưng cho định
hướng của ranh giới hạt so với một trong các hạt.
• Cấu trúc của hạt thường được đặc
trưng bởi độ dài chặn trung bình, l ,
xác định bằng phương pháp chặn
tuyến tính. L
l =
Nl M
L – độ dài đường thẳng, Nl – số lượng
giao điểm giữa đường thẳng và ranh
giới hạt; M – độ phóng đại của ảnh.
(Cần kẻ nhiều đường để có kết quả
trung bình chính xác hơn)
• l liên kết với diện tích mặt ranh giới hạt trong một đơn vị thể tích, Sv,
theo công thức sau: 2 (R.T. deHoff & F.N. Rhine, Quantitative
l = Microscopy, McGraw-Hill, 1968)
Sv
Giả thiết hạt có dạng cầu bán kính r :
1 4p r 2 3 3 Hệ số 1/2 : hai hạt chung nhau 1
Sv = = = mặt ranh giới; D – đường kính
2 (4 / 3)p r 2r D
3
trung bình của hạt.

3 3 L
D= l =
2 2 Nl M
Ví dụ: độ dài đường thẳng là 7 cm, số lượng giao điểm là 9, độ phóng đại
của ảnh là 500, ta có:
7 ´10 4 3
l = » 15.6 m m ® D = 15.6 = 23.4 m m
9 ´ 500 2
a) Ranh giới hạt nghiêng (tilt) và xoắn (twist)
 Ranh giới hạt nghiêng:
• Được tạo thành từ các lệch biên.
• Quan hệ giữa độ lệch SD – Khoảng cách giữa
hướng giữa hai hạt kề các lệch
nhau (θ) và khoảng b – véc tơ Burgers
cách giữa các lệch:
b/ 2
SD = SD =
b
sin(q / 2) q
Hạt I
Với θ rất nhỏ
Hạt II
SD
b
SD @
q
Trục xoay Mặt ranh giới
• Sự lệch hướng trong trường hợp
ranh giới nghiêng (θ ≤ 10o) có thể
mô tả bởi sự xoay hạt xung quanh
trục // với mặt ranh giới (tường lệch
nghiêng đối xứng: định hướng 2 hạt
đối xứng qua ranh giới). Trục xoay
Mặt đối xứng
• Khi độ lệch hướng (θ) gia tăng
[100]
➔ khoảng cách giữa các lệch
(SD) giảm.
• Khi θ lớn, không thể mô tả ranh
giới hạt bởi sự sắp xếp của các j
lệch biên. Khi SD nhỏ bằng 1 ÷ 2
khoảng cách giữa các nguyên tử
(a), ranh giới hạt trở thành vùng
hỗn độn cục bộ ➔ năng lượng
của tâm lệch cao, ranh giới hạt q
mất ứng xử cơ học đàn hồi SD^
tuyến tính.
Tồn tại ranh giới hạt nghiêng không
đối xứng:
b^ Ranh giới góc
SD^ =
q cosj nhỏ không đối
xứng trong tinh
b thể lập phương
SD = đơn giản SD
q sinj [100]
 Ranh giới hạt xoắn:
• Được tạo thành từ các lệch xoắn.

q Ranh giới hạt được tạo thành từ các

lệch xoắn của hạt I và hạt II

Ranh giới
xoắn

q
(I )
(II ) Trục xoắn

Sự lệch hướng tinh thể cũng có thể được

tạo ra do sự kết hợp giữa các lệch biên và
lệch xoắn. Khi đó, ranh giới hạt được tạo
thành bởi mạng lệch biên và lệch xoắn.
b) Năng lượng của ranh giới hạt
• Mô hình lệch của ranh giới hạt có thể sử dụng để tính toán năng lượng
của ranh giới góc nhỏ : θ ≤ 10o và khoảng cách giữa các lệch (SD) lớn
hơn vài khoảng cách giữa các nguyên tử. Ta có:

b 1
@ q £ 10 @ rad ® SD » 6b
o

SD 6
• Năng lượng của ranh giới hạt ( EGB ) bằng tổng năng lượng của các
lệch trên một đơn vị chiều dài.
Đặt E - là năng lượng biến dạng cho mỗi lệch trong ranh giới hạt và
^
ET là năng lượng của tâm lệch, ta có, :
qé Gb2 æ SD ö ù
EGB = E^ (1/ SD ) = E^ (q / b) = ê ln ç ÷ + ET ú , ro » b
b êë 4p (1- n ) è ro ø úû
Với ET = Gb 2
, B - là thông số phụ thuộc vật liệu (kim loại : B = 10), ta
B
có:
qé Gb2 æ SD ö Gb2 ù Gbq æ 1 4p (1- n ) ö
EGB = ê ln ç ÷ + ú= ç ln + ÷ø
b ë 4p (1- n ) è b ø B û 4p (1- n ) è q B
 Gbq Gb
EGB =
4p (1- n )
( - lnq + A) = Eoq ( A - lnq ) , Eo =
4p (1- n )
4p (1- n )
A - là thông số phụ thuộc vật liệu, đối với kim loại A »
10
c) Biến đổi của năng lượng ranh giới hạt theo độ lệch hướng tinh thể
• Do trong biểu thức của EGB có chứa thành phần (- ln q ) , nên khi hai
ranh giới góc nhỏ sáp nhập lại thành một ranh giới góc lớn sẽ làm cho
năng lượng EGB giảm đáng kể ➔ các ranh giới góc nhỏ có xu hướng
kết hợp với nhau tạo thành các ranh giới góc lớn.
• Ranh giới góc lớn được tạo thành từ
các miền (tương đối rộng) trong đó
các nguyên tử sắp xếp khít nhau phân
tách bởi các miền không khít ( gắn với
các gờ).
• Ranh giới góc nhỏ có mật độ lệch gia
tăng tuyến tính tỷ lệ thuận với góc lệch
hướng (θ) ➔ năng lượng của ranh
giới góc nhỏ gia tăng cùng θ . Gờ (ledge) Ng. tử thiên tích
 Với θ nhỏ, Khoảng cách giữa các lệch (SD ) lớn : EGB tỷ lệ thuận với mật
độ lệch. 1
EGB  
SD
• Khi θ gia tăng ➔ gia tăng mật độ
Năng lượng bề mặt EGB, J/m2

lệch và sự hỗn độn của phân bố

lệch ➔ trường biến dạng của các
lệch dần triệt tiêu ➔
EGB tiến đến
10-15o
Ranh giới góc
giá trị bão hoà.
lớn (hỗn hợp
lệch phân bố
ngẫu nhiên) + Triệt tiêu

EGB = Eoq ( A - lnq )

Ranh giới góc
nhỏ (tường lệch) • Khi θ tiến đến ~15o, vùng tâm các
lệch bắt đầu chồng lên nhau ➔
việc mô tả ranh giới hạt bằng
q
tường lệch không còn ý nghĩa.
Khi đó, ranh giới hạt góc lớn được hình thành từ hỗn hợp các dạng lệch
khác nhau (với EGB tương đối cao).

Tồn tại sự kết hợp đặc biệt giữa độ lệch hướng tinh thể và mặt phẳng
ranh giới tương ứng với năng lượng bề mặt thấp .
d) Ranh giới hạt với góc lệch hướng tinh thể đặc biệt lớn
Ranh giới hạt góc đặc biệt lớn với các nguyên tử sắp xếp khít ➔ năng
lượng ranh giới thấp.
▪ Mặt ranh giới phân bậc:
Ranh giới hạt góc lớn (năng lượng cao) có thể tự tối ưu bằng cách cấu
trúc thành các (mặt) bậc ➔ tăng diện tích mặt ranh giới ➔ giảm năng
lượng bề mặt.

▪ Mặt ranh giới với nút mạng trùng

khớp (Coincidence site Latice - CSL):

Mặt ranh giới CSL là mặt không liền mạng, có một số lượng nguyên tử
của tinh thể này trùng với các nút mạng của tinh thể kia (trên ranh giới hạt)
Các tinh thể (1) và (2) Ranh giới
(2)
xoay tương đối với (1)
nhau quanh 1 trục. Với
một góc lệch hướng
nhất định, có sự trùng
Các
khớp hoàn hảo của một nút
số vị trí nút mạng ➔ mạng
hình thành 1 mạng tinh trùng
khớp
thể trùng khớp (các
nguyên tử màu đen).
- Ranh giới CSL được đặc trưng bởi
Ranh giới thông số Σ:
VCSL
S= = Mật độ nút mạng trùng khớp
VNT
Các
nút VCLS , VNT − tương ứng là thể tích o
mạng
trùng
mạng tinh thể trùng khớp và ô mạng
khớp tinh thể nguyên thủy.
Ví dụ: ranh giới S = 7,9,13,15,... có
nghĩa là 1 trong 7, 9, 13, 15, …
nguyên tử trên ranh giới có vị trí trùng
khớp 2 mạng tinh thể.
- Ranh giới CSL với Σ nhỏ có ảnh hưởng đáng kể đến cơ tính của vật liệu.
Các ranh giới CSL với Σ < 29 có các ưu điểm sau so với ranh giới có phân
bố nguyên tử ngẫu nhiên hoặc ranh giới có Σ lớn hơn:
✓ Năng lượng ranh giới hạt thấp (trong kim loại sạch);
✓ Hệ số khuếch tán thấp;
✓ Trở kháng điện thấp;
✓ Khả năng thiên tích của chất tan vào ranh giới thấp;
✓ Trở kháng trượt, phá huỷ cao hơn;
✓ Khả năng chống ăn mòn (corrosion) cao hơn, …
▪ Ngã ba ranh giới hạt:
- Ngã ba ranh giới là nơi 3 hoặc 4 hạt
gặp nhau, phổ biến trong đa tinh thể.

Tỷ phần thể tích

Số lượng ngã ba ranh giới ảnh Miền ranh
hưởng đáng kể đến các tính chất cơ giới hạt
học của vật liệu.
- Số lượng ngã ba ranh giới phụ thuộc Ngã ba
vào kích thước và hình học của hạt. ranh giới
hạt
- Ảnh hưởng của ngã ba ranh giới hạt
và ranh giới hạt đến hành vi cơ học
của vật liệu rất đáng kể đối với kích
Kích thước hạt, nm
thước hạt <30nm (vật liệu nano)
 ▪ Lệch trong ranh giới hạt và gờ ranh giới:
- Lệch ranh giới (Grain Boundary Dislocation - GBD) tồn tại trong trong ranh
giới hạt, có định hướng không trùng với mạng tinh thể của các hạt kề cận
➔ lệch ranh giới khác lệch trong thể tích tinh thể.
- Các lệch ranh giới có thể liên kết với nhau tạo thành các gờ (bậc) trên ranh
giới.
Ranh giới hạt
Gờ (bậc)
Mặt trượt của A
Các GBD dịch chuyển dọc theo
ranh giới hạt (theo chiều mũi tên),
kết tụ tại giao tuyến giữa mặt trượt
(111) và ranh giới hạt, tạo thành gờ
Mặt trượt của B (bậc).
Các GRD

Dưới tác dụng của ứng suất cắt,

các lệch mạng dịch chuyển theo
mặt trượt (111) từ hạt A sang hạt B
qua ranh giới, gây ra biến dạng cắt
không đồng nhất trên biên ➔ tạo
thành gờ (bậc). Lệch Ranh giới hạt
- Sự khác biệt giữa GBD và gờ : GBD là gờ có độ cao nhỏ nhất.
- Sự hình thành các lệch ranh giới (GBD):
( A) (B) ( A) (B)
a) Trượt của lệch truyền trực tiếp từ
hệ trượt của (A) sang hệ trượt của
(B) có cùng véc tơ Burgers: ranh
giới hạt “trong suốt” đối với lệch.
Ranh giới hạt (A)-(B) b) Trượt của lệch truyền trực tiếp,
nhưng ➔ để lại trong ranh
giới một lệch có .
c) Trượt của lệch truyền gián tiếp từ
(A) sang (B), ➔ để lại trong
( A) (B) ( A) (B) ranh giới một lệch có .
d) Lệch không thể vượt qua ranh giới hạt,
Gờ (bậc) trên ranh giới hạt
tích tụ lại thành chồng trước ranh giới.
- Gờ trên ranh giới là một đặc trưng quan
trọng của ranh giới hạt góc lớn. Mật độ gờ
gia tăng cùng độ lệch hướng tinh thể θ.
- Các gờ trên ranh giới hạt có thể là các
nguồn sinh lệch hiệu quả ➔ ảnh hưởng
quan trọng đến cơ tính của vật liệu.
4.5.2. Ranh giới song tinh: Ranh giới
song tinh
không liền
Ranh giới mạng
song tinh
liền mạng Mặt song tinh
j
Hàng nguyên tử

Ranh giới song tinh không liền mạng

Thép không gỉ có năng lượng (ETB) cao hơn
Ranh giới austennit sau khi ủ song tinh không
ETB liền mạng
song tinh

Song tinh liền

mạng
- 0 + j
• Tồn tại 2 dạng ranh giới song tinh: song tinh do biến dạng và song tinh do
ủ (nhiệt luyện).
• Song tinh do biến dạng là cơ chế biến dạng dẻo quan trong thứ 2 sau
trượt của lệch.

Khi biến dạng dẻo

Chuyển vị của các ng. tử bởi song tinh, trong
tinh thể hình thành
các băng định
hướng song tinh
(kim loại HCP biến
dạng ở nhiệt độ
thường, kim loại
Mặt (111)
BCC biến dang ở
Các mặt song tinh dưới nhiệt độ
Hướng song tinh [112] thường, ít ảnh
hưởng đối với kim
loại FCC) .

• Cơ chế biến dạng song tinh khác hoàn toàn cơ chế trượt:
 Song tinh Trượt (slip)
- Miền song tinh có định hướng - Miền trượt có cùng định hướng
đối xứng gương so với mạng với mạng nguyên thuỷ
nguyên thuỷ.
- Song tinh là một miền có biến - Trượt là chuyển vị cắt của một
dạng cắt đồng nhất. khối tinh thể
- Hướng song tinh luôn là hướng - Hướng trượt có thể âm hoặc
cực (góc và hướng xoay) dương.
• Ứng suất cần thiết để tạo song tinh (σtw) ít nhạy cảm hơn với nhiệt độ và
lớn hơn ứng suất cần thiết gây ra trượt. Giá trị của ứng suất để khởi
tạo song tinh lớn hơn nhiều so với ứng suất cần thiết để lan truyền song
tinh
• Song tinh và trượt là hai cơ chế biến dạng cạnh tranh nhau: ở nhiệt độ
thấp hoặc tốc độ biến dạng cao ➔ cơ chế song tinh có xu thế áp đảo.
• Ứng suất khởi tạo song tinh do biến dạng (song tinh cơ học) phụ thuộc
vào năng lượng lỗi xếp chồng g sf .
1/2
æ g sf ö
s tw = K ç ÷ , G – mô đun cắt đàn hồi; b – véc tơ
è Gb ø Burgers; K – hằng số.
Ứng suất song tinh, MPa

Ảnh hưởng của năng lượng lỗi xếp

chồng đến ứng suất khởi tạo song
tinh của một số hợp kim đồng.

(g sf / Gb)1/2
• Song tinh phụ thuộc vào Ti
kích thước hạt: Nhiệt độ, oK
Trượt

Đường cong nhiệt độ - tốc

độ biến dạng với các miền
trượt và song tinh cho thấy
Song tinh
ảnh hưởng của kích thước
hạt. Tốc độ biến dạng, s-1
4.5.3. Băng lỗi xếp chồng, ranh giới pha và đối pha
 Lỗi xếp chồng (staking fault):
Xuất hiện trong một số tinh thể có cấu trúc chặt chẽ , được tạo thành
do sự sai lệch trình tự sắp xếp các lớp nguyên tử.

Lỗi xếp chồng ngoại lai (thêm Lỗi xếp chồng nội tại (khuyêt
một phần mặt tinh thể) một phần mặt tinh thể)
Lệch hoàn hảo

Băng lỗi xếp chồng (LXC)được Tách lệch

tạo thành do một lệch hoàn Lệch thành
hảo tách thành hai lệch thành phần
phần (cần năng lượng tạo
thành LXC: g sf .
Lỗi xếp chồng
 - Vật liệu có g sf lớn: lệch không thể phân tách. Cơ chế biến dạng:
trượt, leo, rẽ của lệch hoàn hảo.
- Vật liệu có g sf nhỏ, lệch có thể phân tách. Năng lượng càng thấp,
độ rộng băng càng lớn. Độ linh động của lệch giảm đi, các lệch xoắn
tồn tại không thể trượt rẽ qua băng lỗi xếp chồng ➔ vật liệu khó biến
dạng.
 Mặt ranh giới đối pha (antiphase):
Ranh giới giữa hai miền đối pha, có cấu trúc tinh thể đối ngược lại với
nhau.

Ranh giới đối pha

4.5.4. Tác động của khuyết tật mặt trong biến dạng dẻo
a) Tác động của ranh giới hạt (hoá bền do kích thước hạt)
Ranh giới hạt có vai trò rất quan trọng trong biến dạng dẻo của đa tinh thể:
- Ở nhiệt độ thấp (T < 0.5Tf) ranh giới hạt là là các chướng ngại cản trở
chuyển động của lệch ➔ lệch tích tụ thành chồng trước ranh giới hạt ➔
tập trung ứng suất nội (tương tác giữa các lệch trong chồng và giữa chồng
lệch với chướng ngại). Ứng suất tập trung có thể được giải phóng (nới) nếu
xảy ra trượt đa hệ (trượt đồng thời trên nhiều hệ mặt trượt khác nhau) tại
lân cận ranh giới hạt.
- Tồn tại điều kiện tương thích giữa các hạt kề cận trong quá trình biến dạng.
Nếu không xảy ra quá trình hình thành các khoang rỗng hay phá huỷ, biến
dạng của mỗi hạt phải tương thích với biến dạng của các hạt kề cận, gây
nên bởi trượt đa hệ trong lân cận ranh giới hạt ➔ vật liệu hoá bền mạnh.
Hạt càng nhỏ, tổng diện tích bề mặt ranh giới càng lớn ➔ thể tích vật liệu
hoá bền tỷ lệ nghịch với kích thước hạt (hoá bền càng mạnh khi kích thước
hạt càng nhỏ).
- Ở nhiệt độ cao, xảy ra cơ chế biến dạng dẻo bởi trượt trên ranh giới hạt, có
thể dẫn đến sự tạo thành các khoang rỗng dọc theo ranh giới ➔ vật liệu
hoá mềm.
- Ở nhiệt độ cao, ranh giới hạt có thể có vai trò là nguồn hoặc giếng đối với
nút trống thúc đẩy quá trình khuếch tán (dão Nabarro-herring, Coble).
Lý thuyết Hall-Peach:
Giả thiết chồng lệch có thể “xuyên” qua ranh giới hạt dưới tác dụng của
ứng suất tập trung tại đầu chồng lệch.
Nhắc lại:
Nếu t là ứng suất cắt tác dụng trên mặt trượt, ứng suất tác dụng
tại đầu của chồng lệch gồm n lệch sẽ là nt .
a
a
Số lượng lệch trong chồng lệch phụ thuộc vào độ dài chồng lệch L :
a nGb a =1 Chồng lệch xoắn.
L=
pt a = (1- n ) Chồng lệch biên.
a

- Nếu nguồn của chồng lệch nằm tại Nguồn Frank-

tâm của hạt L = D/2 (D đường kính Read
hạt).
Chồng
- Nếu t là ứng suất tới hạn cần thiết lệch
c L
để vượt qua chướng ngại ranh giới, FR r
FR
các lệch của chồng lệch có thể vượt
D
qua ranh giới nếu:
nt a ³ t c
 nt a ³ t c
Dp t a2 2a Gbt c 1
a nGb ³ tc Þ ta ³ . = k D-1/2
L= 2a Gb p D
pt a
Nếu tính tới ứng suất ma sát t o cần thiết để dịch chuyển các lệch trong
trường hợp không có chướng ngại, ta có :
t a ³ t o + k D-1/2 Þ t a = t o + k D-1/2
Chuyển đổi sang ứng suất pháp, với
σy ứng suất ngưỡng và σo là ứng
suất ma sát cần thiết để dịch chuyển

Ứng suất σy
các lệch (khi không có chướng ngại),
ta có :
s y = s o + k D-1/2 k
Phương trình Hall-Petch so
(PT Hall-petch chỉ đúng cho số lượng
lệch trong chồng lớn không áp dụng
cho kích thước hạt siêu mịn và nano) D-1/2
Lý thuyết Cottrell: Nguồn Frank-
Read
Giả thiết ứng suất tập trung gây nên
bởi một chồng lệch trong một hạt có
Chồng
thể kích hoạt các nguồn lệch trong hạt lệch
L
kề cận. r
FR
FR
Nguồn Fank-Read (FR) trong hạt (2) D
(2)
được kích hoạt bởi chồng lệch sinh
(1)
ra từ nguồn FR trong hạt (1).

Băng trượt (gây nên bởi chồng lệch) trong hạt (1) bị chặn tại ranh giới
được coi là vết nứt cắt. Ứng suất cắt tập trung tại đỉnh vết nứt sẽ gây ra
ứng suất cắt tại nguồn FR trong hạt (2), được xác định theo biểu thức:
1/2
æ Dö
t = (t a - t o ) ç ÷ , r < D/2
è 4r ø
Nguồn FR sẽ kích hoạt nếu t đạt giá trị của ứng suất tới hạn t :
c
1/2
æ Dö
t c = (t a - t o ) ç ÷
Dạng Hall-
hay t a = t o + 2t c r D 1/2 -1/2

è 4r ø Petch
Lý thuyết Li :
Giả thiết ranh giới hạt là nguồn sinh
lệch. Sự khởi phát của ứng suất
ngưỡng trong vật liệu đa tinh thể liên
quan đến sự kích hoạt của các nguồn
này.

Các gờ trên ranh giới hạt là các

nguồn sinh lệch và “đẩy” chúng
Thép không gỉ AISI 304
vào trong thể tích hạt

Các lệch sinh ra từ nguồn tạo thành “rừng” lệch trong vùng cận ranh giới
hạt Ứng suất ngưỡng dẻo chính là ứng suất tác động cần thiết (t ) để lệch
vượt qua rừng lệch.
t o - Ứng suất ma sát ; α - hằng số ;
t = t o + a Gb r ρ – mật độ lệch
NL – số lượng gờ trên ranh giới; SV – diện
r µ NL hay r µ SV tích mặt ranh giới trên 1 đv thể tích.

1
SV µ Þ t = t o + a ¢GbD-1/2 ¬ Phương trình Hall-Petch
D
Lý thuyết Meyers - Ashworth :
Giả thiết tồn tại sự không tương thích giữa ứng suất đàn hồi và ứng suất
dẻo giữa các hạt kề cận. Do sự tương thích biến dạng giữa các hạt kề
cận, xuất hiện tập trung ứng suất trong hạt biến dạng đàn hồi tại lân cận
ranh giới tiếp xúc với hạt biến dạng dẻo.

Ứng suất cắt trên mặt ranh giới gây nên bởi không tương thích ứng suất
( I ) ≈ 3 lần ứng suất cắt đồng nhất trong thể tích hạt biến dạng đàn hồi
( H ), gây nên bởi ứng suất tác dụng pháp tuyến ( s a ).
Hoạt động của các lệch trong cận ranh giới hạt xảy ra trước so với
trong vùng tâm hạt.
• Lệch sinh ra từ nguồn trên ranh giới và lan truyền cục bộ trong vùng
cận biên, không thể lan truyền vào thể tích (vùng tâm) hạt do 2 lý do:
- Ứng suất giảm nhanh theo khoảng cách từ ranh giới vào tâm hạt, giá
trị của ứng suất cách xa biên giới không đủ để kích hoạt lệch.
- Ứng suất tác dụng pháp tuyến σa gây ra ứng suất cắt max trong vùng
tâm nghiêng một góc 45o so với hướng tác dụng của σa . Trong khi
đó, các ứng suất cắt trên ranh giới hạt có hướng tác động khác nhau
(// với mặt ranh giới) và khác với hướng ứng suất cắt trong vùng tâm.
a) Ứng suất đàn hồi tập
sa s Ứng suất tập trung

trung trên ranh giới; Ứng suất trong vùng tâm

b) Biến dạng dẻo xảy ra a) s GB
trên biên (lệch sinh ra x s B » sa
và chuyển động, cục
bộ), s GB = s y. sa Kh. cách
Ngưỡng
c) Ứng suất trong vùng s GB = s y dẻo vi mô
tâm (σB) gia tăng dần, b)
đạt giá trị ngưỡng
dẻo ➔ biến dạng dẻo
vùng tâm ➔ biến Ngưỡng dẻo vĩ mô
dạng dần đồng đều, s B » s GB » s a = s y
ứng suất dần cân c)
bằng.
s B » s GB » s a = s y

Phương trình Mayers – Ashworth:

 y =  B + 8k ( GB −  B ) D−1/ 2 − 16k 2 ( GB −  B ) D−1

Có vai trò quan trọng đối với hạt nhỏ, làm

giảm độ nghiêng của đường cong.
 b) Tác động của ranh giới siêu cấu trúc (song tinh, ô lệch)

Cấu trúc lệch biến đổi trong qúa trình Cấu trúc rối của lệch
hồi phục (đa giác hoá cấu trúc lệch) (sinh ra trong quá trình
nhằm giảm năng lượng tương tác biến dạng dẻo) trong thể
tích hạt.

Lệch sắp xếp lại thành

cấu trúc ô (dislocation
cell) .
xắp xếp lại ở
nhiệt độ cao
Các lệch trái dấu trong
ô lệch triệt tiêu nhau.

Hình thành siêu hạt

Ở nhiệt độ cao và dưới tác động (subgrain) (ranh giới
của ứng suất, cả cơ chế leo và góc nhỏ)
trượt của lệch đều cần thiết cho Các siêu hạt gia tăng
quá trình đa giác hoá cấu trúc lệch
kích thước bởi liên kết
➔ tạo thành các vách lệch (ranh
nhằm giảm năng lượng
giới siêu hạt).
ranh giới)
Biến dạng song tinh trong
nickel (Ni). Ranh giới
song tinh cản trở chuyển
động của lệch trong quá
trình biến dạng tiếp theo.

• Ranh giới siêu cấu trúc cũng là các chướng ngại cản trở chuyển động
của lệch ➔ tác động cơ học tương tự ranh giới hạt.
• Ảnh hưởng của ranh giới siêu cấu trúc đến ứng suất chảy dẻo ( σf) có
thể xác định bởi biểu thức tổng quát:
s f = s o + KD- m Δ - kích thước siêu cấu trúc; m = (0.5 ÷ 1.0),
m = 0.5 : ranh giới góc lớn ( phương trình Hall-Petch)
m > 0.5 : ranh giới góc nhỏ.
Nếu tính tới ảnh hưởng của cả kích thước hạt, có:
 f =  o + K1 D−1/2 + K2 − m
4.5.5. Vai trò của ranh giới hạt trong vật liệu tinh thể nano
• Tỷ phần thể tích Các
ranh giới hạt (các nguyên
nguyên tử sắp tử mạng
xếp hỗn độn)
đáng kể. Các
nguyên
tử ranh
• Vật liệu nano có
giới (phi
mật độ thấp hơn
trật tự)
vật liệu tinh thể
thông thường (10
μm ≤ d ≤ 300
μm)
• Vật liệu nano có các tính chất cơ – lý đặc biệt, khác so với vật liệu đa
tinh thể thông thường:
- Ứng suất chảy và độ bền cơ học rất cao.
- Phương trình Hall-Petch không còn đúng: độ nghiêng Hall – Petch
giảm dần khi kích thước hạt giảm.
- Với kích thước hạt nhất định (<10nm ÷ 30nm), xảy ra hiệu ứng Hall –
Petch ngược (hay hiệu ứng Hall-Petch âm) – IHP (Inverse Hall-Petch).
 Mô phỏng

Ứng suất ngưỡng, MPa

Ứng suất thực, MPa PT Hall-Petch
Cu số

Meyers - Ashworth

Biến dạng thực, % D-1/2 ,m-1/2 ´10-3

- IHP sinh ra do cơ chế biến dạng

Hiệu ứng Hall-Petch ngược (IHP)
ranh giới (xoay của hạt, di cư của
ranh giới hạt và trượt của ranh Chế độ chuyển tiếp
giới hạt). Độ bền Hall-Petch thông thường
- Chế độ chuyển tiếp: chuyển đổi
liên tục từ cơ chế biến dạng do
chuyển động của lệch sang cơ
chế biến dạng ranh giới hạt. Siêu bền
Khả năng siêu biến dạng
- Hall-Petch thông thường: biến
20 dc 30 ¸100
dạng do chuyển động của lệch. Kích thước hạt, nm
 • Phương trình xác định ứng suất tập trung (Hall-Petch) chỉ đúng khi trong thể
tích hạt có một số lượng đủ lớn lệch ➔ tôn tại một số lượng lệch tối thiểu
mà dưới đó phương trình Hall-Petch không còn áp dụng được.
• Biến dạng do trượt theo ranh giới tỷ lệ nghịch với kích thước hạt. Với D <
10 nm, trượt theo ranh giới hạt vai trò đáng kể trong biến dạng dẻo.
4.6. Khuyết tật thể tích (3D)
• Khoang rỗng và các hạt thể bao là các khuyết tật thể tích chính:
- Các hạt thể bao: các hạt xỉ, gạch chịu lửa hoặc các hạt ngoại lai khác
vô tình rơi vào kim loại lỏng/kim loại bột trong quá trình chế tạo; Các
hạt pha kết tủa, các hạt gia cường (composit nền kim loại), các hạt
tạp chất (S, P trong thép),… .
- Các khoang rỗng: tồn tại
trong vật liệu chế tạo bằng
phương pháp ép + thiêu kết
bột (khoang xốp tồn dư sau
thiêu kết).
Cấu trúc vi mô của TiC chế tạo
bằng phương pháp ép nóng bột
cho thấy các khoang xốp tồn dư
sau thiêu kết (mũi tên)
 Al2O3

TiC
Ảnh TEM cho thấy khoang rỗng (xốp) trong ceramic sau thiêu kết
• Ceramic, hợp chất liên kim và các kim loại giòn rất nhạy cảm với các hạt
thể bao và khoang rỗng.
• Các khoang rỗng là các vị trí khởi phát phá huỷ trong các vật liệu giòn
và là nguyên nhân chính dẫn đến sự khác nhau đáng kể giữa độ bền
kéo và độ bền nén (độ bền nén ≈ (5-10) lần độ bền kéo).