Université Mohammed V Rabat Année 15/26 Faculté des Sciences Sections + A/B/¢ exorelee a: (On considére un matériau semi-conducteur base de Silicium dopé avec des atomes de Bore, La concentration des impuretés de Bore est de N, = 10% m"3. La caractéristique intrincéque du silicum m= 145 10m 2 300°. Quel este type du dopage? Dans co matériau quols sont lor porteurs majoritaires ? Donner Ia concentration des trous eta concentration des electrons lores. Donner la conéuctivté d'un tel matériau, Si Ng eugmente, comment varie la conductivté ? Queleestla résistance f,, d'un barreau paralélépipédique de ce matériau de longveur 1 = 10pm, delargeur w = S0um etheuteurh = lum? Commant évolue cette résistance sla température augmente? 8. Sion corsidére maintenant un matériau dopé avec des atomes de phosphore 2 la place ces tomes de Bore avec la méme concentration Ny = Ny , Ip conductivté du matériau est elle fa méme, pourquoi? S0em27~ Lamobilte des trous dans leSi est tp = 1450em2V~s"? et celle des tous ip & 7 =300°K, Exerciee2: Les diodes dons les circuits suivants sont suppostes idéales 1, Galeuleria tension Vo pour les circuits des figures Ya et 1b. 2. Reprendrelo question 1 pour le circuit dela figure Losi lo clode D est réllecaractérisée boeVy =077, Ry = 200, On prendra R= 300, . + R os oz nh % Wy + < ca ov lov iv a S feta fi. ab fxercice Le circuit deta figure 2 est al menté par la source sinusoidele: ve = 15 sin( ut). Les diodes Dt et D2 sontidéeles, Ey = Ez = SV et R = Ska. 4, Determiner et tracer la fonction de transfert: v, = fv.) 2. Tracer'"évolution ée la tension de sortie ven fonction du temps.earl Latension », eprésentée dans a figure 3a est obtenue apres redressement et fitrage d'un signal sinusoldal. Elle est ensuite réguée # aide du eeu dela figure 3b pour abtenir en sortie un signal continu, “L_Béterminer quelle serait la marge des valeurs dela charge R, qui maintiendrait ia tension de sortie ¥, stable la valeur nominale de 7V ? Données: R= 1000,D, : Vz =7V. Vo =O, lamin = IMA. Prmae = 0250. y ww + oy Va 7 20~«30~—«ms) Fig. 35 Fig. 38 2. Onprend R = 3200, Calculer le courant dans fa diode, < eeenorimaneamen Sl ae tal ‘Exercice 5 R ae [~] yeep Fo. Un régulateu de tension fournt partir une batterie pour eutomebile une tension de 9V a la radio, Ia tension e de la battaria varie de 11/ & 13.6V et le courant dans la radio entre 0 et 100mA. On SUPDOSE QUE lamin @St gal de 10% Ce lamex: Determiner: 1. Le courant lemax dans fa diode. 2. a puissance maximale Prax dssipée dans la diode 43. La résistance Ret la puissance Pemex maximale quelle cssipe.Sin @ ene =f A) Cntr Je Gore pomt tivalmb.’ dont le Sidiciam OX Lope pum Je atom aeceptinn Ng a Mp 2 Ao! om = { e_mateniene GbUinu ot de type f 2) te yartenm moapgritalin sont be brane 3) LR Comrcamtaotede Je brain pre Me, 5A baie Jan. : 2 de bbe 4 me Carpe mid Me za | — m2 2, 4.A®e Lo? ) Gm imc es S p e TPs he — qatreattc be AK Sol ys at Tr geo Sho pla aD alg pew fo As page augment Ca Urn duce ivity 7 AWammrenke BG) _nérirvance Uume doaaemfve tOcgue A FE | Um Yannenn meta llcpne te lemgnera (fe vectign Unbemamt om eC rah 2 onmie 6 nine Vemal Om_v. yei Ses Te = gm yeLD i te Pratenien ot Core avec der atomn de phorphore Sn Olek Un £6 de kG ge pip 2 My fa tomdncevity du tralian v n'ert par Pet POs ta treme pontege Ch Mmowikte dene Cym tee j RAO )- qe de baseEnc: M4Fig Aw fa Suede 9 wemdwit ot Ca Germ de gfméaatcnn de Harry, hevenin ng ar Carta gun ef Positive CV, > 0). eo Ve> bv ne BS ers = Ne Memonee f ‘ Vee Fe yo = Ca diod 0 cndnitVenlo | 2 eg *}R . é %> 8,344r 4 AGW 4) Wm pegged que 0, s'ow! 4 ae = a ae & Greppert impoomble con (0) Ur owetase que Oe r= lon Ry t Asv ‘ote’ at ee 0, 20 1v! te puppesitivn Ht vatede a: Ty, se Np {2 wr Mmindmal SBM ppranik bos te thoage Cardio) tot mmasimale ercti R Cag tp) MeA ee Yn > 291.7 me i) x cag #9 tag See? £, 68 w ay a Gea Se)